TWI524454B - 處理液供給裝置、處理液供給方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

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TWI524454B TW101119348A TW101119348A TWI524454B TW I524454 B TWI524454 B TW I524454B TW 101119348 A TW101119348 A TW 101119348A TW 101119348 A TW101119348 A TW 101119348A TW I524454 B TWI524454 B TW I524454B
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Description

處理液供給裝置、處理液供給方法及電腦記憶媒體
本發明係有關於對基板供給顯影液或純水等處理液之處理液供給裝置、處理液供給方法及電腦記憶媒體。
舉例來說，在半導體元件之製程中的光微影製程，係依序進行於晶圓上塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理、將光阻膜曝光成指定圖案之曝光處理、將曝光過的光阻膜加以顯影之顯影處理等一連串的處理，而於晶圓上形成指定之光阻圖案。該等一連串的處理，係在塗佈顯影處理系統進行，該系統係搭載有處理晶圓之各種處理部、以及搬送晶圓之搬送機構等等的基板處理系統。
將用於上述光微影製程之顯影液或純水、稀釋劑等處理液，供給到晶圓以進行塗佈處理之塗佈處理裝置，具有例如圖24所示之處理液供給裝置400。處理液供給裝置400，具有：將存放於例如處理液貯槽401之處理液，透過處理液供給管402而供給至塗佈處理裝置之塗佈噴嘴403的供給幫浦404、控制處理液之供給及停止的閥405。又，於處理液供給管402，設有過濾處理液之過濾器406，將處理液中浮遊之微細異物(particle)加以去除(專利文獻1)。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開專利第H10-305256號公報
可是隨著近年來半導體元件微細化，逐漸需要對於奈米級之微小缺陷的控制。因此，過去不太會成為問題之數十奈米左右的微細異物，就需要從處理液中去除。因為若未去除該微細異物，就將處理液供給至晶圓上的話，晶圓上會殘留微細異物，而造成晶圓之缺陷。
然而，光憑習知之過濾器，難以完全去除該數十奈米左右的微細異物。在此情形，雖可思及將過濾器之目數(mesh count)增加而加以因應，然而製作目數大的過濾器，需要高度之加工技術，結果會導致成本提高。
又，若將過濾器之目數增加，則會產生如下問題：該過濾器之差壓會變大，而且也會更容易導致網眼阻塞，故需要頻繁地進行過濾器之保養。
本發明係有鑑於上述情形而提出者，其目的在於，有效率地去除處理液中所含有的奈米級微小異物。
為達成上述目的，本發明提供一種處理液供給裝置，從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於，具有：電極，設於該處理液供給管，並對該處理液供給管內的處理液施加直流電壓；電源單元，可將極性反轉自如地對該電極施加直流電壓；洗淨液供給管，連接該處理液供給管，用以由洗淨液供給源對該處理液供給管供給洗淨液；廢液管，將已通過該處理液供給管中設有該電極之位置之洗淨液，從該處理液供給管排出。
一般而言，處理液中的異物帶有正或負的任一種電荷而帶電。而根據本發明，設有電極，以對處理液供給管中的處理液施加直流電壓，故可用電極捕集到習知過濾器所難以去除之處理液中的微小異物。又，由於具有用以從洗淨液供給源對該處理液供給管供給洗淨液的洗淨液供給管，以及將已通過該處理液供給管中設有該電極之位置之洗淨液從該處理液供給管排出的廢液管，且對電極施加直流電壓的電源單元可以將極性反轉自如，故對處理液供給管供給洗淨液時，藉由反轉對電極所施加之電壓的極性，而將捕集到電極的異物釋放出去，之後，再將洗淨液從廢液管排出，藉此可以將電極所捕集到的異物迅速地排出到處理液供給管的系統外。因此，可以使處理液供給管內部保持在清潔的狀態。執是之故，若依據本發明，可以將習知過濾器所難以去除的處理液中之微小異物去除，並且也不像習知過濾器那般會有因為網眼阻塞而需要進行更換作業的情形，因此維修也很簡便。故而能以高效率去除異物。
本發明之另一層面，係提供一種處理液供給方法，從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於：透過設在該處理液供給管的電極，對該處理液供給管內的處理液施加直流電壓，藉此，一邊以電極捕集處理液中的異物，一邊對基板供給處理液；其後，停止供給該處理液；其後，在將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉之狀態下，或是在停止對該電極施加電壓的狀態下，對該處理液供給管供給洗淨液；其後，將已通過該處理液供給管中設有該電極之位置的洗淨液，從該處理液供給管排出。
本發明之另一層面，係提供一種電腦記憶媒體，係可供讀取，且儲存有在作為控制部的電腦上動作之程式，該控制部控制處理液供給裝置，使如下的處理液供給方法在該處理液供給裝置執行：從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之 供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於，該處理液供給方法係如下：透過設在該處理液供給管的電極，對該處理液供給管內的處理液施加直流電壓，藉此，一邊以電極捕集處理液中的異物，一邊對基板供給處理液；其後，停止供給該處理液；其後，將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉，或是在停止對該電極施加電壓的狀態下，對該處理液供給管供給洗淨液；其後，將通過處理液供給管中設有該電極之位置的洗淨液，從該處理液供給管排出。
本發明之另一層面，係提供一種處理液供給裝置，從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於，具有：中間貯槽，設置於該處理液供給管上且係該處理液供給源與該供給噴嘴之間的位置，暫時存放由該處理液供給源所供給之處理液；該中間貯槽，具有：電極，對存放在該中間貯槽內部的處理液施加直流電壓；電源單元，可將極性反轉自如地對該電極施加直流電壓；洗淨液供給管，對該中間貯槽供給洗淨液；廢液管，從該中間貯槽排出洗淨液。
一般而言，處理液中的異物帶有正或負的任一種電荷而帶電。而根據本發明，中間貯槽內設有電極，故藉由對該電極施加直流電壓，即可用電極捕集到習知過濾器所難以去除之處理液中的微小異物。又，由於具有用以從洗淨液供給源對中間貯槽供給洗淨液的洗淨液供給管，以及將洗淨液從中間貯槽排出的廢液管，且對電極施加電壓的電源單元可以將極性反轉自如，故對中間貯槽供給洗淨液時，藉由反轉對電極所施加之直流電壓的極性，而將捕集到電極的異物釋放出去，之後，再將洗淨液從廢液管排出，藉此可以將電極所捕集到的異物迅速地排出到中間貯槽的系統外。因此，可以使中間貯槽內部保持在清潔的狀態。執是之故，若依據本發明，可以將習知過濾器所難以去除的處理液中之微小異物除去，並且也不像習知過濾器那般會有因為網眼阻塞而需要進行更換作業的情形，因此維修也很簡便，故而能以高效 率去除異物。
