JP6281161B2 - 液処理装置 - Google Patents

液処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6281161B2
JP6281161B2 JP2014157879A JP2014157879A JP6281161B2 JP 6281161 B2 JP6281161 B2 JP 6281161B2 JP 2014157879 A JP2014157879 A JP 2014157879A JP 2014157879 A JP2014157879 A JP 2014157879A JP 6281161 B2 JP6281161 B2 JP 6281161B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup body
substrate
surface portion
floor surface
cup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014157879A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015088734A (ja
JP2015088734A5 (ja
Inventor
輝史 脇山
輝史 脇山
伊藤 規宏
規宏 伊藤
治郎 東島
治郎 東島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014157879A priority Critical patent/JP6281161B2/ja
Priority to TW103131241A priority patent/TWI573190B/zh
Priority to KR1020140120268A priority patent/KR102267992B1/ko
Priority to US14/483,252 priority patent/US9773687B2/en
Priority to CN201711237047.XA priority patent/CN107833852B/zh
Priority to CN201410466264.6A priority patent/CN104517870B/zh
Publication of JP2015088734A publication Critical patent/JP2015088734A/ja
Publication of JP2015088734A5 publication Critical patent/JP2015088734A5/ja
Priority to US15/681,672 priority patent/US10297473B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6281161B2 publication Critical patent/JP6281161B2/ja
Priority to KR1020210076668A priority patent/KR102364953B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00Methods preventing fouling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、基板に対する液処理が行われる空間を排気する技術に関する。
基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという)に対して各種の処理液を供給して液処理を行う枚葉式の液処理ユニット(液処理装置)では、回転するウエハの表面にアルカリ性や酸性の薬液を供給し、ウエハ表面のごみや自然酸化物などを除去している。ウエハ表面に残存する薬液はリンス液により除去され、ウエハを回転させたままリンス液の供給を止めると、残ったリンス液が振り切られて乾燥したウエハが得られる。ここでウエハの周囲には処理液を回収するための回収カップ(カップ体)が配置され、液処理は回収カップへ向けて清浄気体のダウンフロー(下降気流)が形成された清浄な雰囲気中で行われる。
一方、回転するウエハの上方には、ウエハの回転方向へ向けて渦を巻きながら中央部側から外周側へ向けて流れる旋回流が発生する。回収カップの周囲には、薬液を含んだミストや蒸気が滞留している場合があり、ウエハの上方で発生した旋回流によってこれらの成分が巻き上げられ、乾燥後のウエハに再付着して汚染を引き起こしてしまうおそれがある。
ここで特許文献1には、基板保持手段及びその周囲を取り囲む筒状のカップを収容した処理室内を上下に仕切る仕切り壁を設け、処理室内を小さく区画することにより、カップから処理室内に飛び散ったミストの置換効率を向上させた基板処理装置が記載されている。
しかしながら特許文献1には、カップの周囲などにミストなどが滞留している場合に、前述の旋回流に起因して引き起こされる基板の汚染を抑制する手法は何ら開示されていない。
特開2010−192686号公報:段落0008〜0010、図1
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、カップ体の周囲の雰囲気を清浄な状態に維持することが可能な液処理装置を提供することある。
第1の発明の液処理装置は、回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え
前記囲み部材は、当該囲み部材及び床面部に囲まれる領域から区画して、排気された気流を下方側へ案内する流路を形成する区画壁を備え、前記排気口は当該区画壁に形成されていることを特徴とする。
第2の発明の液処理装置は、回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え、
前記囲み部材は円筒形状に構成され、前記排気口には、円筒形状の囲み部材に沿って流れる気流を当該排気口へ向けて案内するための案内板が設けられていることを特徴とする。
第3の発明の液処理装置は、回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え、
前記排気口は、上下方向に伸びるスリットであることを特徴とする。
第4の発明の液処理装置は、回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え、
前記カップ体は、基板に供給された処理液を受ける第1カップと、前記第1カップを上方より覆う第2カップとを備え、これら第1カップと第2カップとの間に排気路が形成され、前記床面部は、前記第2カップに対して隙間なく設けられていることを特徴とする。
第5の発明の液処理装置は、回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え、
前記床面部は、第1床面部と、前記第1床面部の上方側に設けられた第2床面部とを備え、前記排気口は第2床面部に形成されていることを特徴とする。
各発明の前記床面部は、その上面が前記カップ体の上端と面一となる位置に設けられてよい。
前記液処理装置は、下記の構成を備えていてもよい。
(a)前記排気口は、前記基板保持部の回転中心を中心とする円における、基板保持部の回転方向に伸びる接線と交わる方向に向けて開口していること。
(b)前記排気口から排気された気流を下方側へ向けて流す流路を備えること。前記排気口は、前記カップ体の周方向に沿って複数設けられていること。
(c)前記排気口は、平面形状が矩形に構成された囲み部材の角部に設けられていること
(d)基板に処理液を供給するノズル部と、前記ノズル部をその先端部に保持するノズルアームと、前記ノズルアームの基端部に設けられ、当該基端部を中心としてノズルアームを回転駆動させて、前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で前記ノズル部を移動させる回転駆動部と、を有する処理液供給機構を備え、前記回転駆動部は、前記排気口に臨む位置に設けられていること。このとき、前記囲み部材は、前記処理液供給機構が設けられている領域と、カップ体の上方側の空間とを仕切り、前記ノズル部を保持したノズルアームを通過させる通過口が設けられた仕切り壁を備え、前記回転駆動部に臨む位置に設けられた排気口に替えて、前記通過口を排気口として、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域の排気を行うと共に、前記回転駆動部に臨む位置から、当該処理液供給機構が設けられている領域内の排気を行うこと
または、前記液処理装置は、下記の構成を備えていてもよい
(e)前記第1床面部と第2床面部との間にバッファ空間を形成し、前記第1床面部に排気部が接続されていること。
)前記排気口は、前記囲み部材に臨む位置の床面部に、当該囲み部材に沿って伸びるように形成されていること。また前記基板保持部の上方側には、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域に下降気流を形成するための下降気流形成部が設けられていること。
)基板に処理液を供給するノズル部と、前記ノズル部をその先端部に保持するノズルアームと、前記ノズルアームの基端部に設けられ、当該基端部を中心としてノズルアームを回転駆動させて、前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で前記ノズル部を移動させる回転駆動部と、を有する処理液供給機構を備え、前記退避位置は、前記処理液供給機構のノズルアームが囲み部材に沿って伸びるように配置される位置に設定され、前記排気口は、当該退避位置にノズルアームを退避させた処理液供給機構と、前記囲み部材との間に配置されていること。


