JP7041795B1

JP7041795B1 - めっき装置のメンテナンス方法

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Publication number: JP7041795B1
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Inventors: 正輝富田
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Abstract

めっき槽の内部に配置された膜の変形を抑制することができる技術を提供する。めっき装置のメンテナンス方法は、アノード室のアノード液をアノード液タンクに戻した後にアノード液タンクとアノード室との間でアノード液を循環させること（ステップＳ１０ｅ）、及び、カソード室のカソード液をカソード液タンクに戻した後であって、アノード液タンクとアノード室との間におけるアノード液の循環が開始された後に、カソード液タンクとカソード室との間でカソード液を循環させること（ステップＳ１０ｆ）、を含む。

Description

本発明はめっき装置のメンテナンス方法に関する。

従来、基板にめっき処理を施すめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２を参照）。このようなめっき装置は、めっき槽を有している。このめっき槽の内部は、膜によって、膜よりも下方のアノード室と膜よりも上方のカソード室とに区画されている。アノード室には、アノードが配置され、カソード室には、カソードとしての基板が配置される。また、基板にめっき皮膜を形成するめっき処理時においては、アノード液タンクに貯留されたアノード液（めっき液）をアノード液タンクとアノード室との間で循環させ、カソード液タンクに貯留されたカソード液（めっき液）を、カソード液タンクとカソード室との間で循環させている。

特開２００８－１９４９６号公報米国特許第６８２１４０７号明細書

ところで、上述したような、カップ式のめっき装置において、例えば、基板へのめっき処理が実行されていない場合に、めっき装置のメンテナンスが行われる場合がある。具体的には、このめっき装置のメンテナンスにおいて、例えば、めっき槽のアノード室に残存するアノード液をアノード液タンクに戻して、アノード液タンクとアノード室との間でアノード液を循環させたり、めっき槽のカソード室に残存するカソード液をカソード液タンクに戻して、カソード液タンクとカソード室との間でカソード液を循環させたりする。しかしながら、このようなめっき装置のメンテナンスは、めっき槽の内部に配置された膜の変形を抑制するという観点において、改善の余地があった。

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、めっき槽の内部に配置された膜の変形を抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。

（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置のメンテナンス方法は、めっき槽の内部における膜よりも下方に区画されたアノード室に残存するアノード液を、アノード液を貯留するためのアノード液タンクに戻すこと、前記めっき槽の内部における前記膜よりも上方に区画されたカソード室に残存するカソード液を、カソード液を貯留するためのカソード液タンクに戻すこと、前記アノード室に残存するアノード液を前記アノード液タンクに戻した後に、前記アノード液タンクと前記アノード室との間でアノード液を循環させること、及び、前記カソード室に残存するカソード液を前記カソード液タンクに戻した後であって、前記アノード液タンクと前記アノード室との間におけるアノード液の循環が開始された後に、前記カソード液タンクと前記カソード室との間でカソード液を循環させること、を含む。

この態様によれば、アノード液タンクとアノード室との間でアノード液を循環させることが、カソード液タンクとカソード室との間のカソード液を循環させることよりも先に開始されるので、アノード室の圧力上昇をカソード室の圧力上昇よりも先に開始させることができる。これにより、例えば、カソード液の循環がアノード液の循環よりも先に行われて、カソード室の圧力上昇がアノード室の圧力上昇よりも先に開始される場合に比較して、めっき槽の内部に配置された膜がカソード室の圧力によって下方に変形することを抑制することができる。

（態様２）
上記の態様１は、前記アノード液タンクに貯留されたアノード液の液面レベルが予め設定された所定レベル未満である場合に、前記アノード液タンクに貯留されたアノード液の液面レベルが当該所定レベル以上になるように、アノード液供給装置から供給されたアノード液を前記アノード液タンクに補給すること、をさらに含んでいてもよい。

（態様３）
上記の態様２において、前記アノード液タンクと前記アノード室との間でアノード液を循環させることは、前記アノード室に残存するアノード液を前記アノード液タンクに戻した後であって、且つ、前記アノード液タンクに貯留されたアノード液の液面レベルが前記所定レベル以上である場合に、実行されてもよい。

（態様４）
上記の態様１～３のいずれか１態様は、前記カソード液タンクに貯留されたカソード液の液面レベルが予め設定された所定レベル未満である場合に、前記カソード液タンクに貯留されたカソード液の液面レベルが当該所定レベル以上になるように、カソード液供給装置から供給されたカソード液を前記カソード液タンクに補給すること、をさらに含んでいてもよい。

（態様５）
上記の態様４は、前記カソード液タンクに貯留されたカソード液の液面レベルが前記所定レベル以上である場合に、前記カソード液タンクに貯留されたカソード液を前記カソード室をバイパスさせて流通させた後に前記カソード液タンクに戻すことを、前記カソード液タンクと前記カソード室との間でカソード液を循環させることの前に、さらに含んでいてもよい。

この態様によれば、カソード液をカソード室をバイパスさせて流通させた後にカソード液タンクに戻すことによって、カソード液に含まれる気泡の量を低減させることができる。これにより、この後に行われる、カソード液タンクとカソード室との間におけるカソード液の循環時に、カソード室に供給されるカソード液に含まれる気泡の量を低減させることができる。

（態様６）
上記の態様１～５のいずれか１態様において、前記アノード液タンクと前記アノード室との間でアノード液を循環させることは、前アノード液タンクから前記アノード室に向けて流通するアノード液の温度を、温調器によって、所定の温度範囲内に調整することを含んでいてもよい。

この態様によれば、アノード液タンクからアノード室に向けて流通するアノード液の温度を早期に所定の温度範囲内にすることができる。

（態様７）
上記の態様１～６のいずれか１態様において、前記カソード液タンクと前記カソード室との間でカソード液を循環させることは、前記カソード液タンクから前記カソード室に向けて流通するカソード液の温度を、温調器によって、所定の温度範囲内に調整することを含んでいてもよい。

この態様によれば、カソード液タンクからカソード室に向けて流通するカソード液の温度を早期に所定の温度範囲内にすることができる。

実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。実施形態に係るめっきモジュールの１つのめっき槽の周辺構成を模式的に示す図である。実施形態に係る１つのめっきモジュールの液体流通構成を示す模式図である。実施形態に係るめっきモジュールにおける液体の流通態様の一例を説明するためのフロー図である。実施形態に係る薬液準備処理の詳細を説明するためのフロー図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００及びスピンリンスドライヤ６００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板をプリウェットモジュール２００へ受け渡す。

プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送ロボット１１０は、スピンリンスドライヤ６００から基板を受け取り、乾燥処理を施した基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００におけるめっきモジュール４００の１つのめっき槽１０の周辺構成を模式的に示す図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、めっき槽１０と、基板ホルダ２０と、回転機構２２と、昇降機構２４とを備えている。

なお、本実施形態において、１つのめっきモジュール４００は複数のめっき槽１０を備えている。複数のめっき槽１０の個数は２以上であればよく、その具体的な個数は特に限定されるものではない。本実施形態では、一例として、１つのめっきモジュール４００は４つのめっき槽１０を備えている（後述する図４参照）。

図３に例示するように、めっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。めっき槽１０の外周壁１０ｂの外側には、外周壁１０ｂの上端からオーバーフローしためっき液Ｐｓを貯留するためのオーバーフロー槽１９が配置されている。

めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。

また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定のめっき添加剤が含まれている。この所定のめっき添加剤の具体例として、本実施形態では、「非イオン系のめっき添加剤」が用いられている。なお、非イオン系のめっき添加剤とは、めっき液Ｐｓ中においてイオン性を示さない添加剤を意味している。

めっき槽１０の内部には、アノード１３が配置されている。また、アノード１３は、水平方向に延在するように配置されている。アノード１３の具体的な種類は特に限定されるものではなく、不溶性アノードであってもよく、可溶性アノードであってもよい。本実施形態では、アノード１３の一例として、不溶性アノードを用いている。この不溶性アノードの具体的な種類は、特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

めっき槽１０の内部における後述するカソード室１２には、イオン抵抗体１４が配置されている。具体的には、イオン抵抗体１４は、カソード室１２における後述する膜４０よりも上方、且つ、基板Ｗｆよりも下方の箇所に設けられている。イオン抵抗体１４は、カソード室１２におけるイオンの移動の抵抗となり得る部材であり、アノード１３と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている。

本実施形態に係るイオン抵抗体１４は、イオン抵抗体１４の下面と上面とを貫通するように設けられた複数の貫通孔１５を有する板部材によって構成されている。この複数の貫通孔１５は、イオン抵抗体１４の孔形成エリア（これは、本実施形態では、一例として、上面視で円形のエリアである）に設けられている。イオン抵抗体１４の具体的な材質は特に限定されるものではないが、本実施形態においては一例として、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂を用いている。

めっきモジュール４００がイオン抵抗体１４を有することで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を図ることができる。但し、このイオン抵抗体１４は、本実施形態に必須の部材ではなく、めっきモジュール４００は、イオン抵抗体１４を備えていない構成とすることもできる。

めっき槽１０の内部には、膜４０が配置されている。めっき槽１０の内部は、膜４０によって、膜４０よりも下方のアノード室１１と、膜４０よりも上方のカソード室１２とに区画されている。前述したアノード１３はアノード室１１に配置されており、イオン抵抗体１４はカソード室１２に配置されている。また、基板Ｗｆへのめっき処理時において、基板Ｗｆはカソード室１２に配置される。

なお、本実施形態において、アノード室１１に供給されるめっき液Ｐｓを「アノード液」と称し、カソード室１２に供給されるめっき液Ｐｓを「カソード液」と称する。

膜４０は、めっき液Ｐｓに含まれるイオン種（これは金属イオンを含んでいる）が膜４０を通過することを許容しつつ、めっき液Ｐｓに含まれる非イオン系のめっき添加剤が膜４０を通過することを抑制するように構成された膜である。具体的には、膜４０は、複数の微細な孔（微細孔）を有している（この微細孔の図示は省略されている）。この複数の孔の平均的な直径はナノメートルサイズ（すなわち、１ｎｍ以上９９９ｎｍ以下のサイズ）である。これにより、金属イオンを含むイオン種（これはナノメートルサイズである）が膜４０の複数の微細孔を通過することは許容される一方で、非イオン系のめっき添加剤（これは、ナノメートルサイズよりも大きい）が膜４０の複数の微細孔を通過することは抑制されている。このような膜４０としては、例えば、イオン交換膜を用いることができる。

本実施形態のように、めっきモジュール４００が膜４０を備えることで、カソード室１２のカソード液に含まれる非イオン系のめっき添加剤がアノード室１１へ移動することを抑制できる。これにより、カソード室１２のめっき添加剤の消耗量の低減を図ることができる。

なお、膜４０は、図３に例示するように、水平方向に対して傾斜した傾斜部位４１を備えていてもよい。具体的には、図３に例示する膜４０の傾斜部位４１は、水平方向に対して傾斜するとともに、めっき槽１０の中央側からめっき槽１０の外周壁１０ｂの側に向かうに従って上方に位置するように傾斜している。また、図３に例示する膜４０は、一例として、正面視で「Ｖ字状」の外観形状を有している。

但し、膜４０の構成は上記の構成に限定されるものではない。例えば、膜４０は、傾斜部位４１を備えておらず、全体的に水平方向に延在していてもよい。

基板ホルダ２０は、カソードとしての基板Ｗｆを、基板Ｗｆの被めっき面（下面）がアノード１３に対向するように保持している。基板ホルダ２０は、回転機構２２に接続されている。回転機構２２は、基板ホルダ２０を回転させるための機構である。回転機構２２は、昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４は、上下方向に延在する支柱２６によって支持されている。昇降機構２４は、基板ホルダ２０及び回転機構２２を昇降させるための機構である。回転機構２２及び昇降機構２４の動作は、制御モジュール８００によって制御されている。なお、基板Ｗｆ及びアノード１３は、通電装置（図示せず）と電気的に接続されている。通電装置は、めっき処理の実行時に、基板Ｗｆとアノード１３との間に電気を流すための装置である。

めっき槽１０には、アノード室１１にアノード液を供給するためのアノード室用供給口１６ａと、アノード室１１からアノード液を排出するためのアノード室用排出口１６ｂと、が設けられている。本実施形態に係るアノード室用供給口１６ａは、一例として、めっき槽１０の底壁１０ａに配置されている。アノード室用排出口１６ｂは、一例として、めっき槽１０の外周壁１０ｂに配置されている。また、アノード室用排出口１６ｂは、一例として、めっき槽１０の２箇所に設けられている。

また、めっき槽１０には、カソード室１２用の供給・ドレイン口１７が設けられている。供給・ドレイン口１７は、「カソード液用の供給口」と「カソード液用のドレイン口」とが合体したものである。

すなわち、カソード室１２にカソード液を供給する際には、この供給・ドレイン口１７は「カソード液用の供給口」として機能して、この供給・ドレイン口１７からカソード液がカソード室１２に供給される。一方、カソード室１２からカソード液を排出して、例えばカソード室１２のカソード液を空にする際には、この供給・ドレイン口１７は、「カソード液用のドレイン口」として機能して、この供給・ドレイン口１７からカソード液が排出される。

なお、供給・ドレイン口１７の構成は上記の構成に限定されるものではない。他の一例を挙げると、めっきモジュール４００は、供給・ドレイン口１７に代えて、「カソード液用の供給口」、及び、「カソード液用のドレイン口」を、個別に備えていてもよい。

本実施形態に係る供給・ドレイン口１７は、一例として、カソード室１２の底部（底面）から供給・ドレイン口１７までの距離が例えば２０ｍｍ以下になるように、めっき槽１０の外周壁１０ｂに配置されている。

