TWI603379B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI603379B
TWI603379B TW105116502A TW105116502A TWI603379B TW I603379 B TWI603379 B TW I603379B TW 105116502 A TW105116502 A TW 105116502A TW 105116502 A TW105116502 A TW 105116502A TW I603379 B TWI603379 B TW I603379B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
processing liquid
unit
Prior art date
Application number
TW105116502A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201712730A (zh
Inventor
田中裕二
浅井正也
春本将彥
金山幸司
Original Assignee
思可林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 思可林集團股份有限公司 filed Critical 思可林集團股份有限公司
Publication of TW201712730A publication Critical patent/TW201712730A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI603379B publication Critical patent/TWI603379B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種使用處理液進行基板處理之基板處理裝置及基板處理方法。
於半導體器件等之製造之微影步驟中，藉由對基板上供給光阻液而形成光阻膜。於將光阻膜曝光之後，藉由對光阻膜供給顯影液，而於光阻膜形成特定圖案(例如、參照專利文獻1)。
專利文獻1所記載之顯影處理裝置包含旋轉夾盤、可動杯及2個顯影液供給噴嘴。旋轉夾盤可旋轉地保持形成有各種光阻膜之晶圓。可動杯係包圍旋轉夾盤且可於上下方向上移動地配置。2個顯影液供給噴嘴係配置於晶圓之上方。
於晶圓上之光阻膜為正型之情形時，可動杯上升，且自一顯影液供給噴嘴對晶圓供給正型顯影液。對晶圓供給之正型顯影液係自可動杯之一排出口排出。於晶圓上之光阻膜為負型之情形時，可動杯下降，且自另一顯影液供給噴嘴對晶圓供給負型顯影液。對晶圓供給之負型顯影液係自可動杯之另一排出口排出。
[專利文獻1]日本專利特開2014-75575號公報
於專利文獻1，記載有藉由上述構成可無需使正型顯影液與負型顯影液混合即進行顯影液之排出處理。然而，因將正型顯影液及負型顯影液之排出流路部分共用，故會使正型顯影液與負型顯影液稍微混合。因此，無法將正型顯影液與負型顯影液分離回收。
本發明之目的在於提供一種可將不同種類之處理液分離回收之基板處理裝置及基板處理方法。
(1)根據本發明之一態樣之基板處理裝置包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給單元，其對由基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於第1比重之第2比重之第2處理液；貯存部，其貯存對基板供給後之使用過之第1及第2處理液；及處理液分離機構，其將貯存於貯存部之第1處理液與第2處理液基於比重而分離。
於該基板處理裝置中，藉由基板保持部保持基板。以該狀態，藉由處理液供給單元對基板之被處理面供給第1及第2處理液。將對基板供給後之使用過之第1及第2處理液貯存於貯存部內。此處，因第2處理液之比重小於第1處理液之比重，故於貯存部內，以上下分離之方式形成第1處理液之層與第2處理液之層。藉此，可基於比重而分離第1處理液與第2處理液。
根據該構成，即使於將使用過之第1及第2處理液通過共通之排出流路排出之情形時，亦可於貯存部內分離。其結果，可將第1及第2處理液分離回收。又，藉由將不同種類之處理液分離回收，可降低處理液之廢棄成本。
(2)亦可為，處理液分離機構包含：第1排出配管，其係以自貯存部排出使用過之第1處理液之方式設置；第2排出配管，其係以自貯存部排出使用過之第2處理液之方式設置；第1排出閥，其介插於第1排 出配管；交界面檢測部，其檢測貯存於貯存部內之第1處理液與第2處理液之交界面；及控制部，其取得由交界面檢測部檢測之交界面，且以如下方式控制第1排出閥：於取得之檢測面為預定之下限位置以下之情形時關閉第1排出閥，於取得之檢測面高於下限位置之情形時打開第1排出閥；且第1排出配管連接於較下限位置更下方之貯存部，第2排出配管連接於較下限位置更上方之貯存部。
於該情形時，可藉由簡單之控制自貯存部通過第1排出配管回收使用過之第1處理液，且自貯存部通過第2排出配管回收使用過之第2處理液。又，使用者無需進行用以分離第1處理液與第2處理液之作業。藉此，可進一步降低處理液之廢棄成本。
(3)亦可為，處理液分離機構進而包含：第2排出閥，其介插於第2排出配管；且控制部係於取得之檢測面為預定且高於下限位置且為上限位置以下之情形時打開第2排出閥，於取得之檢測面高於上限位置之情形時關閉第2排出閥。
於該情形時，可藉由簡單之構成防止自貯存部通過第2排出配管回收使用過之第1處理液。
(4)亦可為，第1處理液包含水溶液，第2處理液包含有機溶劑。於該情形時，可藉由基板處理裝置之共通部分進行使用包含水溶液之處理液與包含有機溶劑之處理液之基板處理。又，可將包含水溶液之處理液與包含有機溶劑之處理液分離回收。
(5)亦可為，基板處理裝置進而包含：塗佈液供給單元，其以噴出含有金屬之塗佈液作為含有金屬塗佈液之方式構成；且基板保持部係以將基板以水平姿勢保持並使其旋轉之方式構成；第1處理液係使含有金屬塗佈液之金屬溶解；第2處理液係使含有金屬塗佈液之塗佈液溶解；塗佈液供給單元藉由對利用基板保持部旋轉之基板之被處理面噴出含有金屬塗佈液而於基板之被處理面形成含有金屬塗佈膜；處 理液供給單元係以於基板之被處理面之除周緣部以外之區域殘留含有金屬塗佈膜之方式，對藉由基板保持部旋轉之基板之周緣部供給第1及第2處理液。
於該情形時，於基板之除周緣部以外之被處理面形成含有金屬塗佈膜。藉此，可藉由使用含有金屬塗佈膜而進行微細之圖案形成。又，藉由第1及第2處理分別溶解基板之周緣部之金屬成分及塗佈液。藉此，可防止起因於基板之周緣部之塗佈膜殘留之微粒導致之基板處理裝置之污染，且防止基板之周緣部之金屬之殘留導致之基板處理裝置之污染。
又，藉由基於比重分離第1處理液與第2處理液，可將第1及第2處理液分離回收。藉此，可進一步降低第1及第2處理液之廢棄成本。
(6)亦可為，基板處理裝置進而包含：背面處理單元，其對藉由基板保持部旋轉之基板之與被處理面相反側之背面供給第1及第2處理液。
根據該構成，即使於含有金屬塗佈液繞行至基板之背面之情形時，亦可藉由背面處理單元去除背面之附著於基板之背面之含有金屬塗佈液。藉此，可充分防止基板處理裝置之污染。
(7)亦可為，基板保持部係選擇性地保持應於被處理面接受正型顯影處理之基板、與應於被處理面接受負型顯影處理之基板；第1處理液係正型顯影用之顯影液；第2處理液係負型顯影用之顯影液；處理液供給單元係於應於被處理面接受正型顯影處理之基板被保持於基板保持部時噴出第1處理液，且於應於被處理面接受負型顯影處理之基板被保持於基板保持部時噴出第2處理液。
於該情形時，於將於被處理面應接受正型顯影處理之基板保持於基板保持部時，可藉由自處理液供給單元噴出第1處理液而對該基板之被處理面進行正型顯影。另一方面，於將於被處理面應接受負型 顯影處理之基板保持於基板保持部時，可藉由自處理液供給單元噴出第2處理液而對該基板之被處理面進行負型顯影。
(8)根據本發明之另一態樣之基板處理方法包含如下步驟：藉由基板保持部保持基板；藉由處理液供給單元對由基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於第1比重之第2比重之第2處理液；將藉由處理液供給單元對基板供給後之使用過之第1及第2處理液貯存於貯存部；及將貯存於貯存部之第1處理液與第2處理液基於比重而分離。
於該基板處理方法中，藉由基板保持部保持基板。以該狀態，藉由處理液供給單元對基板之被處理面供給第1及第2處理液。將對基板供給後之使用過之第1及第2處理液貯存於貯存部內。此處，因第2處理液之比重小於第1處理液之比重，故於貯存部內，以上下分離之方式形成第1處理液之層與第2處理液之層。藉此，可基於比重而分離第1處理液與第2處理液。
根據該方法，即使於將使用過之第1及第2處理液通過共通之排出流路排出之情形時，亦可於貯存部內分離。其結果，可將第1及第2處理液分離回收。又，藉由將不同種類之處理液分離回收，可降低處理液之廢棄成本。
根據本發明，可將不同種類之處理液分離回收。
11‧‧‧分度器區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧介面區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
20‧‧‧待機部
21~24‧‧‧塗佈處理室
25‧‧‧旋轉夾盤
27‧‧‧杯
28‧‧‧塗佈液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
31~34‧‧‧顯影處理室
35‧‧‧旋轉夾盤
37‧‧‧杯
38‧‧‧狹縫噴嘴
39‧‧‧移動機構
41‧‧‧邊緣清洗噴嘴
41p‧‧‧供給配管
42‧‧‧背部清洗噴嘴
42p‧‧‧供給配管
43‧‧‧邊緣清洗噴嘴
43p‧‧‧供給配管
44‧‧‧背部清洗噴嘴
44p‧‧‧供給配管
50‧‧‧回收配管
50A‧‧‧處理液分離機構
53‧‧‧回收槽
54‧‧‧交界檢測部
55‧‧‧回收配管
55v‧‧‧回收閥
56‧‧‧回收配管
56v‧‧‧回收閥
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載體載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載體
114‧‧‧主控制器
115‧‧‧搬送機構
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上層搬送室
126‧‧‧下層搬送室
127‧‧‧搬送機構
128‧‧‧搬送機構
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧顯影處理部
132‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上層搬送室
136‧‧‧下層搬送室
137‧‧‧搬送機構
138‧‧‧搬送機構
139‧‧‧顯影處理單元
141‧‧‧搬送機構
142‧‧‧搬送機構
146‧‧‧搬送機構
161‧‧‧洗淨乾燥處理部
162‧‧‧洗淨乾燥處理部
163‧‧‧搬送部
301‧‧‧上層熱處理部
302‧‧‧下層熱處理部
303‧‧‧上層熱處理部
304‧‧‧下層熱處理部
BSS‧‧‧洗淨乾燥處理單元
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
L1‧‧‧下限高度
L2‧‧‧上限高度
LC1‧‧‧局部控制器
LC2‧‧‧局部控制器
PASS1~PASS9‧‧‧基板載置部
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PHP‧‧‧熱處理單元
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
S1~S6‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意性俯視圖。
圖2係顯示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之示意性側視圖。
圖3係顯示塗佈處理單元之構成之示意性俯視圖。
圖4係顯示塗佈處理單元之構成之示意性側視圖。
圖5係顯示回收閥之控制之流程圖。
圖6係顯示圖1之熱處理部及洗淨乾燥處理部之內部構成之示意性側視圖。
圖7係顯示搬送部之內部構成之示意性側視圖。
以下，使用圖式對本發明之一實施形態之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。另，於以下之說明中，基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。又，於本實施形態使用之基板具有至少一部分為圓形之外周部。例如，除定位用之凹口以外之外周部具有圓形。
(1)基板處理裝置
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意性俯視圖。於圖1及圖2以後之特定圖中，為明確位置關係而附加有顯示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。
如圖1所示，基板處理裝置100包含分度器區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成介面區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。
如圖1所示，分度器區塊11包含複數個載體載置部111及搬送部112。於各載體載置部111中，載置有多層地收納複數片基板W之載體113。於搬送部112，設置主控制器114及搬送機構115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送機構115一面保持基板W一面搬送該基板W。
第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部 123。塗佈處理部121及熱處理部123係以隔著搬送部122而對向之方式設置。於搬送部122與分度器區塊11之間，設置有供載置基板W之基板載置部PASS1~PASS4(參照圖7)。於搬送部122，設置搬送基板W之搬送機構127、128(參照圖7)。
第2處理區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133係以隔著搬送部132而對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間，設置有供載置基板W之基板載置部PASS5~PASS8(參照圖7)。於搬送部132，設置搬送基板W之搬送機構137、138(參照圖7)。
洗淨乾燥處理區塊14A包含洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162係以隔著搬送部163而對向之方式設置。於搬送部163，設置搬送機構141、142。於搬送部163與搬送部132之間，設置載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(參照圖7)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2構成為可收納複數片基板W。
又，在搬送機構141、142之間，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式，設置基板載置部PASS9及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖7)。載置兼冷卻部P-CP具備冷卻基板W之功能(例如冷卻板)。於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適於曝光處理之溫度。於搬入搬出區塊14B，設置搬送機構146。搬送機構146係進行基板W對曝光裝置15之搬入及搬出。
(2)塗佈處理部、顯影處理部及洗淨乾燥處理部
圖2係顯示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161之內部構成之示意性側視圖。如圖2所示，於塗佈處理部121中，分層設置塗佈處理室21、22、23、24。於各塗佈處理室21~24，設置有塗佈處理單元129。於顯影處理部131，分層設置顯影處理室31、32、33、34。於各顯影處理室31~34，設置顯影處理單元139。。
圖3係顯示塗佈處理單元129之構成之示意性俯視圖。圖4係顯示塗佈處理單元之構成之示意性側視圖。如圖3及圖4所示，各塗佈處理單元129包含：待機部20、複數個旋轉夾盤25、複數個杯27、複數個塗佈液噴嘴28、噴嘴搬送機構29、複數個邊緣清洗噴嘴41、43，及複數個背部清洗噴嘴42、44。於本實施形態中，旋轉夾盤25、杯27、邊緣清洗噴嘴41、43及背部清洗噴嘴42、44係每2個地設置於各塗佈處理單元129。
如圖3所示，各旋轉夾盤25係以保持基板W之狀態，藉由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)而旋轉驅動。杯27係以包圍旋轉夾盤25之周圍之方式設置。於待機時，各塗佈液噴嘴28插入於待機部20。對各塗佈液噴嘴28，自未圖示之塗佈液貯存部通過塗佈液配管供給各種塗佈液。將複數個塗佈液噴嘴28中之任一塗佈液噴嘴28利用噴嘴搬送機構29移動至基板W之上方。藉由一面使旋轉夾盤25旋轉一面自塗佈液噴嘴28噴出塗佈液，而於旋轉之基板W上塗佈塗佈液。
於本實施形態中，自圖2之塗佈處理室22、24之塗佈液噴嘴28，噴出反射防止膜用之塗佈液(反射防止液)。自塗佈處理室21、23之塗佈液噴嘴28，噴出光阻膜用之塗佈液(光阻液)。
於反射防止液及光阻液中，為了形成更微細之圖案而含有金屬分子或金屬氧化物等金屬成分作為組成物。於本例中，於反射防止液及光阻液中含有例如Sn(錫)、HfO2(氧化鉿)、或ZrO2(二氧化鋯)作為金屬成分。以下，將含有金屬成分之反射防止液或光阻液等塗佈液統稱為含有金屬塗佈液。又，將由含有金屬塗佈液形成之膜稱為含有金屬塗佈膜。
如圖4所示，邊緣清洗噴嘴41、43係以朝向藉由旋轉夾盤25保持之基板W之被處理面之周緣部之方式配置。此處，被處理面係指形成有電路圖案等各種圖案之基板W之面。基板W之周緣部係指於基板W 之被處理面中，沿著基板W之外周部之特定寬度之區域。背部清洗噴嘴42、44係以朝向藉由旋轉夾盤25保持之基板W之背面之方式配置。此處，背面係指基板W之與被處理面相反側之面。
於邊緣清洗噴嘴41、43，分別連接供給配管41p、43p。於背部清洗噴嘴42、44，分別連接供給配管42p、44p。對邊緣清洗噴嘴41及背部清洗噴嘴42，自未圖示之第1去除液供給槽分別通過供給配管41p、42p供給去除液。對邊緣清洗噴嘴43及背部清洗噴嘴44，自未圖示之第2去除液供給槽分別通過供給配管43p、44p供給去除液。
此處，於第1去除液供給槽中，貯存有機溶劑作為去除液。有機溶劑例如包含稀釋劑。於第2去除液供給槽中貯存鹼性去除液或酸性去除液。鹼性去除液為例如包含氨及過氧化氫之水溶液。酸性去除液為例如包含稀氫氟酸之水溶液。酸性去除液亦可為例如包含硫酸及過氧化氫之水溶液。
以下，將自邊緣清洗噴嘴41及背部清洗噴嘴42噴出之包含有機溶劑之去除液稱為有機去除液。將自邊緣清洗噴嘴43及背部清洗噴嘴44噴出之鹼性去除液或酸性去除液稱為金屬用去除液。金屬用去除液可溶解反射防止液或光阻液所含有之金屬成分。
於塗佈處理單元129，亦可設置分別貯存不同種類之金屬用去除液之2個第2供給槽。於該情形時，可自各塗佈處理單元129之2個邊緣清洗噴嘴43分別噴出不同種類之金屬用去除液。同樣的，可自各塗佈處理單元129之2個背部清洗噴嘴44分別噴出不同種類之金屬用去除液。金屬用去除液亦可例如以經溫度調整為30℃~40℃之狀態自邊緣清洗噴嘴43及背部清洗噴嘴44噴出。
以藉由旋轉夾盤25使基板W旋轉之狀態，自邊緣清洗噴嘴41向基板W之周緣部噴出有機去除液，且自背部清洗噴嘴42向基板W之背面噴出有機去除液。於該情形時，塗佈於基板W之周緣部及背面之塗佈 液被溶解。藉此，去除基板W之周緣部及背面之塗佈膜，而可防止基板處理裝置100被微粒污染。
然而，於基板W之周緣部殘留有含有金屬塗佈液所含有之金屬成分。又，於含有金屬塗佈液繞行至基板W之背面之情形時，於基板W之背面殘留有含有金屬塗佈液所含有之金屬成分。
若以於基板W之周緣部或背面附著有金屬成分之狀態將基板W於基板處理裝置100內搬送，則不僅於基板處理裝置100之內部之各搬送機構及各處理單元，於曝光裝置15之內部亦產生因金屬成分導致之污染。因此，以藉由旋轉夾盤25使基板W旋轉之狀態，自邊緣清洗噴嘴43向基板W之周緣部噴出金屬用去除液，且自背部清洗噴嘴44向基板W之背面噴出金屬用去除液。於該情形時，殘留於基板W之周緣部及背面之金屬成分被溶解。藉此，去除殘留於基板W之周緣部及背面之金屬成分。
如圖2所示，顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣，包含複數個旋轉夾盤35及複數個杯37。又，如圖1所示，顯影處理單元139包含噴出顯影液之2個狹縫噴嘴38及使該等狹縫噴嘴38於X方向移動之移動機構39。
於顯影處理單元139中，利用未圖示之驅動裝置使旋轉夾盤35旋轉。藉此，使基板W旋轉。在該狀態下，狹縫噴嘴38一面移動一面對各基板W供給顯影液。藉此，進行基板W之顯影處理。
於洗淨乾燥處理部161，設置複數個(本例中為3個)洗淨乾燥處理單元BSS。於各洗淨乾燥處理單元BSS中，使用有機溶劑或純水進行曝光處理前之基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。
(3)去除液之回收處理
如上述，於塗佈處理單元129之基板處理中，使用有機去除液及金屬用去除液。因此，較佳自杯27將使用過之有機去除液及金屬用去 除液分離回收。因此，如圖4所示，於杯27之排液部連接有回收配管50。又，回收配管50係回收配管50之下游連接於回收槽53。於該情形時，來自杯27之使用過之有機去除液及金屬用去除液被導向共通之回收槽53。
此處，有機去除液與金屬用去除液係具有彼此不同之比重，且金屬用去除液之比重大於有機去除液之比重。因此，於回收槽53內，以上下分離之方式形成金屬用去除液之層與有機去除液之層。因此，於回收槽53中，設置檢測金屬用去除液與有機去除液之交界面之交界檢測部54。於本實施形態中，交界檢測部54雖為靜電電容式液面水位感測器，但本發明並不限定於此。交界檢測部54亦可為浮動式、光學式、超音波式、電導率式、壓電共振式等其他方式之液面水位感測器。
於回收槽53中，設定金屬用去除液與有機去除液之交界面之下限高度L1及上限高度L2。上限高度L2位於較下限高度L1更上方。於回收槽53，於較下限高度L1更低之位置安裝有回收配管55，於較上限高度L2更高之位置安裝有回收配管56。回收配管55、56分別連接於未圖示之金屬用去除液回收部及有機去除液回收部。於回收配管55、56，分別介插有回收閥55v、56v。
藉由交界檢測部54、回收配管55、56及回收閥55v、56v及後述之圖6之局部控制器LC1構成處理液分離機構50A。處理液分離機構50A將不同種類之處理液分離回收。圖5係顯示回收閥55v、56v之控制之流程圖。另，回收閥55v、56v之動作係由局部控制器LC1控制。
如圖5所示，局部控制器LC1自交界檢測部54取得回收槽53內之金屬用去除液與有機去除液之交界面(步驟S1)。其次，局部控制器LC1判定取得之交界面之高度是否低於下限高度L1(步驟S2)。
於步驟S2，交界面之高度低於下限高度L1之情形時，局部控制 器LC1關閉回收閥55v(步驟S3)。其後，局部控制器LC1返回步驟S1之處理。另，於步驟S3之時點，回收閥56v既可打開，亦可關閉。另一方面，於步驟S2，交界面之高度為下限高度L1以上之情形時，局部控制器LC1判定交界面之高度是否低於上限高度L2(步驟S4)。
於步驟S4，交界面之高度低於上限高度L2之情形時，局部控制器LC1打開回收閥55v且打開回收閥56v(步驟S5)。其後，局部控制器LC1返回步驟S1之處理。另一方面，於步驟S4，交界面之高度為上限高度L2以上之情形時，局部控制器LC1打開回收閥55v且關閉回收閥56v(步驟S6)。其後，局部控制器LC1返回步驟S1之處理。
於該處理中，於交界面之高度低於下限高度L1之情形時，關閉回收閥55v。藉此，防止自回收配管55排出有機去除液。於交界面之高度為下限高度L1以上且低於上限高度L2之情形時，打開回收閥55v、56v。藉此，自回收配管55、56分別排出金屬用去除液及有機去除液。於交界面之高度為上限高度L2之情形時，關閉回收閥56v。藉此，防止自回收配管56排出金屬用去除液。
如此，於本實施形態之去除液之回收方式中，基於有機去除液及金屬用去除液之比重，分離使用過之有機去除液與使用過之金屬用去除液。根據該回收方式，可將有機去除液及金屬用去除液分離回收。於該情形時，使用者無需進行用以分離有機去除液與金屬用去除液之作業。藉此，可降低去除液之廢棄成本。
於上述之去除液之回收方式中，雖於回收配管56介插回收閥56v，但本發明並不限定於此。於將回收配管56安裝於較上限高度L2充分上方，而構成為不自回收配管56排出金屬用去除液之情形時，亦可不於回收配管56介插回收閥56v。於該情形時，不進行圖5之步驟S4、S6之處理，且於步驟S5之處理中僅打開回收閥55v。
(4)熱處理部
圖6係顯示圖1之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162之內部構成之示意性側視圖。如圖6所示，熱處理部123具有設置於上方之上層熱處理部301及設置於下方之下層熱處理部302。於上層熱處理部301及下層熱處理部302，設置複數個熱處理單元PHP、複數個密接強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。
於熱處理部123之最上部設置局部控制器LC1。局部控制器LC1係基於來自圖1之主控制器114之指令，控制塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123之動作。
於熱處理單元PHP中，進行基板W之加熱處理及冷卻處理。於密接強化處理單元PAHP中，進行用以提高基板W與反射防止膜之密接性之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，對基板W塗佈HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)等密接強化劑，且對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133具有設置於上方之上層熱處理部303及設置於下方之下層熱處理部304。於上層熱處理部303及下層熱處理部304，設置冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP及邊緣曝光部EEW。
於熱處理部133之最上部，設置局部控制器LC2。局部控制器LC2基於來自圖1之主控制器114之指令，控制顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133之動作。
於邊緣曝光部EEW中，進行基板W之周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。藉由對基板W進行邊緣曝光處理，於後續之顯影處理時，去除基板W之周緣部上之光阻膜。藉此，防止於顯影處理後，在基板W之周緣部與其他部分接觸之情形時，基板W之周緣部上之光阻膜剝離而成為微粒。
於洗淨乾燥處理部162，設置複數個(本例中為4個)洗淨乾燥處理 單元BSS。於各洗淨乾燥處理單元BSS中，使用有機溶劑或純水進行曝光處理前之基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。設置於洗淨乾燥處理部162之洗淨乾燥處理單元BSS具有與圖2之設置於洗淨乾燥處理部161之洗淨乾燥處理單元BSS同樣之構成及功能。
(5)搬送部
圖7係顯示搬送部122、132、163之內部構成之示意性側視圖。如圖7所示，搬送部122具有上層搬送室125及下層搬送室126。搬送部132具有上層搬送室135及下層搬送室136。於上層搬送室125設置搬送機構127，於下層搬送室126設置搬送機構128。又，於上層搬送室135設置搬送機構137，於下層搬送室136設置搬送機構138。
塗佈處理室21、22(圖2)與上層熱處理部301(圖6)隔著上層搬送室125而對向，塗佈處理室23、24(圖2)與下層熱處理部302(圖6)隔著下層搬送室126而對向。同樣，顯影處理室31、32(圖2)與上層熱處理部303(圖6)隔著上層搬送室135而對向，顯影處理室33、34(圖2)與下層熱處理部304(圖6)隔著下層搬送室136而對向。
於搬送部112與上層搬送室125之間，設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下層搬送室126之間，設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上層搬送室125與上層搬送室135之間，設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下層搬送室126與下層搬送室136之間，設置有基板載置部PASS7、PASS8。
於上層搬送室135與搬送部163之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下層搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式，設置基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。
載置兼緩衝部P-BF1構成為可利用搬送機構137及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2構成為可利 用搬送機構138及搬送機構141、142(圖1)進行基板W之搬入及搬出。又，基板載置部PASS9及載置兼冷卻部P-CP構成為可利用搬送機構141、142(圖1)及搬送機構146進行基板W之搬入及搬出。
於基板載置部PASS1及基板載置部PASS3中，載置自分度器區塊11向第1處理區塊12搬送之基板W，於基板載置部PASS2及基板載置部PASS4中，載置自第1處理區塊12向分度器區塊11搬送之基板W。
於基板載置部PASS5及基板載置部PASS7中，載置自第1處理區塊12向第2處理區塊13搬送之基板W，於基板載置部PASS6及基板載置部PASS8中，載置自第2處理區塊13向第1處理區塊12搬送之基板W。
於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2中，載置自第2處理區塊13向洗淨乾燥處理區塊14A搬送之基板W，於載置兼冷卻部P-CP中，載置自洗淨乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬送之基板W，於基板載置部PASS9中，載置自搬入搬出區塊14B向洗淨乾燥處理區塊14A搬送之基板W。
搬送機構127對塗佈處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6(圖7)及上層熱處理部301(圖6)進行基板W之交接。搬送機構128對塗佈處理室23、24(圖2)、基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8(圖7)及下層熱處理部302(圖6)進行基板W之交接。
搬送機構137對顯影處理室31、32(圖2)、基板載置部PASS5、PASS6(圖7)、載置兼緩衝部P-BF1(圖7)及上層熱處理部303(圖6)進行基板W之交接。搬送機構138對顯影處理室33、34(圖2)、基板載置部PASS7、PASS8(圖7)、載置兼緩衝部P-BF2(圖7)及下層熱處理部304(圖6)進行基板W之交接。
(6)基板處理
一面參照圖1、圖2、圖6及圖7一面說明基板處理。於分度計區 塊11之載體載置部111(圖1)中，載置收納有未處理之基板W之載體113。搬送機構115將未處理之基板W自載體113搬送至基板載置部PASS1、PASS3(圖7)。又，搬送機構115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖7)之已處理之基板W搬送至載體113。
於第1處理區塊12中，搬送機構127(圖7)將載置於基板載置部PASS1之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖6)、冷卻單元CP(圖6)及塗佈處理室22(圖2)。其次，搬送機構127將塗佈處理室22之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖6)、冷卻單元CP(圖6)、塗佈處理室21(圖2)、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS5(圖7)。
於該情形時，於密接強化處理單元PAHP中對基板W進行密接強化處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於反射防止膜形成之溫度。其次，於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成反射防止膜。接著，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理後，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於光阻膜形成之溫度。其次，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成光阻膜。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。
又，搬送機構127將載置於基板載置部PASS6(圖7)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖7)。
搬送機構128(圖7)將載置於基板載置部PASS3之未處理之基板W依序搬送至密接強化處理單元PAHP(圖6)、冷卻單元CP(圖6)及塗佈處理室24(圖2)。其次，搬送機構128將塗佈處理室24之基板W依序搬送至熱處理單元PHP(圖6)、冷卻單元CP(圖6)、塗佈處理室23(圖2)、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS7(圖7)。
又，搬送機構128(圖7)將載置於基板載置部PASS8(圖7)之顯影處 理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖7)。塗佈處理室23、24(圖2)及下層熱處理部302(圖6)中之基板W之處理內容分別與上述之塗佈處理室21、22(圖2)及上層熱處理部301(圖6)中之基板W之處理內容相同。
於第2處理區塊13中，搬送機構137(圖7)將載置於基板載置部PASS5之形成光阻膜後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖6)及載置兼緩衝部P-BF1(圖7)。於該情形時，於邊緣曝光部EEW中，對基板W進行邊緣曝光處理。將邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1。
又，搬送機構137(圖7)自鄰接於洗淨乾燥處理區塊14A之熱處理單元PHP(圖6)取出經曝光處理後且經熱處理後之基板W。搬送機構137將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖6)、顯影處理室31、32(圖2)之任一者、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS6(圖7)。
於該情形時，於冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於顯影處理之溫度後，於顯影處理室31、32之任一者中，藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理單元PHP中進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖7)將載置於基板載置部PASS7之形成光阻膜後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖6)及載置兼緩衝部P-BF2(圖7)。
又，搬送機構138(圖7)自鄰接於介面區塊14之熱處理單元PHP(圖6)取出經曝光處理後且經熱處理後之基板W。搬送機構138將該基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖6)、顯影處理室33、34(圖2)之任一者、熱處理單元PHP(圖6)及基板載置部PASS8(圖7)。顯影處理室33、34及下層熱處理部304中之基板W之處理內容分別與上述之顯影處理室31、32及上層熱處理部303中之基板W之處理內容相同。
於洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送機構141(圖1)將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖7)之基板W依序搬送至洗淨乾燥處理部161 162之任一者之洗淨乾燥處理單元BSS(圖2或圖6)及載置兼冷卻部P-CP(圖7)。
於該情形時，於任一洗淨乾燥處理單元BSS中，進行基板W之周緣部及背面之洗淨以及乾燥處理。其後，於載置兼冷卻部P-CP中將基板W冷卻至適於由曝光載置15(圖1)進行之曝光處理之溫度。
搬送機構142(圖1)將載置於基板載置部PASS9(圖7)之曝光處理後之基板W依序搬送至上層熱處理部303或下層熱處理部304之熱處理單元PHP(圖6)。於該情形時，於熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB)處理。
於搬入搬出區塊14B中，搬送機構146(圖1)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖7)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15(圖1)之基板搬入部。又，搬送機構146自曝光裝置15之基板搬出部取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖7)。
於本實施形態中，可並行地進行設置於上層之塗佈處理室21、22、顯影處理室31、32及上層熱處理部301、303中之基板W之處理，與設置於下層之塗佈處理室23、24、顯影處理室33、34及下層熱處理部302、304中之基板W之處理。藉此，無須增加所占面積即可提高處理量。
(7)效果
於本實施形態之基板處理裝置100中，將藉由邊緣清洗噴嘴41、43及背部清洗噴嘴42、44對基板W供給後之使用過之金屬用去除液及有機去除液貯存於回收槽53。因有機去除液之比重小於金屬用去除液之比重，故於回收槽53內，以上下分離之方式形成金屬用去除液之層與有機去除液之層。藉此，藉由處理液分離機構50A將金屬用去除液及有機去除液基於比重而分離。
根據該構成，即使於將使用過之金屬用去除液與使用過之有機 去除液通過共通之回收配管50排出之情形時，亦可於回收槽53內分離。其結果，可將金屬用去除液與有機去除液分離回收。又，藉由將金屬用去除液與有機去除液分離回收，可降低去除液之廢棄成本。
(8)其他實施形態
(a)於上述實施形態中，雖於顯影處理室31~34未設置處理液分離機構50A，但本發明並不限定於此。於顯影處理室31~34中，於因對基板W混合進行正型顯影處理與負型顯影處理而使用不同種類之顯影液之情形時，亦可於顯影處理室31~34設置處理液分離機構50A。
例如，於顯影處理室31~34中，可使用鹼性水溶液、例如氫氧化四甲基銨(TMAH：Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)或氫氧化鉀(KOH：Potassium Hydroxide)等，作為正型顯影處理用之顯影液。又，於顯影處理室31~34中，可使用例如包含乙酸丁酯(Butyl Acetate)等有機溶劑之顯影液，作為負型顯影處理用之顯影液。於該情形時，藉由於顯影處理室31~34設置處理液分離機構50A，可將使用過之正型顯影處理用之顯影液與使用過之負型顯影處理用之顯影液分離回收。
於該構成中，於將應對形成於被處理面之光阻膜進行正型顯影處理之基板W保持於旋轉夾盤35時，自狹縫噴嘴38噴出正型顯影處理用之顯影液。藉此，可對該基板W之光阻膜進行正型顯影。另一方面，於將應對形成於被處理面之光阻膜進行負型顯影處理之基板W保持於旋轉夾盤35時，自狹縫噴嘴38噴出負型顯影處理用之顯影液。藉此，可對該基板W之光阻膜進行負型顯影。
(b)於上述實施形態中，雖於反射防止液及光阻液之兩者含有金屬成分，但本發明並不限定於此。亦可於反射防止液及光阻液之一者含有金屬成分。於該情形時，於塗佈處理室21、23或塗佈處理室22、24之一者，不設置邊緣清洗噴嘴43及背部清洗噴嘴44。
(c)於上述實施形態中，雖於作為塗佈液之反射防止液及光阻液中含有金屬成分，但本發明並不限定於此。例如，亦可於用以形成硬遮罩(HM)膜之塗佈液中含有金屬成分。於該情形時，於塗佈液中含有例如氧化鈦(TiOx)、氧化鎢(WOx)或氧化鋯(ZrOx)作為金屬成分。
(d)於上述實施形態中，雖於洗淨乾燥處理區塊14A設置2個洗淨乾燥處理部161、162，但本發明並不限定於此。亦可於洗淨乾燥處理區塊14A設置洗淨乾燥處理部161及洗淨乾燥處理部162之一者，不設置洗淨乾燥處理部161及洗淨乾燥處理部162之另一者。
(e)於上述實施形態中，雖於塗佈處理單元129設置邊緣清洗噴嘴41及背部清洗噴嘴42，但本發明並不限定於此。亦可不於塗佈處理單元129設置邊緣清洗噴嘴41及背部清洗噴嘴42之一者或兩者。
(f)於上述實施形態中，雖於塗佈處理單元129個別地設置噴出有機去除液之邊緣清洗噴嘴41與噴出金屬用去除液之邊緣清洗噴嘴43，但本發明並不限定於此。亦可於塗佈處理單元129設置選擇性地噴出有機去除液與金屬用去除液之共通之邊緣清洗噴嘴。
同樣，雖於塗佈處理單元129個別地設置噴出有機去除液之背部清洗噴嘴42與噴出金屬用去除液之背部清洗噴嘴44，但本發明並不限定於此。亦可於塗佈處理單元129設置選擇性地噴出有機去除液與金屬用去除液之共通之背部清洗噴嘴。
(g)於上述實施形態中，塗佈處理單元129雖包含回收配管50及回收槽53，但本發明並不限定於此。於將杯27用作貯存使用過之處理液之貯存部之情形時，塗佈處理單元129亦可不包含回收配管50及回收槽53。於該情形時，於杯27設置處理液分離機構50A之交界檢測部54及回收配管55、56。
(h)於上述實施形態中，雖使用含有水溶液之處理液(金屬用去除液或正型顯影處理用之顯影液)作為第1處理液，使用含有有機溶劑之 處理液(有機去除液或負型顯影處理用之顯影液)作為第2處理液，但本發明並不限定於此。只要第2處理液之比重小於第1處理液之比重，則第1及第2處理液亦可使用與上述之處理液不同之其他處理液。
(9)技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係
以下，雖對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。
於上述之實施形態中，基板W為基板之例，旋轉夾盤25或旋轉夾盤35為基板保持部之例，邊緣清洗噴嘴41、43或狹縫噴嘴38為處理液供給單元之例。回收槽53為貯存部之例，處理液分離機構50A為處理液分離機構之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，回收配管55、56分別為第1及第2排出配管之例。
回收閥55v、56v分別為第1及第2排出閥之例，交界檢測部54為交界面檢測部之例，局部控制器LC1為控制部之例。塗佈液噴嘴28為塗佈液供給單元之例，背部清洗噴嘴42、44為背面處理單元之例。
作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要素。
[產業上之可利用性]
本發明可有效地利用於各種基板之處理。
25‧‧‧旋轉夾盤
27‧‧‧杯
41‧‧‧邊緣清洗噴嘴
41p‧‧‧供給配管
42‧‧‧背部清洗噴嘴
42p‧‧‧供給配管
43‧‧‧邊緣清洗噴嘴
43p‧‧‧供給配管
44‧‧‧背部清洗噴嘴
44p‧‧‧供給配管
50‧‧‧回收配管
50A‧‧‧處理液分離機構
53‧‧‧回收槽
54‧‧‧交界檢測部
55‧‧‧回收配管
55v‧‧‧回收閥
56‧‧‧回收配管
56v‧‧‧回收閥
129‧‧‧塗佈處理單元
L1‧‧‧下限高度
L2‧‧‧上限高度
W‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給單元，其對由上述基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於上述第1比重之第2比重之第2處理液；貯存部，其貯存對基板供給後之使用過之上述第1及第2處理液；及處理液分離機構，其將貯存於上述貯存部之上述第1處理液與上述第2處理液基於比重而分離，且上述處理液分離機構包含：第1排出配管，其係以自上述貯存部排出使用過之上述第1處理液之方式設置；第2排出配管，其係以自上述貯存部排出使用過之上述第2處理液之方式設置；第1排出閥，其介插於上述第1排出配管；交界面檢測部，其檢測貯存於上述貯存部內之上述第1處理液與上述第2處理液之交界面；及控制部，其以如下方式控制上述第1排出閥：取得由上述交界面檢測部檢測之交界面，且於取得之檢測面為預定之下限位置以下之情形時關閉上述第1排出閥，於取得之檢測面高於上述下限位置之情形時打開上述第1排出閥；且上述第1排出配管連接於較上述下限位置更下方之上述貯存部，上述第2排出配管連接於較上述下限位置更上方之上述貯存部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理液分離機構進而包含第2排出閥，其介插於上述第2排出配管；且上述控制部係於取得之檢測面為預定且高於上述下限位置、並且為上限位置以下之情形時打開上述第2排出閥，於取得之檢測面高於上述上限位置之情形時關閉上述第2排出閥。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述第1處理液包含水溶液；上述第2處理液包含有機溶劑。
  4. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給單元，其對由上述基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於上述第1比重之第2比重之第2處理液；貯存部，其貯存對基板供給後之使用過之上述第1及第2處理液；處理液分離機構，其將貯存於上述貯存部之上述第1處理液與上述第2處理液基於比重而分離；及塗佈液供給單元，其以噴出含有金屬之塗佈液作為含有金屬塗佈液之方式構成；且上述基板保持部係以將基板以水平姿勢保持並使其旋轉之方式構成；上述第1處理液係使上述含有金屬塗佈液之上述金屬溶解；上述第2處理液係使上述含有金屬塗佈液之上述塗佈液溶解；上述塗佈液供給單元藉由對利用上述基板保持部旋轉之基板之被處理面噴出上述含有金屬塗佈液，而於基板之被處理面形成含有金屬塗佈膜； 上述處理液供給單元係以於基板之被處理面之除上述周緣部以外之區域殘留上述含有金屬塗佈膜之方式，對藉由上述基板保持部旋轉之基板之被處理面之周緣部供給上述第1及第2處理液。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其進而包含：背面處理單元，其對藉由上述基板保持部旋轉之基板之與被處理面相反側之背面供給上述第1及第2處理液。
  6. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持部，其保持基板；處理液供給單元，其對由上述基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於上述第1比重之第2比重之第2處理液；貯存部，其貯存對基板供給後之使用過之上述第1及第2處理液；及處理液分離機構，其將貯存於上述貯存部之上述第1處理液與上述第2處理液基於比重而分離，上述基板保持部係選擇性地保持應於被處理面接受正型顯影處理之基板、與應於被處理面接受負型顯影處理之基板；上述第1處理液係正型顯影用之顯影液；上述第2處理液係負型顯影用之顯影液；上述處理液供給單元係於應於上述被處理面接受正型顯影處理之基板被保持於上述基板保持部時噴出上述第1處理液，且於應於上述被處理面接受負型顯影處理之基板被保持於上述基板保持部時噴出上述第2處理液。
  7. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：藉由基板保持部保持基板； 藉由處理液供給單元對由上述基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於上述第1比重之第2比重之第2處理液；將藉由上述處理液供給單元對基板供給後之使用過之上述第1及第2處理液貯存於貯存部；及將貯存於上述貯存部之上述第1處理液與上述第2處理液基於比重而分離，且第1排出配管係以自上述貯存部排出使用過之上述第1處理液之方式，連接於較預定之下限位置更下方之上述貯存部，第2排出配管係以自上述貯存部排出使用過之上述第2處理液之方式，連接於較上述下限位置更上方之上述貯存部，排出閥係介插於上述第1排出配管，上述分離步驟包含：藉由交界面檢測部檢測貯存於上述貯存部內之上述第1處理液與上述第2處理液之交界面；及取得由上述交界面檢測部檢測之交界面，且於取得之檢測面為預定之下限位置以下之情形時關閉上述排出閥，於取得之檢測面高於上述下限位置之情形時打開上述排出閥。
  8. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：藉由基板保持部保持基板；藉由塗佈液供給單元噴出含有金屬之塗佈液作為含有金屬塗佈液；藉由處理液供給單元對由上述基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於上述第1比重之第2比重之第2處理液；將藉由上述處理液供給單元對基板供給後之使用過之上述第1 及第2處理液貯存於貯存部；及將貯存於上述貯存部之上述第1處理液與上述第2處理液基於比重而分離，且上述保持基板之步驟包含將基板以水平姿勢保持並使其旋轉，上述噴出含有金屬塗佈液之步驟包含：藉由對利用上述基板保持部旋轉之基板之被處理面噴出上述含有金屬塗佈液，而於基板之被處理面形成含有金屬塗佈膜，上述對基板之被處理面供給第1及第2處理液之步驟包含：以於基板之被處理面之除上述周緣部以外之區域殘留上述含有金屬塗佈膜之方式，對藉由上述基板保持部旋轉之基板之被處理面之周緣部供給使上述含有金屬塗佈液之上述金屬溶解之上述第1處理液、及使上述含有金屬塗佈液之上述塗佈液溶解之上述第2處理液。
  9. 一種基板處理方法，其包含如下步驟：藉由基板保持部保持基板；藉由處理液供給單元對由上述基板保持部保持之基板之被處理面供給具有第1比重之第1處理液、與具有小於上述第1比重之第2比重之第2處理液；將藉由上述處理液供給單元對基板供給後之使用過之上述第1及第2處理液貯存於貯存部；及將貯存於上述貯存部之上述第1處理液與上述第2處理液基於比重而分離，且上述基板保持部係選擇性地保持應於被處理面接受正型顯影處理之基板、與應於被處理面接受負型顯影處理之基板；上述第1處理液係正型顯影用之顯影液； 上述第2處理液係負型顯影用之顯影液；上述處理液供給單元係於應於上述被處理面接受正型顯影處理之基板被保持於上述基板保持部時噴出上述第1處理液，且於應於上述被處理面接受負型顯影處理之基板被保持於上述基板保持部時噴出上述第2處理液。
TW105116502A 2015-06-22 2016-05-26 基板處理裝置及基板處理方法 TWI603379B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015124777A JP6603487B2 (ja) 2015-06-22 2015-06-22 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201712730A TW201712730A (zh) 2017-04-01
TWI603379B true TWI603379B (zh) 2017-10-21

Family

ID=57585030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105116502A TWI603379B (zh) 2015-06-22 2016-05-26 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10331034B2 (zh)
JP (1) JP6603487B2 (zh)
KR (1) KR102103629B1 (zh)
CN (1) CN107636803B (zh)
TW (1) TWI603379B (zh)
WO (1) WO2016208103A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747060B (zh) * 2018-11-07 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 處理杯單元及基板處理裝置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11306249B2 (en) * 2018-01-30 2022-04-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, substrate processing device and etching liquid
JP6688860B2 (ja) * 2018-10-24 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
WO2023136260A1 (ja) * 2022-01-14 2023-07-20 Jsr株式会社 半導体基板の製造方法、レジスト下層膜の形成方法及び洗浄液

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200926275A (en) * 2007-09-27 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treating apparatus and substrate treating method

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190442A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Hitachi Ltd 薬液処理装置
JPH07234524A (ja) * 1993-12-28 1995-09-05 Hitachi Ltd 感放射線性樹脂組成物用現像液、現像液のリサイクル方法、現像装置及びパターン形成法
JP3259216B2 (ja) * 1995-09-04 2002-02-25 東京エレクトロン株式会社 汚染評価基板の作製方法及びその装置並びに汚染評価方法
JPH1116825A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジスト現像装置及びレジスト現像方法
JP3943741B2 (ja) * 1999-01-07 2007-07-11 株式会社東芝 パターン形成方法
JP4136156B2 (ja) * 1999-02-09 2008-08-20 ローム株式会社 半導体ウェハの洗浄液を回収する方法
JP2000286224A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2000338684A (ja) 1999-05-26 2000-12-08 Nagase & Co Ltd 基板表面処理装置
US6827814B2 (en) 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2001319910A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP4386561B2 (ja) * 2000-10-27 2009-12-16 大日本スクリーン製造株式会社 洗浄液の分離再利用装置
JP2003178944A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
US7015496B2 (en) * 2002-12-27 2006-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field emission device and manufacturing method thereof
JP4524744B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-18 日本電気株式会社 有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法
US7888441B2 (en) 2004-12-13 2011-02-15 Pryog, Llc Metal-containing compositions
US8709705B2 (en) 2004-12-13 2014-04-29 Pryog, Llc Metal-containing compositions and method of making same
JP4793927B2 (ja) 2005-11-24 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
US7629424B2 (en) 2005-12-09 2009-12-08 Pryog, Llc Metal-containing compositions and method of making same
JP4974904B2 (ja) * 2006-01-31 2012-07-11 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハの枚葉式エッチング方法
JP4797662B2 (ja) * 2006-02-03 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
US20090087566A1 (en) 2007-09-27 2009-04-02 Masahiro Kimura Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4994211B2 (ja) 2007-12-20 2012-08-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5154991B2 (ja) 2008-03-27 2013-02-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5311331B2 (ja) 2008-06-25 2013-10-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 液浸リソグラフィの現像処理方法および該現像処理方法を用いた電子デバイス
US8802346B2 (en) 2008-08-07 2014-08-12 Pryog, Llc Metal compositions and methods of making same
JP5729171B2 (ja) * 2010-07-06 2015-06-03 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5346049B2 (ja) * 2011-02-18 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム
JP5988438B2 (ja) 2012-08-02 2016-09-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置
JP6005604B2 (ja) * 2012-09-13 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP6308584B2 (ja) * 2013-02-28 2018-04-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、基板処理システム及びプログラム
JP6007155B2 (ja) * 2013-07-30 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置
WO2016194285A1 (ja) 2015-06-03 2016-12-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200926275A (en) * 2007-09-27 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg Substrate treating apparatus and substrate treating method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747060B (zh) * 2018-11-07 2021-11-21 日商斯庫林集團股份有限公司 處理杯單元及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102103629B1 (ko) 2020-04-22
JP2017011095A (ja) 2017-01-12
WO2016208103A1 (ja) 2016-12-29
US20190004427A1 (en) 2019-01-03
US10331034B2 (en) 2019-06-25
CN107636803B (zh) 2021-06-11
TW201712730A (zh) 2017-04-01
KR20170137935A (ko) 2017-12-13
JP6603487B2 (ja) 2019-11-06
CN107636803A (zh) 2018-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI661473B (zh) 基板處理裝置、膜形成單元、基板處理方法及膜形成方法
CN108352313B (zh) 膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法
US7766565B2 (en) Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
TWI603379B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20210233784A1 (en) Film processing method
WO2016194285A1 (ja) 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
JP6831889B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN109923643B (zh) 显影装置、衬底处理装置、显影方法及衬底处理方法