JP7060415B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、液晶表示装置などのＦＰＤ(Flat Panel Display)用ガラス基板等の基板に対して現像処理した後、水洗処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。

例えば、特許文献１には現像処理槽内において複数の搬送ローラによって水平に支持されつつ水平方向に搬送される基板の上面に現像液を供給する基板処理装置が記載されている。現像液が基板の上面に液盛りされることにより、所謂、パドル現像処理が実施される。現像液を液盛りするためのノズルとして例えば、特許文献２に記載されるノズルが用いられる。

上記基板処理装置では、複数の搬送ローラにより基板が現像処理槽から水洗槽に搬入される。この水洗槽では水洗水が搬送される基板に供給されて基板上に残存する現像液が洗い流される。また、現像処理槽では、基板に供給されて基板から流下した現像液が回収される。この回収された現像液はノズルに循環供給されて再利用される。

特開２００５－６４３１２号公報（例えば図１） 特開２００２－３２４７５１号公報（例えば図４）

現像処理槽から水洗槽に基板が移行する際に、基板の上面を伝って水洗水が現像処理槽に逆流する場合がある。この逆流した水洗水は現像液に混入する。この結果、回収されてノズルに循環供給される現像液の濃度が水洗水により薄まる。このように濃度が薄まった現像液を基板に供給すると、現像能力が低下するという問題が発生する。処理液が現像液である場合について説明したが、上記問題は処理液がエッチングや剥離液などの他の処理液を用いる場合も同様に発生し得る。

本発明の目的は、上述のような点に鑑み、基板に循環供給される処理液の濃度低下を抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。

請求項１に係る第１発明（基板処理装置）は、基板を水平に支持しつつ水平方向に搬送する搬送部と、搬送部により搬送される基板に第１処理液を供給する第１供給部と、第１供給部により供給されて基板から流下する第１処理液を回収する第１回収部と、第１回収部により回収された第１処理液を第１供給部に循環供給する循環供給部と、第１供給部により第１処理液が供給され搬送部により搬送される基板に付着した第１処理液を除去する除去部と、除去部よりも搬送部における搬送方向の下流側において、第１処理液とは異なる種類の第２処理液を供給する第２供給部と、第２供給部により供給されて基板から流下した第２処理液を回収する第２回収部と、第１回収部から循環供給部における第１処理液の濃度を測定する第１濃度測定部と、第１濃度測定部による測定結果に応じて、第１回収部による前記搬送方向における回収範囲を変更する回収範囲変更部と、を備える。

請求項２に係る第２発明は、第１発明において、搬送部により搬送されつつ第１供給部により第１処理液が供給される第１処理室を形成する第１処理槽と、搬送部により搬送されつつ第２供給部により第２処理液が供給される第２処理室を形成する第２処理槽と、をさらに備え、第１回収部は第１処理槽の第１底面を含むとともに、第２回収部は第２処理槽の第１底面を含み、前記回収範囲変更部は、第１底面と第２底面とを仕切る仕切り部材と、第１濃度測定部による測定結果に応じて仕切り部材を搬送方向に沿って移動させる仕切り部材移動機構とを有する。

請求項３に係る第３発明は、第２発明において、仕切り部材移動機構による仕切り部材の移動範囲が除去部の配置位置から第２供給部の配置位置までの範囲内である。

請求項４に係る第４発明は、第１発明において、搬送部により搬送されつつ第１供給部により第１処理液が供給される第１処理室を形成する第１処理槽と、搬送部により搬送されつつ第２供給部により第２処理液が供給される第２処理室を形成する第２処理槽と、をさらに備え、第１回収部は第１処理槽の第１底面を含むとともに、第２回収部は第２処理槽の第１底面を含み、前記回収範囲変更部は、第１底面と第２底面とを仕切るとともに搬送方向に沿って設けられた複数の仕切り部材と、搬送方向下流側に配置された仕切り部材の上流側と循環供給部とを流路接続する予備回収配管と、第１濃度測定部による測定結果に応じて予備回収配管の流路を開閉するバルブとを有する。

請求項５に係る第５発明は、第４発明において、複数の仕切り部材の内、最も上流側に配置される仕切り部材から最も下流側に配置される仕切り部材までの範囲が、除去部の配置位置から第２供給部の配置位置までの範囲内である。

請求項６に係る第６発明（基板処理方法）は、水平に支持されつつ水平方向に搬送される基板に第１供給部から第１処理液を供給する第１供給工程と、第１供給工程により供給されて基板から流下する第１処理液を回収する第１回収工程と、第１回収工程により回収された第１処理液を第１供給部に循環供給する循環供給工程と、第１供給工程後に、水平に支持されつつ水平方向に搬送される基板に付着した第１処理液を除去する除去工程と、除去工程後に、水平に支持されつつ水平方向に搬送される基板に、第１処理液とは異なる種類の第２処理液を供給する第２供給工程と、第２供給工程により供給されて基板から流下した第２処理液を回収する第２回収工程と、第１回収工程から循環供給工程における第１処理液の濃度を測定する第１濃度測定工程と、第１濃度測定工程による測定結果に応じて、第１回収部による前記搬送方向における回収範囲を変更する回収範囲変更工程と、を含む。

請求項１から請求項６のいずれかに係る発明によれば、基板に循環供給される処理液の濃度低下を抑制することができる。

本発明の第１実施形態である基板処理装置を示す概略側面図である。 仕切り部材移動機構の動作を説明するための概略平面図である。 第１実施形態の電気的な接続関係を示すブロック図である。 第１実施形態の動作を示すフロー図である。 第２実施形態である基板処理装置を示す概略側面図である。 第２実施形態の電気的な接続関係を示すブロック図である。 第２実施形態の動作を示すフロー図である。 第２実施形態の変形例を示す概略側面図である。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態である基板処理装置１００を示す概略側面図である。この基板処理装置１００は、搬送部６により水平姿勢に支持されつつその表面に沿ったＹ方向（水平方向）に搬送される基板Ｓに対して、現像部２、水洗部３および液切り部４により、それぞれ処理を施す装置である。また、基板処理装置１００は装置を統括的に制御するための制御部５を備える。

基板Ｓは、例えば、平面視で矩形状の液晶表示装置用ガラス基板である。また、基板Ｓは有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、太陽電池用パネル基板、ＰＤＰ用ガラス基板または半導体製造装置用マスク基板等であっても良い。

搬送部６は互いに平行にＹ方向に沿って配列された複数の搬送ローラ６１を備える。複数の搬送ローラ６１は、現像部２の現像槽２１、水洗部３の水洗槽３１および液切り部４の液切り槽４１内にそれぞれ配設されている。また、図示を省略しているが、現像槽２１の搬送方向における上流側（－Ｙ側）および液切り槽４１の下流側（＋Ｙ側）にも複数の搬送ローラ６１がそれぞれ設けられている。複数の搬送ローラ６１は図示しない駆動部によりその軸心周りにそれぞれ回転駆動される。

現像部２は基板Ｓに対して現像処理を施す。より具体的には、現像部２は基板Ｓの上面に形成されて、所定パターンが露光されたフォトレジスト膜に対し現像処理を施す。現像部２はその内部に現像処理空間（第１処理室Ｒ１）を形成するための略箱状の現像槽２１（第１処理槽）を備える。現像槽２１の基板Ｓの搬送方向上流側（－Ｙ側）には、基板Ｓを現像槽２１内に搬入するための搬入口ＦＯが設けられている。また、現像槽２１の基板Ｓの搬送方向下流側（＋Ｙ側）の下流側壁は、基板Ｓを現像槽２１内から搬出可能なように部分的に開放されている。

現像槽２１内の搬送ローラ６１の上側（＋Ｚ側）であり、かつ、搬入口ＦＯに近い位置に第１供給部である現像ノズル２２が配置されている。現像ノズル２２は、図示において斜め右下方に向けて現像液を吐出するためのＸ方向に延びるスリット状の吐出口を有する。この吐出口は基板Ｓの幅寸法（Ｘ方向寸法）に対応する長さを有する。

搬送部６によって下流側（＋Ｙ側）に向けて搬送される基板Ｓの上面に向けて現像ノズル２２から現像液を吐出することにより、前記上面に現像液が液盛り状態（パドル状態）で供給される（第１供給工程）。この現像液の供給動作等に関しては、上記特許文献２（特開２００２－３２４７５１号公報）に記載されている。

現像部２は現像ノズル２２に対して現像液を循環供給する循環供給部９０を備える。循環供給部９０は、一方端が現像槽２１の底面２Ｂに開口する排液配管２３を有する。排液配管２３の他方端は循環タンク２４に流路接続されている。循環タンク２４は現像液ＤＬを一旦、貯留するタンクである。戻り配管２５は循環タンク２４と現像ノズル２２とを流路接続する。戻り配管２５にはポンプ２６が介挿されている。

基板Ｓの上面から現像槽２１の底面２Ｂに流下した現像液ＤＬは排液配管２３を介して循環タンク２４に回収される（第１回収工程）。循環タンク２４内の現像液ＤＬはポンプ２６が駆動されることにより、現像ノズル２２に送液されて、吐出口から吐出される（循環供給工程）。このように現像ノズル２２から基板Ｓ等に供給された現像液は循環供給部９０を介して再び現像ノズル２２から吐出される。

供給配管９３は現像液供給源ＤＧと循環タンク２４とを流路接続する。供給配管９３には流路を開閉するバルブ９４が設けられる。バルブ９４が開成されると現像液供給源ＤＧから現像液の新液が循環タンク２４に補充される。この補充動作は現像液の濃度が、所望の現像処理が施せない程度に低下した場合や現像液を全て新液に入れ替える場合などに実行される。

現像槽２１内の搬送ローラ６１の上側（＋Ｚ側）であり、かつ、下流側壁に近い位置に除去部であるエアナイフ２７が配置されている。エアナイフ２７は、図示において真下に向けて層状のエア（気体）を吐出するためのＸ方向に延びるスリット状の吐出口を有する。この吐出口は基板Ｓの幅寸法（Ｘ方向寸法）に対応する長さを有する。エアナイフ２７は供給配管２８を介して気体供給源ＧＧに流路接続されている。供給配管２８には流路を開閉するためのバルブ２９が介挿されている。