本発明は、基板保持部に保持され回転する基板の上方に形成される旋回流を利用してカップ体の周囲に流出した洗浄液の成分を排気口から効率的に排出することができる。



本発明の実施の形態に係る処理ユニットを備えた基板処理システムの概要を示す平面図である。 前記処理ユニットの概要を示す縦断側面図である。 前記処理ユニットの詳細を示す平面図である。 前記処理ユニットの上部側領域の拡大縦断面図である。 前記処理ユニットに設けられている排気用のスリットや処理液供給機構の配置領域の拡大斜視図である。 第2の実施の形態に係る処理ユニットの縦断面図である。 第3の実施の形態に係る処理ユニットの縦断面図である。 第4の実施の形態に係る処理ユニットの横断平面図である。 第5の実施の形態に係る処理ユニットの横断平面図である。 前記第5の実施の形態に係る処理ユニットの縦断側面図である。 前記前5の実施の形態に係る処理ユニットを他の方向から見た縦断側面図である。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウエハ(以下ウエハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウエハWを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウエハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウエハWを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウエハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウエハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウエハWを取り出し、取り出したウエハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウエハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウエハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
図2に示すように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板保持機構30と、処理流体供給部40と、回収カップ50とを備える。
チャンバ20は、基板保持機構30と処理流体供給部40と回収カップ50とを収容する。チャンバ20の天井部には、FFU(Fan Filter Unit)21が設けられる。FFU21は、チャンバ20内にダウンフローを形成する。
基板保持機構30は、保持部31と、支柱部32と、駆動部33とを備える。保持部31は、ウエハWを水平に保持する。支柱部32は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部33によって回転可能に支持され、先端部において保持部31を水平に支持する。駆動部33は、支柱部32を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構30は、駆動部33を用いて支柱部32を回転させることによって支柱部32に支持された保持部31を回転させ、これにより、保持部31に保持されたウエハWを回転させる。
処理流体供給部40は、ウエハWに対して処理流体を供給する。処理流体供給部40は、処理流体供給源70に接続される。
回収カップ50は、保持部31を取り囲むように配置され、保持部31の回転によってウエハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ50の底部には、排液口51が形成されており、回収カップ50によって捕集された処理液は、かかる排液口51から処理ユニット16の外部へ排出される。また、回収カップ50の底部には、FFU21から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口52が形成される。
以上に概略構成を説明した処理ユニット16は、処理液である処理流体による液処理を実行する本実施の形態の液処理装置に相当する。当該処理ユニット16は、回収カップ50の周囲への薬液成分(薬液のミストや蒸気)の滞留を抑制し、回転するウエハWから流れ出す旋回流を利用して、これらの薬液成分をチャンバ20から排出する機能を備えている。以下、図3〜図5を参照しながら当該機能に係る構成について説明する。
図3に示すように、本例のチャンバ20は、平面形状が矩形の筐体として構成され、その側壁の一面にはウエハWの搬入出が行われ、シャッタ221によって開閉自在な搬入出口22が設けられている。
また図3、図4に示すように、チャンバ20内の前記搬入出口22が設けられていない3つの側壁の近傍位置には、既述の処理流体供給部40を構成する3組の処理液供給機構40a〜40cが設けられている。各処理液供給機構40a〜40cは、回転するウエハWの表面に処理流体を供給するノズル部41と、ノズル部41が装着されたノズルヘッド42と、水平方向に伸びるように設けられ、その先端部に前記ノズルヘッド42を保持するノズルアーム43と、ノズルアーム43の基端部を支持し、ウエハWの上方の処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間でノズル部41を移動させるためにノズルアーム43を回転駆動する回転駆動部44と、を備えている。各処理液供給機構40a〜40cは、処理流体である酸性の薬液やアルカリ性の薬液、DIW(DeIonized Water)などのリンス液の供給を分担する。
処理ユニット16の上部側の領域を拡大して詳細に示した縦断面図である図4に示すように、各処理液供給機構40a〜40cはチャンバ20の側壁近傍に配置され、チャンバ20内の空間を上下に仕切る仕切り板28により支持されている。また図3に示すように、各処理液供給機構40a〜40cは、ノズル部41を退避位置に移動させたときノズルアーム43がチャンバ20の各側壁面に沿って伸びる方向に配置されている。