オーバーフロー槽１９には、カソード室１２からオーバーフローして、オーバーフロー槽１９に貯留されためっき液Ｐｓ（カソード液）をオーバーフロー槽１９の外部に排出するためのオーバーフロー槽用排出口１８が設けられている。

めっき槽１０には、アノード室１１の圧力（Ｐａ）を検出するための圧力計８０ａと、カソード室１２の圧力（Ｐａ）を検出するための圧力計８０ｂと、が配置されている。圧力計８０ａ及び圧力計８０ｂの検出結果は、制御モジュール８００に伝えられる。

制御モジュール８００は、プロセッサ８０１と、非一時的な記憶装置８０２とを備えている。記憶装置８０２には、プログラムやデータ等が記憶されている。制御モジュール８００においては、プロセッサ８０１が記憶装置８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいて、めっき装置１０００の動作を制御する。

基板Ｗｆへのめっき処理を実行する際には、まず、回転機構２２が基板ホルダ２０を回転させるとともに、昇降機構２４が基板ホルダ２０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓ（カソード室１２のカソード液）に浸漬させる。次いで、通電装置によって、アノード１３と基板Ｗｆとの間に電気が流される。これにより、基板Ｗｆの被めっき面に、めっき皮膜が形成される。

図４は、１つのめっきモジュール４００の液体流通構成を示す模式図である。図４に示すように、めっきモジュール４００は、タンク５０，５１と、ポンプ５２ａ，５２ｂと、温調器５３ａ，５３ｂと、フィルター５４と、アノード液供給装置５７ａと、カソード液供給装置５７ｂと、添加剤供給装置５７ｃと、金属イオン供給装置５７ｄと、複数の流路（流路７０ａ～７０ｇ４）と、複数のバルブ（バルブ７５ａ～７５ｏ）と、複数の流路切換えバルブ（流路切換えバルブ７７ａ～７７ｄ等）と、を備えている。

なお、本実施形態では、一例として、１組のタンク５０及びタンク５１に対して、４つのめっき槽１０（＃１～＃４のめっき槽１０）が適用されている。すなわち、本実施形態において、１組のタンク５０及びタンク５１に流路を介して連通されているめっき槽１０の数は、一例として４つである。但し、１組のタンク５０及びタンク５１に対して適用されるめっき槽１０の数は、複数であればよく、４よりも少なくてもよく、多くてもよい。

複数のバルブ（バルブ７５ａ～７５ｏ）としては、閉弁状態（バルブ開度が０％の状態であり、バルブを通過する液体の流量がゼロの状態）と、開弁状態（バルブ開度が０％よりも大きい状態であり、バルブを通過する液体の流量がゼロよりも大きい状態）と、を少なくとも切り替えることが可能な流量調整バルブを用いることができる。

また、これらの複数のバルブとして、バルブ開度を０％以上１００％以下の範囲内で（すなわち、バルブを通過する流量をゼロ以上所定値以下の範囲内で）、連続的に又は段階的に調整することが可能な流量調整バルブを用いることもできる。

なお、複数のバルブ、及び、複数の流路切換えバルブは、制御モジュール８００によって制御されるバルブであってもよく、あるいは、手動によって動作される手動式のバルブであってもよい。本実施形態においては、複数のバルブ、及び、複数の流路切換えバルブは、制御モジュール８００によって制御される。

タンク５０は、アノード液を貯留するためのタンクである。タンク５０は、アノード室１１に連通している。タンク５１は、カソード液を貯留するためのタンクである。タンク５１は、カソード室１２に連通している。なお、タンク５０は「アノード液タンク」の一例であり、タンク５１は「カソード液タンク」の一例である。

タンク５０には、タンク５０に貯留されたアノード液の液面レベルを検出するための液面レベルセンサ８１ａが配置されている。また、タンク５１にも、タンク５１に貯留されたカソード液の液面レベルを検出するための液面レベルセンサ８１ｂが配置されている。液面レベルセンサ８１ａ，８１ｂの検出結果は、制御モジュール８００に伝えられる。

ポンプ５２ａは、タンク５０のアノード液をアノード室１１に向けて圧送するためのポンプである。ポンプ５２ｂは、タンク５１のカソード液をカソード室１２に向けて圧送するためのポンプである。ポンプ５２ａ，５２ｂの動作は、制御モジュール８００が制御する。なお、ポンプ５２ａは「アノード液ポンプ」の一例であり、ポンプ５２ｂは「カソード液ポンプ」の一例である。

温調器５３ａは、アノード液の温度を調整するための装置である。温調器５３ｂは、カソード液の温度を調整するための装置である。本実施形態に係る温調器５３ａは、一例として、流路７０ａのポンプ５２ａよりも下流側の箇所に配置されている。本実施形態に係る温調器５３ｂは、一例として、流路７０ｃのポンプ５２ｂよりも下流側の箇所に配置されている。温調器５３ａ，５３ｂの動作は、制御モジュール８００が制御する。

図５に示すように、フィルター５４は、タンク５１からカソード室１２に向かって流通するカソード液を濾過するための装置である。フィルター５４は、後述する流路７０ｃの例えば温調器５３ｂよりも下流側の箇所に配置されている。

なお、めっきモジュール４００が有するフィルターの個数は、１個に限定されるものではなく、２個以上であってもよい。あるいは、めっきモジュール４００は、フィルターを備えていない構成とすることもできる。

アノード液供給装置５７ａは、アノード液を供給するための装置である。アノード液供給装置５７ａが供給するアノード液は、未使用のアノード液（すなわち、新しいアノード液）であってもよく、めっき処理に使用されたことのあるアノード液であってもよい。カソード液供給装置５７ｂは、カソード液を供給するための装置である。カソード液供給装置５７ｂが供給するカソード液は、未使用のカソード液（すなわち、新しいカソード液）であってもよく、めっき処理に使用されたことのあるカソード液であってもよい。

アノード液供給装置５７ａの具体的な構成は、特に限定されるものではないが、例えば、アノード液供給装置５７ａは、供給用のアノード液を貯留するためのタンクと、このタンクのアノード液を流路７０ｇ１を介してタンク５０に向けて圧送するためのポンプとを備えていてもよい。カソード液供給装置５７ｂの具体的な構成は、特に限定されるものではないが、例えば、カソード液供給装置５７ｂは、供給用のカソード液を貯留するためのタンクと、このタンクのカソード液を流路７０ｇ２を介してタンク５１に向けて圧送するためのポンプとを備えていてもよい。本実施形態に係るアノード液供給装置５７ａ及びカソード液供給装置５７ｂの動作は、制御モジュール８００が制御する。

添加剤供給装置５７ｃは、めっき添加剤を供給するための装置である。本実施形態において、添加剤供給装置５７ｃは、めっき液Ｐｓにめっき添加剤を補給する際に用いられる。具体的には、本実施形態に係る添加剤供給装置５７ｃは、一例として、タンク５１のカソード液にめっき添加剤を補給する際に用いられる。本実施形態に係る添加剤供給装置５７ｃの動作は、制御モジュール８００が制御する。

金属イオン供給装置５７ｄは、金属イオンを供給するための装置である。本実施形態に係る金属イオン供給装置５７ｄは、めっき液Ｐｓに金属イオンを補給する際に用いられる。具体的には、本実施形態に係る金属イオン供給装置５７ｄは、一例として、タンク５１のカソード液に、金属イオン（一例として、銅イオン）を含む溶液を補給する際に用いられる。本実施形態に係る金属イオン供給装置５７ｄの動作は、制御モジュール８００が制御する。

流路７０ａは、タンク５０とポンプ５２ａと各々のめっき槽１０のアノード室１１とを連通している。また、本実施形態に係る流路７０ａには、温調器５３ａが配置されている。本実施形態に係る流路７０ａは、温調器５３ａよりも下流側の箇所において複数に分岐して、流路７０ａ１、流路７０ａ２、流路７０ａ３、及び、流路７０ａ４になって、各々のめっき槽１０のアノード室１１に連通している。

流路７０ａ１の下流端は、＃１のめっき槽１０のアノード室用供給口１６ａに連通している。流路７０ａ２の下流端は、＃２のめっき槽１０のアノード室用供給口１６ａに連通している。流路７０ａ３の下流端は、＃３のめっき槽１０のアノード室用供給口１６ａに連通している。流路７０ａ４の下流端は、＃４のめっき槽１０のアノード室用供給口１６ａに連通している。

流路７０ｂ１，７０ｂ２，７０ｂ３，７０ｂ４は、各々のめっき槽１０のアノード室１１のアノード液をタンク５０に戻すように構成された流路である。

具体的には、本実施形態に係る流路７０ｂ１の所定箇所よりも上流側の部分は、２つに分岐して、＃１のめっき槽１０の２つのアノード室用排出口１６ｂに連通している。流路７０ｂ１の下流端はタンク５０に連通している。流路７０ｂ２の所定箇所よりも上流側の部分は、２つに分岐して、＃２のめっき槽１０の２つのアノード室用排出口１６ｂに連通している。流路７０ｂ２の下流端はタンク５０に連通している。

流路７０ｂ３の所定箇所よりも上流側の部分は、２つに分岐して、＃３のめっき槽１０の２つのアノード室用排出口１６ｂに連通している。流路７０ｂ３の下流端はタンク５０に連通している。流路７０ｂ４の所定箇所よりも上流側の部分は、２つに分岐して、＃４のめっき槽１０の２つのアノード室用排出口１６ｂに連通している。流路７０ｂ４の下流端は、タンク５０に連通している。

流路７０ｃは、タンク５１とポンプ５２ｂと各々のめっき槽１０のカソード室１２とを連通している。また、本実施形態に係る流路７０ｃには、温調器５３ｂ及びフィルター５４が配置されている。本実施形態に係る流路７０ｃは、フィルター５４よりも下流側の箇所において、複数に分岐して、流路７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４になっている。

流路７０ｃ１の下流端は、＃１のめっき槽１０の供給・ドレイン口１７に連通している。流路７０ｃ２の下流端は、＃２のめっき槽１０の供給・ドレイン口１７に連通している。流路７０ｃ３の下流端は、＃３のめっき槽１０の供給・ドレイン口１７に連通している。流路７０ｃ４の下流端は、＃４のめっき槽１０の供給・ドレイン口１７に連通している。

流路７０ｄ１，７０ｄ２，７０ｄ３，７０ｄ４は、各々のめっき槽１０のオーバーフロー槽１９のカソード液をタンク５１に戻すように構成された流路である。具体的には、流路７０ｄ１の上流端は、＃１のめっき槽１０のオーバーフロー槽用排出口１８に連通し、下流端はタンク５１に連通している。流路７０ｄ２の上流端は、＃２のめっき槽１０のオーバーフロー槽用排出口１８に連通し、下流端はタンク５１に連通している。流路７０ｄ３の上流端は、＃３のめっき槽１０のオーバーフロー槽用排出口１８に連通し、下流端はタンク５１に連通している。流路７０ｄ４の上流端は、＃４のめっき槽１０のオーバーフロー槽用排出口１８に連通し、下流端はタンク５１に連通している。

流路７０ｅ１，７０ｅ２，７０ｅ３，７０ｅ４は、カソード液を、カソード室１２をバイパスさせて流通させた後にタンク５１に戻すように構成された流路である。具体的には、流路７０ｅ１の上流端は、流路切換えバルブ７７ａを介して流路７０ｃ１の途中に連通し、下流端はタンク５１に連通している。流路７０ｅ２の上流端は、流路切換えバルブ７７ｂを介して流路７０ｃ２の途中に連通し、下流端はタンク５１に連通している。流路７０ｅ３の上流端は、流路切換えバルブ７７ｃを介して流路７０ｃ３の途中に連通し、下流端はタンク５１に連通している。流路７０ｅ４の上流端は、流路切換えバルブ７７ｄを介して流路７０ｃ４の途中に連通し、下流端はタンク５１に連通している。

流路７０ｇ１は、アノード液供給装置５７ａから供給されたアノード液を、タンク５０に流入させるように構成された流路である。具体的には、流路７０ｇ１の上流端はアノード液供給装置５７ａに連通し、下流端はタンク５０に連通している。流路７０ｇ２は、カソード液供給装置５７ｂから供給されたカソード液を、タンク５１に流入させるように構成された流路である。具体的には、流路７０ｇ２の上流端はカソード液供給装置５７ｂに連通し、下流端はタンク５１に連通している。

流路７０ｇ３は、添加剤供給装置５７ｃから供給されためっき添加剤をタンク５１に流入させるように構成された流路である。流路７０ｇ４は、金属イオン供給装置５７ｄから供給された金属イオンを含む溶液をタンク５１に流入させるように構成された流路である。

流路７０ｆは、タンク５０とタンク５１とを連通するように構成された流路（連通流路）である。具体的には、本実施形態に係る流路７０ｆは、流路７０ａの途中箇所（後述するバルブ７５ａよりも上流側の箇所）と流路７０ｃの途中箇所（後述するバルブ７５ｊよりも上流側の箇所）とを連通するように構成されている。

流路７０ｆには、流路７０ｆを開閉するためのバルブ７５ｋが配置されている。バルブ７５ｋが開弁状態になると、流路７０ｆを介して、タンク５０及びタンク５１は互いに連通された状態になる。一方、バルブ７５ｋが閉弁状態になると、タンク５０及びタンク５１は非連通状態になる。

本実施形態によれば、例えば、アノード液及びカソード液として異なる成分のめっき液を用いる場合には、バルブ７５ｋを閉弁状態にして流路７０ｆを閉じることで、タンク５０のアノード液がタンク５１のカソード液と混合しないようにすることができる。一方、例えば、アノード液及びカソード液として同じ成分のめっき液を用いる場合には、バルブ７５ｋを開弁状態にして流路７０ｆを開くことで、タンク５０とタンク５１とを連通させて、タンク５０及びタンク５１を１つの大きなめっき液タンクとして機能させてもよい。

バルブ７５ａは、流路７０ａにおけるポンプ５２ａよりも上流側であって、流路７０ａにおける流路７０ｆが接続している箇所よりも下流側の箇所に、配置されている。

バルブ７５ｂは、流路７０ａ１に配置されている。バルブ７５ｃは、流路７０ａ２に配置されている。バルブ７５ｄは、流路７０ａ３に配置されている。バルブ７５ｅは、流路７０ａ４に配置されている。

バルブ７５ｆは、流路７０ｂ１に配置されている。バルブ７５ｇは、流路７０ｂ２に配置されている。バルブ７５ｈは、流路７０ｂ３に配置されている。バルブ７５ｉは、流路７０ｂ４に配置されている。

バルブ７５ｊは、流路７０ｃにおけるポンプ５２ｂよりも上流側であって、流路７０ｃにおける流路７０ｆが接続している箇所よりも下流側の箇所に、配置されている。バルブ７５ｌは、流路７０ｇ１に配置されている。バルブ７５ｍは、流路７０ｇ２に配置されている。バルブ７５ｎは、流路７０ｇ３に配置されている。バルブ７５ｏは、流路７０ｇ４に配置されている。

流路切換えバルブ７７ａは、流路７０ｃ１における流路７０ｅ１が接続している箇所に配置されている。流路切換えバルブ７７ａは、流路７０ｃ１の流体の流動先を流路７０ｅ１と＃１のめっき槽１０のアノード室１１との間で切換える。流路切換えバルブ７７ｂは、流路７０ｃ２における流路７０ｅ２が接続している箇所に配置されている。流路切換えバルブ７７ｂは、流路７０ｃ２の流体の流動先を流路７０ｅ２と＃２のめっき槽１０のアノード室１１との間で切換える。

流路切換えバルブ７７ｃは、流路７０ｃ３における流路７０ｅ３が接続している箇所に配置されている。流路切換えバルブ７７ｃは、流路７０ｃ３の流体の流動先を流路７０ｅ３と＃３のめっき槽１０のアノード室１１との間で切換える。流路切換えバルブ７７ｄは、流路７０ｃ４における流路７０ｅ４が接続している箇所に配置されている。流路切換えバルブ７７ｄは、流路７０ｃ４の流体の流動先を流路７０ｅ４と＃４のめっき槽１０のアノード室１１との間で切換える。

なお、流路切換えバルブ７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄとして、いわゆる３方弁を用いることができる。

図５は、めっきモジュール４００における液体の流通態様の一例を説明するためのフロー図である。図５の各ステップのうち、ステップＳ２０に係るめっき液循環ステップは、基板Ｗｆへのめっき処理時に実行される。一方、ステップＳ１０は、めっき装置１０００のメンテナンス時に実行される。すなわち、ステップＳ１０は、めっき装置１０００のメンテナンス方法に相当する。また、図５の各ステップは、例えば、制御モジュール８００がプログラムの指令に基づいて自動的に実行してもよい。

＜＜めっき液循環ステップ＞＞
最初に、図５のステップＳ２０に係るめっき液循環ステップについて説明する。ステップＳ２０に係るめっき液循環ステップにおいては、タンク５０とアノード室１１との間でアノード液を循環させるとともに、タンク５１とカソード室１２との間でカソード液を循環させる。

（アノード循環）
具体的には、アノード液を循環させるに際して、ポンプ５２ａを駆動させるとともに、バルブ７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７５ｄ，７５ｅ，７５ｆ，７５ｇ，７５ｈ，７５ｉを開弁状態にする。これにより、タンク５０のアノード液は、流路７０ａを流動した後に、流路７０ａ１，７０ａ２，７０ａ３，７０ａ４を流動して、＃１～＃４のめっき槽１０のアノード室１１に流入する。そして、＃１～＃４のめっき槽１０のアノード室１１のアノード液は、流路７０ｂ１，７０ｂ２，７０ｂ３，７０ｂ４を流動した後に、タンク５０に戻る。

なお、流路７０ａ，７０ａ１，７０ａ２，７０ａ３，７０ａ４は、タンク５０のアノード液をアノード室１１に供給するための「アノード液供給流路」の一例である。また、流路７０ｂ１，７０ｂ２，７０ｂ３，７０ｂ４は、アノード室１１のアノード液をタンク５０に戻すための「アノード液リターン流路」の一例である。また、アノード液供給流路及びアノード液リターン流路は、アノード液をタンク５０とアノード室１１との間で循環させるための「アノード液循環流路」の一例である。

（カソード循環）
また、カソード液を循環させるに際して、具体的には、ポンプ５２ｂを駆動させるとともに、バルブ７５ｊを開弁状態にする。さらに、流路切換えバルブ７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄを、カソード液がカソード室１２に流入するように切り替える。これにより、タンク５１のカソード液は、流路７０ｃを流動した後に、流路７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４を流動して、＃１～＃４のめっき槽１０のカソード室１２に流入する。カソード室１２からオーバーフローしてオーバーフロー槽１９に流入したカソード液は、流路７０ｄ１，７０ｄ２，７０ｄ３，７０ｄ４を流動してタンク５１に戻る。

なお、流路７０ｃ，７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４は、タンク５１のカソード液をカソード室１２に供給するための「カソード液供給流路」の一例である。また、流路７０ｄ１，７０ｄ２，７０ｄ３，７０ｄ４は、カソード室１２のカソード液をタンク５１に戻すための「カソード液リターン流路」の一例である。また、カソード液供給流路及びカソード液リターン流路は、カソード液をタンク５１とカソード室１２との間で循環させるための「カソード液循環流路」の一例である。

なお、ステップＳ２０において、温調器５３ａによって、アノード液の温度を所定の温度範囲内に調整してもよい。同様に、温調器５３ｂによって、カソード液の温度を所定の温度範囲内に調整してもよい。これらの温度範囲の具体的な値は、特に限定されるものではないが、一例を挙げると、３０℃以上７０℃以下の範囲、より具体的には、４０℃以上６０℃以下の範囲を用いることができる。

本実施形態によれば、各々のめっきモジュール４００が複数のめっき槽１０を備えており、且つ、各々のめっきモジュール４００において、複数のめっき槽１０のアノード室１１とタンク５０との間でアノード液が循環し、複数のめっき槽１０のカソード室１２とタンク５１との間でカソード液が循環する構成になっているので、１つのめっきモジュール４００におけるアノード液及びカソード液の循環が、他のめっきモジュール４００におけるアノード液及びカソード液の循環とは独立して行われている。これにより、一部のめっきモジュール４００のメンテナンスを、他のめっきモジュール４００とは独立して行うことができる。具体的には、例えば、他のめっきモジュール４００における基板Ｗｆへのめっき処理の実行中に、一部のめっきモジュール４００のメンテナンスを行うことができる。

なお、ステップＳ２０の実行時において、バルブ７５ｆ，７５ｇ，７５ｈ，７５ｉを調整することで、＃１～＃４のめっき槽１０のアノード室１１の圧力を調整してもよい。この一例を挙げると、例えば、＃１～＃４のめっき槽１０のアノード室１１の圧力がそれぞれ＃１～＃４のめっき槽１０のカソード室１２の圧力と同じ値になるように、バルブ７５ｆ，７５ｇ，７５ｈ，７５ｉを調整してもよい。

具体的には、例えばバルブ７５ｆのバルブ開度を減少させてバルブ７５ｆを通過するアノード液の流量を減少させることで、＃１のめっき槽１０のアノード室１１の圧力を上昇させることができる。一方、バルブ７５ｆのバルブ開度を増加させてバルブ７５ｆを通過するアノード液の流量を増加させることで、＃１のめっき槽１０のアノード室１１の圧力を低下させることができる。このように、バルブ７５ｆのバルブ開度を０％～１００％の範囲内で調整することで、＃１のめっき槽１０のアノード室１１の圧力を調整することができる。これにより、＃１のめっき槽１０のアノード室１１の圧力をカソード室１２の圧力と同じ値にすることができる。

同様に、バルブ７５ｇのバルブ開度を調整することで、＃２のめっき槽１０のアノード室１１の圧力を調整して、このアノード室１１の圧力をカソード室１２の圧力と同じ値にすることができる。また、バルブ７５ｈのバルブ開度を調整することで、＃３のめっき槽１０のアノード室１１の圧力を調整して、このアノード室１１の圧力をカソード室１２の圧力を同じ値にすることができる。また、バルブ７５ｉのバルブ開度を調整することで、＃４のめっき槽１０のアノード室１１の圧力を調整して、このアノード室１１の圧力をカソード室１２の圧力と同じ値にすることができる。

なお、＃１～＃４のめっき槽１０のアノード室１１の圧力は、例えば圧力計８０ａの検出結果に基づいて取得すればよい。また、＃１～＃４のめっき槽１０のカソード室１２の圧力は、例えば圧力計８０ｂの検出結果に基づいて取得すればよい。

＜＜薬液準備処理＞＞
続いて、図５のステップＳ１０に係る薬液準備処理について説明する。ステップＳ１０は、基板Ｗｆへのめっき処理の実行前に実行される。具体的には、本実施形態に係るステップＳ１０は、ステップＳ２０の前に実行される。図６は、薬液準備処理の詳細を説明するためのフロー図である。

（アノード液・カソード液回収ステップ（ステップＳ１０ａ））
薬液準備処理においては、最初に、複数のめっき槽１０のアノード室１１に残存しているアノード液をアノード室１１に連通したタンク５０に戻す、「アノード液回収ステップ」を実行する。また、複数のめっき槽１０のカソード室１２に残存しているカソード液をカソード室１２に連通したタンク５１に戻す、「カソード液回収ステップ」を実行する。

具体的には、アノード液回収ステップにおいては、ポンプ５２ａを停止させた状態で、バルブ７５ｆ，７５ｇ，７５ｈ，７５ｉを開弁状態にすることで、各々のアノード室１１のアノード液を流路７０ｂ１，７０ｂ２，７０ｂ３，７０ｂ４を流通させて、タンク５０に戻す（回収させる）。なお、この場合、アノード室１１のアノード液は重力を利用してタンク５０に戻る。

また、カソード液回収ステップにおいては、ポンプ５２ｂを停止させた状態で、流路７０ｅ１，７０ｅ２，７０ｅ３，７０ｅ４がカソード室１２と連通状態になるように流路切換えバルブ７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄを切り替えることで、各々のカソード室１２のカソード液を流路７０ｅ１，７０ｅ２，７０ｅ３，７０ｅ４を流通させて、タンク５１に戻す（回収させる）。なお、この場合、カソード室１２のカソード液は重力を利用してタンク５１に戻る。

また、本実施形態において、アノード液回収ステップは、アノード室１１に残存するアノード液がアノード室１１の容積の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下となるまで、実行されてもよい。同様に、本実施形態において、カソード液回収ステップは、カソード室１２に残存するカソード液がカソード室１２の容積の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下となるまで、実行されてもよい。

具体的には、本実施形態において、アノード液回収ステップは、予め設定された所定時間の間、実行されてもよい。この所定時間としては、例えば、アノード室１１に残存するアノード液がアノード室１１の容積の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下となるような時間を、予め実験・シミュレーション等を行って、設定すればよい。

同様に、本実施形態において、カソード液回収ステップは、予め設定された所定時間の間、実行されてもよい。この所定時間としては、例えば、カソード室１２に残存するカソード液がカソード室１２の容積の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは１％以下となるような時間を、予め実験・シミュレーション等を行って、設定すればよい。

（アノード・カソード液面レベル判定ステップ（ステップＳ１０ｂ））
次いで、タンク５０に貯留されたアノード液の液面レベルが予め設定された所定レベル以上であるか否かを判定する「アノード液面レベル判定ステップ」と、タンク５１に貯留されたカソード液の液面レベルが予め設定された所定レベル以上であるか否かを判定する「カソード液面レベル判定ステップ」と、を実行してもよい。なお、タンク５０のアノード液の液面レベルは、例えば液面レベルセンサ８１ａの検出結果に基づいて取得すればよい。タンク５１のカソード液の液面レベルは、例えば液面レベルセンサ８１ｂの検出結果に基づいて取得すればよい。

タンク５０のアノード液の「所定レベル」の具体的な値は、特に限定されるものではないが、例えば、アノード室１１をアノード液で満たしつつ、タンク５０とアノード室１１との間でアノード液が循環することが可能な最低限の液面レベル以上の値を用いることができる。

同様に、タンク５１のカソード液の「所定レベル」の具体的な値は、特に限定されるものではないが、例えば、カソード室１２をカソード液で満たしつつ、タンク５１とカソード室１２との間でカソード液が循環することが可能な最低限の液面レベル以上の値を用いることができる。なお、タンク５０のアノード液の液面レベルの判定の基準値である「所定レベル」と、タンク５１のカソード液の液面レベルの判定の基準値である「所定レベル」は、同じ値であってもよく、異なる値であってもよい。

（アノード液・カソード液補給ステップ（ステップＳ１０ｃ））
タンク５０に貯留されたアノード液の液面レベルが所定レベル未満である場合には、タンク５０に貯留されたアノード液の液面レベルが所定レベル以上になるように、アノード液をタンク５０に補給する「アノード液補給ステップ」を実行することが好ましい。また、タンク５１に貯留されたカソード液の液面レベルが所定レベル未満である場合には、タンク５１に貯留されたカソード液の液面レベルが所定レベル以上になるように、カソード液をタンク５１に補給する「カソード液補給ステップ」を実行することが好ましい。

具体的には、前述したステップＳ１０ｂに係るアノード液面レベル判定ステップにおいて、タンク５０に貯留されたアノード液の液面レベルが所定レベル以上であると判定されなかった場合（アノード液の液面レベルが所定レベル未満である場合）、ステップＳ１０ｃに係るアノード液補給ステップにおいて、アノード液供給装置５７ａからアノード液を供給させるとともに、バルブ７５ｌを開弁状態にする。これにより、アノード液供給装置５７ａから供給されたアノード液は、流路７０ｇ１を流通して、タンク５０に補給される。この処理は、タンク５０に貯留されたアノード液の液面レベルが所定レベル以上になるまで実行される。

同様に、前述したステップＳ１０ｂに係るカソード液面レベル判定ステップにおいて、タンク５１に貯留されたカソード液の液面レベルが所定レベル以上であると判定されなかった場合（カソード液の液面レベルが所定レベル未満である場合）、ステップＳ１０ｃに係るカソード液補給ステップにおいて、カソード液供給装置５７ｂからカソード液を供給させるとともに、バルブ７５ｍを開弁状態にする。これにより、カソード液供給装置５７ｂから供給されたカソード液は、流路７０ｇ２を流通して、タンク５１に補給される。この処理は、タンク５１に貯留されたカソード液の液面レベルが所定レベル以上になるまで実行される。

（カソードバイパス循環ステップ（ステップＳ１０ｄ））
ステップＳ１０ｂの判定の結果、タンク５１に貯留されたカソード液の液面レベルが所定レベル以上である場合、タンク５１に貯留されたカソード液を、カソード室１２をバイパスさせて流通させた後にタンク５１に戻す、「カソードバイパス循環ステップ」を実行することが好ましい。なお、本実施形態に係るステップＳ１０ｄは、少なくとも後述するステップＳ１０ｆの前に実行される（図６においては、さらに後述するステップＳ１０ｅの前に実行されている）。

具体的には、ステップＳ１０ｄにおいて、ポンプ５２ｂを運転させるとともに、バルブ７５ｊを開弁状態にし、その他のバルブを閉弁状態にし、且つ、流路切換えバルブ７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄを、流路７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４と流路７０ｅ１，７０ｅ２，７０ｅ３，７０ｅ４とが連通するように切り替える。

これにより、タンク５１に貯留されたカソード液は、流路７０ｃを流通して、温調器５３ｂ、フィルター５４を流通する。そして、このフィルター５４を流通したカソード液は、流路７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４を流通した後に流路７０ｅ１，７０ｅ２，７０ｅ３，７０ｅ４を流通して（すなわち、カソード室１２をバイパスして）、タンク５１に戻る。なお、本実施形態に係るステップＳ１０ｄは、予め設定された所定時間、実行される。

なお、流路７０ｃ，７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４，７０ｅ１，７０ｅ２，７０ｅ３，７０ｅ４は、タンク５１に貯留されたカソード液を、カソード室１２をバイパスさせて流通させた後にタンク５１に戻すための「カソード液バイパス流路」の一例である。

また、ステップＳ１０ｄにおいて、温調器５３ｂは、流路を流通するカソード液の温度を所定の温度範囲内に調整してもよい。この温度範囲の具体的な値は、特に限定されるものではないが、一例を挙げると、３０℃以上７０℃以下の範囲、より具体的には、４０℃以上６０℃以下の範囲を用いることができる。

本実施形態によれば、ステップＳ１０ｄに係るカソードバイパス循環ステップにおいてカソード液が流通している間に、カソード液に含まれる気泡の量を低減させることができる。これにより、この後に行われる、後述するステップＳ１０ｆに係るタンク５１とカソード室１２との間におけるカソード液の循環時に、カソード室１２に供給されるカソード液に含まれる気泡の量を低減させることができる。これにより、例えば、イオン抵抗体１４に多量の気泡が付着することを抑制することができる。

（アノード液循環ステップ（ステップＳ１０ｅ））
次いで、ステップＳ１０ｅにおいて、タンク５０とアノード室１１との間でアノード液を循環させる、「アノード液循環ステップ」を実行する。これにより、アノード室１１をアノード液で満たすことができる。

具体的には、ステップＳ１０ｅにおいて、ポンプ５２ａを運転させるとともに、バルブ７５ａ，７５ｂ，７５ｃ，７５ｄ，７５ｅ，７５ｆ，７５ｇ，７５ｈ，７５ｉを開弁状態にし、他のバルブを閉弁状態にする。これにより、タンク５０のアノード液は、流路７０ａを流通して温調器５３ａを流通した後に、流路７０ａ１，７０ａ２，７０ａ３，７０ａ４を流通して各々のアノード室１１に流入する。アノード室１１を流通したアノード液は、流路７０ｂ１，７０ｂ２，７０ｂ３，７０ｂ４を流通して、タンク５０に戻る。

また、ステップＳ１０ｅは、少なくともステップＳ１０ａの終了後に実行される。具体的には、本実施形態に係るステップＳ１０ｅは、ステップＳ１０ａの終了後であって、ステップＳ１０ｂにおいてタンク５０に貯留されたアノード液の液面レベルが所定レベル以上であると判定された場合に、実行されており、より具体的には、さらにステップＳ１０ｄの終了後に実行されている。

ステップＳ１０ｅにおいて、温調器５３ａは、タンク５０からアノード室１１に向けて流通するアノード液の温度を所定の温度範囲内に調整してもよい。この温度範囲の具体的な値は、特に限定されるものではないが、一例を挙げると、３０℃以上７０℃以下の範囲、より具体的には、４０℃以上６０℃以下の範囲を用いることができる。この構成によれば、タンク５０からアノード室１１に向けて流通するアノード液の温度を早期に所定の温度範囲内にすることができる。

（カソード液循環ステップ（ステップＳ１０ｆ））
ステップＳ１０ａの終了後（カソード室１２に残存するカソード液をタンク５１に戻した後）であって、ステップＳ１０ｅに係るアノード液循環ステップが開始された後に、ステップＳ１０ｆにおいて、タンク５１とカソード室１２との間でカソード液を循環させる、「カソード液循環ステップ」を実行する。これにより、カソード室１２をカソード液で満たすことができる。

具体的には、ステップＳ１０ｆにおいて、ポンプ５２ｂを運転させるとともに、バルブ７５ｊを開弁状態に制御し、その他のバルブを閉弁状態にし、流路切換えバルブ７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄを、流路７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４を流通したカソード液がカソード室１２に流入するように切り替える。

これにより、タンク５１に貯留されたカソード液は、流路７０ｃを流通して、温調器５３ｂ、及び、フィルター５４を流通する。このフィルター５４を流通したカソード液は、流路７０ｃ１，７０ｃ２，７０ｃ３，７０ｃ４を流通した後に、各々のカソード室１２に流入する。カソード室１２を流通したカソード液（具体的には、カソード室１２からオーバーフローしてオーバーフロー槽１９に流入したカソード液）は、流路７０ｄ１，７０ｄ２，７０ｄ３，７０ｄ４を流通して、タンク５１に戻る。

ステップＳ１０ｆにおいて、温調器５３ｂは、タンク５１からカソード室１２に向けて流通するカソード液の温度を所定の温度範囲内に調整してもよい。この温度範囲の具体的な値は、特に限定されるものではないが、一例を挙げると、３０℃以上７０℃以下の範囲、より具体的には、４０℃以上６０℃以下の範囲を用いることができる。この構成によれば、タンク５１からカソード室１２に向けて流通するカソード液の温度を早期に所定の温度範囲内にすることができる。

また、ステップＳ１０ｆはステップＳ１０ｅが開始された後に開始されればよく、例えば、ステップＳ１０ｆの実行中に、ステップＳ１０ｅが継続して実行されていてもよい。換言すると、ステップＳ１０ｅに係るアノード液循環ステップが開始され、このアノード液循環ステップが実行されている最中に、ステップＳ１０ｆに係るカソード液循環ステップの実行が開始され、その後は、アノード液循環ステップとカソード液循環ステップとが共に実行されてもよい。

また、ステップＳ１０ｆは、ステップＳ１０ｅが開始された後において、アノード室１１がアノード液で満たされた後に、開始されることが好ましい。具体的には、この場合、例えば、ステップＳ１０ｅの開始から予め設定された所定時間が経過した後に、ステップＳ１０ｆを開始してもよい。この所定時間としては、例えば、アノード室１１がアノード液で満たされるのに十分な時間を予め求めておき、このようにして求められた時間を用いればよい。

なお、例えばステップＳ１０ｆの実行中に、めっき添加剤をタンク５１に補給すること（これを「添加剤補給ステップ」と称する）を行ってもよい。具体的には、この添加剤補給ステップにおいて、添加剤供給装置５７ｃにめっき添加剤の供給を開始させるとともに、バルブ７５ｎを開弁状態に制御する。これにより、添加剤供給装置５７ｃから供給されためっき添加剤は流路７０ｇ３を流通してタンク５１に補給される。

また、例えばステップＳ１０ｆの実行中に、上述した添加剤補給ステップに加えて、又は、添加剤補給ステップに代えて、金属イオンをタンク５１に補給すること（これを、「金属イオン補給ステップ」と称する）を行ってもよい。具体的には、この金属イオン補給ステップにおいて、金属イオン供給装置５７ｄに金属イオンを含む溶液の供給を開始させるとともに、バルブ７５ｏを開弁状態に制御する。これにより、金属イオン供給装置５７ｄから供給された金属イオンを含む溶液は流路７０ｇ４を流通してタンク５１に補給される。

以上説明したような本実施形態によれば、ステップＳ１０に係る薬液準備処理において、タンク５０とアノード室１１との間のアノード液の循環（アノード液循環ステップ）が、タンク５１とカソード室１２との間のカソード液の循環（カソード液循環ステップ）よりも先に開始されるので、アノード室１１の圧力上昇をカソード室１２の圧力上昇よりも先に開始させることができる。これにより、例えば、カソード液循環ステップがアノード液循環ステップよりも先に開始されて、カソード室１２の圧力上昇がアノード室１１の圧力上昇よりも先に開始される場合に比較して、めっき槽１０の内部に配置された膜４０がカソード室１２の圧力によって下方に変形することを抑制することができる。

以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。

１０めっき槽
１１アノード室
１２カソード室
１３アノード
４０膜
５０タンク（アノード液タンク）
５１タンク（カソード液タンク）
５２ａ，５２ｂポンプ
５３ａ温調器
５３ｂ温調器（第２の温調器）
５４フィルター
５７ａアノード液供給装置
５７ｂカソード液供給装置
７０ａ～７０ｇ４流路
７５ａ～７５ｏバルブ
７７ａ～７７ｄ流路切換えバルブ
４００めっきモジュール
１０００めっき装置
Ｗｆ基板
Ｐｓめっき液（アノード液、カソード液）

Claims

めっき槽の内部における膜よりも下方に区画されたアノード室に残存するアノード液を、アノード液を貯留するためのアノード液タンクに戻すこと、
前記めっき槽の内部における前記膜よりも上方に区画されたカソード室に残存するカソード液を、カソード液を貯留するためのカソード液タンクに戻すこと、
前記アノード室に残存するアノード液を前記アノード液タンクに戻した後に、前記アノード液タンクと前記アノード室との間でアノード液を循環させること、及び、
前記カソード室に残存するカソード液を前記カソード液タンクに戻した後であって、前記アノード液タンクと前記アノード室との間におけるアノード液の循環が開始された後に、前記カソード液タンクと前記カソード室との間でカソード液を循環させること、を含む、めっき装置のメンテナンス方法。
前記アノード液タンクに貯留されたアノード液の液面レベルが予め設定された所定レベル未満である場合に、前記アノード液タンクに貯留されたアノード液の液面レベルが当該所定レベル以上になるように、アノード液供給装置から供給されたアノード液を前記アノード液タンクに補給すること、をさらに含む、請求項１に記載のめっき装置のメンテナンス方法。
前記アノード液タンクと前記アノード室との間でアノード液を循環させることは、前記アノード室に残存するアノード液を前記アノード液タンクに戻した後であって、且つ、前記アノード液タンクに貯留されたアノード液の液面レベルが前記所定レベル以上である場合に、実行される、請求項２に記載のめっき装置のメンテナンス方法。
前記カソード液タンクに貯留されたカソード液の液面レベルが予め設定された所定レベル未満である場合に、前記カソード液タンクに貯留されたカソード液の液面レベルが当該所定レベル以上になるように、カソード液供給装置から供給されたカソード液を前記カソード液タンクに補給すること、をさらに含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のめっき装置のメンテナンス方法。
前記カソード液タンクに貯留されたカソード液の液面レベルが前記所定レベル以上である場合に、前記カソード液タンクに貯留されたカソード液を前記カソード室をバイパスさせて流通させた後に前記カソード液タンクに戻すことを、前記カソード液タンクと前記カソード室との間でカソード液を循環させることの前に、さらに含む、請求項４に記載のめっき装置のメンテナンス方法。
前記アノード液タンクと前記アノード室との間でアノード液を循環させることは、前記アノード液タンクから前記アノード室に向けて流通するアノード液の温度を、温調器によって、所定の温度範囲内に調整することを含む、請求項１～５のいずれか１項に記載のめっき装置のメンテナンス方法。
前記カソード液タンクと前記カソード室との間でカソード液を循環させることは、前記カソード液タンクから前記カソード室に向けて流通するカソード液の温度を、温調器によって、所定の温度範囲内に調整することを含む、請求項１～６のいずれか１項に記載のめっき装置のメンテナンス方法。