JP2017011095A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017011095A JP2017011095A JP2015124777A JP2015124777A JP2017011095A JP 2017011095 A JP2017011095 A JP 2017011095A JP 2015124777 A JP2015124777 A JP 2015124777A JP 2015124777 A JP2015124777 A JP 2015124777A JP 2017011095 A JP2017011095 A JP 2017011095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- liquid
- unit
- specific gravity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】スピンチャック25に基板Wが保持される。この状態で、塗布処理ユニット129により第1および第2の処理液が基板Wの被処理面に供給される。ここで、第2の処理液の比重は、第1の処理液の比重よりも小さい。基板Wに供給された後の使用済みの第1および第2の処理液が回収タンク53に貯留される。回収タンク53に貯留された第1の処理液と第2の処理液とが比重に基づいて処理液分離機構50Aにより分離される。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図1および図2以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印を付している。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
図2は、図1の塗布処理部121、現像処理部131および洗浄乾燥処理部161の内部構成を示す模式的側面図である。図2に示すように、塗布処理部121には、塗布処理室21,22,23,24が階層的に設けられる。各塗布処理室21〜24には、塗布処理ユニット129が設けられる。現像処理部131には、現像処理室31,32,33,34が階層的に設けられる。各現像処理室31〜34には、現像処理ユニット139が設けられる。
上記のように、塗布処理ユニット129の基板処理においては、有機除去液および金属用除去液が用いられる。そのため、カップ27から使用済みの有機除去液と金属用除去液とを分離して回収することが好ましい。そこで、図4に示すように、カップ27の排液部に回収配管50が接続される。また、回収配管50は、回収配管50の下流は回収タンク53に接続される。この場合、カップ27からの使用済みの有機除去液および金属用除去液が共通の回収タンク53に導かれる。
図6は、図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162の内部構成を示す模式的側面図である。図6に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302には、複数の熱処理ユニットPHP、複数の密着強化処理ユニットPAHPおよび複数の冷却ユニットCPが設けられる。
図7は、搬送部122,132,163の内部構成を示す模式的側面図である。図7に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。搬送部132は、上段搬送室135および下段搬送室136を有する。上段搬送室125には搬送機構127が設けられ、下段搬送室126には搬送機構128が設けられる。また、上段搬送室135には搬送機構137が設けられ、下段搬送室136には搬送機構138が設けられる。
図1、図2、図6および図7を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図1)には、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。搬送機構115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図7)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送機構115は、基板載置部PASS2,PASS4(図7)に載置された処理済みの基板Wをキャリア113に搬送する。
本実施の係る基板処理装置100においては、エッジリンスノズル41,43およびバックリンスノズル42,44により基板Wに供給された後の使用済みの金属用除去液および有機除去液は、回収タンク53に貯留される。有機除去液の比重は、金属用除去液の比重よりも小さいので、回収タンク53内では、金属用除去液の層と有機除去液の層とが上下に分離するように形成される。これにより、金属用除去液と有機除去液とが比重に基づいて処理液分離機構50Aにより分離される。
(a)上記実施の形態において、現像処理室31〜34に処理液分離機構50Aが設けられないが、本発明はこれに限定されない。現像処理室31〜34において、基板Wに対してポジティブトーン現像処理とネガティブトーン現像処理とを混在させて行うことにより異なる種類の現像液が用いられる場合には、現像処理室31〜34に処理液分離機構50Aが設けられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
12 第1の処理ブロック
13 第2の処理ブロック
14 インターフェイスブロック
14A 洗浄乾燥処理ブロック
14B 搬入搬出ブロック
15 露光装置
20 待機部
21〜24 塗布処理室
25,35 スピンチャック
27,37 カップ
28 塗布液ノズル
29 ノズル搬送機構
31〜34 現像処理室
38 スリットノズル
39 移動機構
41,43 エッジリンスノズル
41p〜44p 供給配管
42,44 バックリンスノズル
50,55,56 回収配管
50A 処理液分離機構
53 回収タンク
54 境界検出部
55v,56v 回収バルブ
100 基板処理装置
111 キャリア載置部
112,122,132,163 搬送部
113 キャリア
114 メインコントローラ
115,127,128,137,138,141,142,146 搬送機構
121 塗布処理部
123,133 熱処理部
125,135 上段搬送室
126,136 下段搬送室
129 塗布処理ユニット
131 現像処理部
139 現像処理ユニット
161,162 洗浄乾燥処理部
301,303 上段熱処理部
302,304 下段熱処理部
BSS 洗浄乾燥処理ユニット
CP 冷却ユニット
EEW エッジ露光部
LC1,LC2 ローカルコントローラ
PASS1〜PASS9 基板載置部
PAHP 密着強化処理ユニット
P−BF1,P−BF2 載置兼バッファ部
P−CP 載置兼冷却部
PHP 熱処理ユニット
W 基板
Claims (8)
- 基板を保持する基板保持部と、
第1の比重を有する第1の処理液と、前記第1の比重よりも小さい第2の比重を有する第2の処理液とを前記基板保持部により保持される基板の被処理面に供給する処理液供給ユニットと、
基板に供給された後の使用済みの前記第1および第2の処理液を貯留する貯留部と、
前記貯留部に貯留された前記第1の処理液と前記第2の処理液とを比重に基づいて分離する処理液分離機構とを備える、基板処理装置。 - 前記処理液分離機構は、
前記貯留部から使用済みの前記第1の処理液を排出するように設けられた第1の排出配管と、
前記貯留部から使用済みの前記第2の処理液を排出するように設けられた第2の排出配管と、
前記第1の排出配管に介挿された第1の排出バルブと、
前記貯留部内に貯留された前記第1の処理液と前記第2の処理液との境界面を検出する境界面検出部と、
前記境界面検出部により検出された境界面を取得し、取得した検出面が予め定められた下限位置以下である場合には前記第1の排出バルブを閉止し、取得した検出面が前記下限位置よりも大きい場合には前記第1の排出バルブを開放するように前記第1の排出バルブを制御する制御部とを含み、
前記第1の排出配管は前記下限位置よりも下方における前記貯留部に接続され、前記第2の排出配管は前記下限位置よりも上方における前記貯留部に接続される、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記処理液分離機構は、前記第2の排出配管に介挿された第2の排出バルブをさらに含み、
前記制御部は、取得した検出面が予め定められかつ前記下限位置よりも大きい上限位置以下である場合には前記第2の排出バルブを開放し、取得した検出面が前記上限位置よりも大きい場合には前記第2の排出バルブを閉止する、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理液は水溶液を含み、
前記第2の処理液は有機溶媒を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 金属を含有する塗布液を金属含有塗布液として吐出するように構成された塗布液供給ユニットをさらに備え、
前記基板保持部は、基板を水平姿勢で保持して回転させるように構成され、
前記第1の処理液は、前記金属含有塗布液の前記金属を溶解させ、
前記第2の処理液は、前記金属含有塗布液の前記塗布液を溶解させ、
前記塗布液供給ユニットは、前記基板保持部により回転される基板の被処理面に前記金属含有塗布液を吐出することにより基板の被処理面に金属含有塗布膜を形成し、
前記処理液供給ユニットは、基板の被処理面の前記周縁部を除く領域に前記金属含有塗布膜が残存するように、前記第1および第2の処理液を前記基板保持部により回転される基板の被処理面の周縁部に供給する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第1および第2の処理液を前記基板保持部により回転される基板の被処理面と反対側の裏面に供給する裏面処理ユニットをさらに備える、請求項5記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部は、被処理面にポジティブトーン現像処理を受けるべき基板と、被処理面にネガティブトーン現像処理を受けるべき基板とを選択的に保持し、
前記第1の処理液は、ポジティブトーン現像用の現像液であり、
前記第2の処理液は、ネガティブトーン現像用の現像液であり、
前記塗布液供給ユニットは、前記被処理面にポジティブトーン現像処理を受けるべき基板が前記基板保持部に保持されているときには前記第1の処理液を吐出し、前記被処理面にネガティブトーン現像処理を受けるべき基板が前記基板保持部に保持されているときには前記第2の処理液を吐出する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板保持部により基板を保持するステップと、
処理液供給ユニットにより第1の比重を有する第1の処理液と、前記第1の比重よりも小さい第2の比重を有する第2の比重を有する第2の処理液とを前記基板保持部により保持される基板の被処理面に供給するステップと、
前記処理液供給ユニットにより基板に供給された後の使用済みの前記第1および第2の処理液を貯留部に貯留するステップと、
前記貯留部に貯留された前記第1の処理液と前記第2の処理液とを比重に基づいて分離するステップとを含む、基板処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015124777A JP6603487B2 (ja) | 2015-06-22 | 2015-06-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
PCT/JP2016/002054 WO2016208103A1 (ja) | 2015-06-22 | 2016-04-15 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN201680031648.2A CN107636803B (zh) | 2015-06-22 | 2016-04-15 | 基板处理装置及基板处理方法 |
US15/737,805 US10331034B2 (en) | 2015-06-22 | 2016-04-15 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR1020177034406A KR102103629B1 (ko) | 2015-06-22 | 2016-04-15 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TW105116502A TWI603379B (zh) | 2015-06-22 | 2016-05-26 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015124777A JP6603487B2 (ja) | 2015-06-22 | 2015-06-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019187351A Division JP6831889B2 (ja) | 2019-10-11 | 2019-10-11 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017011095A true JP2017011095A (ja) | 2017-01-12 |
JP2017011095A5 JP2017011095A5 (ja) | 2017-07-06 |
JP6603487B2 JP6603487B2 (ja) | 2019-11-06 |
Family
ID=57585030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015124777A Active JP6603487B2 (ja) | 2015-06-22 | 2015-06-22 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10331034B2 (ja) |
JP (1) | JP6603487B2 (ja) |
KR (1) | KR102103629B1 (ja) |
CN (1) | CN107636803B (ja) |
TW (1) | TWI603379B (ja) |
WO (1) | WO2016208103A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019054252A (ja) * | 2018-10-24 | 2019-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102562023B1 (ko) * | 2018-01-30 | 2023-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 에칭액 |
JP7189733B2 (ja) * | 2018-11-07 | 2022-12-14 | 株式会社Screenホールディングス | 処理カップユニットおよび基板処理装置 |
WO2023136260A1 (ja) * | 2022-01-14 | 2023-07-20 | Jsr株式会社 | 半導体基板の製造方法、レジスト下層膜の形成方法及び洗浄液 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05190442A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 薬液処理装置 |
JPH07234524A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-09-05 | Hitachi Ltd | 感放射線性樹脂組成物用現像液、現像液のリサイクル方法、現像装置及びパターン形成法 |
JPH1116825A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト現像装置及びレジスト現像方法 |
JP2000199953A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Toshiba Corp | パタ―ン形成方法 |
JP2000228386A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-15 | Rohm Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄液を回収する方法 |
JP2000286224A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000338684A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Nagase & Co Ltd | 基板表面処理装置 |
JP2001319910A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2002134458A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 洗浄液の分離再利用装置および洗浄液の分離再利用方法 |
JP2003178944A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2005303151A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Nec Kagoshima Ltd | 有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法 |
JP2007208086A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
JP2010034485A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 液浸リソグラフィの現像処理方法、該現像処理方法に用いる溶液および該現像処理方法を用いた電子デバイス |
JP2011530652A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-22 | プライオグ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 金属組成物及びその製法 |
JP2012032806A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2012174768A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム、 |
JP2014075575A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
JP2015028987A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3259216B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2002-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 汚染評価基板の作製方法及びその装置並びに汚染評価方法 |
US6827814B2 (en) | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
US7015496B2 (en) * | 2002-12-27 | 2006-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field emission device and manufacturing method thereof |
US8709705B2 (en) | 2004-12-13 | 2014-04-29 | Pryog, Llc | Metal-containing compositions and method of making same |
WO2006065660A2 (en) | 2004-12-13 | 2006-06-22 | Hybrid Plastics, Inc. | Metal-containing compositions |
JP4793927B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びその装置 |
US7629424B2 (en) | 2005-12-09 | 2009-12-08 | Pryog, Llc | Metal-containing compositions and method of making same |
EP1981072A4 (en) * | 2006-01-31 | 2009-01-21 | Sumco Corp | METAL PROCESS FOR SINGLE WAFER |
US20090087566A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Masahiro Kimura | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JP5179282B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-04-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4994211B2 (ja) | 2007-12-20 | 2012-08-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5154991B2 (ja) | 2008-03-27 | 2013-02-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5988438B2 (ja) | 2012-08-02 | 2016-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
JP6308584B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2018-04-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、基板処理システム及びプログラム |
WO2016194285A1 (ja) | 2015-06-03 | 2016-12-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 |
-
2015
- 2015-06-22 JP JP2015124777A patent/JP6603487B2/ja active Active
-
2016
- 2016-04-15 US US15/737,805 patent/US10331034B2/en active Active
- 2016-04-15 CN CN201680031648.2A patent/CN107636803B/zh active Active
- 2016-04-15 KR KR1020177034406A patent/KR102103629B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-15 WO PCT/JP2016/002054 patent/WO2016208103A1/ja active Application Filing
- 2016-05-26 TW TW105116502A patent/TWI603379B/zh active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05190442A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 薬液処理装置 |
JPH07234524A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-09-05 | Hitachi Ltd | 感放射線性樹脂組成物用現像液、現像液のリサイクル方法、現像装置及びパターン形成法 |
JPH1116825A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト現像装置及びレジスト現像方法 |
JP2000199953A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Toshiba Corp | パタ―ン形成方法 |
JP2000228386A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-15 | Rohm Co Ltd | 半導体ウェハの洗浄液を回収する方法 |
JP2000286224A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2000338684A (ja) * | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Nagase & Co Ltd | 基板表面処理装置 |
JP2001319910A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
JP2002134458A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 洗浄液の分離再利用装置および洗浄液の分離再利用方法 |
JP2003178944A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2005303151A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Nec Kagoshima Ltd | 有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法 |
JP2007208086A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
JP2010034485A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-02-12 | Renesas Technology Corp | 液浸リソグラフィの現像処理方法、該現像処理方法に用いる溶液および該現像処理方法を用いた電子デバイス |
JP2011530652A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-22 | プライオグ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 金属組成物及びその製法 |
JP2012032806A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2012174768A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム、 |
JP2014075575A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
JP2015028987A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019054252A (ja) * | 2018-10-24 | 2019-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016208103A1 (ja) | 2016-12-29 |
CN107636803B (zh) | 2021-06-11 |
TW201712730A (zh) | 2017-04-01 |
TWI603379B (zh) | 2017-10-21 |
KR102103629B1 (ko) | 2020-04-22 |
US20190004427A1 (en) | 2019-01-03 |
KR20170137935A (ko) | 2017-12-13 |
JP6603487B2 (ja) | 2019-11-06 |
US10331034B2 (en) | 2019-06-25 |
CN107636803A (zh) | 2018-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6618334B2 (ja) | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 | |
JP2009071235A (ja) | 基板処理装置 | |
TW201824348A (zh) | 塗布顯影方法及塗布顯影裝置 | |
US20210233784A1 (en) | Film processing method | |
CN108352313B (zh) | 膜处理单元、基板处理装置和基板处理方法 | |
JP6603487B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2016194285A1 (ja) | 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法 | |
JP6831889B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6318012B2 (ja) | 基板処理方法 | |
KR102257430B1 (ko) | 현상 장치, 기판 처리 장치, 현상 방법 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170524 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190816 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191011 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6603487 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |