JP2003297802A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 【解決手段】 基板Ｗの表面ＷＳにエッチング液Ｅを供
給してエッチングを施す基板処理方法において，前記エ
ッチング液Ｅは，基板の表面ＷＳがエッチングされない
ように保護する保護因子Ｅｂを含有し，前記保護因子Ｅ
ｂは，光Ｌを照射すると基板の表面ＷＳをエッチングす
るエッチング因子Ｅｅに改質するものであって，基板の
表面ＷＳに前記エッチング液Ｅを供給することにより，
前記基板の表面ＷＳに前記保護因子Ｅｂを供給し，前記
基板の表面ＷＳに供給した保護因子Ｅｂに対して前記光
Ｌを照射して，前記保護因子Ｅｂを前記エッチング因子
Ｅｅに改質し，前記エッチング因子Ｅｅによって前記基
板の表面ＷＳをエッチングすることとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，例えば半導体ウェ
ハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板に対してエッチング処
理などする基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造工程におい
ては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）の表
面上に酸化シリコン膜を成膜し，その上にエッチングマ
スク用のパターンニングされたレジスト膜を成膜した
後，酸化シリコン膜をエッチングする一連の処理が行わ
れる。レジストパターンは，ウェハ表面上に塗布したレ
ジスト膜に対し，露光装置によってマスクパターンを転
写した後，露光したレジストに現像装置において現像液
を供給して処理することにより形成される。レジストパ
ターン形成後，酸化シリコン膜をエッチングする方法と
しては，プラズマ化したガス等を用いるドライエッチン
グ法と，エッチング液を用いるウエットエッチング法が
ある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のウエットエッチ
ング法にあっては，酸化シリコン膜のエッチングが等方
的に進行するため，レジストパターンに忠実なエッチン
グが困難であり，パターンの微細なエッチングに不向き
であるという問題がある。即ち，エッチング液により酸
化シリコン膜表面からエッチングが進行すると，横方向
にもエッチング液が侵入してエッチングが起こるので，
レジストパターンより幅広くエッチングされる欠点があ
る。

【０００４】従って，本発明の目的は，ウエットエッチ
ング法において，直進的にエッチングを行うことができ
る基板処理装置及び基板処理方法を提供することにあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明によれば，基板に処理液を供給して，前記基
板の表面をエッチングする基板処理装置であって，リン
ス液を供給するリンス液供給ノズルと，エッチング液を
供給するエッチング液供給ノズルと，基板の表面に対し
て光を照射する光源を備え，前記光源は，前記光を基板
の表面に対して垂直に照射することを特徴とする，基板
処理装置が提供される。さらに，基板の表面に現像液を
供給する現像液供給ノズルを備えることが好ましい。本
発明の基板処理装置は，現像装置，洗浄装置及びエッチ
ング処理装置の機能を兼備する。従って，フットプリン
トを小さくすることができる。

【０００６】前記基板を保持するスピンチャックを備え
ることが好ましい。即ち，ウェハをスピンチャックによ
り回転させながら，ウェハ表面に現像液，リンス液，エ
ッチング液等の処理液を供給すると，遠心力によってウ
ェハ表面全体に処理液を容易に拡散させることができ
る。また，前記基板を傾斜させて支持する支持部材を備
えても良い。この場合，傾斜したウェハの上端から下端
へ処理液を流すことにより，ウェハ表面全体に処理液を
供給する。

【０００７】また，本発明によれば，基板の表面にエッ
チング液を供給してエッチングを施す基板処理方法にお
いて，前記エッチング液は，基板の表面がエッチングさ
れないように保護する保護因子を含有し，前記保護因子
は，光を照射すると基板の表面をエッチングするエッチ
ング因子に改質するものであって，基板の表面に前記エ
ッチング液を供給することにより，前記基板の表面に前
記保護因子を供給し，前記基板の表面に供給した保護因
子に対して前記光を照射して，前記保護因子を前記エッ
チング因子に改質し，前記エッチング因子によって前記
基板の表面を光の照射方向にエッチングすることを特徴
とする，基板処理方法が提供される。なお，前記基板の
表面は酸化膜であることが好ましい。

【０００８】即ち，かかる基板処理方法によれば，光を
照射する部分のみエッチング因子が発生してエッチング
が進行する。例えば，レジストパターンが形成されたウ
ェハの表面に対してエッチング液を供給して光を照射す
ると，表面が露出した部分が光を受けて光の照射方向に
エッチングが進行する。そして，エッチングが進行して
も，横方向は光が照射せず，また，保護因子に保護され
ているため，基板の厚さ方向にエッチングが直進的に進
行する。なお，前記基板の表面はレジスト膜であっても
良い。

【０００９】さらに，本発明によれば，基板の表面にエ
ッチング液を供給してエッチングを施す基板処理方法に
おいて，前記基板の表面は，光を照射すると前記エッチ
ング液にエッチングされる性質に変質するものであっ
て，前記基板の表面にエッチング液を供給し，前記エッ
チング液が供給された基板に対して前記光を照射するこ
とにより，前記基板の表面を変質させ，前記変質した基
板の表面を，前記エッチング液によって光の照射方向に
エッチングすることを特徴とする，基板処理方法が提供
される。なお，前記基板の表面はレジスト膜であること
が好ましい。例えば，レジスト膜の表面に対してレジス
トをエッチングするエッチング液を供給して光を照射す
ると，光を照射する部分のみ表面が変質してエッチング
が進行する。そして，エッチングが進行しても，エッチ
ングされた溝の壁面，即ち横方向は光が照射しないた
め，縦方向にエッチングが直進的に進行する。

【００１０】さらに，前記基板の表面にエッチング液を
供給するに際し，前記基板の表面を部分的に露出させ，
前記露出させた部分を光の照射方向にエッチングするこ
とが好ましい。即ち，かかる表面が露出した部分からエ
ッチングが直進的に進行する。また，前記基板の表面を
部分的に露出させるに際し，前記基板の表面に形成され
た膜をパターンニングすることが好ましい。

