TWI681454B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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TWI681454B TW107144345A TW107144345A TWI681454B TW I681454 B TWI681454 B TW I681454B TW 107144345 A TW107144345 A TW 107144345A TW 107144345 A TW107144345 A TW 107144345A TW I681454 B TWI681454 B TW I681454B
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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可抑制被循環供給至基板的處理液之濃度降低。
配合根據配置於顯影槽21之底面2B上的第一濃度計M1所測定之顯影液之濃度，藉由隔板移動機構12使隔板11沿搬送方向移動，藉此變更自被朝水平方向所搬送之基板S上面所流下之顯影液DL的回收範圍。其結果，可抑制在水洗槽31被供給至基板S之純水混入至循環供給於顯影噴嘴22的顯影液。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種例如對液晶顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)用玻璃基板等之基板進行顯影處理之後，進行水洗處理之基板處理裝置及基板處理方法。
例如，專利文獻1記載有一種基板處理裝置，其於顯影處理槽內對藉由複數個搬送輥一面水平支撐一面被朝水平方向所搬送之基板之上面供給顯影液。藉由顯影液被盛液於基板之上面，實施所謂液置式顯影處理(puddle development process)。作為用以盛液顯影液的噴嘴，例如採用專利文獻2記載之噴嘴。
於上述基板處理裝置中，基板係藉由複數個搬送輥自顯影處理槽被搬入至水洗槽內。於該水洗槽內朝被搬入之基板供給水洗水，對殘留於基板上之顯影液進行沖洗。此外，於顯影處理槽中，對被供給至基板且自基板所流下之顯影液進行回收。該被回收之顯影液係循環供給噴嘴而進行再利用。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2005-64312號公報(例如圖1)
專利文獻2：日本專利特開2002-324751號公報(例如圖4)
當基板自顯影處理槽朝水洗槽移動時，水洗水有可能順著基板之上面逆流至顯影處理槽內。該所逆流之水洗水混入至顯影液中。其結果，被回收而被循環供給至噴嘴的顯影液之濃度因水洗水而變薄。若將如上述濃度變薄之顯影液供給至基板，會產生顯影能力降低之類的問題。雖然對處理液為顯影液之情況進行了說明，但上述問題於採用處理液為蝕刻、剝離液等之其他處理液之情況，也同樣會產生。
爰此，鑑於如上述之問題點，本發明之目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可抑制被循環供給至基板的處理液之濃度降低。
第一發明(基板處理裝置)，其具備有：搬送部，其一面水平支撐基板一面朝水平方向搬送基板；第一供給部，其朝藉由搬送部所搬送之基板供給第一處理液；第一回收部，其回收藉由第一供給部所供給且自基板所流下的第一處理液；循環供給部，其將藉由第一回收部所回收的第一處理液循環供給至第一供給部；除去部，其將藉由第一供給部所供給且附著於藉由搬送部所搬送之基板上的第一處理液除去；第二供給部，其於搬送部之搬送方向之較除去部靠下游側，供給與第一處理液不同之種類的第二處理液；第二回收部，其回收藉由第二供給部所供給且自基板所流下的第二處理液；第一濃度測定部，其測定自第一回收部在循環供給部中之第一 處理液之濃度；及回收範圍變更部，其配合第一濃度測定部之測定結果，變更藉由第一回收部所進行之在上述搬送方向上之回收範圍。
第二發明，係於第一發明中，更具備有：第一處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第一供給部供給第一處理液的第一處理室；及第二處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第二供給部供給第二處理液的第二處理室，且第一回收部包含有第一處理槽之第一底面，並且第二回收部包含有第二處理槽之第二底面，上述回收範圍變更部，係具有分隔第一底面與第二底面的間隔構件、及配合第一濃度測定部之測定結果而使間隔構件沿搬送方向移動的間隔構件移動機構。
第三發明，係於第二發明中，藉由間隔構件移動機構所移動之間隔構件之移動範圍，係在自除去部之配置位置至第二供給部之配置位置間的範圍內。
第四發明，係於第一發明中，更具備有：第一處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第一供給部供給第一處理液的第一處理室；及第二處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第二供給部供給第二處理液的第二處理室，第一回收部包含有第一處理槽之第一底面，並且第二回收部包含有第二處理槽之第二底面，上述回收範圍變更部具有：複數個間隔構件，其等分隔第一底面與第二底面，並且沿搬送方向所設置；預備回收配管，其流路連接被配置於搬送方向下游側的間隔構件之上游側與循環供給部；及閥，其配合第一濃度測定部之測定結果，開閉預備回收配管之流路。
第五發明，係於第四發明中，複數個間隔構件中之配置於最上游側之間隔構件至配置於最下游側之間隔構件之範圍，係在自除去部之配置位置至第二供給部之配置位置間的範圍內。
第六發明(基板處理方法)，其包含有以下之步驟：第一供給步驟，其自第一供給部朝一面被水平支撐一面朝水平方向搬送的基板供給第一處理液；第一回收步驟，其回收藉由第一供給步驟所供給且自基板所流下的第一處理液；循環供給步驟，其將藉由第一回收步驟所回收之第一處理液循環供給至第一供給部；除去步驟，其於第一供給步驟之後，將附著於一面被水平支撐一面朝水平方向被搬送之基板上的第一處理液除去；第二供給步驟，其於除去步驟之後，朝一面被水平支撐一面朝水平方向被搬送之基板，供給與第一處理液不同種類之第二處理液；第二回收步驟，其回收藉由第二供給步驟所供給且自基板所流下的第二處理液；第一濃度測定步驟，其測定在自第一回收步驟至循環供給步驟中之第一處理液之濃度；及回收範圍變更步驟，其配合第一濃度測定步驟之測定結果，變更藉由第一回收部所進行之在上述水平方向即搬送方向上之回收範圍。
根據第一發明至第六發明中任一項之發明，可抑制被循環供給於基板之處理液之濃度降低。
2‧‧‧顯影部
2B‧‧‧顯影槽之底面
3‧‧‧水洗部
3B‧‧‧水洗槽之底面
4‧‧‧除液部
5‧‧‧控制部
6‧‧‧搬送部
8a~8c‧‧‧閥
9a~9c‧‧‧預備回收配管
11、11a~11d‧‧‧隔板(間隔構件)
12‧‧‧隔板移動機構(間隔構件移動機構)
21‧‧‧顯影槽(第一處理槽)
22‧‧‧顯影噴嘴(第一供給部)
23‧‧‧排液配管
24‧‧‧循環儲液箱
25‧‧‧回流配管
26‧‧‧泵
27‧‧‧風刀(除去部)
28‧‧‧供給配管
29‧‧‧閥
31‧‧‧水洗槽(第二處理槽)
32‧‧‧液刀(第二供給部)
33‧‧‧廢液配管
34‧‧‧噴霧式噴嘴
36‧‧‧供給配管
37‧‧‧閥
41‧‧‧除液槽
44‧‧‧上部風刀
45‧‧‧下部風刀
61‧‧‧搬送輥
71‧‧‧移動滑塊
72‧‧‧螺桿軸
73‧‧‧馬達
74‧‧‧軸承
75‧‧‧第一磁鐵
76‧‧‧第二磁鐵
77‧‧‧導軌
81‧‧‧閥
82‧‧‧配管
83‧‧‧預備回收配管
84‧‧‧配管
90‧‧‧循環供給部
93‧‧‧配管
94‧‧‧閥
100、100a‧‧‧基板處理裝置
AR1‧‧‧回收範圍
AR2‧‧‧回收範圍
CG‧‧‧純水供給源
CL‧‧‧純水
DG‧‧‧顯影液供給源
DL‧‧‧顯影液
DR‧‧‧廢液部
EO‧‧‧搬出口
FO‧‧‧搬入口
GG‧‧‧氣體供給源
LS‧‧‧左側壁
M1‧‧‧第一濃度計
M2‧‧‧第二濃度計
M3‧‧‧第三濃度計
PO‧‧‧搬出口
R1‧‧‧第一處理室
R2‧‧‧第二處理室
RS‧‧‧右側壁
S‧‧‧基板
圖1為顯示本發明之第一實施形態之基板處理裝置之概略側視圖。
圖2(a)及(b)為用以說明間隔構件移動機構之動作之概略俯視圖。
圖3為顯示第一實施形態之電性連接關係之方塊圖。
圖4為顯示第一實施形態之動作之流程圖。
圖5為顯示第二實施形態之基板處理裝置之概略側視圖。
圖6為顯示第二實施形態之電性連接關係之方塊圖。
圖7為顯示第二實施形態之動作之流程圖。
圖8為顯示第二實施形態之變形例之概略側視圖。
以下，參照所附圖式，對本發明之實施形態進行說明。圖1為顯示本發明之第一實施形態之基板處理裝置100之概略側視圖。該基板處理裝置100，係藉由顯影部2、水洗部3及除液部4，分別對一面藉由搬送部6支撐為水平姿勢一面朝沿其表面之Y方向(水平方向)搬送之基板S實施處理之裝置。此外，基板處理裝置100，具備用以全面地控制裝置的控制部5。