各処理液供給機構40a〜40cは、上面から見て時計回りに回転するウエハWの回転方向に伸びる接線の下流側に回転駆動部44が配置され、上流側にノズル部41が配置されるように、回転駆動部44とノズル部41との位置関係が設定されている。ウエハWから前記接線が伸びる方向は、回転する保持部31の回転中心を中心とする円における、当該保持部31の回転方向に接線が伸びる方向と一致している。図3中、太線の矢印は、これらの接線を示し、一点鎖線で示した矢印は、退避位置と処理位置との間のノズル部41の移動経路を示している。
また、図3、図4に示すように、チャンバ20内における回収カップ50(カップ体)は、基板保持機構30(基板保持部)に保持されたウエハWの上方に開口が設けられ、当該回収カップ50の上方側の空間と、各処理液供給機構40a〜40cが配置されている領域との間には、これらの空間を仕切る仕切り壁23が設けられている。
図5に処理液供給機構40aが設けられている領域の近傍を拡大して示すように、各仕切り壁23には、ノズルアーム43を回転させたとき、ノズル部41、ノズルヘッド42及びノズルアーム43を横方向に通過させるための通過口231が形成されている。仕切り壁23は、処理液供給機構40a〜40cの回転駆動部44などで発生したパーティクルがウエハWの処理雰囲気へと進入するのを抑える。
次に図3に示すように、平面形状が矩形のチャンバ20の四隅(角部)には、仕切り板28に開口する開口部25a〜25dが形成され、各開口部25a〜25dは、チャンバ20内の雰囲気の排気を行う排気管251に接続されている。
各開口部25a〜25dが設けられている仕切り板28の上方側の空間は、チャンバ20の側壁に沿って配置された区画壁24によって、各々回収カップ50の上方側の空間や処理液供給機構40a〜40cが配置されている空間から区画されている。
また各区画壁24のうち、回転するウエハWの接線方向下流側に、当該接線と交わる方向に向けて配置されている区画壁24には、仕切り板28の上面近傍の下端位置から上方へ向けて伸びるスリット241が横方向に向けて開口している(図4、図5参照)。従って図3に示すように、開口部25aを囲む区画壁24に設けられたスリット241は、回収カップ50の上方側の空間に向けて開口し、残る3つの開口部25b〜25dを囲む区画壁24に設けられたスリット241は、処理液供給機構40a〜40cが配置された空間に向けて開口している。上下方向に伸びるスリット241は、仕切り板28の上面側における気体の滞留を抑えつつ、チャンバ20内の気流を排出する。区画壁24は、スリット241を介して流出した気体の流れを開口部25a〜25bへ向けて下方側へ案内する流路を形成している。
図4に示すように、既述のFFU21の下方位置には、多数の供給口261を備えた整流板26が配置されている。FFU21から供給された清浄気体(例えば清浄空気)は、この整流板26を介して回収カップ50の上方側の空間に均一に供給されてダウンフローを形成する。FFU21や整流板26は本実施の形態の気流形成部に相当する。
また、保持部31は、ウエハWを支持する複数の支持ピン311備え、ウエハWはこの支持ピン311に保持された状態で処理が行われる。
さらに本処理ユニット16のチャンバ20内において、当該回収カップ50とその周囲を囲む部材(搬入出口22が設けられている面のチャンバ20の側壁や、既述の仕切り壁23や区画壁24)との間は、回収カップ50の周方向に沿って、仕切り板28によって塞がれている。
ここで回収カップ50と、チャンバ20の側壁や仕切り壁23、区画壁24との間を塞ぐ仕切り板28とは、その上面が回収カップ50の上端とほぼ面一となるように配置されている。また仕切り板28の上面が平坦になっていることにより、回収カップ50の周囲や仕切り板28上における薬液成分の滞留を抑えている。さらに、この仕切り板28により、チャンバ20内の空間は、上下に区画されていることになる。回収カップ50と、チャンバ20の側壁や仕切り壁23、区画壁24との間を塞ぐ仕切り板28は、本実施の形態の床面部に相当する。
以上に説明した構成を備えた処理ユニット16の作用について説明する。基板搬送装置17によって各処理ユニット16に搬送されてきたウエハWは、搬入出口22を介してチャンバ20内に搬入される。基板保持機構30は、基板搬送装置17のウエハ保持機構から処理対象のウエハWを保持部31上の支持ピン311にて受け取る。
ここでFFU21からは常時、清浄気体が供給され、チャンバ20内には当該清浄気体のダウンフローが形成されている。
次いで、ウエハ保持機構がチャンバ20内から退避し、シャッタ221によって搬入出口22が閉じられる。しかる後、保持部31を回転させ、所定の回転速度に到達したら、予め設定された順番で、各処理液供給機構40a〜40cのノズルをウエハWの上方の処理位置まで移動させ、酸性やアルカリ性の薬液、リンス液を供給して液処理を実行する。
このとき図4に示すように、清浄気体の一部はチャンバ20内を流下し、回収カップ50内に流れ込んだ後、排気口52から外部へ排気される。
一方、既述のように、回転するウエハWの上方には、ウエハWの回転方向へ向けて渦を巻きながら中央部側から外周側へ向けて流れる旋回流が発生し、この旋回流の一部は開口を介して回収カップ50の外へ流れ出る。図3〜図5には、ウエハWを回転させたときのチャンバ20内の清浄気体の流れを点線で示してある。
一方、回収カップ50の周囲は、上面が平坦な仕切り板28によって回収カップ50とその周囲の部材(チャンバ20の側壁、仕切り壁23、区画壁24)との間が塞がれているので、薬液成分が滞留しにくくなっている。このため、回収カップ50の開口から旋回流が流出しても、窪みなどに滞留していた薬液成分が巻き上げられ、乾燥後のウエハWに再付着してしまうといった事象が発生しにくい。
また、酸性やアルカリ性の薬液の供給時に回収カップ50から流出してきた旋回流には、これらの薬液成分が含まれている場合がある。しかしながら、既述のように回収カップ50の周囲は仕切り板28により塞がれているので、薬液成分を含む旋回流が滞留してしまう領域が形成される恐れが小さい。
