JP2002305134A - 現像処理装置 - Google Patents

現像処理装置

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JP2002305134A
JP2002305134A JP2001107075A JP2001107075A JP2002305134A JP 2002305134 A JP2002305134 A JP 2002305134A JP 2001107075 A JP2001107075 A JP 2001107075A JP 2001107075 A JP2001107075 A JP 2001107075A JP 2002305134 A JP2002305134 A JP 2002305134A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハの現像処理において気液の排出を分離
して行う。 【解決手段】 カップ収容部６０の底に底板６１を設け
る。底板６１には，排液口６２を設け，排液口６２の位
置が最も低くなるように底板６１の上面を傾斜させる。
カップ収容部６０内には，処理時のウェハＷの外方を囲
むカップ６７を設ける。カップ６７の内側であって底板
６１上には，略円錐形状の傾斜板７０を設ける。傾斜板
７０には，排気管７２を設け，排気管７２の排気口７３
を，傾斜板７０より高い位置に開口させる。ウェハＷか
ら飛散等した現像液は，底板６１及び傾斜板７０上を流
れ，排気口７２に流入することなく排液口６２から排液
される。上方のエア供給機構９５から供給されたエア
は，カップ６７内を通って排気管７２から排気される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の現像処理装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後の
ウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ，ウ
ェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】上述の現像処理が行われる現像処理装置に
は，例えばウェハに現像液を供給する現像液供給ノズル
と，ウェハを保持し回転可能なスピンチャックと，ウェ
ハの外方を囲むカップ等が備えられている。そして，現
像処理は，スピンチャックに保持されたウェハに現像液
が供給され，当該ウェハが所定時間静止現像された後，
ウェハが回転され，当該ウェハＷが洗浄・乾燥されるこ
とによって行われている。
【０００４】一方，現像処理時には，ウェハから漏れた
り飛散した現像液等を排液し，また，現像処理装置内に
浮遊する不純物を排気する必要がある。そのため，カッ
プの下部には，工場側のファン等に接続されたドレイン
管が設けられており，従来は，前記現像液等の排液や不
純物を含んだ雰囲気を当該ドレイン管から一括して排出
するようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，このよ
うに現像液等の排液と不純物等の排気をドレイン管によ
って一括して行うと，ドレイン管の吸引力を発生させて
いる工場側のファンに圧力損失が生じ，所定の排気量を
維持するためには，通常よりも多くファンを回転させる
必要がある。このように，ファンを高回転で維持する
と，その分電力消費量が増大し，現像処理のトータルの
ランニングコストが増大することになる。また，ファン
に湿った排気が接触する可能性が高くなり，ファンに腐
食等が生じることが懸念される。
【０００６】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，現像処理における気液の排出を分離して行うこ
とのできる現像処理装置を提供することをその目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，処理容器内で基板を現像処理する現像処理装置であ
って，前記処理容器内には，水平に保持された基板の外
方を囲み上面及び下面が開口した内容器が設けられ，前
記処理容器の底部であって，前記内容器の内側には，前
記処理容器内の雰囲気を排気する排気管が設けられ，前
記排気管の排気口は，前記底部よりも高い位置で開口し
ており，前記底部には，前記処理容器内の処理液を排液
する排液口が設けられていることを特徴とする現像処理
装置が提供される。
【０００８】請求項１によれば，基板の外方を囲み上面
と下面が開口した前記内容器が設けられているので，基
板から飛散等した現像液等の処理液は，当該内容器によ
って受け止められ，前記処理容器の底部に落下される。
当該底部には，前記排液口が設けられており，前記底部
に落下した処理液は，当該排液口から排液される。一
方，現像液を供給する際等には，現像液のミスト等が発
生し，基板の汚染の原因となるので，処理時には，処理
容器内の雰囲気を重力に従った下方から排気することが
必要になる。本発明では，処理容器の底部に排気管を設
けるので，処理容器内の雰囲気を処理容器の下方から好
適に排気することができる。また，排気管の排気口は，
処理容器の底部よりも高い位置に開口するように設けら
れるので，前記底部に落下した処理液が排気口内に入り
込むことが無くなり，排液と排気とを混合させずに別々
に排出することができる。
【０００９】前記底部の上面は，傾斜しており，前記排
液口は，当該傾斜した前記上面の最も低い位置に設けら
れてもよい。これにより，処理容器の底部に落下した処
理液は，前記底部の傾斜した上面に沿って流れ，最も低
い位置にある排液口内に流入する。したがって，処理容
器の底部上に落下した処理液は，当該底部上に留まるこ
となく，好適に排液される。
【００１０】前記処理容器の底部は，中心部が高い略円
錐状の傾斜板を有し，前記傾斜板は，前記内容器の内側
又はその下方に設けられていてもよい。内容器内には，
基板の外縁部から漏れた現像液や，基板から飛散した現
像液等の多くの処理液が落下する。本発明は，当該内容
器の内側又はその下方の前記処理容器の底部に，中央部
が高い略円錐状の傾斜板を設けるので，前記落下した処
理液は，当該傾斜板に沿って中央部から外方に流され，
当該処理液を排液口側に誘導することができる。これに
よって，多量の処理液が落下しても，処理液が前記底部
上に溜まることなく，好適に排液される。
【００１１】また，前記傾斜板には，当該傾斜板の外縁
部に沿って樋が設けられており，前記樋には，当該樋内
の前記処理液を前記傾斜板外に流すための切り欠きが設
けられていてもよい。このように，前記傾斜板の外縁部
に樋を取付け，当該樋の一部に切り欠きを設けることに
よって，傾斜板上に落下し，傾斜板に沿って流れた現像
液等の処理液は，樋内に流入し，樋に沿って流れて，切
り欠きから傾斜板外に流出される。これによって，傾斜
板に落下した処理液を回収して誘導し，一箇所に集約し
て確実に排液することができる。
【００１２】前記切り欠きは，前記排液口に最も近い位
置に設けられていてもよい。このように，前記樋の切り
欠きを，前記排液口に最も近い位置に設けることによっ
て，切り欠きから流出した処理液が，より確実かつ迅速
に排液口に流れ込み，処理液の排液が好適に行われる。
【００１３】前記処理容器内には，前記現像液供給部を
洗浄する洗浄装置が設けられており，前記洗浄装置に
は，当該洗浄装置で使用された洗浄液を前記底部上に排
出する排出口が設けられていてもよい。このように，洗
浄装置に前記洗浄液を排出する排出口を設けることによ
って，洗浄液を交換する際に，当該洗浄液は，排出口か
ら処理容器の底部上に排出され，処理容器の底部上に排
出された洗浄液は，上述の排液口から排出される。これ
によって，使用済みの洗浄液と上述した処理液とを同じ
排液口から排液することができる。したがって，現像処
理装置内の排液を一系統にまとめて行うことができるの
で，排液を他系統で行った場合に比べて，配管設計が容
易となり，現像処理装置全体も簡略化される。
【００１４】前記排出口から前記排液口まで前記洗浄液
を誘導する誘導路を有するようにしてもよい。このよう
に，誘導路を設けることによって，洗浄装置から処理容
器の底部上に排出された洗浄液が誘導路に沿って流れ，
排液口まで誘導される。したがって，洗浄液が処理容器
の底部で溜まることなく，洗浄液を好適に排液すること
ができる。
【００１５】現像処理装置が前記処理容器の底部に洗浄
液を供給する供給部を有していてもよい。このように，
供給部を設け，洗浄液を処理容器の底部に供給すること
によって，処理容器の底部上の処理液の排出を促進させ
ることができる。したがって，処理容器の底部上に落下
等した処理液が当該底部に残留することなく，好適に排
出される。
【００１６】現像処理装置が前記内容器の内側壁に洗浄
液を供給する供給部を有していてもよい。内容器の内側
は，基板から飛散等した処理液が付着するので，処理が
行われる度に汚染される。そして，かかる状態を放置す
ると，乾いた付着物が剥がれて，パーティクルの原因と
なる。当該発明のように，内容器の内側壁に洗浄液を供
給することによって，内容器が清浄化され，パーティク
ルの発生を抑制することができる。
【００１７】少なくとも前記底部の上面には，親水性を
有する材料が用いられてもよい。このように処理容器の
底部の表面に親水性を有する材料を使用することによっ
て，処理液が処理容器の底部上を流れやすくなる。した
がって，底部上の処理液が排液され易くなり，少量の処
理液でも底部上に残存することが抑制できる。
【００１８】少なくとも前記底部の上面の材質は，非金
属にしてもよい。このように非金属にすることによっ
て，処理容器の底部上を流れる現像液等の処理液に，金
属イオンが溶解することが防止される。これによって，
現像液等の処理液を再利用する際に，金属イオンを除去
する必要が無くなり，処理液等の再利用し易くなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施に形態にかかる現
像処理装置を有する塗布現像処理システム１の概略を示
す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正
面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図
である。
【００２０】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
【００２１】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＲ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｒ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００２２】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。
【００２３】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は現像処理システム１の
正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットス
テーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4
は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。
さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群
G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装
置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5に配
置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷ
を搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，
ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装
置群の数は，１以上であれば任意に選択できる。
【００２４】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，ウェハＷにレジスト液を供給し，レジスト膜
を形成するレジスト塗布装置１７と，本実施の形態にか
かる現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されて
いる。処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置
１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重
ねられている。
【００２５】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステ
ンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプ
リベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理
を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に
例えば７段に積み重ねられている。
【００２６】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポ
ストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８
段に積み重ねられている。
【００２７】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｒ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷ
を搬送できるように構成されている。
【００２８】次に，上述した現像処理装置１８の構成に
ついて詳しく説明する。図４は，現像処理装置１８の概
略を示す縦断面の説明図であり，図５は，現像処理装置
１８の横断面の説明図である。
【００２９】現像処理装置１８は，図４に示すようにケ
ーシング１８ａ内に上面が開口した略箱状の処理容器と
してのカップ収容部６０を有している。カップ収容部６
０の底には，底部としての底板６１が設けられている。
底板６１のカップ収容部６０の側壁近郊には，カップ収
容部６０内で使用された現像液，洗浄液等の処理液を排
液するための排液口６２が設けられている。底板６１の
上面は，当該排液口６２の設けられている位置が最も低
くなるように傾斜しており，底板６１に落下した処理液
は，傾斜した底板６１を伝って排液口６２内に流入し，
排液口６２から排液される。底板６１の材質には，非金
属である例えばポリプロピレンが使用されている。
【００３０】カップ収容部６０の中央部には，ウェハＷ
を保持するスピンチャック６３が設けられている。スピ
ンチャック６３は，水平かつ円形状に形成された上面部
６３ａを有し，ウェハＷを水平に保持することができ
る。上面部６３ａには，例えば図示しない吸引口が設け
られており，ウェハＷが上面部６３ａでずれたり，上面
部６３ａから落下しないようになっている。
【００３１】スピンチャック６３の下部には，スピンチ
ャック６３を回転させる駆動機構６４が設けられてい
る。駆動機構６４は，図示しないモータ等を備えた駆動
部，駆動部に電力を供給する電源及び電源を制御する制
御部とを有している。当該駆動機構６４によって，スピ
ンチャック６３に保持されたウェハＷを所定の回転速度
で回転させることができる。スピンチャック６３の下部
は，モータ等から発生するパーティクルを遮断するため
のブラケット６５によって覆われている。
【００３２】スピンチャック６３には，上面部６３ａ上
でウェハＷを昇降させるための複数，例えば３本の昇降
ピン６６が設けられている。昇降ピン６６は，上面部６
３ａの周辺部を貫通し，上面部６３ａ上に突出自在に設
けられている。昇降ピン６６は，昇降機構６６ａによっ
て所定の高さに昇降できるようになっている。
【００３３】スピンチャック６３の外方には，水平に保
持されたウェハＷの外方を囲む内容器としてのカップ６
７が設けられている。カップ６７は，上面と下面が開口
した略筒状の形態を有している。ウェハＷが回転された
際に飛散した現像液等は，このカップ６７によって受け
止められ，底板６１上に落下する。カップ６７の上部
は，内側に傾斜しており，現像液の飛散を効果的に防止
する。カップ６７は，当該カップ６７を昇降させる，例
えばシリンダ等の駆動部を備えた昇降駆動機構６８を有
しており，カップ６７を適宜所定の高さに昇降させるこ
とができる。これによって，カップ６７の下端部と底板
６１との間に隙間Ｄを設けることが可能となる。
【００３４】カップ６７の内側であって，底板６１上に
は，カップ６７の内側で落下した現像液等を受け止める
ための傾斜した傾斜板７０が設けられている。傾斜板７
０は，図６に示すようにリング状の形態を有し，ブラケ
ット６５を囲むようにして設けられている。傾斜板７０
は，中心から外側に行くにつれて低くなるような略円錐
状に形成されている。傾斜板７０の外縁部には，図７に
示すように傾斜板７０を伝って流れた現像液等の処理液
を受け止め，回収すための樋７１が設けられている。樋
７１の排液口６２に最も近い位置には，図６に示すよう
に切り欠き７１ａが設けられており，樋７１内を流れた
処理液は，当該切り欠き７１ａから底板６１上に流さ
れ，排液口６２から排液される。
【００３５】傾斜板７０の斜面には，カップ収容部６０
内の雰囲気を排気する排気管７２が複数箇所設けられて
いる。排気管７２は，傾斜板７０の斜面にしたから突出
するように設けられており，排気管７２の排気口７３
は，傾斜板７０の斜面よりも高い位置で開口している。
それ故，傾斜板７０上を伝って流れる処理液が排気管７
２内に流入することが防止される。なお，排気管７２
は，図示しない工場側のダクトに接続されており，当該
ダクトに設けられたファンによってカップ収容部６０内
が吸引される。
【００３６】カップ６７の外周外方には，図４に示すよ
うにカップ６７とカップ収容部６０との間に流れ込む処
理液を遮断し，回収する平板形状の回収板７４が設けら
れている。回収板７４には，図５に示すように多数の通
気孔７５が設けられている。回収板７４は，カップ６７
側が低くなるように斜めに設けられている。回収板７４
に回収された処理液は，傾斜に沿って流れ，例えば回収
板７４とカップ６７との隙間から底板６１上に落下す
る。また，カップ６７とカップ収容部６０との間に流れ
込んだ気流は，通気孔７５を通過し，カップ６７の下端
部の隙間Ｄを通って排気口７３から排気される。
【００３７】例えば，カップ収容部６０のＸ方向正方向
側の側壁Ｒには，Ｙ方向に伸びるレール８０が設けられ
ている。レール８０は，側壁Ｒの一端部から他端部まで
設けられている。レール８０上には，現像液供給部とし
ての現像液供給ノズル８１を保持するアーム部８２が設
けられている。アーム部８２には，アーム部８２をレー
ル８０に沿って移動させる図示しない移動機構が設けら
れており，アーム部８２の移動は，当該移動機構によっ
て制御される。これによって，アーム部８２は，レール
８０上の任意の位置に移動することができ，現像液供給
ノズル８１を，Ｙ方向正方向側に位置する待機位置Ｔ
（図５に示す）からウェハＷのＹ方向負方向側の外方ま
で移動させることができる。アーム部８２には，アーム
部８２を上下方向に移動させる図示しないシリンダ等を
備えた駆動部が設けられており，現像液供給ノズル８１
とウェハＷとの距離を調節できるようになっている。
【００３８】アーム部８２は，アーム部８２がＹ方向に
移動した際に，現像液供給ノズル８１がウェハＷ上を通
過するように現像液供給ノズル８１を保持している。現
像液供給ノズル８１は，Ｘ方向に長い細長形状を有して
おり，その長さは，少なくともウェハＷの直径よりも長
く形成されている。図８に示すように現像液供給ノズル
８１の上部には，図示しない現像液供給源からの現像液
を現像液供給ノズル８１内に流入させる供給管８３が接
続されている。現像液供給ノズル８１の下部には，同じ
径を有する複数の現像液吐出口８４が長手方向に一列に
設けられている。供給管８３から現像液供給ノズル８１
内に供給された現像液は，現像液吐出口８４から同時に
同流量で吐出される。
【００３９】かかる構成によって，現像液供給ノズル８
１は，Ｙ方向に所定速度で移動しながら所定流量の現像
液を吐出して，ウェハＷ表面全面に現像液を供給し，ウ
ェハＷ上に現像液の所定膜厚の液膜を形成することがで
きる。
【００４０】カップ収容部６０内のＹ方向正方向側の側
壁近くには，図９に示すように現像液供給ノズル８１を
洗浄するための洗浄装置８５が設けられている。洗浄装
置８５は，現像液供給ノズル８１を洗浄するための洗浄
液，例えば純水を貯留する洗浄槽８６と，洗浄槽８６を
支持する支柱８７と，支柱８７の下端を固定し洗浄装置
８５を底板６１に固定する固定部材８８とを有してい
る。洗浄槽８６は，上面が開口した容器形状を有してお
り，その中に洗浄液を貯留できるようになっている。洗
浄槽８６は，図５に示すように現像液供給ノズル８１の
待機位置Ｔに位置し，現像液供給ノズル８１は，待機位
置Ｔに戻された時に洗浄槽８６内に受容され，洗浄され
る。
【００４１】図１０に示すように洗浄槽８６には，図示
しない洗浄液供給源から洗浄槽８６内に洗浄液を供給す
る供給管８６ａが設けられている。一方，洗浄槽８６の
底には，洗浄液を排出するための管路８７ａが設けられ
ている。管路８７ａは，洗浄槽８６の底部から支柱８７
内を通って，固定部材８８まで伸びており，固定部材８
８に設けられた排出口８９から洗浄液が底板６１上に排
出されるようになっている。したがって，洗浄槽８６か
ら管路８７ａを通じて洗浄液を排出し，供給管８６ａか
ら洗浄槽８６内に新しい洗浄液を供給することによっ
て，洗浄液を交換することができる。また，図９に示す
ように排出口８９から底板６１の排液口６２まで，排出
口８９から排出された洗浄液が誘導される誘導路として
の溝９０が設けられている。
【００４２】カップ収容部６０のＹ方向負方向側の外方
には，図５に示すようにＸ方向に伸びるレール９１が設
けられている。当該レール９１上には，アーム９２が移
動自在に設けられている。アーム９２には，アーム９２
をレール９１に沿って移動させる図示しない駆動機構が
設けられている。アーム９２の先端には，ウェハＷに洗
浄液を供給する洗浄液供給ノズル９３が設けられてい
る。洗浄液供給ノズル９３は，アーム９２がウェハＷの
直径上に移動した際に，洗浄液供給ノズル９３がウェハ
Ｗの中心上方に位置するように取り付けられている。洗
浄液供給ノズル９３は，所定時にアーム９２の移動に伴
ってウェハＷ中心に移動され，ウェハＷに洗浄液を供給
することができる。なお，アーム９２には，アーム９２
を上下方向に移動可能とする図示しない移動機構が設け
られており，必要に応じてウェハＷとの距離を調節でき
る。
【００４３】カップ収容部６０の上方には，図４に示す
ようにカップ収容部６０内にエア等の気体を供給するエ
ア供給機構９５が設けられている。エア供給機構９５に
は，ケーシング１８ａ外の図示しないエア供給源からエ
ア供給機構９５にエアを供給するエア供給管９６が接続
されている。エア供給機構９５は，エア内に含まれる不
純物を除去するフィルタ９７と，エアをカップ収容部６
０内に一様に供給するために気流を整流する整流板９８
とを有している。エア供給機構９５から供給されたエア
は，下方の排気管７２から排気され，カップ収容部６０
内には下降気流が形成される。このとき，カップ収容部
６０内が所定雰囲気に置換され，現像処理において発生
した不純物等が除去される。
【００４４】次に，以上のように構成されている現像処
理装置１８の作用について，塗布現像処理システム１で
行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説
明する。