基板S例如為俯視時呈矩形之液晶顯示裝置用玻璃基板。此外，基板S也可為有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置用玻璃基板、太陽能電池用平板基板、PDP(Plasma Display Panel)用玻璃基板、或半導體製造裝置用光罩基板等。
搬送部6係具備有相互平行地沿Y方向排列配置之複數個搬送輥61。複數個搬送輥61係分別設置於顯影部2之顯影槽21、水洗部3之水洗槽31及除液部4之除液槽41內。此外，雖然省略圖示，但於顯影槽21之搬送方向之上游側(-Y側)及除液槽41之下游側(+Y側)也分別設置有複數個搬送輥61。複數個搬送輥61，係藉由未圖示之驅動部分別被繞其軸心旋轉驅動。
顯影部2對基板S實施顯影處理。更具體而言，顯影部2係對形成於基板S之上面且被曝光有既定圖案的光阻膜實施顯影處理。顯影部2係在內部具備有用以形成顯影處理空間(第一處理室R1)的大致箱形之顯影槽21(第一處理槽)。於顯影槽21之基板S之搬送方向上游側(-Y側)設置有用以將基板S搬入至顯影槽21內的搬入口FO。此外，顯影槽21之基板S之搬送方向下游側(+Y側)之下游側壁，係以能自顯影槽21內搬出基板S之方式局部地開放。
於顯影槽21內之搬送輥61之上側(+Z側)且靠近搬入口FO之位置，配置有第一供給部即顯影噴嘴22。顯影噴嘴22係具有朝X方向延伸之用以朝圖示中斜右下方吐出顯影液的細縫狀之吐出口。該吐出口係具有與基板S之寬度尺寸(X方向尺寸)對應之長度。
自顯影噴嘴22朝藉由搬送部6而向下游側(+Y側)被搬送之基板S之上面吐出顯影液，以盛液狀態(液置狀態)朝基板上面供給顯影液(第一供給步驟)。在上述專利文獻2(日本專利特開2002-324751號公報)中記載有該顯影液之供給動作等。
顯影部2係具備有對顯影噴嘴22循環供給顯影液之循環供給部90。循環供給部90係具有一端開口於顯影槽21之底面2B的排液配管23。排液配管23之另一端係流路連接於循環儲液箱24。循環儲液箱24係暫時蓄積顯影液DL之儲液箱。回流配管25係流路連接於循環儲液箱24與顯影噴嘴22。於回流配管25插入有泵26。
自基板S之上面流下至顯影槽21之底面2B的顯影 液DL，係經由排液配管23而被回收於循環儲液箱24內(第一回收步驟)。循環儲液箱24內之顯影液DL，係藉由泵26驅動而朝顯影噴嘴22被輸送，然後自吐出口吐出(循環供給步驟)。如上述般自顯影噴嘴22供給於基板S等之顯影液，係經由循環供給部90再度自顯影噴嘴22吐出。
供給配管93係流路連接於顯影液供給源DG與循環儲液箱24。於供給配管93設置有開閉流路之閥94。若開啟閥94，則顯影液之新液自顯影液供給源DG被補充至循環儲液箱24。該補充動作係於顯影液之濃度降低至不能實施所期望之顯影處理之程度之情況、將顯影液完全換成新液之情況等下被執行。
於顯影槽21內之搬送輥61之上側(+Z側)且靠近下游側壁之位置，配置有除去部即風刀27。風刀27係具有朝X方向延伸之用以朝圖示中正下方吐出層狀之空氣(氣體)的細縫狀之吐出口。該吐出口係具有與基板S之寬度尺寸(X方向尺寸)對應之長度。風刀27係經由供給配管28流路連接於氣體供給源GG。於供給配管28插入有用以開閉流路之閥29。
當上面盛液有顯影液DL且藉由搬送部6朝下游側(+Y側)被搬送的基板S通過風刀27之下方時，可將盛液於基板S且附著於基板S之上面的顯影液DL自基板S上除去(除去步驟)。具體而言，自風刀27所吐出之空氣之層流係撞擊基板S之上面。若基板S於該狀態下朝下游側被搬送，則基板S上之顯影液DL與基板S一起朝下游側移動的情況被空氣層流所阻擋。其結果，隨著基板S之搬送而基板S上之顯影液DL係自基板S之兩側面側、上游側流下，而自基板S上被除去。
於顯影槽21之底面2B配置有第一濃度計M1。第一濃度計M1例如為電導儀，用以測定顯影液之濃度。若顯影液之濃度高，則第一濃度計M1顯示高的導電率，若顯影液之濃度低，則第一濃度計M1顯示低的導電率。較佳為，第一濃度計M1配置於顯影槽21內之下游側、即後述之水洗水(純水)有可能混入至顯影液中的水洗部3側。於循環儲液箱24之內部亦配置有第二濃度計M2。該第二濃度計M2例如為電導儀，用以測定蓄積於循環儲液箱24內之顯影液DL之濃度。
水洗部3係對基板S實施水洗處理。水洗部3係於其之內部具備有用以形成水洗處理空間(第二處理室R2)的大致箱形之水洗槽31(第二處理槽)。水洗槽31之基板S之搬送方向上游側(-Y側)之上游壁，係以能將基板S搬入至水洗槽31內之方式局部開放。此外，於水洗槽31之基板S之搬送方向下游側(+Y側)係設置有用以自水洗槽31內搬出基板S的搬出口PO。