上面に現像液ＤＬが液盛りされて、搬送部６によって下流側（＋Ｙ側）に向けて搬送される基板Ｓがエアナイフ２７の下方を通過すると、基板Ｓに液盛りされて基板Ｓの上面に付着している現像液ＤＬが基板Ｓから除去される（除去工程）。具体的には、エアナイフ２７から吐出されたエアの層流は基板Ｓの上面に当たる。この状態で基板Ｓが下流側に搬送されていくと、基板Ｓ上の現像液ＤＬは基板Ｓとともに下流側に移動されることをエア層流により阻まれる。この結果、基板Ｓの搬送に連れて基板Ｓ上の現像液ＤＬが基板Ｓの両側方側や上流側から流下し、基板Ｓ上から除去される。

現像槽２１の底面２Ｂ上に第１濃度計Ｍ１が配置される。第１濃度計Ｍ１は現像液の濃度を測定する、例えば、導電率計である。第１濃度計Ｍ１は、現像液の濃度が高いと高い導電率を示し、現像液の濃度が低いと低い導電率を示す。第１濃度計Ｍ１は、後述する水洗水（純水）が現像液に混入する可能性がある水洗部３側である現像槽２１内の下流側に配置することが好ましい。循環タンク２４の内部にも第２濃度計Ｍ２が配置される。この第２濃度計Ｍ２は循環タンク２４に貯留された現像液ＤＬの濃度を測定する例えば導電率計である。

水洗部３は基板Ｓに対して水洗処理を施す。水洗部３はその内部に水洗処理空間（第２処理室Ｒ２）を形成するための略箱状の水洗槽３１（第２処理槽）を備える。水洗槽３１の基板Ｓの搬送方向上流側（－Ｙ側）の上流壁は、基板Ｓを水洗槽３１内に搬入可能なように部分的に開放されている。また、水洗槽３１の基板Ｓの搬送方向下流側（＋Ｙ側）には、基板Ｓを水洗槽３１内から搬出するための搬出口ＰＯが設けられている。

水洗槽３１内の搬送ローラ６１の上側（＋Ｚ側）であり、かつ、上流側の位置にリキッドナイフ３２が配置される。リキッドナイフ３２は、図示において斜め右下方に向けて現像液とは異なる処理液である水洗水として純水を層状に吐出する。また、リキッドナイフ３２は、純水を層状に吐出するためのＸ方向に延びるスリット状の吐出口を有する。この吐出口は基板Ｓの幅寸法（Ｘ方向寸法）に対応する長さを有する。リキッドナイフ３２から基板Ｓの上面に吐出された純水は、この吐出位置よりも下流側の基板Ｓの上面に純水の液膜を形成しつつ、基板Ｓの両側方側または下流端側から流下する（第２供給工程）。リキッドナイフ３２による純水の吐出方向が下流側を向いているのは、基板Ｓ上の純水ＣＬが基板Ｓの上面を伝って上流側に逆流することを抑制するためである。

リキッドナイフ３２の下流側には、Ｙ方向に沿って複数のスプレイノズル３４が配列されている。スプレイノズル３４には図示しない複数の吐出口が基板Ｓの搬送方向であるＹ方向と直交する基板Ｓの幅方向であるＸ方向に沿って複数、設けられている。スプレイノズル３４は複数の吐出口から複数の搬送ローラ６１により搬送される基板Ｓの上面（表面）に向けて純水等の水洗液をスプレイ状に吐出する。また、基板Ｓの下面（裏面）を水洗するために、水洗槽２１内の搬送ローラ６１の下側（－Ｚ側）に、Ｙ方向に沿って複数のスプレイノズルを配列させてもよい。

供給配管３６の一方端は純水供給源ＣＧに流路接続されている。供給配管３６にはバルブ３７が介挿され、この介挿位置の下流側において供給配管３６は複数の配管に分岐している。この複数の分岐配管の他方端はリキッドナイフ３２、複数のスプレイノズル３４にそれぞれ流路接続されている。バルブ３７が開成されると純水供給源ＣＧから供給配管３６を介してリキッドナイフ３２および複数のスプレイノズル３４から純水が吐出される。

廃液配管３３の一方端は水洗槽３１の底面３Ｂに開口し、他方端は廃液部ＤＲに流路接続されている。リキッドナイフ３２および複数のスプレイノズル３４から吐出され基板Ｓに供給されて基板Ｓから流下し底面３Ｂに達した純水や基板Ｓを介さずに底面３Ｂに達した純水は廃液配管３３を介して廃液部ＤＲに向けて廃液される（第２回収工程）。

水洗槽３１の底面３Ｂ上には第３濃度計Ｍ３が配置される。第３濃度計Ｍ３は底面３上にある純水ＣＬ中に混入された現像液の濃度を測定する例えば導電率計である。第３濃度計Ｍ３の配置位置は純水ＣＬに現像液が混入する可能性がある現像部２側である水洗槽３１内の上流側に配置することが好ましい。