【００４５】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するアドヒージョン装置３１に搬入する。このアドヒ
ージョン装置３１において，レジスト液との密着性を向
上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハＷ
は，主搬送装置１３によって，クーリング装置３０に搬
送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷ
は，レジスト塗布装置１７又は１９，プリベーキング装
置３３又は３４に順次搬送され，所定の処理が施され
る。その後，ウェハＷは，エクステンション・クーリン
グ装置４１に搬送される。
【００４６】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，こ
のウェハＷはポストエクスポージャベーキング装置４４
又は４５，クーリング装置４３に順次搬送され，これら
の各装置にて所定の処理が施された後，現像処理装置１
８又は２０に搬送される。
【００４７】そして現像処理の終了したウェハＷは，再
び主搬送装置１３によってポストベーキング装置３５，
３６，４６又は４７，クーリング装置３０に順次搬送さ
れ，各装置において所定の処理が施される。その後，ウ
ェハＷは，エクステンション装置３２を介して，ウェハ
搬送体７によってカセットＣに戻され，一連の所定の塗
布現像処理が終了する。
【００４８】次に，上述した現像処理装置１８の作用に
ついて詳しく説明する。先ず，現像処理が開始される前
（ウェハＷ受け入れ前）に，エア供給機構９５からカッ
プ収容部６０内に所定の温湿度に調節されたエアが供給
され始め，カップ収容部６０内に一様な下降気流が形成
される。また，カップ収容部６０内の雰囲気は，排気管
７２から常時一定流量で排気され，カップ収容部６０内
がパージされる。
【００４９】そして，現像処理が開始されると，先ず，
昇降機構６６ａによって昇降ピン６６がカップ６７の上
端面より高い位置に上昇される。次いで，主搬送装置１
３がケーシング１８ａ内に進入し，ウェハＷが昇降ピン
６６上に受け渡される。次に，昇降駆動機構６８によっ
てカップ６７が下降され，カップ６７の位置を下げると
共に，昇降ピン６６も下降され，ウェハＷがカップ６７
の上端面よりもわずかに高い位置，例えばカップ６７よ
りも１ｍｍ程度高い位置に置かれる。
【００５０】次に，洗浄槽８６に待機されていた現像液
供給ノズル８１が，図５に示すように洗浄槽８６からカ
ップ６７の内側であって，ウェハＷの外方の位置Ｓに移
動される。この位置Ｓにおいて，現像液供給ノズル８１
からの現像液の吐出が開始され，その吐出状態が安定す
るまで試し出しされる。このとき，試し出しされた現像
液は，主に傾斜板７０上に落下する。傾斜板７０に落下
した現像液は，図６に示すように傾斜によって傾斜板７
０の樋７１に回収される。樋７１に回収された現像液
は，樋７１を伝って切り欠き７１ａから底板６１上に排
出される。そして，底板６１上に排出された現像液は，
傾斜によって排液口６２まで誘導され，排液口６２から
現像処理装置１８外の例えば図示しない処理液タンクに
排出される。一方，回収板７４に落下した現像液も最終
的には，底板６１上に落下し，底板６１の傾斜によって
排液口６２まで誘導され，排液される。
【００５１】現像液の吐出状態が安定すると，現像液供
給ノズル８１が，現像液を吐出しながらウェハＷ上をＹ
方向負方向側に移動する。このときウェハＷ全面に現像
液が供給され，ウェハＷ上に現像液の液膜が形成され
る。このとき，ウェハＷや現像液供給ノズル８１から傾
斜板７０上に現像液が落下するが，かかる落下した現像
液は，上述した試し出し時と同様に傾斜板７０の切り欠
き７１ａから底板６１上に排出され，排液口６２から排
液される。その後，現像液供給ノズル８１は，ウェハＷ
のＹ方向負方向側の外方で停止し，現像液の供給を停止
して，待機位置Ｔに戻される。
【００５２】ウェハＷ上に現像液の液膜が形成される
と，静止現像が開始される。このときカップ６７は上昇
され，カップ６７の上端面がウェハＷの位置より高くな
るようにする。こうすることにより，静止現像中は，カ
ップ側部６７の上昇によって隙間Ｄが広くなるので，上
方から供給されているエアは，主にカップ６７の外方を
流れ，回収板７４の通気孔７５を通って，隙間Ｄからカ
ップ６７内に流入し，排気管７２から排気される。これ
によって，ウェハＷ周辺部の気流が弱まり，ウェハＷ温
度が維持される。
【００５３】所定時間の静止現像が終了すると，昇降ピ
ン６６が下降され，ウェハＷがスピンチャック６３上に
吸着保持される。この際，カップ６７も下降され，ウェ
ハＷが側方から見てカップ６７の中央部付近に位置され
る。このとき，カップ６７が下降されるので，隙間Ｄが
狭められて，上方から供給されるエアは主にカップ６７
内に直接流入され，カップ６７内に強い下降気流が形成
される。
【００５４】次いで，洗浄液供給ノズル９３が，アーム
９２の図示しない駆動機構によってレール９１に沿って
ウェハＷ中心の上方まで移動される。そして，ウェハＷ
が，スピンチャック６３によって所定の回転速度，例え
ば２０００ｒｐｍで回転される。ウェハＷの回転が開始
されると，洗浄液供給ノズル９３からウェハＷの中心に
洗浄液，例えば純水が供給される。これによって，ウェ
ハＷ全面に純水が拡散されると共に，ウェハＷ上の現像
液が遠心力によって振り切られる。このとき，遠心力で
振り切られた現像液と純水との処理液は，カップ６７に
受け止められ，カップ６７から傾斜板７０上に落下す
る。そして，傾斜板７０上に落下した処理液は，上述し
た現像液供給時の現像液と同様に，樋７１に回収され，
切り欠き７１ａから底板６１上に排出され，底板６１の
排液口６２から排液される。一方，カップ６７内の雰囲
気は，当該振り切りによって現像液等から発生したミス
トを含んでいる。当該雰囲気は，カップ６７内の下降気
流によって下降され，排気管７２から工場側に排気され
る。
【００５５】所定時間経過後，純水の吐出が停止され，