於水洗槽31內之搬送輥61之上側(+Z側)且上游側之位置配置有液刀32。液刀32係朝圖示中斜右下方呈層狀地吐出與顯影液不同之處理液即純水作為水洗水。此外，液刀32係具有朝X方向延伸之用以呈層狀地吐出純水的細縫狀之吐出口。該吐出口係具有與基板S之寬度尺寸(X方向尺寸)對應之長度。自液刀32朝基板S之上面所吐出之純水，係一面於較該吐出位置靠下游側之基板S之上面形成純水之液膜，一面自基板S之兩側面側或下游端側流下(第二供給步驟)。液刀32之純水之吐出方向朝向下游側，係為了阻止基板S上之純水CL順著基板S之上面而朝上游側逆流之情況。
於液刀32之下游側，沿Y方向排列配置有複數個噴霧式噴嘴34。於噴霧式噴嘴34上，沿與基板S之搬送方向即Y方向正交之基板S之寬度方向即X方向設置有複數個未圖示之吐出口。噴霧式噴嘴34，係自複數個吐出口朝藉由複數個搬送輥61所搬送之基板S之上面(表面)呈霧狀地吐出純水等之水洗液。此外，為了水洗基板S之下面(背面)，也可於水洗槽31內之搬送輥61之下側(-Z側)沿Y方向排列配置複數個噴霧式噴嘴。
供給配管36之一端係流路連接於純水供給源CG。於供給配管36插入有閥37，於該插入位置之下游側，供給配管36係被分歧為複數根配管。該複數根分歧配管之另一端係分別流路連接於液刀32、及複數個噴霧式噴嘴34。若開啟閥37，即可自純水供給源CG且經由供給配管36而自液刀32及複數個噴霧式噴嘴34吐出純水。
廢液配管33之一端，係朝水洗槽31之底面3B開口，另一端係流路連接於廢液部DR。自液刀32及複數個噴霧式噴嘴34所吐出且供給至基板S上然後自基板S流下而到達至底面3B的純水、不經由基板S而到達至底面3B的純水，係經由廢液配管33朝廢液部DR被廢棄(第二回收步驟)。
於水洗槽31之底面3B上配置有第三濃度計M3。第三濃度計M3係例如為電導儀，用以測定混入至位於底面3B上之純水CL中的顯影液之濃度。較佳為，第三濃度計M3之配置位置，係配置於水洗槽31內之上游側、即顯影液有可能混入至純水CL的顯影部2側。
如圖1中實線所示，隔板11(間隔構件)，係例如為立 設於水洗槽31之底面3B上的板狀之構件。隔板11係可移動自如地被配置於包含以實線所示之下游側之位置與以一點鏈線所示之上游側之位置之間之範圍內。隔板11係橫貫寬度方向(X方向)將顯影槽21之底面2B與水洗槽31之底面3B隔開，作為用以不使底面2B上所被回收之顯影液DL與底面3B上所被回收之純水CL混合之堤防而發揮作用。如此，只要作為堤防而發揮作用，也可不是板狀之隔板11而採用其他形狀之構件作為間隔構件。隔板11之上端，係被設定於較藉由複數個搬送輥61所搬送之基板S之下面之高度位置低之位置。
隔板11係藉由隔板移動機構12沿Y方向移動而配置於所期望之位置。隔板11之移動範圍，較佳為如上述般設定於顯影液DL與純水CL有可能混合之範圍內。例如，較佳為，將自基板S之搬送方向即Y方向上之風刀27之配置位置至液刀32之配置位置之間設為隔板11之移動範圍。關於隔板移動機構12，容待後續進行說明。
除液部4係實施自表面除去附著於基板S之表面之水洗水即純水，並且自背面除去附著於基板S之背面之純水的除液處理。除液部4係於其之內部具備有用以形成除液處理空間的大致箱形之除液槽41。於除液槽41之-Y側設置有與水洗槽31之搬出口PO連通而用以將基板S搬入至除液槽41內的搬入口PO。此外，於除液槽41之+Y側設置有用以將基板S自除液槽41內搬出的搬出口EO。
於除液槽41之內部，配置有上下一對之上部風刀44及下部風刀45。上部風刀44係配置於藉由複數個搬送輥61所搬送 之基板S之上方。此外，上部風刀44係具備有與基板S之上面對向且朝X方向延伸的細縫狀之吐出口，自該吐出口而橫貫基板S之X方向供給朝向下方且上游側的空氣流。同樣地，下部風刀45係具備有與基板S之下面對向且朝X方向延伸的細縫狀之吐出口，自該吐出口且橫貫基板S之X方向供給朝向上方且上游側的空氣流。其結果，附著於基板S之上下兩面的純水藉由空氣流吹飛除去進而被除液。
其次，使用圖2對隔板移動機構12進行說明。圖2為用以說明間隔構件移動機構之動作之概略俯視圖。圖2(a)顯示在圖1中以實線所示之位置上配置有隔板11之狀態。圖2(b)顯示在圖1中以一點鏈線所示之位置上配置有隔板11之狀態。
隔板移動機構12係利用滾珠螺桿機構，且如圖2所示具有螺帽即移動滑塊71。於移動滑塊71螺合有螺桿軸72。螺桿軸72之一端係與馬達73之旋轉軸連動連結，另一端係藉由軸承74而可旋轉自如地被支撐。此外，於移動滑塊71內置有第一磁鐵75。
隔板移動機構12，係具有自顯影槽21之底面2B沿Y方向朝水洗槽31之底面3B所延設的一對導軌77。一對導軌77係可滑動自如地支撐隔板11之下端。隔板11係被設為自藉由顯影槽21之左側壁及水洗槽31之左側壁所構成之左側壁LS之內表面橫貫至藉由顯影槽21之右側壁及水洗槽31之右側壁所構成之右側壁RS之內表面。上述滾珠螺桿機構係安裝於右側壁之外面。
於隔板11之右側內表面側，以隔著右側壁RS而與第一磁鐵75對向之方式內置有第二磁鐵76。由於第二磁鐵76具有與第一磁鐵75相反之磁極，因此第一磁鐵75與第二磁鐵76係隔 著右側壁RS而相互吸引。其結果，移動滑塊71與隔板11一體地移動。如此藉由利用磁力，無需於側壁等開設孔等便可傳遞驅動力，因此可防止顯影液、純水洩漏至槽外。
若自圖2(a)所示之狀態藉由馬達73旋轉驅動螺桿軸72，則移動滑塊71朝上游側(-Y方向)移動。伴隨該移動滑塊71之移動，隔板11朝上游側移動。然後，停止馬達73之驅動，使隔板11停在所期望之位置例如圖2(b)所示之位置(回收範圍變更步驟)。藉由隔板移動機構12所進行之隔板11之可動範圍，係自較圖2(a)所示之位置(圖1中以實線所示之位置)靠下游側之位置至較圖2(b)所示之位置(圖1中以一點鏈線所示之位置)靠上游側之位置間之範圍。此外，其被構成為可藉由隔板移動機構12而使隔板11停止於該範圍內之任意位置上。
其中，回收顯影液的第一回收部，係由底面2B、3B、隔板11之上游側面、左側壁LS之內表面、右側壁RS之內表面、及顯影槽21之上游側壁之內表面所形成。此外，回收水洗水(純水)的第二回收部，係由底面3B、隔板11之下游側面、左側壁LS之內表面、右側壁RS之內表面、及水洗槽31之下游側壁之內表面所形成。
如上述藉由使隔板11朝上游側移動，相較於圖2(a)所示之回收顯影液之第一回收部之回收範圍AR1，圖2(b)所示之回收範圍AR2在俯視下相對更小。如此，隔板11及隔板移動機構12等，係作為變更第一回收部之在搬送方向上的回收範圍之回收範圍變更部而發揮作用。
圖3為顯示上述基板處理裝置100之電性連接關係之 方塊圖。控制部5係具備有：ROM(Read Only Memory)，其儲存有裝置之控制所必須之動作程式；RAM(Random Access Memory)，其於控制時暫時地被儲存有資料等；及CPU(Central Processing Unit)等，其執行邏輯運算並全面地控制各部分。此外，於控制部5上電性連接有搬送部6、泵26、第一濃度計M1、第二濃度計M2、第三濃度計M3、各閥29、37、94及馬達73等。
接著，對第一實施形態之基板處理裝置100之動作進行說明。基板處理裝置100，係藉由搬送部6一面水平地支撐基板S一面朝下游側搬送基板S。於該基板S之搬送途中，如上述於顯影部2中且在顯影槽21內，自顯影噴嘴22所供給之顯影液係被供給且盛液於基板S之上面。然後，藉由風刀27除去顯影液之後，將基板S搬入至水洗部3。
於水洗部3中且在水洗槽31內，藉由液刀32呈層狀地朝基板S之上面供給純水。然後，藉由噴霧式噴嘴34以噴霧方式朝基板S供給純水之後，將基板S搬入至除液部4。於除液部4中且在除液槽41內，藉由上部風刀44及下部風刀45除去附著於基板S之上下兩面的純水之後，將基板S自除液槽41內搬出。
其中，為了提高顯影部2之顯影液之循環效率，較佳為提高顯影液之回收效率。為了提高顯影液之回收效率，較佳為，如圖2(a)所示般將隔板11之配置位置配置於下游側而擴大回收區域。例如，存在有以下之情況：在通過風刀27之配置位置至液刀32之配置位置間之範圍內的基板S之上面，殘留有藉由風刀27而無法完全除去的微量之顯影液。該殘留之顯影液有可能於上述範圍內流下。此外，還存在以下之情況：自位於較風刀27之配置位置 靠上游側之基板S之上面所流下的顯影液之一部分，朝下游側流下。
如上述，為了回收自位於較風刀27靠下游側之上述範圍內等的基板S之上面所流下的顯影液，較佳為，將隔板11配置於較風刀27靠下游側。此外，若將隔板11配置於較液刀32靠下游側，則純水混入至於隔板11之上游側所被回收之顯影液的可能性增高。藉此，即使為了提高顯影液之回收效率而將隔板11配置於下游側，仍以停止在液刀32之配置位置之前為較佳。
另一方面，存在有以下之情況：若於以圖1之實線所示之位置(圖2(a)所示之位置)上配置隔板11，則所被回收之顯影液之濃度會因下面之理由而降低。亦即，於圖1所示之基板S之位置上存在有以下之情況：於自風刀27之配置位置至液刀32之配置位置之範圍內的基板S之上面附著有純水。該純水之附著，可考慮是在基板S之上面因微量之純水朝上游側逆流、於水洗槽31內所飛濺之純水附著於上面而所引起。
如此，若附著於基板S之上面的純水朝較隔板11靠上游側而流下，則純水混入至在顯影部2所被回收之顯影液中。此外，於水洗槽31內所飛濺之純水也有可能不經由基板S而直接到達至較隔板11靠上游側，於該情況下，純水亦混入至在顯影部2所被回收之顯影液中。
若純水混入至顯影液中則顯影液之濃度降低。為了抑制該顯影液濃度之降低，執行圖4所示之動作。該動作可於裝置之運行中進行，也可於裝置之設定時執行。