そして旋回流は、ウエハWの回転方向に沿って回転移動しつつ、ウエハWの径方向へ向けて広がるため、やがてチャンバ20の内壁面や仕切り壁23、区画壁24の壁面近傍に到達する。一方、既述のように開口部25aの周囲を囲む区画壁24のうち、前記回転方向に伸びる接線と交わる方向に向けて配置された区画壁24には、上下方向に伸びるスリット241が開口している。このため、当該領域に到達した旋回流は、スリット241を介して区画壁24で囲まれた空間内に流入し、流れ方向を下方側へ変えて開口部25aから外部へ排気される。
また、各仕切り壁23についてもウエハWの回転方向に伸びる接線と交わる向きに配置されているので、これら仕切り壁23に形成された通過口231を介して、処理液供給機構40a〜40cが配置されている領域内にも旋回流が流れ込む。この旋回流は、ノズル部41(ノズルヘッド42)を退避位置に退避させたときのノズル部41側から回転駆動部44側へ向けて流れた後、回転駆動部44に臨む近傍位置に配置された区画壁24のスリット241を介して開口部25b〜25dへ向けて排気される(図4、図5参照)。
このように、回収カップ50から流出し、チャンバ20内に広がる旋回流は、区画壁24のスリット241や仕切り壁23の通過口231を介して回収カップ50の上方側の空間から排出される。従って、薬液によるウエハWの処理が行われている間に回収カップ50から流出した旋回流に薬液成分が含まれている場合であっても、これら薬液成分は旋回流の流れに乗って回収カップ50の上方側の空間から排出されてしまう。このため、薬液成分が回収カップ50内へと再び流れ込んでウエハWを汚染するおそれが小さい。
以上に説明した観点から、本実施の形態において、搬入出口22が形成されているチャンバ20の側壁や各仕切り壁23、区画壁24は、回収カップ50を囲む囲み部材に相当する。また、回収カップ50の上方側の空間に面する区画壁24に設けられたスリット241、及び各仕切り壁23に設けられた通過口231は、回収カップ50の外側に設けられ、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気する排気口に相当している。
さらに既述のように、スリット241に臨む位置に各処理液供給機構40a〜40cの回転駆動部44を配置することにより、回転駆動部44にてパーティクルが発生した場合であっても、スリット241を介して当該パーティクルを直ちに外部へ排出し、ウエハWの処理が行われている回収カップ50側へのパーティクルの進入を抑えることができる。
こうして薬液を用いたウエハWの液処理が行われ、リンス洗浄を実行したら、振り切り乾燥を行った後、保持部31の回転を止める。そしてチャンバ20内に進入してきたウエハ保持機構に、搬入時とは反対の手順でウエハWを受け渡し、処理ユニット16からウエハWを搬出する。
本実施の形態に係る処理ユニット16(液処理装置)によれば以下の効果がある。基板保持機構30を囲む回収カップ50と、回収カップ50の外方を囲む囲み部材(チャンバ20の側壁、仕切り壁23、区画壁24)との間を塞ぐ仕切り板28を備え、回収カップ50よりも外側には、前記囲み部材及び仕切り板28に囲まれる領域を排気するための排気口(スリット241、通過口231)が設けられている。
区画壁24に、上下方向に伸びるスリット241を設けることにより、仕切り板28の上面側における気体の滞留を抑えつつ、チャンバ20内に形成された旋回流を排出することができる。
また、仕切り壁23によって回収カップ50の上方側の空間から仕切られると共に、処理液供給機構40a〜40cが配置されている空間についても、当該空間に接する区画壁24に設けられたスリット241を介して排気が行われる。このため、処理液供給機構40a〜40cの回転駆動部44などで発生したパーティクルがウエハWの処理雰囲気へと進入するのを抑えつつ、ノズル部41やノズルアーム43などを通過させる通過口231を介してチャンバ20内に形成された旋回流の排出を行うことができる。
これらスリット241や通過口231により、基板保持機構30に保持され回転するウエハWの上方に形成される旋回流を利用して、回収カップ50の周囲に流出した薬液成分を排気口から効率的に排出することができる。
図6〜図11に示した処理ユニット16a〜16dは、本発明の液処理装置に係る各種のバリエーションを反映した実施の形態である。これらの実施の形態において図2〜図5に示したものと共通の構成要素には、これらの図に示したものと同じ符号を付してある。 例えば図6に示した処理ユニット16aは、回収カップ50の上方側の空間と、各処理液供給機構40a〜40cが配置されている領域との間を仕切る仕切り壁23が設けられていない。従って、本例においてはチャンバ20を構成する四面の側壁が回収カップ50を囲む囲み部材に相当している。
一方、図3に示した例と同様に、当該処理ユニット16aにもチャンバ20の四隅(角部)に開口部25a〜25dが配置され、各開口部25a〜25dが形成されている領域は、区画壁24によって回収カップ50の上方側の空間から仕切られている。そして図3に示した例と同様に、回転するウエハWの接線方向下流側に、当該接線と交わるように配置されている区画壁24にはスリット241が開口している。このため、回収カップ50から流出し、チャンバ20内を流れる旋回流は、これら4つのスリット241から開口部25a〜25dを介して外部へ排気される。この観点から、本実施の形態において、これら4つのスリット241は各々、囲み部材に囲まれる領域を排気する排気口を構成している。
さらに、チャンバ20が回収カップ50全体を収容している第1の実施の形態に係る処理ユニット16と異なり、図6に示す処理ユニット16aのチャンバ20は回収カップ50の上側部分のみを収容し、回収カップ50の下側部分はチャンバ20から下方に突出している。この例では、処理流体供給部40を支持するチャンバ20の底板201が回収カップ50の外周面を囲むように配置され、これにより回収カップ50と囲み部材であるチャンバ20の側壁面との間を塞ぐ床面部が構成されている。ここで、底板201が配置される高さは、回収カップ50の上端から、回収カップ50の全高の半分程度下方側の範囲までであれば、旋回流の滞留を抑制し、薬液成分の排出する作用は十分に得られる。
図7に示した処理ユニット16bは、回収カップ50の上端と、チャンバ20の底板201とが面一となるように配置された例を示している。またチャンバ20の底板201は、回収カップ50の上端よりも上方側に配置してもよい。この場合には、底板201の開口から回収カップ50の開口に向けて下方側に伸びる筒状の部材を設けて底板201と回収カップ50との間の隙間を塞ぎ、これら底板201と筒状の部材とを床面部として、回収カップ50とチャンバ20の側壁面(囲み部材)との間を塞いでもよい。
さらに、図3に示した処理ユニット16の如く、仕切り板28(図7の例では底板201)に開口部25a〜25dを設け、この周囲を区画壁24で囲み、区画壁24に設けたスリット241を排気口として、囲み部材に囲まれる領域を排気することは必須の要件ではない。例えば図7に示すように、囲み部材であるチャンバ20の側壁に直接、排気管251を接続して、この開口部25を横方向に開口させて排気口としてもよい。
このとき、開口部25に接続された排気管251は、チャンバ20から気体が排気された直後の位置にて下方側へ屈曲させ、こうして気流を下方へと案内することにより気流の逆流を抑えることができる。また、開口部25の形状は、スリット形状に限定されるものではなく、円形や四角形など、他の形状であってもよいことは勿論である。
さらに、囲み部材で囲み部材に囲まれる領域を排気する排気口の少なくとも1つは、例えば図4、図5のスリット241や図7の開口部25に示すように、その下端部を床面部(仕切り板28や底板201)の上面であって、薬液成分の滞留が殆ど発生せず、液処理の結果への薬液成分の影響が無視できる程度の高さ位置に開口させるとよい。これにより、排気口の下方側近傍領域における薬液成分を含む気体の滞留を実質的に抑えることができる。
図8は、円筒によりチャンバ20aを構成した処理ユニット16cの例を示している。この例においては、横断面形状が円形のチャンバ20aの側壁が回収カップ50を囲む囲み部材を構成し、仕切り板28が回収カップ50と前記側壁との間を塞いでいる。チャンバ20の側壁の一部を構成する区画壁24は、チャンバ20aの外方に配置された開口部25を囲み、上下方向に伸びるように形成されたスリット241を介してチャンバ20a内の排気が行われている。
ここで、ウエハWの回転方向に伸びる接線と直交する方向に配置された区画壁24や仕切り壁23を備える第1の実施の形態に係る処理ユニット16と異なり、円筒形状のチャンバ20aの壁面に沿って流れる旋回流には、気体を外部へ排出するように働く力が小さい。そこで、図8に示すように、スリット241の近傍であって、チャンバ20aの壁面に沿った旋回流の流れ方向の下流側に案内板242を配置することにより、当該旋回流を効果的に外部へ排出することができる。
次いで、図9〜図11には、床面部を構成する仕切り板28に設けられたスリット281を介してチャンバ20内の排気を行う処理ユニット16dの例を示している。図9に示すように本例の処理ユニット16dにおいては、搬入出口22が設けられていないチャンバ20の側壁の近傍位置に、各々処理液供給機構40a〜40cが設けられている。
図10に示すように、本例の処理ユニット16dは、支持柱312を介して保持部31の周縁部上方位置に設けられ、支持ピン311に支持されたウエハWの周囲を囲むように配置された円環形状の回転カップ313を備えている。回転カップ313は、ウエハWから振り飛ばされた処理液を受けて下方側へと案内する。この回転カップ313の下方側には、回転カップ313により下方側へ案内された処理液を受けて、さらに下方側へと案内する内カップ50aが設けられている。回転カップ313及び内カップ50aは、両カップ313、50aの外周面との間で気流を外部へ排気するための排気路501を形成する外カップ50bによって上方より覆われている。本処理ユニット16dにおいて、回転カップ313及び内カップ50aは、第1カップに相当し、外カップ50bは第2カップに相当している。これら第1カップ及び第2カップにより、カップ体が構成されている。
内カップ50aの底部には、FFU21から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する不図示の排気口が形成されている。回収して再利用する処理液をウエハWに供給する場合は、内カップ50aの排気口から気体を排出させず、排気路501から排出させることが好ましい。この場合、ウエハWに供給された処理液と気体を確実に分離することができ、処理液の成分が気体とともに内カップ50aの排気口へ排出されることがなくなり、処理液の回収率を向上させることができる。また、処理液をウエハWに供給した後、処理液を洗い流すリンス処理、ウエハWを乾燥させる乾燥処理の場合は、内カップ50aの排気口から気体を排出させてもよい。
また図9に示すように各処理液供給機構40a〜40cは、ノズルヘッド42(ノズル部41)を退避位置まで退避させたとき、ノズルアーム43がチャンバ20の側壁に沿ってほぼ平行に配置された状態となる。チャンバ20内を上面側から見たとき、各スリット281は、退避位置に移動したノズルアーム43とチャンバ20の側壁との間に、これらノズルアーム43及びチャンバ20とほぼ平行に伸びるように形成されている。
このスリット281は、囲み部材を構成するチャンバ20の側壁に臨む位置の仕切り板28(床面部)に、当該側壁に沿って伸びるように形成されているといえる。ここで「チャンバ20の側壁に臨む位置」とは、スリット281がチャンバ20の側壁に対向して配置される位置に相当する。気体のよどみを防ぐため、スリット281を形成する位置は、チャンバ20の側壁に近いほど好ましく、仕切り板28と、チャンバ20の側壁とが交差する位置から、スリット281までの距離が50mmの範囲内の領域(以下、「縁部領域」とも言う)に形成することが好ましい。
スリット281は、処理液供給機構40a〜40cとチャンバ20の側壁との間に配置することが可能であり、且つ、チャンバ20内の排気を実行することが可能であればその幅寸法に特段の限定はなく、例えば数mm〜数cmに形成される。一方、スリット281の長さは、退避位置に退避した処理液供給機構40a〜40cの先端部(ノズルヘッド42)から基端部(回転駆動部44)に至る領域に沿って各スリット281が配置されるように、前記先端部から基端部までの距離よりも長く形成されている。
図10、図11に示すように、各スリット281が形成されている領域の下方は、仕切り板28の下方側にさらに下方板283が設けられた二重底となっており、これら仕切り板28と下方板283との間には、チャンバ20から排気された気流が流入するバッファ空間282が形成されている。本処理ユニット16dにおいて、下方板283は第1床面部に相当し、仕切り板28は第1床面部の上方に設けられた第2床面部に相当する。これら第1床面部及び第2床面部により床面部が構成されている。
下方板283には開口部25が形成され、この開口部25にはバッファ空間282内の排気を行う排気部である排気管251が接続されている。なお、図10、図11には処理液供給機構40aに沿って形成されたスリット281からの排気を行う機構の構成例を示してあるが、他の処理液供給機構40b、40cが設けられている領域においても、同様の構成を採用している。
さらに図9、図10に示すように、仕切り板28は、外カップ50bに対して隙間なく設けられている。
以上に説明した内容をまとめると、仕切り板28(床面部)より上方であって、チャンバ20aの側壁(囲み部材)及び仕切り板28に囲まれる領域を排気するための排気口が、前記仕切り板28に形成されたスリット281として構成されていることとなる。また図9に明示されているように、これらのスリット281は外カップ50bよりも外側に設けられている。
次いで処理ユニット16dの作用について説明すると、図10に示すようにFFU21から供給された清浄気体は、整流板26を介してチャンバ20内に供給され、ダウンフローを形成する。チャンバ20内を流下するダウンフローの一部は、回転カップ313及び内カップ50aの外周面と、外カップ50bの内周面との間に形成される排気路501に流れ込み、当該排気路501から外部へ排気される。また、前記ダウンフローの残る一部は、チャンバ20内を流下しつつ、仕切り板28上の、スリット281が設けられている領域であるチャンバ20の側壁近傍の縁部領域へ向けて流れていく。FFU21や整流板26は、本例の下降気流形成部に相当する。
一方、ウエハWの処理の際に発生する旋回流に起因して外カップ50bよりも外方へ流れ出た気流は、当該外カップ50bとの間に隙間なく設けられた平坦な仕切り板28の上面に沿って、前記縁部領域に設けられたスリット281へと案内される。そして、既述のダウンフロー側の気流と、外カップ50b側からの気流とが合流してスリット281に進入し、バッファ空間282に流れ込んだ後、排気管251へと排気される。このように、外カップ50bからあふれた流れは、仕切り板28を利用してスリット281へと案内されると共に、スリット281は気体のよどみが発生しにくい位置に設けられているので、効率的な排気が実現される。
本例の処理ユニット16dにおいても、旋回流に起因して外カップ50bから流れ出た気流が平坦な切り板28を介してスリット281へと流れていくので、滞留した薬液成分の巻き上げや、これに起因するウエハWへの再付着が発生しにくい。特にこの気流は、ダウンフローの一部と共にチャンバ20の縁部領域へと集められ、当該領域に設けられたスリット281からまとめて外部へと排気される。この結果、上方側から供給されるダウンフローによって仕切り板28上を流れる気流を押さえ付け、気流の乱れを効果的に抑えることができる。
さらに、退避位置に退避した処理液供給機構40a〜40cとチャンバ20の側壁との間の位置に、これら処理液供給機構40a〜40cに沿ってスリット281が形成されていることにより、処理液供給機構40a〜40cにて発生したパーティクルをその発生近傍位置にて外部へと排気することが可能となる。これらに加え、スリット281を利用して排気を行うことにより、外カップ50b側から各スリット281へ向けて、処理液供給機構40a〜40の配置領域を均一に流れる気流を形成することが可能となり、処理液供給機構40a〜40cにて発生したパーティクルを排出する効果が高まる。また、処理液供給機構40a〜40cの周囲は、滞留の発生しやすい領域でもあるので、外カップ50b側から当該領域へ向けて流れる気流を形成することによっても、薬液成分の排出を促進する効果が得られる。
ここで床面部を成す仕切り板28に排気口(スリット281)を設けた本例の処理ユニット16dにおいては、図9に示した例の如く処理液供給機構40a〜40cに沿ってスリット281を設けることは必須の要件ではない。例えば搬入出口22が設けられているチャンバ20の側壁に沿うようにして、仕切り板28にスリット281を形成してもよい。また、チャンバ20の側壁の近傍位置に、これら処理液供給機構40a〜40cのうちのいくつかが設けられていない場合であっても、チャンバ20の側壁に臨む領域(縁部領域)に、当該側壁に沿ってスリット281を設けて、ダウンフローの一部と、外カップ50bから流れ出た気流とをまとめて排気してもよいことは勿論である。
これらに加え、縁部領域に設けられる排気口の構成もスリット281に限定されるものではない。例えば、チャンバ20の側壁に沿って伸びる方向に、円形の排気口を互いに間隔を開けて複数個配置してもよい。
以上に説明した各実施の形態に係る処理ユニット16、16a〜16dにおいて、処理ユニット16、16a〜16dは、ウエハWの上面側を処理するように構成される場合に限られない。例えば、ウエハWの下面からも保持部31を介して処理液の供給を行い、ウエハWの上面、下面の双方の液処理を行ってもよい。また、ウエハWの下面のみの処理が行われる処理ユニット16、16a〜16dにも、本発明は適用することができることは勿論である。
そして、本発明の液処理ユニット(液処理装置)を用いて処理することが可能な基板の種類は、半導体ウエハに限定されるものではない。例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板の液処理を行う液処理ユニットに対しても本発明は適用することができる。
W ウエハ
16、16a〜16d
処理ユニット
201 底板
23 仕切り壁
231 通過口
24 区画壁
241 スリット
242 案内板
25、25a〜25d
開口部
251 排気管
28 仕切り板
281 スリット
31 保持部
40a〜40c
処理液供給機構
41 ノズル部
42 ノズルヘッド
43 ノズルアーム
44 回転駆動部

Claims (16)

  1. 回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
    前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
    前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
    前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
    前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え
    前記囲み部材は、当該囲み部材及び床面部に囲まれる領域から区画して、排気された気流を下方側へ案内する流路を形成する区画壁を備え、前記排気口は当該区画壁に形成されていることを特徴とする液処理装置。
  2. 回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
    前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
    前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
    前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
    前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え
    前記囲み部材は円筒形状に構成され、前記排気口には、円筒形状の囲み部材に沿って流れる気流を当該排気口へ向けて案内するための案内板が設けられていることを特徴とする液処理装置。
  3. 回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
    前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
    前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
    前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
    前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え
    前記排気口は、上下方向に伸びるスリットであることを特徴とする液処理装置。
  4. 回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
    前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
    前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
    前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
    前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え
    前記カップ体は、基板に供給された処理液を受ける第1カップと、前記第1カップを上方より覆う第2カップとを備え、これら第1カップと第2カップとの間に排気路が形成され、前記床面部は、前記第2カップに対して隙間なく設けられていることを特徴とする液処理装置。
  5. 回転自在な基板保持部に基板を保持し、基板に対して処理液を供給して液処理を行う液処理装置において、
    前記基板保持部を囲み、基板上方に開口が設けられたカップ体と、
    前記カップ体の上方空間を含む領域を、前記カップ体よりも外方側にて囲む囲み部材と、
    前記カップ体の上方側からカップ体内に下降気流を形成する気流形成部と、
    前記カップ体の周方向に沿って設けられ、前記カップ体と前記囲み部材との間を塞ぐ床面部と、
    前記床面部よりも上方であって、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域を排気するために前記カップ体よりも外側に設けられた排気口と、を備え
    前記床面部は、第1床面部と、前記第1床面部の上方側に設けられた第2床面部とを備え、前記排気口は第2床面部に形成されていることを特徴とする液処理装置。
  6. 前記排気口は、前記基板保持部の回転中心を中心とする円における、基板保持部の回転方向に伸びる接線と交わる方向に向けて開口していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の液処理装置。
  7. 前記排気口から排気された気流を下方側へ向けて流す流路を備えることを特徴とする請求項2または3に記載の液処理装置。
  8. 前記排気口は、前記カップ体の周方向に沿って複数設けられていることを特徴とする請求項1ないしのいずれか一つに記載の液処理装置。
  9. 前記排気口は、平面形状が矩形に構成された囲み部材の角部に設けられていることを特徴とする請求項1または3に記載の液処理装置。
  10. 基板に処理液を供給するノズル部と、前記ノズル部をその先端部に保持するノズルアームと、前記ノズルアームの基端部に設けられ、当該基端部を中心としてノズルアームを回転駆動させて、前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で前記ノズル部を移動させる回転駆動部と、を有する処理液供給機構を備え、
    前記回転駆動部は、前記排気口に臨む位置に設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の液処理装置。
  11. 前記囲み部材は、前記処理液供給機構が設けられている領域と、カップ体の上方側の空間とを仕切り、前記ノズル部を保持したノズルアームを通過させる通過口が設けられた仕切り壁を備え、
    前記回転駆動部に臨む位置に設けられた排気口に替えて、前記通過口を排気口として、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域の排気を行うと共に、前記回転駆動部に臨む位置から、当該処理液供給機構が設けられている領域内の排気を行うことを特徴とする請求項10に記載の液処理装置。
  12. 前記第1床面部と第2床面部との間にバッファ空間を形成し、前記第1床面部に排気部が接続されていることを特徴とする請求項に記載の液処理装置。
  13. 前記排気口は、前記囲み部材に臨む位置の床面部に、当該囲み部材に沿って伸びるように形成されていることを特徴とする請求項4、5または12のいずれか一つに記載の液処理装置。
  14. 前記基板保持部の上方側には、前記囲み部材及び床面部に囲まれる領域に下降気流を形成するための下降気流形成部が設けられていることを特徴とする請求項13に記載の液処理装置。
  15. 基板に処理液を供給するノズル部と、前記ノズル部をその先端部に保持するノズルアームと、前記ノズルアームの基端部に設けられ、当該基端部を中心としてノズルアームを回転駆動させて、前記基板保持部に保持された基板の上方の処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で前記ノズル部を移動させる回転駆動部と、を有する処理液供給機構を備え、
    前記退避位置は、前記処理液供給機構のノズルアームが囲み部材に沿って伸びるように配置される位置に設定され、
    前記排気口は、当該退避位置にノズルアームを退避させた処理液供給機構と、前記囲み部材との間に配置されていることを特徴とする請求項4、5、12、13または14のいずれか一つに記載の液処理装置。
  16. 前記床面部は、その上面が前記カップ体の上端と面一となる位置に設けられていることを特徴とする請求項1ないし15のいずれか一つに記載の液処理装置。
JP2014157879A 2013-09-27 2014-08-01 液処理装置 Active JP6281161B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014157879A JP6281161B2 (ja) 2013-09-27 2014-08-01 液処理装置
TW103131241A TWI573190B (zh) 2013-09-27 2014-09-10 液體處理裝置
US14/483,252 US9773687B2 (en) 2013-09-27 2014-09-11 Liquid processing apparatus
KR1020140120268A KR102267992B1 (ko) 2013-09-27 2014-09-11 액 처리 장치
CN201711237047.XA CN107833852B (zh) 2013-09-27 2014-09-12 液处理装置
CN201410466264.6A CN104517870B (zh) 2013-09-27 2014-09-12 液处理装置
US15/681,672 US10297473B2 (en) 2013-09-27 2017-08-21 Liquid processing apparatus
KR1020210076668A KR102364953B1 (ko) 2013-09-27 2021-06-14 액 처리 장치

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013201972 2013-09-27
JP2013201972 2013-09-27
JP2014157879A JP6281161B2 (ja) 2013-09-27 2014-08-01 液処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015088734A JP2015088734A (ja) 2015-05-07
JP2015088734A5 JP2015088734A5 (ja) 2016-12-08
JP6281161B2 true JP6281161B2 (ja) 2018-02-21

Family

ID=52738897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014157879A Active JP6281161B2 (ja) 2013-09-27 2014-08-01 液処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9773687B2 (ja)
JP (1) JP6281161B2 (ja)
KR (2) KR102267992B1 (ja)
CN (2) CN107833852B (ja)
TW (1) TWI573190B (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US9446467B2 (en) * 2013-03-14 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrate rinse module in hybrid bonding platform
CN106409726A (zh) * 2016-10-10 2017-02-15 上海华力微电子有限公司 一种具有增强腔体排气效果的排气装置的单片清洗机台
JP6981092B2 (ja) * 2017-08-10 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
TWI693627B (zh) * 2018-11-22 2020-05-11 辛耘企業股份有限公司 流體收集裝置
JP7169865B2 (ja) * 2018-12-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN109698151B (zh) * 2019-01-11 2020-09-08 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) 易于气流控制的晶圆清洗槽
JP7161415B2 (ja) * 2019-01-21 2022-10-26 株式会社ディスコ 加工装置
JP7185552B2 (ja) * 2019-02-13 2022-12-07 株式会社ディスコ スピンナ洗浄装置
CN112053970A (zh) * 2019-06-05 2020-12-08 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
CN110289236A (zh) * 2019-07-29 2019-09-27 德淮半导体有限公司 工艺腔室
KR102254188B1 (ko) * 2019-08-01 2021-05-21 무진전자 주식회사 오염 방지 기능이 구비된 기판 건조 장치
JP7509657B2 (ja) 2020-10-29 2024-07-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
KR102635384B1 (ko) * 2020-11-23 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102635385B1 (ko) * 2020-11-23 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20220131680A (ko) * 2021-03-22 2022-09-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102618629B1 (ko) * 2021-08-24 2023-12-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20230050871A (ko) * 2021-10-08 2023-04-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2024036245A (ja) * 2022-09-05 2024-03-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW420829B (en) * 1997-05-22 2001-02-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device and method, impurity removing apparatus
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
US6514344B2 (en) * 1999-12-16 2003-02-04 Tokyo Electron Limited Film forming unit
JP3587776B2 (ja) * 2000-10-10 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP3713447B2 (ja) * 2001-04-05 2005-11-09 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4318913B2 (ja) * 2002-12-26 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
JP4471865B2 (ja) * 2005-02-18 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
JP4830523B2 (ja) * 2006-02-08 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及びその方法を実施するためのコンピュータプログラム。
JP4675803B2 (ja) * 2006-03-10 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 平坦化装置
TW200802563A (en) * 2006-04-18 2008-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus
EP1848025B1 (en) * 2006-04-18 2009-12-02 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
KR100945759B1 (ko) * 2006-05-15 2010-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치
EP1879216B1 (en) * 2006-06-16 2009-02-25 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
KR100979979B1 (ko) * 2006-07-26 2010-09-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP5045218B2 (ja) * 2006-10-25 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP4889444B2 (ja) * 2006-10-27 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法、液処理装置およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP4901650B2 (ja) * 2007-08-31 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP4895984B2 (ja) * 2007-11-29 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
JP5112931B2 (ja) * 2008-03-31 2013-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5029486B2 (ja) * 2008-05-13 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
JP5270251B2 (ja) * 2008-08-06 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2010103131A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP5421610B2 (ja) * 2009-02-18 2014-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4853536B2 (ja) * 2009-03-13 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5284294B2 (ja) * 2010-01-25 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム
JP5421825B2 (ja) * 2010-03-09 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5474853B2 (ja) * 2011-03-08 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5472169B2 (ja) * 2011-03-16 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
US9242279B2 (en) * 2011-05-24 2016-01-26 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
WO2012165377A1 (ja) * 2011-05-30 2012-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP5505384B2 (ja) * 2011-08-04 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN103295936B (zh) * 2012-02-29 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置及基板处理方法
JP5967519B2 (ja) * 2012-03-08 2016-08-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10297473B2 (en) 2019-05-21
JP2015088734A (ja) 2015-05-07
US20170345689A1 (en) 2017-11-30
KR102364953B1 (ko) 2022-02-17
CN107833852A (zh) 2018-03-23
CN107833852B (zh) 2021-11-09
TW201521107A (zh) 2015-06-01
KR20210075931A (ko) 2021-06-23
US20150090305A1 (en) 2015-04-02
CN104517870A (zh) 2015-04-15
KR20150035392A (ko) 2015-04-06
US9773687B2 (en) 2017-09-26
TWI573190B (zh) 2017-03-01
KR102267992B1 (ko) 2021-06-21
CN104517870B (zh) 2018-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6281161B2 (ja) 液処理装置
JP6287750B2 (ja) 基板液処理装置
KR101970844B1 (ko) 액 처리 장치
KR20180018340A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP5967519B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6961362B2 (ja) 基板処理装置
JP5503435B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102303594B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2019036595A (ja) 液処理装置
JP6125449B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6203667B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6051858B2 (ja) 基板処理装置
JP2018129476A (ja) 基板処理装置
JP6395673B2 (ja) 基板処理装置
KR20130025133A (ko) 기판처리장치
JP7093703B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6312615B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7124946B2 (ja) 液処理方法
JP6184892B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP6649837B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN116598224A (zh) 基板处理装置及基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161025

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161025

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170928

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171219

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20171228

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180101

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6281161

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250