仕切り板１１（仕切り部材）は例えば図１において実線で示されるように水洗槽３１の底面３Ｂ上に立設された板状の部材である。仕切り板１１は実線で示される下流側の位置と一点鎖線で示される上流側の位置との間を含む範囲内で移動自在に配置される。仕切り板１１は現像槽２１の底面２Ｂと水洗槽３１の底面３Ｂとを幅方向（Ｘ方向）に亘って仕切り、底面２Ｂ上に回収された現像液ＤＬと底面３Ｂ上に回収された純水ＣＬとを混じり合わせないための堤として機能する。このように堤として機能すれば、板状の仕切り板１１ではなく別の形状の部材を仕切り部材として用いてもよい。仕切り板１１の上端は複数の搬送ローラ６１により搬送される基板Ｓの下面の高さ位置よりも低い位置に設定されている。

仕切り板１１は仕切り板移動機構１２によりＹ方向に沿って移動させられ所望の位置に配置される。仕切り板１１の移動範囲は、上述のように現像液ＤＬと純水ＣＬとが混じり合う可能性のある範囲内に設定することが好ましい。例えば、基板Ｓの搬送方向であるＹ方向におけるエアナイフ２７の配置位置からリキッドナイフ３２の配置位置の間を仕切り板１１の移動範囲とすることが好ましい。仕切り板移動機構１２については後に説明する。

液切り部４は、基板Ｓの表面に付着した水洗水である純水を表面から除去するとともに、基板Ｓの裏面に付着した純水を裏面から除去する液切り処理を施す。液切り部４はその内部に液切り処理空間を形成するための略箱状の液切り槽４１を備える。液切り槽４１の－Ｙ側には、水洗槽３１の搬出口ＰＯと連通し、基板Ｓを液切り槽４１内に搬入するための搬入口ＰＯが設けられている。また、液切り槽４１の＋Ｙ側には、基板Ｓを液切り槽４１内から搬出するための搬出口ＥＯが設けられている。

液切り槽４１の内部には上下一対の上エアナイフ４４および下エアナイフ４５が配設されている。上エアナイフ４４は、複数の搬送ローラ６１によって搬送される基板Ｓの上方に配置される。また、上エアナイフ４４は基板Ｓの上面に対向し、Ｘ方向に延びるスリット状の吐出口を備え、当該吐出口より下方かつ上流側に向かう気体流を、基板ＳのＸ方向に亘って供給する。同様に、下エアナイフ４５は基板Ｓの下面に対向し、Ｘ方向に延びるスリット状の吐出口を備え、当該吐出口より上方かつ上流側に向かう気体流を、基板ＳのＸ方向に亘って供給する。この結果、基板Ｓの上下両面に付着した純水が気体流により吹き飛ばされて除去され、液切りされる。

次に、仕切り板移動機構１２について図２を用いて説明する。図２は、仕切り部材移動機構の動作を説明するための概略平面図である。図２（ａ）は図１において実線で示される位置に仕切り板１１が配置されている状態を示す。図２（ｂ）は図１において一点鎖線で示される位置に仕切り板１１が配置されている状態を示す。

仕切り板移動機構１２はボールねじ機構を利用し、図２に示すようにナットである移動子７１を有する。移動子７１にはねじ軸７２が螺合されている。ねじ軸７２の一方端はモータ７３の回転軸と連動連結され、他方端は軸受け７４により回転自在に支持される。また、移動子７１には第１磁石７５が内蔵されている。

仕切り板移動機構１２は現像槽２１の底面２Ｂから水洗槽３１の底面３ＢにかけてＹ方向に延設された一対のレール７７を有する。一対のレール７７は仕切り板１１の下端を滑動自在に支持する。仕切り板１１は現像槽２１の左側壁および水洗槽３１の左側壁による左側壁ＬＳの内面から、現像槽２１の右側壁および水洗槽３１の右側壁による右側壁ＲＳの内面にかけて設けられている。上記ボールねじ機構は右側壁の外面に取り付けられている。

仕切り板１１の右側内面側には第２磁石７６が右側壁ＲＳを介して第１磁石７５と対向するように内蔵されている。第２磁石７６は第１磁石７５とは反対の磁極を有するので、第１磁石７５と第２磁石７６は右側壁ＲＳを介して引き寄せ合う。この結果、移動子７１と仕切り板１１とは一体的に移動することとなる。このように磁力を利用することにより側壁等に穴等を設けることなく駆動力を伝達することができるので、現像液や純水が槽外に漏れ出ることを防止することができる。

図２（ａ）に示す状態からモータ７３によりねじ軸７２を回転駆動すると、移動子７１が上流側（－Ｙ方向）に移動する。この移動子７１の移動に伴って仕切り板１１が上流側に移動する。この後、モータ７３による駆動を停止して、所望の位置、例えば、図２（ｂ）に示す位置に仕切り板１１を停止させる（回収範囲変更工程）。仕切り板移動機構１２による仕切り板１１の可動範囲は図２（ａ）に示す位置（図１にて実線で示す位置）より下流側の位置から図２（ｂ）に示す位置（図１にて一点鎖線で示す位置）より上流側の位置までの範囲である。また、この範囲内の任意の位置に仕切り板移動機構１２により仕切り板１１を停止させるように構成されている。