ウェハＷの回転速度が，例えば４０００ｒｐｍに加速さ
れる。これによって，ウェハＷ上の純水が振り切られ，
ウェハＷが乾燥される。当該乾燥が所定時間行われた
後，ウェハＷの回転が停止され，乾燥処理が終了する。
なお，当該乾燥処理時に飛散した純水は，上述した現像
液等の振り切り時と同様に，傾斜板７０，底板６１を伝
って排液口６２から排液される。
【００５６】乾燥処理が終了すると，ウェハＷは昇降ピ
ン６６によって再びカップ６７上端部の上方まで上昇さ
れる。次いで，ウェハＷは搬入時と同様にして主搬送装
置１３に受け渡され，ケーシング１８ａ外に搬出され
て，一連の現像処理が終了する。
【００５７】次に，洗浄液交換時の洗浄装置８５の作用
について説明すると，例えば現像液供給ノズル８１が，
ウェハＷに現像液を供給するために洗浄槽８６から位置
Ｓに移動した後に，洗浄槽８６内の洗浄液が管路８７ａ
を通って排出口８９から底板６１上に排出される。底板
６１に排出された洗浄液は，溝９０に沿って流れ，排液
口６２から排出される。次いで，供給管６８ａから洗浄
槽８６内に新しい洗浄液が供給され，貯留される。そし
て，現像液の吐出が終了した現像液供給ノズル８１が待
機位置Ｔに戻され，洗浄槽８６に受容されて，汚れた現
像液供給ノズル８１が洗浄される。なお，洗浄液の交換
は，ウェハＷが一枚処理される度に行われてもよいし，
一のロットが終了する度に行われてもよい。
【００５８】以上の実施の形態では，排気管７２の排気
口７３を傾斜板７０よりも高い位置に設けたので，現像
処理時に使用される処理液が，排気口７３内に流入する
ことが防止され，処理液とカップ６７内の雰囲気とを分
離して排出することができる。
【００５９】カップ収容部６０に底板６１を設け，底板
６１を排液口６２が最低となるように傾斜させたので，
底板６１に落下した処理液等が排液口６２に誘導され，
当該処理液が，底板６１上に溜まることなく排液され
る。
【００６０】底板６１上であって，カップ６７の内側に
対向する位置に傾斜板７０を設け，傾斜板７０の外縁部
に樋７１を設け，さらに樋７１に切り欠き７１ａを設け
たので，カップ６７内の処理液が傾斜板７０上に落下
し，当該落下した処理液が樋７１に回収され，樋７１の
切り欠き７１ａから排液口６２に排出される。それ故，
傾斜板７０に落下する多量の処理液を好適に排液するこ
とができる。
【００６１】また，切り欠き７１ａを排液口６２側に設
けたので，切り欠き７１ａから排出された処理液は，迅
速に排液口６２に流入し，排液される。
【００６２】洗浄装置８５の固定部材８８に排出口８９
を設けて，洗浄槽８６の洗浄液を底板６１に排出できる
ようにしたので，当該洗浄液を他の処理液と共に一括し
て排液口６２から排液することができる。また，排出口
８９から排液口６２間に溝９０を設けたので，排出口８
９から排出された洗浄液が適切かつ確実に排液口６２か
ら排液される。
【００６３】底板６１の材質に非金属のポリプロピレン
を用いたので，底板６１上を流れる処理液に金属イオン
が溶解することが無くなり，当該処理液を再利用する際
に金属イオンを除去する作業が省略できる。なお，底板
６１の材質には，例えばセラミックス，ステンレス鋼，
アルミニウム等の親水性を有するものを用いてもよい。
このように，親水性を有するものを使用することによっ
て，落下した処理液が底板６１上を流れやすくなり，底
板６１上に残留することが防止される。
【００６４】以上の実施の形態で記載した現像処理装置
１８に，底板６１上に洗浄液，例えば純水を供給する供
給装置を設けてもよい。図１１は，供給部としての供給
ノズル１００を設けた場合の一例を示すものであり，供
給ノズル１００は，底板６１上であって，カップ収容部
６０のＸ方向正方向側の側壁Ｒ付近に設けられる。供給
ノズル１００は，排液口６２の反対側であって底板６１
上で最も高くなっているＸ方向正方向側の端部付近に洗
浄液を供給するように配置される。そして，例えば現像
処理工程において，ウェハＷが回転され，洗浄液供給ノ
ズル９３から純水が供給され始めると同時に，供給ノズ
ル１００から底板６１上に洗浄液が供給される。底板６
１上の高い位置に供給された洗浄液は，傾斜に沿って排
液口６２側に流れ，途中落下してくる現像液や純水を巻
き込んで，当該現像液等と共に排液口６２から排液され
る。このように，底板６１上に現像液が供給されると，
底板６１上に落下した現像液等が排液口６２に流され，
底板６１上面が洗浄される。したがって，底板６１上に
現像液等が残留し底板６１が汚れた状態になることが抑
制され，底板６１を清潔に維持できる。なお，供給ノズ
ル１００から洗浄液を供給するタイミングは，任意であ
り，現像液の試し出しを開始するときに供給を開始して
もよいし，常時供給していてもよい。
【００６５】また，供給ノズル１００は，図１２に示す
ように傾斜板７０上に洗浄液を供給するように設けても
よい。このように，傾斜板７０上に洗浄液をすることに
よって，カップ６７内で傾斜板７０上に落下した現像液
等が洗浄液によって流され，現像液等の排液が促進され
る。したがって，傾斜板７０の樋７１等に現像液が残留
することが抑制され，傾斜板７０を洗浄することができ
る。
【００６６】さらに，図１３に示すように，供給ノズル
１００は，洗浄液をカップ６７の内壁に供給できるよう
に設けてもよい。当該供給ノズル１００によって，カッ
プ６７の内壁に洗浄液を供給することによって，ウェハ
Ｗから飛散し，カップ６７の内壁に付着した現像液等を
洗浄することができる。したがって，カップ６７の内壁
に付着した現像液等が剥がれ，パーティクルとなること
を抑制できる。なお，供給ノズル１００は，複数箇所に
設けてもよく，上述のカップ収容部６０の側壁Ｒ付近，
傾斜板７０上及びカップ６７の内壁の全てに設けてもよ
い。
【００６７】以上で説明した実施の形態は，本発明を半
導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィ
ー工程におけるウェハの現像処理装置に適用した例であ
ったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板，例えばＬＣ