【００１１】前記基板の表面は，基板に形成された１又
は２以上の層の表面であっても良い。例えば，基板の上
に酸化膜，窒化膜が順に多層に形成されている場合，最
初に酸化膜をエッチングして窒化膜の表面を露出させた
後，次に窒化膜をエッチングするようにしても良い。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態を，基板の一例としてのウェハＷに対して，ウェハの
表面を現像処理及びエッチング処理するように構成され
た基板処理ユニットに基づいて説明する。図１は，本実
施の形態にかかる基板処理ユニット３０ａ，３０ｂを組
み込んだ処理システム１の平面図である。この処理シス
テム１は，ウェハＷにレジスト塗布処理，露光処理，現
像処理，熱的処理，エッチング処理，洗浄処理等を施す
処理部２と，処理部２に対してウェハＷを搬入出する搬
入出部３から構成されている。

【００１３】搬入出部３は，複数枚，例えば２５枚のウ
ェハＷが所定の間隔で略水平に収容可能な容器（キャリ
アＣ）を載置するための載置台６が設けられたイン・ア
ウトポート４と，載置台６に載置されたキャリアＣと処
理部２との間でウェハの受け渡しを行うウェハ搬送装置
７が備えられたウェハ搬送部５と，から構成されてい
る。

【００１４】ウェハＷはキャリアＣの一側面を通して搬
入出され，キャリアＣの側面には開閉可能な蓋体が設け
られている。また，ウェハＷを所定間隔で保持するため
の棚板が内壁に設けられており，ウェハＷを収容する２
５個のスロットが形成されている。ウェハＷは，半導体
デバイスを形成する面が上面（ウェハＷを水平に保持し
た場合に上側となっている面）となっている状態で各ス
ロットに１枚ずつ収容される。

【００１５】イン・アウトポート４の載置台６上には，
例えば，３個のキャリアを水平面のＹ方向に並べて所定
位置に載置することができるようになっている。キャリ
アＣは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート４と
ウェハ搬送部５との境界壁８側に向けて載置される。境
界壁８においてキャリアＣの載置場所に対応する位置に
は窓部９が形成されており，窓部９のウェハ搬送部５側
には，窓部９をシャッター等により開閉する窓部開閉機
構１０が設けられている。この窓部開閉機構１０は，キ
ャリアＣに設けられた蓋体もまた開閉可能である。

【００１６】ウェハ搬送部５に配設されたウエハ搬送装
置７は，Ｙ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―
Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。ま
た，ウェハ搬送装置７は，ウェハＷを把持する取出収納
アーム１１を有し，この取出収納アーム１１はＸ方向に
スライド自在となっている。こうして，ウェハ搬送装置
７は，載置台６に載置された全てのキャリアＣの任意の
高さのスロットにアクセスし，また，処理部２に配設さ
れた主ウェハ搬送装置１８にアクセスして，イン・アウ
トポート４側から処理部２側へ，逆に処理部２側からイ
ン・アウトポート４側へウェハＷを搬送することができ
るようになっている。

【００１７】処理部２は，主ウェハ搬送装置１８を備え
たウェハ搬送部１５と，２台のレジスト塗布ユニット２
０ａ，２０ｂと，６台の加熱ユニット２２ａ〜２２ｆ
と，２台の冷却ユニット２４ａ，２４ｂと，露光ユニッ
ト２６と，本実施の形態にかかる２台の基板処理ユニッ
ト３０ａ，３０ｂとを備えている。処理部２の天井部に
は，各ユニット及び主ウェハ搬送装置１８に，清浄な空
気をダウンフローするための図示しないファンフィルタ
ーユニット（ＦＦＵ）が配設されている。

【００１８】ウェハ搬送部１５に配設された主ウェハ搬
送装置１８は，Ｘ方向とＺ方向に移動可能であり，か
つ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されてい
る。また，主ウェハ搬送装置１８は，ウェハＷを把持す
る搬送アーム３２を有し，この搬送アーム３２はＹ方向
にスライド自在となっている。こうして，主ウェハ搬送
装置１８は，ウェハ搬送部５に配設されたウエハ搬送装
置７と，２台のレジスト塗布ユニット２０ａ，２０ｂ
と，６台の加熱ユニット２２ａ〜２２ｆと，２台の冷却
ユニット２４ａ，２４ｂと，露光ユニット２６と，２台
の基板処理ユニット３０ａ，３０ｂの総てのユニットに
アクセス可能に配設されている。

【００１９】本実施の形態にかかる基板処理ユニット３
０ａ，３０ｂは，上下２段に配設されており，同様の構
成を備えている。そこで，基板処理ユニット３０ａを例
として，その構造について詳細に以下に説明する。

【００２０】図２は，基板処理ユニット３０ａの平面図
である。基板処理ユニット３０ａのユニットチャンバー
４０内には，ウェハＷを収納するアウターチャンバー４
２を備えている。ユニットチャンバー４０及びアウター
チャンバー４２は，密閉構造の容器である。ユニットチ
ャンバー４０及びアウターチャンバー４２には，搬送ア
ーム３２によってウェハＷを搬入出するための図示しな
い開口が形成されている。各開口はシャッターによって
閉塞される。

【００２１】アウターチャンバー４２内には，ウェハＷ
を略水平に保持するスピンチャック４５が配置されてい
る。ウェハＷは，ウェハ表面ＷＳを上面にして，周縁部
分をスピンチャック４５によって保持される。スピンチ
ャック４５は，下部に接続するモータ４６の駆動によっ
て回転し，保持したウェハＷを一体的に水平面内で回転
させる。

【００２２】また，アウターチャンバー４２に隣接し
て，ノズル格納チャンバー４７が配置されている。ノズ
ル格納チャンバー４７内には，ウェハＷに現像液を供給
する現像液供給ノズル４８，リンス液として例えば純水
（ＤＩＷ）を供給するリンス液供給ノズル４９と，エッ
チング液を供給するエッチング液供給ノズル５０が収納
されている。ノズル格納チャンバー４７とアウターチャ
ンバー４２の間には開口４７ａが設けられている。開口
４７ａは，図示しないモータ等の駆動機構により駆動す
るシャッター４７ｂによって閉塞される。現像液供給ノ
ズル４８，リンス液供給ノズル４９と，エッチング液供
給ノズル５０は開口４７ａを通過してアウターチャンバ
ー４２内に移動する。

【００２３】現像液供給ノズル４８には，現像液供給源
５２が接続され，リンス液供給ノズル４９には，純水供
給源５３が接続されている。エッチング液供給ノズル５
０は処理液循環路５５が接続されており，処理液循環路
５５から循環供給されるエッチング液を吐出する。

【００２４】また，現像液供給ノズル４８と，リンス液
供給ノズル４９と，エッチング液供給ノズル５０は，図
示しない駆動機構によって，アウターチャンバー４２内
に収納されたウェハＷの上方にそれぞれ移動することが
できる。また，現像液供給ノズル４８，リンス液供給ノ
ズル４９，エッチング液供給ノズル５０は，それぞれウ
ェハＷの少なくとも中心から周縁までそれぞれ移動（ス
キャン）することができる。

【００２５】現像液供給ノズル４８から供給する現像液
は，後述するように，レジスト膜Ｒｅの露光された部分
をウェハ表面ＷＳから除去する現像処理に使用される。
エッチング液供給ノズル５０から供給されるエッチング
液Ｅは，ウェハ表面ＷＳがエッチングされないように保
護する保護因子Ｅｂを含有する。この保護因子Ｅｂは，
光を照射するとウェハ表面ＷＳをエッチングするエッチ
ング因子Ｅｅに改質する性質を有する。

【００２６】また，アウターチャンバー４２には，ラン
プ格納チャンバー５７が隣接して配置されている。ラン
プ格納チャンバー５７内には，光Ｌを照射する光源とし
てのランプ５８が収納されている。ノズル格納チャンバ
ー４７とランプ格納チャンバー５７の間には開口５７ａ
が設けられている。開口５７ａは，図示しないモータ等
の駆動機構により駆動するシャッター５７ｂによって閉
塞される。ランプ５８は開口５７ａを通過してアウター
チャンバー４２内に移動する。

【００２７】ランプ５８は，図示しない駆動機構によっ
て，スピンチャック４５に保持されたウェハＷの上方に
移動し，ウェハＷの上面に対して上方から垂直に光Ｌを
照射する。また，ウェハＷの少なくとも中心から周縁ま
で移動することができる。従って，ランプ５８をウェハ
Ｗ上方にて移動させながら光Ｌを発光させると，ウェハ
Ｗ上面全体に光Ｌを照射することができる。また，ラン
プ５８が照射する光Ｌは，エッチング液Ｅ中を直進する
性質がある。

【００２８】図２に示すように，アウターチャンバー４
２内には，ウェハＷを包囲するインナーカップ６５が備
えられている。インナーカップ６５は，下降してスピン
チャック４５をインナーカップ６５の上端の上方に突出
させてウェハＷを授受させる位置と，上昇してウェハＷ
を包囲し，ウェハＷに供給した処理液等が周囲に飛び散
ることを防止する位置とに上下に移動自在である。ま
た，アウターチャンバー４２内の処理液や処理流体等を
排出するアウターチャンバー排出管６７と，インナーカ
ップ６５内の処理液や処理流体を排出するインナーカッ
プ排出管６９が備えられている。

【００２９】インナーカップ排出管６９の下流端は，タ
ンク７１に接続されている。インナーカップ排出管６９
によってインナーカップ６５から排液され，タンク７１
に回収された回収液は，ポンプ７３の稼動によって処理
液循環路５５に送液される。処理液循環路５５には，温
度調整器７７，フィルター７９が順に介設されている。
処理液循環路５５の下流端は，前述のようにエッチング
液供給ノズル５０に接続している。

【００３０】即ち，エッチング液供給ノズル５０からウ
ェハＷに供給されたエッチング液はインナーカップ６５
内に排液され，タンク７１に回収液として回収される。
そして，温度調整器７７によって所定温度に温度調整さ
れ，フィルター７９によって清浄化された後，エッチン
グ液供給ノズル５０に送液され，ウェハＷをエッチング
処理するエッチング液として再利用される。

【００３１】一方，現像液供給ノズル４８から現像液を
供給する際，及びリンス液供給ノズル４９からリンス液
を供給する際は，インナーカップ６５を下降させる。そ
して，ウェハＷに供給された現像液又は純水はアウター
チャンバー４２内に排液され，アウターチャンバー４２
内からアウターチャンバー排出管６７によって排液され
る。

【００３２】タンク７１には，タンク７１内に未使用の
新液を補充するエッチング液供給源８６が接続されてい
る。即ち，エッチング液供給ノズル５０は，再利用され
るエッチング液と，未使用のエッチング液を混合して供
給することができる。また，タンク７１内の回収液の液
面を監視する液面センサー８８が設置されており，液面
が所定の高さ以下となった場合に，エッチング液供給源
８６からエッチング液をタンク７１内に供給する構成と
なっている。

【００３３】次に，以上のように構成された処理システ
ム１におけるウェハＷの処理工程を説明する。ここで，
処理システム１に搬入されるウェハＷは，シリコン（Ｓ
ｉ）からなる基板であり，図３（ａ）に示すように，シ
リコン層Ｓｉの上面（半導体デバイスを形成する面）に
酸化シリコン（ＳｉＯ）の膜が成膜されている。即ち，
ウェハ表面ＷＳは酸化シリコン膜ＳｉＯとなっている。

【００３４】先ず，図示しない搬送ロボットにより，ウ
ェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣがイン・
アウトポート４に載置される。そして，このイン・アウ
トポート４に載置されたキャリアＣから取出収納アーム
１１によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出収納
アーム１１から主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム３２
にウェハＷが受け渡される。

【００３５】主ウェハ搬送装置１８に受け渡されること
により処理部２に搬入されたウェハＷは，最初にレジス
ト塗布ユニット２０ａ，２０ｂのいずれかに搬入され，
ウェハ表面ＷＳにレジストが塗布され，図３（ｂ）に示
すように，シリコン層Ｓｉの上面にレジスト膜Ｒｅが成
膜される。次に，加熱ユニット２２ａ〜２２ｆのいずれ
かにおいてプリベークが施される。その後，露光ユニッ
ト２６において，レジスト膜Ｒｅの表面にマスクパター
ンが転写される。次に，加熱ユニット２２ａ〜２２ｆに
おいて熱処理が施され，基板処理ユニット３０ａ，３０
ｂのいずれかに搬送される。

【００３６】各基板処理ユニット３０ａ，３０ｂにおい
ては，現像処理によりレジスト膜Ｒｅがパターンニング
される。即ち，転写されたマスクパターンに沿ってウェ
ハ表面ＷＳからレジスト膜Ｒｅが部分的に除去される。
これにより，図３（ｃ）に示すように，レジスト除去部
３５の底部にウェハ表面ＷＳが露出する。現像処理に続
いて，基板処理ユニット３０ａ又は３０ｂにて洗浄処理
が行われる。パターンニングされたレジスト膜Ｒｅが形
成されたウェハＷは，各基板処理ユニット３０ａ，３０
ｂから再び加熱ユニット２２ａ〜２２ｆに搬送され，ポ
ストベークが施される。

【００３７】次に，再び基板処理ユニット３０ａ，３０
ｂのいずれかに搬送され，例えば，図３（ｄ）に示すよ
うにウェハ表面ＷＳが部分的にエッチングされる。即
ち，レジスト除去部３５に沿って，ウェハ表面ＷＳが厚
さ方向にエッチングされ，酸化シリコン膜ＳｉＯ中に溝
３７が形成される。ウェハ表面ＷＳを所定深さにエッチ
ングした後，基板処理ユニット３０ａ又は３０ｂにて洗
浄処理が行われる。エッチング処理及び洗浄処理が施さ
れたウェハＷは，再び主ウェハ搬送装置１８によって各
基板処理ユニット３０ａ，３０ｂから搬出される。その
後，ウェハＷが主ウェハ搬送装置１８から取出収納アー
ム１１に受け渡されて処理部２から搬出され，取出収納
アーム１１によって再びキャリアＣに収納される。

【００３８】なお，エッチング処理及びエッチング処理
の洗浄処理後のウェハＷを，各基板処理ユニット３０
ａ，３０ｂから搬出後，必要に応じてウェハＷを加熱ユ
ニット２２ａ〜２２ｆのいずれかに搬入し，加熱処理し
た後，処理部２から搬出するようにしても良い。

【００３９】ここで，代表して本実施の形態に係る基板
処理ユニット３０ａでの洗浄について説明する。基板処
理ユニット３０ａにおいては，前述したように，現像処
理，洗浄処理，及びポストベーク後のエッチング処理が
行われる。最初に，現像処理及び洗浄処理について説明
する。

【００４０】先ず，図３（ｂ）に示すようなレジスト膜
Ｒｅの表面にマスクパターンが転写されたウェハＷを，
搬送アーム３２によって基板処理ユニット３０ａ内のア
ウターチャンバー４２内に搬入する。搬送アーム３２は
スピンチャック４５にウェハＷを受け渡した後，アウタ
ーチャンバー４２から退出する。こうしてウェハＷはア
ウターチャンバー４２内に収納され，スピンチャック４
５に保持された状態となる。インナーカップ６５は下降
しており，アウターチャンバー４２によって処理液等を
受ける状態となっている。

【００４１】このように基板処理ユニット３０ａ内に搬
入されたウェハＷに対して，最初に現像処理が施され
る。スピンチャック４５が回転を開始し，ウェハＷを回
転させる。また，現像液供給ノズル４８がアウターチャ
ンバー４２内に移動し，回転するウェハＷの少なくとも
中心から周縁までをスキャンしながら，現像液を吐出す
る。こうしてウェハＷの上面全体に現像液を供給した
後，ウェハＷを静止状態にし，露光されたレジストと現
像液を反応させてレジスト膜Ｒｅを現像処理する。

【００４２】現像処理終了後，リンス液を用いた洗浄処
理が行われる。現像液供給ノズル４８がノズル格納チャ
ンバー４７内に戻り，リンス液供給ノズル４９がアウタ
ーチャンバー４２内に移動する。そして，リンス液供給
ノズル４９が回転するウェハＷの少なくとも中心から周
縁までをスキャンしながら，純水を吐出する。これによ
りウェハＷの上面全体に純水が供給される。ウェハＷ上
面に供給された純水は，遠心力によってウェハＷ周縁に
向かって流れ，アウターチャンバー４２内に流れ，アウ
ターチャンバー排出管６７によってアウターチャンバー
４２内から排液される。このようにウェハ表面ＷＳに供
給される純水によってウェハＷを洗浄処理し，ウェハＷ
に付着した現像液や，反応後の現像液とレジスト膜から
なる反応生成物等を洗い流して除去する。こうして，レ
ジスト膜Ｒｅの露光された部分がウェハ表面ＷＳ上から
除去され，残りのレジスト膜からなるエッチングマスク
用のパターンニングされたレジスト膜Ｒｅが形成され
る。即ち，図３（ｃ）に示すように，ウェハ表面ＷＳを
部分的に露出させる。このパターンニングされたレジス
ト膜Ｒｅは，ウェハ表面ＷＳのエッチング用のマスクと
して使用される。洗浄処理終了後，リンス液供給ノズル
４９をノズル格納チャンバー４７内に戻し，ウェハＷか
ら純水が十分に振り切られるように，ウェハＷを純水供
給時より高速回転させ，ウェハＷを乾燥させる。

【００４３】その後，基板処理ユニット３０ａからウェ
ハＷを搬出して，加熱ユニット２２ａ〜２２ｆのいずれ
かにおいてポストベークを施す。即ち，スピンチャック
４５の回転を停止し，搬送アーム３２をアウターチャン
バー４２内に進入させ，スピンチャック４５からパター
ンニングされたレジスト膜が形成されたウェハＷを受け
取って退出させる。こうして，アウターチャンバー４２
内からウェハＷが搬出されて主ウェハ搬送装置１８に受
け渡される。ウェハＷは主ウェハ搬送装置１８によって
加熱ユニット２２ａ〜２２ｆのいずれかに搬入され，ポ
ストベークされた後，主ウェハ搬送装置１８によって搬
出される。そして，主ウェハ搬送装置１８によって基板
処理ユニット３０ａ，３０ｂのいずれかに搬入され，エ
ッチング処理が施される。

