JP2011530652A - 金属組成物及びその製法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理することによって金属含有フィルムを形成する方法に係る。該方法は、また、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源にて露光し、組成物の非露光部分を現像することを含む。本発明の他の具体例は、前記の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品である。本発明は、直接パターン化された金属含有フィルム及び微小デバイスの製造に有用である。

Description

開示する具体例は、光化学反応を介して、金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を形成する方法に係る。
金属系基材へのパターンを形成する一般的な方法は、発生期の金属化合物を好適な基材上にデポジットし、このような化合物にパターを形成することを含む複雑な多工程プロセスを必要とする。
金属又は金属酸化物をデポジットするために普通に利用される技術は、金属前駆体(ゾル‐ゲル)のスピン‐オンデポジション、蒸着、スパッタリング、及び化学蒸着(CVD)である。これら技術は、それぞれ、いくつかの制限を有しており、従って、商業的な実行可能性が限られている。
ゾル‐ゲル法は、金属酸化物層をデポジットする最も一般的な方法の1つである。この方法は、好適な溶媒に溶解したゾル前駆体のスピン‐オンコーティングを使用し、続いて、基材を高温に加熱して、前駆体フィルムを金属酸化物に転化させるものである。この方法は、かなりの高温を利用する点で、必ずしも実用的ではない。方法に含まれる加熱及び冷却のサイクルに関連する大きい応力が欠点である。さらに、材料に小さいパターンを形成するために、追加の処理工程が必要である。
蒸着によるデポジションは、デポジットされる金属化合物を高温に加熱することを含む。このような材料の蒸気は、材料に微細なパターンを形成するためにスクリーン又はシャドーを使用して、真空下、基材上において凝縮される。蒸着によるデポジションは、高温及び高真空度要求のため、その需要は商業的には限られている。
スパッタリングによるデポジションは、高エネルギー原子放射線にて攻撃することによって、デポジットされる物質を気化させることを含む。蒸着と同様に、物質の蒸気は凝縮によって、基材上にデポジットされる。この方法の利用は、高エネルギー要求及びフィルムの特性を制御することにおける正確性の欠如によって制限される。
CVDによるデポジションの方法は、材料のデポジション以前に、化学反応用に要求される特殊な装置に伴う追加のコストのために、スパッタリング及び蒸着よりもさらに高価である。
このような金属含有層におけるパターンの形成は、このような材料の上にデポジットされた感光性フィルムの結像及びエッチングの追加の多数の工程によって達成される。初めに、フォトレジスト又は感光性フィルムを金属含有層の上に塗布し、適切な温度において乾燥して、キャスティング溶媒を除去し、続いて、このようなフォトレジスト物質が感受性である化学線に対する結像についての露光を行う。ポジティブ作用性フォトレジストの場合、フィルムの露光区域は、化学反応を受け、アルカリ性現像液に溶解するようになる。現像液の作用により、フォトレジスト物質の微細パターンが残る。ネガティブ作用性フォトレジストの場合、フィルムの露光部分は、化学反応を受け、フィルムの非露光区域を除去するために適する溶媒に不溶性となり、フォトレジストフィルムの微細パターンを残し、フォトレジストが、下層の金属含有材料にパターンを移すためにエッチマスクとして作用する。
パターンを形成する他の方法は、非感光性の金属含有フィルムをパターン化基材にデポジットすることを含む。非感光性の金属含有フィルムは、下層のパターンを分解させるために、エッチバックされる。
パターン化と共に、金属化合物のデポジション技術は、煩わしく、高価である。効果的なデポジションには超高純度物質が要求される。さらに、いくつかの技術によって形成されたパターンの分解は極めて制限される。従って、金属含有層への直接的パターン化を含む方法が望まれている。
金属含有層に直接的にパターン化するフォトレジストフリーのネガティブ‐トーン法は、米国特許第5,534,312号、第6,071,676号及び第6,972,256号に開示されている。この方法で使用される金属錯体は感光性であり、特別な波長の光の存在下で低温反応を受けて、露光した部分が溶媒/現像液に不溶性となる。この方法の欠点は、露光の際、溶解度の挙動においてシャープな転換を示す原料の金属含有物質の選択肢が限られることを含み、非常に高い露光線量及び転化しなかった物質を除去するためにしばしば不快な溶媒の処理を必要とすることである。このような不快な溶媒は、露光した区域を攻撃し、パターンの忠実性を破壊する。この技術は、露光波長に有意の吸光度を示す金属成分を含む。フィルム表面における高い吸光度により、フィルムの大部分への光の進入が乏しく、その結果、不均質な光化学反応を生じ、従って、フィルムの化学組成が、フィルム全体で、極めて不均質である。
さらに最近では、Hillらは、米国特許第7,176,114号において、金属含有前駆体層へのポジティブ‐トーンのパターン形成を記載している。ポジティブ‐トーン法において使用される物質は、フィルムの露光区域及び非露光区域の間で、よりシャープな溶解度のコントラストを示す。しかし、高エネルギー線量及び長い露光時間の要件のようなネガティブ‐トーン法に伴う欠点の多くにより、実際の生産環境のため、この方法は実用性に乏しいものとなっている。
ここに開示する具体例の目的は、金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を形成する方法を提供することである。開示する具体例の金属化合物は、コーティング塗布用に一般的に使用される溶媒に対して易溶性であり、各種の公知のコーティング法によって良好に塗布される。開示する具体例において使用される金属化合物は、一般に、露光波長において透明であり、より効果的な光化学反応を生ずる。このような金属含有組成物に対する感光性は、主に、光開始剤又は感光性触媒として作用する感光性化合物を添加することによって付与され、制御される。後処理の使用を介して、金属含有フィルム組成物が調整される。ここに記載する方法は、ハフニウム系及びジルコニウム系金属組成物のような高誘電率(k)物質を直接塗布するためにも有用である。このように、二酸化ケイ素(k=約4)を、ここに記載する一般的かつ低コストの方法を使用するハフニウム又はジルコニウム酸化物ゲートのような高k物質と交換することが可能である。
ここに開示する具体例の目的は、感光性の組成物を使用して、金属化合物を直接パターン化する方法を提供することである。さらに、ここに記載の具体例のパターン化法は、高生産性製造に適合する公知のリソグラフィー技術を使用するものである。後処理の利用を介して、パターン化金属含有組成物は、屈折率と共に、調整される。ここに記載する方法は、ハフニウム系及びジルコニウム系金属組成物のような高誘電率(k)物質の直接パターン化のためにも有用である。このように、二酸化ケイ素(k=約4)を、ここに記載する一般的かつ低コストの方法を使用するハフニウム又はジルコニウム酸化物ゲートのような高k物質と交換することが可能である。
ここに開示する具体例の他の目的は、保護、絶縁及び反射防止特性のための金属含有パターン化フィルム及び三次元の物体又は物品の製造法を提供することである。
1具体例は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理に供することによって金属含有フィルムを形成する方法である。感光性の金属含有組成物は、
i.少なくとも2つの反応性官能基を含有する金属含有前駆体ユニット(MU)、及び
ii.光開始剤又は感光性触媒
を含有し、前記MUは、構造式(I):MAwBxCy(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;リガンドAは、結合反応を受けることができる反応性官能基を含有し;wは2〜7であり;リガンドB及びCは、個々に又は組み合わせて、酸素、窒素、イオウ、又はハロゲン原子;直鎖状、分枝状又は環状のアルキル、アルケニル又はアルキニル基;置換又は未置換のアリール基;及び-XR1(ここで、Xは、オキシ、チオ、カルボキシ、チオカルボキシ、スルホ、オキサレート、アセトアセトネート、カルバニオン、カルボニル、チオカルボニル、シアノ、ニトロ、ニトリト、ニトレート、ニトロシル、アジド、シアナト、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、アミド、アミン、ジアミン、アルシン、ジアルシン、ホスフィン、及びジホスフィンのような有機官能基であり;及びR1は、直鎖状、分枝状又は環状のアルキル又はチオアルキル基、複素環基、脂環式基、又は置換又は未置換のアリール基又はヘテロアリール基である)から選ばれ;及びx及びyは0−5である)で表されるものである。
任意に、方法における追加の工程により、パターン化金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を形成することが可能である。追加の工程を含む方法は、基材上に感光性の金属含有組成物を塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源に対して曝露し、組成物の非曝露部分を現像し、及び金属含有組成物に後処理を適用することを含んでなる。
さらに、他の具体例は、MzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%であり、及びz+vは100%である)を含んでなる金属含有フィルムである。金属含有フィルムは、基材上に感光性の金属含有組成物を塗布し(ここで、感光性の金属含有組成物は、少なくとも2つの反応性官能基を含有する金属含有前駆体ユニット(MU)、光開始剤又は感光性触媒を含有するものであり、前記MUは上記構造式(I)で表される)、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物に後処理を適用することによって形成される。
さらに他の具体例は、MzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%であり、及びz+vは100%である)を含んでなる直接パターン化した金属含有フィルムである。
さらに他の具体例は、基材、及びMzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%であり、及びz+vは100%である)を含む直接パターン化層(ここで、前記MzEvは、照射済み、後処理済みの感光性の金属含有組成物から形成されるものであり、前記感光性の金属含有組成物は、少なくとも2つの反応性官能基を含有する金属含有前駆体ユニット(MU)及び光開始剤又は感光性触媒を含有するものであり、前記MUは上記構造式(I)で表されるものである)を含んでなる微小デバイスである。
開示する具体例の更なる範囲は、以下に示す詳細な説明から明白になるであろう。しかし、詳細な説明及び特別な実施例は、好適は具体例を示すものではあるが、説明のためにのみ示したものであり、本発明の精神及び範囲内における各種の変更及び変形は、この詳細な説明から、当業者には明白になるであろう。
ここで使用する用語「結合反応」は、反応性官能基の重合及び/又は架橋反応を意味する。
ここで使用する用語「反応性官能基」は、エポキシド、-SiH基、-SH基、及びビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基のようなエチレン系不飽和官能基のような官能基を意味する。結合反応は、エチレン系不飽和官能基の反応、エチレン系不飽和官能基及び-SiH基又は-SH基が関与する反応、及びエポキシドが関与する反応を含む。結合反応は、MUとMUとによって、及びMUと各種成分とによって生ずる。
個々で使用する用語「リガンド」は、配位化合物、キレート又は他の錯体の中心原子に結合する分子、イオン又は原子をいう。
ここで使用する用語「適合する」は、沈殿又は相分離を示さない均質なフィルムを意味する。
ここで使用する「(メタ)アクリル」は、アクリル又はメタクリルのいずれかを意味する。
ここで使用するように、「後処理」は、単独で又は組み合わせて、得られた金属含有フィルムの化学組成を変化させる熱処理、化学処理又はプラズマ処理から選ばれる処理を意味する。
ここで使用するように、「微小デバイス」は、微細加工技術を使用して形成されるデバイスを意味する。
第1の具体例では、好適な感光性の金属含有組成物の光化学反応を介する、金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を製造する方法が提供される。当該方法は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、40−200℃の温度において、感光性の金属含有組成物を乾燥し、及び感光性の金属含有組成物を化学線にて露光することを含んでなる。当該方法は、さらに、熱処理、化学処理又はプラズマ処理から単独で又は組み合わせて選ばれる、MzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは、約5−約95%、又は約15−約95%、又は約25−約95%であり、及びz+vは100%である)を含んでなる金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を生成する後処理を適用することを含んでなる。当該方法は、さらに、光の400−900 nmの範囲において1.4−2.2の範囲の屈折率及び光の150−400 nmの範囲において1.4−2.4の範囲の屈折率を持つ金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を製造することを含んでなる。方法は、誘電率少なくとも2をもつ金属含有フィルム、三次元の物体又は物品も提供する。
第2の具体例では、好適な感光性の金属含有組成物の光化学反応を介する、金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を製造する方法が提供される。当該方法は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、40−200℃の温度において、約数秒−数分間、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を、適切なフォトマスクを介して化学線にて露光し、及び組成物の非露光領域を現像することを含んでなる。当該方法は、さらに、熱処理、化学処理又はプラズマ処理から単独で又は組み合わせて選ばれる、MzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%及びz+vは100%である)を含んでなる金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を生成する後処理を適用することを含んでなる。当該方法は、さらに、光の400−900 nmの範囲において1.4−2.2の範囲の屈折率及び光の150−400 nmの範囲において1.4−2.4の範囲の屈折率を持つ金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を製造することを含んでなる。方法は、誘電率少なくとも2を持つ金属含有フィルム、三次元の物体又は物品も提供する。
パターン化した金属含有フィルムを製造する別の方法は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、テンプレート(スタンプ又は染料又は型の形である)にて、当該感光性の金属含有組成物に刻印し、刻印した感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を、熱又は光の形の化学線にて露光することを含んでなる。当該方法は、「インプリントリソグラフィー」と称される。インプリントリソグラフィーのために使用される金属含有組成物は、必ずしも感光性である必要はなく、結合反応を生じさせるために熱を使用でき、加熱の前後における刻印した組成物の可溶性挙動の変化を生じさせることができる。熱的に活性化される開始剤又は触媒が、金属含有組成物の必須成分として含有される。インプリントリソグラフィーは、光開始剤又は光活性触媒が使用される感光性の金属含有組成物を使用して行われる。当該方法で使用されるテンプレートは、テンプレートを助供する前に組成物を露光するため、化学線に対して透明である。当該方法は、さらに、熱処理、化学処理又はプラズマ処理から単独で又は組み合わせて選ばれる、MzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%及びz+vは100%である)を含んでなる金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を生成する後処理を適用することを含んでなる。当該方法は、さらに、光の400−900 nmの範囲において1.4−2.2の範囲の屈折率及び光の150−400 nmの範囲において1.4−2.4の範囲の屈折率をもつ金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を製造することを含んでなる。方法は、誘電率少なくとも2を持つ金属含有フィルム、三次元の物体又は物品も提供する。インプリント技術の一般的な記載は米国特許第5,772,905号及び第6,334,960号に記載されており、その内容を参照することにより本明細書に含める。
上記具体例における感光性の金属含有組成物は、金属含有前駆体ユニット(MU)及び光活性触媒又は光開始剤を含んでなる。光活性触媒又は光開始剤は、化学線のかなりの部分を吸収し、MUにおいて結合反応を惹起でき、これによって、組成物は、続く、組成物の非露光部分を現像除去する工程において使用される溶媒又は現像液に対して不溶性となる。MUは、光の化学線源にて露光される際、光活性触媒又は光開始剤によって惹起される結合反応を受けることができる少なくとも2つの官能基を含有するMUは、構造式(I):MAwBxCy
(ここで、Mは、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYのような形式原子価0〜7をもつ金属である)で表される。
上記構造式中、リガンドAは、これらの組成物の処方において代表的に使用される好適な光開始剤又は光活性触媒の存在下、結合反応を受けることができる反応性官能基を含有し、wは2〜7である。リガンドAは、(メタ)アクリロイル、ビニル、アリル、スチリルのようなエチレン系不飽和官能基、又はエポキシド基、-SiH基、-SH基のような環状オレフィン系基又は他の反応性官能基を含み、これらは、各種の成分の他の反応性官能基との結合反応を受けることができる。この反応は、一般に、好適な光開始剤又は光活性触媒及び化学線源の存在下で生ずる。
リガンドB及びCは、個々に又は組み合わせて、酸素、窒素、イオウ、又はハロゲン原子;直鎖状、分枝状又は環状のアルキル、アルケニル又はアルキニル基;置換又は未置換のアリール基;及び-XR1(ここで、Xは、オキシ、チオ、カルボキシ、チオカルボキシ、スルホ、オキサレート、アセトアセトネート、カルバニオン、カルボニル、チオカルボニル、シアノ、ニトロ、ニトリト、ニトレート、ニトロシル、アジド、シアナト、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、アミド、アミン、ジアミン、アルシン、ジアルシン、ホスフィン、及びジホスフィンのような有機官能基であり;R1は、直鎖状、分枝状又は環状のアルキル又はチオアルキル基、複素環基、脂環式基、又は置換又は未置換のアリール基又はヘテロアリール基である)から選ばれ、x及びyは0−5である。アルケニル基の例はエチレンである。アルキニル基の例はアセチレンである。カルバニオンのいくつかの例は、2,2-ジメチル-4,6-ジオキソ-1,3-ジオキサ-5-イド、ジシアノメタニド、シクロペンタ-2,4-ジエニド及びフェニルエチニドである。
2以上の導電率(k)が要求される例では、金属含有前駆体(MU)は、ジルコニウム及びハフニウムのような高k金属を含有する。
リガンドA、B及びCは、吸光度及び屈折率をコントロールし、形態をコントロールするために選択され、リガンドのいずれの部分も、リガンドAの反応性官能基の反応性に干渉しない。リガンドA、B及びCは、コーティング処方において一般的に使用される各種の有機溶媒における溶解性を与えるように及び感光性の金属含有組成物の調整において使用される他の成分との適合性を与えるように選択される。基は、方法の熱/プラズマ処理の間における分解を容易なものとするようにも選ばれる。
リガンドA、B及びCは、各種の基材への接着性、粘度、感光性の金属含有組成物から形成されるフィルムの機械的及び熱的特性のような重要な機能的な特性をコントロールする役割も果たすことができる。例えば、組成物全体で均一な光反応が実施されるように放射線の大部分を吸収しない官能基を選択することが重要である。同様に、物質の熱分解温度は、適切な官能基を選択することによって変更される。また、フィルムの特性は、官能基の適切な選択を介して調整される。
リガンドAの具体的な例は、(メタ)アルキレート、2-カルボキシエチルアクリレート、酢酸ビニル、3-ブテノエート、4-ペンテノエート、ビニルスルホネート、スチレンスルホネート、ビニルフェノレート、安息香酸ビニル、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2-カルボキシレート、2-エトキシ(メタ)アルキレート、2-エトキシビニルアセテート、3-(2,2-ジメトキシプロポキシ)(メタ)アルリレート、(メタ)アクリルオキシジエチルアセトアセトネート、2-(アクリルオキシ)-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート、5-(ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2-イルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート、オキシラン-2-イルメタノレート、オキシラン-2-カルボキシレート、3-オキサトリシクロ[3.2.1.02,4]オクタン-6-カルボキシレート、3,8-ジオキサトリシクロ[5.1.0.0.2,4]オクタン-5-カルボキシレート、7-オキサビシクロ[4.1.0]ヘプタン-1-カルボキシレート、7-オキサビシクロ[4.1.0]ヘプタン-3-カルボキシレート及び(3-フェニルオキシラン-2-イル)メタノレートである。
リガンドB及びCのいくつかの非限定的な例は、酸素原子、イオウ原子、窒素原子、塩素原子、メチル、エチル、エチレン、シクロペンタジエン、ノルボルネン、アセチレン、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、イソプロポキシ、2-メトキシエトキシ、2-エチルヘキソキシ、シクロヘキサノレート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オレート、フェノキシ、ナフトキシ、メタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、ブタンチオレート、イソプロパンチオレート、2-エチルヘキサンチオレート、シクロヘキサンチオレート、ビシクロ[2.2.1]ヘプタンチオレート、ベンゼンチオレート、ナフタレンチオレート、アセテート、プロパノエート、ブタノエート、2-メチルプロパノエート、2-エチルヘキサノエート、2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート、6-(2-ネフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート、エタンチオエート、プロパンチオエート、ブタンチオエート、2-メチルプロパンチオエート、2-エチルへキサンチオエート、メタンスルホネート、エタンスルホネート、プロパンスルホネート、ブタンスルホネート、シクロヘキサンスルホネート、[(1S,4R)-7,7-ジメチル-2-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプト-1-イル]メタンスルホネート、4-メチルベンゼンスルホネート、オキサレート、アセトアセトネート、1,3-ジフェニルプロパン-1,3-ジオン、2,2,6,6-テトラメチルヘプタン-3,5-ジオン、2,2-ジメチル-4,-6ジオキソ-1,3-ジオキサン-5-イド、ジシアノメタニド、シクロペンタ-2,4-ジエニド、フェニルエチニド、ニトロメタン、ニトロエチレン、硝酸メチル、フェニルアジド、メチルイソシアネート、アリルイシソシアネート、トリエチルアミン、エチレンジアミン、トリフェニルアルシン、トリフェニルホスフィン、t-ブチルホスフィン及びトリメチルホスフィンである。
金属含有前駆体ユニット(MU)の特別な非限定的な例は、(メタ)アクリル酸ジルコニウム、ジルコニルジ(メタ)アクリレート、ジルコニウムブトキシド(メタ)アクリレート、ジルコニウムカルボキシエチルアクリレート、ジルコニウムビニルアセテート、ジルコニルジ(ビニルアセテート)、ジルコニウム3-オキサトリシクロ[3.2.102,4]オクタン-6-カルボキシレート、ジルコニウム2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート(メタ)アクリレート、ジルコニウム6-(2-ナフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート(メタ)アクリレート、ジルコニウム[(1S,4R)-7,7-ジメチル-2-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプト-1-イル]メタンスルホネート2-ナフタレンチオレート(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸ハフニウム、ハフニウムブトキシド(メタ)アクリレート、ハフニウムオキシドジ(メタ)アクリレート、ハフニウムカルボキシエチルアクリレート、ハフニウムビニルアセテート、及びハフニウムオキシドジ(ビニルアセテート)、ハフニウム3-オキサトリシクロ[3.2.102,4]オクタン-6-カルボキシレート、ハフニウム2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート(メタ)アクリレート、ハフニウム6-(2-ナフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート(メタ)アクリレート、ハフニウム[(1S,4R)-7,7-ジメチル-2-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプト-1-イル]メタンスルホネート2-ナフタレンチオレート(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸チタン、チタンブトキシド(メタ)アクリレート、チタンオキシドジ(メタ)アクリレート、チタンカルボキシエチルアクリレート、チタンビニルアセテート、チタンオキシドジ(ビニルアセテート)、チタン3-オキサトリシクロ[3.2.102,4]オクタン-6-カルボキシレート、チタン2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート(メタ)アクリレート、チタン6-(2-ナフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート(メタ)アクリレート、チタン[(1S,4R)-7,7-ジメチル-2-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプト-1-イル]メタンスルホネート2-ナフタレンチオレート(メタ)アクリレート、ジ-n-ブトキシジメタアクリルオキシゲルマン、テトラカルボキシエチルアクリルオキシゲルマン、テトラビニルアセトキシゲルマン、テトラ(メタ)アクリルオキシゲルマン、3-オキサトリシクロ[3.2.102,4]オクタン-6-カルボキシゲルマン、2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシトリ(メタ)アクリルオキシゲルマン、6-(2-ナフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシトリ(メタ)アクリルオキシゲルマン、(メタ)アクリル酸タンタル、タンタルブトキシド(メタ)アクリレート、タンタルカルボキシエチルアクリレート、タンタルビニルアセテート、タンタル3-オキサトリシクロ[3.2.102,4]オクタン-6-カルボキシレート、タンタル2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート(メタ)アクリレート、タンタル6-(2-ナフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸アルミニウム、アルミニウムブトキシド(メタ)アクリレート、アルミニウムカルボキシエチルアクリレート、アルミニウムビニルアセテート、アルミニウム3-オキサトリシクロ[3.2.102,4]オクタン-6-カルボキシレート、アルミニウム2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート(メタ)アクリレート、アルミニウム6-(2-ナフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート(メタ)アクリレート、
(メタ)アクリル酸ニオブ、ニオブブトキシド(メタ)アクリレート、ニオブカルボキシエチルアクリレート、ニオブビニルアセテート、ニオブ3-オキサトリシクロ[3.2.102,4]オクタン-6-カルボキシレート、ニオブ2-ブロモ-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン-9-カルボキシレート(メタ)アクリレート、及びにオブ6-(2-ナフチルチオ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-カルボキシレート(メタ)アクリレートがある。
リガンド及び金属含有前駆体ユニット(MU)の他の例は、出願中の米国特許出願第11/792,738号及び第11/792,739号に提示されている。
組成物において使用される光活性触媒又は光開始剤は、露光の波長において光を吸収し、組成物又は組成物の一部が光にて露光される際にMU及び/又は各種の生物の結合反応に対して触媒作用を発揮できる化合物である。フリーラジカル光開始剤の例は、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 184)である。光活性触媒の例は、トリフェニルスルホニウムトリフラート(AldrichカタログNo. 526940)のような光酸発生剤である。
光開始剤の特別な例は、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 184)、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン及びベンゾフェノンのブレンド(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 500)、2,4,4-トリメチルフェニルホスフィンオキシド(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 1800、1850及び1700)、2,2-ジメトキシ-2-アセトフェノン(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 651)、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニル-ホスフィンオキシド(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 819)、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルホリノプロパン-1-オン(Irgacure 907)、(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ジフェニルホスフィンオキシド(BASF製;Lucerin TPO)、エトキシ(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ジフェニルホスフィンオキシド(BASF製;Lucerin TPO-L)、ホスフィンオキシド、α-ヒドロキシケトン及びベンゾフェノン誘導体のブレンド(Sartomer製;ESACURE KTO46)、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン(Merck製;Darocur 1173)、ベンゾフェノン、2-クロロチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、ベンゾジメチルケタール、1,1,1-トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、m-クロロアセトフェノン、プロピオフェノン、アントラキノン、及びジベンゾスベロンである(ただし、これらに限定されない)。
非イオンタイプの光活性触媒の特別な例は、フェナシルp-メチルベンゼンスルホネート、ベンゾインp-トルエンスルホネート、α-(p-トルエンスルホニルオキシ)メチルベンゾイン、3-(p-トルエンスルホニルオキシ)-2-ヒドロキシ-2-フェニル-1-フェニルプロピルエーテル、N-(p-ドデシルベンゼンスルホニルオキシ)-1,8-ナフタルイミド及びN-(フェニルスルホニルオキシ)-1,8-ナフタルイミド、(2Z)-(2-メチルフェニル)[(2Z)-2-{[(プロピルスルホニル)オキシ]イミノ}チオフェン-3(2H)-イリデン]アセトニトリル、(2Z)-[(2Z)-2-{[(オクチルスルホニル)オキシ]イミノ}チオフェン-3(2H)-イリデン](2-メチルフェニル)アセトニトリル、(2Z)-[(2Z)-2-{[((7,7-ジメチル-2-オキソビシクロ[2.2.1]ヘプト-1-イル)メタンスルホニル)オキシ]イミノ}チオフェン-3(2H)-イリデン](2-メチルフェニル)アセトニトリル、(2Z)-[(2Z)-2-{[(4-メチルベンゼンスルホニル)オキシ]イミノ}チオフェン-3(2H)-イリデン](2-メチルフェニル)アセトニトリル、(2Z)-(4-メトキシフェニル){[(オクチルスルホニル)オキシ]イミノ}アセトニトリル、2-[2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1-(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)-フェニルフルオリン、ビス(p-トルエンスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニルp-トルエンスルホニルジアゾメタン、1-シクロヘキシルスルホニル-1-(1,1-ジメチルエチルスルホニル)ジアソメタン、ビス(1,1-ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1-メチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、1-p-トルエンスルホニル-1-シクロヘキシルカルボニルジアゾメタン、2-メチル-2-(p-トルエンスルホニル)プロピオフェノン、2-メチルスルホニル-2-メチル-(4-メチルチオ)プロピオフェノン、2,4-メチル-2(p-トルエンスルホニル)ペント-3-オン、1-ジアゾ-1-メチルスルホニル-4-フェニル-2-ブタノン、2-(シクロヘキシルカルボニル)-2-(p-トルエンスルホニル)プロパン、1-シクロヘキシルスルホニル-1-シクロヘキシルカルモニルジアソメタン、1-ジアゾ-1-シクロヘキシルスルホニル-3,3-ジメチル-2-ブタノン、1-ジアゾ-1-(1,1-ジメチルエチルスルホニル)-3,3-ジメチル-2-ブタノン、1-アセチル-1-(1-メチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、1-ジアゾ-1-(p-トルエンスルホニル)-3,3-ジメチル-2-ブタノン、1-ジアゾ-1-ベンゼンスルホニル-3,3-ジメチル-2-ブタノン、1-ジアゾ-1-(p-トルエンスルホニル)-3-メチル-2-ブタノン、シクロヘキシル2-ジアゾ-2-(p-トルエンスルホニル)アセテート、3級-ブチル-2-ジアゾ-2-ベンゼンスルホニルアセテート、イソプロピル-2-ジアゾ-2-メタンスルホニルアセテート、シクロヘキシル2-ジアゾ-2-ベンゼンスルホニルアセテート、3級-ブチル2-ジアゾ-2-(p-トルエンスルホニル)アセテート、2-ニトロベンジルp-トルエンスルホネート、2,6-ジニトロベンジルp-トルエンスルホネート及び2,4-ジニトロベンジルp-トリフルオロメチルベンゼンスルホネートである。
イオンタイプの光活性触媒の特別な例は、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム4-メチルフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム4-メトキシフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウム4-クロロフェニルスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メチルフェニル-ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4-メチルフェニル)-フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス-4-メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-3級-ブチルフェニル-ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メトキシフェニル-ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、メシチル-ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-クロロフェニル-ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4-クロロフェニル)-フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス(4-クロロフェニル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メチルフェニル-ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス(4-クロロフェニル)-フェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス-4-メチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、4-3級-ブチルフェニル-ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、4-メトキシフェニル-ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、メシチル-ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、4-クロロフェニル-ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、ビス(4-クロロフェニル)-フェニルスルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、トリス(4-クロロフェニル)スルホニウムヘキサフルオロプロパンスルホネート、4-メチルフェニル-ジフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、ビス(4-クロロフェニル)-フェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、トリス-4-メチルフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、4-3級-ブチルフェニル-ジフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、4-メトキシフェニル-ジフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、メシチル-ジフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、4-クロロフェニル-ジフェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、ビス(4-クロロフェニル)-フェニルスルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、トリス(4-クロロフェニル)スルホニウムペルフルオロオクタンスルホネート、ジフェニルヨウ素ヘキサフルオロプロパンスルホネート、ジフェニルヨウ素4-メチルフェニルスルホネート、ビス(4-3-級ブチルフェニル)ヨウ素トリフルオロメタンスルホネート、ビス(4-3級-ブチルフェニル)ヨウ素ヘキサフルオロメタンスルホネート、及びビス(4-シクロヘキシルフェニル)ヨウ素トリフルオロメタンスルホネートである。
熱の存在下において結合反応を惹起するために有用な触媒又は開始剤の特別な例としては、過酸化ベンゾイル、ジアシルベルオキシド、ペルオキシジカルボネート、アルキルペルエステル、アルキルペルオキシド、ペルケタール、ペトンペルオキシド、及びアルキルヒドロペルオキシドのような有機ペルオキシド;アゾビスイソブチロニトリル及び1,1'-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリルのようなアゾ化合物;及びシクロヘキシルトシレート及びKing Industries製のK-Cure 1040のような熱酸発生剤が含まれるが、これらに限定されない。
触媒又は開始剤は、一般に、約0.0001−20質量%、さらに好ましくは約1−10質量%の量で使用される。触媒又は開始剤の量は、MU及び/又は他の各種の成分の合計質量を基準とする。
感光性の金属含有組成物は、さらに、処理済又は未処理の金属含有ナノ粒子を含有できる。ナノ粒子及び金属含有前駆体ユニット(MU)の金属部分は異なるものであり、ナノ粒子:有機原子の比は、約5:1−約10:1である。この用途に適するナノ粒子は、好ましくは直径20μm以下であり、感光性の組成物の他の成分と適合するものである。このようなナノ粒子の例は、米国特許第6,291,070号及び第6,844,950号に見られる。
金属含有ナノ粒子のいくつかの例は、表面処理した又は未処理のシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ハフニア、CdSe、CdS、CdTe、CuO、酸化亜鉛、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、カルシウムチタン酸化物、チタン酸ナトリウム、及びニオブ酸カリウムである。
感光性の金属含有組成物は、さらに、少なくとも2つの反応性官能基を含有するプレポリマーユニット(PU)を含有できる。用語「プレポリマーユニット(PU)」は、モノマーユニット又はオリゴマー(ここで、オリゴマーは、相互に結合されたモノマーユニットの組み合わせである)をいう。プレポリマーは、多くのモノマーユニットを含有でき、さらに、反応して、最終物質中において組み込まれる。このようなモノマーユニット/オリゴマーの例は、次のタイプ、すなわち、アクリレート、エステル、ビニルアルコール、ウレタン、尿素、イミド、アミド、カルバゾール、カーボネート、ピラノース、シロキサン、尿素-ホルムアルデヒド及びメラミン-ホルムアルデヒドの1つ以上の基づくものである。PUは、少なくとも2つの末端及び/又はペンダント反応性官能基を含有する。これらは、金属含有前駆体ユニット(MU)との結合反応に関与することができる。このような末端及びペンダント基の例は、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、SiH基及び-SH基である。この具体例の金属含有組成物用のMU及びPUの選択における重要な基準は、これらが相互に適合性であることにある。
プレポリマーユニット(PU)の特別な例は、ウレタンアクリレートオリゴマーを含む。用語「ウレタンアクリレートオリゴマー」は、ウレタンマルチ(メタ)アクリレート、マルチウレタン(メタ)アクリレート及びマルチウレタンマルチ(メタ)アクリレートのような、ウレタン結合を含有し、(メタ)アクリレート官能基を有する化合物群をいう。ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーのタイプは、Coadyらによって米国特許第4,608,409号及びChisholmらによって米国特許第6,844,950号に記載されており、参照して、本明細書に含める。プレポリマーユニット(PU)の他の特別な例は、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、エトキシル化ビスフェノール-A-ジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールビス(アリルカーボネート)、トリメチルオールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジメチルオールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ-/ヘキサ-(メタ)アクリレート、イソシアヌレートトリ(メタ)アクリレート、ビス(2-ヒドロキシエチル)-イソシアヌレートジ(メタ)アクリレート、1,3-ブタンジオールトリ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールトリ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、(メタ)アクリレート変性尿素-ホルムアルデヒド、メラミン-ホルムアルデヒドセルロース及びビニル、アリル、(メタ)アクリロイル、又はヒドロシラン末端又はペンダント官能基を有するシロキサンを含む。このようなシロキサンプレポリマーユニットの特別な例は、ビニル-、エポキシド-又は(メタ)アクリル-末端Polyhedral Oligomeric Silsesquioxanes(POSS)(Hybrid Plastics Code OL1160、EP0409、MA0735及びMA0736)、ビニル末端ポリジメチルシロキサン(CAS 68083-19-2)、ビニル末端ジフェニルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー(CAS 68951-96-2)、ビニル末端ポリフェニルメチルシロキサン(CAS 225927-21-9)、ビニル末端ジエチルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー(Gelest Cord EDV-2025)、ビニルメチルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、トリメチルシロキシ末端(CAS 67762-94-1)、ビニルメチルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、ビニル末端(CAS 68083-18-1)、ビニルメチルシロキサン-ホモ重合体(Gelest Code VMS-005及びVMS-T11)、ビニルT-構造化ポリマー(Gelest Code VTT-106及びMTV-124)、ビニルメチルシロキサンターポリマー(CAS 597543-32-3)、ビニルメトキシシロキサンホモポリマー(CAS 131298-48-1)、ビニルエトキシシロキサンホモポリマー(CAS 29434-25-1)、ビニル-プロピルエトキシシロキサンコポリマー(Gelest Code VPE-005)、ヒドリッド末端ポリ-ジメチルシロキサン(CAS 70900-21-9)、メチルヒドロシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、トリメチルシロキシ末端(CAS 68037-59-2)、メチルヒドロシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、ヒドリッド末端(CAS 69013-23-6)、ポリメチルヒドロシロキサン、トリメチルシロキシ末端(CAS 63148-57-2)、ポリエチルヒドロシロキサン、トリエチルシロキシ末端(CAS 24979-95-1)、ポリフェニル-(ジメチルヒドロキシシロキシ)シロキサン、ヒドリッド末端(Gelest Code HDP-111)及びヒドリッドQレジン(CAS 68988-57-8)である。
プレポリマーは、しばしば、平均分子量70−10ダルトンを有する。分子量のより好適な上限は10ドルトンである。分子量の最も好適な上限は10ドルトンである
感光性の金属含有組成物は、さらに、適切な溶媒を含んでなる。処方及びその濃度調節のための溶媒の選択は、光活性触媒又は光開始剤及びコーティング法と共に、主として、金属含有前駆体ユニット(MU)及び/又は他の各種の成分に組み込まれた官能性に左右される。溶媒は不活性であり、組成物中の全ての成分を溶解又は均一に分散させ、成分となんら化学反応せず、コーティング後における乾燥の際に除去される得るものでなければならない。組成物用の適切な溶媒は、ケトン、エーテル、エステル及びアルコールのような非水性溶媒を含む。ケトン、エーテル、及びエステルの例としては、2-ブタノン、3-メチル-2-ブタノン、2-ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-メトキシ-1-プロピレンアセテート、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、2-エトキシエチルアセテート、1-メトキシ-2-プロピルアセテート、1,2-ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、メチルラクテート、エチルラクテート、n-ブチルアセテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル3-メトキシプロピオネート、エチル3-メトキシプロピオネート、N-メチル-2-ピロリドン、1,4-ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が含まれる。アルコール溶媒の例としては、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、ブタノール等がある。
感光性の金属含有組成物は、さらに、染料、表面活性剤、接着促進剤、粘度調整剤、緩衝剤、増感剤、安定剤、酸化防止剤、着色料、顔料及び界面活性剤のような一般的な添加剤を含むことができる。同様に、コーティングの化学線に対する感度を改善するために染料を使用できる。
感光性の金属含有組成物は、さらに、1つの反応性官能基を含有する有機モノマー又はポリマーを含むことができる。例えば、粘度のような最終フィルムの物理特性を改善するために、アクリレートモノマー又はビニルエーテルを使用することができる。アクリレートモノマー又はビニルエーテルは、MU及び/又は他の各種成分との結合反応によってフィルム又は物品に組み込まれる。
上記具体例に記載した方法は、均質な溶液が得られるまで、感光性の金属含有組成物において使用される各種成分を好適な比率で混合することによって処方することを含んでなる。UV光を遮断できる清浄な容器において成分を混合する。PTFE、ナイロン、ポリプロピレン、表面処理したポリエチレン又はポリプロピレン等のような好適なフィルター手段を通して溶液を濾過する。フィルター手段の孔サイズは<5μmである。
感光性の金属含有組成物を、金属、プラスチック、木材、紙、ガラス、セラミック及びケイ素、ガリウムヒ素等を含む半導体物質のような適切な基材上に均質にコーティングする。基材は、平面、パターン化又は三次元のものである。浸漬(又はディプコーティング)、ナイフコーティング、積層、ブラッシング、噴霧、スピンコーティング、金型コーティング、マイクロ-グラビアコーティング、キャスト-トランスファー又はリバースロールコーティングによって、コーティング材料を塗布することができる。組成物は、少量の組成物を指定のエリアのみに塗布するドロップ−ディスペンス技術によっても塗布される。
感光性の金属含有組成物を基材上に塗布した後、上記具体例の方法は、さらに、乾燥工程を含んでなり、有機溶媒又は他の揮発性物質を除去して、均一な欠損フリーのコーティングを形成する。乾燥工程の例は、約40−200℃の範囲の温度に、約数秒−数分間加熱することである。
感光性の金属含有組成物を基材上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥した後、上記具体例の方法は、さらに、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光することを含んでなる。感光性の金属含有組成物を化学線に対して露光すると、光活性触媒又は光開始剤は、金属含有前駆体ユニットの反応性官能基の結合反応を惹起して、組成物の露光された領域を、溶媒に対して不溶性とすると共に、組成物の非露光領域を溶解性のままとする。化学線の例は、光(広帯域又は約0.01−約600 nmの特殊な波長域)である。化学線源の例は、高圧水銀ランプ、エキシマレーザー、電子ビーム、及びX線源である。
総露光時間は、照射線の強さ、感光性の金属含有組成物の厚さ及び性質及び光活性触媒又は光開始剤の感度に応じて、約5秒−30分である。組成物は、溶媒含有状態において又は溶媒フラクションの蒸発後の溶媒フリーの状態のいずれかにおいて照射線にて露光され得る。
第2の具体例において記載の方法は、感光性の金属含有組成物を、適切なフォトマスクを通して、化学線にて露光することを含んでなる。フォトマスクは、光を照射できる穴、ライン、及び空間のような光が通るパターンをもつ不透明な基材である。フォトマスクの例は、クロムパターンによって覆った透明な溶融シリカ、フッ化カルシウム又はフッ化マグネシウムブランクである。
感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線にて露光した後、第2の具体例において記載の方法における次の工程は、組成物の非露光部分を、好適な溶媒を適用することによって現像することを含んでなる。組成物の非露光領域は溶媒に対して溶解性であり、溶解して、パターンを残す。溶媒は、噴霧、浸漬又はパドリングによって、基材に塗布される。溶媒との総接触時間は数秒−数分である。組成物の非露光領域を溶解させるために必要な時間は、使用する溶媒によって決定される。組成物の非露光領域の現像に好適な溶媒は、ケトン、エーテル、エステル及びアルコールのような非水性溶媒及びアルカリ性又は酸性水溶液から、単独で又は組み合わせて選択される。ケトン、エーテル、及びエステルの例としては、2-ブタノン、3-メチル-2-ブタノン、2-ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-メトキシ-1-プロピレンアセテート、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、2-エトキシエチルアセテート、1-メトキシ-2-プロピルアセテート、1,2-ジメトキシエタンエチルアセテート、セロソルブアセテート、メチルラクテート、エチルラクテート、n-ブチルアセテート、メチルピルベート、エチルピルベート、メチル3-メトキシプロピオネート、エチル3-メトキシプロピオネート、N-メチル-2-ピロリドン、1,4-ジオキサン、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が含まれる。アルコール溶媒の例としては、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、ブタノール等がある。
現像工程の後、残留する溶媒及び他の揮発性成分を、乾燥工程を適用することによって除去することができる。乾燥工程の例としては、スピン乾燥又は約40−200℃の範囲の温度において約数秒−数分間加熱することが含まれる。
感光性の金属含有組成物を基材上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線にて露光し、及び組成物の非露光部分を現像した後、上記具体例において記載した方法における次の工程は、熱処理、化学処理又はプラズマ処理から単独で又は組み合わせて選ばれる後処理を適用することを含んでなる。得られる金属含有フィルム、物品又は三次元の物体は、MzEv(ここで、Mは、構造式(I)において記載したような金属であり;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%であり及びz+vは100%である)を含んでなる。いくつかのケースでは、後処理の結果、金属含有フィルム、物品又は三次元の物体について、少なくとも約±0.1の屈折率の変化、又は少なくとも約±0.2の屈折率の変化又は少なくとも約±0.25の屈折率の変化が生ずる。後処理を含む方法は、光の400−900 nm域において1.4−2.2の範囲の屈折率及び光の150−400 nm域において1.4−2.4の範囲の屈折率をもつ金属含有フィルム、物品又は三次元の物体を生成する。方法は、また、誘電率少なくとも2をもつ金属含有フィルム、三次元の物体又は物品を提供する。
熱処理の非限定的な例としては、金属含有組成物を、真空中又は空気、酸素、窒素等の好適な雰囲気の存在下で、高温(代表的には200℃以上)に加熱することが含まれる。
化学処理の1つの非限定的な例は、オゾン処理の利用である。
プラズマ処理の1つの非限定的な例は、酸素プラズマの利用である。
ここに記載の具体例は、感光性の金属含有組成物及び上述の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品をも含む。
開示した具体例は、感光性の金属含有組成物及び上述の方法によって形成された被覆、積層又は成形物品をも含む。
開示した具体例は、感光性の金属含有組成物及び上述の方法によって形成された微小デバイスをも含む。
[実施例]
各実施例用の金属含有前駆体ユニット(MU)を、出願中の米国特許出願第11/792,738号及び第11/792,739号に記載されたようにして調製した(参照して、その内容を本明細書に組み込む)。
[比較例1]
以下の例は、方法を使用するソルゲル及びCVD技術において使用した物質を対比するものである。
サンプルの調製:ジルコニウムn-ブトキシドの溶液(Sigma-Aldrich Corp.製:80質量%n-ブタノール溶液)を、n-ブタノールにて25質量%に希釈した。撹拌後、得られた混合物は均質であった。均質且つ透明な溶液を、1.0μm PTFEシリンジフィルターを通して濾過した。溶液を1インチシリコンウエハ上にコーティング厚さ約1.2μmでスピンコーティングし、ホットプレート上で、130℃において60秒間乾燥した。
コーティングは不透明な白色粉末となり、基材から容易に剥がれ落ちた。コーティングの質は、ジルコニウムn-ブトキシドが、方法の続く工程のためには安定したものではなく、従って、この方法には適さない物質であることを示した。
[実施例1−14]
以下の例は、光開始剤を含む又は含まない物質を対比することによって、感光性の金属含有組成物の感光性を示すものである。
サンプルの調製:後述の表1に示すように溶媒又は溶媒混合物中に、金属含有前駆体ユニット(MU)を溶解することによって、各溶液を調製した(15質量%)。光開始剤を使用する例は、1-ヒロドキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 184)8.8質量%(MUの質量基準)及びビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルホスフィンオキシド(Ciba Specialty Chemicals製;Irgasure 819)1.2質量%を含有する。撹拌後、得られた混合物は均質であった。均質な溶液を、1.0μm PTFEシリンジフィルターを通して濾過した。これらの溶液をIR及び溶解性テストに使用した。
IRテスト:上述のように調製した溶液を、個々に、1インチNaClプレートに塗布し、ヒートガンにて30秒間乾燥することによってテストした。各乾燥した組成物を、4000−600 cm-1において、赤外線分光計によって分析した。乾燥した組成物を、Blak-ray UVランプModel 100 APによって15分間露光し、赤外線分光計によって、1640 cm-1におけるC=C伸縮の変化について分析した。
溶解性テスト:上述のように調製した溶液を、個々に、ワイヤ‐ワウンドコーター(BYK Gardner製;カタログNo. AR-413;直径3ミル)を使用して、Luminor T PETフィルム(Toray製;厚さ75μm)上に、湿潤コーティング厚さ約5μmで塗布し、オーブンにおいて80℃で60秒間乾燥してテストした。各乾燥した組成物を、Blak-ray UVランプModel 100 APによって15分間露光した。得られた組成物の溶解性を、アセトンに浸したコットンスワッブを機械的に擦りつけることによって測定した。データを表1に示す。
Figure 2011530652
表1の結果は、光開始剤を使用しない場合、露光の前後で組成物のIRスペクトルにおける変化がないことによって確認されるように、これら具体例のMUが感光性でないことを示している。これに対して、MUが光開始剤と組み合わせて使用される場合には、そのIRにおける有意の変化及び溶解特性が観察された。反応性官能基の結合反応は、そのIRスペクトルにおける1640 cm-1ピーク強度の低減によっても確認されるように、溶解性における変化をもたらす。
[実施例15−16]
以下の例は、感光性の金属含有組成物をスチール又はタングステン上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物をUV光源に対して露光し、熱処理を行うことによって金属含有フィルムを形成する方法を介する金属含有フィルムの形成を示すものである。
サンプルの調製:2-ブタノン/n-ブタノール(75/25)にハフニウムカルボキシエチルアセテートを溶解することによって、溶液を調製した(25質量%)。溶液に、1-ヒロドキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 184)10質量%(MUの質量基準)を添加した。撹拌後、得られた混合物は均質であった。均質かつ透明な溶液を、1.0μm PTFEシリンジフィルターを通して濾過した。各溶液を、0.5インチ×1インチの金属片上にディップ‐コーティングし、ホットプレート上で120℃において120秒間乾燥した。各金属片を、Blak-ray UVランプModel 100 APによって15分間露光した。各金属片を、オーブン内で250℃において30分間加熱処理し、ついで、より高い温度において60分間加熱した。使用した金属片の種類、熱処理の最終温度、及びエネルギー分散型X線分光計によって測定した金属含量を表2に示す。
Figure 2011530652
表2の結果は、感光性の金属含有組成物をスチール又はタングステン上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物をUV光源にて露光し、熱処理を行う方法により、ハフニウム含量77−84%をもつ金属含有フィルムが形成されることを示している。これは、MzEv(ここで、Mはハフニウムであり;Eは酸素及び炭素の組み合わせてあり;及びzは77−84%であり及びz+vは100%である)の例である。
[実施例17−18]
以下の例は、感光性の金属含有組成物をケイ素上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物をUV光源に対して露光し、熱処理を行う方法を介する、400−900 nmの範囲において1.4−2.2の範囲の屈折率をもつ金属含有フィルムの形成を示すものである。
サンプルの調製:後述の表3に示すように溶媒又は溶媒混合物中に、金属含有前駆体ユニット(MU)を溶解することによって、各溶液を調製した(25質量%)。各溶液に、1-ヒロドキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 184)10質量%(MUの質量基準)を添加した。撹拌後、得られた混合物は均質であった。均質かつ透明な溶液を、0.2μm PTFEシリンジフィルターを通して濾過した。各溶液を、1インチのシリコンウエハ4つの上に、湿潤コーティング厚さ約2.6μmでスピンコーティングし、ホットプレート上で100℃において60秒間乾燥した。各ウエハを、Blak-ray UVランプModel 100 APによって15分間露光した。露光したウエハの1つを、オーブン内で300℃において1時間加熱し、2番目の露光したウエハを、オーブン内で400℃において1時間加熱し、3番目の露光したウエハを、オーブン内で500℃において1時間加熱し、4番目の露光したウエハを、オーブン内で600℃において1時間加熱し。各ウエハの屈折率及びフィルム厚さを、Gaertner Ellipsometerによって、633 nm及び830 nmにおいて測定し、表3に示す。
Figure 2011530652
表3の結果は、感光性の金属含有組成物をケイ素上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物をUV光源に対して露光し、熱処理を行う方法により、400−900 nmの範囲において1.4−2.2の範囲の屈折率をもつ金属含有フィルムが良好に形成されることを示している。
[実施例19−23]
以下の例は、感光性の金属含有組成物をケイ素上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を、マスクを通して、UV光源にて露光し、組成物の非露光部分の溶媒にて現像し、熱処理を行う方法を介して、感光性の金属含有組成物をパターン化できることを示すものである。
サンプルの調製:後述の表4に示すような溶媒又は溶媒混合物中に、金属含有前駆体ユニット(MU)を溶解することによって、各溶液を調製した(15質量%)。各溶液に、1-ヒロドキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン(Ciba Specialty Chemicals製;Irgacure 184)8.8質量%(MUの質量基準)及びビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルホスフィンオキシド(Ciba Specialty Chemicals製;Irgasure 819)1.2質量%を添加した。撹拌後、得られた混合物は均質であった。均質かつ透明な溶液を、0.2μm PTFEシリンジフィルターを通して濾過した。各溶液を、2インチのシリコンウエハ上に、湿潤コーティング厚さ約5μmでスピンコーティングし、ホットプレート上で100℃において60秒間乾燥した。この乾燥組成物を、フィーチャーサイズ40−5μmをもつバイナリーマスクを通して、Blak-ray UVランプModel 100 APによって15分間露光した。組成物の非露光領域を、アセトンにて60秒間すすぐことによって、現像除去した。パターン化したウエハを、200℃において5分間加熱した。パターン化したウエハを、倍率500−10,000×にセットした顕微鏡下で検査した。
Figure 2011530652
表4で使用した用語「解像度」は、基材上にパターンを形成できるマスクについての最小のフィーチャーサイズをいう。この特別のケースでは、5μmが、これら実施例を構成する目的で使用できるフォトマスクについて利用できる最小のフィーチャーサイズである。適切なマスク及び化学線の波長を使用することによって、5μmよりも小さいフィーチャーサイズをプリントできることが予測される。実施例19−23は、感光性の金属含有組成物をケイ素上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を、マスクを通してUV光にて露光し、組成物の非露光部分を溶媒にて現像する方法により、金属を含有する三次元の物体が良好に形成されることを示している。実施例19及び20では、400℃において60分間の後処理を行った。顕微鏡下での観察において、感光性の金属含有組成物をケイ素上に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を、マスクを通してUV光に対して露光し、組成物の非露光部分を溶媒にて現像し、熱処理を行う方法により、金属を含有する三次元の物体が良好に形成されることが示されているように、パターン化されたフィーチャーは保持されていた。

Claims (23)

  1. 金属含有フィルムを形成する方法であって、
    a.感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、ここで、感光性の金属含有組成物は、
    i.少なくとも2つの反応性官能基を含有する金属含有前駆体ユニット(MU)、及び
    ii.光開始剤又は感光性触媒
    を含んでなり、
    前記MUは、構造式(I):
    MAwBxCy
    (ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;リガンドAは、結合反応を受けることができる反応性官能基を含有し;wは2〜7であり;リガンドB及びCは、個々に又は組み合わせて、酸素、窒素、イオウ、又はハロゲン原子;直鎖状、分枝状又は環状のアルキル、アルケニル又はアルキニル基;置換又は未置換のアリール基;及び-XR1(ここで、Xは、オキシ、チオ、カルボキシ、チオカルボキシ、スルホ、オキサレート、アセトアセトネート、カルバニオン、カルボニル、チオカルボニル、シアノ、ニトロ、ニトリト、ニトレート、ニトロシル、アジド、シアナト、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、アミド、アミン、ジアミン、アルシン、ジアルシン、ホスフィン、及びジホスフィンのような有機官能基であり;及びR1は、直鎖状、分枝状又は環状のアルキル又はチオアルキル基、複素環基、脂環式基、又は置換又は未置換のアリール又はヘテロアリール基である)から選ばれ;及びx及びyは0−5である)で表されるものであり、
    b.感光性の金属含有組成物を乾燥し、
    c.感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び
    d.金属含有組成物について後処理を行うこと
    を含んでなる、金属含有フィルムの形成法。
  2. 後処理が、熱、高エネルギーイオンビーム源、化学及びプラズマから選ばれるものである、請求項1記載の方法。
  3. 感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して露光し、続いて、組成物の非露光部分を現像する、請求項1記載の方法。
  4. 組成物の非露光部分を溶媒系現像液にて現像する、請求項3記載の方法。
  5. 請求項3に記載の方法によって形成されたパターン化フィルム。
  6. 金属含有前駆体ユニットのリガンドAが、アクリレート、メタクリレート、スチリル、ビニル、アリル、環状オレフィン及びエポキシドからなる群から選ばれる少なくとも1つである、請求項1記載の方法。
  7. 感光性の金属含有組成物が、さらに、表面処理した又は未処理のシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ハフニア、CdSe、CdS、CdTe、CuO、酸化亜鉛、酸化ランタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、カルシウムチタン酸化物、チタン酸ナトリウム、及びニオブ酸カリウムから、単独で又は組み合わせて選択されるナノ粒子を含んでなるものである、請求項1記載の方法。
  8. 感光性の金属含有組成物が、さらに、少なくとも2つの官能基を含有するプレポリマーユニットPUを含んでなるものである、請求項1記載の方法。
  9. 感光性の金属含有組成物が、さらに、官能基1つのみをもつコモノマーを含んでなるものである、請求項1記載の方法。
  10. 感光性の金属含有組成物が、さらに、溶媒を含んでなるものである、請求項1記載の方法。
  11. 感光性の金属含有組成物が、さらに、添加剤を含んでなるものである、請求項1記載の方法。
  12. 請求項1に記載の方法によって形成されたフィルム。
  13. 請求項1に記載の方法によって形成された三次元の物体。
  14. 請求項1に記載の方法によって形成された微小デバイス。
  15. a.感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、ここで、感光性の金属含有組成物は、
    i.少なくとも2つの反応性官能基を含有する金属含有前駆体ユニット(MU)、及び
    ii.光開始剤又は感光性触媒
    を含んでなり、
    前記MUは、構造式(I):
    MAwBxCy
    (ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;リガンドAは、結合反応を受けることができる反応性官能基を含有し;wは2〜7であり;リガンドB及びCは、個々に又は組み合わせて、酸素、窒素、イオウ、又はハロゲン原子;直鎖状、分枝状又は環状のアルキル、アルケニル又はアルキニル基;置換又は未置換のアリール基;及び-XR1(ここで、Xは、オキシ、チオ、カルボキシ、チオカルボキシ、スルホ、オキサレート、アセトアセトネート、カルバニオン、カルボニル、チオカルボニル、シアノ、ニトロ、ニトリト、ニトレート、ニトロシル、アジド、シアナト、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、アミド、アミン、ジアミン、アルシン、ジアルシン、ホスフィン、及びジホスフィンのような有機官能基であり;及びR1は、直鎖状、分枝状又は環状のアルキル又はチオアルキル基、複素環基、脂環式基、及び置換又は未置換のアリール又はヘテロアリール基である)から選ばれ;及びx及びyは0−5である)で表されるものであり、
    b.感光性の金属含有組成物を乾燥し、
    c.感光性の金属含有組成物を化学線源に露光し、及び
    d.金属含有組成物について後処理を行うことによって形成された、
    MzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%であり、及びz+vは100%である)を含んでなる金属含有フィルム。
  16. 光の400−900 nmの範囲において1.5−2.2の範囲の屈折率及び光の150−400 nmの範囲において1.5−2.4の範囲の屈折率を有する、請求項15記載の金属含有フィルム。
  17. 請求項15記載の方法によって形成された微小デバイス。
  18. MzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%であり、及びz+vは100%である)を含んでなる、直接パターン化された金属含有フィルム。
  19. 光の400−900 nmの範囲において1.5−2.2の範囲の屈折率及び光の150−400 nmの範囲において1.5−2.4の範囲の屈折率を有する、請求項18記載の直接パターン化された金属含有フィルム。
  20. 請求項18記載の直接パター化されたフィルムを含んでなる微小デバイス。
  21. 基材、及びMzEv(ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;Eは、個々に又は組み合わせて、酸素、水素、窒素、イオウ、炭素、ケイ素又はフッ素のような元素の群から選ばれ;及びzは約5−約95%であり、及びz+vは100%である)を含むパターン化層を含んでなる微小デバイスであって、前記MzEvが、照射され及び後処理された感光性の金属含有組成物から形成されたものであり、前記感光性の金属含有組成物が、少なくとも2つの反応性官能基を含有する金属含有前駆体ユニット(MU)及び光開始剤又は感光性の触媒を含んでなり、前記MUは、構造式(I):
    MAwBxCy
    (ここで、Mは、形式原子価0〜7をもつ金属であり、Zr、Hf、Ge、Ti、Pb、Gd、Sn、Zn、Ni、Ce、Nb、Eu、In、Al、Fe、Mn、Nd、Cu、Sb、Mg、Ga、Se、Cd、Ta、Co、Cr、Pt、Au、W、V、Tl、Te、Sr、Sm、La、Er、Pd、In、Ca、Ba、As及びYから選ばれ;リガンドAは、結合反応を受けることができる反応性官能基を含有し;wは2〜7であり;リガンドB及びCは、個々に又は組み合わせて、酸素、窒素、イオウ、又はハロゲン原子;直鎖状、分枝状又は環状のアルキル、アルケニル又はアルキニル基;置換又は未置換のアリール基;及び-XR1(ここで、Xは、オキシ、チオ、カルボキシ、チオカルボキシ、スルホ、オキサレート、アセトアセトネート、カルバニオン、カルボニル、チオカルボニル、シアノ、ニトロ、ニトリト、ニトレート、ニトロシル、アジド、シアナト、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、アミド、アミン、ジアミン、アルシン、ジアルシン、ホスフィン、及びジホスフィンのような有機官能基であり;及びR1は、直鎖状、分枝状又は環状のアルキル又はチオアルキル基、複素環基、脂環式基、及び置換又は未置換のアリール又はヘテロアリール基である)から選ばれ;及びx及びyは0−5である)で表されるものである、微小デバイス。
  22. 微小デバイスが、集積回路、マイクロセンサー、インクジェットノズル、フラットパネルディスプレー、及びレーザーダイオードからなる群から選ばれる少なくとも1のメンバーを含んでなる、請求項21記載の微小デバイス。
  23. パターン化されたフィルムが50μm以下の解像度を有する、請求項21記載の微小デバイス。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101486888B1 (ko) 2013-05-20 2015-01-27 한국기계연구원 금속산화박막 패턴형성용 코팅제 및 나노임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성방법
JP2015108781A (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び錯体
JPWO2013145043A1 (ja) * 2012-03-27 2015-08-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 ビルドアップ基板およびその製造方法ならびに半導体集積回路パッケージ
WO2016043198A1 (ja) * 2014-09-17 2016-03-24 Jsr株式会社 パターン形成方法
WO2016056418A1 (ja) * 2014-10-08 2016-04-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
WO2016208103A1 (ja) * 2015-06-22 2016-12-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2017147328A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社Screenホールディングス 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法
JP2018059062A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. ハードコーティング組成物及びこれを用いたハードコーティングフィルム
KR20180038394A (ko) * 2016-10-06 2018-04-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20180071278A (ko) * 2015-09-29 2018-06-27 프라이요그, 엘엘씨 금속 조성물 및 이의 제조 방법
JP2020014022A (ja) * 2019-10-11 2020-01-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2020533418A (ja) * 2017-09-11 2020-11-19 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 誘電フィルム形成用組成物
US11493843B2 (en) 2019-08-02 2022-11-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
WO2022255119A1 (ja) * 2021-06-01 2022-12-08 東京エレクトロン株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターンを形成する方法、半導体装置を製造する方法、及び基板処理装置
US11586110B2 (en) 2019-08-02 2023-02-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
US11604411B2 (en) 2019-08-14 2023-03-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US11720020B2 (en) 2019-09-04 2023-08-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US11860540B2 (en) 2020-05-18 2024-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
US11940728B2 (en) 2020-09-28 2024-03-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Molecular resist composition and patterning process
US11986853B2 (en) 2015-06-03 2024-05-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120202037A1 (en) * 2011-02-02 2012-08-09 Advenira, Inc. Solution Derived Nanocomposite Precursor Solutions, Methods for Making Thin Films and Thin Films Made by Such Methods
US10131793B2 (en) 2011-02-02 2018-11-20 Advenira Enterprises, Inc. Modified hybrid sol-gel solutions and compositions formed from such solutions
JP5708521B2 (ja) * 2011-02-15 2015-04-30 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
CN102605355B (zh) * 2012-02-21 2014-07-02 北京化工大学 基材表面的铜膜、其制备方法及应用
GB201319263D0 (en) * 2013-10-31 2013-12-18 Montanuniversit T Leoben Method of manufacturing an electrically conductive or semiconductive structure and electronic device comprising the same
DE102016125667A1 (de) * 2016-12-23 2018-06-28 Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh Zusammensetzung zur photochemischen Abscheidung von Metallen
AU2018246251A1 (en) * 2017-03-29 2019-10-17 Ih Ip Holdings Limited Methods for increasing hydrogen trapping vacancies in materials
US11092890B2 (en) 2018-07-31 2021-08-17 Samsung Sdi Co., Ltd. Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition
KR102307977B1 (ko) 2018-07-31 2021-09-30 삼성에스디아이 주식회사 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US11092889B2 (en) 2018-07-31 2021-08-17 Samsung Sdi Co., Ltd. Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition
WO2021029224A1 (ja) * 2019-08-13 2021-02-18 Jsr株式会社 レジストパターン形成方法及び上層膜形成用組成物
KR102446362B1 (ko) 2019-10-15 2022-09-21 삼성에스디아이 주식회사 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN114317076B (zh) * 2021-12-14 2022-10-25 菏泽学院 一种同核异壳纳米颗粒电流变液及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229080A (ja) * 1996-12-10 1998-08-25 Sony Corp 酸化物の処理方法、アモルファス酸化膜の形成方法およびアモルファス酸化タンタル膜
JP2005213567A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Ebara Corp エネルギー線照射による金属または金属酸化物の析出方法
JP2005530043A (ja) * 2002-06-18 2005-10-06 セイミッグ リミテッド 金属化
JP2005340844A (ja) * 2005-06-13 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2006065660A2 (en) * 2004-12-13 2006-06-22 Hybrid Plastics, Inc. Metal-containing compositions
WO2007070092A2 (en) * 2005-12-09 2007-06-21 Pryog, Llc Metal-containing compositions and method of making same

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2502411A (en) * 1947-08-18 1950-04-04 Rohm & Haas Zirconyl acrylates
NL128027C (ja) * 1961-08-31 1900-01-01
US3379702A (en) * 1965-06-14 1968-04-23 Dow Chemical Co Method for preparing terpolymers of ethylene, acrylic acids and salts of acrylic acids
US3705137A (en) * 1969-12-04 1972-12-05 Mitsui Mining & Smelting Co Precipitation copolymerization of metal salts of unsaturated carboxylic acids
US3672942A (en) * 1969-12-24 1972-06-27 Loctite Corp Process for impregnating porous metal articles
US4022960A (en) * 1971-03-15 1977-05-10 Agency Of Industrial Science & Technology Polymers with high transparency and refractive index and process for production thereof
US4129524A (en) 1976-07-16 1978-12-12 Kyowa Gas Chemical Industry Co., Ltd. Radiation shielding material and a process for producing the same
US4127524A (en) * 1977-06-16 1978-11-28 Coy David Howard Novel dodecapeptides, intermediates therefor, and compositions and methods employing said dodecapeptides
US4429094A (en) * 1981-04-06 1984-01-31 Arthur D. Little, Inc. Optically transparent radiation shielding material
DE3366938D1 (en) * 1982-11-01 1986-11-20 Hitachi Ltd Transparent resin material containing metal atoms
US4608409A (en) * 1985-05-08 1986-08-26 Desoto, Inc. Polyacrylated oligomers in ultraviolet curable optical fiber coatings
US5159035A (en) * 1986-06-10 1992-10-27 The Dow Chemical Company Homogenous copolymerization of non-polar monomers with ionic amphiphilic monomers
DE3824333A1 (de) * 1988-07-18 1990-01-25 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur fixierung einer anorganischen spezies in einer organischen matrix
EP0590573B1 (en) * 1992-10-01 1998-01-07 Hitachi Chemical Company, Ltd. Resin for plastic lens
JP3416134B2 (ja) 1992-11-19 2003-06-16 ザ ユニバーシティ コート オブ ザ ユニバーシティ オブ ダンディ 付着方法
US5484867A (en) * 1993-08-12 1996-01-16 The University Of Dayton Process for preparation of polyhedral oligomeric silsesquioxanes and systhesis of polymers containing polyhedral oligomeric silsesqioxane group segments
US5664041A (en) * 1993-12-07 1997-09-02 Dsm Desotech, Inc. Coating system for glass adhesion retention
US5534312A (en) 1994-11-14 1996-07-09 Simon Fraser University Method for directly depositing metal containing patterned films
US6194504B1 (en) * 1997-04-28 2001-02-27 Sartomer Technologies, Inc. Process for compounding metal salts in elastomers
MY122234A (en) * 1997-05-13 2006-04-29 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Nanostructured moulded bodies and layers and method for producing same
US5856415A (en) * 1997-08-28 1999-01-05 Bar-Ray Products, Inc. Optically transparent metal-containing polymers
US6329058B1 (en) * 1998-07-30 2001-12-11 3M Innovative Properties Company Nanosize metal oxide particles for producing transparent metal oxide colloids and ceramers
DE19923118A1 (de) * 1999-05-19 2000-11-23 Henkel Kgaa Chromfreies Korrosionsschutzmittel und Korrosionsschutzverfahren
EP1184898A1 (en) 1999-11-30 2002-03-06 Ebara Corporation Method and apparatus for forming thin film of metal
JP2001200023A (ja) * 2000-01-17 2001-07-24 Jsr Corp 硬化性組成物、その硬化物及び積層体
US6849305B2 (en) * 2000-04-28 2005-02-01 Ekc Technology, Inc. Photolytic conversion process to form patterned amorphous film
US7074640B2 (en) * 2000-06-06 2006-07-11 Simon Fraser University Method of making barrier layers
US7176114B2 (en) 2000-06-06 2007-02-13 Simon Fraser University Method of depositing patterned films of materials using a positive imaging process
US6696363B2 (en) * 2000-06-06 2004-02-24 Ekc Technology, Inc. Method of and apparatus for substrate pre-treatment
EP1317517A1 (en) * 2000-09-14 2003-06-11 Dsm N.V. Coating compositions for plastic substrates
US6553169B2 (en) * 2000-11-29 2003-04-22 Corning Incorporated Optical fiber coating compositions and coated optical fibers
US6656990B2 (en) * 2001-07-11 2003-12-02 Corning Incorporated Curable high refractive index compositions
US20030073042A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Cernigliaro George J. Process and materials for formation of patterned films of functional materials
KR100819297B1 (ko) * 2002-06-26 2008-04-02 삼성전자주식회사 고반사율 미세 패턴의 제조방법
US6844950B2 (en) * 2003-01-07 2005-01-18 General Electric Company Microstructure-bearing articles of high refractive index
US20040171743A1 (en) * 2003-01-21 2004-09-02 Terry Brewer, Ph.D. Hybrid organic-inorganic polymer coatings with high refractive indices
US7105617B2 (en) * 2003-02-06 2006-09-12 Georgia Tech Research Corporation Metal 8-hydroxyquinoline-functionalized polymers and related materials and methods of making and using the same
DE10330217B3 (de) * 2003-07-03 2004-12-09 Sasol Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung von Metallsalzen kurzkettiger ungesättigter Carbonsäuren und Verwendung der erhaltenen Metallsalze
US20070075628A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-05 General Electric Company Organic light emitting devices having latent activated layers
US7629424B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-08 Pryog, Llc Metal-containing compositions and method of making same
US20080083299A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 General Electric Company Composition and associated method
US7972691B2 (en) * 2006-12-22 2011-07-05 Nanogram Corporation Composites of polymers and metal/metalloid oxide nanoparticles and methods for forming these composites

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229080A (ja) * 1996-12-10 1998-08-25 Sony Corp 酸化物の処理方法、アモルファス酸化膜の形成方法およびアモルファス酸化タンタル膜
JP2005530043A (ja) * 2002-06-18 2005-10-06 セイミッグ リミテッド 金属化
JP2005213567A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Ebara Corp エネルギー線照射による金属または金属酸化物の析出方法
WO2006065660A2 (en) * 2004-12-13 2006-06-22 Hybrid Plastics, Inc. Metal-containing compositions
JP2005340844A (ja) * 2005-06-13 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
WO2007070092A2 (en) * 2005-12-09 2007-06-21 Pryog, Llc Metal-containing compositions and method of making same

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013145043A1 (ja) * 2012-03-27 2015-08-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 ビルドアップ基板およびその製造方法ならびに半導体集積回路パッケージ
KR101486888B1 (ko) 2013-05-20 2015-01-27 한국기계연구원 금속산화박막 패턴형성용 코팅제 및 나노임프린트를 이용한 금속산화박막 패턴형성방법
JP2015108781A (ja) * 2013-12-05 2015-06-11 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び錯体
KR20150065584A (ko) * 2013-12-05 2015-06-15 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 네거티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 착물
KR102221274B1 (ko) 2013-12-05 2021-02-26 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 네거티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 착물
WO2016043198A1 (ja) * 2014-09-17 2016-03-24 Jsr株式会社 パターン形成方法
JPWO2016043198A1 (ja) * 2014-09-17 2017-07-06 Jsr株式会社 パターン形成方法
KR101911300B1 (ko) 2014-10-08 2018-10-24 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 조성물과, 이를 이용한, 레지스트막, 마스크 블랭크, 레지스트 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
WO2016056418A1 (ja) * 2014-10-08 2016-04-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JPWO2016056418A1 (ja) * 2014-10-08 2017-07-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
US11986853B2 (en) 2015-06-03 2024-05-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus, film formation unit, substrate processing method and film formation method
US10331034B2 (en) 2015-06-22 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2017011095A (ja) * 2015-06-22 2017-01-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2016208103A1 (ja) * 2015-06-22 2016-12-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN107636803A (zh) * 2015-06-22 2018-01-26 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
CN107636803B (zh) * 2015-06-22 2021-06-11 株式会社斯库林集团 基板处理装置及基板处理方法
KR20180071278A (ko) * 2015-09-29 2018-06-27 프라이요그, 엘엘씨 금속 조성물 및 이의 제조 방법
JP2018526668A (ja) * 2015-09-29 2018-09-13 プライオグ リミテッド ライアビリティ カンパニーPryog,Llc 金属組成物及びその製法
KR102465065B1 (ko) * 2015-09-29 2022-11-09 프라이요그, 엘엘씨 금속 조성물 및 이의 제조 방법
JP2017147328A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 株式会社Screenホールディングス 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法
US10754251B2 (en) 2016-02-17 2020-08-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Development unit, substrate processing apparatus, development method and substrate processing method
JP2018059062A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. ハードコーティング組成物及びこれを用いたハードコーティングフィルム
JP7002895B2 (ja) 2016-09-30 2022-01-20 東友ファインケム株式会社 ハードコーティング組成物及びこれを用いたハードコーティングフィルム
KR101986425B1 (ko) * 2016-10-06 2019-06-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US10474030B2 (en) 2016-10-06 2019-11-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
KR20180038394A (ko) * 2016-10-06 2018-04-16 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP2020533418A (ja) * 2017-09-11 2020-11-19 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 誘電フィルム形成用組成物
JP7140686B2 (ja) 2017-09-11 2022-09-21 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド 誘電フィルム形成用組成物
US11493843B2 (en) 2019-08-02 2022-11-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US11586110B2 (en) 2019-08-02 2023-02-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
US11604411B2 (en) 2019-08-14 2023-03-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US11720020B2 (en) 2019-09-04 2023-08-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
JP2020014022A (ja) * 2019-10-11 2020-01-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US11860540B2 (en) 2020-05-18 2024-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and patterning process
US11940728B2 (en) 2020-09-28 2024-03-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Molecular resist composition and patterning process
WO2022255119A1 (ja) * 2021-06-01 2022-12-08 東京エレクトロン株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターンを形成する方法、半導体装置を製造する方法、及び基板処理装置

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