Ｄ基板の現像処理装置にも応用できる。
【００６８】
【発明の効果】本発明は，排液と排気とを混合させずに
別々に除去することができるので，排気を行う工場側の
ファンの圧力損失を抑制し，余分な電力消費を抑えるこ
とができる。したがって，現像処理装置のランニングコ
ストの削減が図られる。
【００６９】特に，請求項２〜請求項１１によれば，処
理容器内の処理液が好適に排液され，処理容器内の汚染
が抑制されるので，メンテナンスの時間や回数が低減さ
れ，その分スループットの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる現像処理装置を有する塗布
現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】実施の形態にかかる現像処理装置の縦断面の説
明図である。
【図５】図４の現像処理装置の横断面の説明図である。
【図６】現像処理装置のカップ及びスピンチャックを取
り除いたカップ収容部内部の斜視図である。
【図７】傾斜板の縦断面図である。
【図８】現像液供給ノズルの斜視図である。
【図９】カップ及びスピンチャックを取り除いたカップ
収容部内部の斜視図である。
【図１０】洗浄装置の構成の概略を示す斜視図である。
【図１１】供給ノズルを設けた場合のカップ及びスピン
チャックを取り除いたカップ収容部内部の斜視図であ
る。
【図１２】図１１の他の構成例を示すカップ収容部内部
の斜視図である。
【図１３】カップ内に供給ノズルを設けた場合のカップ
内の構成を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム １８ 現像処理装置 ６０ カップ収容部 ６１ 底板 ６２ 排液口 ６３ スピンチャック ６７ カップ ７０ 底板 ７２ 排気管 ７３ 排気口 ８１ 現像液供給ノズル ９５ エア供給機構 Ｔ 待機位置 Ｗ ウェハ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理容器内で基板を現像処理する現像処
    理装置であって，前記処理容器内には，水平に保持され
    た基板の外方を囲み上面及び下面が開口した内容器が設
    けられ，前記処理容器の底部であって，前記内容器の内
    側には，前記処理容器内の雰囲気を排気する排気管が設
    けられ，前記排気管の排気口は，前記底部よりも高い位
    置で開口しており，前記底部には，前記処理容器内の処
    理液を排液する排液口が設けられていることを特徴とす
    る，現像処理装置。
  2. 【請求項２】 前記底部の上面は，傾斜しており，前記
    排液口は，当該傾斜した前記上面の最も低い位置に設け
    られていることを特徴とする，請求項１に記載の現像処
    理装置。
  3. 【請求項３】 前記処理容器の底部は，中心部が高い略
    円錐状の傾斜板を有し，前記傾斜板は，前記内容器の内
    側又はその下方に設けられていることを特徴とする，請
    求項１又は２のいずれかに記載の現像処理装置。
  4. 【請求項４】 前記傾斜板には，当該傾斜板の外縁部に
    沿って樋が設けられており，前記樋には，当該樋内の前
    記処理液を前記傾斜板外に流すための切り欠きが設けら
    れていることを特徴とする，請求項３に記載の現像処理
    装置。
  5. 【請求項５】 前記切り欠きは，前記排液口に最も近い
    位置に設けられていることを特徴とする，請求項４に記
    載の現像処理装置。
  6. 【請求項６】 前記処理容器内には，基板に現像液を供
    給する現像液供給部を洗浄する洗浄装置が設けられてお
    り，前記洗浄装置には，当該洗浄装置で使用された洗浄
    液を前記底部上に排出する排出口が設けられていること
    を特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれか
    に記載の現像処理装置。
  7. 【請求項７】 前記排出口から前記排液口まで前記洗浄
    液を誘導する誘導路を有することを特徴とする，請求項
    ６に記載の現像処理装置。
  8. 【請求項８】 前記処理容器の底部に洗浄液を供給する
    供給部を有することを特徴とする，請求項１，２，３，
    ４，５，６又は７のいずれかに記載の現像処理装置。
  9. 【請求項９】 前記処理容器の内側壁に洗浄液を供給す
    る供給部を有することを特徴とする，請求項１，２，
    ３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の現像処理
    装置。
  10. 【請求項１０】 少なくとも前記底部の上面には，親水
    性を有する材料が用いられていることを特徴とする，請
    求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９のいずれか
    に記載の現像処理装置。
  11. 【請求項１１】 少なくとも前記底部の上面の材質は，
    非金属であることを特徴とする，請求項１，２，３，
    ４，５，６，７，８，９又は１０のいずれかに記載の現
    像処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103611A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2011071405A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびカバー部材
JP2016082177A (ja) * 2014-10-22 2016-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4255702B2 (ja) * 2003-01-28 2009-04-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び方法
US20060182535A1 (en) * 2004-12-22 2006-08-17 Mike Rice Cartesian robot design
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7819079B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
KR100706781B1 (ko) * 2006-02-08 2007-04-12 삼성전자주식회사 개선된 구조의 노즐 유닛을 포함하는 현상 장치
JP6017999B2 (ja) * 2013-03-15 2016-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP7093703B2 (ja) * 2018-09-07 2022-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10976676B2 (en) * 2018-09-27 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Contamination handling for semiconductor apparatus
CN112775067B (zh) * 2019-11-08 2022-10-28 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种快速排放的机械手臂夹手清洗槽
KR102583458B1 (ko) * 2020-11-27 2023-09-26 세메스 주식회사 기판 처리액 회수 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3990462A (en) * 1975-05-19 1976-11-09 Fluoroware Systems Corporation Substrate stripping and cleaning apparatus
US4429983A (en) * 1982-03-22 1984-02-07 International Business Machines Corporation Developing apparatus for exposed photoresist coated wafers
JP3072121B2 (ja) * 1990-10-01 2000-07-31 松下電器産業株式会社 洗浄槽と洗浄システム及び洗浄方法
JP2533461Y2 (ja) * 1991-12-27 1997-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板の回転式現像処理装置
JP2971681B2 (ja) * 1992-10-02 1999-11-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5711809A (en) * 1995-04-19 1998-01-27 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method of controlling the same
TW324834B (en) * 1996-02-01 1998-01-11 Tokyo Electron Co Ltd Method for forming membrane
JPH1041270A (ja) * 1996-07-26 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
US6652662B1 (en) * 1998-04-03 2003-11-25 Tokyo Electron Limited Substrate surface processing apparatus and method
US6270576B1 (en) * 1998-08-05 2001-08-07 Tokyo Electron Limited Coating and developing apparatus
JP3587723B2 (ja) * 1999-04-30 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2000334395A (ja) * 1999-05-31 2000-12-05 Ebara Corp 洗浄装置
JP3616275B2 (ja) * 1999-05-31 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、それに用いる処理液供給ノズル、および液処理方法
JP3641707B2 (ja) * 1999-07-22 2005-04-27 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置および現像処理方法
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6415804B1 (en) * 1999-12-23 2002-07-09 Lam Research Corporation Bowl for processing semiconductor wafers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103611A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP2011071405A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびカバー部材
JP2016082177A (ja) * 2014-10-22 2016-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

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