JP6420707B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、上記のように構成された基板処理システム1において、処理ユニット16で実行される所定の基板処理の内容について図5を参照して説明する。具体的に処理ユニット16においては、基板洗浄処理が行われる。
上記した基板処理システム1において、加熱部80および冷却部81が設けられる場所は、図4に示すものに限定されるものではない。ここで、実施形態に係る基板処理システム1において、加熱部80および冷却部81が設けられる場所の変形例について、図6〜図9を参照して説明する。
第2変形例では、図7に示すように、冷却部81が、各処理ユニット16内の配管42eに設けられるようにした。このように、各処理ユニット16内で撥水化剤を第2所定温度に冷却することで、複数の処理ユニット16間で撥水化剤の温度にバラツキが生じることを抑制することができる。
第3変形例では、図8に示すように、加熱部80が貯留部43に設けられるとともに、冷却部81が下流配管42d2であってポンプ44よりも上流側に設けられるようにした。このように、加熱部80が配管42dの途中の貯留部43に設けられるため、撥水化剤を第1所定温度まで確実に加熱してから、ウェハWへ供給することが可能となる。
第4変形例では、図9に示すように、加熱部80が下流配管42d2であってポンプ44よりも上流側に設けられるとともに、冷却部81が各処理ユニット16内の配管42eに設けられるようにした。
4 制御装置
16 処理ユニット
18 制御部
19 記憶部
40 処理流体供給部
41 ノズル
42 配管
43 貯留部
70 処理流体供給源
70a 薬液供給源
70b IPA供給源
70c リンス液供給源
70d 撥水化剤供給源
80 加熱部
81 冷却部
W ウェハ
Claims (11)
- 予め設定された第1所定温度まで加熱された後、前記第1所定温度より低い第2所定温度になった撥水化剤を基板へ供給する撥水化工程と、
前記撥水化工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、
前記リンス工程後の前記基板の前記リンス液を除去する乾燥工程と、
前記撥水化工程前に、前記第1所定温度まで加熱された前記撥水化剤を前記第2所定温度になるまで冷却する冷却工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記撥水化工程前に、前記撥水化剤を前記第1所定温度まで加熱する加熱工程
を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記第2所定温度は常温であること
を特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 撥水化剤を基板へ供給する撥水化剤供給部と、
リンス液を前記基板へ供給するリンス供給部と、
前記撥水化剤供給部から、予め設定された第1所定温度まで加熱された後、前記第1所定温度より低い第2所定温度になった前記撥水化剤を前記基板へ供給する撥水化処理と、前記撥水化処理後の前記基板に対し、前記リンス供給部から前記リンス液を供給するリンス処理と、前記リンス処理後の前記基板の前記リンス液を乾燥させる乾燥処理とを行う制御部と、
前記撥水化剤供給部に接続され、前記撥水化剤を前記撥水化剤供給部へ供給する配管と、
前記配管に設けられて前記撥水化剤を冷却する冷却部と
を備え、
前記制御部は、
前記第1所定温度まで加熱された前記撥水化剤を、前記冷却部で前記第2所定温度になるまで冷却すること
を特徴とする基板処理装置。 - 前記撥水化剤供給部が収容され、前記撥水化処理が行われる処理部
を備え、
前記冷却部は、
前記処理部内の前記配管に設けられること
を特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記撥水化剤供給部が収容され、前記撥水化処理が行われる処理部
を備え、
前記冷却部は、
撥水化剤供給源と前記処理部との間の前記配管に設けられること
を特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記撥水化剤供給源と前記処理部との間の前記配管に設けられ、前記撥水化剤供給源から供給された前記撥水化剤を貯留する貯留部
を備え、
前記冷却部は、
前記貯留部に設けられること
を特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記撥水化剤供給部に接続され、前記撥水化剤を前記撥水化剤供給部へ供給する配管と、
前記配管に設けられて前記撥水化剤を加熱する加熱部
を備え、
前記制御部は、
前記加熱部で前記撥水化剤を前記第1所定温度まで加熱すること
を特徴とする請求項4〜7のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記撥水化剤供給部が収容され、前記撥水化処理が行われる処理部
を備え、
前記加熱部は、
撥水化剤供給源と前記処理部との間の前記配管に設けられること
を特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記撥水化剤供給源と前記処理部との間の前記配管に設けられ、前記撥水化剤供給源から供給された前記撥水化剤を貯留する貯留部
を備え、
前記加熱部は、
前記貯留部に設けられること
を特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記第2所定温度は常温であること
を特徴とする請求項4〜10のいずれか一つに記載の基板処理装置。
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