ここで、現像液を回収する第１回収部は、底面２Ｂ，３Ｂ、仕切り板１１の上流側面、左側壁ＬＳの内面、右側側面ＲＳの内面、および、現像槽２１の上流側壁の内面にて形成される。また、水洗水（純水）を回収する第２回収部は、底面２Ｂ、仕切り板１１の下流側面、左側壁ＬＳの内面、右側壁ＲＳの内面、および、水洗槽３１の下流側壁の内面にて形成される。

上述のように仕切り板１１を上流側に移動させることによって、図２（ａ）に示す現像液を回収する第１回収部による回収範囲ＡＲ１よりも、図２（ｂ）に示す回収範囲ＡＲ２が平面視において小さくなる。このように仕切り板１１および仕切り板移動機構１２などが第１回収部による搬送方向における回収範囲を変更する回収範囲変更部として機能している。

図３は、上述した基板処理装置１００の電気的な接続関係を示すブロック図である。制御部５は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭと、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭと、論理演算を実行するとともに各部を統括的に制御するＣＰＵなどを備える。また、制御部６には、搬送部６、ポンプ２６、第１濃度計Ｍ１、第２濃度計Ｍ２、第３濃度計Ｍ３、各バルブ２９，３７，９４およびモータ７３などが電気的に接続されている。

次に第１実施形態の基板処理装置１００の動作について説明する。基板処理装置１００は搬送部６により基板Ｓを水平に支持しつつ下流側に向かって基板Ｓを搬送させる。この基板Ｓの搬送途中において上述のように現像部２では現像槽２１内において現像ノズル２２から供給された現像液が基板Ｓの上面に液盛り供給される。その後、エアナイフ２７により現像液が除去された後、水洗部３に基板Ｓは搬入される。

水洗部３では水洗槽３１内においてリキッドナイフ３２により層状に純水が基板Ｓの上面に供給される。その後、スプレイノズル３４により純水が基板Ｓにスプレイ供給された後、液切り部４に基板Ｓが搬入される。液切り部４では液切り槽４１内において上エアナイフ４４および下エアナイフ４５により基板Ｓの上下両面に付着した純水が液切りされた後、液切り槽４１内から基板Ｓが搬出される。

ここで、現像部２による現像液の循環効率を向上させるために現像液の回収効率を向上させることが好ましい。現像液の回収効率を向上させるために仕切り板１１の配置位置を図２（ａ）に示すように下流側に配置して回収領域を広げておくことが好ましい。例えば、エアナイフ２７の配置位置からリキッドナイフ３２の配置位置の範囲内を通過する基板Ｓの上面に、エアナイフ２７により除去しきれなかった微量の現像液が残存する場合がある。この残存した現像液が上記範囲内にて流下する場合がある。また、エアナイフ２７の配置位置より上流側にある基板Ｓの上面から流下する現像液の一部が下流側に向けて流下する場合もある。

上述のようにエアナイフ２７よりも下流側の上記範囲内等にある基板Ｓの上面から流下する現像液を回収するために、仕切り板１１をエアナイフ２７よりも下流側に配置することが好ましい。また、リキッドナイフ３２よりも仕切り板１１を下流側に配置すると、仕切り板１１の上流側にて回収される現像液に純水が混入する可能性が高まる。よって、仕切り板１１は現像液の回収効率を高めるために下流側に配置するとしてもリキッドナイフ３２の配置位置までに止めておく方が好ましい。

一方、図１の実線で示す位置（図２（ａ）に示す位置）に仕切り板１１が配置されていると回収される現像液の濃度が次の理由により低くなる場合がある。すなわち、図１に示す基板Ｓの位置において、エアナイフ２７の配置位置からリキッドナイフ３２の配置位置の範囲内における基板Ｓの上面に純水が付着する場合がある。この純水の付着は基板Ｓの上面において、微量の純水が上流側へ逆流することや水洗槽３１内で飛散している純水が上面に付着することに起因していると考えられる。

このように基板Ｓの上面に付着した純水が仕切り板１１よりも上流側に流下すると、現像部２にて回収される現像液に純水が混入することとなる。また、水洗槽３１内で飛散している純水が基板Ｓを介さず直接、仕切り板１１よりも上流側に達する場合も考えられ、この場合も現像部２にて回収される現像液に純水が混入することとなる。

現像液に純水が混入すると現像液の濃度が低下する。この現像液濃度の低下を抑制するために、図４に示す動作が実行される。この動作は装置の稼働中に行っても良いし、装置のセットアップの際に実行されてもよい。

図４に示すステップＳ１０（第１濃度測定工程）では、本発明の第１濃度測定部に相当する例えば、第１濃度計Ｍ１により主に現像槽２１の底面２Ｂ上に滞留する現像液ＤＬの濃度が測定される。換言すれば図２（ａ）に示す回収領域ＡＲ１内に滞留する現像液ＤＬの濃度が測定される。

次に、ステップＳ２０において、制御部５が第１濃度計Ｍ１で測定された現像液の濃度値が設定値以上であるか否かを判断する。ステップＳ２０で設定値以上であると判断された場合（Ｙｅｓの場合）、基板処理装置１００の動作が継続されるか、セットアップが完了したとして、この動作が終了する。

