JP6989532B2 - ケイ素豊富なシルセスキオキサン樹脂 - Google Patents
ケイ素豊富なシルセスキオキサン樹脂 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6989532B2 JP6989532B2 JP2018565068A JP2018565068A JP6989532B2 JP 6989532 B2 JP6989532 B2 JP 6989532B2 JP 2018565068 A JP2018565068 A JP 2018565068A JP 2018565068 A JP2018565068 A JP 2018565068A JP 6989532 B2 JP6989532 B2 JP 6989532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- subscript
- silsesquioxane resin
- formula
- resist
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/46—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/04—Oxygen-containing compounds
- C08K5/10—Esters; Ether-esters
- C08K5/101—Esters; Ether-esters of monocarboxylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
- C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
- C08L83/12—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
−(CH2)3−O(EO)6−OH、
−(CH2)3−O(EO)6−OMe、
−(CH2)3−O(EO)6−OAc、
−(CH2)3−O(PO)6−OH、
−(CH2)3−O(PO)6−OMe、
−(CH2)3−O(PO)6−OAc、
−(CH2)3−O[(EO)12(PO)4]−OH、
−(CH2)3−O[(EO)12(PO)4]−OMe、
−(CH2)3−O[(EO)12(PO)4]−OAc、
−CH2CH2−C(O)−OMe、
−CH2CH2−O−C(O)Me、
(態様)
(態様1)
式(I):[HSiO 3/2 ] h [R 1 SiO 3/2 ] b [R 2 SiO 3/2 ] n [R 3 SiO 3/2 ] v [HOSiO 3/2 ] o [SiO 4/2 ] q (I)[式中、下付き文字hは0.30〜0.90のモル分率であり、各R 1 は独立して、式−CH 2 CH 2 CH 2 CO 2 C(R 1a ) 3 、又は−CH(CH 3 )CH 2 CO 2 C(R 1a ) 3 [式中、各R 1a は独立して、非置換(C 1 〜C 2 )アルキルである。]であり、下付き文字bは0〜0.48のモル分率であり、各R 2 は独立して、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5−カルボン酸−2−イル1,1−ジメチルエチルエステル、又はビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5−カルボン酸−3−イル1,1−ジメチルエチルエステルであり、下付き文字nは0〜0.35のモル分率であり、(b+n)の和は0より大きく、各R3は独立して、ポリエーテル基又はエステル基であり、下付き文字vは0〜0.15のモル分率であり、下付き文字oは0〜0.30のモル分率であり、下付き文字qは0〜0.1のモル分率であり、(h+o+q)の和は0.52〜0.90であり、(b+n+v+o+q)の和は0.10〜0.48である。]のシルセスキオキサン樹脂。
(態様2)
下付き文字hが0.40〜0.90である、態様1に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様3)
下付き文字vが0である、態様1又は2に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様4)
下付き文字oが0であるか、下付き文字qが0であるか、又は下付き文字o及び下付き文字qの両方が0である、態様1〜3のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様5)
下付き文字oが>0〜0.30以下であるか、下付き文字qが>0〜0.10以下であるか、又は、下付き文字oが>0〜0.30以下であり、下付き文字qが>0〜0.10である、態様1〜3のいずれか1つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様6)
下付き文字oが0.01〜0.10であり、下付き文字qが0.005〜0.02である、態様1〜3、又は態様5のいずれか1つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様7)
下付き文字nが0であり、下付き文字vが0である、態様1〜6のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様8)
下付き文字bが0.11〜0.40であるか、又は、各R 1 が式−CH 2 CH 2 CH 2 CO 2 C(CH 3 ) 3 若しくは−CH(CH 3 )CH 2 CO 2 C(CH 3 ) 3 であるか、又は、下付き文字bが0.11〜0.40であり、各R 1 が式−CH 2 CH 2 CH 2 CO 2 C(CH 3 ) 3 若しくは−CH(CH 3 )CH 2 CO 2 C(CH 3 ) 3 である、態様1〜7のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様9)
各R 1 が独立して、式−CH 2 CH 2 CH 2 CO 2 C(CH 3 ) 3 である、態様1〜8のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様10)
23.0重量パーセント(wt%)〜42wt%のケイ素原子含有量を有する、態様1〜9のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様11)
態様1〜10のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂の作製方法であって、前記式(I)のシルセスキオキサン樹脂を得るために、ヒドロシリル化反応触媒の存在下で、式[HSiO 3/2 ]のハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂を、有効相対量の3
−ブテン酸1,1−ジメチルエチルエステル、及び任意選択的に、ノルボルネン−5−カルボン酸1,1−ジメチルエチルエステル(下付き文字nが>0〜0.35以下である場合)、及び/又は4−ビニル−1,3−ジオキソラン−2−オン(式(I)の下付き文字vが>0〜0.15以下である場合)と接触させること、を含む、方法。
(態様12)
前記接触させることは、炭化水素溶媒又はハロ炭化水素溶媒を更に含む、態様11に記載の作製方法。
(態様13)
前記炭化水素溶媒又はハロ炭化水素溶媒を1,2−プロピレングリコールモノメチルエーテルモノアセテート(PGMEA)で交換して、PGMEA中で前記式(I)のシルセスキオキサン樹脂の混合物を得る、態様12に記載の作製方法。
(態様14)
構成成分(A)及び(B)[但し、(A)態様1〜10のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂、及び(B)少なくとも1種の追加の構成成分]を含む、組成物。
(態様15)
態様1〜10のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂又は態様14に記載の組成物、及び基板を含む、製造品。
(態様16)
前記ポリエーテル基は、式
−(CH 2 ) a [O(CR 2 ) b ] c OR’
[式中、a=2〜12であり、b=2〜6であり、c=2〜200であり、RはH、又は炭化水素基(例えばメチル基若しくはエチル基)であり、R’はH、メチル基、エチル基、C(O)Me、又は他の有機基である。]を有する有機置換基である、態様1に記載のシルセスキオキサン樹脂。
(態様17)
前記ポリエーテル基は、
−(CH 2 ) 3 −O(EO) 6 −OH、
−(CH 2 ) 3 −O(EO) 6 −OMe、
−(CH 2 ) 3 −O(EO) 6 −OAc、
−(CH 2 ) 3 −O(PO) 6 −OH、
−(CH 2 ) 3 −O(PO) 6 −OMe、
−(CH 2 ) 3 −O(PO) 6 −OAc、
−(CH 2 ) 3 −O[(EO) 12 (PO) 4 ]−OH、
−(CH 2 ) 3 −O[(EO) 12 (PO) 4 ]−OMe、
−(CH 2 ) 3 −O[(EO) 12 (PO) 4 ]−OAc、又は
(態様18)
前記エステル基は、
−CH 2 CH 2 −C(O)−OMe、
−CH 2 CH 2 −O−C(O)Me、
Claims (8)
- 式(I):[HSiO3/2]h[R1SiO3/2]b[R2SiO3/2]n[R3SiO3/2]v[HOSiO3/2]o[SiO4/2]q(I)[式中、下付き文字hは0.30〜0.90のモル分率であり、各R1は独立して、式−CH2CH2CH2CO2C(R1a)3、又は−CH(CH3)CH2CO2C(R1a)3[式中、各R1aは独立して、非置換(C1〜C2)アルキルである。]であり、下付き文字bは0〜0.48のモル分率であり、各R2は独立して、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5−カルボン酸−2−イル1,1−ジメチルエチルエステル、又はビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5−カルボン酸−3−イル1,1−ジメチルエチルエステルであり、下付き文字nは0〜0.35のモル分率であり、(b+n)の和は0より大きく、各R3は独立して、ポリエーテル基であり、下付き文字vは>0〜0.15のモル分率であり、下付き文字oは0〜0.30のモル分率であり、下付き文字qは0〜0.1のモル分率であり、(h+o+q)の和は0.52〜0.90であり、(b+n+v+o+q)の和は0.10〜0.48である。]のシルセスキオキサン樹脂。
- 下付き文字hが0.40〜0.90である、請求項1に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- 下付き文字oが0であるか、下付き文字qが0であるか、又は下付き文字o及び下付き文字qの両方が0である、請求項1〜2のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- 下付き文字oが0より大きく0.30以下であるか、下付き文字qが0より大きく0.10以下であるか、又は、下付き文字oが0より大きく0.30以下であり、下付き文字qが0より大きく0.10である、請求項1〜2のいずれか1つに記載のシルセスキオキサン樹脂。
- 下付き文字nが0である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- 下付き文字bが0.11〜0.40であるか、又は、各R1が式−CH2CH2CH2CO2C(CH3)3若しくは−CH(CH3)CH2CO2C(CH3)3であるか、又は、下付き文字bが0.11〜0.40であり、各R1が式−CH2CH2CH2CO2C(CH3)3若しくは−CH(CH3)CH2CO2C(CH3)3である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のシルセスキオキサン樹脂の作製方法であって、前記式(I)のシルセスキオキサン樹脂を得るために、ヒドロシリル化反応触媒の存在下で、式[HSiO3/2]のハイドロジェンシルセスキオキサン樹脂を、有効相対量の3−ブテン酸1,1−ジメチルエチルエステル、及び任意選択的に、ノルボルネン−5−カルボン酸1,1−ジメチルエチルエステル(下付き文字nが0より大きく0.35以下である場合)、及び/又は4−ビニル−1,3−ジオキソラン−2−オンと接触させること、を含む、方法。
- 前記ポリエーテル基は、
−(CH2)3−O(EO)6−OH、
−(CH2)3−O(EO)6−OMe、
−(CH2)3−O(EO)6−OAc、
−(CH2)3−O(PO)6−OH、
−(CH2)3−O(PO)6−OMe、
−(CH2)3−O(PO)6−OAc、
−(CH2)3−O[(EO)12(PO)4]−OH、
−(CH2)3−O[(EO)12(PO)4]−OMe、
−(CH2)3−O[(EO)12(PO)4]−OAc、又は
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662350836P | 2016-06-16 | 2016-06-16 | |
US62/350,836 | 2016-06-16 | ||
US201662419547P | 2016-11-09 | 2016-11-09 | |
US62/419,547 | 2016-11-09 | ||
PCT/US2017/036524 WO2017218286A1 (en) | 2016-06-16 | 2017-06-08 | Silicon-rich silsesquioxane resins |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019519647A JP2019519647A (ja) | 2019-07-11 |
JP6989532B2 true JP6989532B2 (ja) | 2022-01-05 |
Family
ID=59153291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018565068A Active JP6989532B2 (ja) | 2016-06-16 | 2017-06-08 | ケイ素豊富なシルセスキオキサン樹脂 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11370888B2 (ja) |
JP (1) | JP6989532B2 (ja) |
KR (1) | KR102395936B1 (ja) |
CN (1) | CN109415513B (ja) |
TW (1) | TWI751171B (ja) |
WO (1) | WO2017218286A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI129480B (en) * | 2018-08-10 | 2022-03-15 | Pibond Oy | Silanol-containing organic-inorganic hybrid coatings for high-resolution patterning |
DE102018124576A1 (de) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit durchführung einer plasmabehandlung und halbleiterbauelement |
CN113166327A (zh) * | 2018-11-22 | 2021-07-23 | 富士胶片株式会社 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法 |
JP7251026B2 (ja) * | 2019-11-14 | 2023-04-04 | 国立大学法人九州大学 | ポリマー化合物およびコーティング組成物 |
WO2023064023A1 (en) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | Dow Silicones Corporation | High refractive index photoresist composition |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4189323A (en) | 1977-04-25 | 1980-02-19 | Hoechst Aktiengesellschaft | Radiation-sensitive copying composition |
JPS6390534A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-21 | Hitachi Ltd | アルカリ可溶性ラダ−シリコ−ン重合体 |
JP4024898B2 (ja) * | 1997-03-17 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
US6531260B2 (en) * | 2000-04-07 | 2003-03-11 | Jsr Corporation | Polysiloxane, method of manufacturing same, silicon-containing alicyclic compound, and radiation-sensitive resin composition |
US7261992B2 (en) | 2000-12-21 | 2007-08-28 | International Business Machines Corporation | Fluorinated silsesquioxane polymers and use thereof in lithographic photoresist compositions |
US20020081520A1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-27 | Ratnam Sooriyakumaran | Substantially transparent aqueous base soluble polymer system for use in 157 nm resist applications |
KR100795109B1 (ko) | 2001-02-23 | 2008-01-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 감광성 조성물 |
DE10137109A1 (de) | 2001-07-30 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Siliziumhaltiger Resist für die Fotolithografie |
US6596834B2 (en) * | 2001-09-12 | 2003-07-22 | Dow Corning Corporation | Silicone resins and porous materials produced therefrom |
JP2004212946A (ja) | 2002-10-21 | 2004-07-29 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | Siポリマー含有フォトレジスト |
US7041748B2 (en) * | 2003-01-08 | 2006-05-09 | International Business Machines Corporation | Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection |
US7507783B2 (en) | 2003-02-24 | 2009-03-24 | Brewer Science Inc. | Thermally curable middle layer comprising polyhedral oligomeric silsesouioxanes for 193-nm trilayer resist process |
DE112004000333T5 (de) | 2003-02-26 | 2006-02-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki | Silesquioxan-Harz, Positiv-Resist-Zusammensetzung, Resist-Laminat und Methode zur Bildung eines Resist-Musters |
CN1832982B (zh) * | 2003-07-03 | 2011-05-04 | 道康宁公司 | 感光性倍半硅氧烷树脂 |
JP4494061B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-06-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
WO2006019468A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Dow Corning Corporation | Radiation sensitive silicone resin composition |
JP4881313B2 (ja) | 2004-11-02 | 2012-02-22 | ダウ・コーニング・コーポレイション | レジスト組成物及びレジスト画像の形成方法 |
US7833696B2 (en) * | 2004-12-17 | 2010-11-16 | Dow Corning Corporation | Method for forming anti-reflective coating |
JP2007182555A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-07-19 | Jsr Corp | ポリシロキサン及び感放射線性樹脂組成物 |
JP2007154047A (ja) | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Jsr Corp | ポリシロキサン及び感放射線性樹脂組成物 |
JP4721888B2 (ja) | 2005-12-07 | 2011-07-13 | 花王株式会社 | ハイドロゲル粒子 |
KR101293937B1 (ko) | 2006-06-28 | 2013-08-09 | 다우 코닝 코포레이션 | 전자 유인성 관능 그룹을 갖는 염기 첨가제를 함유한 실세스퀴옥산 수지 시스템 |
JP5085649B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2012-11-28 | ダウ コーニング コーポレーション | 電子吸引基を有する塩基性添加剤を含有するシルセスキオキサン樹脂システム |
KR100796047B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2008-01-21 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물, 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체집적회로 디바이스 |
CN101910255B (zh) * | 2008-01-08 | 2013-07-10 | 道康宁东丽株式会社 | 倍半硅氧烷树脂 |
JP5581225B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2014-08-27 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シルセスキオキサン樹脂 |
KR20110096155A (ko) | 2008-12-10 | 2011-08-29 | 다우 코닝 코포레이션 | 습식 에칭가능한 반사방지 코팅 |
KR20110096063A (ko) * | 2008-12-10 | 2011-08-26 | 다우 코닝 코포레이션 | 실세스퀴옥산 수지 |
CN102439523B (zh) | 2009-07-23 | 2015-01-07 | 道康宁公司 | 用于双重图案化的方法和材料 |
KR101286631B1 (ko) * | 2009-07-23 | 2013-07-22 | 다우 코닝 코포레이션 | 리버스 패터닝 방법 및 재료 |
JP5459196B2 (ja) | 2009-12-15 | 2014-04-02 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP6043716B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2016-12-14 | メルク パテント ゲーエムベーハー | ポジ型感光性シロキサン組成物 |
JP5929679B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2016-06-08 | セントラル硝子株式会社 | シラン系組成物およびその硬化膜、並びにそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法 |
CN103087087B (zh) | 2011-10-27 | 2015-11-25 | 上海交通大学 | 含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其组合物和压印的软模板 |
JP5642731B2 (ja) | 2012-04-27 | 2014-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
US20190169436A1 (en) * | 2016-05-03 | 2019-06-06 | Dow Silicones Corporation | Silsesquioxane resin and silyl-anhydride composition |
US10990012B2 (en) * | 2016-05-03 | 2021-04-27 | Dow Silicones Corporation | Silsesquioxane resin and oxaamine composition |
-
2017
- 2017-06-08 JP JP2018565068A patent/JP6989532B2/ja active Active
- 2017-06-08 US US16/099,278 patent/US11370888B2/en active Active
- 2017-06-08 KR KR1020197000012A patent/KR102395936B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-08 WO PCT/US2017/036524 patent/WO2017218286A1/en active Application Filing
- 2017-06-08 CN CN201780037110.7A patent/CN109415513B/zh active Active
- 2017-06-13 TW TW106119705A patent/TWI751171B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109415513B (zh) | 2022-02-25 |
KR20190020314A (ko) | 2019-02-28 |
US20190211155A1 (en) | 2019-07-11 |
TWI751171B (zh) | 2022-01-01 |
JP2019519647A (ja) | 2019-07-11 |
KR102395936B1 (ko) | 2022-05-11 |
CN109415513A (zh) | 2019-03-01 |
TW201802146A (zh) | 2018-01-16 |
US11370888B2 (en) | 2022-06-28 |
WO2017218286A1 (en) | 2017-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6989532B2 (ja) | ケイ素豊富なシルセスキオキサン樹脂 | |
TWI424033B (zh) | 包含稠合芳香環之抗反射塗料組合物 | |
JP4881313B2 (ja) | レジスト組成物及びレジスト画像の形成方法 | |
JP7265356B2 (ja) | シルセスキオキサン樹脂及びオキサアミン組成物 | |
TW201527359A (zh) | 作為硬光罩及填充材料之穩定金屬化合物、其組合物及其使用方法 | |
KR20080081167A (ko) | 광가교 경화의 레지스트 하층막을 형성하기 위한 규소 함유레지스트 하층막 형성 조성물 | |
JP2011123517A (ja) | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス | |
TW201044113A (en) | Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, and pattern forming method | |
TW201213467A (en) | A composition for coating over a photoresist pattern | |
WO2018179704A1 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2022521531A (ja) | 改善された貯蔵寿命を有するハードマスク及び充填材料として有用な無機酸化物成分及びアルキニルオキシ置換スピンオン炭素成分を含むスピンオン組成物 | |
TWI541609B (zh) | 填隙組成物、填隙方法以及使用該組成物製造半導體元件的方法 | |
KR102217399B1 (ko) | 실세스퀴옥산 수지 및 실릴-무수물 조성물 | |
US20140322914A1 (en) | Gap embedding composition, method of embedding gap and method of producing semiconductor device by using the composition | |
JP7149958B2 (ja) | ポジ型感光性シロキサン組成物、およびそれを用いて形成した硬化膜 | |
WO2020170934A1 (ja) | 膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法 | |
WO2019022855A1 (en) | SILSESQUIOXANE COMPOSITION HAVING POSITIVE AND NEGATIVE PHOTORESIN CHARACTERISTICS | |
KR102626975B1 (ko) | 포지티브형 감광성 실록산 조성물 및 이를 사용하여 형성된 경화막 | |
TW202413494A (zh) | 硬化性分支狀有機聚矽氧烷、含有其之高能量線硬化性組成物及其用途 | |
TW202413493A (zh) | 硬化性分支狀有機聚矽氧烷、含有其之高能量線硬化性組成物及其用途 | |
KR20220041836A (ko) | 조성물, 규소 함유막, 규소 함유막의 형성 방법 및 반도체 기판의 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181218 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20190131 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190318 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211102 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6989532 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |