TWI642098B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI642098B
TWI642098B TW105105098A TW105105098A TWI642098B TW I642098 B TWI642098 B TW I642098B TW 105105098 A TW105105098 A TW 105105098A TW 105105098 A TW105105098 A TW 105105098A TW I642098 B TWI642098 B TW I642098B
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日商思可林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置中，供給流路分支為複數個上游流路。複數個噴出口分別配置於與旋轉軸線之距離不同之複數個位置。回流流路連接於上游流路。下游加熱器對流動於上游流路之液體進行加熱。下游切換單元將自供給流路供給至複數個上游流路之液體選擇性地供給至複數個噴出口及回流流路中之一者。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。作為處理對象之基板中，包含例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等。
於日本專利特開2006-344907號公報中，揭示有一種對半導體晶圓等基板逐片進行處理之單片式基板處理裝置。上述基板處理裝置具備：旋轉夾頭，其一面將基板保持為水平一面使其旋轉；及噴嘴，其朝保持於旋轉夾頭之基板之上表面中央部噴出較室溫高之溫度之處理液。自噴嘴噴出之高溫之處理液液體附著於基板之上表面中央部之後，沿旋轉之基板之上表面流向外側。藉此，將高溫之處理液供給至基板之整個上表面。
液體附著於旋轉之基板之上表面中央部之處理液沿基板之上表面自中央部流向周緣部。於該過程中，處理液之溫度逐漸降低。因此，溫度之均勻性降低，從而處理之均勻性會惡化。若使自噴嘴噴出之處理液之流量增加，則處理液到達基板之上表面周緣部為止之時間縮短，故處理液之溫度降低減輕，但該情形時，處理液之消耗量會增加。
本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其使基板一邊保持為水平，一邊繞通過基板之中央部之鉛垂之旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其對保持於上述基板保持單元之基板供給處理液。
上述處理液供給系統包含供給流路、複數個上游流路、複數個噴出口、複數個回流流路、複數個下游加熱器、及下游切換單元。上述供給流路將液體朝上述複數個上游流路引導。上述複數個上游流路自上述供給流路形成分支，且將自上述供給流路供給之液體朝上述複數個噴出口引導。上述複數個噴出口包含：主噴出口，其朝上述基板之上表面中央部噴出處理液；及複數個副噴出口，其等偏離上述上表面中央部，朝與上述旋轉軸線之距離不同之上述基板之上表面內之複數個位置分別噴出處理液；上述複數個噴出口分別配置於與上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數個上游流路而供給之液體朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面噴出。上述複數個上游流路包含連接於上述主噴出口之主上游流路、及連接於上述複數個副噴出口之複數個副上游流路。上述複數個回流流路在較上述複數個副噴出口更靠上游之位置分別連接於上述複數個副上游流路。上述複數個下游加熱器在較上述回流流路與上述副上游流路之連接位置更靠上游之位置，分別連接於上述複數個副上游流路，對流動於上述複數個副上游流路之液體進行加熱。上述下游切換單元係將狀態切換為包含將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路之液體供給至上述複數個噴出口之噴出狀態、與將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路 之液體供給至上述複數個回流流路之噴出停止狀態在內的複數個狀態中之任一者。
根據本發明，引導處理液之供給流路分支為複數個上游流路。藉此，可使噴出口之數量增加。流動於供給流路之處理液經由上游流路而供給至噴出口，且朝繞旋轉軸線旋轉之基板之上表面噴出。複數個噴出口分別配置於與旋轉軸線之距離不同之複數個位置。因此，與僅使1個噴出口噴出處理液之情形相比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可一面減少處理液之消耗量，一面提高處理之均勻性。
在使複數個噴出口朝於徑向上分離之複數個位置噴出處理液之情形時，將相同品質之處理液供給至基板之各部分對於提高處理之均勻性較為重要。於針對每一噴出口設置有槽或過濾器等之情形時，能夠將與供給至某噴出口之處理液之品質不同之處理液供給至其他噴出口。相對於此，於本實施形態中，使供給流路形成分支，使各噴出口噴出自相同流路(供給流路)供給之處理液。藉此，可使各噴出口噴出相同品質之處理液。進而，與針對每一噴出口設置有槽或過濾器等之構成相比較，可削減零件數，從而可使維護作業簡化。
有處理液之溫度對基板之處理造成較大影響之情形。若於噴出停止中使下游加熱器停止，則於重新開始下游加熱器之運轉時，直至經下游加熱器加熱之處理液之溫度穩定為預期之溫度為止要花費時間。因此，無法立即重新開始處理液之噴出，從而產出量(每單位時間之基板之處理片數)降低。因此，較佳為即便於噴出停止中，亦使下游加熱器對液體進行加熱。
根據本發明，於噴出停止中，將液體供給至上游流路，且使下游加熱器對液體進行加熱。經下游加熱器加熱之液體並未自複數個噴出口噴出，而是自上游流路流向回流流路。因此，即便於噴出停止中，亦可維持下游加熱器之溫度穩定之狀態。因此，可立即重新開始處理液之噴出。
於本實施形態中，亦可將以下至少一個特徵附加於上述基板處理裝置。
上述處理液供給系統進而包含第1藥液流路、第2藥液流路、純水流路、及上游切換單元，上述第1藥液流路將第1藥液供給至上述供給流路，上述第2藥液流路將第2藥液供給至上述供給流路，上述純水流路將純水供給至上述供給流路，上述上游切換單元係將狀態切換為包含將第1藥液及第2藥液供給至上述供給流路之噴出狀態、與將純水供給至上述供給流路且停止將第1藥液及第2藥液供給至上述供給流路之噴出停止狀態在內的複數個狀態中之任一者。
第1藥液及第2藥液可為相同種類之藥液，亦可為不同種類之藥液。純水可為室溫(例如20~30℃)之純水，亦可為較室溫高之溫度之純水(溫水)。又，供給至回流流路之純水可再利用，亦可不再利用。亦即，供給至回流流路之純水亦可再次自純水流路供給至供給流路。
根據本發明，將分別貯存於2個槽中之第1藥液及第2藥液供給至供給流路。於噴出停止中使下游加熱器對包含第1藥液及第2藥液之液體進行加熱之情形時，無法使該液體返回至第1藥液及第2藥液用之2個槽中，從而第1藥液及第2藥液之消耗量 增加。根據本發明，於噴出停止中，將純水供給至上游流路，且使下游加熱器對純水進行加熱。因此，可一面減少處理液之消耗量，一面維持下游加熱器之溫度穩定之狀態。
上述處理液供給系統進而包含排液流路及回收、排液切換單元，上述排液流路連接於上述複數個回流流路，上述回收、排液切換單元係將狀態切換為包含將流動於上述複數個回流流路之液體引導至回收單元之回收狀態、及將流動於上述複數個回流流路之液體引導至上述排液流路之排液狀態在內的複數個狀態中之任一者。
根據本發明，於噴出停止中使通過下游加熱器之處理液返回至回收單元，故可一面減少處理液之消耗量，一面維持下游加熱器之溫度穩定之狀態。進而，於噴出停止中亦可使通過下游加熱器之處理液不返回至回收單元而是排出。例如在將分別貯存於2個槽中之2種液體供給至供給流路之情形時，由於處理液包含2種液體，故無法使該處理液返回至各槽。根據本發明，可選擇回收及排液，故即便於此種情形時，亦可維持下游加熱器之溫度穩定之狀態。
上述處理液供給系統進而包含複數個下游流路，上述複數個副上游流路均係分支為上述複數個下游流路之分支上游流路，針對每一上述下游流路設置有上述副噴出口。
根據本發明，對複數個噴出口供給處理液之流路係分支為多階段。即，供給流路分支為複數個上游流路(第1分支)，且包含於複數個上游流路之分支上游流路分支為複數個下游流路(第2分支)。因此，與複數個上游流路不包含分支上游流路之情形相比 較，可使噴出口之數量增加。藉此，可進而提高基板上之處理液之溫度之均勻性，從而可進而提高處理之均勻性。
上述基板處理裝置進而包含腔室，該腔室收容保持於上述基板保持單元之基板，上述分支上游流路於上述腔室內分支為上述複數個下游流路。
根據本發明，將複數個下游流路之上游端配置於腔室內。分支上游流路於腔室內分支為複數個下游流路。因此，與分支上游流路於腔室外形成分支之情形相比較，可縮短各下游流路之長度(液體流動之方向之長度)。藉此，可抑制由自處理液向下游流路之傳熱而導致之處理液之溫度降低。
上述處理液供給系統進而包含上游加熱器，上述上游加熱器對供給至上述供給流路之液體以上游溫度進行加熱，上述複數個下游加熱器對流動於上述複數個副上游流路之液體以較上述上游溫度高之下游溫度進行加熱。
於處理液較基板之溫度高之情形時，處理液之熱被基板吸收。又，由於處理液與基板一同旋轉，故基板上之處理液一面藉由空氣而冷卻，一面沿基板之上表面流向外側。基板之各部分之周速隨著離開旋轉軸線而增加。周速越大，則基板上之處理液越易冷卻。又，若假定可將基板之上表面於徑向上以等間隔分割成複數個圓環狀之區域，則各區域之面積隨著離開旋轉軸線而增加。若表面積較大，則熱易自處理液向圓環狀之區域移動。因此，若自噴出口噴出之處理液之溫度全部相同，則有無法獲得充分之溫度均勻性之情形。
根據本發明，將藉由下游加熱器以較上游溫度高之溫 度之下游溫度而加熱後之處理液自複數個副上游流路供給至複數個副噴出口，且自該等噴出口噴出。亦即，一方面將上游溫度之處理液自主噴出口噴出，另一方面將較上游溫度高之溫度之處理液自副噴出口噴出。如此，供給至基板之上表面之處理液之溫度隨著離開旋轉軸線而階段性地增加，故與使各噴出口噴出相同溫度之處理液之情形相比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可一面減少處理液之消耗量，一面提高處理之均勻性。
上述處理液供給系統進而包含第1噴嘴與第2噴嘴，上述複數個噴出口包含設置於上述第1噴嘴之第1噴出口、及設置於上述第2噴嘴之第2噴出口，於俯視時並排在與上述旋轉軸線正交之徑向上，上述第1噴嘴包含於水平之長度方向延伸之第1臂部、及自上述第1臂部之前端向下方延伸之第1前端部，上述第2噴嘴包含於上述長度方向延伸之第2臂部、及自上述第2臂部之前端向下方延伸之第2前端部，上述第1臂部及第2臂部並排於與上述長度方向正交之水平之排列方向，上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端係以使上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式，於俯視時在上述長度方向分離。
根據本發明，第1噴出口與第2噴出口於俯視時並排於徑向。若以使複數個噴出口於俯視時並排於徑向之方式，將相同長度之複數個噴嘴並排於與長度方向正交之水平方向，則複數個噴嘴整體之寬度增加(參照圖9)。若以使複數個噴出口於俯視時並排在徑向之方式，將長度不同之複數個噴嘴並排於鉛垂方向，則複數個噴嘴整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。
相對於此，若使第1臂部及第2臂部並排於與長度方 向正交之水平之排列方向，且以使第1臂部之前端位於旋轉軸線側之方式將第1臂部之前端與第2臂部之前端於俯視時在長度方向錯開，則可一面抑制複數個噴嘴整體之寬度及高度之兩者，一面將複數個噴出口於俯視時並排在徑向(參照圖4)。藉此，可使複數個噴嘴或待機罐等相關之構件小型化。
本發明之其他實施形態提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其使基板一邊保持為水平，一邊繞通過基板之中央部之鉛垂之旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其對保持於上述基板保持單元之基板供給處理液。
上述處理液供給系統包含槽、上游加熱器、供給流路、複數個上游流路、複數個噴出口、複數個回流流路、複數個下游加熱器、下游切換單元、及複數個回流流量調整閥。上述槽貯存供給至上述供給流路之處理液。上述上游加熱器藉由加熱處理液而調整上述槽內之處理液之溫度。上述供給流路將處理液朝上述複數個上游流路引導。上述複數個上游流路自上述供給流路形成分支，將自上述供給流路供給之處理液朝上述複數個噴出口引導。上述複數個噴出口包含：主噴出口，其朝上述基板之上表面中央部噴出處理液；及複數個副噴出口，其等偏離上述上表面中央部，朝與上述旋轉軸線之距離不同之上述基板之上表面內之複數個位置分別噴出處理液；上述複數個噴出口分別配置於與上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數個上游流路而供給之處理液朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面噴出。上述複數個上游流路包含連接於上述主噴出口之主上游流路、及連接於上述複數個副噴出口之複數個副上游流路。上述複數個回流流路在較上述複數個副 噴出口更靠上游之位置分別連接於上述複數個副上游流路，將自上述複數個副上游流路供給之處理液朝上述槽引導。上述複數個下游加熱器在較上述回流流路與上述副上游流路之連接位置更靠上游之位置分別連接於上述複數個副上游流路，對流動於上述複數個副上游流路之處理液進行加熱。上述下游切換單元係將狀態切換為包含將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路之處理液供給至上述複數個噴出口之噴出狀態、與將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路之處理液供給至上述複數個回流流路之噴出停止狀態在內的複數個狀態中之任一者。上述複數個回流流量調整閥分別連接於上述複數個上游流路，使於上述噴出停止狀態時自上述供給流路供給至上述複數個上游流路之處理液之流量，較於上述噴出狀態時自上述供給流路供給至上述複數個上游流路之處理液之流量減少。
根據本發明，引導處理液之供給流路分支為複數個上游流路。藉此，可使噴出口之數量增加。流動於供給流路之處理液經由上游流路而供給至噴出口，且朝繞旋轉軸線旋轉之基板之上表面噴出。複數個噴出口分別配置於與旋轉軸線之距離不同之複數個位置。因此，與僅使1個噴出口噴出處理液之情形相比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可一面減少處理液之消耗量，一面提高處理之均勻性。
在使複數個噴出口朝於徑向分離之複數個位置噴出處理液之情形時，將相同品質之處理液供給至基板之各部分對於提高處理之均勻性較為重要。於針對每一噴出口設置有槽或過濾器等之情形時，能夠將與供給至某噴出口之處理液之品質不同之處理液 供給至其他噴出口。相對於此，於本實施形態中，使供給流路形成分支，使各噴出口噴出自相同流路(供給流路)供給之處理液。藉此，可使各噴出口噴出相同品質之處理液。進而，與針對每一噴出口設置有槽或過濾器等之構成相比較，可削減零件數，從而可使維護作業簡化。
有處理液之溫度對基板之處理造成較大影響之情形。若於噴出停止中使下游加熱器停止，則於開始或重新開始下游加熱器之運轉時，直至經下游加熱器加熱之處理液之溫度穩定為預期之溫度為止要花費時間。因此，無法立即開始或重新開始處理液之噴出，從而產出量(每單位時間之基板之處理片數)降低。因此，較佳為即便於噴出停止中，亦使下游加熱器對液體進行加熱。其另一方面，若使經下游加熱器加熱之處理液返回至槽，則槽內之處理液之溫度會變動。若將經下游加熱器加熱之處理液拋棄，則處理液之消耗量會增加。
根據本發明，於噴出停止中，將處理液供給至上游流路，且使下游加熱器對處理液進行加熱。因此，即便於噴出停止中，亦可維持下游加熱器之溫度穩定之狀態。因此，可立即重新開始處理液之噴出。進而，於噴出停止中，使經下游加熱器加熱之處理液經由回流流路而返回至槽，故可減少處理液之消耗量。而且，複數個回流流量調整閥可使於噴出停止中自回流流路返回至槽中之處理液之流量減少，故可減少賦予槽內之處理液之熱量，從而可抑制液溫之變動。
於本實施形態中，亦可將以下之至少一個特徵附加於上述基板處理裝置。
上述處理液供給系統進而包含冷卻器，該冷卻器對在上述複數個回流流路內朝上述槽流動之處理液進行冷卻。
根據本發明，不僅於噴出中，而且於噴出停止中，亦將處理液供給至下游加熱器，且藉由下游加熱器而進行加熱。於噴出停止中經下游加熱器加熱之處理液自上游流路流向回流流路。於回流流路內朝槽流動之處理液藉由冷卻器而冷卻。因此，使經冷卻器冷卻之處理液返回至槽。因此，可進而抑制槽內之處理液之溫度之變動。
上述處理液供給系統進而包含複數個下游流路，上述複數個副上游流路均係分支為上述複數個下游流路之分支上游流路，針對每一上述下游流路設置有上述副噴出口。
根據本發明，對複數個噴出口供給處理液之流路分支為多階段。即，供給流路分支為複數個上游流路(第1分支)，且包含於複數個上游流路之分支上游流路分支為複數個下游流路(第2分支)。因此，與複數個上游流路不包含分支上游流路之情形相比較，可使噴出口之數量增加。藉此，可進而提高基板上之處理液之溫度之均勻性，從而可進而提高處理之均勻性。
上述基板處理裝置進而包含腔室，該腔室收容保持於上述基板保持單元之基板，上述分支上游流路於上述腔室內分支為上述複數個下游流路。
根據本發明，將複數個下游流路之上游端配置於腔室內。分支上游流路於腔室內分支為複數個下游流路。因此，與分支上游流路於腔室之外形成分支之情形相比較，可縮短各下游流路之長度(液體流動之方向之長度)。藉此，可抑制由自處理液向下游流 路之傳熱而導致之處理液之溫度降低。
上述上游加熱器藉由以上游溫度加熱處理液而調整上述槽內之處理液之溫度，上述複數個下游加熱器對流動於上述複數個副上游流路之處理液以較上述上游溫度高之下游溫度進行加熱。
根據本發明，將藉由下游加熱器以較上游溫度高之溫度之下游溫度而加熱後之處理液自複數個副上游流路供給至複數個副噴出口，且自該等噴出口噴出。亦即，一方面將上游溫度之處理液自主噴出口噴出，另一方面將較上游溫度高之溫度之處理液自副噴出口噴出。如此，供給至基板之上表面之處理液之溫度隨著離開旋轉軸線而階段性地增加，故與使各噴出口噴出相同溫度之處理液之情形相比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可一面減少處理液之消耗量，一面提高處理之均勻性。
上述處理液供給系統進而包含第1噴嘴與第2噴嘴，上述複數個噴出口包含設置於上述第1噴嘴之第1噴出口、及設置於上述第2噴嘴之第2噴出口，於俯視時並排在與上述旋轉軸線正交之徑向上，上述第1噴嘴包含於水平之長度方向延伸之第1臂部、及自上述第1臂部之前端向下方延伸之第1前端部，上述第2噴嘴包含於上述長度方向延伸之第2臂部、及自上述第2臂部之前端向下方延伸之第2前端部，上述第1臂部及第2臂部並排於與上述長度方向正交之水平之排列方向，上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端係以使上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式，於俯視時在上述長度方向分離。
根據本發明，第1噴出口與第2噴出口於俯視時並排 在徑向。若以使複數個噴出口於俯視時並排在徑向之方式將相同長度之複數個噴嘴並排於與長度方向正交之水平方向，則複數個噴嘴整體之寬度增加(參照圖9)。若以使複數個噴出口於俯視時並排在徑向之方式將長度不同之複數個噴嘴並排於鉛垂方向，則複數個噴嘴整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。
相對於此，若將第1臂部及第2臂部並排於與長度方向正交之水平之排列方向，且以使第1臂部之前端位於旋轉軸線側之方式將第1臂部之前端與第2臂部之前端於俯視時在長度方向錯開，則可一面抑制複數個噴嘴整體之寬度及高度之兩者，一面將複數個噴出口於俯視時並排在徑向(參照圖4)。藉此，可使複數個噴嘴或待機罐等相關之構件小型化。
本發明之上述或進而其他目的、特徵及效果可藉由參照隨附圖式而於下文敍述之實施形態之說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧框架
5‧‧‧流體盒
6‧‧‧貯存盒
7‧‧‧腔室
8‧‧‧間隔壁
8a‧‧‧搬入搬出口
9‧‧‧擋閘
11‧‧‧旋轉夾頭
12‧‧‧旋轉基底
13‧‧‧夾盤銷
14‧‧‧旋轉馬達
15‧‧‧承杯
16‧‧‧外壁
17‧‧‧防濺板
18‧‧‧防護升降單元
21‧‧‧沖洗液噴嘴
22‧‧‧沖洗液配管
23‧‧‧沖洗液閥
24‧‧‧噴嘴移動單元
25‧‧‧支座
26‧‧‧噴嘴
26A‧‧‧第1噴嘴
26B‧‧‧第2噴嘴
26C‧‧‧第3噴嘴
26D‧‧‧第4噴嘴
27‧‧‧噴嘴本體
28‧‧‧臂部
28a‧‧‧前端
29‧‧‧前端部
30‧‧‧樹脂管
31‧‧‧芯棒
32‧‧‧樹脂塗層
33‧‧‧噴嘴頭
34‧‧‧噴出口
34A‧‧‧第1噴出口
34B‧‧‧第2噴出口
34C‧‧‧第3噴出口
34D‧‧‧第4噴出口
35‧‧‧待機罐
40‧‧‧第1循環流路
41‧‧‧第1藥液槽
42‧‧‧第1藥液流路
43‧‧‧第1上游加熱器
44‧‧‧第1泵
45‧‧‧第1藥液供給閥
46‧‧‧第1循環閥
47‧‧‧供給流路
48‧‧‧上游流路
48A‧‧‧第1上游流路
48B‧‧‧第2上游流路
48C‧‧‧第3上游流路
48D‧‧‧第4上游流路
49‧‧‧流量計
50‧‧‧流量調整閥
51‧‧‧噴出閥
52‧‧‧下游流路
53‧‧‧下游加熱器
54‧‧‧回流流路
55‧‧‧回流閥
56‧‧‧冷卻器
57‧‧‧槽回收流路
61‧‧‧第2藥液槽
62‧‧‧第2藥液流路
63‧‧‧第2泵
64‧‧‧第2藥液供給閥
65‧‧‧純水流路
66‧‧‧純水供給閥
67‧‧‧回收流路
68‧‧‧回收閥
69‧‧‧排液流路
70‧‧‧排液閥
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧噴嘴旋動軸線
D1‧‧‧長度方向
D2‧‧‧排列方向
Dr‧‧‧徑向
W‧‧‧基板
圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統的示意圖，其表示噴出狀態之處理液供給系統。
圖2係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統的示意圖，其表示噴出停止狀態之處理液供給系統。
圖3係表示基板處理裝置中具備之處理單元之內部之示意性前視圖。
圖4係表示基板處理裝置中具備之處理單元之內部之示意性俯視圖。
圖5係表示複數個噴嘴之示意性前視圖。
圖6係表示複數個噴嘴之示意性俯視圖。
圖7係用以說明藉由基板處理裝置執行之基板處理之一例之步驟圖。
圖8係表示基板之蝕刻量之分佈之曲線圖。
圖9係表示上述第1實施形態之第1變形例之複數個噴嘴的示意性俯視圖。
圖10A及圖10B係表示上述第1實施形態之第2變形例之複數個噴嘴的示意圖。圖10A係表示複數個噴嘴之示意性前視圖，圖10B係表示複數個噴嘴之示意性俯視圖。
圖11係表示處理前後之薄膜之厚度與供給至基板之處理液之溫度之影像的曲線圖。
圖12係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統的示意圖，其表示噴出狀態之處理液供給系統。
圖13係表示本發明之第2實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統的示意圖，其表示噴出停止狀態之處理液供給系統。
圖1及圖2係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之處理液供給系統的示意圖。圖1表示噴出狀態之處理液供給系統，圖2表示噴出停止狀態之處理液供給系統。
基板處理裝置1係對半導體晶圓等圓板狀之基板W逐片進行處理之單片式裝置。基板處理裝置1包含利用處理液對基板W進行處理之處理單元2、將基板W搬送至處理單元2之搬送機器人(未圖示)、及控制基板處理裝置1之控制裝置3。控制裝置3 係包含演算部與記憶部之電腦。
基板處理裝置1包含：複數個流體盒5，其等收容控制對處理單元2進行之處理液之供給及供給停止之閥51等流體機器；及複數個貯存盒6，其等收容貯存經由流體盒5而供給至處理單元2之處理液之槽41。處理單元2及流體盒5配置於基板處理裝置1之框架4之中。處理單元2之腔室7與流體盒5並排於水平方向。貯存盒6配置於框架4之外。貯存盒6亦可配置於框架4之中。
圖3係表示處理單元2之內部之示意性前視圖。圖4係表示處理單元2之內部之示意性俯視圖。
如圖3所示，處理單元2包含：箱型之腔室7；旋轉夾頭11，其於腔室7內一面將基板W水平地保持一面使基板W繞通過基板W之中央部之鉛垂之旋轉軸線A1旋轉；及筒狀之承杯15，其承接自基板W排出之處理液。
如圖4所示，腔室7包含設置有供基板W通過之搬入搬出口8a之箱型之間隔壁8、及使搬入搬出口8a開閉之擋閘9。擋閘9在搬入搬出口8a打開之開位置、與搬入搬出口8a關閉之閉位置(圖4所示之位置)之間，能夠相對於間隔壁8而移動。未圖示之搬送機器人通過搬入搬出口8a而將基板W搬入至腔室7，且通過搬入搬出口8a而將基板W自腔室7搬出。
如圖3所示，旋轉夾頭11包含：圓板狀之旋轉基底12，其以水平姿勢保持；複數個夾盤銷13，其於旋轉基底12之上方將基板W以水平姿勢保持；及旋轉馬達14，其藉由使複數個夾盤銷13旋轉而使基板W繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾頭11並不限於使複數個夾盤銷13與基板W之周端面接觸之夾持式夾盤，亦可 為藉由使非器件形成面即基板W之背面(下表面)吸附於旋轉基底12之上表面而將基板W保持為水平之真空式夾盤。
如圖3所示，承杯15包含繞旋轉軸線A1而包圍旋轉夾頭11之筒狀之防濺板17、及繞旋轉軸A1而包圍防濺板17之圓筒狀之外壁16。處理單元2包含防護升降單元18，該防護升降單元18係使防濺板17在防濺板17之上端位於較旋轉夾頭11對基板W之保持位置更上方之上位置(圖3所示之位置)、與防濺板17之上端位於較旋轉夾頭11對基板W之保持位置更下方之下位置之間鉛垂地升降。
如圖3所示，處理單元2包含沖洗液噴嘴21，該沖洗液噴嘴21將沖洗液朝保持於旋轉夾頭11之基板W之上表面向下方噴出。沖洗液噴嘴21連接於介裝有沖洗液閥23之沖洗液配管22。處理單元2亦可具備噴嘴移動單元，其使沖洗液噴嘴21在處理位置與待機位置之間移動。
若沖洗液閥23打開，則將沖洗液自沖洗液配管22供給至沖洗液噴嘴21，且自沖洗液噴嘴21噴出。沖洗液例如為純水(去離子水：Deionized water)。沖洗液並不限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水中之任一者。
如圖4所示，處理單元2包含：複數個噴嘴26(第1噴嘴26A、第2噴嘴26B、第3噴嘴26C、及第4噴嘴26D)，其等將藥液向下方噴出；支座25，其保持複數個噴嘴26之各者；及噴嘴移動單元24，其藉由使支座25移動而使複數個噴嘴26在處理位置(圖4中二點鏈線所示之位置)與待機位置(圖4中實線所示之位置) 之間移動。
藥液之代表例為TMAH(氫氧化四甲基銨)等蝕刻液、或SPM(包含硫酸及過氧化氫水之混合液)等抗蝕劑剝離液。藥液並不限於TMAH及SPM，亦可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、除TMAH以外之有機鹼、界面活性劑、及防腐蝕劑中之至少1者之液體。
如圖3所示，各噴嘴26包含藉由支座25懸臂支持之噴嘴本體27。噴嘴本體27包含自支座25向水平之長度方向D1延伸之臂部28、及自臂部28之前端28a向下方延伸之前端部29。臂部28之前端28a係指於俯視時自支座25沿長度方向D1之最遠之部分。
如圖4所示，複數個臂部28按照第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序並排於與長度方向D1正交之水平之排列方向D2。複數個臂部28配置於相同高度。於排列方向D2相鄰之2個臂部28之間隔可與其他任一間隔相同，亦可與其他間隔中之至少一者不同。圖4係表示將複數個臂部28以等間隔配置之例。
複數個臂部28之朝長度方向D1之長度按照第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序變短。複數個噴嘴26之前端(複數個臂部28之前端28a)以於長度方向D1上按照第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序並排之方式於長度方向D1錯開。複數個噴嘴26之前端於俯視時以直線狀並排。
噴嘴移動單元24藉由使支座25繞於承杯15之周圍鉛垂地延伸之噴嘴旋動軸線A2旋動，而於俯視時使複數個噴嘴26沿通過基板W之圓弧狀之路徑移動。藉此，複數個噴嘴26在處理 位置與待機位置之間水平地移動。處理單元2包含配置於複數個噴嘴26之待機位置之下方之有底筒狀之待機罐35。待機罐35於俯視時繞承杯15配置。
處理位置係將自複數個噴嘴26噴出之藥液液體附著於基板W之上表面之位置。於處理位置，複數個噴嘴26與基板W於俯視時重疊，複數個噴嘴26之前端於俯視時，自旋轉軸線A1側按照第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序並排於徑向Dr。此時，第1噴嘴26A之前端於俯視時與基板W之中央部重疊，第4噴嘴26D之前端於俯視時與基板W之周緣部重疊。
待機位置係以複數個噴嘴26與基板W於俯視時不重疊之方式使複數個噴嘴26退避位置。於待機位置，複數個噴嘴26之前端以於俯視時沿承杯15之外周面(外壁16之外周面)之方式位於承杯15之外側，且按照第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序並排於圓周方向(繞旋轉軸線A1之方向)。複數個噴嘴26以按照第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序遠離旋轉軸線A1之方式配置。
其次，參照圖5及圖6，對複數個噴嘴26進行說明。其後，對處理液供給系統進行說明。
於以下之說明中，有在對應於第1噴嘴26A之構成之開頭及末尾分別標註「第1」及「A」之情形。例如，有將對應於第1噴嘴26A之上游流路48稱為「第1上游流路48A」之情形。關於對應於第2噴嘴26B~第4噴嘴26D之構成亦相同。
又，於以下之說明中，有將第1上游加熱器43對處理液之加熱溫度稱為上游溫度，且將下游加熱器53對處理液之加熱度稱為下游溫度之情形。亦有將第2下游加熱器53~第4下游加 熱器53對處理液之加熱溫度分別稱為第2下游溫度~第4加熱溫度之情形。
如圖5所示，噴嘴本體27包含引導處理液之樹脂管30、包圍樹脂管30之剖面筒狀之芯棒31、及覆蓋芯棒31之外表面之剖面筒狀之樹脂塗層32。除第1噴嘴26A以外之各噴嘴26進而包含安裝於噴嘴本體27之前端部29之噴嘴頭33。
噴嘴本體27形成沿噴嘴本體27延伸之1個流路。噴嘴頭33形成對自噴嘴本體27供給之處理液進行引導之複數個流路。噴嘴本體27之流路形成有於在噴嘴本體27之外表面開口之噴出口34。噴嘴頭33之複數個流路形成有在噴嘴頭33之外表面開口之複數個噴出口34。噴嘴本體27之流路相當於下述上游流路48之一部分。噴嘴頭33之各流路相當於下述下游流路52。第1上游流路48A~第4上游流路48D之下游端分別配置於與旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。
圖5及圖6表示設置於複數個噴嘴26之噴出口34之總數為10個之例。第1噴嘴26A包含設置於噴嘴本體27之1個噴出口34。除第1噴嘴26A以外之各噴嘴26包含設置於噴嘴頭33之3個噴出口34。設置於相同之噴嘴頭33之3個噴出口34係藉由3個噴出口34中最靠近旋轉軸線A1之內側噴出口、3個噴出口34中最遠離旋轉軸線A1之外側噴出口、及配置於內側噴出口與外側噴出口之間之中間噴出口而構成。
如圖6所示，複數個噴出口34於俯視時以直線狀並排。兩端之2個噴出口34之間隔為基板W之半徑以下。相鄰之2個噴出口34之間隔可與其他任一間隔相同，亦可與其他間隔中之 至少一者不同。又，複數個噴出口34可配置成相同之高度，亦可配置成2個以上之不同之高度。
若將複數個噴嘴26配置於處理位置，則複數個噴出口34分別配置於與旋轉軸線A1之距離(於俯視時之最短距離)不同之複數個位置。此時，複數個噴出口34中最靠近旋轉軸線A1之最內噴出口(第1噴出口34A)配置於基板W之中央部之上方，複數個噴出口34中最遠離旋轉軸線A1之最外噴出口(第4噴出口34D)配置於基板W之周緣部之上方。複數個噴出口34於俯視時於徑向Dr並排。
設置於第1噴嘴26A之第1噴出口34A係朝基板W之上表面中央部噴出處理液之主噴出口。設置於除第1噴嘴26A以外之各噴嘴26之第2噴出口34B~第4噴出口34D係朝除中央部以外之基板W之上表面之一部分噴出處理液之複數個副噴出口。與第1噴出口34A連接之第1上游流路48A係主上游流路，與第2噴出口34B~第4噴出口34D連接之第2上游流路48B~第4上游流路48D係複數個副上游流路。
如圖5所示，各噴出口34對基板W之上表面朝垂直之噴出方向噴出藥液。複數個噴出口34朝基板W之上表面內之複數個液體附著位置噴出藥液。複數個液體附著位置係與旋轉軸線A1之距離不同之各別位置。將複數個液體附著位置中最靠近旋轉軸線A1之液體附著位置稱為第1液體附著位置，將複數個液體附著位置中第2靠近旋轉軸線A1之液體附著位置稱為第2液體附著位置，自第1噴出口34A噴出之藥液液體附著於第1液體附著位置，自第2噴出口34B噴出之藥液液體附著於第2液體附著位置。
其次，參照圖1及圖2，對處理液供給系統詳細地進行說明。
處理液供給系統包含貯存作為第1藥液之硫酸之第1藥液槽41、貯存作為第2藥液之過氧化氫水之第2藥液槽61、及引導純水之純水流路65。
處理液供給系統包含：第1藥液流路42，其對自第1藥液槽41輸送之硫酸進行引導；第1上游加熱器43，其藉由將流動於第1藥液流路42內之硫酸以較室溫(例如20~30℃)高之上游溫度加熱而調整第1藥液槽41內之硫酸之溫度；第1泵44，其將第1藥液槽41內之硫酸輸送至第1藥液流路42；及第1循環流路40，其將第1藥液流路42內之硫酸返回至第1藥液槽41。
處理液供給系統包含對自第2藥液槽61輸送之過氧化氫水進行引導之第2藥液流路62、及將第2藥液槽61內之過氧化氫水輸送至第2藥液流路62之第2泵63。處理液供給系統亦可進而具備對流動於第2藥液流路62之過氧化氫水進行加熱之第2上游加熱器。
處理液供給系統包含使第1藥液流路42開閉之第1藥液供給閥45、使第1循環流路40開閉之第1循環閥46、使第2藥液流路62開閉之第2藥液供給閥64、使純水流路65開閉之純水供給閥66、及連接於第1藥液流路42、第2藥液流路62、及純水流路65之各者之供給流路47。上游切換單元包含第1藥液供給閥45、第2藥液供給閥64、及純水供給閥66。
處理液供給系統包含：複數個上游流路48，其等將自供給流路47供給之液體朝複數個噴出口34引導；複數個流量計 49，其等檢測流動於複數個上游流路48內之液體之流量；複數個流量調整閥50，其等變更流動於複數個上游流路48內之液體之流量；及複數個噴出閥51，其等使複數個上游流路48分別開閉。雖未圖示，但流量調整閥50包含使流路開閉之閥本體、及變更閥本體之開度之致動器。致動器可為空壓致動器或電動致動器，亦可為除該等以外之致動器。
處理液供給系統包含將自上游流路48供給之液體朝複數個噴出口34引導之複數個下游流路52。除第1上游流路48A以外之各上游流路48之下游端分支為複數個下游流路52。亦即，除第1上游流路48A以外之各上游流路48係分支為複數個下游流路52之分支上游流路。
圖1及圖2中表示分支上游流路分支為2個下游流路52之例。圖5中表示分支上游流路分支為3個下游流路52之例。自第2上游流路48B分支之3個下游流路52分別連接於設置於相同噴嘴頭33之3個噴出口34(內側噴出口、中間噴出口、及外側噴出口)。關於第3上游流路48C及第4上游流路48D，亦與第2上游流路48B相同。第1上游流路48A連接於設置於第1噴嘴26A之第1噴出口34A。
處理液供給系統包含複數個下游加熱器53，其等對流動於除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48內之液體以較上游溫度高之下游溫度進行加熱。處理液供給系統進而包含：複數個回流流路54，其等在較複數個下游加熱器53更靠下游之位置分別連接於除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48；及複數個回流閥55，其等使複數個回流流路54分別開閉。下游切換單 元包含複數個噴出閥51與複數個回流閥55。
處理液供給系統包含：回收流路67，其將自複數個回流流路54供給之液體引導至回收單元；及排液流路69，其將自複數個回流流路54供給之液體引導至排液單元。處理液供給系統進而包含使回收流路67開閉之回收閥68、及使排液流路69開閉之排液閥70。回收、排液單元包含回收閥68與排液閥70。
其次，參照圖1，對複數個噴出口34噴出藥液之噴出狀態之處理液供給系統進行說明。圖1中，將打開之閥以黑色表示，將關閉之閥以白色表示。
第1藥液槽41內之硫酸在經第1上游加熱器43加熱之後，自第1藥液流路42流向供給流路47。第2藥液槽61內之過氧化氫水自第2藥液流路62流向供給流路47。藉此，硫酸及過氧化氫水於供給流路47中混合並發熱。於供給流路47中生成之藥液(SPM)自供給流路47流向複數個上游流路48。供給至除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48(分支上游流路)之藥液經下游加熱器53加熱之後，流向複數個下游流路52。
第1上游流路48A內之藥液供給至設置於第1噴嘴26A之1個第1噴出口34A。第2上游流路48B內之藥液經由複數個下游流路52而供給至設置於第2噴嘴26B之複數個第2噴出口34B。關於第3上游流路48C及第4上游流路48D，亦與第2上游流路48B相同。藉此，自所有噴出口34噴出藥液。
下游加熱器53對處理液之加熱溫度(下游溫度)高於上游加熱器對處理液之加熱溫度(上游溫度)。第2下游溫度~第4下游溫度按照第2下游溫度~第4下游溫度之順序變高。第1噴出 口34A噴出上游溫度之藥液(SPM)。各第2噴出口34B噴出第2下游溫度之藥液。各第3噴出口34C噴出第3下游溫度之藥液，各第4噴出口34D噴出第4下游溫度之藥液。因此，自複數個噴出口34噴出之藥液之溫度隨著離開旋轉軸線A1而階段性地增加。
其次，參照圖2，對來自複數個噴出口34之藥液之噴出停止之噴出停止狀態之處理液供給系統進行說明。圖2中，將打開之閥以黑色表示，將關閉之閥以白色表示。
第1藥液槽41內之硫酸藉由第1泵44而輸送至第1藥液流路42。藉由第1泵44輸送之硫酸經第1上游加熱器43加熱之後，經由第1循環流路40而返回至第1藥液槽41。於噴出停止中，未將硫酸及過氧化氫水之兩者供給至供給流路47。其另一方面，純水流路65內之純水流向供給流路47，且自供給流路47流向除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48。
第2上游流路48B內之純水經與第2上游流路48B對應之下游加熱器53加熱之後，自第2上游流路48B流向回流流路54。關於第3上游流路48C及第4上游流路48D，與第2上游流路48B相同。圖2中表示回收閥68關閉、排液閥70打開之例。該情形時，供給至複數個回流流路54之純水經由排液流路69而引導至排液單元。供給至複數個回流流路54之純水亦可經由回收流路67而引導至回收單元。
有處理液之溫度對基板W之處理造成較大影響之情形。若於噴出停止中使下游加熱器53停止，則於重新開始下游加熱器53之運轉時，直至經下游加熱器53加熱之處理液之溫度穩定為預期之溫度為止要花費時間。因此，無法立即重新開始處理液之 噴出，從而產出量降低。因此，於噴出停止中，藉由使下游加熱器53加熱純水而可維持下游加熱器53之溫度穩定之狀態。進而，於噴出停止中將純水供給至下游加熱器53，故可減少藥液之消耗量。
圖7係用以說明藉由基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例的步驟圖。以下之各動作係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而執行。以下，參照圖3及圖4。關於圖7，適當參照。
於藉由處理單元2對基板W進行處理時，複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，在防濺板17位於下位置之狀態下，藉由搬送機器人之手(未圖示)將基板W搬入至腔室7內。藉此，以表面朝上之狀態將基板W置於複數個夾盤銷13之上。其後，搬送機器人之手自腔室7之內部退避，由擋閘9將腔室7之搬入搬出口8a關閉。
在將基板W置於複數個夾盤銷13上之後，將複數個夾盤銷13壓抵於基板W之周緣部，基板W藉由複數個夾盤銷13而把持。又，防護升降單元18使防濺板17自下位置移動至上位置。藉此，防濺板17之上端被配置於較基板W更靠上方。其後，驅動旋轉馬達14，開始基板W之旋轉。藉此，基板W以既定之液處理速度(例如數百rpm)旋轉。
其次，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自待機位置移動至處理位置。藉此，複數個噴出口34於俯視時與基板W重疊。其後，複數個噴出閥51等受到控制，使藥液自複數個噴嘴26同時噴出(圖7之步驟S1)。複數個噴嘴26於噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26靜止之狀態下噴出藥液。自複數個噴出閥51打開起經過既定時間後，來自複數個噴嘴26之藥液之噴出同時停止(圖7之步驟 S2)。其後，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自處理位置移動至待機位置。
自複數個噴嘴26噴出之藥液吸附於旋轉之基板W之上表面之後，藉由離心力而沿基板W之上表面流向外側(離開旋轉軸線A1之方向)。到達基板W之上表面周緣部之藥液向基板W之周圍飛散，由防濺板17之內周面承接。如此般，將藥液供給至基板W之整個上表面，於基板W上形成覆蓋基板W之整個上表面之藥液之液膜。藉此，基板W之整個上表面由藥液處理。
於來自複數個噴嘴26之藥液之噴出停止之後，打開沖洗液閥23，開始自沖洗液噴嘴21噴出沖洗液(純水)(圖7之步驟S3)。藉此，基板W上之藥液藉由沖洗液而沖洗，形成覆蓋基板W之整個上表面之沖洗液之液膜。自沖洗液閥23打開起經過既定時間後，關閉沖洗液閥23，停止自沖洗液噴嘴21噴出沖洗液(圖7之步驟S4)。
停止自沖洗液噴嘴21噴出沖洗液之後，基板W藉由旋轉馬達14而向旋轉方向加速，基板W以較液處理速度大之乾燥速度(例如數千rpm)旋轉(圖7之步驟S5)。藉此，附著於基板W之沖洗液甩向基板W之周圍，基板W乾燥。自基板W之高速旋轉開始起經過特定時間後，旋轉馬達14及基板W之旋轉停止。
於基板W之旋轉停止之後，防護升降單元18使防濺板17自上位置移動至下位置。進而，解除複數個夾盤銷13對基板W之保持。搬送機器人使複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，在防濺板17位於下位置之狀態下，使手進入至腔室7之內部。其後，搬送機器人用手抓取旋轉夾頭11上之基板W，並將該基板 W自腔室7搬出。
圖8係表示基板W之蝕刻量之分佈之曲線圖。
圖8所示之測定值A~測定值C中之基板W之處理條件除噴出藥液之噴嘴之外，其餘均相同。
測定值A表示一面使複數個噴嘴26靜止，一面使複數個噴出口34(10個噴出口34)噴出藥液而對基板W進行蝕刻時的蝕刻量之分佈。
測定值B表示一面使所有安裝有噴嘴頭33之複數個噴嘴26靜止，一面使複數個噴出口34(4個噴出口34)噴出藥液而對基板W進行蝕刻時的蝕刻量之分佈。即，測定值B表示使分別設置於4根噴嘴本體27之4個噴出口34(相當於第1噴出口34A)噴出藥液時之蝕刻量之分佈。
測定值C表示僅使1個噴出口34噴出藥液，且將藥液之液體附著位置固定於基板W之上表面中央部時之蝕刻量之分佈。
測定值C中，蝕刻量隨著偏離基板W之中央部而減少，蝕刻量之分佈呈現峰形之曲線。亦即，蝕刻量於藥液之液體附著位置最大，隨著偏離液體附著位置而減少。相對於此，測定值A及測定值B中，與測定值C相比較，基板W之中央部以外之位置之蝕刻量增加，蝕刻之均勻性得以大幅改善。
測定值B中，形成7個峰。正中間之峰之頂點係與最內側之液體附著位置對應之位置，其外側之2個峰之頂點係與自內側起之第2個液體附著位置對應之位置。進而外側之2個峰之位置係與自內側起之第3個液體附著位置對應之位置，最外側之2個峰 之位置係與自內側起之第4個液體附著位置對應之位置。
測定值A中，與測定值B同樣地，形成有與複數個液體附著位置對應之複數個峰。測定值B中，噴出口34之數量為4個，相對於此，測定值A中，噴出口34之數量為10個，故峰之數量增加。進而，與測定值B相比較，表示蝕刻量之分佈之線靠近於左右方向延伸之直線(蝕刻量固定之直線)，蝕刻之均勻性得以改善。
如以上般，於本實施形態中，引導處理液之供給流路47分支為複數個上游流路48。藉此，可使噴出口34之數量增加。進而，分支為複數個下游流路52之分支上游流路包含於複數個上游流路48，故可使噴出口34之數量進而增加。
流動於供給流路47之處理液自上游流路48或下游流路52供給至噴出口34，且朝繞旋轉軸線A1旋轉之基板W之上表面噴出。複數個噴出口34分別配置於與旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。因此，與僅使1個噴出口34噴出處理液之情形相比較，可提高基板W上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可一面減少處理液之消耗量，一面提高處理之均勻性。
又，於本實施形態中，於噴出停止中，將液體供給至上游流路48，且使下游加熱器53對該液體進行加熱。經下游加熱器53加熱之液體並未自複數個噴出口34噴出，而是自上游流路48流向回流流路54。因此，即便於噴出停止中，亦可維持下游加熱器53之溫度穩定之狀態。因此，可立即重新開始處理液之噴出。
又，於本實施形態中，將分別貯存於第1藥液槽41 及第2藥液槽61中之第1藥液及第2藥液供給至供給流路47。於噴出停止中使下游加熱器53對包含第1藥液及第2藥液之液體進行加熱之情形時，無法使該液體返回至第1藥液槽41及第2藥液槽61，故第1藥液及第2藥液之消耗量增加。於本實施形態中，於噴出停止中，將純水供給至上游流路48，使下游加熱器53對純水進行加熱。因此，可一面減少藥液之消耗量，一面維持下游加熱器53之溫度穩定之狀態。
又，於本實施形態中，使於噴出停止中通過下游加熱器53之處理液返回至回收單元，故可一面減少處理液之消耗量，一面維持下游加熱器53之溫度穩定之狀態。進而，亦可使於噴出停止中通過下游加熱器53之處理液不返回至回收單元而是排出。例如在將分別貯存於第1藥液槽41及第2藥液槽61中之2種液體供給至供給流路47之情形時，由於2種液體包含於處理液，故無法使該處理液返回至第1藥液槽41及第2藥液槽61。於本實施形態中，可選擇回收及排液，故於此種情形時，亦可維持下游加熱器53之溫度穩定之狀態。
又，於本實施形態中，將複數個下游流路52之上游端配置於腔室7內。分支上游流路於腔室7內分支為複數個下游流路52。因此，與分支上游流路於腔室7之外形成分支之情形相比較，可縮短各下游流路52之長度(液體流動之方向之長度)。藉此，可抑制由自處理液向下游流路52之傳熱而導致之處理液之溫度降低。
又，於本實施形態中，將複數個上游流路48之上游端配置於流體盒5內。供給流路47於流體盒5內分支為複數個上 游流路48。因此，與供給流路47於較流體盒5更靠上游之位置分支為複數個上游流路48之情形相比較，可縮短各上游流路48之長度(液體流動之方向之長度)。藉此，可抑制由自處理液向上游流路48之傳熱而導致之處理液之溫度降低。
又，於本實施形態中，將經下游加熱器53以較上游溫度高之下游溫度加熱之處理液自除最內上游流路(第1上游流路48A)以外之上游流路48供給至除最內噴出口(第1噴出口34A)以外之噴出口34，且自該噴出口34噴出。亦即，一方面上游溫度之處理液自最內噴出口噴出，另一方面溫度較上游溫度高之處理液自位於較最內噴出口更靠外側之噴出口34噴出。
如此，供給至基板W之上表面之處理液之溫度隨著離開旋轉軸線A1而階段性地增加，故與使各噴出口34噴出相同溫度之處理液之情形相比較，可提高溫度之均勻性。藉此，可一面減少處理液之消耗量，一面提高處理之均勻性。
又，於本實施形態中，第1噴出口34A與第2噴出口34B於俯視時於徑向Dr並排。若以使複數個噴出口34於俯視時於徑向Dr並排之方式將相同長度之複數個噴嘴26並排於與長度方向D1正交之水平方向，則複數個噴嘴26整體之寬度增加(參照圖9)。若以使複數個噴出口34於俯視時於徑向Dr並排之方式將長度不同之複數個噴嘴26並排於鉛垂方向，則複數個噴嘴26整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。
相對於此，於本實施形態中，將複數個臂部28並排於與長度方向D1正交之水平之排列方向D2。進而，以使複數個臂部28之前端28a於長度方向D1自旋轉軸線A1側按照第1噴嘴26A ~第4噴嘴26D之順序並排之方式，將複數個臂部28之前端28a於長度方向D1錯開(參照圖4)。藉此，可一面抑制複數個噴嘴26整體之寬度及高度之兩者，一面將複數個噴出口34於俯視時並排於徑向Dr。
本發明並不限定於上述實施形態之內容，於本發明之範圍內能夠進行各種變更。
例如，於上述實施形態中，對噴嘴26之數量為4根之情形進行了說明，但噴嘴26之數量亦可為2或3根，還可為5根以上。
於上述實施形態中，對並未將下游加熱器53設置於第1上游流路48A而是於除第1上游流路48A以外之所有上游流路48設置下游加熱器53之情形進行了說明，但亦可於包含第1上游流路48A之所有上游流路48設置下游加熱器53。關於回流流路54亦相同。
於上述實施形態中，對並未將噴嘴頭33設置於第1噴嘴26A而是於除第1噴嘴26A以外之所有噴嘴26上安裝有噴嘴頭33之情形進行了說明，但亦可於包含第1噴嘴26A之所有噴嘴26上設置噴嘴頭33。亦可與此相反，於所有噴嘴26上不設置噴嘴頭33。
於上述實施形態中，對將3個下游流路52與3個噴出口34形成於1個噴嘴頭33之情形進行了說明，但形成於1個噴嘴頭33之下游流路52及噴出口34之數量亦可為2個，還可為4個以上。
於上述實施形態中，對將分支上游流路(除第1上游 流路48A以外之上游流路48)於腔室7內分支為複數個下游流路52之情形進行了說明，但分支上游流路亦可於腔室7之外形成分支。
於上述實施形態中，對將複數個噴出口34於俯視時並排於徑向Dr之情形進行了說明，但若將複數個噴出口34分別配置於與旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置，則複數個噴出口34於俯視時亦可不並排於徑向Dr。
於上述實施形態中，對一面使複數個噴嘴26靜止，一面使複數個噴嘴26噴出藥液之情形進行了說明，但亦可一面使複數個噴嘴26繞噴嘴旋動軸線A2旋動，一面使複數個噴嘴26噴出藥液。
於上述實施形態中，對所有噴出閥51同時打開，且所有噴出閥51同時關閉之情形進行了說明，但控制裝置3亦可以使外側之噴出口34噴出處理液之時間較內側之噴出口34噴出處理液之時間更長的方式控制複數個噴出閥51。
於上述實施形態中，對於噴出停止中使下游加熱器53加熱純水之情形進行了說明，但亦可於噴出停止中使下游加熱器53加熱硫酸或過氧化氫水。該情形時，為減少硫酸或過氧化氫水之消耗量，亦可將於噴出停止中經下游加熱器53加熱之藥液(硫酸或過氧化氫水)返回至作為回收單元之原先之槽(第1藥液槽41或第2藥液槽61)。進而，亦可將經冷卻器冷卻之藥液返回至原先之槽。
於上述實施形態中，對將2種藥液(硫酸及過氧化氫水)供給至供給流路47且使複數個噴出口34噴出包含2種藥液之混合藥液之情形進行了說明，但亦可將1種藥液供給至供給流路 47，且自複數個噴出口34噴出。
於上述實施形態中，對將回收流路67及排液流路69之兩者連接於回流流路54之情形進行了說明，但亦可僅將回收流路67及排液流路69中之一者連接於回流流路54。
控制裝置3根據處理前之薄膜之厚度而控制供給至基板W表面之各部分之處理液之溫度，藉此亦可使處理後之薄膜之厚度均勻化。
圖11係表示處理前後之薄膜之厚度與供給至基板W之處理液之溫度之影像的曲線圖。圖11之一點鏈線表示處理前之膜厚，圖11之二點鏈線表示處理後之膜厚。圖11之實線表示供給至基板W之處理液之溫度。圖11之橫軸表示基板W之半徑。處理前之膜厚可自基板處理裝置1以外之裝置(例如主電腦)輸入至基板處理裝置1，亦可藉由設置於基板處理裝置1之測定機而測定。
於圖11所示之例之情形時，控制裝置3亦可以使處理液之溫度與處理前之膜厚同樣地變化之方式來控制基板處理裝置1。具體而言，控制裝置3亦可以使複數個上游流路48中之處理液之溫度成為與處理前之膜厚相應之溫度的方式來控制複數個下游加熱器53。
該情形時，對處理前之膜厚相對較大之位置供給相對高溫之處理液，對處理前之膜厚相對較小之位置供給相對低溫之處理液。形成於基板W之表面之薄膜之蝕刻量於供給高溫之處理液之位置相對增加，於供給低溫之處理液之位置相對減少。因此，處理後之薄膜之厚度得以均勻化。
亦可將上述所有構成中之2種以上構成加以組合。還 可將上述所有步驟中之2個以上步驟加以組合。
第2實施形態
其次，對本發明之第2實施形態進行說明。對與上述各部分相同之構成部分，標註與圖1等相同之參照符號並省略其說明。
如圖12及圖13所示，處理液供給系統包含：藥液槽41，其貯存藥液；藥液流路42，其對自藥液槽41輸送之藥液進行引導；上游加熱器43，其對流動於藥液流路42內之藥液以較室溫(例如20~30℃)高之上游溫度加熱，藉此調整藥液槽41內之藥液之溫度；泵44，其將藥液槽41內之藥液輸送至藥液流路42；及循環流路40，其將藥液流路42內之藥液返回至藥液槽41。
處理液供給系統包含使藥液流路42開閉之供給閥45、使循環流路40開閉之循環閥46、及連接於藥液流路42之供給流路47。上游切換單元包含供給閥45。
處理液供給系統包含：複數個上游流路48，其等將自供給流路47供給之液體朝複數個噴出口34引導；複數個流量計49，其等檢測流動於複數個上游流路48內之液體之流量；複數個流量調整閥50，其等使流動於複數個上游流路48內之液體之流量變更；及複數個噴出閥51，其等使複數個上游流路48分別開閉。雖未圖示，但流量調整閥50包含使流路開閉之閥本體、及使閥本體之開度變更之致動器。致動器可為空壓致動器或電動致動器，亦可為除該等以外之致動器。
處理液供給系統包含複數個下游流路52，其等將自上游流路48供給之液體朝複數個噴出口34引導。除第1上游流路 48A以外之各上游流路48之下游端分支為複數個下游流路52。亦即，除第1上游流路48A以外之各上游流路48係分支為複數個下游流路52之分支上游流路。
圖12及圖13中表示分支上游流路分支為2個下游流路52之例。圖5中表示分支上游流路分支為3個下游流路52之例。自第2上游流路48B分支之3個下游流路52分別連接於設置於相同之噴嘴頭33之3個噴出口34(內側噴出口、中間噴出口、及外側噴出口)。關於第3上游流路48C及第4上游流路48D，亦與第2上游流路48B相同。第1上游流路48A連接於設置於第1噴嘴26A之第1噴出口34A。
處理液供給系統包含複數個下游加熱器53，其等將流動於除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48內之液體以較上游溫度高之下游溫度加熱。處理液供給系統進而包含：複數個回流流路54，其等在較複數個下游加熱器53更靠下游之位置分別連接於除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48；及複數個回流閥55，其等使複數個回流流路54分別開閉。下游切換單元包含複數個噴出閥51與複數個回流閥55。
處理液供給系統包含對自複數個回流流路54供給之藥液進行冷卻之冷卻器56、及自冷卻器56將藥液引導至藥液槽41之槽回收流路57。在自複數個回流流路54供給至冷卻器56之藥液藉由冷卻器56而接近於上游溫度之後，經由槽回收流路57而被引導至藥液槽41。冷卻器56可為水冷卻式單元或空氣冷卻式單元，亦可為除該等以外之冷卻單元。
其次，參照圖12，對複數個噴出口34噴出藥液之噴 出狀態之處理液供給系統進行說明。圖12中，將打開之閥以黑色表示，將關閉之閥以白色表示。
藥液槽41內之藥液藉由泵44而輸送至藥液流路42。經泵44輸送之藥液在經上游加熱器43加熱之後，自藥液流路42流向供給流路47，且自供給流路47流向複數個上游流路48。供給至除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48(分支上游流路)之藥液經下游加熱器53加熱之後，流向複數個下游流路52。
第1上游流路48A內之藥液供給至設置於第1噴嘴26A之1個第1噴出口34A。第2上游流路48B內之藥液經由複數個下游流路52而供給至設置於第2噴嘴26B之複數個第2噴出口34B。關於第3上游流路48C及第4上游流路48D，亦與第2上游流路48B相同。藉此，自所有噴出口34噴出藥液。
下游加熱器53對處理液之加熱溫度(下游溫度)高於上游加熱器43對處理液之加熱溫度(上游溫度)。第2~第4下游溫度按照第2~第4下游溫度之順序而變高。第1噴出口34A噴出上游溫度之藥液。各第2噴出口34B噴出第2下游溫度之藥液。各第3噴出口34C噴出第3下游溫度之藥液，各第4噴出口34D噴出第4下游溫度之藥液。因此，自複數個噴出口34噴出之藥液之溫度隨著離開旋轉軸線A1而階段性地增加。
其次，參照圖13，對停止自複數個噴出口34噴出藥液之噴出停止狀態之處理液供給系統進行說明。圖13中，將打開之閥以黑色表示，將關閉之閥以白色表示。
藥液槽41內之藥液藉由泵44而輸送至藥液流路42。經泵44輸送之藥液之一部分藉由上游加熱器43加熱之後，經由循 環流路40而返回至藥液槽41。經泵44輸送之殘留之藥液自藥液流路42流向供給流路47，且自供給流路47流向除第1上游流路48A以外之複數個上游流路48。
第2上游流路48B內之藥液藉由與第2上游流路48B對應之下游加熱器53加熱之後，經由回流流路54流向冷卻器56。關於第3上游流路48C及第4上游流路48D，與第2上游流路48B相同。供給至冷卻器56之藥液於冷卻器56中冷卻之後，經由槽回收流路57而返回至藥液槽41。藉此，由泵44輸送至藥液流路42之所有藥液返回至藥液槽41。
有處理液之溫度對基板W之處理造成較大影響之情形。若於噴出停止中使下游加熱器53停止，則於重新開始下游加熱器53之運轉時，直至經下游加熱器53加熱之處理液之溫度穩定為預期之溫度為止要花費時間。因此，無法立即重新開始處理液之噴出，從而產出量降低。
如上所述，即便於噴出停止中，亦會使藥液繼續流向下游加熱器53，使下游加熱器53加熱藥液。藉此，可維持下游加熱器53之溫度穩定之狀態。進而，使經下游加熱器53加熱之藥液返回至藥液槽41，故可減少藥液之消耗量。
於將高溫之藥液自藥液槽41供給至處理單元2之情形時，為了抑制由配管中之熱損失所造成之藥液溫度降低，有時將藥液槽41配置於處理單元2之附近，縮短自藥液槽41至處理單元2之流路長。
然而，若使藥液槽41靠近處理單元2，則經下游加熱器53於噴出停止中加熱之藥液之溫度不會充分地降低便返回至 藥液槽41。若藥液槽41內之藥液之溫度超出設定溫度，則必須等候較長時間直至液溫自然地成為設定溫度以下。
於本實施形態中，控制裝置3使包含複數個流量調整閥50之返回流量調整單元之開度較噴出中時減少。噴出停止中之流量調整閥50之開度較噴出中時之開度小。在噴出中自供給流路47供給至複數個上游流路48之藥液之總流量FR1大於在噴出停止中自供給流路47供給至複數個上游流路48之藥液之總流量FR2。
控制裝置3以使加熱後之液溫成為設定溫度(下游溫度〉之方式控制下游加熱器53。若加熱前之液溫為固定，且加熱後之液溫為固定，則藉由下游加熱器53賦予液體之熱量於流量越小時越減少。因此，藉由於噴出停止中使流量調整閥50之開度減少，而可減少將藥液作為媒介自下游加熱器53傳遞至藥液槽41內之藥液之總熱量。而且，經由回流流路54返回至藥液槽41之藥液藉由冷卻器56而冷卻至上游溫度附近之溫度(例如上游溫度以下之溫度)。
如此，使經由回流流路54返回至藥液槽41之藥液之流量減少，並且將該藥液於冷卻器56中冷卻，故即便於將經下游加熱器53加熱之藥液回收至藥液槽41之情形時，亦可將藥液槽41內之藥液維持為設定溫度或其附近。因此，可將藥液槽41配置於處理單元2之附近，可抑制由配管中之熱損失所造成之藥液之溫度降低。
藉由第2實施形態之基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例與藉由第1實施形態之基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例相同。關於第2實施形態之基板W之蝕刻量之分佈， 亦與第1實施形態之基板W之蝕刻量之分佈相同。
於第2實施形態中，除第1實施形態之作用效果之外，還可發揮以下之作用效果。
於本實施形態中，於噴出停止中，將藥液供給至上游流路48，且使下游加熱器53對藥液進行加熱。因此，即便於噴出停止中，亦可維持下游加熱器53之溫度穩定之狀態。因此，可立即重新開始藥液之噴出。進而，於噴出停止中，將藉由下游加熱器53加熱之藥液經由回流流路54而返回至藥液槽41，故可減少藥液之消耗量。而且，包含複數個流量調整閥50之返回流量調整單元使於噴出停止中自回流流路54返回至藥液槽41之藥液之流量減少，故可減少賦予藥液槽41內之藥液之熱量，可抑制液溫之變動。
又，於本實施形態中，不僅於噴出中，而且於噴出停止中亦將藥液供給至下游加熱器53，且藉由下游加熱器53而對該藥液加熱。於噴出停止中經下游加熱器53加熱之藥液自上游流路48流向回流流路54。朝藥液槽41而流動於回流流路54內之藥液藉由冷卻器56冷卻。因此，經冷卻器56冷卻之藥液返回至藥液槽41。因此，可進而抑制藥液槽41內之藥液之溫度之變動。
本發明並不限定於上述實施形態之內容，於本發明之範圍內能夠進行各種變更。
例如對將朝藥液槽41而流動於回流流路54之藥液由冷卻器56冷卻之情形進行了說明，但若藉由對經由回流流路54而返回至藥液槽41之藥液之流量進行調整而可將藥液槽41內之藥液維持於設定溫度附近，則亦可省略冷卻器56。亦即，亦可使流動於回流流路54之藥液不由冷卻器56冷卻便返回至藥液槽41。
於上述實施形態中，對設置有將藥液供給至供給流路47之藥液流路42之情形進行了說明，但亦可設置將液體供給至供給流路47之複數個處理液流路。
例如，亦可將第1液體自第1液體流路供給至供給流路47，且將第2液體自第2液體流路供給至供給流路47。該情形時，第1液體及第2液體於供給流路47中混合，故將包含第1液體及第2液體之混合液自供給流路47供給至複數個上游流路48。第1液體及第2液體可為相同種類之液體，亦可為不同種類之液體。第1液體及第2液體之具體例為硫酸及過氧化氫水之組合、及TMAH與純水之組合。
可將上述所有構成中之2個以上構成加以組合。亦可將上述全部步驟中之2個以上步驟加以組合。
亦可將某實施形態之特徵附加於其他實施形態。
本申請對應於2015年2月25日向日本專利廳提出之日本專利特願2015-035517號、及2015年2月25日向日本專利廳提出之日本專利特願2015-035518號，該等申請之所有揭示係以引用之方式併入於此文中。
已對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但該等僅為用以使本發明之技術內容明瞭而使用之具體例，本發明不應限定於該等具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍而限定。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其使基板一邊保持為水平，一邊繞通過上述基板之中央部之鉛垂之旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其包含供給流路、複數個上游流路、複數個噴出口、複數個回流流路、複數個下游加熱器、及下游切換單元，對保持於上述基板保持單元之上述基板供給處理液；上述供給流路將液體朝上述複數個上游流路引導，上述複數個上游流路自上述供給流路形成分支，將自上述供給流路供給之上述液體朝上述複數個噴出口引導，上述複數個噴出口包含：主噴出口，其朝上述基板之上表面中央部噴出上述處理液；及複數個副噴出口，其等偏離上述上表面中央部，朝與上述旋轉軸線之距離不同之上述基板之上表面內之複數個位置分別噴出上述處理液；上述複數個噴出口分別配置於與上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數個上游流路而供給之上述液體朝保持於上述基板保持單元之上述基板之上表面噴出，上述複數個上游流路包含連接於上述主噴出口之主上游流路、及連接於上述複數個副噴出口之複數個副上游流路，上述複數個回流流路在較上述複數個副噴出口更靠上游之位置分別連接於上述複數個副上游流路；上述複數個下游加熱器在較上述回流流路與上述副上游流路之連接位置更靠上游之位置，分別連接於上述複數個副上游流路，對流動於上述複數個副上游流路之上述液體進行加熱， 上述下游切換單元係將狀態切換為包含將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路之上述液體供給至上述複數個噴出口之噴出狀態、與將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路之上述液體供給至上述複數個回流流路之噴出停止狀態在內的複數個狀態中之任一者。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含第1藥液流路、第2藥液流路、純水流路、及上游切換單元，上述第1藥液流路將第1藥液供給至上述供給流路，上述第2藥液流路將第2藥液供給至上述供給流路，上述純水流路將純水供給至上述供給流路，上述上游切換單元係將狀態切換為包含將第1藥液及第2藥液供給至上述供給流路之噴出狀態、與將純水供給至上述供給流路且停止將第1藥液及第2藥液供給至上述供給流路之噴出停止狀態在內的複數個狀態中之任一者。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含排液流路及回收、排液切換單元，上述排液流路連接於上述複數個回流流路，上述回收、排液切換單元係將狀態切換為包含將流動於上述複數個回流流路之上述液體引導至回收單元之回收狀態、及將流動於上述複數個回流流路之上述液體引導至上述排液流路之排液狀態在內的複數個狀態中之任一者。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含複數個下游流路， 上述複數個副上游流路均係分支為上述複數個下游流路之分支上游流路，針對每一上述下游流路設置有上述副噴出口。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進而包含腔室，該腔室收容保持於上述基板保持單元之上述基板，上述分支上游流路於上述腔室內分支為上述複數個下游流路。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含上游加熱器，上述上游加熱器對供給至上述供給流路之上述液體以上游溫度進行加熱，上述複數個下游加熱器對流動於上述複數個副上游流路之上述液體以較上述上游溫度高之下游溫度進行加熱。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含第1噴嘴與第2噴嘴，上述複數個噴出口包含設置於上述第1噴嘴之第1噴出口、及設置於上述第2噴嘴之第2噴出口，於俯視時並排在與上述旋轉軸線正交之徑向上，上述第1噴嘴包含於水平之長度方向延伸之第1臂部、及自上述第1臂部之前端向下方延伸之第1前端部，上述第2噴嘴包含於上述長度方向延伸之第2臂部、及自上述第2臂部之前端向下方延伸之第2前端部，上述第1臂部及第2臂部並排於與上述長度方向正交之水平之排列方向，上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端係以使上述第1臂部 之前端位於上述旋轉軸線側之方式，於俯視時在上述長度方向分離。
  8. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其使基板一邊保持為水平，一邊繞通過上述基板之中央部之鉛垂之旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其包含槽、上游加熱器、供給流路、複數個上游流路、複數個噴出口、複數個回流流路、複數個下游加熱器、下游切換單元、及複數個回流流量調整閥，對保持於上述基板保持單元之上述基板供給處理液，上述槽貯存供給至上述供給流路之上述處理液，上述上游加熱器藉由加熱上述處理液而調整上述槽內之上述處理液之溫度，上述供給流路將上述處理液朝上述複數個上游流路引導，上述複數個上游流路自上述供給流路形成分支，將自上述供給流路供給之上述處理液朝上述複數個噴出口引導，上述複數個噴出口包含：主噴出口，其朝上述基板之上表面中央部噴出上述處理液；及複數個副噴出口，其等偏離上述上表面中央部，朝與上述旋轉軸線之距離不同之上述基板之上表面內之複數個位置分別噴出上述處理液；上述複數個噴出口分別配置於與上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數個上游流路而供給之上述處理液朝保持於上述基板保持單元之上述基板之上表面噴出，上述複數個上游流路包含連接於上述主噴出口之主上游流路、及連接於上述複數個副噴出口之複數個副上游流路，上述複數個回流流路在較上述複數個副噴出口更靠上游之位置 分別連接於上述複數個副上游流路，將自上述複數個副上游流路供給之上述處理液朝上述槽引導，上述複數個下游加熱器在較上述回流流路與上述副上游流路之連接位置更靠上游之位置，分別連接於上述複數個副上游流路，對流動於上述複數個副上游流路之上述處理液進行加熱，上述下游切換單元係將狀態切換為包含將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路之上述處理液供給至上述複數個噴出口之噴出狀態、與將自上述供給流路已供給至上述複數個上游流路之上述處理液供給至上述複數個回流流路之噴出停止狀態在內的複數個狀態中之任一者，上述複數個回流流量調整閥分別連接於上述複數個上游流路，使於上述噴出停止狀態時自上述供給流路供給至上述複數個上游流路之上述處理液之流量，較於上述噴出狀態時自上述供給流路供給至上述複數個上游流路之上述處理液之流量減少。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含冷卻器，該冷卻器對在上述複數個回流流路內朝上述槽流動之上述處理液進行冷卻。
  10. 如請求項8或9之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含複數個下游流路，上述複數個副上游流路均係分支為上述複數個下游流路之分支上游流路，針對每一上述下游流路設置有上述副噴出口。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進而包含腔室，該腔室收容保持於上述基板保持單元之上述基板， 上述分支上游流路於上述腔室內分支為上述複數個下游流路。
  12. 如請求項8或9之基板處理裝置，其中，上述上游加熱器藉由以上游溫度加熱上述處理液而調整上述槽內之上述處理液之溫度，上述複數個下游加熱器對流動於上述複數個副上游流路之上述處理液以較上述上游溫度高之下游溫度進行加熱。
  13. 如請求項8或9之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進而包含第1噴嘴與第2噴嘴，上述複數個噴出口包含設置於上述第1噴嘴之第1噴出口、及設置於上述第2噴嘴之第2噴出口，於俯視時並排在與上述旋轉軸線正交之徑向上，上述第1噴嘴包含於水平之長度方向延伸之第1臂部、及自上述第1臂部之前端向下方延伸之第1前端部，上述第2噴嘴包含於上述長度方向延伸之第2臂部、及自上述第2臂部之前端向下方延伸之第2前端部，上述第1臂部及第2臂部並排於與上述長度方向正交之水平之排列方向，上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端係以使上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式，於俯視時在上述長度方向分離。
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