本發明之另一層面，係提供一種處理液供給方法，從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於：將處理液供給源所供給之處理液，暫時存放在中間貯槽，該中間貯槽設置於該處理液供給管上且係該處理液供給源與該供給噴嘴之間的位置；其後，透過設於該中間貯槽之電極，對該中間貯槽內的處理液施加直流電壓，以電極捕集處理液中的異物；其後，將去除了異物的該中間貯槽內的處理液供給至該供給噴嘴；於停止對該供給噴嘴供給處理液後，將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉，或停止對該電極施加電壓；其後，對該中間貯槽供給洗淨液，洗淨該中間貯槽裡面；其後，將該中間貯槽內的洗淨液，排出至該中間貯槽之外部。
本發明之另一層面，係提供一種電腦記憶媒體，係可供讀取，且儲存有在作為控制部的電腦上動作之程式，該控制部控制處理液供給裝置，使如下的處理液供給方法在該處理液供給裝置執行：從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於，該處理液供給方法係如下：將該處理液供給源所供給之處理液，暫時存放在中間貯槽，該中間貯槽設置於該處理液供給管上且係該處理液供給源與該供給噴嘴之間的位置；其後，透過設於該中間貯槽之電極，對該中間貯槽內的處理液施加直流電壓，以電極捕集處理液中的異物；其後，將去除了異物的該中間貯槽內的處理液供給至該供給噴嘴；於停止對該供給噴嘴供給處理液後，將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉，或停止對該電極施加電壓；其後，對該中間貯槽供給洗淨液，洗淨該中間貯槽裡面；其後，將該中間貯槽內的洗淨液，排出至該中間貯槽之外部。
若使用本發明，可以有效率地去除處理液中所含有的奈米級微細異物。
[實施發明之最佳形態]
以下針對本發明之實施形態，加以說明。圖1係顯示具備本實施形態之處理液供給裝置的基板處理系統1之內部結構概略的說明圖。圖2及圖3係顯示基板處理系統1之內部結構概略的側視圖。又，於本實施形態，係以如下情形為例作說明：基板處理系統1，係進行例如基板之光微影處理之塗佈顯影處理系統；處理液為例如使用於塗佈顯影處理之顯影液或純水。
基板處理系統1如圖1所示，具有將以下各站連結成一體之結構：卡匣站2，作為與例如外部之間搬進或搬出卡匣C之搬入搬出部；處理站3，係具備光微影處理中以單片晶圓製程(single wafer processing/Single-Substrate Processing)施加指定處理之複數的各種處理單元之處理部；介面站5，係與鄰接處理站3之曝光裝置4之間，進行晶圓W之傳遞的搬送部。又，基板處理系統1，具有控制裝置6，進行該基板處理系統1之控制。
卡匣站2，例如區分為卡匣搬入搬出部10及晶圓搬送部11。例如卡匣搬入搬出部10，係設於基板處理系統1之Y方向負方向(圖1之左方向)側的端部。於卡匣搬入搬出部10，設有卡匣載置台12。在卡匣載置台12上，設有複數個載置板13，例如4個。載置板13於X方向(圖1之上下方向)之水平方向上，並排成一列而設置。該等載置板13，在與基板處理系統1外部之間搬進或搬出卡匣C時，可載置卡匣C。
晶圓搬送部11，如圖1所示，設有可於X方向上延伸的搬送 路20上移動自如之晶圓搬送裝置21。晶圓搬送裝置21在上下方向及鉛直軸周圍(θ方向)亦可移動自如，可在各載置板13上的卡匣C，與後述之處理站3的第3區塊G3之傳遞裝置間，搬送晶圓W。
在處理站3，設有具備各種單元的複數個區塊，例如4個區塊G1、G2、G3、G4。例如處理站3的正面側(圖1的X方向負方向側)，設有第1區塊G1，處理站3的背面側(圖1的X方向正方向側)，設有第2區塊G2。又，處理站3的卡匣站2側(圖1Y方向負方向側)，設有第3區塊G3，處理站3的介面站5側(圖1的Y方向正方向側)，設有第4區塊G4。
例如在第1區塊G1，如圖2所示，由下往上依序疊設複數個液處理單元，例如4層之如下機構：對晶圓W進行顯影處理之顯影處理單元30、在晶圓W之光阻膜的下層形成反射防止膜(以下稱為「下部反射防止膜」)之下部反射防止膜形成單元31、在晶圓W塗佈光阻液以形成光阻膜之光阻塗佈單元32、在晶圓W之光阻膜上層形成反射防止膜(以下稱為「上部反射防止膜」)之上部反射防止膜形成單元33。又，第1區塊G1之最下層，設有用以對區塊G1內之各液處理單元供給各種處理液之化學品室34。
例如第1區塊G1之各單元30~33，於水平方向具有複數個可於處理時收納晶圓W之杯體F，可同時處理複數個晶圓W。
例如於第2區塊G2，如圖3所示，於上下方向及水平方向排列設置著：對晶圓W進行熱處理之熱處理單元40、對晶圓W作疏水化處理之附著(adhesion)單元41、將晶圓W之外周部曝光的邊緣曝光單元42。熱處理單元40具備載置晶圓W以將其加熱之熱板，以及載置晶圓W以將其冷卻之冷卻板，可以進行加熱處理及冷卻處理兩者。再者，熱處理單元40、附著單元41及邊緣曝光單 元42之數量與配置，可任意選擇。
例如於第3區塊G3，由下往上依序設置複數個傳遞單元50、51、52、53、54、55、56。又，於第4區塊G4，由下往上依序設置複數個傳遞單元60、61、62，以及缺陷檢查單元63。
如圖1所示，第1區塊G1~第4區塊G4所圍出之區域，形成有晶圓搬送區域D。於晶圓搬送區域D，配置有例如晶圓搬送裝置70。
晶圓搬送裝置70具有例如可在Y方向、前後方向、θ方向以及上下方向移動自如之搬送臂。晶圓搬送裝置70在晶圓搬送區域D內移動，可對周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之指定單元搬送晶圓W。晶圓搬送裝置70例如圖3所示，於上下配置複數台，例如可對各區塊G1~G4之同等高度的指定單元搬送晶圓W。
又，於晶圓搬送區域D，設有可在第3區塊G3與第4區塊G4之間直線地搬送晶圓W之穿梭(shuttle)搬送裝置80。
穿梭搬送裝置80例如可在圖3之Y方向上直線地移動自如。穿梭搬送裝置80可在支持晶圓W之狀態下於Y方向移動，並於第3區塊G3之傳遞單元52與第4區塊G4之傳遞單元62之間搬送晶圓W。
如圖1所示，第3區塊G3之X方向正方向側，設有晶圓搬送裝置90。晶圓搬送裝置90在例如前後方向、θ方向及上下方向，具有移動自如之搬送臂。晶圓搬送裝置90可在支持晶圓W之狀態上下移動，對第3區塊G3內的各傳遞單元搬送晶圓W。
在介面站5設有晶圓搬送裝置100。晶圓搬送裝置100具有在例如前後方向、θ方向及上下方向移動自如的搬送臂。晶圓搬送裝置100例如可於搬送臂支持晶圓W，而對第4區塊G4內的各傳遞單元及曝光裝置4搬送晶圓W。
接著，針對前述之顯影處理單元30的結構加以說明。
圖4係以縱剖面顯示顯影處理單元30之結構概要的說明圖，圖5係以橫剖面顯示顯影處理單元30之結構概要的說明圖。