【００４４】次に，基板処理ユニット３０ａにおけるエ
ッチング処理について説明する。先ず，図３（ｃ）に示
すようなエッチングマスク用のレジスト膜Ｒｅが形成さ
れたウェハＷが，搬送アーム３２によってアウターチャ
ンバー４２内に搬入され，スピンチャック４５に保持さ
れる。搬送アーム３２がアウターチャンバー４２から退
出した後，インナーカップ６５が上昇して，スピンチャ
ック４５に保持されたウェハＷの周縁を包囲し，インナ
ーカップ６５によって処理液等を受ける状態にする。ま
た，スピンチャック４５が回転を開始し，ウェハＷを回
転させる。そして，エッチング液供給ノズル５０がアウ
ターチャンバー４２内に移動し，回転するウェハＷの中
心部にエッチング液を吐出する。ウェハＷ中心部に供給
されたエッチング液は，遠心力によってウェハＷ周縁に
向かって流れ，これによりウェハＷの上面にエッチング
液Ｅの液膜を形成することができる。

【００４５】ウェハＷの上面にエッチング液が供給され
ると，図４に示すように，エッチング液Ｅ中の保護因子
ＥｂがウェハＷの上面に沈殿する。液膜形成後，エッチ
ング液供給ノズル５０からのエッチング液Ｅの供給を停
止し，保護因子Ｅｂがウェハ表面ＷＳ及びレジスト膜Ｒ
ｅの外面に十分に付着して，保護因子Ｅｂの膜が形成さ
れるまで所定時間経過させる。また，保護因子Ｅｂの沈
殿量の制御は，エッチング液Ｅの温度，エッチング液Ｅ
中の保護因子Ｅｂの濃度又はウェハ表面ＷＳ上のエッチ
ング液Ｅの液流を制御することにより行う。一方，エッ
チング液供給ノズル５０がノズル格納チャンバー４７内
に戻り，ランプ５８がランプ格納チャンバー５７からア
ウターチャンバー４２内に移動する。

【００４６】次に，ランプ５８が回転するウェハＷの少
なくとも中心から周縁までスキャンしながら，光Ｌを照
射する。この場合，スピンチャック４５はエッチング液
の液膜の形状が崩れない程度の比較的低速の回転速度で
ウェハＷを回転させる。そして，露出したウェハ表面Ｗ
Ｓ全体及びレジスト膜Ｒｅの上面全体，即ち，ウェハ表
面ＷＳ上の保護因子Ｅｂに光Ｌを満遍なく照射する。光
Ｌは，露出したウェハ表面ＷＳ及びレジスト膜Ｒｅの上
面に向かって直進し，露出したウェハ表面ＷＳ及びレジ
スト膜Ｒｅの上面に付着した保護因子Ｅｂをエッチング
因子Ｅｅに改質させる。これによりエッチング反応を開
始させる。エッチング反応中，ランプ５８は光Ｌの照射
を継続し，エッチングにより発生した溝３７の底部にお
ける反応が活発に行われるようにする。

【００４７】例えば図５に示すように，レジストパター
ンが形成されたウェハＷ上面にエッチング液Ｅが供給さ
れている状態において，上方からウェハ表面ＷＳに垂直
に光Ｌを照射すると，光Ｌはエッチング液Ｅ中を直進
し，レジスト除去部３５の底部及びレジスト膜Ｒｅの上
面に光Ｌが多量に照射する。しかし，レジスト除去部３
５の横側面方向には光Ｌが直進しないので，レジスト除
去部３５底部と比較して光Ｌの照射量が微量である。ま
た，例えば図６に示すように，ウェハＷ表面にレジスト
除去部３５と等しい幅を有する溝３７が形成されている
状態において光Ｌを照射すると，溝３７内部の底面には
光Ｌが多量に照射するが，溝３７内部の横側面方向には
光が十分に照射しないこととなる。さらに，光Ｌは保護
因子Ｅｂに照射すると，保護因子Ｅｂをエッチング因子
Ｅｅに改質させることができる。

【００４８】ここで，ウェハ表面ＷＳを直進的にエッチ
ングする方法について説明する。図５に示すように，露
出したウェハ表面ＷＳ及びレジスト膜Ｒｅの上面に保護
因子Ｅｂを供給した状態において，ランプ５８によって
ウェハＷの上面に対して光Ｌを照射すると，光Ｌはレジ
スト除去部３５内を直進し，露出したウェハ表面ＷＳに
付着した保護因子Ｅｂに照射する。光Ｌを多量に受けた
保護因子Ｅｂは，エッチング因子Ｅｅに改質される。一
方，レジスト除去部３５の横側面に付着した保護因子Ｅ
ｂは十分に改質されず，レジスト除去部３５の横側面を
保護する膜として機能する。

【００４９】エッチング因子Ｅｅの反応により，露出し
たウェハ表面ＷＳのエッチングが厚さ方向に進行する
と，図６に示すように，レジスト除去部３５と等しい幅
を有する溝３７が形成される。この場合，光Ｌは溝３７
内を直進し，溝３７の底部に付着した保護因子Ｅｂに照
射し，さらに溝３７の底部のエッチングが光の照射方向
に直進的に進行する。しかし，溝３７横側壁に付着した
保護因子Ｅｂは十分に改質されず，溝３７内部の横側壁
はエッチングされない。この溝３７横側壁に付着した改
質されない保護因子Ｅｂは，溝３７横側壁を保護する膜
として機能する。即ち，溝３７横側壁に向かってエッチ
ング因子Ｅｅが浮遊した場合であっても，溝３７横側壁
は保護されているので，浮遊してきたエッチング因子Ｅ
ｅによってエッチングされることはない。このように，
ウェハ表面ＷＳのエッチングを光Ｌの照射方向にのみ直
進的に進行させ，横方向のエッチングを抑止するので，
レジスト除去部３５と等しい幅のエッチングを施すこと
ができる。即ち，従来のウエットエッチング方法と比較
して，レジストパターンに忠実な高精度のエッチングを
施すことができる。

【００５０】仮に，溝３７横側壁に付着した保護因子Ｅ
ｂに対し光Ｌが僅かに照射して，保護因子Ｅｂが改質
し，溝３７横側壁にエッチング反応があったとしても，
光Ｌが直進的に照射しないため，光Ｌを直進的に受ける
溝３７底部と比較すると横方向のエッチングの進行は非
常に遅い。従って，溝３７横側壁のエッチング量が微小
である間に，ウェハ表面ＷＳを所定深さにエッチングす
ることができる。

【００５１】なお，図７に示すように，溝３７横側壁の
エッチングが進行した場合であっても，レジスト膜Ｒｅ
の下までエッチングが横方向に進行すると，溝３７上方
の周縁に突出したレジスト膜Ｒｅに遮られて，溝３７横
側壁の保護因子Ｅｂに光Ｌが照射しなくなるので，横方
向のエッチング反応が停止する。こうして，横方向のエ
ッチングを微小とし，溝３７の底部方向にのみエッチン
グを進行させることができる。この場合も，従来のウエ
ットエッチング方法と比較して，レジストパターンに忠
実な高精度のエッチングを施すことができる。

【００５２】光Ｌを酸化シリコン膜ＳｉＯの厚さ方向に
照射することにより，酸化シリコン膜ＳｉＯの厚さ方向
にエッチング反応を進行させ，酸化シリコン膜ＳｉＯの
下層のシリコン層Ｓｉまで進行させたら，ランプ５８の
照射を停止し，ランプ格納チャンバー５７内に戻す。そ
して，エッチング液Ｅのエッチング反応後の液膜がウェ
ハＷから十分に振り切られるようにウェハＷを高速回転
させる。これにより，保護因子Ｅｂ，エッチング因子Ｅ
ｅ，反応後のエッチング因子Ｅｅとエッチングされた酸
化シリコン膜ＳｉＯからなるパーティクルなどが，液膜
とともにウェハＷから振り落とされる。

【００５３】エッチング反応後にウェハＷから振り切ら
れたエッチング液Ｅ，及び前述の液膜形成中にインナー
カップ６５内に落下したエッチング液Ｅの液滴は，イン
ナーカップ６５内に落下し，インナーカップ排出管６９
によってインナーカップ６５内から排液される。エッチ
ング液Ｅは回収され，処理液循環路５５によって再利用
される。即ち，エッチング因子Ｅｅ及び反応後のエッチ
ング因子Ｅｅとエッチングされた酸化シリコン膜ＳｉＯ
からなるパーティクルは，タンク７１内に回収された際
に沈殿したり，フィルター７９を通過する際に再利用エ
ッチング液から除去される。回収された保護因子Ｅｂ
は，そのままエッチング液Ｅ内に混合して再利用され
る。このようにエッチング液Ｅを再利用することによ
り，エッチング液Ｅの消費量を低減することができる。

【００５４】エッチング液の液膜が十分に振り切られた
ら，インナーカップ６５を下降させ，アウターチャンバ
ー４２によって処理液等を受ける状態にする。次に，リ
ンス液を用いた洗浄処理が行われる。リンス液供給ノズ
ル４９がアウターチャンバー４２内に移動し，回転する
ウェハＷの少なくとも中心から周縁までをスキャンしな
がら純水を吐出する。ウェハ表面ＷＳに供給される純水
によってウェハＷを洗浄処理し，ウェハＷに付着したエ
ッチング液や，反応後のエッチング因子Ｅｅとエッチン
グされた酸化シリコン膜ＳｉＯからなる反応生成物等を
洗い流して除去する。ウェハＷ上面に供給された純水
は，アウターチャンバー４２内に流れ，アウターチャン
バー排出管６７によってアウターチャンバー４２内から
排液される。

【００５５】洗浄処理終了後，リンス液供給ノズル４９
をノズル格納チャンバー４７内に戻し，ウェハＷから純
水が十分に振り切られるようにウェハＷを高速回転さ
せ，ウェハＷを乾燥させる。その後，基板処理ユニット
３０ａからウェハＷを搬出する。

【００５６】かかる基板処理ユニット３０ａは，現像装
置，洗浄装置及びエッチング処理装置の機能を兼備す
る。従って，処理システム１全体のフットプリントを小
さくすることができる。また，かかる基板処理ユニット
３０ａを用いた処理にあっては，光Ｌを照射する部分の
みエッチング因子Ｅｅが発生してエッチングが進行す
る。そして，エッチングが進行しても，光Ｌの直進性に
より横方向には光Ｌが照射しない。即ち，酸化シリコン
膜ＳｉＯの厚さ方向にエッチングが直進的に進行する。
従って，レジストパターンに忠実な高精度のエッチング
を施すことができる。

【００５７】以上，本発明の好適な実施の形態の一例を
示したが，本発明はここで説明した形態に限定されな
い。例えば，ウェハＷ表面に保護因子Ｅｂを付着させる
方法としては，エッチング液Ｅの液膜形成後所定時間経
過させ重力を利用して保護因子Ｅｂを沈殿させる他，例
えば，ウェハＷに電気を通過させる電極を設置し，電気
めっき法を利用してウェハＷ表面に保護因子Ｅｂを析出
させるようにしても良い。この場合，保護因子Ｅｂを確
実にウェハＷ表面に付着させることができる。また，保
護因子ＥｂをウェハＷ表面に強力に付着させることがで
きるので，ウェハＷ上面に液膜を形成する他，常にエッ
チング液ＥをウェハＷ上面全体に流して供給するように
しても良い。

【００５８】基板処理ユニット３０ａは，光Ｌを照射す
ることによりウェハ表面ＷＳを変質させ，変質したウェ
ハ表面ＷＳをエッチング液によりエッチングする処理を
行うことも可能である。このウェハ処理方法は，ウェハ
表面ＷＳが，光Ｌを照射するとエッチング液Ｅ２にエッ
チングされる性質に変質するものである場合に使用す
る。例えば，図８（ａ）に示すように，ウェハ表面ＷＳ
がレジスト膜Ｒｅとなっており，レジスト膜Ｒｅの上に
ウェハ表面ＷＳを部分的に露出させるマスクとして，窒
化シリコン膜ＳｉＮが成膜されているウェハＷを処理す
ることができる。なお，レジスト膜Ｒｅの下層には，例
えば酸化シリコン膜ＳｉＯ等が成膜されている。

【００５９】以下，エッチング液Ｅ２によるレジスト膜
Ｒｅの処理工程について説明する。先ず，エッチングす
るウェハＷ上面にエッチング液供給ノズル５０からエッ
チング液Ｅ２を供給し，液膜を形成する。そして，図８
に示すように，エッチング液Ｅ２が供給されたウェハＷ
上面に対して光Ｌを照射する。この場合，露出したウェ
ハ表面ＷＳ及び窒化シリコン膜ＳｉＮの上面に光Ｌが直
進的に照射する。これにより，エッチング液Ｅ２によっ
てエッチングされる状態に，ウェハ表面ＷＳを変質レジ
ストＲｅ’に変質させる。その後，液膜が崩れない程度
の低速にてウェハＷを回転させ，液膜内に液流を発生さ
せる。なお，エッチング液供給ノズル５０からエッチン
グ液Ｅ２を供給することにより，ウェハＷ上面に液流を
発生させても良い。こうしてウェハ表面ＷＳ上に発生す
るエッチング液Ｅ２の液流により，ウェハ表面ＷＳの変
質レジストＲｅ’が削られ，図８（ｂ）に示すように，
レジスト膜Ｒｅに溝３７が形成される。光Ｌは溝３７の
底部に直進して底部を変質させるが，溝３７の横側面に
は光Ｌが直進せず，変質しない。こうして，光Ｌの照射
方向にレジスト膜Ｒｅをエッチングすることができる。
即ち，光Ｌをレジスト膜Ｒｅの厚さ方向に照射すること
により，レジスト膜Ｒｅの厚さ方向にエッチングするこ
とができる。従って，レジスト膜Ｒｅに対し，窒化シリ
コン膜ＳｉＮのマスクパターンに忠実な高精度のエッチ
ングを施すことができる。

【００６０】保護因子Ｅｂを変質させる光Ｌ，又はウェ
ハ表面ＷＳを変質させる光Ｌは，エッチング液Ｅ，Ｅ２
中において直進性が高く，散乱が微小となるものであれ
ば，種々の波長のものを用いることができる。かかる直
進性の高い波として，例えばレーザ光や紫外線を使用す
ることができる。

【００６１】本発明は，例えばＬＣＤの製造工程におい
て，ＬＣＤ基板用ガラス（基板）ＬＧの表面にデバイス
を形成する工程を行う処理システムに使用する，図９に
示すようなＬＣＤ基板処理ユニット１００においても実
施することが可能である。以下，ＬＣＤ基板処理ユニッ
ト１００の構成について説明する。

【００６２】基板ＬＧを収納するＬＣＤ基板処理ユニッ
ト１００のユニットチャンバー１０２内には，基板ＬＧ
を傾斜させて支持する支持部材１０４が設置されてい
る。基板ＬＧは，デバイスが形成される表面を上面とし
て，下面側を支持部材１０４によって支持される。ま
た，長方形の基板ＬＧの一辺が斜面の上端に位置する上
端辺１０６となり，上端辺１０６と対向する辺が斜面の
下端に位置する下端辺１０８となるように保持される。

【００６３】支持部材１０４に支持される基板ＬＧの上
端辺１０６側には，基板ＬＧの上面に現像液，リンス
液，エッチング液等の処理液を供給する処理液供給器１
１０及び乾燥ガス供給器１１２が配置されている。処理
液供給器１１０及び乾燥ガス供給器１１２は，基板ＬＧ
の上方と基板ＬＧの上方から退避した位置に移動自在で
ある。

【００６４】処理液供給器１１０は，上端辺１０６上方
に静止して，処理液を基板ＬＧ上面に直線状に供給す
る。上端辺１０６側に供給された処理液は，基板ＬＧの
上面を下端辺１０８に向かって流れる。従って，基板Ｌ
Ｇ表面全体に処理液を供給することができる。さらに，
処理流体供給器１１０は，図１０に示すように，現像液
を供給する現像液供給ノズル１１５と，リンス液を供給
するリンス液供給ノズル１１６と，エッチング液を供給
するエッチング液供給ノズル１１７を備えており，それ
ぞれ現像液，リンス液，エッチング液を直線状に吐出す
る構成となっている。

【００６５】現像液供給ノズル１１５には，現像液供給
源１２１が接続され，リンス液供給ノズル１１６には，
純水供給源１２２が接続されている。さらに，このＬＣ
Ｄ基板処理ユニット１００は，前述した基板処理ユニッ
ト３０ａに備えられた処理液循環路５５と同様の構成を
有する循環手段を備えており，エッチング液供給ノズル
１１７には処理液循環路５５の下流端が接続されてお
り，処理液循環路５５から循環供給されるエッチング液
を吐出する。

【００６６】乾燥ガス供給器１１２は，例えばＮ２ガス
などの乾燥ガスをエアーナイフとして直線状に吐出す
る。また，基板ＬＧの上面に沿って上端辺１０６と下端
辺１０８との間を移動することができ，乾燥ガスを供給
しながら基板ＬＧ上面をスキャンすることにより，基板
ＬＧ上面を乾燥させる。

【００６７】さらに，ユニットチャンバー１０２内に
は，基板ＬＧに光Ｌを照射する光源としてのランプ部材
１２５が，支持部材１０４に支持される基板ＬＧより上
方に設置されている。ランプ部材１２５は，光Ｌを発光
する下面と支持部材１０４に支持される基板ＬＧ上面が
同じ傾斜角度を有するように設置されており，基板ＬＧ
上面全体に向かって，基板ＬＧ上面に対して垂直に光Ｌ
を照射する。

【００６８】また，ユニットチャンバー１０２には，基
板ＬＧから落下した処理液の液滴や，ユニットチャンバ
ー１０２内の処理液雰囲気及び乾燥ガスを，ユニットチ
ャンバー１０２の下方から排出するユニットチャンバー
排出管１２７が配設されている。上端辺１０６から基板
ＬＧ上面を流れて，下端辺１０８から落下する処理液
は，ユニットチャンバー排出管１２７によって排液され
る。

【００６９】ユニットチャンバー排出管１２７は，切替
開閉弁１２９を介して，排出管１３１と回収管１３３に
接続している。回収管１３３の下流端はタンク７１に接
続している。即ち，切替開閉弁１２９により，ユニット
チャンバー排出管１２７を排出管１３１に接続する状態
と，回収管１３３に接続する状態を切り替える。ユニッ
トチャンバー１０２から現像液及び純水を排出するとき
は，排出管１３１から排液及び排気を行い，エッチング
液を排出するときは，回収管１３３に接続して，タンク
７１に回収する回収液として送液する。タンク７１に回
収された回収液は，ポンプ７３，温度調整器７７，フィ
ルター７９が順に介設された処理液循環路５５によっ
て，エッチング液供給ノズル１１７に送液され，エッチ
ング液として再利用される。

【００７０】以上のように構成された本実施の形態に係
るＬＣＤ基板処理ユニット１００においては，前述した
基板処理ユニット３０ａと同様に，現像処理，洗浄処
理，及びエッチング処理を行うことができる。また，光
Ｌの照射により保護因子Ｅｂをエッチング因子Ｅｅに改
質してエッチングする処理も，光Ｌの照射によりウェハ
表面ＷＳを変質させてエッチングする処理も実施するこ
とが可能である。さらに，ＬＣＤ基板のほか種々の基板
に対して処理を施すことが可能である。基板の形状は長
方形に限定されず，例えば円盤状などであっても良い。
また，支持部材１０４において，基板ＬＧを水平に支持
する状態と傾斜させて支持する状態とに切替可能な構成
とし，処理液供給器１１０において，基板ＬＧ上面全体
をスキャン可能な構成にしても良い。この場合，基板Ｌ
Ｇ上面に液膜を形成することができる。

【００７１】本発明の基板は，半導体ウェハ，ＬＣＤ基
板用ガラスに限らず，その他のＣＤ基板，プリント基
板，セラミック基板などであっても良い。また，基板の
表面は酸化シリコンなどの酸化膜やレジスト膜に限定さ
れない。

【００７２】

【発明の効果】 本発明の基板処理装置によれば，現像
装置，洗浄装置及びエッチング処理装置の機能を兼備す
ることにより，処理システム１全体のフットプリントを
小さくすることができる。本発明の基板処理装置及び基
板処理方法によれば，直進性を有する光によってエッチ
ング反応を進行させるので，光の照射方向に直進的にエ
ッチングを施すことができる。これにより，基板の厚さ
方向にのみエッチングを進行させ，マスクパターンに忠
実な高精度のエッチングを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】処理システムの平面図である。

【図２】本実施の形態にかかる基板処理ユニットの構成
を説明する説明図である。

【図３】処理システムにおけるウェハ表面の処理を説明
する説明図である。

【図４】露出したウェハ表面及びレジスト膜の外面に保
護因子が付着する工程を説明する説明図である。

【図５】保護因子に光を照射してエッチング因子に改質
する工程を説明する説明図である。

【図６】エッチング因子による酸化シリコン膜のエッチ
ングを説明する説明図である。

【図７】エッチング因子による酸化シリコン膜のエッチ
ングを説明する説明図である。

【図８】光を受けて変質したレジスト膜をエッチングす
る方法を説明する説明図である。

【図９】別の実施の形態にかかる基板処理ユニットの構
成を説明する説明図である。

【図１０】別の実施の形態にかかる現像液供給ノズル
と，リンス液供給ノズルと，エッチング液供給ノズル
と，乾燥ガス供給器を説明する説明図である。

【符号の説明】

Ｃ キャリア Ｅ エッチング液 Ｅｂ 保護因子 Ｅｅ エッチング因子 Ｌ 光 ＬＧ 基板 Ｒｅ レジスト膜 Ｓｉ シリコン層 ＳｉＯ 酸化シリコン膜 Ｗ ウェハ ＷＳ ウェハ表面 １ 処理システム ２ 処理部 ２６ 露光ユニット ３０ａ，３０ｂ 基板処理ユニット ３５ レジスト除去部 ３７ 溝 ４０ ユニットチャンバー ４２ アウターチャンバー ４５ スピンチャック ４８ 現像液供給ノズル ４９ リンス液供給ノズル ５０ エッチング液供給ノズル ５５ 処理液循環路 ５８ ランプ １００ ＬＣＤ基板処理ユニット １０４ 支持部材

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA28 GA29 HA17 5F043 AA31 AA37 BB22 BB25 DD08 EE07 EE08 FF04 5F046 LA01

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に処理液を供給して，前記基板の表
   面をエッチングする基板処理装置であって，リンス液を
   供給するリンス液供給ノズルと，エッチング液を供給す
   るエッチング液供給ノズルと，基板の表面に対して光を
   照射する光源を備え，前記光源は，前記光を基板の表面
   に対して垂直に照射することを特徴とする，基板処理装
   置。
2. 【請求項２】 基板の表面に現像液を供給する現像液供
   給ノズルを備えることを特徴とする，請求項１に記載の
   基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記基板を保持するスピンチャックを備
   えることを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処
   理装置。
4. 【請求項４】 前記基板を傾斜させて支持する支持部材
   を備えることを特徴とする，請求項１又は２に記載の基
   板処理装置。
5. 【請求項５】 基板の表面にエッチング液を供給してエ
   ッチングを施す基板処理方法において，前記エッチング
   液は，基板の表面がエッチングされないように保護する
   保護因子を含有し，前記保護因子は，光を照射すると基
   板の表面をエッチングするエッチング因子に改質するも
   のであって，基板の表面に前記エッチング液を供給する
   ことにより，前記基板の表面に前記保護因子を供給し，
   前記基板の表面に供給した保護因子に対して前記光を照
   射して，前記保護因子を前記エッチング因子に改質し，
   前記エッチング因子によって前記基板の表面を光の照射
   方向にエッチングすることを特徴とする，基板処理方
   法。
6. 【請求項６】 基板の表面にエッチング液を供給してエ
   ッチングを施す基板処理方法において，前記基板の表面
   は，光を照射すると前記エッチング液にエッチングされ
   る性質に変質するものであって，前記基板の表面にエッ
   チング液を供給し，前記エッチング液が供給された基板
   に対して前記光を照射することにより，前記基板の表面
   を変質させ，前記変質した基板の表面を，前記エッチン
   グ液によって光の照射方向にエッチングすることを特徴
   とする，基板処理方法。
7. 【請求項７】 前記基板の表面は酸化膜であることを特
   徴とする，請求項５に記載の基板処理方法。
8. 【請求項８】 前記基板の表面はレジスト膜であること
   を特徴とする，請求項５又は６に記載の基板処理方法。
9. 【請求項９】 前記基板の表面にエッチング液を供給す
   るに際し，前記基板の表面を部分的に露出させ，前記露
   出させた部分を光の照射方向にエッチングすることを特
   徴とする，請求項５，６，７又は８に記載の基板処理方
   法。
10. 【請求項１０】 前記基板の表面を部分的に露出させる
    に際し，前記基板の表面に形成された膜をパターンニン
    グすることを特徴とする，請求項９に記載の基板処理方
    法。