ステップＳ２０で設定値未満であると判断された場合（Ｎｏの場合）、現像液の濃度が低く現像部２により所望の現像処理を実行することができないとして、次のステップＳ３０に移行する。ステップＳ３０は仕切り板１１を移動させる工程であり、例えば、仕切り板１１を図２（ａ）に示す下流側の位置から図２（ｂ）に示す上流側の位置に仕切り移動機構１２により移動させる。この結果、図１の一点鎖線で示す位置（図２（ｂ）に示す位置）に仕切り板１１が配置され現像液を回収する領域が、回収領域ＡＲ１よりも小さい回収領域ＡＲ２となる（回収範囲変更工程）。

上述のように図１の一点鎖線で示す位置（図２（ｂ）に示す位置）に仕切り板１１が配置されると、エアナイフ２７の配置位置からリキッドナイフ３２の配置位置の範囲内における基板Ｓの上面に付着した純水が流下しても、この流下した純水は現像部２による回収領域には達することなく、水洗部３による回収領域にて回収される。また、水洗槽３１内で飛散している純水も仕切り板１１を飛び越えて現像槽２１内に浸入する可能性が低くなる。なお、水洗部３による回収領域は、仕切り板１１の下流側面、水洗槽３１の内側面および下流側内面にて形成される。

ステップＳ３０にて仕切り板１１を上流側に移動させた後、ステップＳ１０に戻り現像液の濃度が測定され、ステップＳ２０に移行する。ステップＳ２０にて現像液濃度が設定値以上であると判断された場合（Ｙｅｓの場合）、基板処理装置１００の動作が継続されるか、セットアップが完了したとして、この動作が終了する。なお、ステップＳ２０にて、現像液濃度がまだ設定値未満であった場合（Ｎｏの場合）は再びステップＳ３０に移行し、仕切り板１１をさらに上流側に所定距離だけ移動させる処理が実行される。このように、仕切り板１１の移動動作はステップＳ２０にて設定値以上になるまで（Ｙｅｓになるまで）、繰り返し実行される。

ステップＳ１０において本発明の第１濃度測定部として、第１濃度計Ｍ１を用いたが、第２濃度計Ｍ２を用いてもよい。第２濃度計Ｍ２は循環タンク２４内に貯留された現像液ＤＬの濃度を測定するが、上述のように回収される現像液に純水が混入すると、第２濃度計Ｍ２により測定した現像液の濃度も低くなる。

なお、水洗槽３１に設けられた第３濃度計Ｍ３による濃度値が上昇した場合は現像液の一部が水洗槽３１にて回収されて廃液されている。この場合は、現像部３による現像液の循環効率が低下している。そこで、仕切り板移動機構１２により仕切り板１１を下流側に移動させて現像部２による現像液の回収効率を向上させることが好ましい。

上記第１実施形態では仕切り板１１を仕切り板移動機構１２により移動させたが、作業者が手動で仕切り板１１を搬送方向に沿って移動させてもよい。また、作業者が仕切り板１１を付け替えて搬送方向における位置を変更してもよい。

次に、本発明の第２実施形態について説明する。図５は、本発明の第２実施形態である基板処理装置１００ａを示す概略側面図である。なお、第２実施形態を説明するための図５、図６、図７において第１実施形態と同じ符号も付しているものは第１実施形態と同じものであるので、以降での説明は省略する。

第１実施形態では回収範囲変更部として、仕切り板１１および仕切り板移動機構１２等を用いたが、第２実施形態では異なる構成を用いている。第２実施形態による回収範囲変更部は図５に示すように２個の仕切り板１１ａ、仕切り板１１ｂ、バルブ８１および予備配管８３などを備える。

上流側に配置された仕切り板１１ａは例えば、エアナイフ２７の下流側であって現像槽２１と水洗槽３１の境界部分の底面に立設するように固定されている。仕切り板１１ｂは仕切り板１１ａよりも下流側に配置され、例えば、リキッドナイフ３２の配置位置よりも上流側の底面３Ｂ上に立設するように固定されている。このように複数の仕切り板の内、最も上流側に配置される仕切り板１１ａから最も下流側に配置される仕切り板１１ｂまでの範囲が、エアナイフ２７（除去部）の配置位置からリキッドナイフ３２（第２供給部）の配置位置までの範囲内であることが、現像液への純水の混入による現像液の濃度低下を抑制するために回収範囲を変更する上で好ましい。

また、配管８２の一方端は仕切り板１１ａと仕切り板１１ｂの間にある底面３Ｂに開口し、他方端はバルブ８１に流路接続されている。バルブ８１は三方弁であり、配管８２と予備配管８３を流路接続する位置と、配管８２と配管８４を流路接続する位置との間で弁位置を切り替える。予備配管８３の一方端はバルブ８１に流路接続され、他方端は排液配管２３に流路接続されている。予備配管８３の他方端は循環タンク２４に直接、流路接続されてもよい。配管８４の一方端はバルブ８１に流路接続され、他方端は廃液配管３３に流路接続されている。配管８４の他方端は廃液部ＤＲに直接、流路接続されてもよい。

