JP6979852B2 - 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 - Google Patents
処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6979852B2 JP6979852B2 JP2017207343A JP2017207343A JP6979852B2 JP 6979852 B2 JP6979852 B2 JP 6979852B2 JP 2017207343 A JP2017207343 A JP 2017207343A JP 2017207343 A JP2017207343 A JP 2017207343A JP 6979852 B2 JP6979852 B2 JP 6979852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment liquid
- pipe
- supply pipe
- supply
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
この発明は、基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置、当該処理液供給装置を備えた基板処理装置、ならびに、当該処理液供給装置および当該基板処理装置を用いた処理液供給方法に関する。
処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
基板処理に用いられる処理液中には、パーティクルが存在する。そのため、処理液を基板の表面に供給する前に、処理液中からパーティクルを除去しなければならない。一方、基板の表面を効率良く処理するために、加熱した処理液を基板の表面に供給することが望まれる場合がある。
そこで、下記特許文献１に記載の処理液供給システムでは、薬液タンクから処理ユニットに向けて送られた薬液（処理液）が通過する薬液流路に、ヒータおよびフィルタが設けられている。
そこで、下記特許文献１に記載の処理液供給システムでは、薬液タンクから処理ユニットに向けて送られた薬液（処理液）が通過する薬液流路に、ヒータおよびフィルタが設けられている。
フィルタには、多数の孔が設けられている。この孔の径（ポア径）よりも大きい粒径のパーティクルがフィルタによって捕捉される。これにより、処理液中からパーティクルが除去される。ポア径がパーティクルの粒径よりも大きいと、パーティクルは、フィルタによって捕捉されずにフィルタを通過する。
特許文献１に記載の処理液供給システムでは、薬液流路を通過する薬液の一部は、循環流路を介してタンクに戻される。そのため、ヒータによって加熱された薬液がフィルタを通過する。この加熱された薬液によってフィルタが加熱される。これにより、フィルタが膨張し、フィルタに設けられた孔のポア径が拡大される。したがって、フィルタによって捕捉されずにフィルタを通過するパーティクルの数が増大するおそれがある。そのため、基板の表面で観測されるパーティクルの数が増大するおそれがある。
特許文献１に記載の処理液供給システムでは、薬液流路を通過する薬液の一部は、循環流路を介してタンクに戻される。そのため、ヒータによって加熱された薬液がフィルタを通過する。この加熱された薬液によってフィルタが加熱される。これにより、フィルタが膨張し、フィルタに設けられた孔のポア径が拡大される。したがって、フィルタによって捕捉されずにフィルタを通過するパーティクルの数が増大するおそれがある。そのため、基板の表面で観測されるパーティクルの数が増大するおそれがある。
そこで、この発明の一つの目的は、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニットに供給することができる処理液供給装置、基板処理装置および処理液供給方法を提供することである。
この発明は、基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置であって、処理液を貯留する処理液タンク内の処理液が送られ、前記処理液タンクから送られた処理液を前記処理ユニットに供給する供給配管と、前記供給配管に分岐接続され、前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻す戻り配管と、前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第１加熱ユニットと、前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第２加熱ユニットと、前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却ユニットと、前記上流側被加熱部分よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第１フィルタとを含む、処理液供給装置を提供する。
この装置によれば、第１フィルタは、上流側被加熱部分よりも上流側で供給配管に介装されている。そのため、処理液タンクから供給配管に送られた処理液は、第１加熱ユニットによって加熱される前に第１フィルタを通過する。
また、供給配管を通る処理液は、戻り配管を介して処理液タンクに戻される。つまり、処理液タンク内の処理液は、供給配管および戻り配管を通して循環する。その際、処理液は、供給配管の上流側被加熱部分を通る際に第１加熱ユニットによって加熱され、戻り配管の被冷却部分を通る際に冷却ユニットによって冷却される。そのため、処理液は、供給配管および戻り配管を通して循環する際、充分に冷却された状態で第１フィルタを通る。したがって、処理液が供給配管および戻り配管を通して循環することによって、処理液中のパーティクルを充分に除去することができる。
また、供給配管を通る処理液は、戻り配管を介して処理液タンクに戻される。つまり、処理液タンク内の処理液は、供給配管および戻り配管を通して循環する。その際、処理液は、供給配管の上流側被加熱部分を通る際に第１加熱ユニットによって加熱され、戻り配管の被冷却部分を通る際に冷却ユニットによって冷却される。そのため、処理液は、供給配管および戻り配管を通して循環する際、充分に冷却された状態で第１フィルタを通る。したがって、処理液が供給配管および戻り配管を通して循環することによって、処理液中のパーティクルを充分に除去することができる。
一方、供給配管から処理ユニットに向かう処理液は、上流側被加熱部分を通る際に第１加熱ユニットによって加熱された後に、下流側被加熱部分を通る際に第２加熱ユニットによってさらに加熱される。したがって、処理液は、処理ユニットに達するまでに、第１加熱ユニットおよび第２加熱ユニットによって充分に加熱される。
以上により、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニットに供給することができる。
以上により、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニットに供給することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記分岐位置よりも下流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第２フィルタをさらに含む。加熱された処理液が分岐位置を通ることによって分岐位置が加熱されてパーティクルが発生することがある。このような場合であっても、第２フィルタによって当該パーティクルを除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記分岐位置よりも下流側において前記供給配管に介装された開閉バルブをさらに含む。そして、前記第２フィルタが、前記開閉バルブよりも上流側で前記供給配管に介装されている。
開閉バルブが閉じられた状態（閉状態）では、処理液タンク内の処理液は、処理ユニットには供給されずに、供給配管および戻り配管を介して循環する。そのため、処理液を処理ユニットに供給する前に、第１フィルタによって処理液からパーティクルを一層除去することができる。
開閉バルブが閉じられた状態（閉状態）では、処理液タンク内の処理液は、処理ユニットには供給されずに、供給配管および戻り配管を介して循環する。そのため、処理液を処理ユニットに供給する前に、第１フィルタによって処理液からパーティクルを一層除去することができる。
一方、開閉バルブが開かれた状態（開状態）では、処理液タンク内の処理液は、供給配管を介して処理ユニットへ供給される。処理液の流量は、処理液がフィルタを通過することによって低減される。そこで、供給配管において開閉バルブよりも上流側に第２フィルタを配置することによって、処理ユニットに供給される処理液の流量に与える影響を低減することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記分岐位置よりも下流側において前記供給配管に介装された開閉バルブをさらに含む。そして、前記第２フィルタが、前記開閉バルブよりも下流側で前記供給配管に介装されている。
開閉バルブが閉じられた状態（閉状態）では、処理液タンク内の処理液は、処理ユニットには供給されずに、供給配管および戻り配管を介して循環する。そのため、処理液を処理ユニットに供給する前に、第１フィルタによって処理液からパーティクルを一層除去することができる。
開閉バルブが閉じられた状態（閉状態）では、処理液タンク内の処理液は、処理ユニットには供給されずに、供給配管および戻り配管を介して循環する。そのため、処理液を処理ユニットに供給する前に、第１フィルタによって処理液からパーティクルを一層除去することができる。
一方、開閉バルブが開かれた状態（開状態）では、処理液タンク内の処理液は、供給配管を介して処理ユニットへ供給される。第２フィルタは、供給配管において開閉バルブよりも下流側に位置している。そのため、開閉バルブを処理液が通過する際にパーティクルが発生しても、第２フィルタによって、当該パーティクルが除去される。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記上流側被加熱部分よりも下流側で、かつ、前記分岐位置よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第３フィルタをさらに含む。加熱された処理液が供給配管を通ることによって供給配管を構成する成分が処理液に溶出し、これによってパーティクルが発生することがある。このような場合であっても、第３フィルタによって当該パーティクルを除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記上流側被加熱部分よりも下流側で、かつ、前記分岐位置よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第３フィルタをさらに含む。加熱された処理液が供給配管を通ることによって供給配管を構成する成分が処理液に溶出し、これによってパーティクルが発生することがある。このような場合であっても、第３フィルタによって当該パーティクルを除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記被冷却部分よりも上流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第４フィルタをさらに含む。ここで、加熱された処理液が戻り配管を通ることによって戻り配管を構成する成分が処理液に溶出し、これによってパーティクルが発生することがある。
そのため、第１加熱ユニットによって加熱された処理液が戻り配管を通過する際に処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第４フィルタによって当該パーティクルを除去することができる。また、第４フィルタは、供給配管よりも下流側の戻り配管に介装されているため、供給配管に介装されたフィルタと比較して、処理液タンクの汚染を効果的に抑制することができる。
そのため、第１加熱ユニットによって加熱された処理液が戻り配管を通過する際に処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第４フィルタによって当該パーティクルを除去することができる。また、第４フィルタは、供給配管よりも下流側の戻り配管に介装されているため、供給配管に介装されたフィルタと比較して、処理液タンクの汚染を効果的に抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記被冷却部分よりも下流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第５フィルタをさらに含む。そのため、処理液が戻り配管の被冷却部分を通過する際にパーティクルが発生した場合であっても、第５フィルタによって処理液中のパーティクルが充分に除去される。また、第５フィルタは、被冷却部分よりも下流側で戻り配管に介装されているため、処理液タンクの汚染を一層効果的に抑制することができる。
この発明の一実施形態では、前記第１加熱ユニットが、前記上流側被加熱部分の外周面に対向する内周面を有する第１筒状配管と、前記上流側被加熱部分の外周面と前記第１筒状配管の内周面との間に加熱流体を供給する第１加熱流体供給ユニットとを含む。