顯影處理單元30具有如圖4所示之可封閉內部之處理容器120。面對處理容器120之晶圓搬送裝置70中之晶圓搬送區域D的側面，形成有如圖5所示之晶圓W的搬入出口121，於搬入出口121，設有開閉閘門122。
處理容器120內的中央部，如圖4所示，設有保持晶圓W並使之旋轉之旋轉夾頭130。旋轉夾頭130具有水平之頂面，於該頂面，例如設有抽吸晶圓W之抽吸口(未圖示)。藉由該抽吸口之抽吸，使晶圓W吸附保持在旋轉夾頭130上。
旋轉夾頭130具有夾頭驅動機構131，其具備例如馬達等等，藉由該夾頭驅動機構131而可於指定之速度旋轉。又，夾頭驅動機構131設有壓力缸筒等昇降驅動源，旋轉夾頭130可上下移動。
旋轉夾頭130之周圍，設有可承接從晶圓W飛散或落下之液體而加以回收的杯體132。杯體132之底面，連接著將回收的液體排出之排出管133，以及排出杯體132內的蒙氣之排氣管134。
圖5所示杯體132之X方向負方向(圖5的下方向)側，形成著沿著Y方向(圖5的左右方向)延伸的軌道140。軌道140 例如由杯體132的Y方向負方向(圖5左方向)側的外部，形成到Y方向正方向(圖5的右方向)側的外部。軌道140安裝著臂體141。
如圖4及圖5所示，臂體141支持著顯影液噴嘴142，其係對基板噴吐顯影液之供給噴嘴。臂體141藉由圖5所示之噴嘴驅動部143，而在軌道140上移動自如。藉此，顯影液噴嘴142可由設置於杯體132的Y方向正方向側外部的待機部144移動至杯體132內的晶圓W中心部上方，還可以在該晶圓W表面上方沿著晶圓W之直徑方向移動。此外，臂體141藉由噴嘴驅動部143而可昇降自如，可以調節顯影液噴嘴142的高度。如圖4所示，顯影液噴嘴142連接著顯影液供給裝置190，其係處理液供給裝置。
又，於軌道140安裝著另一臂體150。另一臂體150支持著純水噴嘴151，其供應用作處理液之純水。另一臂體150藉由圖5所繪示之噴嘴驅動部152而在軌道140上移動自如，可以使純水噴嘴151從設於杯體132之Y方向負方向側外部的待機部153，移動到杯體132內的晶圓W中心部上方。又，藉由噴嘴驅動部152，另一臂體150可昇降自如，可以調節純水噴嘴151之高度。如圖4所示，純水噴嘴151連接著純水供給裝置200，其係處理液供給裝置。
接著，說明顯影液供給裝置190之結構，其對顯影處理單元30內的顯影液噴嘴142，供應作為處理液之顯影液。圖6係顯示顯影液供給裝置190之結構概要的說明圖。又，顯影液供給裝置190，例如設在圖2所示之化學品室34內。
顯影液供給裝置190具有顯影液貯槽201，其作為處理液供給源，存放著顯影液。顯影液貯槽201設有顯影液供給管202，用以對顯影液噴嘴142供給顯影液。亦即，顯影液供給管202係連接 著顯影液貯槽201與顯影液噴嘴142而設置。
在顯影液貯槽201之下游側的顯影液供給管202，設有暫時存放顯影液之液端槽203。液端槽203的上部，設有排放液端槽203內之蒙氣的排氣管204。液端槽203扮演緩衝槽的角色，即使從顯影液貯槽201所供給之顯影液用完，亦可將液端槽203內所存放的顯影液供給到顯影液噴嘴142。
在液端槽203下游側的顯影液供給管202，設有去除顯影液中之異物的過濾器205。該過濾器205，可以去除顯影液內所含有之奈米級異物。
如圖6所示，於過濾器205之下游側的顯影液供給管202，設有幫浦210，其將來自顯影液貯槽201之顯影液，加壓輸送到顯影液噴嘴142。幫浦210，可採用例如管式隔膜幫浦(Tubephragm Pump)。幫浦210之下游側的顯影液供給管202設有閥211。閥211，可採用例如氣動閥。
閥211之下游側的顯影液供給管202，設有對顯影液供給管202中的顯影液施加直流電壓之電極212。電極212，形成為例如平板狀，例如圖7所示，配置成在顯影液供給管202之外側，沿著顯影液的流動方向A，隔著顯影液供給管202而相對。電極212連接著對該電極212施加直流電壓的電源單元213。電源單元213可以進行：開始或停止對電極212施加電壓、以及將所施加之電壓的極性加以反轉。又，電極212，只要各電極212隔著顯影液供給管202相向之面係由導電性材料構成即可，其他部分例如由絶緣材被覆也可以。又，於電極212之下游側，設有閥214。閥214與閥211相同，係氣動閥。
於顯影液供給管202的電極212之上游側且係閥211之下游 側之處，亦即於顯影液供給管202中，閥211與電極212之間的位置，如圖6所示，連接有洗淨液供給管215，用以對顯影液供給管202供給洗淨液。於洗淨液供給管215，一側連接著上述顯影液供給管202，而與該側相反之側的端部，連接著洗淨液供給源216，用以對洗淨液供給管215供給洗淨液。又，在本實施形態中的洗淨液，係以純水為例，但亦可使用例如顯影液或稀釋劑等等，可隨著處理液之種類任意選擇。再者，於洗淨液供給管215，設有閥217，其控制對顯影液供給管202之洗淨液的供給。閥217與上述之閥211相同，可使用例如氣動閥。
顯影液供給管202的電極212之下游側，亦即電極212與顯影液噴嘴142之間的位置，連接著廢液管220。廢液管220設有閥221，從洗淨液供給管215對顯影液供給管202供給洗淨液時，藉由開啟該閥221之操作，就可以將已通過在顯影液供給管202中設有電極212之位置的洗淨液，透過廢液管220排出。閥221與上述之閥211、217相同，可使用例如氣動閥。
廢液管220，一側連接顯影液供給管202，與該側相反之側的端部，設有廢液部222，洗淨液就從廢液管220排出到該廢液部222。
又，由於純水供給裝置200具有與顯影液供給裝置190相同之結構，故省略說明。
上述之電源單元213對電極212施加直流電壓之控制、幫浦210之驅動動作、各閥之開閉動作，係由控制裝置6所控制。控制裝置6係由例如具備CPU及記憶體等等的電腦所構成，例如可藉由執行記憶體中所儲存的程式，而使顯影液供給裝置190供給顯影液、或在顯影處理單元30執行顯影處理。又，顯影液供給裝置190之顯影液供給、或顯影處理單元30為執行顯影處理所用的 各種程式，例如係儲存在電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等等電腦可讀取之記憶媒體H，亦可為從該記憶媒體H安裝到控制裝置6者。
本實施形態之基板處理系統1係如上述所構成，以下對於如上構成之顯影液供給裝置190對顯影液噴嘴142所進行之顯影液供給、及顯影處理單元30所進行之顯影處理製程，與基板處理系統1整體進行之晶圓處理製程一同作說明。
於晶圓W之處理，首先，將收納有複數片晶圓W之卡匣C，載置於卡匣站2之指定的載置板13。之後，藉由晶圓搬送裝置21，將卡匣C內的各晶圓W依序取出，搬送至處理站3之第3區塊G3的例如傳遞單元53。
接著，藉由晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送到第2區塊G2之熱處理單元40，調節溫度。之後，藉由晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至例如第1區塊G1之下部反射防止膜形成單元31，於晶圓W上形成下部反射防止膜。其後，將晶圓W搬送到第2區塊G2的熱處理單元40，進行加熱處理。之後再搬回到第3區塊G3的傳遞單元53。