図６は、第２実施形態の電気的な接続関係を示すブロック図である。図６において、図３に示す第１実施形態のモータ７３に替えてバルブ８１が示されている。

次に基板処理装置１００ａによる動作を説明する。基板Ｓに対する現像部２、水洗部３および液切り部４による処理動作は第１実施形態と同様である。第１実施形態と同様に回収する現像液に純水が混入すると現像液の濃度が低下する。この現像液濃度の低下を抑制するために、第２実施形態では図７に示す動作が実行される。この動作は装置の稼働中に行っても良いし、装置のセットアップの際に実行されてもよい。

ここで、初期設定として図５に示すバルブ８１は現像液の回収領域を広げるために、予備配管８３と流路接続する弁位置とされている。この結果、仕切り板１１ａと仕切り板１１ｂとの間に流下した現像液等は配管８２、バルブ８１および予備配管８３等を介して循環タンクに送液される。

図７は第２実施形態の動作を示すフロー図である。図７に示すステップＳ１０では、本発明の第１濃度測定部に相当する例えば、第２濃度計Ｍ２により貯留タンク２４内に貯留される現像液ＤＬの濃度が測定される。

次に、ステップＳ２０において、制御部５がステップＳ１０で測定された現像液の濃度値が設定値以上であるか否かを判断する。ステップＳ２０で設定値以上であると判断された場合（Ｙｅｓの場合）、基板処理装置１００ａの動作が継続されるか、セットアップが完了したとして、この動作が終了する。

ステップＳ２０で設定値未満であると判断された場合（Ｎｏの場合）、現像液の濃度が低く現像部２により所望の現像処理を実行することができないとして、次のステップＳ３０ａに移行する。ステップＳ３０ａはバルブ８１の流路を切り替える動作である。例えば、バルブ８１の弁体位置を配管８４側に切り替える。この結果、仕切り板１１ａと仕切り板１１ｂとの間に流下した純水等は配管８２、バルブ８１および配管８４等を介して廃液部ＤＲに送液される（回収範囲変更工程）。

上述のようにバルブ８１を廃液部ＤＲ側に切り替えることによって、エアナイフ２７の配置位置からリキッドナイフ３２の配置位置の範囲内における基板Ｓの上面に付着した純水が流下しても、この流下した純水は現像部２による回収領域（仕切り板１１ａより上流側の領域）には達することなく、水洗部３による回収領域（仕切り板１１ａより下流側の領域）にて回収される。このようにバルブ１１を切り替えることによって、回収領域が仕切り板１１ａの上流側領域および仕切り板１１ａと仕切り板１１ｂとの間の領域であった状態から、回収領域が仕切り板１１ａの上流側領域のみに変更される。

ステップＳ３０ａにてバルブ１１を切り替えた後、ステップＳ１０に戻り現像液の濃度が測定され、ステップＳ２０に移行する。ステップＳ２０にて、現像液濃度が設定値以上となった場合（Ｙｅｓの場合）は動作を終了する。

次に第２実施形態の変形例について説明する。図８は、第２実施形態の変形例を示す概略側面図である。上述の第２実施形態では回収範囲変更部として２個の仕切り板１１ａおよび仕切り板１１ｂを用いたが、この変形例では、搬送方向であるＹ方向に４個の仕切り板１１ａ、仕切り板１１ｂ、仕切り板１１ｃおよび仕切り板１１ｄが配列されている。

最も上流側に配置された仕切り板１１ａは例えば、エアナイフ２７の下流側であって現像槽２１と水洗槽３１の境界部分の底面に立設するように固定されている。また、最も下流側に配置された仕切り板１１ｄは、例えば、リキッドナイフ３２の配置位置よりも上流側の底面３Ｂ上に立設するように固定されている。このように複数の仕切り板の内、最も上流側に配置される仕切り板１１ａから最も下流側に配置される仕切り板１１ｄまでの範囲が、エアナイフ２７（除去部）の配置位置からリキッドナイフ３２（第２供給部）の配置位置までの範囲内であることが、現像液への純水の混入による現像液の濃度低下を抑制するために回収範囲を変更する上で好ましい。

また、回収範囲変更部は、３個のバブル８ａ、バルブ８ｂおよびバルブ８ｃ、これらのバルブにそれぞれ流路接続する予備配管９a、予備配管９ｂおよび予備配管９ｃを含む配管系を備える。バルブ８ａが予備配管９ａ側に切り替えられているときは、仕切り板１１ａと仕切り板１１ｂとの間の領域が現像液の回収範囲となる。同様にバルブ８ｂが予備配管９ｂ側に切り替えられているときは、仕切り板１１ｂと仕切り板１１ｃとの間の領域が現像液の回収範囲となり、同様にバルブ８ｃが予備配管９ｃ側に切り替えられているときは、仕切り板１１ｃと仕切り板１１ｄとの間の領域が現像液の回収範囲となる。

上述のように３個のバブル８ａ、バルブ８ｂおよびバルブ８ｃを切り替えることにより現像液の回収範囲を変更することができる。最も回収範囲が広くなるのは、バブル８ａ、バルブ８ｂおよびバルブ８ｃの全てが予備配管９ａ、予備配管９ｂおよび予備配管９ｃ側に切り替えられているときである。最も回収範囲が狭くなるのは、バブル８ａ、バルブ８ｂおよびバルブ８ｃの全てが廃液部ＤＲに切り替えられているときである。この変形例では最も上流側のバルブ８ａから順次、予備配管９ａ側（貯留タンク２４側）に切り替えることにより回収範囲を４段階で変更することができる。

上記実施形態等において、第１処理液として現像液を用いて説明したが、第１処理液は基板上の金属膜等を選択的にエッチングするためのエッチング液や基板上に形成されたレジスト膜を剥離するための剥離液等の他の処理液であってもよい。同様に第２処理液も純水には限定されず第１処理液を洗い流すことができる処理液であればよい。

第１濃度計Ｍ１等として導電率計を例示したが、第１処理液等の種類に応じて他の濃度計、例えば、比抵抗計等を用いてもよい。

２ 現像部
３ 水洗部
６ 搬送部
１１、１１ａ～１１ｄ 仕切り板（仕切り部材）
１２ 仕切り板移動機構（仕切り部材移動機構）
２１ 現像槽（第１処理槽）
２２ 現像ノズル（第１供給部）
２３ 排液配管
２４ 循環タンク
２５ 戻り配管
２７ エアナイフ（除去部）
３１ 水洗槽（第２処理槽）
３２ リキッドナイフ（第２供給部）
１００、１００a 基板処理装置
Ｓ 基板
Ｍ１ 第１濃度計

Claims (6)

1. 基板を水平に支持しつつ水平方向に搬送する搬送部と、
   搬送部により搬送される基板に第１処理液を供給する第１供給部と、
   第１供給部により供給されて基板から流下する第１処理液を回収する第１回収部と、
   第１回収部により回収された第１処理液を第１供給部に循環供給する循環供給部と、
   第１供給部により第１処理液が供給され搬送部により搬送される基板に付着した第１処理液を除去する除去部と、
   除去部よりも搬送部における搬送方向の下流側において、第１処理液とは異なる種類の第２処理液を供給する第２供給部と、
   第２供給部により供給されて基板から流下した第２処理液を回収する第２回収部と、
   第１回収部から循環供給部における第１処理液の濃度を測定する第１濃度測定部と、
   第１濃度測定部による測定結果に応じて、第１回収部による前記搬送方向における回収範囲を変更する回収範囲変更部と、
   を備える基板処理装置。
2. 請求項１に記載される基板処理装置において、
   搬送部により搬送されつつ第１供給部により第１処理液が供給される第１処理室を形成する第１処理槽と、
   搬送部により搬送されつつ第２供給部により第２処理液が供給される第２処理室を形成する第２処理槽と、
   をさらに備え、
   第１回収部は第１処理槽の第１底面を含むとともに、第２回収部は第２処理槽の第１底面を含み、
   前記回収範囲変更部は、
   第１底面と第２底面とを仕切る仕切り部材と、
   第１濃度測定部による測定結果に応じて仕切り部材を搬送方向に沿って移動させる仕切り部材移動機構とを有する基板処理装置。
3. 請求項２に記載される基板処理装置において、
   仕切り部材移動機構による仕切り部材の移動範囲が除去部の配置位置から第２供給部の配置位置までの範囲内である基板処理装置。
4. 請求項１に記載される基板処理装置において、
   搬送部により搬送されつつ第１供給部により第１処理液が供給される第１処理室を形成する第１処理槽と、
   搬送部により搬送されつつ第２供給部により第２処理液が供給される第２処理室を形成する第２処理槽と、
   をさらに備え、
   第１回収部は第１処理槽の第１底面を含むとともに、第２回収部は第２処理槽の第１底面を含み、
   前記回収範囲変更部は、
   第１底面と第２底面とを仕切るとともに搬送方向に沿って設けられた複数の仕切り部材と、
   搬送方向下流側に配置された仕切り部材の上流側と循環供給部とを流路接続する予備回収配管と、
   第１濃度測定部による測定結果に応じて予備回収配管の流路を開閉するバルブとを有する基板処理装置。
5. 請求項４に記載される基板処理装置において、
   複数の仕切り部材の内、最も上流側に配置される仕切り部材から最も下流側に配置される仕切り部材までの範囲が、除去部の配置位置から第２供給部の配置位置までの範囲内である基板処理装置。
6. 水平に支持されつつ水平方向に搬送される基板に第１供給部から第１処理液を供給する第１供給工程と、
   第１供給工程により供給されて基板から流下する第１処理液を回収する第１回収工程と、
   第１回収工程により回収された第１処理液を第１供給部に循環供給する循環供給工程と、
   第１供給工程後に、水平に支持されつつ水平方向に搬送される基板に付着した第１処理液を除去する除去工程と、
   除去工程後に、水平に支持されつつ水平方向に搬送される基板に、第１処理液とは異なる種類の第２処理液を供給する第２供給工程と、
   第２供給工程により供給されて基板から流下した第２処理液を回収する第２回収工程と、
   第１回収工程から循環供給工程における第１処理液の濃度を測定する第１濃度測定工程と、
   第１濃度測定工程による測定結果に応じて、第１回収部による前記搬送方向における回収範囲を変更する回収範囲変更工程と、
   を含む基板処理方法。

Images