JPH1116825A

JPH1116825A - レジスト現像装置及びレジスト現像方法

Info

Publication number: JPH1116825A
Application number: JP17244697A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Tamamura; 敏昭玉村; Tetsuyoshi Ishii; 哲好石井
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1997-06-27
Filing date: 1997-06-27
Publication date: 1999-01-22

Abstract

(57)【要約】【課題】微細なレジストパタンを崩壊なく現像するた
め、低表面張力であって最終リンス液として好適なパー
フルオロカーボン系溶剤を、地球環境保護を確保した使
用を可能とし、経済的に採算性のあるレジスト現像装置
と方法の提供。【解決手段】レジストパタンを転写した被加工基板Ｍ
を現像処理カップ１内の基板保持回転機構２に載置回転
し、管路９で送液される現像液Ｄと中間リンス液Ｒで曝
して、現像処理と中間リンス処理をし、ついで最終リン
ス液源５より管路１０で送液されるパーフルオロカーボ
ン系溶剤で最終リンス処理後、被加工基板Ｍに乾燥用気
体Ｎを吹き付けて乾燥せしめて現像を終了する。この間
上記各処理での使用済み各液を分離槽１４に貯液し、比
重が重く底部に貯液するパーフルオロカーボン系溶剤を
分離し、ついで精製槽１６、フィルター１８を通過せし
めて精製し、最終リンス液源５に回収し、最終リンス液
として循環再使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は超ＬＳＩ等の超微細
加工用のレジストを用いて微細パタンを形成する際に用
いるレジスト現像装置及びレジスト現像方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】超ＬＳＩ加工技術ではパタンの微細化が
進められ、開発段階では０．２μｍ以下の領域に入りつ
つある。ＬＳＩの基板加工にはドライエッチング工程が
採用されており、通常、レジストをマスクとして、微細
パタンが基板に転写される。このレジストパタンをドラ
イエッチングのマスクとするためには、ある程度（通
常、０．５μｍ程度）の膜厚が必要であり、また、レジ
スト塗布時のピンホール等の欠陥を無くす上でも、一定
の膜厚を確保する必要がある。この場合、パタンの微細
化に伴い、レジストパタンの［高さ］／［幅］の比（ア
スペクト比と呼ばれる）の値が高くなり、現像過程で隣
接するパタン同士がくっついて崩壊する現象が生じる。
このパタン崩壊は最終リンス液が乾燥する際に、溶剤の
表面張力により、微細なレジストパタンに機械的な力が
働くことにより生じる。この問題を低減するために、最
終リンス液を凍結乾燥する方法が提案されているが、液
体窒素の使用や、真空乾燥過程が必要なことから、大幅
なコスト増と残留不純物の影響が懸念される。一方、よ
り簡便なパタン崩壊防止法としては、低表面張力溶剤を
最終リンス液に使用する方法がある。このような溶剤と
して最適なのが、室温での表面張力が１５ｄｙｎ／ｃｍ
以下のパーフルオロペンタン、パーフルオロヘキサン、
パーフルオロヘプタン等のパーフルオロカーボン系溶剤
である。パーフルオロカーボン系溶剤を最終リンス液に
使用すると、従来、３〜４が限界であったアスペクト比
を４〜５に向上できる。

【０００３】しかしながら、上記したパーフルオロカー
ボン系溶剤は高価であるばかりか、不燃性溶剤であるた
め水や他の溶剤とは別にして廃液処理を行う必要があっ
て、処理経費が嵩む。その上パーフルオロカーボン系溶
剤は大気に拡散すると環境衛生上好ましくなく、使用後
の廃液処理は地球環境の保護の点から、廃棄物として処
理することは大きな問題があり、使用にあたってはこれ
らを充分配慮することが必要であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、微細なパタ
ンを形成する際のレジスト現像にあたって、最終リンス
液の乾燥の際のパタン崩壊を防止しする為に好適な低表
面張力の最終リンス液を、良好な作業環境の保持は勿論
のこと、地球環境の保護を充分確保して使用可能とする
とともに、経済的に採算性の見合う安価なレジスト現像
装置とレジスト現像方法の提供を課題とするものであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明者等は、パーフルオロカーボン系溶剤が、通
常レジストの現像・リンスに用いるアルカリ水溶液や、
純水、アルコール類、ケトン系有機溶剤、エステル系有
機溶剤実質的に混ざり合わないこと、パーフルオロカー
ボン系溶剤の比重が１．４以上と非常に重いことに着目
し、現像・リンスに使用した廃液類から、パーフルオロ
カーボン系溶剤を液・液分離により回収し、更には、こ
れを再使用することが出来ることを見い出し、本発明に
至ったものである。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。図１は本発明のレジスト現像方法を実
施するためのレジスト現像装置の１例を説明する系統概
略図である。符号１は現像処理カップであり、該現像処
理カップ１内にはレジストを転写した被加工基板Ｍを載
置し保持回転する、例えば吸着盤機能を有する基板保持
回転機構２が配設されている。そして現像処理カップ１
には現像液源３、中間リンス液源４、および最終リンス
液源５がそれぞれ弁６、弁７、弁８を介して、その先端
が基板保持回転機構２に向けて液噴霧する噴霧ノズルＳ
を備えた管路９、管路１０および管路９からの分岐管路
１１で連結されて配されている。なお、上記現像液源３
や中間リンス液源４および最終リンス液源５は貯液槽に
貯液されてなり、そしてこれら液を現像処理カップ１に
送液するためのポンプや加圧用窒素等の圧送手段（図示
せず）が配設されている。

【０００７】そして、現像処理カップ１の下部に現像処
理カップのドレイン１２を設けて、該現像処理カップの
ドレイン１２には弁１３を介して例えば比重の差により
混合液を分離する分離槽１４を連設し、そして該分離槽
１４の底部には弁１５を介して吸着剤１９が充填された
精製槽１６が連結されている。そして該精製槽１６には
弁１７を介してフィルター１８が連結され、そして更に
フィルター１８は弁２０を介して前記最終リンス液源５
に連結されている。このような処理管路を現像処理カッ
プのドレイン１２に設けて最終リンス液の回収系統を形
成している。なお、前記分離槽１４の底部に設けて精製
槽１６と連結する弁１５の上流側には、分離槽１４で異
なる比重差で分離する使用済み最終リンス液Ｆ₀と使用
済み現像液Ｄ₀、使用済み中間リンス液Ｒ₀との液境界面
２１を検出して、最終リンス液Ｆ ₀と混合して使用済み
現像液Ｄ₀や使用済み中間リンス液Ｒ₀を精製槽１６に同
伴しないように、弁１５に開閉操作の信号を送信する、
例えばレーザを使用した液境界面検出器２２が設けられ
ている。

【０００８】また分離槽１４の側壁には、分離されて精
製槽１６に導入される使用済み最終リンス液Ｆ₀より比
重が軽く、境界面を区画してその上面に溜まる、使用済
み現像液Ｄ₀や中間リンス液Ｒ₀を、廃液回収槽（図示せ
ず）に回収するための排出管路２３が弁２４を配して設
けられている。更に、符号２５は現像処理後に被加工基
板Ｍを乾燥するための窒素、アルゴン、ヘリウム等の不
活性な乾燥用気体Ｎの乾燥用気体源である。そして該乾
燥用気体源２５は弁２６を介して先端開口が現像処理カ
ップ１内に臨んでいる管路２７によって現像処理カップ
１と連結している。

【０００９】次に、以上のような本発明のレジスト現像
装置を使用した、本発明のレジスト現像方法について説
明する。本発明の現像方法に使用する現像液Ｄや中間リ
ンス液Ｒとしては、当該技術分野で一般に使用されてい
るアルカリ水溶液、ケトン系有機溶剤、エステル系有機
溶剤、アルコール類、および純水である。

【００１０】また、最終リンス液Ｆとしては、表面張力
が低いパーフルオロカーボン系溶剤がよく、特に炭素数
が５であるパーフルオロペンタン、炭素数が６であるパ
ーフルオロヘキサン、および炭素数が７であるパーフル
オロヘプタンのうちの１種またはこれらの２種以上の混
合液よりなる溶剤が効果的に使用し得る。なお最終リン
ス液は前記した溶剤のパーフルオロカーボン系溶剤にの
みに限定されるものではなく、炭素数が前記７より大き
い炭素数が８、９、１０、１１、１２、および１３より
なるパーフルオロカーボン系のこれらの少なくとも１種
よりなる溶剤をも同様に使用し得ることは勿論である。
そしてこれらはいずれも比重が１．４以上であって、前
記現像液Ｄや中間リンス液Ｒの比重より重く、かかる点
に着目して、これを有効に活用したことに本発明の特徴
が存するのである。

【００１１】そこで、先ずレジストパタンを転写した例
えばシリコンの被加工基板Ｍを現像処理カップ１内の基
板保持回転機構２に吸着盤機能等に固定して載置し、こ
れを約１００ｒｐｍの回転速度で回転せしめる。ついで
弁６を開いて、現像液源３より圧送手段（図示せず）に
よってアルカリ水溶液、ケトン系有機溶剤、およびエス
テル系有機溶剤等の現像液Ｄを管路９を介して現像処理
カップ１に送液し、前記管路９の先端の噴霧ノズルＳで
被加工基板Ｍ上に向けて現像液Ｄを噴霧する。続いて弁
６を閉じ、現像液Ｄの送液を停止し、中間リンス処理が
必要ある場合は必要に応じて弁７を開き、中間リンス液
源４より純水やアルコール類よりなる中間リンス液Ｒを
圧送手段（図示せず）によって分岐管１１、管路９を介
して現像処理カップ１に送液する。そして管路９の先端
の噴霧ノズルＳにより被加工基板Ｍに向けて中間リンス
液Ｒを噴霧し、中間リンス処理をする。

【００１２】適宜な時間、中間リンス処理した後、弁７
を閉じて中間リンス液Ｒの送液を停止し、ついで弁８を
開いて、最終リンス液源５より前記したパーフルオロカ
ーボン系溶剤よりなる最終リンス液Ｆを圧送手段（図示
せず）により管路１０を介して現像処理カップ１に送液
する。そして管路１０の先端の噴霧ノズルＳにより被加
工基板Ｍに向けて最終リンス液Ｆが噴霧され、被加工基
板Ｍは最終リンス処理される。

【００１３】そして、上記現像処理、中間リンス処理、
および最終リンス処理の各処理の間、現像処理カップ１
の下部の現像処理カップのドレイン１２と最終リンス液
源５との間に連設せしめた最終リンス液回収系統の各弁
のうち、前記現像処理カップのドレイン１２と分離槽１
４とを連結した弁１３と、分離槽１４の側壁に配してそ
の端部が廃液回収槽（図示せず）に連通する排出管路２
３に設けた弁２４を開状態にし、その他の弁は閉状態に
する。これにより上記各処理で現像処理カップ１にそれ
ぞれ送液されて、使用された後の使用済み現像液Ｄ₀や
使用済み中間リンス液Ｒ₀、および使用済み最終リンス
液Ｆ₀は、各処理の際現像処理カップ１の現像処理カッ
プのドレイン１２より弁１３を介して分離槽１４に流下
し貯液される。

【００１４】このようにして被加工基板Ｍ上に転写され
たレジストは現像されるが、最後に前記弁８を閉じて、
最終リンス液Ｆの現像処理カップ１への送液を停止し、
弁２６を開にして乾燥用気体源２５より窒素ガスを管路
２７を介して現像処理カップに送気する。そして被加工
基板表面に窒素ガスを吹き付けてこれを乾燥して被加工
基板Ｍへのレジストの現像処理は終了する。

【００１５】しかるに、上記現像処理の間、現像処理カ
ップ１より弁１３を介して分離槽１４に流下して貯液さ
れる前記使用済みの各液のうち、使用済み現像液Ｄ₀と
使用済み中間リンス液Ｒ₀とは使用済み最終リンス液Ｆ₀
と混合することがなく、しかも使用済み最終リンス液Ｆ
₀が比重が重い場合は分離槽１４内で使用済み最終リン
ス液Ｆ₀が下方に溜まり、その上方に液境界面２１を画
して比重のより軽い使用済みの現像液Ｄ₀や中間リンス
液Ｒ₀が溜まる。このようにして分離槽１４で比重の重
たい使用済み最終リンス液Ｆ₀は使用済み現像液Ｄ₀や中
間リンス液Ｒ₀と分離される（液・液分離と称す）。

【００１６】このような状態を保って、弁１５、弁１
７、弁２０を開にし、分離槽１４の底部に溜まった使用
済み最終リンス液Ｆ₀を、弁１５を介して吸着剤１９が
充填されている精製槽１６に導入する。該精製槽１６に
使用される吸着剤１９としては例えばシリカゲル、活性
炭、ゼオライト等の吸着剤であって、これらは除去すべ
き成分により適宜選択して用いられる。そしてこの精製
槽１６では、前記現像処理での使用で、使用済み最終リ
ンス液Ｆ₀に同伴して混入してくる微量の使用済みの現
像液Ｄ₀や中間リンス液Ｒ₀を不純物として吸着除去す
る。ついで精製槽１６で前記不純物が除去された使用済
み最終リンス液Ｆ₀は弁１７を経てフィルター１８に導
入される。そして前記現像処理工程で最終リンス液に混
入してくる０．２μｍ以上の塵埃、固形物を濾過して除
去する。このような精製により、使用前と同程度に純化
された最終リンス液Ｆとなり、弁２０を介して最終リン
ス液源５に回収される。そして再度弁８、管路１０を介
して現像処理カップ１に送液して使用され、以後同様に
分離、精製されて再生し、繰り返し循環再使用される。

【００１７】一方前記分離槽１４に使用済み最終リンス
液Ｆ₀の上面に液境界面２１を画して貯液されている使
用済み現像液Ｄ₀や中間リンス液Ｒ₀は、分離槽１４の側
壁に配設した弁２４を有する排出管路２３に溢流し、例
えば廃液回収槽（図示せず）に導入して回収される。そ
して適宜分離・精製して再使用したり廃液処理される。
なお、前記排出管路２３の分離槽１４の側壁への設置位
置は、前記比重の異なる液の液境界面２１の上方に位置
するよう設けることが、該排出管路２３より溢流する液
に比重の重たい他の液を混入せずに、上方の比重の軽い
必要成分を確実に分離して回収し得ることが出来るので
より好ましい。

【００１８】以上のようにして、現像処理カップ１での
現像処理に使用された後の使用済み最終リンス液Ｆ
₀は、分離槽１４、精製槽１６、及びフィルター１８を
経て最終リンス液源５に至る最終リンス回収系統によ
り、使用済み現像液Ｄ₀や使用済み中間リンス液Ｒ₀とか
ら分離され精製される。そして分離工程の進行とともに
分離槽１４内の液境界面２１が下降してくるが、これを
例えば、精製槽１６に連結する弁１５の上流側の特定の
位置に設置した液境界面検出器２２により、当該位置に
液境界面２１が下降してきたことを検知して、弁１５に
信号を送信して、これを閉止せしめるよう作動する。そ
してこれにより液境界面２１の上方の不必要な現像液Ｄ
₀や中間リンス液Ｒ₀が精製槽１６に流入することを防止
する。この結果分離精製して再生される最終リンス液Ｆ
は極めて良質に純化されて、最終リンス液Ｆとして繰り
返しの使用を可能とし、また精製槽１６に充填した吸着
剤１９が不要な成分に汚染されることなく、精製効果を
長期にわたって保持し、効率よく運転することが出来る
こととなる。

【００１９】なお、上記実施の形態では現像処理カップ
１内への被加工基板Ｍの搬送機構についての説明は省略
したが、本発明はこれに限定されるものでなく、搬送機
構が付設されているものも同様な作用効果を奏する以上
本発明に包含されるものであることは勿論である。また
前記現像液Ｄとしてアルカリ水溶液、中間リンス液Ｒと
して純水を用いる、ノボラック系ホトレジストや化学増
幅系レジストでは、これらの現像液や中間リンス液がパ
ーフルオロカーボン系溶剤に全く溶解しないので、吸着
剤１９を充填した精製槽１６の使用を省略することがで
きる。

【００２０】

【実施例】つぎに本発明の上記現像装置を使用して被加
工基板Ｍに転写したレジストパタンを現像した実施例に
ついて示す。（実施例１）６インチのシリコン基板表面上に、化学増
幅型Ｘ線用レジストＳＥＰＲー４４ーＤ（信越化学株式
会社製）を０．５μｍの膜厚にスピンコートし、これを
１００℃で１２０秒の条件でプリベークした。ついで、
これにＳＯＲビームラインを用いて１０μｍ〜０．１μ
ｍまでのＬＳＩ加工用テストパタンをＸ線露光した。露
光後７５℃で１２０秒の条件でポストベークした。これ
を被加工基板Ｍとして現像処理した。

【００２１】まずこの被加工基板Ｍを本発明装置の現像
処理カップ１に搬送し、基板保持回転機構２に載置固定
した後、回転機構により被加工基板Ｍを１００ｒｐｍの
回転速度で回転継続せしめた。この状態を保持して、先
ず現像液Ｄとしてテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイドの２．１％水溶液を被加工基板Ｍに向けて管路
９の噴霧ノズルＳより６０秒間噴射して現像した。つい
で中間リンス液Ｒとして純水を被加工基板Ｍに向け管路
９の噴霧ノズルＳより６０秒間噴射して中間リンス処理
をした。その後、最終リンス液Ｆとしてパーフルオロヘ
キサンを、前の処理で使用して本発明装置の最終リンス
液回収系統で再生処理して回収されて最終リンス液源５
に貯液された液を使用して、管路１０の噴霧ノズルＳで
被加工基板Ｍに向けて６０秒間噴射した。続いて乾燥用
気体Ｎとして窒素ガスを管路２７により被加工基板Ｍに
吹き付けてこれを乾燥した。

【００２２】上記処理の間、弁１３を開状態にして、現
像処理カップ１に供給された上記現像液Ｄのテトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイドの２．１％水溶液や
中間リンス液Ｒの純水と最終リンス液Ｆのパーフルオロ
ヘキサン等の各処理液の使用済み液を、弁１３を介して
分離槽１４に流下せしめて貯液した。そして、所望する
状態の上記各処理液の液境界面２１が形成されたら、弁
１５、弁１７および弁２０を開くとともに、液境界面検
出器を２２を駆動せしめて、分離槽１４で分離した比重
の重たい使用済みのパーフルオロヘキサンを、精製槽１
６とフィルター１８に導入し、通過せしめて精製再生し
て最終リンス液源５に回収した。一方、比重の軽いテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの２．１％水
溶液や純水は、排出管路２３で廃液回収槽（図示せず）
に回収した。

【００２３】このようにして得られたレジストパタンが
現像された基板を電子顕微鏡で観察した結果、新規に使
用するパーフルオロヘキサンで最終リンス処理した試料
と同様に、本発明の使用済みで再生回収したパーフルオ
ロヘキサンを使用して最終リンス処理をした試料も、
０．１μｍのパタンがアスペクト比５で崩壊がない良質
のレジストが形成されていることを確認した。従って本
発明での使用済みの最終リンス液Ｆ₀を分離再生して回
収した液を、最終リンス処理に繰り返して使用し得るこ
とが確認された。

【００２４】（実施例２）別の実施例を以下に説明す
る。この実施例では、４インチのシリコン基板を使用
し、この基板表面上にポジ型電子線レジストＺＥＰー５
２０（日本ゼオン株式会社製）を０．２５μｍの膜厚に
スピンコートし、１６０℃の温度で３０分間オーブンで
プリベークした。ついでこれに電子ビーム露光装置（Ｊ
ＢＸ−５ＦＥ型、日本電子株式会社製）を用いて、１０
μｍ〜０．０６μｍまでのＬＳＩ加工用テストパタンを
露光した。これを被加工基板Ｍとして現像処理した。

【００２５】まずこの被加工基板Ｍを本発明装置の現像
処理カップ１に搬送し、基板保持回転機構２に載置固定
した後、被加工基板Ｍを１００ｒｐｍの回転速度で回転
継続せしめた。この状態を保持して、先ず現像液Ｄとし
てｎーアミルアセテートを被加工基板Ｍに向けて管路９
の噴霧ノズルＳより３分間噴射して現像した。ついで中
間リンス液Ｒとしてイソプロピルアルコールを被加工基
板Ｍに向け管路９の噴霧ノズルＳより６０秒間噴射して
中間リンス処理をした。その後、最終リンス液Ｆとして
パーフルオロヘキサンを、前の処理で使用して本発明装
置の最終リンス液回収系統で再生処理して回収されて最
終リンス液源５に貯液されている液を使用して、管路１
０の噴霧ノズルＳで被加工基板Ｍに向けて６０秒間噴射
して最終リンス処理をした。続いて最後に乾燥用気体Ｎ
として窒素ガスを管路２７により被加工基板Ｍに吹き付
けてこれを乾燥した。

【００２６】上記各処理の間、前記現像処理カップ１に
供給して使用された使用済み現像液Ｄ₀のｎーアミルア
セテートや中間リンス液Ｒ₀のイソプロピルアルコール
と最終リンス液Ｆ₀のパーフルオロヘキサンを前記実施
例１と同様にして、現像処理カップ１の現像処理カップ
のドレイン１２に連設されている分離槽１４に流下せし
めて貯液した。そして比重の重たい使用済みのパーフル
オロヘキサンを分離槽１４の底部より導出して分離し、
精製槽１６、フィルター１８に導入し、通過せしめて精
製再生して最終リンス液源５に回収した。一方、比重の
軽い使用済みのｎーアミルアセテートやイソプロピルア
ルコールは、排出管路２３で廃液回収槽（図示せず）に
回収した。

【００２７】この実施例で得られたレジストパタンが現
像された基板を電子顕微鏡で観察した結果、新規に使用
するパーフルオロヘキサンで最終リンス処理した試料と
同様に、本発明の使用済みで再生回収したパーフルオロ
ヘキサンを使用して最終リンス処理をした試料も、０．
０６μｍのパタンがアスペクト比４で崩壊することなく
良質なレジストとして形成されているのを確認した。従
って本発明での使用済みの最終リンス液Ｆ₀を分離再生
して回収した液を、最終リンス処理に繰り返して使用す
ることが充分可能であることが確認された。それ故これ
らを廃液として大気に廃棄したり、困難な公害防止のた
めの安全化処理を施す配慮も避けられるとともに、品質
良好にレジスト現像処理が出来る最終リンス液として、
高価なパーフルオロカーボン系溶剤を繰り返し使用する
ことが可能となり、経済的に採算性のある活用をするこ
とが出来ることも確認された。

【００２８】なお、上記各実施例では、乾燥にあたって
窒素等の不活性な乾燥気体を使用したが、乾燥はこれに
限定されるものでなく、誘導加熱乾燥、凍結乾燥等他の
一般的な乾燥手段も使用し得ることは勿論である。なお
また、上記各実施例では使用済みの最終リンス液Ｆ₀の
分離精製して再生した最終リンス液Ｆを直接稼働してい
る最終リンス液源に回収したが、これに限定されるもの
でなく、別途に準備する備蓄貯液槽に回収し、この回収
した液を使用時に最終リンス液源に移送して使用しても
よいことは勿論である。

【００２９】

【発明の効果】本発明は、上記したような実施の形態で
実施され、その結果以下のような効果を奏する。即ち、
本発明に従うと、相互に実質的に混ざり合わない複数の
処理液である、現像液、中間リンス液、および最終リン
ス液を用いて、基板に転写したレジストパタンを現像す
る際に、現像処理で使用済みで排出されるこれらの混合
液から、必要な処理液を分離し精製して回収するととも
に、これを繰り返し再使用することを可能としたもので
ある。

【００３０】そして本発明では、レジストパタンの現像
でアスペクト比が極めて高い超微細パタンを形成するの
に、表面張力が著しく小さい溶剤で、最終リンス液とし
て好適ではあるが、高価でかつ地球環境保護の点で大気
に放散されると好ましくない、パーフルオロカーボン系
溶剤を、使用済み後他の処理液である現像液や中間リン
ス液から分離し、精製して回収し、繰り返し再使用を可
能としたものである。この結果繰り返しの再使用ができ
るため、高価なパーフルオロカーボン系溶剤を安価に活
用し得て経済的に有利になる。また繰り返しの使用で廃
液として大気に放散する機会が著しく減少し、公害上好
ましくないとされるパーフルオロカーボン系溶剤を地球
環境に与える公害上の影響を低減せしめ得ることが出来
る。

【００３１】以上のことから、本発明により超微細パタ
ンの形成の現像にあたって、パーフルオロカーボン系溶
剤を最終リンス液として安価で、かつ公害上懸念なく使
用することが出来て、より一層集積度の高い良品質の基
板の開発を促進させ、当該半導体工業分野での技術開発
に寄与する大きな効果をも奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のレジスト現像装置の一例を説明する
系統概略図である。

【符号の説明】

１…現像処理カップ、２…基板保持回転機構、３…
現像液源、４…中間リンス液源、５…最終リンス液
源、６、７、８、１３、１５、１７、２０、２４、２６
…弁、９、１０、２７…管路、１１…分岐管、１２
…現像処理カップのドレイン１４…分離槽１６…精製
槽１８…フィルター、１９…吸着剤、２１…液境界
面、２２…液境界面検出器、２３…排出管路、２５
…乾燥用気体源、Ｍ…被加工基板、Ｓ…噴霧ノズ
ル、Ｄ…現像液、Ｒ…中間リンス液、Ｆ…最終リン
ス液、Ｎ…乾燥用気体、Ｄ₀…使用済み現像液、Ｒ₀
…使用済み中間リンス液、Ｆ₀…使用済み最終リンス液

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レジストパタンを転写した基板を現像す
るにあたって、現像液あるいはリンス液として実質的に
互いに混ざり合わない複数の液を用いて現像を行うレジ
スト現像装置において、前記現像処理において使用する
実質的に互いに混ざり合わない複数の液を、比重の違い
により分離して回収する機構を備えたことを特徴とする
レジスト現像装置。
【請求項２】レジストパタンを転写した基板を現像す
るにあたって、現像液あるいはリンス液として実質的に
互いに混ざり合わない複数の液を用いて現像を行うレジ
スト現像方法において、前記互いに混ざり合わない複数
の処理液のうち、少なくともいずれか１つの液を、比重
の違いにより他の液から分離して回収し、再使用する工
程を有することを特徴とするレジスト現像方法。
【請求項３】前記リンス液のうち最終リンス液の主成
分が、単一のパーフルオロカーボン系溶剤、もしくは２
種以上のパーフルオロカーボン系溶剤の混合物からなる
ことを特徴とする請求項２に記載のレジスト現像方法。