この構成によれば、供給配管の上流側被加熱部分の外周面と第１筒状配管の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、上流側被加熱部分が取り囲まれる。したがって、上流側被加熱部分を流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この構成によれば、供給配管の上流側被加熱部分の外周面と第１筒状配管の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、上流側被加熱部分が取り囲まれる。したがって、上流側被加熱部分を流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この発明の一実施形態では、前記第２加熱ユニットが、前記下流側被加熱部分の外周面に対向する内周面を有する第２筒状配管と、前記下流側被加熱部分の外周面と前記第２筒状配管の内周面との間に加熱流体を供給する第２加熱流体供給ユニットとを含む。
この構成によれば、供給配管の下流側被加熱部分の外周面と第２筒状配管の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、下流側被加熱部分が取り囲まれる。したがって、下流側被加熱部分を流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この構成によれば、供給配管の下流側被加熱部分の外周面と第２筒状配管の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、下流側被加熱部分が取り囲まれる。したがって、下流側被加熱部分を流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この発明の一実施形態では、前記第１加熱ユニットが、前記供給配管の前記上流側被加熱部分に配置された第１ヒータを含んでいてもよい。また、前記第２加熱ユニットが、前記供給配管の前記下流側被加熱部分に配置された第２ヒータを含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記冷却ユニットが、前記戻り配管の前記被冷却部分の外周面に対向する内周面を有する第３筒状配管と、前記被冷却部分の外周面と前記第３筒状配管の内周面との間に冷却流体を供給する冷却流体供給ユニットとを含む。
この発明の一実施形態では、前記冷却ユニットが、前記戻り配管の前記被冷却部分の外周面に対向する内周面を有する第３筒状配管と、前記被冷却部分の外周面と前記第３筒状配管の内周面との間に冷却流体を供給する冷却流体供給ユニットとを含む。
この構成によれば、戻り配管の外周面と第２筒状配管の内周面との間に冷却流体が供給される。そのため、冷却流体によって、被冷却部分が取り囲まれる。したがって、被冷却部分を流れる処理液を満遍なく冷却することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記分岐位置よりも上流側において前記供給配管に分岐接続され、前記処理ユニットとは別の処理ユニットに処理液を供給する分岐供給配管と、前記分岐供給配管に設定された被加熱部分を加熱する分岐加熱ユニットとをさらに含む。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置が、前記分岐位置よりも上流側において前記供給配管に分岐接続され、前記処理ユニットとは別の処理ユニットに処理液を供給する分岐供給配管と、前記分岐供給配管に設定された被加熱部分を加熱する分岐加熱ユニットとをさらに含む。
この構成によれば、複数の処理ユニットに処理液を供給することができる。分岐供給配管を通って処理ユニットに供給される処理液は、被加熱部分を通る際に分岐加熱ユニットによって加熱される。したがって、処理液は、当該処理ユニットに達するまでに、第１加熱ユニットおよび分岐加熱ユニットによって充分に加熱される。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置と、前記処理ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。この構成によれば、前述と同様の効果を奏することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置と、前記処理ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。この構成によれば、前述と同様の効果を奏することができる。
この発明の一実施形態では、処理液を貯留する処理液タンク内の処理液を供給配管を介して処理ユニットに供給する供給工程と、前記供給配管に分岐接続された戻り配管を介して前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻すことにより、前記処理液タンク内の処理液を前記供給配管および前記戻り配管を通して循環させる循環工程と、前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第１加熱工程と、前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却工程と、前記上流側被加熱部分よりも上流側において前記供給配管に介装されたフィルタによって、処理液中のパーティクルを除去する除去工程と、前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第２加熱工程とを含む、処理液供給方法を提供する。
この方法によれば、処理液タンク内の処理液は、上流側被加熱部分よりも上流側において供給配管に介装されたフィルタを通った後、処理ユニットに供給される。つまり、処理液は、第１加熱ユニットによって加熱される前にフィルタを通過する。
また、処理液は、供給配管および戻り配管を介して循環する際、供給配管の上流側被加熱部分を通る際に第１加熱ユニットによって加熱され、戻り配管の被冷却部分を通る際に冷却ユニットによって冷却される。そのため、処理液は、充分に冷却された状態でフィルタを通る。したがって、処理液が供給配管および戻り配管を通して循環することによって、処理液中のパーティクルを充分除去することができる。
また、処理液は、供給配管および戻り配管を介して循環する際、供給配管の上流側被加熱部分を通る際に第１加熱ユニットによって加熱され、戻り配管の被冷却部分を通る際に冷却ユニットによって冷却される。そのため、処理液は、充分に冷却された状態でフィルタを通る。したがって、処理液が供給配管および戻り配管を通して循環することによって、処理液中のパーティクルを充分除去することができる。
一方、供給配管から処理ユニットに向かう処理液は、上流側被加熱部分を通る際に第１加熱ユニットによって加熱された後に、下流側被加熱部分を通る際に第２加熱ユニットによってさらに加熱される。したがって、処理液は、処理ユニットに達するまでには、第１加熱ユニットおよび第２加熱ユニットによって充分に加熱される。
以上により、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニットに供給することができる。
以上により、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニットに供給することができる。
以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理液供給装置３の構成を示す模式図である。基板処理装置１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。
基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する処理タワー２と、処理タワー２に処理液を供給する処理液供給装置３と、処理タワー２に処理液を供給するための配管を収容する流体ユニット４と、基板処理装置１を制御する制御ユニット５（後述する図３参照）とを含む。
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理液供給装置３の構成を示す模式図である。基板処理装置１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。
基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する処理タワー２と、処理タワー２に処理液を供給する処理液供給装置３と、処理タワー２に処理液を供給するための配管を収容する流体ユニット４と、基板処理装置１を制御する制御ユニット５（後述する図３参照）とを含む。
処理タワー２は、上下に積層された複数（この実施形態では４つ）の処理ユニット６を含む。複数の処理ユニット６は、たとえば、同様の構成を有している。複数の処理ユニット６を区別するときには、最も上方に配置されている処理ユニット６を処理ユニット６Ａといい、処理ユニット６Ａに下方から隣接する処理ユニット６を処理ユニット６Ｂといい、処理ユニット６Ｂに下方から隣接する処理ユニット６を処理ユニット６Ｃといい、処理ユニット６Ｃに下方から隣接する処理ユニット６を処理ユニット６Ｄという。
処理液には、薬液、リンス液および有機溶剤等が含まれる。薬液は、たとえば、フッ酸（フッ化水素水：ＨＦ）である。むろん、薬液は、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）等が挙げられる。
リンス液とは、たとえば、脱イオン水（Deionized Water:DIW）である。リンス液は、ＤＩＷに限られず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、アンモニア水、還元水（水素水）であってもよい。
有機溶剤とは、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。有機溶剤は、ＩＰＡに限られない。具体的には、有機溶剤は、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。また、有機溶剤は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡ液と純水との混合液であってもよいし、ＩＰＡ液とＨＦＥ液との混合液であってもよい。
有機溶剤とは、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。有機溶剤は、ＩＰＡに限られない。具体的には、有機溶剤は、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。また、有機溶剤は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡ液と純水との混合液であってもよいし、ＩＰＡ液とＨＦＥ液との混合液であってもよい。
処理ユニット６は、スピンチャック１０と、カップ１１と、処理液ノズル１２と、処理チャンバ１３とを含む。スピンチャック１０は、一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる。カップ１１は、スピンチャック１０を取り囲み、基板Ｗから飛散する処理液を受ける。処理液ノズル１２は、基板Ｗの上面に処理液を供給する。処理チャンバ１３は、スピンチャック１０、カップ１１および処理液ノズル１２を収容する。
スピンチャック１０は、複数のチャックピン１５と、スピンベース１６と、回転軸１７と、電動モータ１８とを含む。複数のチャックピン１５は、スピンベース１６の上面に周方向に間隔を空けて配置されている。複数のチャックピン１５は、基板Ｗがスピンベース１６と一体回転可能なように、基板Ｗを把持する。回転軸１７は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延びている。回転軸１７の上端は、スピンベース１６の下面中央に結合されている。電動モータ１８は、回転軸１７に回転力を与えることによって、スピンベース１６および基板Ｗを回転させる。
処理液供給装置３は、処理液を貯留する処理液タンク２０と、処理液タンク２０から送られた処理液を処理ユニット６Ａに供給する供給配管２１と、供給配管２１内の処理液を処理液タンク２０に戻す戻り配管２２とを含む。
供給配管２１の上流端は、処理液タンク２０に接続されている。供給配管２１の下流端は、処理ユニット６Ａの処理液ノズル１２に接続されている。
供給配管２１の上流端は、処理液タンク２０に接続されている。供給配管２１の下流端は、処理ユニット６Ａの処理液ノズル１２に接続されている。
戻り配管２２の上流端は、戻り配管分岐位置Ｂにおいて供給配管２１に分岐接続されている。戻り配管２２の下流端は、処理液タンク２０に接続されている。
処理液タンク２０は、流体ユニット４に隣接するキャビネット７に収容されている。処理液タンク２０には、供給配管２１および戻り配管２２の他に、処理液供給源１００から処理液タンク２０に処理液を供給するための配管１０１が接続されている。配管１０１には、処理液中の金属イオンを除去するメタル除去フィルタ１０２が介装されている。メタル除去フィルタ１０２は、たとえば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）親水膜とイオン交換膜とをろ過膜として含む。ＰＴＦＥ親水膜は、ＰＴＦＥ製の基材の表面を親水化した膜である。
処理液タンク２０は、流体ユニット４に隣接するキャビネット７に収容されている。処理液タンク２０には、供給配管２１および戻り配管２２の他に、処理液供給源１００から処理液タンク２０に処理液を供給するための配管１０１が接続されている。配管１０１には、処理液中の金属イオンを除去するメタル除去フィルタ１０２が介装されている。メタル除去フィルタ１０２は、たとえば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）親水膜とイオン交換膜とをろ過膜として含む。ＰＴＦＥ親水膜は、ＰＴＦＥ製の基材の表面を親水化した膜である。
供給配管２１および戻り配管２２は、キャビネット７と流体ユニット４とに亘って延びている。供給配管２１は、戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側の第１配管２１Ａと、戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側の第２配管２１Ｂとを含む。戻り配管分岐位置Ｂには、第１配管２１Ａの下流端と、第２配管２１Ｂの上流端と、戻り配管２２の上流端とが接続されたジョイント（接続部）２６が設けられている。
処理液供給装置３は、戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側において供給配管２１に分岐接続された複数の分岐供給配管２３〜２５（第１分岐供給配管２３、第２分岐供給配管２４および第３分岐供給配管２５）をさらに含む。
分岐供給配管２３〜２５は、処理ユニット６Ａとは別の処理ユニット６Ｂ〜６Ｄに処理液を供給する。具体的には、第１分岐供給配管２３は、供給配管２１内の処理液を処理ユニット６Ｂに供給する。第１分岐供給配管２３の上流端は、戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側の第１供給配管分岐位置Ｃ１において供給配管２１に接続されている。第１分岐供給配管２３の下流端は、処理ユニット６Ｂの処理液ノズル１２に接続されている。
分岐供給配管２３〜２５は、処理ユニット６Ａとは別の処理ユニット６Ｂ〜６Ｄに処理液を供給する。具体的には、第１分岐供給配管２３は、供給配管２１内の処理液を処理ユニット６Ｂに供給する。第１分岐供給配管２３の上流端は、戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側の第１供給配管分岐位置Ｃ１において供給配管２１に接続されている。第１分岐供給配管２３の下流端は、処理ユニット６Ｂの処理液ノズル１２に接続されている。
第２分岐供給配管２４は、供給配管２１内の処理液を処理ユニット６Ｃに供給する。第２分岐供給配管２４の上流端は、第１供給配管分岐位置Ｃ１よりも上流側の第２供給配管分岐位置Ｃ２において供給配管２１に接続されている。第２分岐供給配管２４の下流端は、処理ユニット６Ｃの処理液ノズル１２に接続されている。
第３分岐供給配管２５は、供給配管２１内の処理液を処理ユニット６Ｄに供給する。第３分岐供給配管２５の上流端は、第２供給配管分岐位置Ｃ２よりも上流側の第３供給配管分岐位置Ｃ３において供給配管２１に接続されている。第３分岐供給配管２５の下流端は、処理ユニット６Ｄの処理液ノズル１２に接続されている。
第３分岐供給配管２５は、供給配管２１内の処理液を処理ユニット６Ｄに供給する。第３分岐供給配管２５の上流端は、第２供給配管分岐位置Ｃ２よりも上流側の第３供給配管分岐位置Ｃ３において供給配管２１に接続されている。第３分岐供給配管２５の下流端は、処理ユニット６Ｄの処理液ノズル１２に接続されている。
処理液供給装置３は、ポンプ３０と、上流側ヒータ３１と、下流側ヒータ３２と、冷却器３３と、第１フィルタ３４と、開閉バルブ３５と、複数の分岐配管ヒータ３６と、複数の分岐配管開閉バルブ３７とを含む。
ポンプ３０は、第３供給配管分岐位置Ｃ３よりも上流側（戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側）で供給配管２１の第１配管２１Ａに介装されている。ポンプ３０は、処理液タンク２０内の処理液を供給配管２１に送り出す。
ポンプ３０は、第３供給配管分岐位置Ｃ３よりも上流側（戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側）で供給配管２１の第１配管２１Ａに介装されている。ポンプ３０は、処理液タンク２０内の処理液を供給配管２１に送り出す。
上流側ヒータ３１は、供給配管２１の一部に設定された上流側被加熱部分２１ａ内の処理液を加熱する。上流側被加熱部分２１ａは、第３供給配管分岐位置Ｃ３よりも上流側（戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側でもある）に位置する。上流側ヒータ３１は、第３供給配管分岐位置Ｃ３よりも上流側で、かつ、ポンプ３０よりも下流側で供給配管２１に配置されている。上流側ヒータ３１は、第１加熱ユニットの一例である。
第１フィルタ３４は、供給配管２１を流れる処理液中のパーティクルを除去するためのパーティクル除去フィルタである。第１フィルタ３４は、上流側被加熱部分２１ａよりも上流側で、かつ、ポンプ３０よりも下流側で供給配管２１に介装されている。第１フィルタ３４としては、常温（たとえば５℃〜２５℃程度）での使用に適したフィルタが用いられる。第１フィルタ３４は、たとえば、ＰＴＦＥ親水膜をろ過膜として含む。第１フィルタ３４として用いるＰＴＦＥ親水膜のポア径は、たとえば、７ｎｍよりも小さい。
冷却器３３は、戻り配管２２に配置されている。冷却器３３は、戻り配管２２に設定された被冷却部分２２ａ内の処理液を冷却する冷却ユニットの一例である。第１フィルタ３４、上流側ヒータ３１、ポンプ３０および冷却器３３は、キャビネット７内に配置されている。
下流側ヒータ３２は、供給配管２１の一部に設定された下流側被加熱部分２１ｂ内の処理液を加熱する。下流側被加熱部分２１ｂは、供給配管２１において戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側に位置する。下流側ヒータ３２は、戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側で供給配管２１に配置されている。下流側ヒータ３２は、第２加熱ユニットの一例である。
下流側ヒータ３２は、供給配管２１の一部に設定された下流側被加熱部分２１ｂ内の処理液を加熱する。下流側被加熱部分２１ｂは、供給配管２１において戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側に位置する。下流側ヒータ３２は、戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側で供給配管２１に配置されている。下流側ヒータ３２は、第２加熱ユニットの一例である。
開閉バルブ３５は、供給配管２１の第２配管２１Ｂに介装されている。すなわち、開閉バルブ３５は、戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側で供給配管２１に介装されている。開閉バルブ３５は、第２配管２１Ｂの処理液の流路を開閉するバルブである。第２配管２１Ｂは、下流端が開閉バルブ３５に接続された上流側配管２１Ｃと、上流端が開閉バルブ３５に接続された下流側配管２１Ｄとを含む。
分岐配管ヒータ３６は、供給配管分岐位置Ｃ１〜Ｃ３よりも下流側で処理液を加熱するヒータである。分岐配管ヒータ３６は、各分岐供給配管２３〜２５に１つずつ配置されている。第１分岐供給配管２３に配置された分岐配管ヒータ３６は、分岐供給配管２３に設定された被加熱部分２３ａを加熱する分岐加熱ユニットの一例である。第２分岐供給配管２４に配置された分岐配管ヒータ３６は、第２分岐供給配管２４に設定された被加熱部分２４ａを加熱する分岐加熱ユニットの一例である。第３分岐供給配管２５に配置された分岐配管ヒータ３６は、第３分岐供給配管２５に設定された被加熱部分２５ａを加熱する分岐加熱ユニットの一例である。
分岐配管開閉バルブ３７は、分岐供給配管２３〜２５における処理液の流路を開閉するバルブである。各分岐配管開閉バルブ３７は、分岐配管ヒータ３６よりも下流側で対応する分岐供給配管２３〜２５に介装されている。
第１分岐供給配管２３は、下流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された上流側配管２３Ａと、上流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された下流側配管２３Ｂとを含む。第２分岐供給配管２４は、下流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された上流側配管２４Ａと、上流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された下流側配管２４Ｂとを含む。第３分岐供給配管２５は、下流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された上流側配管２５Ａと、上流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された下流側配管２５Ｂとを含む。
第１分岐供給配管２３は、下流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された上流側配管２３Ａと、上流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された下流側配管２３Ｂとを含む。第２分岐供給配管２４は、下流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された上流側配管２４Ａと、上流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された下流側配管２４Ｂとを含む。第３分岐供給配管２５は、下流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された上流側配管２５Ａと、上流端が分岐配管開閉バルブ３７に接続された下流側配管２５Ｂとを含む。
下流側ヒータ３２、開閉バルブ３５、複数の分岐配管ヒータ３６および複数の分岐配管開閉バルブ３７は、流体ユニット４内に配置されている。
次に、開閉バルブ３５の構成について詳細に説明する。図２Ａ〜２Ｃは、開閉バルブ３５の構成例を説明するための図解的な断面図である。
開閉バルブ３５が開かれている状態のことを開状態という。開閉バルブ３５が閉じられている状態のことを閉状態という。図２Ａには、開状態の開閉バルブ３５が図示されている。図２Ｂには、開状態と閉状態との間の中間状態の開閉バルブ３５が図示されている。図２Ｃには、閉状態の開閉バルブ３５が図示されている。
次に、開閉バルブ３５の構成について詳細に説明する。図２Ａ〜２Ｃは、開閉バルブ３５の構成例を説明するための図解的な断面図である。
開閉バルブ３５が開かれている状態のことを開状態という。開閉バルブ３５が閉じられている状態のことを閉状態という。図２Ａには、開状態の開閉バルブ３５が図示されている。図２Ｂには、開状態と閉状態との間の中間状態の開閉バルブ３５が図示されている。図２Ｃには、閉状態の開閉バルブ３５が図示されている。
開閉バルブ３５は、ダイヤフラムバルブである。開閉バルブ３５は、ハウジング４０と、開閉バルブ３５を開閉させる駆動部４１と、ダイヤフラム４３とを含む。ハウジング４０は、処理液が流れる流路４２が形成された流路形成部４０Ａと、駆動部４１が収容される収容空間４４が形成された収容空間形成部４０Ｂとを含む。
流路４２は、流路４２の一端に設けられた流入口４２ａと、流路４２の他端に設けられた流出口４２ｂとを含む。第２配管２１Ｂの上流側配管２１Ｃの下流端は、流入口４２ａに接続されている。第２配管２１Ｂの下流側配管２１Ｄの上流端は、流出口４２ｂに接続されている。
流路４２は、流路４２の一端に設けられた流入口４２ａと、流路４２の他端に設けられた流出口４２ｂとを含む。第２配管２１Ｂの上流側配管２１Ｃの下流端は、流入口４２ａに接続されている。第２配管２１Ｂの下流側配管２１Ｄの上流端は、流出口４２ｂに接続されている。
図２Ａに示すように開閉バルブ３５が開状態であるとき、上流側配管２１Ｃに供給された処理液は、流路４２を通って下流側配管２１Ｄに供給される。図２Ｃに示すように開閉バルブ３５が閉状態であるとき、上流側配管２１Ｃに供給された処理液は、流路４２の途中で堰き止められる。
流路４２の中間部は、たとえば、Ｓ字状に屈曲している。ハウジング４０において流路４２の中間部を区画する部分には、弁座４５が設けられている。弁座４５は、中心軸線Ａ２周りの円環状に形成されている。弁座４５は、中心軸線Ａ２周りの円錐台状の座面４５ａを有する。
流路４２の中間部は、たとえば、Ｓ字状に屈曲している。ハウジング４０において流路４２の中間部を区画する部分には、弁座４５が設けられている。弁座４５は、中心軸線Ａ２周りの円環状に形成されている。弁座４５は、中心軸線Ａ２周りの円錐台状の座面４５ａを有する。
収容空間４４は、中心軸線Ａ２に沿って延びる円筒状である。駆動部４１は、シャフト４６と圧縮コイルばね４７とを含む。シャフト４６は、中心軸線Ａ２に沿って延びている。シャフト４６は、中心軸線Ａ２に沿う方向から見て円形状の軸部４６Ａと、軸部４６Ａの一端に設けられた押込部４６Ｂと、軸部４６Ａの他端に設けられたピストン４６Ｃとを含む。押込部４６Ｂは、座面４５ａに向かって先細りの円錐形状を有し、その円錐形状は中心軸線Ａ２を共有している。
ダイヤフラム４３は、弾性変形可能な樹脂等で形成されている。ダイヤフラム４３は、ハウジング４０内に固定されている。ダイヤフラム４３は、弁座４５の座面４５ａの中心軸線Ａ２が延びる方向（後述する開閉方向Ｄ）から座面４５ａに対向している。
流路４２と収容空間４４とは、互いに連通しているが、ダイヤフラム４３によって仕切られている。ダイヤフラム４３によって、流路４２から収容空間４４に処理液が漏れることが防止されている。
流路４２と収容空間４４とは、互いに連通しているが、ダイヤフラム４３によって仕切られている。ダイヤフラム４３によって、流路４２から収容空間４４に処理液が漏れることが防止されている。
ダイヤフラム４３は、弁座４５の座面４５ａと接触可能な接触面４３ａを有する。接触面４３ａは、押込部４６Ｂに沿っている。そのため、接触面４３ａは、円錐状の形態を有しており、座面４５ａと中心軸線Ａ２を共有している。
駆動部４１は、ダイヤフラム４３を弾性変形させることにより、閉位置（図２Ｃに示す位置）と開位置（図２Ａに示す位置）との間で接触面４３ａを開閉方向Ｄに平行移動させる。閉位置は、流路４２が閉じられるように接触面４３ａが座面４５ａに面接触する位置であり、開位置は、接触面４３ａが座面４５ａから離れて流路４２が開かれる位置である。また、開閉方向Ｄは、中心軸線Ａ２に沿う方向である。
駆動部４１は、ダイヤフラム４３を弾性変形させることにより、閉位置（図２Ｃに示す位置）と開位置（図２Ａに示す位置）との間で接触面４３ａを開閉方向Ｄに平行移動させる。閉位置は、流路４２が閉じられるように接触面４３ａが座面４５ａに面接触する位置であり、開位置は、接触面４３ａが座面４５ａから離れて流路４２が開かれる位置である。また、開閉方向Ｄは、中心軸線Ａ２に沿う方向である。
ハウジング４０には、中心軸線Ａ２を中心とする径方向の内方に延びるフランジ部４８が形成されている。フランジ部４８は、シャフト４６の軸部４６Ａを開閉方向Ｄに案内するガイド孔４８ａを区画している。
収容空間４４は、ピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側の空間と、ピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側とは反対側の空間とに、ピストン４６Ｃによって仕切られている。収容空間４４においてピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側の部分を第１空間４４Ａといい、ピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側とは反対側の部分を第２空間４４Ｂという。シャフト４６が開閉方向Ｄに移動することによって、第１空間４４Ａおよび第２空間４４Ｂの大きさが変化する。
収容空間４４は、ピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側の空間と、ピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側とは反対側の空間とに、ピストン４６Ｃによって仕切られている。収容空間４４においてピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側の部分を第１空間４４Ａといい、ピストン４６Ｃよりもダイヤフラム４３側とは反対側の部分を第２空間４４Ｂという。シャフト４６が開閉方向Ｄに移動することによって、第１空間４４Ａおよび第２空間４４Ｂの大きさが変化する。
ピストン４６Ｃの外周面との収容空間形成部４０Ｂの内周面との間の隙間は、ピストン４６Ｃに取り付けられたシール部材５０（たとえば、Ｏリング）によってシールされている。ハウジング４０は、第１空間４４Ａに連通する第１ポート５１と、第２空間４４Ｂに連通する第２ポート５２とを含む。
処理液供給装置３は、作動エア供給バルブユニット５３と、第１エア配管５４と、第２エア配管５５と、第１スピードコントローラ５６と、第２スピードコントローラ５７とを含む。第１エア配管５４は、作動エア供給バルブユニット５３と第１ポート５１とに接続されている。第２エア配管５５は、作動エア供給バルブユニット５３と第２ポート５２とに接続されている。
処理液供給装置３は、作動エア供給バルブユニット５３と、第１エア配管５４と、第２エア配管５５と、第１スピードコントローラ５６と、第２スピードコントローラ５７とを含む。第１エア配管５４は、作動エア供給バルブユニット５３と第１ポート５１とに接続されている。第２エア配管５５は、作動エア供給バルブユニット５３と第２ポート５２とに接続されている。
第１スピードコントローラ５６は、第１エア配管５４に介装されている。第１スピードコントローラ５６は、第１エア配管５４内を流れるエアの流量を制御することでピストン４６Ｃの移動速度を調節する。
第２スピードコントローラ５７は、第２エア配管５５に介装されている。第２スピードコントローラ５７は、第２エア配管５５内を流れるエアの流量を制御することでピストン４６Ｃの移動速度を調節する。
第２スピードコントローラ５７は、第２エア配管５５に介装されている。第２スピードコントローラ５７は、第２エア配管５５内を流れるエアの流量を制御することでピストン４６Ｃの移動速度を調節する。
圧縮コイルばね４７は、弾性的に圧縮された状態で第２空間４４Ｂに配置されている。ピストン４６Ｃは、圧縮コイルばね４７の復元力によって、ダイヤフラム４３に向けて開閉方向Ｄに押されている。図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、第１空間４４Ａにエアが供給されていない状態では、圧縮コイルばね４７の復元力によってダイヤフラム４３が弁座４５に押し付けられている。すなわち、開閉バルブ３５は、第１空間４４Ａにエアが供給されていない状態では閉じているように構成された、常時閉のバルブである。
次に、開閉バルブ３５の開閉動作について説明する。
まず、閉状態の開閉バルブ３５を開く動作について説明する。作動エア供給バルブユニット５３は、第１ポート５１を介して第１空間４４Ａにエアを供給する。これにより第１空間４４Ａの空気圧が増加する。一方、作動エア供給バルブユニット５３は、第２ポート５２を介して第２空間４４Ｂを大気開放する。
まず、閉状態の開閉バルブ３５を開く動作について説明する。作動エア供給バルブユニット５３は、第１ポート５１を介して第１空間４４Ａにエアを供給する。これにより第１空間４４Ａの空気圧が増加する。一方、作動エア供給バルブユニット５３は、第２ポート５２を介して第２空間４４Ｂを大気開放する。
第１空間４４Ａの空気圧が増加し第２空間４４Ｂの空気圧が減少すると、図２Ａに示すように、ピストン４６Ｃが、空気圧によってダイヤフラム４３とは反対側に押され、圧縮コイルばね４７の復元力に抗して、ダイヤフラム４３とは反対側に移動する。そのため、シャフト４６全体がダイヤフラム４３とは反対側に移動し、接触面４３ａが開位置に向かって開閉方向Ｄに平行移動する。これにより、接触面４３ａが開位置に配置される。つまり、開閉バルブ３５が開かれる。
次に、開状態の開閉バルブ３５を閉じる動作について説明する。作動エア供給バルブユニット５３は、第１ポート５１を介して第１空間４４Ａを大気開放する。これにより、第１空間４４Ａの空気圧が減少する。また、作動エア供給バルブユニット５３は、第２ポート５２を介して第２空間４４Ｂにエアを供給する。これにより第２空間４４Ｂの空気圧が増加する。
第１空間４４Ａが大気開放されることによって、ピストン４６Ｃをダイヤフラム４３とは反対側に押す力が弱まる。そのため、ピストン４６Ｃが、圧縮コイルばね４７の復元力によってダイヤフラム４３側に押され、接触面４３ａが閉位置に向かって開閉方向Ｄに平行移動する。これにより、図２Ｂに示すように、接触面４３ａが座面４５ａに接触し押し付けられる。
第２空間４４Ｂに供給されるエアの流量Ｆは、接触面４３ａが座面４５ａに接触した後に第２空間４４Ｂの空気圧がピストン４６Ｃに作用する（第２空間４４Ｂの空気圧が最大になる）ように、第２スピードコントローラ５７によって調節されている。これにより、第２空間４４Ｂの空気圧が最大になるタイミングを、接触面４３ａが座面４５ａに接触するタイミングよりも遅くすることができる。これにより、接触面４３ａが座面４５ａに接触する際の衝撃を低減することができる。したがって、接触面４３ａと座面４５ａとが接触する際の衝撃に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
なお、閉状態の開閉バルブ３５では、圧縮コイルばね４７の復元力と、第２空間４４Ｂの空気圧との両方によって、接触面４３ａが閉位置に維持されている。したがって、開閉バルブ３５が閉状態であるときに、圧縮コイルばね４７または作動エア供給バルブユニット５３のいずれか一方に異常が生じた場合であっても、接触面４３ａを閉位置に維持することができる。これにより、処理液を流路４２の途中で堰き止めることができる。
各分岐配管開閉バルブ３７は、開閉バルブ３５と同様の構成を有してもよい。この場合、分岐供給配管２３〜２５の上流側配管２３Ａ〜２５Ａ（図１参照）の下流端が流入口４２ａに接続され、分岐供給配管２３〜２５の下流側配管２３Ｂ〜２５Ｂ（図１参照）の上流端が流出口４２ｂに接続される。
図３は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット５は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット５は、プロセッサ（ＣＰＵ）５Ａと、プログラムが格納されたメモリ５Ｂとを含み、プロセッサ５Ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット５は、電動モータ１８、冷却器３３、ヒータ３１，３２，３６、ポンプ３０、および作動エア供給バルブユニット５３等の動作を制御する。
図３は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御ユニット５は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御ユニット５は、プロセッサ（ＣＰＵ）５Ａと、プログラムが格納されたメモリ５Ｂとを含み、プロセッサ５Ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。特に、制御ユニット５は、電動モータ１８、冷却器３３、ヒータ３１，３２，３６、ポンプ３０、および作動エア供給バルブユニット５３等の動作を制御する。
次に、処理液供給装置３による、基板Ｗへの処理液供給の一例について説明する。
処理液供給では、まず、制御ユニット５は、ポンプ３０、冷却器３３およびヒータ３１，３２，３６を起動する。この処理液供給装置３では、ポンプ３０が起動されるとき、全てのバルブ３５，３７が閉じられている。ポンプ３０が起動されることによって、処理液タンク２０に貯留された処理液は、供給配管２１に送られる。そして、供給配管２１を通る処理液は、戻り配管２２を介して処理液タンク２０に戻される。バルブ３５，３７が閉じられているので、処理液タンク２０内の処理液は、処理ユニット６には供給されずに、供給配管２１および戻り配管２２を通して処理液タンク２０に戻るように循環する（循環工程）。
処理液供給では、まず、制御ユニット５は、ポンプ３０、冷却器３３およびヒータ３１，３２，３６を起動する。この処理液供給装置３では、ポンプ３０が起動されるとき、全てのバルブ３５，３７が閉じられている。ポンプ３０が起動されることによって、処理液タンク２０に貯留された処理液は、供給配管２１に送られる。そして、供給配管２１を通る処理液は、戻り配管２２を介して処理液タンク２０に戻される。バルブ３５，３７が閉じられているので、処理液タンク２０内の処理液は、処理ユニット６には供給されずに、供給配管２１および戻り配管２２を通して処理液タンク２０に戻るように循環する（循環工程）。
循環する処理液は、供給配管２１の上流側被加熱部分２１ａを通る際に上流側ヒータ３１によって加熱され（第１加熱工程）、戻り配管２２の被冷却部分２２ａを通る際に冷却器３３によって冷却される（冷却工程）。そのため、処理液は、充分に冷却された状態で第１フィルタ３４を通る。したがって、第１フィルタ３４によって処理液中のパーティクルを充分に除去することができる（除去工程）。
その後、処理液の供給が必要なバルブ３５，３７を開くことによって、処理ユニット６への処理液の供給が開始される。
具体的には、開閉バルブ３５が開かれると、処理液が、供給配管２１において戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側（第２配管２１Ｂ）に流れ始める。これにより、処理液タンク２０内の処理液が供給配管２１を介して処理ユニット６Ａに供給される（供給工程）。
具体的には、開閉バルブ３５が開かれると、処理液が、供給配管２１において戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側（第２配管２１Ｂ）に流れ始める。これにより、処理液タンク２０内の処理液が供給配管２１を介して処理ユニット６Ａに供給される（供給工程）。
供給配管２１から処理ユニット６Ａに向かう処理液は、上流側被加熱部分２１ａを通る際に上流側ヒータ３１によって加熱された後に、下流側被加熱部分２１ｂを通る際に下流側ヒータ３２によってさらに加熱される（第２加熱工程）。したがって、処理液は、処理ユニット６Ａに達するまでに、上流側ヒータ３１および下流側ヒータ３２によって充分に加熱される。
一方、分岐配管開閉バルブ３７が開かれると、処理液が対応する分岐供給配管２３〜２５に流れ始め、対応する処理ユニット６Ｂ〜６Ｄへ向かう。供給配管２１から処理ユニット６Ｂ〜６Ｄに向かう処理液は、上流側被加熱部分２１ａを通る際に上流側ヒータ３１によって加熱された後に、被加熱部分２３ａ〜２５ａを通る際に分岐配管ヒータ３６によって加熱される。したがって、処理液は、処理ユニット６Ｂ〜６Ｄに達するまでには、上流側ヒータ３１および対応する分岐配管ヒータ３６によって充分に加熱される。
以上により、パーティクルが充分に除去され、かつ、充分に加熱された処理液を処理ユニット６に供給することができる。
第１フィルタ３４は、ＰＴＦＥ親水膜をろ過膜として含む。そのため、処理液としてＩＰＡ等の有機溶剤を用いた場合、高温のＩＰＡが第１フィルタ３４を通過すると、ＰＴＦＥの基材に親水化を施す際に生じる残留物が処理液中に排出されるおそれがある。さらに、高温のＩＰＡによって、ＰＴＦＥ親水膜の親水基がダメージを受けることがある。この実施形態では、第１フィルタ３４を通過する処理液は、冷却器３３によって充分に冷却されている。したがって、第１フィルタ３４にＰＴＦＥ親水膜を用いた場合であってもパーティクルの発生を抑制することができる。
第１フィルタ３４は、ＰＴＦＥ親水膜をろ過膜として含む。そのため、処理液としてＩＰＡ等の有機溶剤を用いた場合、高温のＩＰＡが第１フィルタ３４を通過すると、ＰＴＦＥの基材に親水化を施す際に生じる残留物が処理液中に排出されるおそれがある。さらに、高温のＩＰＡによって、ＰＴＦＥ親水膜の親水基がダメージを受けることがある。この実施形態では、第１フィルタ３４を通過する処理液は、冷却器３３によって充分に冷却されている。したがって、第１フィルタ３４にＰＴＦＥ親水膜を用いた場合であってもパーティクルの発生を抑制することができる。
開閉バルブ３５および複数の分岐配管開閉バルブ３７の少なくともいずれかが開かれた状態でポンプ３０が起動されてもよい。この場合であっても、処理液は、基板Ｗに供給される前に、常温で第１フィルタ３４を通過する。そのため、パーティクルが充分に除去された処理液を基板Ｗに供給することができる。
図４は、この発明の第２実施形態に係る処理液供給装置３Ｐの構成を示す模式図である。図４では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
図４は、この発明の第２実施形態に係る処理液供給装置３Ｐの構成を示す模式図である。図４では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
第２実施形態に係る処理液供給装置３Ｐが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、処理液供給装置３Ｐが、戻り配管分岐位置Ｂよりも下流側で、かつ、開閉バルブ３５よりも上流側で供給配管２１に介装された第２フィルタ６０と、分岐配管開閉バルブ３７よりも上流側で分岐供給配管２３〜２５に介装された分岐配管フィルタ６１とを含む点である。
第２フィルタ６０は、供給配管２１を流れる処理液中のパーティクルを除去するためのパーティクル除去フィルタである。第２フィルタ６０としては、常温よりも高温での使用に適したフィルタが用いられる。第２フィルタ６０は、たとえば、ＰＴＦＥ疎水膜をろ過膜として含む。ＰＴＦＥ疎水膜は、表面が親水化されていないＰＴＦＥ基材を有する膜である。第２フィルタ６０として用いるＰＴＦＥ疎水膜のポア径は、たとえば、１０ｎｍよりも大きい。
分岐配管フィルタ６１は、対応する分岐供給配管２３〜２５を流れる処理液中のパーティクルを除去するためのパーティクル除去フィルタである。分岐配管フィルタ６１としては、第２フィルタ６０と同様に、ＰＴＦＥ疎水膜をろ過膜として含むものが用いられる。分岐配管フィルタ６１に用いるＰＴＦＥ疎水膜のポア径は、たとえば、１０ｎｍよりも大きい。
加熱された処理液が戻り配管分岐位置Ｂに設けられたジョイント２６を通ることによって、ジョイント２６が加熱されて膨張し、これにより、パーティクルが発生することがある。
第２実施形態によれば、処理液供給装置３Ｐが第２フィルタ６０を含む。そのため、処理液が戻り配管分岐位置Ｂを通過する際にジョイント２６が膨張することによって処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第２フィルタ６０によって当該パーティクルを除去することができる。
第２実施形態によれば、処理液供給装置３Ｐが第２フィルタ６０を含む。そのため、処理液が戻り配管分岐位置Ｂを通過する際にジョイント２６が膨張することによって処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第２フィルタ６０によって当該パーティクルを除去することができる。
この発明の一実施形態では、第２フィルタ６０が、開閉バルブ３５よりも上流側で前記供給配管２１に介装されている。一般に、処理液がフィルタを通過することによって、処理液の流量が低下する。したがって、供給配管２１において開閉バルブ３５よりも上流側に第２フィルタ６０を位置させることによって、第２フィルタ６０が処理液ノズル１２から吐出される処理液の流量に与える影響を低減することができる。
また、第２実施形態によれば、分岐配管開閉バルブ３７よりも上流側で分岐供給配管２３〜２５に分岐配管フィルタ６１が介装されている。そのため、分岐配管フィルタ６１が処理液ノズル１２から吐出される処理液の流量に与える影響を低減することができる。
また、第２実施形態とは異なり、図４に二点鎖線で示すように、第２フィルタ６０は、開閉バルブ３５よりも下流側で供給配管２１に介装されていてもよい。開閉バルブ３５が開状態であるとき、処理液タンク２０内の処理液は、供給配管２１を介して処理ユニット６Ａへ供給される。第２フィルタ６０が供給配管２１において開閉バルブ３５よりも下流側に位置しているため、開閉バルブ３５を処理液が通過する際にパーティクルが発生しても、第２フィルタ６０によって、当該パーティクルが除去される。
また、第２実施形態とは異なり、図４に二点鎖線で示すように、第２フィルタ６０は、開閉バルブ３５よりも下流側で供給配管２１に介装されていてもよい。開閉バルブ３５が開状態であるとき、処理液タンク２０内の処理液は、供給配管２１を介して処理ユニット６Ａへ供給される。第２フィルタ６０が供給配管２１において開閉バルブ３５よりも下流側に位置しているため、開閉バルブ３５を処理液が通過する際にパーティクルが発生しても、第２フィルタ６０によって、当該パーティクルが除去される。
また、第２実施形態とは異なり、図４に二点鎖線で示すように、各分岐配管フィルタ６１は、対応する分岐配管開閉バルブ３７よりも下流側で分岐供給配管２３〜２５に介装されていてもよい。これにより、分岐配管開閉バルブ３７を処理液が通過する際にパーティクルが発生しても、分岐配管フィルタ６１によって、当該パーティクルが除去される。
さらに、第２フィルタ６０は、開閉バルブ３５よりも上流側と、開閉バルブ３５よりも下流側との両方の位置に設けられていてもよい。分岐配管フィルタ６１は、分岐配管開閉バルブ３７よりも上流側と分岐配管開閉バルブ３７よりも下流側の両方の位置に設けられていてもよい。
さらに、第２フィルタ６０は、開閉バルブ３５よりも上流側と、開閉バルブ３５よりも下流側との両方の位置に設けられていてもよい。分岐配管フィルタ６１は、分岐配管開閉バルブ３７よりも上流側と分岐配管開閉バルブ３７よりも下流側の両方の位置に設けられていてもよい。
図５は、この発明の第３実施形態に係る処理液供給装置３Ｑの構成を示す模式図である。図５では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
図５を参照して、第３実施形態に係る処理液供給装置３Ｑが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、処理液供給装置３Ｑが、上流側被加熱部分２１ａよりも下流側で、かつ、第３供給配管分岐位置Ｃ３よりも上流側（戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側でもある）で供給配管２１に介装された第３フィルタ６５を含む点である。
図５を参照して、第３実施形態に係る処理液供給装置３Ｑが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、処理液供給装置３Ｑが、上流側被加熱部分２１ａよりも下流側で、かつ、第３供給配管分岐位置Ｃ３よりも上流側（戻り配管分岐位置Ｂよりも上流側でもある）で供給配管２１に介装された第３フィルタ６５を含む点である。
第３フィルタ６５は、供給配管２１を流れる処理液中のパーティクルを除去するためのパーティクル除去フィルタである。第３フィルタ６５としては、常温よりも高温での使用に適したフィルタが用いられる。第３フィルタ６５は、たとえば、ＰＴＦＥ疎水膜をろ過膜として含む。第３フィルタ６５に用いるＰＴＦＥ疎水膜のポア径は、たとえば、１０ｎｍよりも大きい。
加熱された処理液が供給配管２１を通ることによって供給配管２１を構成する成分が処理液に溶出し、これによってパーティクルが発生することがある。
この発明の一実施形態では、処理液供給装置３Ｑが第３フィルタ６５を含む。そのため、上流側ヒータ３１によって加熱された処理液が供給配管２１を通過する際に処理液中にパーティクルが発生しても、第３フィルタ６５によって当該パーティクルを除去することができる。
この発明の一実施形態では、処理液供給装置３Ｑが第３フィルタ６５を含む。そのため、上流側ヒータ３１によって加熱された処理液が供給配管２１を通過する際に処理液中にパーティクルが発生しても、第３フィルタ６５によって当該パーティクルを除去することができる。
図６は、この発明の第４実施形態に係る処理液供給装置３Ｒの構成を示す模式図である。図６では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
図６を参照して、第４実施形態に係る処理液供給装置３Ｒが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、処理液供給装置３Ｒが、被冷却部分２２ａよりも上流側で戻り配管２２に介装された第４フィルタ７０をさらに含む点である。
図６を参照して、第４実施形態に係る処理液供給装置３Ｒが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、処理液供給装置３Ｒが、被冷却部分２２ａよりも上流側で戻り配管２２に介装された第４フィルタ７０をさらに含む点である。
第４フィルタ７０は、戻り配管２２を流れる処理液中のパーティクルを除去するためのパーティクル除去フィルタである。第４フィルタ７０としては、常温よりも高温での使用に適したフィルタが用いられる。第４フィルタ７０は、たとえば、ＰＴＦＥ疎水膜をろ過膜として含む。第４フィルタ７０に用いるＰＴＦＥ疎水膜のポア径は、たとえば、１０ｎｍよりも大きい。
加熱された処理液が戻り配管２２を通ることによって戻り配管２２を構成する成分が処理液に溶出し、これによってパーティクルが発生することがある。
この実施形態によれば、処理液供給装置３Ｒが第４フィルタ７０を含むため、上流側ヒータ３１によって加熱された処理液が戻り配管２２を通過する際に処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第４フィルタ７０によって当該パーティクルを除去することができる。また、第４フィルタ７０は、供給配管２１よりも下流側の戻り配管２２に介装されているため、供給配管２１に介装されたフィルタ（第１フィルタ３４）と比較して、処理液タンク２０の汚染を効果的に抑制することができる。
この実施形態によれば、処理液供給装置３Ｒが第４フィルタ７０を含むため、上流側ヒータ３１によって加熱された処理液が戻り配管２２を通過する際に処理液中にパーティクルが発生した場合であっても、第４フィルタ７０によって当該パーティクルを除去することができる。また、第４フィルタ７０は、供給配管２１よりも下流側の戻り配管２２に介装されているため、供給配管２１に介装されたフィルタ（第１フィルタ３４）と比較して、処理液タンク２０の汚染を効果的に抑制することができる。
図７は、この発明の第５実施形態に係る処理液供給装置３Ｓの構成を示す模式図である。図７では、今まで説明した部材と同じ部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
図７を参照して、第５実施形態に係る処理液供給装置３Ｓが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、処理液供給装置３Ｓが、被冷却部分２２ａよりも下流側で戻り配管２２に介装された第５フィルタ７５をさらに含む点である。
図７を参照して、第５実施形態に係る処理液供給装置３Ｓが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、処理液供給装置３Ｓが、被冷却部分２２ａよりも下流側で戻り配管２２に介装された第５フィルタ７５をさらに含む点である。
第５フィルタ７５は、戻り配管２２を流れる処理液中のパーティクルを除去するためのパーティクル除去フィルタである。第５フィルタ７５としては、常温（たとえば、５℃〜２５℃程度）での使用に適したフィルタが用いられる。第５フィルタ７５は、たとえば、ＰＴＦＥ親水膜をろ過膜として含む。第５フィルタ７５に用いるＰＴＦＥ親水膜のポア径は、たとえば、７ｎｍよりも小さい。
処理液供給装置３Ｓが第５フィルタ７５を含むため、処理液が戻り配管２２の被冷却部分２２ａを通過する際にパーティクルが発生した場合であっても、第５フィルタ７５によって処理液中のパーティクルが充分に除去される。また、第５フィルタ７５は、被冷却部分２２ａよりも下流側で戻り配管２２に介装されているため、処理液タンク２０の汚染を一層効果的に抑制することができる。
図８は、この発明の第６実施形態に係る処理液供給装置３Ｔの構成を示す模式図である。
図８を参照して、第６実施形態に係る処理液供給装置３Ｔが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、供給配管２１、戻り配管２２および複数の分岐供給配管２３〜２５のそれぞれが、二重配管構造を有している点である。
図８を参照して、第６実施形態に係る処理液供給装置３Ｔが第１実施形態に係る処理液供給装置３（図１参照）と異なる点は、供給配管２１、戻り配管２２および複数の分岐供給配管２３〜２５のそれぞれが、二重配管構造を有している点である。
詳しくは、処理液供給装置３Ｔは、第１筒状配管８５、第２筒状配管８６、第３筒状配管８７および複数の分岐筒状配管８８を含む。第１筒状配管８５は、供給配管２１の第１配管２１Ａに取り付けられている。第２筒状配管８６は、供給配管２１の第２配管２１Ｂの上流側配管２１Ｃに取り付けられている。第３筒状配管８７は、戻り配管２２に取り付けられている。分岐筒状配管８８は、各分岐供給配管２３〜２５の上流側配管２３Ａ〜２５Ｃに取り付けられている。
図９Ａは、第１筒状配管８５の周辺の断面図である。図９Ｂは、第２筒状配管８６の周辺の断面図である。図９Ｃは、第３筒状配管８７の周辺の断面図である。図９Ｄは、分岐筒状配管８８の周辺の断面図である。
図９Ａに示すように、第１筒状配管８５は、供給配管２１の第１配管２１Ａの外周面に対向する内周面を有する。処理液供給装置３Ｔは、供給配管２１の第１配管２１Ａの外周面と第１筒状配管８５の内周面との間に温水等の加熱流体を供給する第１加熱流体供給ユニット８９を含む。この実施形態では、供給配管２１の第１配管２１Ａにおいて第１筒状配管８５と対向する部分が上流側被加熱部分２１ａである。第１筒状配管８５および第１加熱流体供給ユニット８９は、第１加熱ユニットを構成している。
図９Ａに示すように、第１筒状配管８５は、供給配管２１の第１配管２１Ａの外周面に対向する内周面を有する。処理液供給装置３Ｔは、供給配管２１の第１配管２１Ａの外周面と第１筒状配管８５の内周面との間に温水等の加熱流体を供給する第１加熱流体供給ユニット８９を含む。この実施形態では、供給配管２１の第１配管２１Ａにおいて第１筒状配管８５と対向する部分が上流側被加熱部分２１ａである。第１筒状配管８５および第１加熱流体供給ユニット８９は、第１加熱ユニットを構成している。
第１加熱流体供給ユニット８９は、たとえば、加熱流体を貯留する加熱流体供給源１１０と、第１筒状配管８５に加熱流体を供給する加熱流体供給配管１１１と、第１筒状配管８５から加熱流体を回収する加熱流体回収配管１１２と、加熱流体供給配管１１１に介装されたポンプ１１３とを含む。ポンプ１１３は、制御ユニット５によって制御される（図３参照）。
図９Ｂに示すように、第２筒状配管８６は、供給配管２１の第２配管２１Ｂの上流側配管２１Ｃの外周面に対向する内周面を有する。処理液供給装置３は、供給配管２１の第２配管２１Ｂの外周面と第２筒状配管８６の内周面との間に加熱流体を供給する第２加熱流体供給ユニット９１を含む。この実施形態では、供給配管２１の第２配管２１Ｂにおいて第２筒状配管８６と対向する部分が下流側被加熱部分２１ｂである。第２筒状配管８６および第２加熱流体供給ユニット９１は、第２加熱ユニットを構成している。
第２加熱流体供給ユニット９１は、第１加熱流体供給ユニット８９と同様の構成を有している。すなわち、第２加熱流体供給ユニット９１は、加熱流体供給源１１０と、第２筒状配管８６に加熱流体を供給する加熱流体供給配管１１１と、第２筒状配管８６から加熱流体を回収する加熱流体回収配管１１２と、ポンプ１１３とを含む。
図９Ｃに示すように、第３筒状配管８７は、戻り配管２２の外周面に対向する内周面を有する。処理液供給装置３Ｔは、戻り配管２２の外周面と第３筒状配管８７との間に冷水等の冷却流体を供給する冷却流体供給ユニット９０を含む。この実施形態では、戻り配管２２において第３筒状配管８７と対向する部分が被冷却部分２２ａである。第３筒状配管８７および冷却流体供給ユニット９０は、冷却ユニットを構成している。
図９Ｃに示すように、第３筒状配管８７は、戻り配管２２の外周面に対向する内周面を有する。処理液供給装置３Ｔは、戻り配管２２の外周面と第３筒状配管８７との間に冷水等の冷却流体を供給する冷却流体供給ユニット９０を含む。この実施形態では、戻り配管２２において第３筒状配管８７と対向する部分が被冷却部分２２ａである。第３筒状配管８７および冷却流体供給ユニット９０は、冷却ユニットを構成している。
冷却流体供給ユニット９０は、たとえば、冷却流体を貯留する冷却流体供給源１１４と、第３筒状配管８７に冷却流体を供給する冷却流体供給配管１１５と、第３筒状配管８７から冷却流体を回収する加熱流体回収配管１１６と、冷却流体供給配管１１５に介装されたポンプ１１７とを含む。ポンプ１１７は、制御ユニット５によって制御される（図３参照）。
図９Ｄに示すように、分岐筒状配管８８は、対応する上流側配管２３Ａ〜２５Ａの外周面に対向する。処理液供給装置３Ｔは、分岐供給配管２３〜２５の上流側配管２３Ａ〜２５Ａの外周面と分岐筒状配管８８との間に加熱流体を供給する複数の分岐加熱流体供給ユニット９２とを含む。この実施形態では、分岐供給配管２３〜２５において分岐筒状配管８８と対向する部分が被加熱部分２３ａ〜２５ａである。
分岐加熱流体供給ユニット９２は、たとえば、第１加熱流体供給ユニット８９と同様の構成を有している。すなわち、分岐加熱流体供給ユニット９２は、加熱流体供給源１１０と、分岐筒状配管８８に加熱流体を供給する加熱流体供給配管１１１と、分岐筒状配管８８から加熱流体を回収する加熱流体回収配管１１２と、ポンプ１１３とを含む。
この実施形態によれば、供給配管２１の上流側被加熱部分２１ａの外周面と第１筒状配管８５の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、上流側被加熱部分２１ａが取り囲まれる。したがって、上流側被加熱部分２１ａを流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この実施形態によれば、供給配管２１の上流側被加熱部分２１ａの外周面と第１筒状配管８５の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、上流側被加熱部分２１ａが取り囲まれる。したがって、上流側被加熱部分２１ａを流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
また、供給配管２１の下流側被加熱部分２１ｂの外周面と第２筒状配管８６の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、下流側被加熱部分２１ｂが取り囲まれる。したがって、下流側被加熱部分２１ｂを流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
また、戻り配管２２の外周面と第２筒状配管８６の内周面との間に冷却流体が供給される。そのため、冷却流体によって、被冷却部分２２ａが取り囲まれる。したがって、被冷却部分２２ａを流れる処理液を満遍なく冷却することができる。
また、戻り配管２２の外周面と第２筒状配管８６の内周面との間に冷却流体が供給される。そのため、冷却流体によって、被冷却部分２２ａが取り囲まれる。したがって、被冷却部分２２ａを流れる処理液を満遍なく冷却することができる。
また、分岐供給配管２３〜２５の被加熱部分２３ａ〜２５ａの外周面と分岐筒状配管８８の内周面との間に加熱流体が供給される。そのため、加熱流体によって、被加熱部分２３ａ〜２５ａが取り囲まれる。したがって、分岐供給配管２３〜２５流れる処理液を満遍なく加熱することができる。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、上述の実施形態は組み合わせることができる。すなわち、第１フィルタ３４に加えて、第２フィルタ６０、第３フィルタ６５、第４フィルタ７０および第５フィルタ７５のうちの２つ以上が設けられた構成であってもよい。
また、上述の実施形態とは異なり、ヒータ３１，３２，３６や冷却器３３と、筒状配管８５〜８８とが併用されてもよい。
また、上述の実施形態とは異なり、ヒータ３１，３２，３６や冷却器３３と、筒状配管８５〜８８とが併用されてもよい。
また、上述の実施形態とは異なり、第２スピードコントローラ５７の代わりに、エアの圧力を調整する電空レギュレータが設けられていてもよい。
また、上述の実施形態とは異なり、第２スピードコントローラ５７が設けられていない構成であってもよい。この場合、作動エア供給バルブユニット５３が、接触面４３ａが座面４５ａに接触した後に第２空間４４Ｂの空気圧がピストン４６Ｃに作用する（第２空間４４Ｂの空気圧が最大になる）ように、第２空間４４Ｂに供給されるエアの流量Ｆを制御すればよい。これにより、第２空間４４Ｂの空気圧が最大になるタイミングを、接触面４３ａが座面４５ａに接触するタイミングよりも遅くすることができる。これにより、接触面４３ａが座面４５ａに接触する際の衝撃を低減することができる。
また、上述の実施形態とは異なり、第２スピードコントローラ５７が設けられていない構成であってもよい。この場合、作動エア供給バルブユニット５３が、接触面４３ａが座面４５ａに接触した後に第２空間４４Ｂの空気圧がピストン４６Ｃに作用する（第２空間４４Ｂの空気圧が最大になる）ように、第２空間４４Ｂに供給されるエアの流量Ｆを制御すればよい。これにより、第２空間４４Ｂの空気圧が最大になるタイミングを、接触面４３ａが座面４５ａに接触するタイミングよりも遅くすることができる。これにより、接触面４３ａが座面４５ａに接触する際の衝撃を低減することができる。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
１ ：基板処理装置
３ ：処理液供給装置
３Ｐ ：処理液供給装置
３Ｑ ：処理液供給装置
３Ｒ ：処理液供給装置
３Ｓ ：処理液供給装置
３Ｔ ：処理液供給装置
６Ａ ：処理ユニット
６Ｂ ：処理ユニット（別の処理ユニット）
６Ｃ ：処理ユニット（別の処理ユニット）
６Ｄ ：処理ユニット（別の処理ユニット）
２０ ：処理液タンク
２１ ：供給配管
２１ａ ：上流側被加熱部分
２１ｂ ：下流側被加熱部分
２２ ：戻り配管
２２ａ ：被冷却部分
３１ ：上流側ヒータ（第１加熱ユニット）
３２ ：下流側ヒータ（第２加熱ユニット）
３３ ：冷却器（冷却ユニット）
３４ ：第１フィルタ
３５ ：開閉バルブ
３６ ：分岐配管ヒータ（分岐加熱ユニット）
６０ ：第２フィルタ
６５ ：第３フィルタ
７０ ：第４フィルタ
７５ ：第５フィルタ
８５ ：第１筒状配管（第１加熱ユニット）
８６ ：第２筒状配管（第２加熱ユニット）
８７ ：第３筒状配管（冷却ユニット）
８９ ：第１加熱流体供給ユニット（第１加熱ユニット）
９０ ：冷却流体供給ユニット（冷却ユニット）
９１ ：第２加熱流体供給ユニット（第２加熱ユニット）
Ｂ ：戻り配管分岐位置（分岐位置）
３ ：処理液供給装置
３Ｐ ：処理液供給装置
３Ｑ ：処理液供給装置
３Ｒ ：処理液供給装置
３Ｓ ：処理液供給装置
３Ｔ ：処理液供給装置
６Ａ ：処理ユニット
６Ｂ ：処理ユニット（別の処理ユニット）
６Ｃ ：処理ユニット（別の処理ユニット）
６Ｄ ：処理ユニット（別の処理ユニット）
２０ ：処理液タンク
２１ ：供給配管
２１ａ ：上流側被加熱部分
２１ｂ ：下流側被加熱部分
２２ ：戻り配管
２２ａ ：被冷却部分
３１ ：上流側ヒータ（第１加熱ユニット）
３２ ：下流側ヒータ（第２加熱ユニット）
３３ ：冷却器（冷却ユニット）
３４ ：第１フィルタ
３５ ：開閉バルブ
３６ ：分岐配管ヒータ（分岐加熱ユニット）
６０ ：第２フィルタ
６５ ：第３フィルタ
７０ ：第４フィルタ
７５ ：第５フィルタ
８５ ：第１筒状配管（第１加熱ユニット）
８６ ：第２筒状配管（第２加熱ユニット）
８７ ：第３筒状配管（冷却ユニット）
８９ ：第１加熱流体供給ユニット（第１加熱ユニット）
９０ ：冷却流体供給ユニット（冷却ユニット）
９１ ：第２加熱流体供給ユニット（第２加熱ユニット）
Ｂ ：戻り配管分岐位置（分岐位置）
Claims (16)
- 基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する処理液タンク内の処理液が送られ、前記処理液タンクから送られた処理液を前記処理ユニットに供給する供給配管と、
前記供給配管に分岐接続され、前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻す戻り配管と、
前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第１加熱ユニットと、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第２加熱ユニットと、
前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却ユニットであって、前記第１加熱ユニットで加熱されて前記戻り配管に送られた処理液が前記戻り配管を介して前記処理液タンクに戻る前に当該処理液を冷却する冷却ユニットと、
前記上流側被加熱部分よりも上流側で前記供給配管に介装され、前記処理液タンクから送られた処理液中のパーティクルを除去する第１フィルタとを含む、処理液供給装置。 - 前記分岐位置よりも下流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第２フィルタをさらに含む、請求項１に記載の処理液供給装置。
- 前記分岐位置よりも下流側において前記供給配管に介装された開閉バルブをさらに含み、
前記第２フィルタが、前記開閉バルブよりも上流側で前記供給配管に介装されている、請求項２に記載の処理液供給装置。 - 前記分岐位置よりも下流側において前記供給配管に介装された開閉バルブをさらに含み、
前記第２フィルタが、前記開閉バルブよりも下流側で前記供給配管に介装されている、請求項２に記載の処理液供給装置。 - 前記上流側被加熱部分よりも下流側で、かつ、前記分岐位置よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第３フィルタをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記被冷却部分よりも上流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第４フィルタをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記被冷却部分よりも下流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第５フィルタをさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記第１加熱ユニットが、前記上流側被加熱部分の外周面に対向する内周面を有する第１筒状配管と、前記上流側被加熱部分の外周面と前記第１筒状配管の内周面との間に加熱流体を供給する第１加熱流体供給ユニットとを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記第２加熱ユニットが、前記下流側被加熱部分の外周面に対向する内周面を有する第２筒状配管と、前記下流側被加熱部分の外周面と前記第２筒状配管の内周面との間に加熱流体を供給する第２加熱流体供給ユニットとを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記第１加熱ユニットが、前記供給配管の前記上流側被加熱部分に配置された第１ヒータを含み、
前記第２加熱ユニットが、前記供給配管の前記下流側被加熱部分に配置された第２ヒータを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 前記冷却ユニットが、前記戻り配管の前記被冷却部分の外周面に対向する内周面を有する第３筒状配管と、前記被冷却部分の外周面と前記第３筒状配管の内周面との間に冷却流体を供給する冷却流体供給ユニットとを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
- 前記分岐位置よりも上流側において前記供給配管に分岐接続され、前記処理ユニットとは別の処理ユニットに処理液を供給する分岐供給配管と、
前記分岐供給配管に設定された被加熱部分を加熱する分岐加熱ユニットとをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の処理液供給装置。 - 基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する処理液タンク内の処理液が送られ、前記処理液タンクから送られた処理液を前記処理ユニットに供給する供給配管と、
前記供給配管に分岐接続され、前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻す戻り配管と、
前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第１加熱ユニットと、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第２加熱ユニットと、
前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却ユニットと、
前記上流側被加熱部分よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第１フィルタと、
前記被冷却部分よりも上流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第４フィルタとを含む、処理液供給装置。 - 基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置であって、
処理液を貯留する処理液タンク内の処理液が送られ、前記処理液タンクから送られた処理液を前記処理ユニットに供給する供給配管と、
前記供給配管に分岐接続され、前記供給配管内の処理液を前記処理液タンクに戻す戻り配管と、
前記供給配管において前記戻り配管が接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第１加熱ユニットと、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第２加熱ユニットと、
前記戻り配管に設定された被冷却部分内の処理液を冷却する冷却ユニットと、
前記上流側被加熱部分よりも上流側で前記供給配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第１フィルタと、
前記被冷却部分よりも下流側で前記戻り配管に介装され、処理液中のパーティクルを除去する第５フィルタとを含む、処理液供給装置。 - 請求項１〜１４のいずれか一項に記載の処理液供給装置と、前記処理ユニットとを含む、基板処理装置。
- 処理液を貯留する処理液タンク内の処理液を処理ユニットに供給する供給配管において、戻り配管が分岐接続されている分岐位置よりも上流側に設定された上流側被加熱部分内の処理液を加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程で加熱され前記戻り配管に送られた処理液を、前記戻り配管に設定された被冷却部分内で冷却する冷却工程と、
前記冷却工程で冷却された処理液を前記戻り配管を介して前記処理液タンクに戻すことにより、前記処理液タンク内の処理液を、前記供給配管および前記戻り配管を通して循環させる循環工程と、
前記上流側被加熱部分よりも上流側において前記供給配管に介装されたフィルタによって、前記処理液タンクから送られた処理液中のパーティクルを除去する除去工程と、
前記供給配管において前記分岐位置よりも下流側に設定された下流側被加熱部分内の処理液を加熱する第２加熱工程と、
前記処理液タンクから前記供給配管に送られた処理液を、前記第１加熱工程および前記第２加熱工程において加熱した後、前記供給配管から前記処理ユニットに供給する供給工程とを含む、処理液供給方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017207343A JP6979852B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
| US16/168,949 US11094564B2 (en) | 2017-10-26 | 2018-10-24 | Processing liquid supplying apparatus, substrate processing apparatus and processing liquid supplying method |
| CN201811250812.6A CN109712910B (zh) | 2017-10-26 | 2018-10-25 | 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 |
| KR1020180128261A KR102174535B1 (ko) | 2017-10-26 | 2018-10-25 | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 |
| TW109102602A TWI714447B (zh) | 2017-10-26 | 2018-10-26 | 處理液供給裝置、基板處理裝置、及處理液供給方法 |
| TW107137881A TWI686847B (zh) | 2017-10-26 | 2018-10-26 | 處理液供給裝置、基板處理裝置、及處理液供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017207343A JP6979852B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019079995A JP2019079995A (ja) | 2019-05-23 |
| JP6979852B2 true JP6979852B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=66244185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017207343A Active JP6979852B2 (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11094564B2 (ja) |
| JP (1) | JP6979852B2 (ja) |
| KR (1) | KR102174535B1 (ja) |
| CN (1) | CN109712910B (ja) |
| TW (2) | TWI714447B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6900274B2 (ja) * | 2017-08-16 | 2021-07-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法 |
| JP7292107B2 (ja) | 2019-05-27 | 2023-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR102288985B1 (ko) | 2019-06-27 | 2021-08-13 | 세메스 주식회사 | 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP7297591B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
| CN110614248A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-27 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种高精度恒温储液装置及具有其的oled平板清洗机 |
| JP7455612B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 温調媒体処理装置及び温調媒体処理方法 |
| KR102622445B1 (ko) | 2020-04-24 | 2024-01-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 액 공급 방법 |
| TWI790493B (zh) * | 2020-10-23 | 2023-01-21 | 辛耘企業股份有限公司 | 半導體製程廢處理液的排放暫存裝置 |
| CN112786499B (zh) * | 2021-03-11 | 2021-12-17 | 长江存储科技有限责任公司 | 供液装置 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138427A (ja) | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Isao Tsukamoto | 耐変色性銅合金 |
| JPH02138427U (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-19 | ||
| CA2120537A1 (en) * | 1993-04-12 | 1994-10-13 | Thomas B. Stanford, Jr. | Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases |
| JP3585199B2 (ja) | 1997-03-31 | 2004-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2001332595A (ja) | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Sony Corp | 焦点合わせ制御機構及びこれを用いた検査装置 |
| US6878216B2 (en) * | 2001-09-03 | 2005-04-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
| JP3684356B2 (ja) | 2002-03-05 | 2005-08-17 | 株式会社カイジョー | 洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法 |
| JP2003297788A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| TWI334624B (en) | 2006-01-30 | 2010-12-11 | Dainippon Screen Mfg | Apparatus for and method for processing substrate |
| JP5753352B2 (ja) | 2010-07-20 | 2015-07-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | ダイヤフラムバルブおよびこれを備えた基板処理装置 |
| JP2012074601A (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2012153936A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
| US9605895B2 (en) | 2011-05-18 | 2017-03-28 | Organo Corporation | Method and apparatus for producing high-purity liquefied carbon dioxide |
| CN102509714B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-08-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 快速控制静电吸盘温度的装置及方法 |
| JP6300139B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2018-03-28 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理システム |
| JP5787098B2 (ja) * | 2012-08-22 | 2015-09-30 | 栗田工業株式会社 | 半導体基板の洗浄方法および洗浄システム |
| JP6118577B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2017-04-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP5893592B2 (ja) | 2013-08-23 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| KR101671118B1 (ko) | 2014-07-29 | 2016-10-31 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP6359925B2 (ja) | 2014-09-18 | 2018-07-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6425517B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
| JP6461641B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-01-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| CN109037111B (zh) * | 2015-02-25 | 2022-03-22 | 株式会社思可林集团 | 基板处理装置 |
| JP6361071B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2018-07-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6468916B2 (ja) | 2015-03-31 | 2019-02-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10121685B2 (en) | 2015-03-31 | 2018-11-06 | Tokyo Electron Limited | Treatment solution supply method, non-transitory computer-readable storage medium, and treatment solution supply apparatus |
| JP6425669B2 (ja) | 2015-03-31 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置 |
| JP6420707B2 (ja) | 2015-04-07 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6929652B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2021-09-01 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および間隙洗浄方法 |
-
2017
- 2017-10-26 JP JP2017207343A patent/JP6979852B2/ja active Active
-
2018
- 2018-10-24 US US16/168,949 patent/US11094564B2/en active Active
- 2018-10-25 CN CN201811250812.6A patent/CN109712910B/zh active Active
- 2018-10-25 KR KR1020180128261A patent/KR102174535B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-26 TW TW109102602A patent/TWI714447B/zh active
- 2018-10-26 TW TW107137881A patent/TWI686847B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109712910B (zh) | 2023-07-14 |
| US20190131144A1 (en) | 2019-05-02 |
| KR102174535B1 (ko) | 2020-11-05 |
| TWI714447B (zh) | 2020-12-21 |
| TWI686847B (zh) | 2020-03-01 |
| TW201923833A (zh) | 2019-06-16 |
| US11094564B2 (en) | 2021-08-17 |
| KR20190046691A (ko) | 2019-05-07 |
| CN109712910A (zh) | 2019-05-03 |
| TW202018845A (zh) | 2020-05-16 |
| JP2019079995A (ja) | 2019-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6979852B2 (ja) | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 | |
| JP6881922B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP6586697B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP6811619B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| TWI660790B (zh) | 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 | |
| US11344931B2 (en) | Method of removing particles of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus | |
| JP2010129809A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR102134949B1 (ko) | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 | |
| JP6462462B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20080163900A1 (en) | Ipa delivery system for drying | |
| JP2009239026A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| WO2022180928A1 (ja) | 処理液循環方法、及び、基板処理方法 | |
| JP2012178512A (ja) | 基板処理装置 | |
| WO2024142527A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR102001735B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| WO2022215497A1 (ja) | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 | |
| KR20230133231A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 | |
| JP2007266554A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP4054284B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2021073736A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2024094168A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2024044497A (ja) | 基板処理装置およびパーティクル除去方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190204 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200622 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210422 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210526 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211021 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6979852 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |