JP3416134B2 - 付着方法 - Google Patents
付着方法Info
- Publication number
- JP3416134B2 JP3416134B2 JP51189694A JP51189694A JP3416134B2 JP 3416134 B2 JP3416134 B2 JP 3416134B2 JP 51189694 A JP51189694 A JP 51189694A JP 51189694 A JP51189694 A JP 51189694A JP 3416134 B2 JP3416134 B2 JP 3416134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- gold
- substrate
- product
- organometallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 42
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 30
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 52
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 25
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 24
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 21
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- -1 organometallic fluorides Chemical class 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 8
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 7
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 7
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910003803 Gold(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N benzene-d6 Chemical compound [2H]C1=C([2H])C([2H])=C([2H])C([2H])=C1[2H] UHOVQNZJYSORNB-MZWXYZOWSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 4
- RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K gold trichloride Chemical compound Cl[Au](Cl)Cl RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000001460 carbon-13 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000000806 fluorine-19 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- ZBKIUFWVEIBQRT-UHFFFAOYSA-N gold(1+) Chemical compound [Au+] ZBKIUFWVEIBQRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBMIPXHVOVTTTL-UHFFFAOYSA-N gold(3+) Chemical compound [Au+3] CBMIPXHVOVTTTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- FBEIPJNQGITEBL-UHFFFAOYSA-J tetrachloroplatinum Chemical compound Cl[Pt](Cl)(Cl)Cl FBEIPJNQGITEBL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XILIYVSXLSWUAI-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl n'-phenylcarbamimidothioate;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCN(CC)CCSC(N)=NC1=CC=CC=C1 XILIYVSXLSWUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZMVXMBFSDHUOV-UHFFFAOYSA-M CCC(C)[Au](C(C)CC)F Chemical group CCC(C)[Au](C(C)CC)F SZMVXMBFSDHUOV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- UTLYKVGGKZYRRQ-UHFFFAOYSA-L dibutyltin(2+);difluoride Chemical compound CCCC[Sn](F)(F)CCCC UTLYKVGGKZYRRQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 238000006317 isomerization reaction Methods 0.000 description 2
- LWLPYZUDBNFNAH-UHFFFAOYSA-M magnesium;butane;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].CCC[CH2-] LWLPYZUDBNFNAH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 2
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BOSAWIQFTJIYIS-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloro-2,2,2-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)(Cl)Cl BOSAWIQFTJIYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-Trichlorotrifluoroethane Chemical compound FC(F)(Cl)C(F)(Cl)Cl AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutane Chemical compound CCCCBr MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGBJHURWWWLEQH-UHFFFAOYSA-N Butyl-cyclohexane Natural products CCCCC1CCCCC1 GGBJHURWWWLEQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYOLVILCWNVCJX-UHFFFAOYSA-M C(C)(C)(C)[Pt]F Chemical compound C(C)(C)(C)[Pt]F MYOLVILCWNVCJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SNEAAPDYPDGHBK-UHFFFAOYSA-M C(CC)[Pt]F Chemical compound C(CC)[Pt]F SNEAAPDYPDGHBK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CFYGXNGJVWMVSR-UHFFFAOYSA-M C(CCC)[Au](Br)CCCC Chemical class C(CCC)[Au](Br)CCCC CFYGXNGJVWMVSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PYKLONYONORCTJ-UHFFFAOYSA-N C(CCC)[Pt] Chemical compound C(CCC)[Pt] PYKLONYONORCTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWUJTVLZRDPZML-UHFFFAOYSA-N C1(CCCCC1)[Au] Chemical class C1(CCCCC1)[Au] BWUJTVLZRDPZML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGYREYICSLQDOJ-UHFFFAOYSA-L CCCC[Au](F)F Chemical compound CCCC[Au](F)F CGYREYICSLQDOJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MIEFVQIJSAGPBZ-UHFFFAOYSA-N CCC[Mg] Chemical compound CCC[Mg] MIEFVQIJSAGPBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYDZEJBESLSTNT-UHFFFAOYSA-N C[Au]C1CCCCC1 Chemical compound C[Au]C1CCCCC1 MYDZEJBESLSTNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000109539 Conchita Species 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical group N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N benzyl bromide Chemical group BrCC1=CC=CC=C1 AGEZXYOZHKGVCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L dibutyl(dichloro)stannane Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)CCCC RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002344 gold compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000005828 hydrofluoroalkanes Chemical group 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000000411 inducer Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229920005588 metal-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- CJPQIRJHIZUAQP-UHFFFAOYSA-N methyl N-(2,6-dimethylphenyl)-N-(phenylacetyl)alaninate Chemical compound CC=1C=CC=C(C)C=1N(C(C)C(=O)OC)C(=O)CC1=CC=CC=C1 CJPQIRJHIZUAQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N n-propylcyclohexane Natural products CCCC1CCCCC1 DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000002577 pseudohalo group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006894 reductive elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F1/00—Compounds containing elements of Groups 1 or 11 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
- G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
る。この方法は、集積回路およびフォトマスクの製造に
用いることができる。
植の分野における現代の技術的要求は、サブミクロンサ
イズの超微細金属線を不活性基材表面に付着させること
のできる方法を必要としている。広範囲の分野において
はサブミクロン技術に対する需要がかなりあるが、慣用
的なリソグラフ法によるナノ(10-9m)スケールの金属
付着プロセスの開発には多くの困難がある。リソグラフ
法は、基材表面にパターンを転写する方法である。この
プロセスの前に、基材層表面に最終的に形成させるべき
パターンを定義するフォトマスクを作らなければならな
い。
に平坦に表面を研磨した高純度石英の表面に、金属、通
常は、耐スクラッチ性または耐エッチング性と良好な密
着性とを持つクロムの被膜を金属付着法により形成する
ことにより作られる。その後、マスク材の回転円板の中
央にレジスト液を滴下することにより、露出金属表面を
電子ビームレジスト(電子ビームに対する感応性を有
し、電子ビームにさらされることにより崩壊する材料)
で覆う。その後、オーブン中でレジストを焼き付け、乾
燥させる。前記電子ビームレジストの構成材料は通常ポ
リブチルスルフォン(PBS)である。
スト面に照射されてレジストの一部を劣化させ、これに
より、集積回路に必要なパターンが後に残る。その後、
適当なエッチング液を用いて劣化レジストを溶解除去し
て、劣化レジストが元あった領域の金属層を露出させ
る。この露出金属を硝酸セリウムアンモニウムで湿式エ
ッチングして除去し、石英基材表面を露出させる。その
後、後に残ったレジストを残留金属表面から焼失させる
ことにより、金属でマスクされた領域以外の部分だけを
高が透過することのできる製品が得られる。
クを通して紫外線を透過させて形成領域中のフォトレジ
ストを劣化させることによって、フォトレジストを塗布
したシリコンチップ表面にパターンを形成するために使
用される。
ば、劣化したフォトレジストが完全には均一に溶解しな
い恐れがある。これは多くの製品には問題ないが、現在
のコンピュータ技術分野では、集積回路に高密度パター
ンがますます要求されているため、ナノスケールレベル
以下のより高解像度のフォトマスクが要求されている。
クロムを除去するため、解像度の損失領域が増える。エ
ッチング剤がクロムの上部露出面を攻撃するが、エッチ
ング剤がクロム層中に浸透するので、エッチング効果が
単一方向に働かない。そのため、エッチング剤により、
残存クロムの垂直壁が形成される代わりにクロム壁が腐
食され、アンダーカットされた形となる。このため、集
積回路の製造時、紫外線が拡散されて、形成パターンの
解像度が低下する恐れがある。これは、マスク製造にお
ける主な問題の一つである。
合、それぞれの形状が完成チップの適切な箇所に現れる
ようにするためには各マスクの正確な位置決めが絶対に
必要である。エピタキシ(epitaxy)における問題がパ
ターンのシフトとこのような位置決めとを引き起こしう
る。通常、位置決め精度は、±0.2μmである。位置決
めの問題、エピタキシ成長の問題、アンダーカッティン
グ、ミクロンサイズおよびサブミクロンサイズでのリソ
グラフ法を行う際の建設的および相殺的干渉は、すべ
て、ナノメータサイズでのマスク製造が全く新しい製造
方法を必要としていることを示している。
用いる従来の方法は、高仕様の正確な直線の付着と、集
積回路の製造時に円弧よりもむしろ完全直角の形成とを
確実に行うことのできる仕様をまだ持っていない。メタ
ライゼーションの従来法の低仕様は、回路がオーバーラ
ップしたり、ナノスケールの回路の線を引く際に耐え切
れずに回路が破損したりする結果に終わる可能性があ
る。さらに、電流を流すのに超微細線が必要な場合、回
路の集積度がそのまま残ることが基本的な要件である。
そのため、酸化する電導材料は、上記のようなナノメー
タサイズで取り扱うためには理想的でない。
劣化して付着物を生成しうるフッ化有機金属化合物を基
材に付着する工程と、基材に付着している前記化合物の
選択された表面領域に前記輻射ビームまたは粒子ビーム
を照射する工程と、劣化した前記化合物および未変化の
前記化合物を前記基材から除去する工程とを含む化学付
着方法を提供する。前記基材表面には付着物が残され
る。
ビームまたは粒子ビームと接触した箇所だけが劣化す
る。言い換えれば、前記化合物の劣化により生じる付着
物のサイズは、照射ビームの焦点幅に正比例する。本発
明の方法により、ナノメータスケールのサイズを達成す
ることができる。
着物を形成する場合、本発明の方法は、集積回路を基材
表面に直接作るために用いることができる。前記付着物
は、好ましくは、金、錫、クロムなどの金属またはその
合金であり、あるいは、電導性の非金属、または、ゲル
マニウムなどの半金属であってもよい。
ムの効果の下に劣化して電導性好ましくは金属性の付着
物を生成しうる化合物を基材に塗布する工程と、前記化
合物の選択された表面領域に前記輻射ビームまたは粒子
ビームを照射する工程と、劣化した前記化合物および未
変化の前記化合物を前記基材から除去する工程とを含
む、集積回路の製造方法を提供する。
に後でリソグラフ法に用いられるフォトマスクを製造す
るために用いることができる。この実施態様では、基材
が半透明または透明である必要があり、前記化合物の劣
化により生成する付着物が不透明である必要がある。付
着物は、従来のフォトマスクにおけるクロムのように、
集積回路の製造の際のフォトマスク使用時の紫外線透過
に対する障壁となる。
子ビームの効果の下に劣化して不透明の付着物を生成し
うる化合物を透明または半透明の基材に塗布する工程
と、前記化合物の選択された表面領域に前記噴射ビーム
または粒子ビームを照射する工程と、劣化した前記化合
物および未変化の前記化合物を前記基材から除去する工
程とを含む、フォトマスクの製造方法を提供する。
用により生成する付着物は、不透明であることだけが必
要であって、電導性を持つ必要はない。そのため、前記
付着物は、金属であろうと非金属であろうと、任意の適
当な不透明材料であってもよい。不透明な付着物は、た
とえば、金、錫、ゲルマニウム、クロムなどの金属もし
くは半金属、合金、または、シリコン、炭素などの非金
属である。
く、その場合、輻射ビームをレーザービームの形で用い
て前記化合物を劣化させて付着物を生成させることがで
きる。
この場合、前記化合物は、たとえば、電子ビームの効果
の下に劣化して基材表面に金属を付着しうる有機金属化
合物である。
ことのできる有機金属材料の立体特性は、有機金属化合
物において正方形平面の幾何学を与えるd8の立体配置を
選択することにより最適化される。このような化合物に
は、金、白金またはパラジウムの有機金属フッ化物が含
まれる。
物を提供する。この化合物は、必要に応じ、本発明の方
法に用いてよい。
合物の中で特に有用な金属であり、その適当な有機金属
形態は、ジ−sec−ブチル金(III)フッ化物2量体であ
る。
状態に存する。無機の金化合物は、通常、直線状の2配
位の状態を持ち、場合によっては、三角形平面または四
面体の立体配置を持つ。
が、しかし、5または6配位の状態にある。ホスフィン
またはイソシアニド基を持つ金(I)の付加化合物は知
られているが、単純な有機化合物(AuR;ここでRは任意
の有機基)はまだ発見されていない。三角形平面状の金
(I)オルガノオーレート(たとえば、Li(AuC
H3)2)は、低安定性で、メチル基の還元的脱離により
自発的に分解してエタンを生成する。三角形平面状の金
錯体は、もっと大きな配位子を持つ錯体(たとえば、Li
(PMDT(AuCH3)2;ここでPMDTはペンタメチルジエチレ
ントリスアミン)であれば安定化する。
Cl結合へのガルベンの挿入により得ることができる。
子の追加が必要である。正方形平面状の化合物、たとえ
ば(C6F5)2AuClPPh3が得られる。ハロゲン−金架橋錯
体が下記の金化合反応により知られている。
ポリアルキル金属フッ化物、たとえばポリジブチル錫二
フッ化物であり、これらの化合物は、一般的に、輻射ま
たは粒子ビームの照射の影響を受けた該化合物の領域を
十分な解像度にできる直鎖を含有する。
る。なぜなら、フッ化物成分は、ケイ素、石英などの基
材と照射後に形成される金属膜との間の密着力を高める
からである。密着力が高くなるのはSi−F結合の形成に
よると考えられる。この高密着力は、等量の塩化物およ
び臭化物では得られない。有機金属化合物としてテトラ
−sec−ブチル二金二フッ化物を用いたときに特に良好
な密着力が観察される。さらに有利な点は、フッ化化合
物を用いた場合に有機金属化合物の特に均一な分散がみ
られることである。
ないが、金のペンタフルオロカルコーゲネート誘導体
(Au(OTeF5)3)が知られている。OTeF5基は、擬ハロ
ゲンとみなされることが多いが、より正確には擬フッ素
である。架橋物を形成しうるという金原子の性質は、金
のペンタフルオロカルコーゲネート化合物を唯一知られ
ているOTeF5基のバイナリー型遷移金属誘導体にする。
この化合物は、末端TeF5基4個とu−オキソ架橋二座配
位OTeF5基2個を持つセントロシンメトリック(centros
ymmetric)な2量体である。
程を含む、ポリジブチル錫二フッ化物の製造方法をさら
に提供する。ポリジブチル錫二塩化物は市販されている
が、室温では不安定である。一方、ポリジブチル錫二フ
ッ化物は知られているが、今までは製造することが非常
に困難であった。
うことができ、得られたポリジブチル錫二フッ化物は、
それを石英などの透明または半透明の基材に、たとえば
該基材を回転させながら塗布することによりフォトマス
クを製造するのに用いることができる。
のポリジブチル錫二フッ化物を、たとえば滴下すること
により上記石英にゆっくり塗布する。その後、溶媒を除
去すると、有機金属化合物の正確に制御された層が後に
残る。
基材に塗布した後、好ましくは操作初期に基材との界面
から溶媒を除去する効果を持つマイクロ波加熱により溶
媒を除去して、付着した劣化性化合物と基材との間に有
効な密着力を生じさせることによって不透明材料を基材
表面に付着させることができる。
収率に対する溶媒の極性の影響を調べるために、シクロ
ヘキサン、n−ヘキサン、イソペンタン、クロロフルオ
ロカーボン113(CCl2FCClF2)、CFC−113a(CCl3C
F3)、n−ペンタンおよびイソペンタンについて試験し
た。その結果、石英基材表面に有機金属材料を平滑かつ
均一に配分するのに最適な溶媒は低沸点の脂肪族炭化水
素であることがわかった。したがって、n−ペンタンま
たはイソペンタンが、室温下で行う作業のためには優れ
た溶媒である。
2.1gを含む三角フラスコに特級メタノール(50ml,B.D.
H.)を入れた。フラスコを振って固体材料を溶解させ
た。ジブチル錫二塩化物(0.5g、アルドリッチ薬株式会
社)を加え、フラスコに栓をし、パラフィンフィルムで
密封した。反応系を1時間シェイクした後、室温で12時
間放置した。
ッ化ナトリウムを除去した後、溶離液を層分離容器に入
れた。石油エーテル(沸点60−80℃、100ml)を溶離層
に加え、反応混合物をシェイクした後、混合物を静置
し、分離させた。上層を用い、メタノール(100ml)に
よる精製プロセスをさらに3回繰り返した後、最後に上
層を250mlの丸底フラスコに移した。反応溶液を含むフ
ラスコをロータリーエバーポレータに据え付けて沈殿物
が現れるまで蒸留した。
フッ化物の低分子量重合体として同定した。
の溶液を清浄な研磨石英板の上に糸状にかけた。溶媒を
とばすと、石英基材表面にジブチル錫二フッ化物の重合
体の被膜が形成された。石英基材に支えられた有機金属
被膜をJEOL T300走査電子顕微鏡の中に入れ、有機金属
試料の100×100μmの面積にわたって5秒〜10分の間、
電子(エネルギー30keV)で衝撃(ボンバード)処理し
た後、隣の領域に対し、同様の処理を行った。
検査した結果、約10μm幅の金属粒子の線状トラックが
見られた。劣化しなかったポリジブチル錫二フッ化物被
膜をメタノールで溶解除去した。
シリコンチップに緻密で不連続のパターンを形成するこ
とができる非常に高解像度のフォトマスクを作ることが
できる。この方法によれば、従来法とは異なり、溶解に
よる問題を生じる電子ビームレジストを形成したりウェ
ットエッチング工程を行ったりする必要がなくなる。電
子ビームレジストの形成およびウェットエッチング工程
の実行はフォトマスクの解像度と性能を低下させる。
ングを洗浄することにより脱脂した後、マグネチック撹
拌バーを入れた丸底フラスコに仕込んだ。充分量のナト
リウム乾燥エーテルを加え、これでマグネシウムターニ
ングを覆った。水冷コンデンサーと、臭化ジブチル(ア
ルドリッチ薬品株式会社)5.62gおよびナトリウム乾燥
エーテル80mlを入れた滴下漏斗とを前記フラスコに取り
付けた。臭化ジブチル/エーテル混合物をゆっくり滴下
し、撹拌しながらマグネシウムターニングと反応させ
た。この反応系を室温で2時間反応させた。
をエーテル20mlに溶解した溶液(氷粉で冷却したもの)
を含む2口丸底フラスコに取り付けた乾燥滴下漏斗に、
上記で得られた臭化ブチルマグネシウムのエーテル溶液
を入れ、これを上記金(III)塩化物の溶液に撹拌しな
がらゆっくり20分かけて滴下した。反応終了後、反応混
合物に氷粉を加えて冷却し、室温になるまで放置した。
応混合物からイソペタンで抽出した。乾燥メタノール/
イソペンタン相分離工程をさらに3回行った。得られた
生成物の混合物を、50mlの乾燥メタノール(BDH)に溶
解したフッ化ナトリウム(アルドリッチ薬品株式会社)
2.1gと反応させ、室温で24時間シェイクした。その後、
混合物を焼成ガラスフィルタで濾過して未溶解のNaFを
除去した後、濾液を相分離容器に移した。反応生成物を
含むイソペンタン/乾燥メタノール混合物を用い、相分
離サイクルを3回繰り返した。この分離の各ステップで
は炭化水素相を次回の分離ステップに回した。最終の炭
化水素相を丸底フラスコに移し、これをロータリーエバ
ーポレータに取り付け、沈殿物が現れるまで蒸留した。
得られた生成物は、白色ワックス状の外観を有し、刺激
臭がした。生成物を皮膚につけたところ、コロイド状の
金を析出した紫色のシミが後に残った。
13C,19Fおよび分極移動による無歪み増幅(Distortionl
ess Enhancement by Polarization Transfer;DEPT)液
相NMR(核磁気共鳴)分析により、上記生成物の特性を
分析し、その結果を図1〜5に示した。また、生成物を
同定するために質量スペクトル分析も行い、その結果を
図6〜7に示した。
に、1.38ppm(6重線)、1.13ppm(6重線)および0.79
ppm(2重線−2重線)に吸収ピークがみられた。生成
物の2次元1H−NMR分析では図2にみるように3つのプ
ロトン環境がみられ、DEPT分析では図4に見るように有
機物の液体へのプロトン転移は偶数個のプロトンを持つ
炭素原子が1個、奇数個のプロトンを持つ炭素原子が3
個であることがわかった。生成物の13C−NMR分析では、
図3にみるように、TMSに対する化学シフト値で31.5pp
m,29.7ppm,22.2ppm,11.7ppmに計4個の吸収ピークがみ
られた。このデータは、生成物が4つの炭素原子環境を
持つことを示す。生成物の19F−NMR分析(プロトンカッ
プル化およびプロトン脱カップル化したスペクトル)
は、−66.3ppmに単重線の吸収ピークを示し、これによ
り、生成物がフッ素原子を含むことが確認された。図5
にみる19F−NMR分析データは、また、フッ素環境が対称
フィールド中に含まれていることを示す。
ように、生成物の分子イオン質量が661amuであることが
確認された。生成物の分裂は、下記に示す分子分裂の損
失による。分裂 残存質量(amu) CH3−基 647 2@CH− 632 3@CH3−+1@C4H9− 558 3@CH3−+1@C3H7−+1@C4H9− 516 1@Au 463 1@Au+1@C3H7− 421 1@Au+1@C3H7−+1@F 402 1@Au+1@C4H9−+1@F 385 1@Au+1@C4H9−+2@F 368 1@Au+2@C4H9−+1@C3H7− +2@F 269 石英で支持された有機金生成物の付着フィルムのUV分
析は、このフィルムが900nm−350nmの範囲のUV透過性を
有することを示したので、このフィルムは、UVリソグラ
フ法に適用できるマスクの製造に適している。
物の抽出、および、石英基材表面への上記生成物の付着
に使用すべき最適溶媒が低沸点の飽和アルカンであるこ
とを示す。そのため、イソペンタン溶媒を用い、石英基
材表面に上記で得られた生成物を塗布した。
ーム衝撃処理を行う前に、被覆された石英基材をマイク
ロ波にさらすことにより高められる。本プロセスは、有
機金フィルムと石英基材の間にトラップされた残存溶媒
を効果的に留去して界面での接触性を向上させると考え
られる。石英基材は、また、有機金属蒸気蒸着技術(OM
VD)により有機金材料で被覆することも可能である。OM
VD蒸着法は、溶媒を使用する方法に比べて、より平滑、
かつ、より均一な有機金被膜を形成させる。
英基材の電子ビーム衝撃処理を行った。顕微鏡に20kVの
加速電圧をかけ、電子ビームの下で手動でサンプルの焦
点合わせと移動を行った。その結果、電子ビーム照射下
で有機金材料が容易に金属成分に還元された。JEOL顕微
鏡により得られる焦点合わせ力を用い現在まで達成され
た最良の線幅は500nmである。
に塗布し、電子ビーム衝撃処理した。その結果、還元金
フィルムが石英基材表面に形成された。
マーの蒸気相蒸着法を用いるなどの一部変更及び改良を
行ってもよい。
洗浄して脱脂した後、マグネチック撹拌バーを入れた2
口丸底フラスコに入れた。充分量のナトリウム乾燥エー
テルを加えてマグネシウムターニングを覆った。水冷コ
ンデンサーと、臭化ジブチル(アルドリッチ薬品株式会
社)5.62gおよびナトリウム乾燥エーテル80mlを入れた
滴下漏斗とを前記フラスコに取り付けた。臭化ブチル/
エーテル混合物をゆっくり滴下し、撹拌しながらマグネ
シウムターニングと反応させた。この反応系を室温で2
時間放置して反応させた。
チ薬品株式会社)を含む2口丸底フラスコに取り付けた
乾燥滴下漏斗に、上記で得られた臭化ブチルマグネシウ
ム/エーテル混合物を入れ、これを上記白金(IV)塩化
物の溶液に撹拌しながらゆっくり滴下した。反応終了
後、反応混合物に氷粉を加えて冷却し、室温になるまで
放置した。
り反応混合物からn−ペンタンで抽出した。乾燥メタノ
ール/n−ペンタン相分離工程をさらに3回行った。得ら
れた生成物の混合物を、前記ポリジブチル錫二フッ化物
に対して行った操作と同様にして、乾燥メタノール中で
フッ化ナトリウムと反応させた。
n−ペンタン溶液を清浄な石英基材に塗布した後、マイ
クロ波加熱器中でn−ペンタンを留去し、上記生成物を
石英表面に焼き付けた。このマイクロ波加熱工程によ
り、石英自身の表面からではなく石英との界面から溶媒
が確実に留去された。その結果、上記生成物の非常に良
好な付着物が石英表面に形成され、電子ビーム衝撃処理
後、非常に良好な解像度が得られた。石英基材で支持さ
れた還元白金金属のフィルムが得られた。
材に塗布し、電子ビーム衝撃処理した。その結果、石英
基材に支持された還元白金金属のフィルムが得られた。
ル、ベンジルの各類似物の調製 実施例2と同様の操作を行って、有機金ハロゲン化物
のプロピル、ターシャリーブチル、シクロヘキシルメチ
ル、ベンジルの各類似物を調製した。有機マグネシウム
ハロゲン化物中間体の調製では、脱脂マグネシウムター
ニングを、プロピル、ターシャリーブチル、シクロヘキ
シルメチル、ベンジルの各臭化物と反応させた。
のエーテル溶液との反応から得られた生成物の1H−NMR
分析の結果を図9に示す。このNMRデータは、TMS(テト
ラメチルシラン)に対して0.89ppm(3重線)と1.29ppm
(多重線)の位置に吸収ピークを示す。この結果は、プ
ロピル配位子から予想されるスペクトルと一致する。1.
57ppmの広い吸収帯は、電子遮蔽を誘導する基に隣接す
るメチレン基について予想されるものと一致する。13C
−NMR分析の結果を図10に示す。ノイズがあるが、TMSに
対して14ppm,22ppm,33ppmに計3個の吸収ピークがみら
れる。13Cの環境はそれぞれCH3−CH2−基と遮蔽された
−CH2−基と一致する。サンプルの19F−NMR分析(プロ
トンカップル化およびプロトン脱カップル化)では、CC
l3Fに対して−67.64ppmに単重線がみられ、これは、上
記生成物が対称フィールド中にフッ素を含むことを示
す。
た後、この被覆石英基材を実施例2と同様にして電子ビ
ーム衝撃処理した。この処理により上記生成物が還元さ
れ、テトラブチル二金二フッ化物から得られるものと同
じ金線が形成された。
に示す。このNMRデータは、TMSに対して7.3ppm(多重
線)と2.9ppm(単重線)の位置に主な吸収ピークを示
す。痕跡量のイソペンタンによるかなり小さなピークも
明らかであった。このNMRスペクトルは、生成物が配位
ベンジル基を含むことを示す。13C−NMRスペクトルを図
12に示す。このスペクトルは、TMSに対して141.7ppm,12
8.5ppm,128.3ppm,125.9ppm,37.9ppmの位置に吸収ピーク
を示す。13Cの環境は、電子誘導物に配位したベンジル
基に対する遮蔽効果の寄与による。19F−NMRスペクトル
は、CFC−11に対して−67ppmに単重線の吸収ピークを示
し、これは、前記のサンプルについて得られたものと同
様であった。
液との反応から得られた生成物を清浄な石英基材に塗布
し、実施例2と同様にして電子ビーム衝撃処理したが、
上記生成物は還元されず、金属線は得られなかった。
ーテル溶液との反応から得られた生成物の1H−NMR分析
の結果を図13に示す。このNMRデータは、TMSに対して1.
24ppm(単重線)の位置に主な吸収ピークを示し、これ
は、t−ブチル基について予想されたものと一致する。
このNMRにおける不純物は、MeOH,TMS,CH Cl3と同定され
た。痕跡量の炭化水素溶媒によるピークもみられる。19
F−NMR分析の結果は、CFC−11に対して−68ppmに1つの
吸収ピークを示した。上記生成物を清浄な石英基材に塗
布し、実施例2と同様にして電子ビーム衝撃処理した
が、上記生成物は還元されず、金の金属線は得られなか
った。
して36.15ppm,34.67ppm,33.6ppm,26.6ppm(2重線)に
吸収ピークを示し、メチルシクロヘキサンについて予想
されるスペクトルと一致する。1H−NMR分析の結果を図1
5に示す。このスペクトルは、1.2ppm、1.6ppm,1.7ppm
(いずれも単重線),2.9ppm,3.25ppm(いずれも2重
線)の位置に吸収ピークを示し、これは、メチルシクロ
ヘキサンのスペクトルと一致する。19F−NMRスペクトル
を図16に示す。CFC−11に対して−68ppmに単重線の吸収
ピークが再び観察された。
清浄な石英器材に塗布し、実施例2と同様にして電子ビ
ーム衝撃処理した。その結果、光学顕微鏡で観察できる
程度の微細な金の線を付着させるのに用いられる条件下
で上記生成物が還元された。得られた金線の幅は約500n
mであった。
ピル、ブチル、メチルシクロヘキサン類似物を調製し
た。各有機マグネシウムハロゲン化物中間体を白金(I
V)塩化物(ジョンソン マーシィ:Johnson Matthey)
のエーテル溶液と0℃で反応させた。生成物の相分離を
実施例2と同様にして行った。得られた生成物は、前記
の金錯体から得られたものと同様に白色ワックス状の外
観を有していた。
分析 1H−NMR分析の結果を図17に示す。このNMRデータは、
1.25ppm(単重線)の位置に主な吸収ピークを示し、こ
れは、分析サンプル中にメタノール溶媒が含まれていた
ことを示す。19F−NMR分析では、−67.66ppmに1つの吸
収ピークがみられた。
溶液との反応から得られた生成物の1H−NMR分析の結果
を図18に示す。このNMRデータは、TMSに対して0.82ppm
(2重線)、1.28ppm(単重線)、1.39ppm(単重線)、
1.5ppm(単重線)の位置に吸収ピークを示し、これは、
n−ブチル基について予想される結果と一致する。19F
−NMR分析では、図19にみるように、−67ppmに単重線の
吸収ピークがみられた。
様にして電子ビーム衝撃処理した。その結果、電子ビー
ムの影響下で上記生成物が容易に還元されて金属外観を
持つ線が付着した。
その結果を図20に示す。このNMRスペクトルは、TMSに対
して1.33ppm(単重線)、0.91ppm(単重線)、0.39ppm
(単重線)の位置に吸収ピークを示し、これは、プロピ
ル基について予想される結果と一致する。19F−NMR分析
では、−67ppmに単重線の吸収ピークがみられた。
のエーテル溶液との反応から得られた生成物の1H−NMR
分析の結果を図21に示す。このNMRスペクトルは、メチ
ルシクロヘキシル配位子について予想される結果と一致
する。13C−NMR分析の結果を図22に示す。このNMRスペ
クトルからも、上記生成物がメチルシクロヘキシル配位
子を含むことが確認される。
て行った。各有機マグネシウムハロゲン化物中間体をパ
ラジウム(II)塩化物のエーテル溶液と反応させた。生
成物は熱的に不安定で、約50℃でパラジウム分が析出し
た。析出したパラジウム金属は、ガラス表面に強く付着
していたため、酸を使用しないと取り除くことができな
かった。
ル溶液との反応から得られた生成物の1H−NMR分析の結
果を図23に示す。このNMRスペクトルは、配位の中心と
の相互作用の弱いブチル配位子について予想される結果
と一致する。13C−NMRスペクトルでは、生成化合物中に
3個の異なる環境を持つ炭素原子の存在が示された。ま
た、図25に示す19F−NMRスペクトルは、−67ppmに単重
線の吸収ピークを示す。
の各金錯体を電子ビーム衝撃処理により金属まで還元す
ることができることを示す。金錯体のプロピルおよびシ
クロヘキシル類似物の調製においては、合成処理時に転
位が起こらなかった。これらの化合物の1H−NMRスペク
トルは、有機配位子へのフッ素原子の収容による分裂パ
ターンを示していない。これらの化合物がその構造中に
構成要素としてフッ素原子を含んでいるかどうかが決定
すべきこととして残っている。前記各生成物の19F−NMR
スペクトルは、フッ素原子環境の周囲に対称的な場を与
える形でフッ素原子が存在することを示す。フッ素原子
が隣接する炭素原子に影響を与える性質を持ち、長い範
囲のカップリングを引き起こすと仮定すると、フッ素原
子がどのような形にあろうとも、フッ素原子が有機配位
子から遮蔽されるため、カップリングは起こり得ないと
思われる。
ブチル金(III)フッ化物の生成に影響を及ぼす化学に
関するいくつかの疑問を提起する。第一に、有機配位子
自体はフッ素原子を含有しないことに着目することが重
要である。プロトンスペクトルではプロトンシグナルの
分裂が観察されず、19F−NMRではヒドロフルオロアルカ
ン基の存在を示すシグナルがなかった。したがって、n
−アルカンの異性化ステップは、フッ素化プロセス中に
は起こり得ない。異性化には、通常、NaFのメタノール
溶液との反応時においてF-イオンの存在下でカルボカチ
オンが生成するとすぐにフッ素化有機配位子が生成する
ことが必要であるが、それを示すデータはない。したが
って、上記に示した実験データは、フッ化物の製造にお
いてはある段階で分子内転位が起こることを暗示する。
し、その分裂パターンは式(sec−ブチル)4Au2F2の完
全に一致する。金(III)は、正方形平面配置を与え、
架橋二量体を形成しうる金の性質の基である5d8の立体
配置を持つことを忘れてはならない。したがって、テト
ラキス−sec−ブチル金(III)二フッ化物の構造は下記
に示すものであると推定される。
つので、マスク製造に応用できる。
は金属線の付着物は得られなかった。これらの化合物
は、充分な誘導特性を持ち、隣接する部分の電子密度を
高めることができる。これは、金錯体の還元性に影響を
持つかもしれない。
示された。また、パラジウムのシクロヘキシル化類似物
は、電子ビーム衝撃法により還元することができた。50
℃でパラジウム錯体を熱劣化させると、強くこびりつい
たパラジウム金属フィルムができ、このフィルムは酸と
反応させないと除去できなかった。この結果は、有機金
属錯体のパラジウム類似物がレーザー劣化による金属付
着に好適な候補者であることを示す。
Claims (16)
- 【請求項1】輻射ビームまたは粒子ビームの効果の下に
劣化して付着物および劣化化合物残さを生成しうるフッ
化有機金属化合物を基材に付着させる工程と、基材に付
着している前記化合物の選択された表面領域に前記輻射
ビームまたは粒子ビームを照射する工程と、劣化した前
記化合物残さおよび未変化の前記化合物を前記基材から
除去する工程とを含む化学付着方法。 - 【請求項2】前記付着物が電導性材料であり、集積回路
を製造するために行われる請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】前記基材が透明または半透明の材料であ
り、前記付着物が不透明であり、フォトマスクを製造す
るために行われる請求項1に記載の方法。 - 【請求項4】前記化合物が金、白金、パラジウムまたは
錫の有機金属フッ化物である請求項1から3までのいず
れかに記載の方法。 - 【請求項5】前記化合物がテトラ−sec−ブチル二金二
フッ化物である請求項1から4までのいずれかに記載の
方法。 - 【請求項6】前記基材への付着工程の後、かつ、前記輻
射ビームまたは粒子ビームの照射工程の前に、前記化合
物にマイクロ波を照射する工程をさらに含む請求項1か
ら5までのいずれかに記載の方法。 - 【請求項7】有機金属蒸気蒸着(OMVD)法により前記化
合物を前記基材に塗布する請求項1から5までのいずれ
かに記載の方法。 - 【請求項8】前記化合物をレーザービーム、紫外線ビー
ムおよび/または電気ビームにより劣化させる請求項1
から7までのいずれかに記載の方法。 - 【請求項9】請求項1、2および4〜8のうちのいずれ
かに記載の方法により得られる集積回路。 - 【請求項10】請求項1および3〜8のうちのいずれか
に記載の方法により得られるフォトマスク。 - 【請求項11】ナノメータスケールの解像度を持つ、請
求項9に記載の集積回路。 - 【請求項12】ナノメータスケールの解像度を持つ、請
求項10に記載のフォトマスク。 - 【請求項13】請求項10または12に記載のフォトマスク
を用いて製造された集積回路。 - 【請求項14】請求項1から8までのいずれかに記載の
方法に使用するフッ化有機金属化合物。 - 【請求項15】金、白金、パラジウムまたは錫の有機金
属フッ化物である請求項14に記載の有機金属化合物。 - 【請求項16】請求項1から8までのいずれかに記載の
方法に使用する輻射ビームまたは粒子ビーム。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB929224233A GB9224233D0 (en) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | Photomask |
GB9224233.8 | 1992-11-19 | ||
GB939306446A GB9306446D0 (en) | 1993-03-27 | 1993-03-27 | Photomask |
GB9306446.7 | 1993-03-27 | ||
GB9317750.9 | 1993-08-26 | ||
GB939317750A GB9317750D0 (en) | 1993-08-26 | 1993-08-26 | Photomask |
PCT/GB1993/002391 WO1994011787A1 (en) | 1992-11-19 | 1993-11-19 | Method of deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08507870A JPH08507870A (ja) | 1996-08-20 |
JP3416134B2 true JP3416134B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=27266467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51189694A Expired - Fee Related JP3416134B2 (ja) | 1992-11-19 | 1993-11-19 | 付着方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5821017A (ja) |
EP (1) | EP0670055B1 (ja) |
JP (1) | JP3416134B2 (ja) |
AT (1) | ATE153147T1 (ja) |
AU (1) | AU5531294A (ja) |
CA (1) | CA2149645A1 (ja) |
DE (1) | DE69310763T2 (ja) |
SG (1) | SG65569A1 (ja) |
WO (1) | WO1994011787A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3540047B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2004-07-07 | 株式会社島津製作所 | 微細パターン作成方法 |
DE19618447A1 (de) | 1996-05-08 | 1997-11-20 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Lithographisches Verfahren zur Erzeugung von Nanostrukturen auf Oberflächen |
RU2129320C1 (ru) * | 1998-05-22 | 1999-04-20 | Гурович Борис Аронович | Способ формирования проводящей структуры |
DE19934089A1 (de) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Univ Schiller Jena | Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitender Bereiche in mehrkomponentigen Materialien |
TW513745B (en) | 2000-06-06 | 2002-12-11 | Ekc Technology Inc | Method of fabricating a hard mask |
US7427529B2 (en) * | 2000-06-06 | 2008-09-23 | Simon Fraser University | Deposition of permanent polymer structures for OLED fabrication |
US7074640B2 (en) | 2000-06-06 | 2006-07-11 | Simon Fraser University | Method of making barrier layers |
US7067346B2 (en) * | 2000-06-06 | 2006-06-27 | Simon Foster University | Titanium carboxylate films for use in semiconductor processing |
US6786978B2 (en) * | 2000-08-03 | 2004-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Mass production of cross-section TEM samples by focused ion beam deposition and anisotropic etching |
GB0103495D0 (en) * | 2001-02-13 | 2001-03-28 | Univ Dundee | Methods of preparing organmetallic compounds and novel organmetallic dimers |
US6777036B2 (en) | 2001-06-06 | 2004-08-17 | Simon Fraser University | Method for the deposition of materials from mesomorphous films |
US20050103272A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-05-19 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Material processing system and method |
KR100878236B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법 |
CN1317424C (zh) * | 2003-11-25 | 2007-05-23 | 中国科学院化学研究所 | 微波辅助镀金的制备方法 |
US7294449B1 (en) | 2003-12-31 | 2007-11-13 | Kovio, Inc. | Radiation patternable functional materials, methods of their use, and structures formed therefrom |
FR2894691B1 (fr) * | 2005-12-13 | 2008-01-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de masque lithographique en reflexion et masque issu du procede |
JP6004649B2 (ja) | 2008-08-07 | 2016-10-12 | プライオグ リミテッド ライアビリティ カンパニーPryog,Llc | 金属組成物及びその製法 |
US8965159B1 (en) | 2013-11-07 | 2015-02-24 | International Business Machines Corporation | Implementing twisted pair waveguide for electronic substrates |
KR102352740B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4444801A (en) * | 1981-01-14 | 1984-04-24 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for correcting transparent defects on a photomask |
US4714627A (en) * | 1984-11-29 | 1987-12-22 | Ontario Development Corp. | Method of gold deposition using volatile organogold complexes |
US5230970A (en) * | 1985-05-20 | 1993-07-27 | At&T Bell Laboratories | Method of forming metal regions |
US4869930A (en) * | 1987-07-10 | 1989-09-26 | International Business Machines Corporation | Method for preparing substrates for deposition of metal seed from an organometallic vapor for subsequent electroless metallization |
US4888204A (en) * | 1988-09-12 | 1989-12-19 | Hughes Aircraft Company | Photochemical deposition of high purity gold films |
US5104481A (en) * | 1988-09-28 | 1992-04-14 | Lasa Industries, Inc. | Method for fabricating laser generated I.C. masks |
DE3841643C2 (de) * | 1988-12-10 | 1999-07-01 | Merck Patent Gmbh | Metallorganische Verbindungen und deren Verwendung |
US5169579A (en) * | 1989-12-04 | 1992-12-08 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Catalyst and plasma assisted nucleation and renucleation of gas phase selective laser deposition |
US5104684A (en) * | 1990-05-25 | 1992-04-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Ion beam induced deposition of metals |
JPH0799791B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1995-10-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 透明基板上の回路ライン接続方法 |
-
1993
- 1993-11-19 AT AT94900242T patent/ATE153147T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-11-19 WO PCT/GB1993/002391 patent/WO1994011787A1/en active IP Right Grant
- 1993-11-19 SG SG1996004794A patent/SG65569A1/en unknown
- 1993-11-19 AU AU55312/94A patent/AU5531294A/en not_active Abandoned
- 1993-11-19 US US08/436,394 patent/US5821017A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-19 EP EP94900242A patent/EP0670055B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-19 CA CA002149645A patent/CA2149645A1/en not_active Abandoned
- 1993-11-19 JP JP51189694A patent/JP3416134B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-19 DE DE69310763T patent/DE69310763T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-13 US US09/170,346 patent/US6071676A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0670055B1 (en) | 1997-05-14 |
AU5531294A (en) | 1994-06-08 |
DE69310763T2 (de) | 1997-12-11 |
JPH08507870A (ja) | 1996-08-20 |
DE69310763D1 (de) | 1997-06-19 |
CA2149645A1 (en) | 1994-05-26 |
US5821017A (en) | 1998-10-13 |
US6071676A (en) | 2000-06-06 |
SG65569A1 (en) | 1999-06-22 |
EP0670055A1 (en) | 1995-09-06 |
ATE153147T1 (de) | 1997-05-15 |
WO1994011787A1 (en) | 1994-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3416134B2 (ja) | 付着方法 | |
CN111971803B (zh) | 用于原子层沉积的可聚合自组装单体 | |
CA1175279A (en) | Solid state devices produced by plasma developing of resists | |
JPH10508660A (ja) | パターン化された被膜を含む金属を直接堆積させる方法 | |
JP2003532303A (ja) | 金属および金属酸化物フィルムおよびパターン化されたフィルムの付着方法 | |
US4072768A (en) | Method for making patterned gold metallization | |
JPH02133318A (ja) | 酢酸金(3) | |
US3443944A (en) | Method of depositing conductive patterns on a substrate | |
Rosenberg et al. | Electron induced surface reactions of organometallic metal (hfac) 2 precursors and deposit purification | |
JPH0310089B2 (ja) | ||
KR20110027487A (ko) | 금속 패턴 형성용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성방법 | |
WO2002095787A2 (en) | Anti-charging layer for beam lithography and mask fabrication | |
US3901770A (en) | Method for the production of microscopically small metal or metal alloy structures | |
JPS58137835A (ja) | 基板上のセレン化ゲルマニウムのレジスト層にパタンを形成する方法 | |
US4626315A (en) | Process of forming ultrafine pattern | |
US5702620A (en) | Ultrafine pattern forming method and ultrafine etching method using calixarene derivative as negative resist | |
US7410900B2 (en) | Metallisation | |
Maoz et al. | Site‐Targeted Interfacial Solid‐Phase Chemistry: Surface Functionalization of Organic Monolayers via Chemical Transformations Locally Induced at the Boundary between Two Solids | |
JPWO2021016229A5 (ja) | ||
JP3198302B2 (ja) | 微細構造パターンの形成方法 | |
JPS6013432B2 (ja) | Al又はAl合金パタ−ンの形成方法 | |
JPH0692791A (ja) | ダイヤモンドの選択形成法 | |
JPH0469937B2 (ja) | ||
JP3212372B2 (ja) | ダイヤモンド膜の選択形成法 | |
US20020197854A1 (en) | Selective deposition of materials for the fabrication of interconnects and contacts on semiconductor devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090404 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090404 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100404 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |