JP2012032806A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による2回の現像によって1本のラインを2本に分割し、マスクパターンの2倍の解像力を得ることができる。
【選択図】なし
Description
1回の露光で現像後のレジストパターンの解像力を倍加できる技術が最もコスト的に有利である。
有機溶剤によるネガティブトーン現像とアルカリ水によるポジティブトーン現像を組み合わせたArFレジスト組成物としては、従来型のポジ型ArFレジスト組成物を用いた例が、特許文献2〜7(特開2008−281974号公報、特開2008−281975号公報、特開2008−281980号公報、特開2009−53657号公報、特開2009−25707号公報、特開2009−25723号公報)に示されている。前記方法を用いてArFレジストを1本のラインを2本に分割した例が、非特許文献1(Proc. SPIE Vol.6923 p69230F−1)に示されている。
有機溶剤現像によるネガパターンの作製は古くから用いられている手法である。環化ゴム系のレジスト組成物はキシレン等のアルケンを現像液として用いており、ポリ−t−ブトキシカルボニルオキシスチレンベースの初期の化学増幅型レジスト組成物はアニソールを現像液としてネガパターンを得ていた。
特許文献8(特許第4445860号公報)には、カリックスアレーンをEB描画し、酢酸n−ブチルあるいは乳酸エチルで現像してネガパターンを得ている。
しかしながら、非特許文献1に示されるように、従来型のフォトレジスト組成物をアルカリ水現像と有機溶剤現像を行った場合、解像力を倍にすることは可能であるが、通常の方法の1回の露光で解像できる限界解像力を凌ぐ解像力を得ることは難しいのが現状である。
請求項1:
酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の2回の現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。
請求項2:
酸不安定基で置換されたヒドロキシ基とカルボキシル基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物が、下記一般式(1)に示される繰り返し単位a1又はa2及びbを有するものであることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
(式中、R1、R4、R6は同一又は異種の水素原子又はメチル基を示す。R2は炭素数1〜16の直鎖状、分岐状又は環状の(m+1)価の炭化水素基であり、エーテル基、エステル基又はラクトン環を有していてもよい。R3、R5、R7は酸不安定基である。mは1〜3の整数である。Zは単結合又は−C(=O)−O−R8−であり、R8は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、ラクトン環又はヒドロキシ基を有していてもよく、あるいはナフチレン基である。a1、a2、bは0≦a1<1.0、0≦a2<1.0、0<b<1.0、0<a1+a2<1.0、0<a1+a2+b≦1.0の範囲である。)
請求項3:
有機溶剤の現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プルピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン形成方法。
請求項4:
アルカリ水溶液の現像液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド、モルフォリン、ピペリジンから選ばれるアミンを含有する水溶液であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項5:
高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、又は波長13.5nmのEUVリソグラフィーであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のパターン形成方法。
請求項6:
有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の2回の現像によってマスクパターンの半分のピッチのパターンを解像することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の解像力倍加パターン形成方法。
上記したレジスト膜は、カルボキシル基の保護基の脱離によって有機溶剤現像液への溶解性が低下する露光量と、ヒドロキシ基の保護基の脱離によって有機溶剤現像液への溶解性が低下する露光量とが大きく異なるもので、この場合、ヒドロキシ基の保護基の脱離によって有機溶剤現像液への溶解性が低下する露光量の方が高感度である。
(式中、R1、R4、R6は同一又は異種の水素原子又はメチル基を示す。R2は炭素数1〜16の直鎖状、分岐状又は環状の(m+1)価の炭化水素基、特にアルキル基の水素原子がm個脱離した基であり、エーテル基、エステル基又はラクトン環を有していてもよい。R3、R5、R7は酸不安定基である。mは1〜3の整数である。Zは単結合又は−C(=O)−O−R8−であり、R8は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、ラクトン環又はヒドロキシ基を有していてもよく、あるいはナフチレン基である。a1、a2、bは0≦a1<1.0、0≦a2<1.0、0<b<1.0、0<a1+a2<1.0、0<a1+a2+b≦1.0の範囲である。)
繰り返し単位a1、a2を得るためのモノマーは、具体的には下記のもの等を挙げることができる。
ここで、R1、R3、R4、R5は前述の通りである。
(式中、R6は水素原子又はメチル基、R7は酸不安定基、Zは単結合又は−C(=O)−O−R8−であり、R8は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、ラクトン環又はヒドロキシ基を有していてもよく、あるいはナフチレン基である。)
ここで、R6、R7は前述の通りである。
R55、R56、R57はそれぞれ炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素等のヘテロ原子を含んでもよい。あるいはR55とR56、R55とR57、又はR56とR57はそれぞれ結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜20、特に4〜16の環、特に脂環を形成してもよい。
式(AL−10)において、a5が1以上のものが酸不安定基R3、R5に適用されると、脱保護後にカルボキシル基が発生する。酸不安定基R3、R5の場合は、a5=0に限定されるが、酸不安定基R7の場合は0に限定されることはない。
(式中、R69は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示す。R70〜R75及びR78、R79はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよいアルキル基等の1価炭化水素基を示し、R76、R77は水素原子を示す。あるいは、R70とR71、R72とR74、R72とR75、R73とR75、R73とR79、R74とR78、R76とR77、又はR77とR78は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環(特に脂環)を形成していてもよく、その場合には環の形成に関与するものは炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよいアルキレン基等の2価炭化水素基を示す。またR70とR79、R76とR79、又はR72とR74は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。また、本式により、鏡像体も表す。)
を得るためのエステル体のモノマーとしては、特開2000−327633号公報に示されている。具体的には下記に示すものを挙げることができるが、これらに限定されることはない。なお、R111、R112は互いに独立に水素原子、メチル基、−COOCH3、−CH2COOCH3等を示す。
(式中、R80、R81はそれぞれ独立に炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基を示す。又は、R80、R81は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数3〜20の脂肪族炭化水素環を形成してもよい。R82はフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルから選ばれる2価の基を示す。R83は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の1価炭化水素基を示す。)
を得るためのモノマーとしては、下記に例示される。なお、R112は上記の通りである。また、下記式中Meはメチル基、Acはアセチル基を示す。
(式中、R20、R24、R28は水素原子又はメチル基、R21は単結合、フェニレン基、−O−R33−、又は−C(=O)−Y−R33−である。Yは酸素原子又はNH、R33は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基又はアルケニレン基であり、カルボニル基(−CO−)、エステル基(−COO−)、エーテル基(−O−)又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。R22、R23、R25、R26、R27、R29、R30、R31は同一又は異種の炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、カルボニル基、エステル基又はエーテル基を含んでいてもよく、又は炭素数6〜12のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基又はチオフェニル基を表す。Z0は単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、−O−R32−、又は−C(=O)−Z1−R32−である。Z1は酸素原子又はNH、R32は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、フェニレン基又はアルケニレン基であり、カルボニル基、エステル基、エーテル基又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。M-は非求核性対向イオンを表す。0≦d1≦0.2、0≦d2≦0.2、0≦d3≦0.2、0≦d1+d2+d3≦0.3の範囲である。)
ヒドロキシ基を酸不安定基で置換した繰り返し単位を有する高分子化合物と、カルボキシル基を酸不安定基で置換した繰り返し単位を有する高分子化合物をブレンドすることも可能であるし、ヒドロキシ基を酸不安定基で置換した繰り返し単位と、カルボキシル基を酸不安定基で置換した繰り返し単位の両方を有する高分子化合物にヒドロキシ基を酸不安定基で置換した繰り返し単位を有する高分子化合物をブレンドしたり、カルボキシル基を酸不安定基で置換した繰り返し単位を有する高分子化合物をブレンドすることも可能である。
なお、基板10としては、シリコン基板が一般的に用いられる。被加工基板20としては、SiO2、SiN、SiON、SiOC、p−Si、α−Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、低誘電膜及びそのエッチングストッパー膜が挙げられる。中間介在層30としては、SiO2、SiN、SiON、p−Si等のハードマスク、カーボン膜による下層膜と珪素含有中間膜、有機反射防止膜等が挙げられる。
なお、アルカリ水によるポジ現像と、有機溶剤によるネガ現像の順番には特に制限はない。
この場合、アルカリ水溶液によるポジ化の感度と、有機溶剤によるネガ化の感度の比率が重要である。
図4に示すように、斜線部分に露光領域のパターンが残る。ここでは、ポジ化の感度E0pとネガ化の感度E0nの違いが余り無く、2回の現像後パターンがほとんど残らない。
一方、図5ではE0pとE0nが離れているため、パターンが残る領域(斜線部分)が広い。E0pとE0nが離れ過ぎている場合ではポジ現像とネガ現像の両方のスペースが同時に解像しない。最適なE0pとE0nの比率はE0pをE0nで割った値が3〜8の範囲内であり、5〜6が最も好ましい。
レジスト組成物に用いる高分子化合物として、各々のモノマーを組み合わせてテトラヒドロフラン溶媒下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成の高分子化合物(ポリマー1〜22及び比較ポリマー1,2)を得た。得られた高分子化合物の組成は1H−NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより確認した。
分子量(Mw)=8,900
分散度(Mw/Mn)=1.79
分子量(Mw)=8,100
分散度(Mw/Mn)=1.73
分子量(Mw)=7,500
分散度(Mw/Mn)=1.81
分子量(Mw)=8,300
分散度(Mw/Mn)=1.86
分子量(Mw)=8,300
分散度(Mw/Mn)=1.81
分子量(Mw)=6,500
分散度(Mw/Mn)=1.79
分子量(Mw)=8,730
分散度(Mw/Mn)=1.77
分子量(Mw)=6,500
分散度(Mw/Mn)=1.79
分子量(Mw)=9,300
分散度(Mw/Mn)=1.91
分子量(Mw)=8,100
分散度(Mw/Mn)=1.71
分子量(Mw)=8,500
分散度(Mw/Mn)=1.76
分子量(Mw)=5,300
分散度(Mw/Mn)=1.55
分子量(Mw)=8,900
分散度(Mw/Mn)=1.78
分子量(Mw)=5,400
分散度(Mw/Mn)=1.44
分子量(Mw)=8,200
分散度(Mw/Mn)=1.72
分子量(Mw)=8,300
分散度(Mw/Mn)=1.76
分子量(Mw)=7,200
分散度(Mw/Mn)=1.96
分子量(Mw)=7,000
分散度(Mw/Mn)=1.92
分子量(Mw)=6,900
分散度(Mw/Mn)=1.98
分子量(Mw)=7,200
分散度(Mw/Mn)=1.93
分子量(Mw)=6,600
分散度(Mw/Mn)=2.03
分子量(Mw)=6,900
分散度(Mw/Mn)=2.01
分子量(Mw)=8,600
分散度(Mw/Mn)=1.88
分子量(Mw)=8,900
分散度(Mw/Mn)=1.93
高分子化合物(レジストポリマー)を用いて、下記表1又は2に示す組成で溶剤に対して住友スリーエム(株)製フッ素系界面活性剤FC−4430が100ppm溶解した溶液を0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過した溶液を調製した。
酸発生剤:PAG1,2(下記構造式参照)
分子量(Mw)=9,100
分散度(Mw/Mn)=1.83
撥水性ポリマー2
分子量(Mw)=7,300
分散度(Mw/Mn)=1.54
有機溶剤:PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)
CyH(シクロヘキサノン)
下記表1に示す組成で調製したレジスト組成物を、シリコンウエハーに日産化学工業(株)製反射防止膜を80nmの膜厚で作製した基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを160nmにした。
これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製、NSR−305B、NA0.68、σ0.73)で0.2mJ/cm2ステップで露光量を変化させながらオープンフレーム露光を行った。露光後110℃で60秒間ベーク(PEB)し、表1に示される有機溶剤で60秒間パドル現像を行った後、表1に示される有機溶剤で500rpmでリンスした後、2,000rpmでスピンドライし、100℃で60秒間ベークしてリンス溶剤を蒸発させ、ネガ現像を行った。PEBまでを前述と同じプロセスを行い、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液でのポジ現像も行った。
PEB後の膜厚、有機溶剤現像後の膜厚、TMAH水溶液現像後の膜厚を光学式膜厚計で測定し、露光量と膜厚の関係(コントラストカーブ)を求めた。結果を図6〜8に示す。
下記表2に示す組成で調製したレジスト組成物を、シリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボンの含有量が80質量%)を200nm、その上に珪素含有スピンオンハードマスクSHB−A940(珪素の含有量が43質量%)を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを60nmにした。
これをArFエキシマレーザー液浸スキャナー((株)ニコン製、NSR−610C、NA1.05、σ0.98/0.78、ダイポール開口20度、Azimuthally偏光照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク、ウエハー上寸法がピッチ100nm、ライン幅50nmのマスク)を用いて露光量を変化させながら露光を行い、露光後、表3に示される温度で60秒間ベーク(PEB)し、現像ノズルから酢酸ブチルを3秒間30rpmで回転させながら吐出させ、その後静止パドル現像を27秒間行い、ジイソアミルエーテルでリンス後、スピンドライし、100℃で20秒間ベークしてリンス溶剤を蒸発させ、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で30秒間静止パドル現像を行い、純水リンスを行った。
得られたポジパターンとネガパターンのライン幅を測長SEM(電子顕微鏡)で測定した。結果を表3に示す。
20 被加工基板
30 中間介在層
40 レジスト膜
40a レジストパターン
Claims (6)
- 酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の2回の現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。
- 酸不安定基で置換されたヒドロキシ基とカルボキシル基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物が、下記一般式(1)に示される繰り返し単位a1又はa2及びbを有するものであることを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
(式中、R1、R4、R6は同一又は異種の水素原子又はメチル基を示す。R2は炭素数1〜16の直鎖状、分岐状又は環状の(m+1)価の炭化水素基であり、エーテル基、エステル基又はラクトン環を有していてもよい。R3、R5、R7は酸不安定基である。mは1〜3の整数である。Zは単結合又は−C(=O)−O−R8−であり、R8は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基であり、エーテル基、エステル基、ラクトン環又はヒドロキシ基を有していてもよく、あるいはナフチレン基である。a1、a2、bは0≦a1<1.0、0≦a2<1.0、0<b<1.0、0<a1+a2<1.0、0<a1+a2+b≦1.0の範囲である。) - 有機溶剤の現像液が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ブテニル、酢酸イソアミル、酢酸フェニル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、蟻酸イソブチル、蟻酸アミル、蟻酸イソアミル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プルピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸アミル、乳酸イソアミル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸2−フェニルエチルから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン形成方法。
- アルカリ水溶液の現像液が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド、モルフォリン、ピペリジンから選ばれるアミンを含有する水溶液であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 高エネルギー線による露光が、波長193nmのArFエキシマレーザーによる液浸リソグラフィー、又は波長13.5nmのEUVリソグラフィーであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の2回の現像によってマスクパターンの半分のピッチのパターンを解像することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の解像力倍加パターン形成方法。
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Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012133257A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device |
JP2012208431A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
WO2013015444A1 (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device |
JP2013057925A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-03-28 | Jsr Corp | レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物 |
WO2013047396A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet-sensitive composition, resist film, method for manufacturing electronic device using the same, and electronic device |
WO2013047044A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Jsr株式会社 | 液浸露光用膜形成組成物、重合体、化合物及びレジストパターン形成方法 |
JP2013076789A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物 |
JP2013213951A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2014026265A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-02-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP2014062991A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物 |
JP2014071287A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法及びレジスト組成物 |
JPWO2012114963A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-07-07 | Jsr株式会社 | ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物 |
WO2014192768A1 (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
JP2014232310A (ja) * | 2013-05-02 | 2014-12-11 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法 |
JP2015079261A (ja) * | 2014-11-26 | 2015-04-23 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜 |
JP2015143867A (ja) * | 2010-10-15 | 2015-08-06 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 |
JP2015212830A (ja) * | 2011-07-28 | 2015-11-26 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、及び電子デバイスの製造方法 |
US9335630B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-10 | Jsr Corporation | Pattern-forming method, and radiation-sensitive composition |
KR20170001652A (ko) * | 2015-06-26 | 2017-01-04 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 |
JP2017011095A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2020014022A (ja) * | 2019-10-11 | 2020-01-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
US11986853B2 (en) | 2015-06-03 | 2024-05-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5741340B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-07-01 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、重合体、レジスト下層膜、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2012046607A1 (ja) | 2010-10-04 | 2012-04-12 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 |
JP5915067B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2016-05-11 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US8846295B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-09-30 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof |
US9256133B2 (en) | 2012-07-13 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for developing process |
US8986921B2 (en) * | 2013-01-15 | 2015-03-24 | International Business Machines Corporation | Lithographic material stack including a metal-compound hard mask |
JP5910536B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2016-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP6140487B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-05-31 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP6093614B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-03-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
KR102515840B1 (ko) | 2014-02-12 | 2023-03-30 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 불소함유 계면활성제를 포함하는 막형성 조성물 |
JP6131910B2 (ja) * | 2014-05-28 | 2017-05-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008292975A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-12-04 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
JP2011203644A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Fujifilm Corp | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2011221513A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びレジスト組成物並びにアセタール化合物 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3943741B2 (ja) | 1999-01-07 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP3944669B2 (ja) | 1999-05-19 | 2007-07-11 | 信越化学工業株式会社 | エステル化合物 |
JP3790649B2 (ja) | 1999-12-10 | 2006-06-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料 |
AU2003261921A1 (en) | 2002-09-09 | 2004-03-29 | Nec Corporation | Resist and method of forming resist pattern |
US8323872B2 (en) | 2005-06-15 | 2012-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist protective coating material and patterning process |
JP4662062B2 (ja) | 2005-06-15 | 2011-03-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
TWI383996B (zh) | 2006-01-31 | 2013-02-01 | Shinetsu Chemical Co | 高分子化合物、光阻保護膜材料及圖型之形成方法 |
JP5247035B2 (ja) | 2006-01-31 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
US7771913B2 (en) | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP4842844B2 (ja) | 2006-04-04 | 2011-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US7759047B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-07-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist protective film composition and patterning process |
JP4861237B2 (ja) | 2006-05-26 | 2012-01-25 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
KR101116963B1 (ko) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 |
JP4858714B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP4895030B2 (ja) | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 |
US7771914B2 (en) | 2006-10-17 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
JP4849267B2 (ja) | 2006-10-17 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4288520B2 (ja) | 2006-10-24 | 2009-07-01 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4435196B2 (ja) | 2007-03-29 | 2010-03-17 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
JP5002379B2 (ja) | 2007-04-13 | 2012-08-15 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP4982288B2 (ja) | 2007-04-13 | 2012-07-25 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
KR100990106B1 (ko) | 2007-04-13 | 2010-10-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액 |
JP5011018B2 (ja) | 2007-04-13 | 2012-08-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP5035560B2 (ja) | 2007-07-04 | 2012-09-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2009025723A (ja) | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2009025707A (ja) | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4993138B2 (ja) | 2007-09-26 | 2012-08-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4650644B2 (ja) | 2008-05-12 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2011
- 2011-06-30 JP JP2011145514A patent/JP5729171B2/ja active Active
- 2011-07-06 US US13/177,297 patent/US8703408B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008292975A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-12-04 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
JP2011221513A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びレジスト組成物並びにアセタール化合物 |
JP2011203644A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Fujifilm Corp | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015143867A (ja) * | 2010-10-15 | 2015-08-06 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 |
US9335630B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-10 | Jsr Corporation | Pattern-forming method, and radiation-sensitive composition |
JPWO2012114963A1 (ja) * | 2011-02-23 | 2014-07-07 | Jsr株式会社 | ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物 |
JP2012208431A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
JP2012208432A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
US9482947B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-11-01 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device |
WO2012133257A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device |
WO2013015444A1 (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device |
JP2013047790A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-03-07 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
US9423689B2 (en) | 2011-07-28 | 2016-08-23 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device and electronic device |
JP2015212830A (ja) * | 2011-07-28 | 2015-11-26 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2013057925A (ja) * | 2011-08-18 | 2013-03-28 | Jsr Corp | レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物 |
JP2013076789A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物 |
WO2013047044A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Jsr株式会社 | 液浸露光用膜形成組成物、重合体、化合物及びレジストパターン形成方法 |
WO2013047396A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet-sensitive composition, resist film, method for manufacturing electronic device using the same, and electronic device |
US9411230B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-08-09 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet-sensitive composition, resist film, method for manufacturing electronic device using the same, and electronic device |
JP2013080002A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
JP2013213951A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Jsr Corp | フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US9329474B2 (en) | 2012-04-02 | 2016-05-03 | Jsr Corporation | Photoresist composition and resist pattern-forming method |
JP2014026265A (ja) * | 2012-06-19 | 2014-02-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP2014062991A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物 |
US9740105B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-08-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist pattern formation method and resist composition |
JP2014071287A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP2014232310A (ja) * | 2013-05-02 | 2014-12-11 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法 |
JP2014235179A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-15 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
WO2014192768A1 (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
JP2015079261A (ja) * | 2014-11-26 | 2015-04-23 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜 |
US11986853B2 (en) | 2015-06-03 | 2024-05-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method |
JP2017011095A (ja) * | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2017016122A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
KR20170001652A (ko) * | 2015-06-26 | 2017-01-04 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 |
KR102589818B1 (ko) * | 2015-06-26 | 2023-10-16 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 레지스트 조성물 |
JP2020014022A (ja) * | 2019-10-11 | 2020-01-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120009527A1 (en) | 2012-01-12 |
US8703408B2 (en) | 2014-04-22 |
JP5729171B2 (ja) | 2015-06-03 |
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JP5780221B2 (ja) | パターン形成方法 |
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