接著，晶圓搬送裝置90將晶圓W搬送至同為第3區塊G3之傳遞單元54。之後，晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送到第2區塊G2的附著(adhesion)單元41，接受疏水化處理。其後，晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至光阻塗佈單元32。
在光阻塗佈單元32，於晶圓W上形成光阻膜後，晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送至熱處理單元40，接受預烤(pre-bake)處理。之後，晶圓搬送裝置70會將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元55。
接著，晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送至上部反射防止膜形成單元33，於晶圓W上形成上部反射防止膜。之後晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送至熱處理單元40，受到加熱、調節溫度。其後，晶圓W就被搬送到邊緣曝光單元42，接受邊緣曝光處理。
之後，晶圓搬送裝置70將晶圓W搬送至第3區塊G3的傳遞單元56。接著，晶圓W被晶圓搬送裝置90搬送至傳遞單元52，再被穿梭搬送裝置80搬送至第4區塊G4的傳遞單元62。其後，晶圓W被介面站5的晶圓搬送裝置100搬送至曝光裝置4，接受曝光處理。
接著，晶圓搬送裝置100將晶圓W搬送至第4區塊G4的傳遞單元60。之後，晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送到熱處理單元40，接受曝光後烘烤處理。其後，晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送到顯影處理單元30，進行顯影。又，在顯影處理單元30之顯影處理容後詳述。顯影結束後，晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送到熱處理單元40，接受硬烤(post-bake)處理。
之後，晶圓W被晶圓搬送裝置70搬送到第3區塊G3的傳遞單元50，接著被卡匣站2的晶圓搬送裝置21搬送到指定之載置板13的卡匣C。如此一來，一連串的光微影製程就結束了，然後就重覆進行該製程。
接下來說明，由顯影液供給裝置190對顯影處理單元30的顯影液噴嘴142供給顯影液，在顯影處理單元30對晶圓W供給顯影液之一連串的顯影處理。
首先，在顯影處理之前，先進行所謂的預濕(pre-wet)處理。要進行預濕處理時，首先會藉由另一臂體150，將待機部153的純 水噴嘴151移動到晶圓W的上方。之後，由純水噴嘴151供給純水，對晶圓W進行預濕處理。
接著，藉由控制裝置6開啟閥211、214，同時，將顯影液貯槽201之內部加壓。如此一來，顯影液會由顯影液貯槽201加壓輸送到液端槽203，在液端槽203暫時存放。當液端槽203內存放了指定量的顯影液後，顯影液會由液端槽203流入到顯影液供給管202。又，此時，洗淨液供給管215的閥217、廢液管220的閥221都是關閉的。
接著，藉由控制裝置6使電源單元213作動，對電極212施加直流電壓。之後，使幫浦210作動，一邊對流通於顯影液供給管202之顯影液施加電壓，一邊對晶圓W供給顯影液。此時，顯影液中無法由過濾器205所去除之微小異物P，會因應自己本身所帶的電荷，如圖8所示，受電極212吸引，而被捕集到對應於顯影液供給管202之電極的位置。藉此，由顯影液中去除微小異物P。
去除了微小異物P的顯影液供給到顯影液噴嘴142後，在顯影處理單元30，由夾頭驅動機構131旋轉受旋轉夾頭130所吸附之晶圓W，同時，從顯影液噴嘴142對晶圓W供給顯影液。供給到晶圓W的顯影液，會由於晶圓W之旋轉所產生之離心力而擴散到晶圓W之全體表面。其後，停止晶圓W之旋轉，進行顯影處理。
又，顯影液噴嘴142結束對晶圓W滴注顯影液的動作後，藉由控制裝置6而關閉顯影液供給管202的閥211、214，同時分別開啟洗淨液供給管215的閥217、廢液管220的閥221。
之後，將電源單元213對電極212所施加的直流電壓之極性，用控制裝置6來反轉，例如圖9所示，藉此釋放吸引到電極212 的微小異物P。接著，從洗淨液供給源216對顯影液供給管202供給洗淨液。供給到顯影液供給管202之洗淨液，會與從電極212所釋放出來的微小異物P，一同由廢液管220排出。藉此以洗淨顯影液供給管202內部，並以指定的期間持續進行該洗淨。關於持續洗淨之時間，係根據預先進行之預備試驗的結果而定。又，由於微小異物P帶有電荷，所以例如可於廢液管220或是廢液部222設置導電率計，量測洗淨液之導電率，當導電率降至指定值以下時，停止洗淨。再者，顯影液供給管202內之洗淨，不一定要在每次供給顯影液時進行，洗淨之頻率，亦可根據預先進行之預備試驗的結果決定。
又，於洗淨顯影液供給管202內的同時，由純水噴嘴151對晶圓W供給純水，沖洗掉晶圓W上的顯影液。又，與顯影液相同，由純水噴嘴151所供給的，係藉由純水供給裝置200去除了微小異物P之純水。之後，停止供給純水，使純水噴嘴151退避到待機部153，使晶圓W以指定轉速旋轉指定期間，進行旋轉(spin)乾燥。其後，搬送機構(未圖示)將晶圓W由顯影處理單元30搬出。
另一方面，顯影液供給管202內之洗淨一旦完成，控制裝置6關閉閥217、221，接著，再度開啟顯影液供給管202的閥211、214。然後，再重新搬入另一片晶圓W到顯影處理單元30，重覆進行一連串的顯影處理。
根據以上之實施形態，藉由對設置在顯影液供給管202的電極212施加直流電壓，可去除過濾器205所無法去除之微小異物P。而由於在這之後反轉對電極212所施加之直流電壓的極性，使微小異物P釋放到顯影液供給管202內，在此狀態下，對顯影液供給管202內供給洗淨液，故電極212所捕集到的微小異物P，可以迅速地排出到顯影液供給管202之系統外。因此，可使顯影 液供給管202內部保持在清潔的狀態。所以，若根據本實施形態，習知之過濾器205所難以去除之數十奈米左右的微小異物P，可以從顯影液中去除，且不會像習知過濾器般在顯影液供給管202內導致網眼阻塞，故也更易於保養維修。因此，能以良好的效率去除微小異物P。
又，由於將電極212配置於顯影液供給管202之外部，故不會導致電極212腐蝕。且不會由於設置電極212，導致該顯影液供給管202內之壓力損失增加，因此不會造成幫浦210之動力增加。
此外，於以上之實施形態，分別將洗淨液供給管215設於電極212之上游側，廢液管220設於電極212之下游側，然而亦可與此相反，例如圖10所示，分別將洗淨液供給管215連接於電極212之下游側，廢液管220連接於電極212之上游側。在此情形，由於洗淨液會從顯影液噴嘴142朝向電極212的方向而流動，藉由反轉對電極212所施加之電壓極性而由電極212釋放出來的微小異物P，就不會殘留在顯影液供給管202中的電極212及顯影液噴嘴142之間的部位。又，於洗淨之時，即使例如像廢液管220匯流到顯影液供給管202之位置與閥211之間的區域，有微小異物P滯留之情況，於下一次的顯影處理時，電極212依舊可以再度捕集到該滯留之微小異物P。因此，可以更加確實地去除微小異物P。
又，在以上之實施形態，電極212雖設於顯影液供給管202之外部，但亦可為電極212之正極或負極中的至少一方，設於顯影液供給管202內側；或是例如圖11所示，將電極212之正極與負極之雙方，沿著顯影液之流動方向A，配置於顯影液供給管202之內側。又，例如圖12所示，亦可配置成與顯影液供給管202之中心軸呈同心圓狀，亦即在與顯影液之流動方向A垂直之方向所見之剖面，相對於顯影液供給管202配置同心圓狀的電極240。再 者，於圖12，描繪成電極240之正極或負極，分別圓心狀地配置成其中的一方在顯影液供給管202內，另一方在顯影液供給管202之外側；然而亦可將正極及負極之雙方，同心圓狀地設置於顯影液供給管202內部。又，例如圖13所示，電極240亦可將形成為軸狀的正極或負極中的任一極，配置在顯影液供給管202之中心軸的位置，而使另一方與顯影液供給管202之中心軸呈同心圓狀配置。
更且，亦可用導電性材料形成顯影液供給管202，而將該顯影液供給管202本身，用作正極、負極中之任一電極；電極之配置、形狀，並不受上述例子限定。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，由專利申請範圍之記載所可思及之範圍內，可為各種變更或修正，無需贅言；吾人可理解，該等變更或修正理所當然皆屬於本發明之技術範圍內。
在上述實施形態，說明過在顯影液供給裝置190設置1個顯影液供給管202之情形，但亦有例如設置複數個顯影液噴嘴142及顯影液供給管202的情形。在此種情形，例如圖14所示，亦可使複數顯影液供給管202相互平行配置，於相鄰之顯影液供給管202之間，分別交互相向地配置平板狀的電極212之正極及負極；換言之，使電極212之正極及負極交互地包夾著各顯影液供給管202而配置。在此種情形，相鄰之顯影液供給管202可共用顯影液供給管202之間所配置之電極212，故可將電極之設置空間降低至最小限度。
再者，於以上之實施形態，透過洗淨液供給管215而供給到顯影液供給管202的洗淨液，係由廢液管220排出，然而未必要設置廢液管220，亦可例如在使顯影液噴嘴142移動待機部144之狀態下對顯影液供給管202供給洗淨液，再由顯影液噴嘴142將洗淨液排出至待機部144。在此情形，就不需要設置廢液管220 之空間。
於以上之實施形態，藉由反轉對電極212施加之直流電壓的極性，而釋放被吸引到電極212之微小異物P，但亦可取代極性之反轉，改以僅停止施加電壓的方式來釋放微小異物P。又，亦可為以指定期間反轉對電極212所施加之電壓的極性，使微小異物P從電極212釋放出來，在電極212再度捕集到釋放出來的微小異物P前，停止施加電壓。對電極212施加或停止電壓，可配合電極212之配置或大小等等，進行任意設定。
再者，於以上之實施形態，電極係板狀或筒狀，但電極之形狀，並不限定於該等例子，可以配合顯影液供給管202之大小或形狀而任意設定。例如，為了擴大顯影液與電極之接觸面積，以提高電極對微小異物P之捕集效率，亦可將電極形成為網眼狀。
使用網眼狀電極的情形，亦可例如圖15所示，將電極250形成為網眼板狀，其與和顯影液供給管202之流動方向A垂直的剖面為相似形狀，將該電極250的正極與負極，在顯影液供給管202內側，相對於流體方向A，交互配置複數個。藉此，由於顯影液在顯影液供給管202內，以垂直跨越電極250之表面的形式流動，故電極250可以有效率地去除微小異物P。
尤其在使用電極250之情形，可以例如從顯影液供給管202的上游朝向下游依序增加電極250之目數，藉此抑制電極250發生網眼阻塞的問題。在此情形，洗淨液供給管215設在電極250之下游側，廢液管220設於電極250之上游側。藉此，可使洗淨液的流向，形成為從目數小的一方流向目數大的一方，故可以有效率地去除電極250所捕集到的微小異物P。
接著，說明另一實施形態之顯影液供給裝置190之結構，其 對顯影處理單元30內的顯影液噴嘴142，供應作為處理液之顯影液。圖16係顯示顯影液供給裝置190之結構概要的說明圖。又，顯影液供給裝置190，例如設在圖2所示之化學品室34內。
顯影液供給裝置190具有顯影液貯槽301，其作為處理液供給源，存放著顯影液。顯影液貯槽301設有顯影液供給管302，用以對顯影液噴嘴142供給顯影液。亦即，顯影液供給管302係連接著顯影液貯槽301與顯影液噴嘴142而設置。
顯影液貯槽301與顯影液噴嘴142之間，設有中間貯槽303，其暫時存放有從顯影液貯槽301透過顯影液供給管302而供給之顯影液。中間貯槽303形成為例如上部為開口而具有底面的圓筒形狀。中間貯槽303扮演緩衝槽的角色，即使從顯影液貯槽301所供給的顯影液用完，亦可將中間貯槽303內所存放的顯影液供給到顯影液噴嘴142。
在中間貯槽303的內部，設有對該中間貯槽303內的顯影液施加直流電壓的電極304。電極304係例形成為平板狀，在中間貯槽303內，正極與負極配置成彼此分離指定距離。電極304連接著電源單元305，其對該電極304施加直流電壓。電源單元305可以開始、停止對電極304施加電壓、以及反轉所施加之電壓的極性。
於中間貯槽303上部之開口，如圖16所示，設有洗淨液供給管310，其對中間貯槽303內供給洗淨液。在洗淨液供給管310之與中間貯槽303側相反側的端部，連接著洗淨液供給源311，其對洗淨液供給管310供給洗淨液。又，在本實施形態中的洗淨液，係以純水為例，但亦可使用例如顯影液或稀釋劑等等，可隨著處理液之種類任意選擇。再者，於洗淨液供給管310，設有閥312，其控制對中間貯槽303之洗淨液的供給。閥312，係例如使用氣動 閥。
中間貯槽303之側面下方或底部，更具體而言，於電極304之下方，設有廢液管320，使洗淨液供給管310所供給之洗淨液，從中間貯槽303排出。廢液管320設有閥321，藉由開啟該閥321之操作，就可以透過廢液管320，排出已供給到中間貯槽303的洗淨液。閥321與上述之閥312相同，可使用例如氣動閥。廢液管320中，一側連接上述中間貯槽303，與該側相反之側的端部，設有廢液部322，洗淨液就從廢液管320排出到該廢液部322。
又，於中間貯槽303之內部，設有攪拌機323，其作為攪拌機構，攪拌存放在該中間貯槽303內的顯影液或洗淨液。藉由該攪拌機323，於中間貯槽303內，形成例如以中間貯槽之中心鉛直軸為中心之顯影液的旋轉水流，可使顯影液與電極304相對移動。
如圖16所示，於中間貯槽303之下游側的顯影液供給管302，設有幫浦330，其將來自中間貯槽303之顯影液，加壓輸送到顯影液噴嘴142。幫浦330，可採用例如管式隔膜幫浦。幫浦330之下游側的顯影液供給管302設有閥331。閥331，可採用例如氣動閥。
接著，說明上述另一實施形態之顯影液供給裝置190對顯影處理單元30之顯影液噴嘴142供給顯影液、及顯影處理單元30對晶圓W供給顯影液之一連串的顯影處理。
首先，在顯影處理之前，先進行所謂的預濕處理。要進行預濕處理時，首先會藉由另一臂體150，將待機部153的純水噴嘴151移動到晶圓W的上方。之後，由純水噴嘴151供給純水，對晶圓W進行預濕處理。
接著，藉由控制裝置6開啟閥331，同時，將顯影液貯槽301 之內部加壓。如此一來，顯影液會由顯影液貯槽301加壓輸送到中間貯槽303，在中間貯槽303暫時存放。當中間貯槽303內存放了指定量的顯影液後，接著藉由控制裝置6，使電源單元305作動，對電極304施加直流電壓。又，對電極304施加電壓之同時，使攪拌機323作動。藉此，中間貯槽303內的顯影液受到攪拌，顯影液會平均地接觸電極304。此時，顯影液中無法由習知過濾器所去除之微小異物P，會因應自己本身所帶的電荷，如圖17所示，受電極304吸引，而被捕集。藉此，由中間貯槽303內的顯影液中去除微小異物P。
之後，使幫浦330作動，對顯影液噴嘴142供給已去除了微小異物P的顯影液。接著，在顯影處理單元30，以夾頭驅動機構131旋轉由旋轉夾頭130所吸附之晶圓W，同時，從顯影液噴嘴142對晶圓W供給顯影液。供給到晶圓W的顯影液，會由於晶圓W之旋轉所產生之離心力而擴散到晶圓W之全體表面。其後，停止晶圓W之旋轉，進行顯影處理。又，亦可藉由電極304去除了顯影液中的微小異物P後，停止攪拌機323。
顯影液噴嘴142結束對晶圓W滴下顯影液的動作後，藉由控制裝置6而關閉顯影液供給管302的閥331。接著，由純水噴嘴151對晶圓W供給純水，沖洗掉晶圓W上的顯影液。又，與顯影液相同，由純水噴嘴151所供給的，係藉由純水供給裝置200去除了微小異物P之純水。
之後，停止供給純水，使純水噴嘴151退避至待機部153，使晶圓W以指定轉速旋轉指定時間，進行旋轉乾燥。其後，搬送機構(未圖示)將晶圓W由顯影處理單元30搬出。然後，再重新搬入另一片晶圓W到顯影處理單元30，重覆進行一連串的顯影處理。
重覆進行顯影處理後，所捕集之微小異物P會沈積在電極304 的表面。因此，要進行電極304的洗淨。洗淨電極304時，首先，要停止攪拌機323，接著開啟洗淨液供給管310的閥312，對中間貯槽303內供給洗淨液。之後，將電源單元305對電極304所施加的直流電壓之極性，用控制裝置6來反轉。藉此，例如圖18所示，將被電極304所吸引之微小異物P釋放到洗淨液中。接著，為了不讓釋放到洗淨液中之微小異物再度附著到電極304，停止施加電壓。
之後，藉由控制裝置6而開啟廢液管320的閥321，將含有微小異物P之洗淨液由廢液管320排出。藉此以洗淨電極304及中間貯槽303內部，並以指定的期間持續進行該洗淨。關於持續洗淨之期間，係根據預先進行之預備試驗的結果而定。又，由於微小異物P帶有電荷，所以例如可於廢液管320或是廢液部322設置導電率計，量測洗淨液之導電率，當導電率降至指定值以下時，停止洗淨。
中間貯槽303內之洗淨一旦完成，控制裝置6關閉閥312、321。接著，再度從顯影液貯槽301對中間貯槽303供給顯影液，重覆一連串的顯影處理。
根據以上之實施形態，藉由對設置在中間貯槽303的電極304施加直流電壓，可去除習知過濾器所無法去除之微小異物P；由於在這之後反轉對電極304所施加之電壓的極性，使微小異物P從電極304釋放出來的狀態下，對中間貯槽303內供給洗淨液，故電極304所捕集到的微小異物P，可以迅速地排出到中間貯槽303之系統外。因此，可使中間貯槽303內部保持在清潔的狀態。所以，若根據本實施形態，習知過濾器所難以去除之數十奈米左右的微小異物P，可以從顯影液中去除，且不會像習知過濾器般在顯影液供給管302內導致網眼阻塞，故也更易於保養維修。因此，能以良好的效率去除微小異物P。
又，由於在顯影液供給管302，不需像習知技術般設置過濾器，因此可降低該顯影液供給管302內之壓力損失。因此，可使幫浦330小型化，同時，可以降低其動力。
又，由於係在中間貯槽303內設置電極304以去除微小異物P，因此顯影液等之處理液的噴吐動作、以及從處理液去除微小異物P的動作，可分別獨立進行，所以可更有效地去除微小異物除去。
又，由於在中間貯槽303內設置了攪拌機323，故可在中間貯槽303內形成攪拌流。藉此，微小異物P與電極304可平均地接觸，所以不需使電極304大型化，即可有效率地從電極304去除微小異物。
又，於以上之實施形態，係以反覆顯影處理固定次數後，進行電極304之洗淨的情形為例，加以說明；不過洗淨電極304之時期可任意設定，例如當中間貯槽303內之顯影液的液面下降，要對中間貯槽303補充顯影液時進行亦可。再者，關於電極304之洗淨，除了上述形態以外，也可以各種步驟進行。例如，亦可在反轉過對電極304所施加之電壓的極性後，開啟廢液管320的閥321，而使微小異物P與殘留在中間貯槽303之顯影液一起先行排出，之後關閉閥321，接著開啟洗淨液供給管310的閥312進行洗淨，而後再度開啟閥321，排出洗淨液。
又，隨著中間貯槽303或電極304之形狀、顯影液供給管302或廢液管320的配置設定，而在中間貯槽303內自然地產生處理液之對流時，未必要設置攪拌機323。
再者，於以上之實施形態，係透過洗淨液供給管310而直接 對中間貯槽303供給洗淨液，但例如圖19所示，亦可使洗淨液供給管310連接位於中間貯槽303上游側的顯影液供給管302，透過該顯影液供給管302而供給洗淨液。
又，廢液管320亦同，可連接中間貯槽303下游側的顯影液供給管302，透過該顯影液供給管302而排出洗淨液。在此情形，如圖19所示，顯影液供給管302設置在中間貯槽303的側面下方或底部，且比電極304還要下方，俾使在未作動幫浦330的狀態下，也能使顯影液或洗淨液透過自己本身的重量而從廢液管320排出。
再者，於以上之實施形態，電極304係平板狀，但電極之形狀，並不限定於該等例子，可以配合中間貯槽303之大小或形狀而任意設定。例如，為了擴大顯影液與電極304之接觸面積，以提高電極304對微小異物P之捕集效率，亦可將電極304形成為網眼狀。
使用網眼狀電極的情形，亦可例如圖20所示，採用電極340，其係將正極或負極中的任一極，形成為網眼板狀，其與中間貯槽303之底面平行，且與中間貯槽303之內側面的形狀一致。在此情形，電極340之另一極，沿著中間貯槽303之外側面的形狀形成，而設置於該中間貯槽303的外側。使用電極340的情形，設有昇降機構341，使該電極340在上下方向昇降，該昇降機構就發揮攪拌機構的作用。又，於圖20，為了便於圖示，而僅繪製設於中間貯槽303外側的電極340之一部份。
又，作為電極之另一形態，例如圖21所示，亦可於中間貯槽303之內側，使用網眼板狀之電極351，其係沿著在鉛直方向延伸設置之旋轉軸350而設置。旋轉軸350係由導電性材料形成，構成為可藉由旋轉機構352而沿著中間貯槽303之圓周方向旋轉自 如。在此情形，該旋轉機構352係發揮攪拌機構之作用。電極351之另一極，與圖20所示之電極340相同，係沿著中間貯槽303之外側面的形狀形成，設於該中間貯槽303之外側。
如圖20、圖21所示，藉由將電極340、351形成為網眼狀，並使該電極340、351在中間貯槽303內移動，可均勻地去除中間貯槽303之液體內的異物。尤其如圖20所示，藉由使用與中間貯槽303之底面相似形狀之網眼板狀的電極340，即使在例如中間貯槽303內的顯影液液面降低的情形，電極340與顯影液仍然可以恆常地保持固定之接觸面積，故不會受到中間貯槽303內之顯影液殘量影響，而有效率地去除微小異物P。又，雖然於圖21，設置在中間貯槽303內部的一側的電極351，係描繪成比中間貯槽303之半徑還短，然而該電極351在中間貯槽303之直徑方向的長度，可任意設定。
又，例如圖22所示，亦可將平行於中間貯槽303之底面且形成為網眼板狀的電極360之正極與負極，配置成在中間貯槽303之內部且延著該中間貯槽303的高度方向而交互配置。在此情形，中間貯槽303之下游側的顯影液供給管302，較佳係配置成：由中間貯槽303上部所供給之顯影液，通過位於最遠處的電極360後，該顯影液會排出。具體而言，顯影液供給管302係設於例如中間貯槽303之側面下方或底部。藉此，由於顯影液會在中間貯槽303內，以垂直跨越電極360之表面的形式流動，故就算不設置攪拌機構，也可藉由電極360而有效率地去除微小異物P。
尤其在使用電極360之情形，可以例如從中間貯槽303的上方朝向下方，依序增加電極360之目數，藉此抑制電極360發生網眼阻塞的問題。在此情形，亦可係洗淨液供給管310設在例如中間貯槽303之底部，廢液管320例如從設在中間貯槽303之最上方的電極360之上方，溢流(overflow)而排出。藉此，可使 洗淨液形成從目數小的一方流向目數大的一方的流向，故可以有效率地去除電極360所捕集到的微小異物P。
再者，於以上之實施形態，雖係相對於1個顯影液噴嘴142，設置1個中間貯槽303，但例如圖23所示，亦可於顯影液供給管302並聯配置複數個中間貯槽303。並聯配置之各中間貯槽303的上游側及下游側，分別設有閥370，藉由操作該閥370，可以選擇要由哪一個中間貯槽303來對顯影液噴嘴142進行顯影液之供給。在此情形，即便是在洗淨1個中間貯槽303及電極304的情況下，亦可以從另一方的中間貯槽303，對顯影液噴嘴142供給已去除異物之顯影液。因此，於洗淨中間貯槽303之時，不需停止顯影液之供給，可以對顯影液噴嘴142連續性地供給已去除異物之顯影液。又，雖然於圖23，係並聯設置2個中間貯槽303，但中間貯槽303之設置數量可任意設定。又，例如在設置複數個顯影液噴嘴142之情形，複數個顯影液噴嘴142之間亦可共用顯影液供給裝置190。
以上，已參照附加圖式說明了本發明之較佳實施形態，但是本發明並不限定於該等例。應瞭解到：只要是該技術領域中具通常知識者，自能在記載於申請專利範圍的思想範圍內思及各種變形例或修正例，該等變形例或修正例，當然也屬於本發明之技術性範圍。本發明並不限定於該等例，得採取種種樣態，例如，用於塗佈光阻液前之預濕且係光阻液之溶劑的稀釋劑等等，其他處理液之供給亦可適用。又，本發明亦可適用於其他基板，例如基板為晶圓以外的FPD(平面顯示器)、光罩用的倍縮光罩(reticle)等等。更且，本發明亦適用於作為處理液供給裝置之洗淨液供給裝置。
[產業上利用性]
本發明對於供給處理液給例如半導體晶圓等基板，有良好功 用。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧卡匣站
3‧‧‧處理站
4‧‧‧曝光裝置
5‧‧‧介面站
6‧‧‧控制裝置
10‧‧‧卡匣搬入部
11‧‧‧晶圓搬送部
12‧‧‧卡匣載置台
13‧‧‧載置板
20‧‧‧搬送路
21‧‧‧晶圓搬送裝置
30‧‧‧顯影處理單元
31‧‧‧下部反射防止膜形成單元
32‧‧‧光阻塗佈單元
33‧‧‧上部反射防止膜形成單元
34‧‧‧化學品室
40‧‧‧熱處理單元
41‧‧‧附著單元
42‧‧‧邊緣曝光單元
50、51、52、53、54、55、56、60、61、62‧‧‧傳遞單元
63‧‧‧缺陷檢查單元
70‧‧‧晶圓搬送裝置
80‧‧‧穿梭搬送裝置
90‧‧‧晶圓搬送裝置
100‧‧‧晶圓搬送裝置
120‧‧‧處理容器
121‧‧‧搬入出口
122‧‧‧開閉閘門
130‧‧‧旋轉夾頭
131‧‧‧夾頭驅動機構
132‧‧‧杯體
133‧‧‧排出管
134‧‧‧排氣管
140‧‧‧軌道
141‧‧‧臂體
142‧‧‧顯影液噴嘴
143‧‧‧噴嘴驅動部
144‧‧‧待機部
150‧‧‧另一臂體
151‧‧‧純水噴嘴
152‧‧‧噴嘴驅動部
153‧‧‧待機部
190‧‧‧顯影液供給裝置
200‧‧‧純水供給裝置
201‧‧‧顯影液貯槽
202‧‧‧顯影液供給管
203‧‧‧液端槽
204‧‧‧排氣管
205‧‧‧過濾器
210‧‧‧幫浦
211‧‧‧閥
212‧‧‧電極
213‧‧‧電源單元
214‧‧‧閥
215‧‧‧洗淨液供給管
216‧‧‧洗淨液供給源
217‧‧‧閥
220‧‧‧廢液管
221‧‧‧閥
222‧‧‧廢液部
240‧‧‧電極
250‧‧‧電極
301‧‧‧顯影液貯槽
302‧‧‧顯影液供給管
303‧‧‧中間貯槽
304‧‧‧電極
305‧‧‧電源單元
310‧‧‧洗淨液供給管
311‧‧‧洗淨液供給源
312‧‧‧閥
320‧‧‧廢液管
321‧‧‧閥
322‧‧‧廢液部
323‧‧‧攪拌機
330‧‧‧幫浦
331‧‧‧閥
340‧‧‧電極
341‧‧‧昇降機構
350‧‧‧旋轉軸
351‧‧‧電極
352‧‧‧旋轉機構
360‧‧‧電極
370‧‧‧閥
400‧‧‧處理液供給裝置
401‧‧‧處理液貯槽
402‧‧‧處理液供給管
403‧‧‧塗佈噴嘴
404‧‧‧供給幫浦
405‧‧‧閥
406‧‧‧過濾器
A‧‧‧流體方向
W‧‧‧晶圓
D‧‧‧晶圓搬送區域
C‧‧‧卡匣
P‧‧‧微小異物
G1‧‧‧第1區塊
G2‧‧‧第2區塊
G3‧‧‧第3區塊
G4‧‧‧第4區塊
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
θ‧‧‧方向
F‧‧‧杯體
H‧‧‧記憶媒體
圖1係顯示本實施形態之基板處理系統的內部結構概略的俯視圖。
圖2係顯示本實施形態之基板處理系統的內部結構概略的側視圖。
圖3係顯示本實施形態之基板處理系統的內部結構概略的側視圖。
圖4係顯示顯影處理單元之結構概略的縱剖面說明圖。
圖5係顯示顯影處理單元之結構概略的橫剖面說明圖。
圖6係顯示顯影液供給裝置之結構概略的說明圖。
圖7係顯示電極之配置概略的說明圖。
圖8係顯示對電極施加電壓時，微小異物的狀態之說明圖。
圖9係顯示對電極施加電壓時，微小異物的狀態之說明圖。
圖10係顯示另一實施形態之顯影液供給裝置的結構概略之說明圖。
圖11係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖12係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖13係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖14係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖15係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖16係顯示另一實施形態之顯影液供給裝置之結構概略的說明圖。
圖17係顯示對電極施加電壓時，微小異物的狀態之說明圖。
圖18係顯示對電極施加電壓時，微小異物的狀態之說明圖。
圖19係顯示另一實施形態之顯影液供給裝置的結構概略之說明圖。
圖20係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖21係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖22係顯示另一實施形態之電極配置概略的說明圖。
圖23係顯示另一實施形態之顯影液供給裝置的結構概略之說明圖。
圖24係顯示習知處理液供給裝置的結構概略之說明圖。
6‧‧‧控制裝置
30‧‧‧顯影處理單元
142‧‧‧顯影液噴嘴
190‧‧‧顯影液供給裝置
201‧‧‧顯影液貯槽
202‧‧‧顯影液供給管
203‧‧‧液端槽
204‧‧‧排氣管
205‧‧‧過濾器
210‧‧‧幫浦
211‧‧‧閥
212‧‧‧電極
213‧‧‧電源單元
214‧‧‧閥
215‧‧‧洗淨液供給管
216‧‧‧洗淨液供給源
217‧‧‧閥
220‧‧‧廢液管
221‧‧‧閥
222‧‧‧廢液部

Claims (19)

  1. 一種處理液供給裝置，從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於，具有：電極，設於該處理液供給管，並對該處理液供給管內的處理液施加直流電壓；電源單元，可將極性反轉自如地對該電極施加直流電壓；洗淨液供給管，連接該處理液供給管，用以由洗淨液供給源對該處理液供給管供給洗淨液。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理液供給裝置，其中，該電極之正極與負極，設置成在該處理液供給管內的處理液之流動方向上，沿著該處理液供給管延伸，且彼此相向。
  3. 如申請專利範圍第1項之處理液供給裝置，其中，該電極設置成與該處理液供給管的中心軸成同心圓狀。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之處理液供給裝置，其中，該電極之正極或負極中之至少任一極，設於該處理液供給管的內側。
  5. 如申請專利範圍第2項之處理液供給裝置，其中，複數之該處理液供給管設置成相互平行，於相鄰之複數該處理液供給管之間，該電極之正極與負極交互地隔著各該處理液供給管設置。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之處理液供給裝置，其中，包含廢液管，將已通過該處理液供給管中設有該電極之位置之洗淨液，從該處理液供給管排出。
  7. 如申請專利範圍第6項之處理液供給裝置，其中，該洗淨液供給管，連接該處理液供給管中之該電極的下游側，該廢液管，連接該處理液供給管中之該電極的上游側。
  8. 一種處理液供給方法，從處理液供給源透過處理液供給 管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於：透過設在該處理液供給管的電極，對該處理液供給管內的處理液施加直流電壓，藉此，一邊以電極捕集處理液中的異物，一邊對基板供給處理液；其中，供給該處理液後，停止供給該處理液；其後，在將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉之狀態下，或是在停止對該電極施加電壓的狀態下，對該處理液供給管供給洗淨液。
  9. 一種可供讀取之電腦記憶媒體，儲存有在作為一控制部的電腦上動作之程式，係基於利用一處理液供給裝置執行一處理液供給方法，即執行從處理液供給源透過處理液供給管對供給處理液至基板之供給噴嘴供給處理液之目的，而由該控制部控制該處理液供給裝置；其特徵在於，該處理液供給方法係如下：透過設在該處理液供給管的電極，對該處理液供給管內的處理液施加直流電壓，藉此，一邊以電極捕集處理液中的異物，一邊對基板供給處理液；其中，供給該處理液後，停止供給該處理液；其後，在將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉之狀態下，或是在停止對該電極施加電壓的狀態下，對該處理液供給管供給洗淨液。
  10. 一種處理液供給裝置，從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於具有：中間貯槽，設置於該處理液供給管上位在該處理液供給源與該供給噴嘴之間的位置，用以暫時存放由該處理液供給源所供給之處理液；該中間貯槽，具有：電極，對存放在該中間貯槽內部的處理液施加直流電壓；電源單元，可將極性反轉自如地對該電極施加直流電壓； 洗淨液供給管，對該中間貯槽供給洗淨液。
  11. 如申請專利範圍第10項之處理液供給裝置，其中，該中間貯槽設有攪拌機構，其使存放在該中間貯槽內部的處理液與該電極相對地移動。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之處理液供給裝置，其中，該電極，形成為網眼狀。
  13. 如申請專利範圍第11項之處理液供給裝置，其中，該電極之正極或負極中之任一極，形成為與該中間貯槽之底面平行的網眼板狀，且設置於該中間貯槽的內側；另一極，設置於該中間貯槽的外側；該攪拌機構係一昇降機構，使設於該中間貯槽內部的該極於上下方向昇降。
  14. 如申請專利範圍第11項之處理液供給裝置，其中，該電極之正極或負極中之任一極，形成為網眼板狀，且於該中間貯槽之內側，沿著在鉛直方向延伸設置之旋轉軸而設置；另一極，設置於該中間貯槽的外側，該攪拌機構，係使該旋轉軸旋轉的一旋轉機構。
  15. 如申請專利範圍第10或11項之處理液供給裝置，其中，包含廢液管，從該中間貯槽排出洗淨液。
  16. 如申請專利範圍第10或11項之處理液供給裝置，其中，於該處理液供給管，並聯配置著複數個該中間貯槽。
  17. 一種處理液供給方法，從處理液供給源透過處理液供給管，對供給處理液至基板之供給噴嘴，供給處理液；其特徵在於：將處理液供給源所供給之處理液，暫時存放在中間貯槽，該中間貯槽係設置於該處理液供給管上且位於該處理液供給源與該供給噴嘴之間的位置；其後，透過設於該中間貯槽之電極，對該中間貯槽內的處理液施加直流電壓，以電極捕集處理液中的異物；其後，將去除了異物的該中間貯槽內的處理液供給至該供給噴嘴； 於停止對該供給噴嘴供給處理液後，將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉，或停止對該電極施加電壓；其後，對該中間貯槽供給洗淨液，洗淨該中間貯槽裡面。
  18. 如申請專利範圍第17項之處理液供給方法，其中，至少於對該電極施加電壓之期間，使存放在該中間貯槽內部的處理液，與該電極相對地移動。
  19. 一種可供讀取之電腦記憶媒體，儲存有在作為一控制部的電腦上動作之程式，係基於利用一處理液供給裝置執行一處理液供給方法，即執行從處理液供給源透過處理液供給管對供給處理液至基板之供給噴嘴供給處理液之目的，而由該控制部控制該處理液供給裝置；其特徵在於，該處理液供給方法係如下：將該處理液供給源所供給之處理液，暫時存放在中間貯槽，該中間貯槽係設置於該處理液供給管上且位於該處理液供給源與該供給噴嘴之間的位置；其後，透過設於該中間貯槽之電極，對該中間貯槽內的處理液施加直流電壓，以電極捕集處理液中的異物；其後，將去除了異物的該中間貯槽內的處理液供給至該供給噴嘴；於停止對該供給噴嘴供給處理液後，將施加於該電極之直流電壓的極性加以反轉，或停止對該電極施加電壓；其後，對該中間貯槽供給洗淨液，洗淨該中間貯槽裡面。
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