於圖4所示之步驟S10(第一濃度測定步驟)中，藉由相當於本發明之第一濃度測定部之例如第一濃度計M1，主要測定 滯留於顯影槽21之底面2B上之顯影液DL之濃度。換言之，測定滯留於圖2(a)所示之回收範圍AR1內的顯影液DL之濃度。
接著，於步驟S20中，控制部5判斷由第一濃度計M1所測定之顯影液之濃度值是否為設定值以上。於步驟S20中判斷為設定值以上之情況下(Yes之情況)，繼續基板處理裝置100之動作、或作為設定完成而結束該動作。
於步驟S20中判斷為未滿設定值之情況下(No之情況)，視作為顯影液之濃度低而不能藉由顯影部2執行所期望之顯影處理，移至下一步驟S30。步驟S30係使隔板11移動之步驟，例如，藉由隔板移動機構12使隔板11自圖2(a)所示之下游側之位置移動至圖2(b)所示之上游側之位置。其結果，隔板11被配置於以圖1之一點鏈線所示之位置(圖2(b)所示之位置)上，於是，回收顯影液之區域，係成為較回收範圍AR1小之回收範圍AR2(回收範圍變更步驟)。
如上述，若隔板11配置於以圖1之一點鏈線所示之位置(圖2(b)所示之位置)上，則即使於自風刀27之配置位置至液刀32之配置位置之範圍內之附著於基板S之上面的純水流下，該流下之純水並未到達至顯影部2之回收區域，而於水洗部3之回收區域被回收。此外，水洗槽31內所飛濺之純水飛越隔板11而侵入至顯影槽21內之可能性也降低。再者，水洗部3之回收區域，係由隔板11之下游側面、水洗槽31之內側面及下游側內表面所形成。
於步驟S30中使隔板11朝上游側移動之後，返回步驟S10進行顯影液之濃度之測定，然後移至步驟S20。於步驟S20中判斷為顯影液濃度為設定值以上之情況下(Yes之情況)，繼續基 板處理裝置100之動作、或作為設定完成而結束該動作。再者，於步驟S20中顯影液濃度仍舊未滿設定值之情況下(No之情況)，再次移至步驟S30，執行使隔板11進一步朝上游側移動僅既定距離的處理。如此，一直到於步驟S20中成為設定值以上為止(成為Yes為止)，反覆地執行隔板11之移動動作。
於步驟S10中，作為本發明之第一濃度測定部，採用了第一濃度計M1，但也可採用第二濃度計M2。第二濃度計M2，係測定蓄積於循環儲液箱24內的顯影液DL之濃度，但如上述，若有純水混入至回收之顯影液中，則藉由第二濃度計M2所測定之顯影液之濃度也會降低。
再者，在藉由設於水洗槽31的第三濃度計M3所測定之濃度值上升之情況下，一部分顯影液係於水洗槽31內被回收而被廢棄。該情況下，顯影部2之顯影液之循環效率降低。因此，較佳為，藉由隔板移動機構12使隔板11朝下游側移動，以提高顯影部2之顯影液之回收效率。
於上述第一實施形態中，藉由隔板移動機構12使隔板11移動，但也可作業者利用手動使隔板11沿搬送方向移動。此外，也可作業者交換隔板11來改變在搬送方向上之位置。
其次，對本發明之第二實施形態進行說明。圖5為顯示本發明之第二實施形態之基板處理裝置100a之概略側視圖。再者，於用以說明第二實施形態之圖5、圖6及圖7中，因賦予與第一實施形態相同之符號者，係與第一實施形態相同之構成，故而省略其後之說明。
於第一實施形態中，作為回收範圍變更部，雖然採用 了隔板11及隔板移動機構12等，但於第二實施形態中採用不同之構成。第二實施形態之回收範圍變更部，如圖5所示，具備有2個隔板11a、隔板11b、閥81及預備回收配管83等。
配置於上游側的隔板11a，係例如，於風刀27之下游側以立設於顯影槽21與水洗槽31之交界部分之底面之方式固定。隔板11b係配置於較隔板11a靠下游側，例如以立設於較液刀32之配置位置靠上游側之底面3B上之方式固定。如此，複數個隔板之中的配置於最上游側之隔板11a至配置於最下游側之隔板11b之範圍，係於自風刀27(除去部)之配置位置至液刀32(第二供給部)之配置位置間之範圍內，用以抑制因純水混入至顯影液所導致之顯影液之濃度降低而在變更回收範圍上是較佳的選擇。
此外，配管82之一端，係在位於隔板11a與隔板11b之間之底面3B開口，另一端係流路連接於閥81。閥81係三通閥，且於流路連接配管82與預備回收配管83的位置、與流路連接配管82與配管84的位置之間切換閥位置。預備回收配管83之一端係流路連接於閥81，另一端係流路連接於排液配管23。預備回收配管83之另一端也可直接流路連接於循環儲液箱24。配管84之一端係流路連接於閥81，另一端係流路連接於廢液配管33。配管84之另一端也可直接流路連接於廢液部DR。
圖6為顯示第二實施形態之電性連接關係之方塊圖。於圖6中，取代圖3所示之第一實施形態之馬達73而顯示閥81。
接著，對基板處理裝置100a之動作進行說明。顯影部2、水洗部3及除液部4之對基板S的處理動作，係與第一實施 形態相同。與第一實施形態同樣，若回收之顯影液中混入有純水，則顯影液之濃度降低。為了抑制該顯影液濃度降低，於第二實施形態中執行圖7所示之動作。該動作可於裝置之運行中進行，也可於裝置之設定時執行。
其中，作為初始設定，圖5所示之閥81係被設定於流路連接配管82與預備回收配管83的閥位置，以便擴大顯影液之回收區域。其結果，於隔板11a與隔板11b之間所流下的顯影液等，係經由配管82、閥81及預備回收配管83等被輸送至循環儲液箱。
圖7為顯示第二實施形態之動作之流程圖。於圖7所示之步驟S10中，藉由相當於本發明之第一濃度測定部之例如第二濃度計M2，測定蓄積於循環儲液箱24內之顯影液DL之濃度。
接著，於步驟S20中，控制部5係判斷在步驟S10中測定之顯影液之濃度值是否為設定值以上。於步驟S20中判斷為設定值以上之情況下(Yes之情況)，繼續基板處理裝置100a之動作、或作為設定完成而結束該動作。
於步驟S20中判斷為未滿設定值之情況下(No之情況)，視作為顯影液之濃度低而不能藉由顯影部2執行所期望之顯影處理，移至下一步驟S30a。步驟S30a係切換閥81之流路的動作。例如將閥81之閥體位置切換至配管84側。其結果，於隔板11a與隔板11b之間所流下的純水等，係經由配管82、閥81及配管84等被輸送至廢液部DR(回收範圍變更步驟)。
如上述，藉由將閥81切換至廢液部DR側，即使在風刀27之配置位置至液刀32之配置位置之範圍內之附著於基板S之上面的純水流下，該流下之純水仍不會到達至顯影部2之回收區 域(較隔板11a靠上游側之區域)，而於水洗部3之回收區域(較隔板11a靠下游側之區域)被回收。如此，藉由切換閥81，回收區域可自回收區域為隔板11a之上游側區域及隔板11a與隔板11b之間之區域的狀態，變更至僅為隔板11a之上游側區域。
於步驟S30a中切換閥81之後，返回步驟S10進行顯影液之濃度之測定，然後移至步驟S20。於步驟S20中判斷為顯影液濃度為設定值以上之情況下(Yes之情況)，結束該動作。
其次，對第二實施形態之變形例進行說明。圖8為顯示第二實施形態之變形例之概略側視圖。於上述第二實施形態中，作為回收範圍變更部，採用2個隔板11a及隔板11b，但於該變形例中，於搬送方向即Y方向排列配置有4個隔板11a、隔板11b、隔板11c及隔板11d。
配置於最上游側之隔板11a，係例如以立設於風刀27之下游側且顯影槽21與水洗槽31之交界部分之底面之方式固定。此外，配置於最下游側之隔板11d，係例如以立設於較液刀32之配置位置靠上游側之底面3B上之方式固定。如此，複數個隔板之中的配置於最上游側之隔板11a至配置於最下游側之隔板11d之範圍，係於自風刀27(除去部)之配置位置至液刀32(第二供給部)之配置位置間之範圍內，用以抑制因純水混入至顯影液所導致之顯影液之濃度降低而在變更回收範圍上是較佳的選擇。
此外，回收範圍變更部係具備有配管系統，該配管系統係包含有3個閥8a、閥8b及閥8c、分別流路連接於其等之閥的預備回收配管9a、預備回收配管9b及預備回收配管9c。當將閥8a切換至預備回收配管9a側時，隔板11a與隔板11b之間之區域成 為顯影液之回收範圍。同樣地，當將閥8b切換至預備回收配管9b側時，隔板11b與隔板11c之間之區域成為顯影液之回收範圍，同樣地，當將閥8c切換至預備回收配管9c側時，隔板11c與隔板11d之間之區域成為顯影液之回收範圍。
如上述，藉由切換3個閥8a、閥8b及閥8c，可變更顯影液之回收範圍。回收範圍最寬之情況，係將閥8a、閥8b及閥8c全部切換至預備回收配管9a、預備回收配管9b及預備回收配管9c側時。回收範圍最窄之情況，係將閥8a、閥8b及閥8c全部切換至廢液部DR時。於本變形例中，藉由自最上游側之閥8a依序切換至預備回收配管9a側(循環儲液箱24側)，可在4階段變更回收範圍。
於上述實施形態等中，作為第一處理液採用顯影液進行了說明，但第一處理液也可為用以選擇性地蝕刻基板上之金屬膜等的蝕刻液、用以剝離形成於基板上之光阻膜的剝離液等之其他的處理液。同樣地，第二處理液也不限定於純水，只要為能沖洗第一處理液之處理液即可。
作為第一濃度計M1等例示了電導儀，但也可根據第一處理液等之種類而採用其他之濃度計、例如電阻率計等。
2‧‧‧顯影部
2B‧‧‧顯影槽之底面
3‧‧‧水洗部
3B‧‧‧水洗槽之底面
4‧‧‧除液部
5‧‧‧控制部
6‧‧‧搬送部
11‧‧‧隔板(間隔構件)
12‧‧‧隔板移動機構(間隔構件移動機構)
21‧‧‧顯影槽(第一處理槽)
22‧‧‧顯影噴嘴(第一供給部)
23‧‧‧排液配管
24‧‧‧循環儲液箱
25‧‧‧回流配管
26‧‧‧泵
27‧‧‧風刀(除去部)
28‧‧‧供給配管
29‧‧‧閥
31‧‧‧水洗槽(第二處理槽)
32‧‧‧液刀(第二供給部)
33‧‧‧廢液配管
34‧‧‧噴霧式噴嘴
36‧‧‧供給配管
37‧‧‧閥
41‧‧‧除液槽
44‧‧‧上部風刀
45‧‧‧下部風刀
61‧‧‧搬送輥
90‧‧‧循環供給部
93‧‧‧配管
94‧‧‧閥
100‧‧‧基板處理裝置
CG‧‧‧純水供給源
CL‧‧‧純水
DG‧‧‧顯影液供給源
DL‧‧‧顯影液
DR‧‧‧廢液部
EO‧‧‧搬出口
FO‧‧‧搬入口
GG‧‧‧氣體供給源
M1‧‧‧第一濃度計
M2‧‧‧第二濃度計
M3‧‧‧第三濃度計
PO‧‧‧搬出口
R1‧‧‧第一處理室
R2‧‧‧第二處理室
S‧‧‧基板

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有：搬送部，其一面水平支撐基板一面朝水平方向搬送基板；第一供給部，其朝藉由搬送部所搬送之基板供給第一處理液；第一回收部，其回收藉由第一供給部所供給且自基板所流下的第一處理液；循環供給部，其將藉由第一回收部所回收的第一處理液循環供給至第一供給部；除去部，其將藉由第一供給部所供給且附著於藉由搬送部所搬送之基板上的第一處理液除去；第二供給部，其於搬送部之搬送方向之較除去部靠下游側，供給與第一處理液不同之種類的第二處理液；第二回收部，其回收藉由第二供給部所供給且自基板所流下的第二處理液；第一濃度測定部，其測定自第一回收部在循環供給部中之第一處理液之濃度；及回收範圍變更部，其配合第一濃度測定部之測定結果，變更藉由第一回收部所進行之在上述搬送方向上之回收範圍。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更具備有：第一處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第一供給部供給第一處理液的第一處理室；及第二處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第二供給部供給第二處理液的第二處理室，且第一回收部包含有第一處理槽之第一底面，並且第二回收部包含 有第二處理槽之第二底面，上述回收範圍變更部，係具有分隔第一底面與第二底面的間隔構件、及配合第一濃度測定部之測定結果而使間隔構件沿搬送方向移動的間隔構件移動機構。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，藉由間隔構件移動機構所移動之間隔構件之移動範圍，係在自除去部之配置位置至第二供給部之配置位置間的範圍內。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更具備有：第一處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第一供給部供給第一處理液的第一處理室；及第二處理槽，其形成一面藉由搬送部所搬送一面藉由第二供給部供給第二處理液的第二處理室，第一回收部包含有第一處理槽之第一底面，並且第二回收部包含有第二處理槽之第二底面，上述回收範圍變更部具有：複數個間隔構件，其等分隔第一底面與第二底面，並且沿搬送方向所設置；預備回收配管，其流路連接被配置於搬送方向下游側的間隔構件之上游側與循環供給部；及閥，其配合第一濃度測定部之測定結果，開閉預備回收配管之流路。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，複數個間隔構件中之配置於最上游側之間隔構件至配置於最下游側之間隔構件之範圍，係在自除去部之配置位置至第二供給部之配置位置間的範圍內。
  6. 一種基板處理方法，其包含有以下之步驟：第一供給步驟，其自第一供給部朝一面被水平支撐一面朝水平方向搬送的基板供給第一處理液；第一回收步驟，其回收藉由第一供給步驟所供給且自基板所流下的第一處理液；循環供給步驟，其將藉由第一回收步驟所回收之第一處理液循環供給至第一供給部；除去步驟，其於第一供給步驟之後，將附著於一面被水平支撐一面朝水平方向被搬送之基板上的第一處理液除去；第二供給步驟，其於除去步驟之後，朝一面被水平支撐一面朝水平方向被搬送之基板，供給與第一處理液不同種類之第二處理液；第二回收步驟，其回收藉由第二供給步驟所供給且自基板所流下的第二處理液；第一濃度測定步驟，其測定在自第一回收步驟至循環供給步驟中之第一處理液之濃度；及回收範圍變更步驟，其配合第一濃度測定步驟之測定結果，變更藉由第一回收部所進行之在上述水平方向即搬送方向上之回收範圍。
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