RU2129320C1 - Способ формирования проводящей структуры - Google Patents
Способ формирования проводящей структуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2129320C1 RU2129320C1 RU98109498/25A RU98109498A RU2129320C1 RU 2129320 C1 RU2129320 C1 RU 2129320C1 RU 98109498/25 A RU98109498/25 A RU 98109498/25A RU 98109498 A RU98109498 A RU 98109498A RU 2129320 C1 RU2129320 C1 RU 2129320C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- conductive
- radiation
- charged particles
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- OOAWCECZEHPMBX-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);uranium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[U+4] OOAWCECZEHPMBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- FCTBKIHDJGHPPO-UHFFFAOYSA-N uranium dioxide Inorganic materials O=[U]=O FCTBKIHDJGHPPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Использование: в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов. Техническим результатом изобретения является повышение разрешающей способности структуры путем создания отдельных ее элементов размером от нескольких нанометров до десятков нанометров. Сущность изобретения: способ включает нанесение на подложку слоя материала толщиной 2-20 нм, преобразуемого в проводящий воздействием модулированного излучения от источника заряженных частиц. 1 ил., 2 табл.
Description
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов.
Известен способ создания элементов проводящей структуры на диэлектрических слоях (см. описание к заявке ФРГ N 19503178, H 01 L 21/60, 1997 /1/). Способ включает разрушение оксидного слоя на поверхности алюминия и осаждение упрочняющего материала. Для этого упрочняющий материал, находящийся на подложке, переносится с помощью мощного излучения на поверхность алюминия, причем перед этим оксидный слой разрушается под действием мощного излучения и возбужденных частиц упрочняющего материала. При помощи отклоняющего устройства для луча на обрабатываемой поверхности создается слоистая металлизированная структура с требуемой геометрией рисунка. Недостатком известного способа является невозможность получения структуры с размерами отдельных элементов в несколько нанометров. Кроме того, использование способа ограничено, поскольку он применим только для алюминиевых подложек.
Известен способ формирования рисунка с применением электронного пучка (см. описание к заявке Японии N 6038411, H 01 L 21/302, 1994 /2/). Способ заключается в том, что в реакционной камере размещают систему для фокусировки электронного пучка, создают атмосферу из возбужденных реакционноспособных частиц и размещают на держателе обрабатываемую пластину. С помощью электронного пучка, несущего информацию, связанную с определенным рисунком, облучают пластину и в результате изменения ее вещества под воздействием электронного пучка и реакционноспособных частиц на пластине формируется определенный рисунок. Недостатком известного способа является сложность его осуществления, заключающаяся в формировании в камере атмосферы реакционноспособных частиц с одинаковой реакционной способностью, чтобы обеспечить воспроизводимость процесса на всех участках рисунка, что требует сложной аппаратуры контроля. Кроме того, известный способ не позволяет обеспечить получение элементов изображения, составляющих рисунок с размерами в несколько нанометров.
Наиболее близким к заявляемому по своей технической сущности и достигаемому результату является известный способ формирования проводящей структуры, включающий нанесение на подложку слоя материала и преобразование материала в проводящий под действием излучения от источника заряженных частиц (см.И.А. Аброян, А. Н.Андронов и др. Физические основы электронной и ионной технологии. М., Высшая школа, 1984, с.308-310 /3/).
Недостатком известного способа является малая разрешающая способность создаваемого рисунка (проводящей структуры), не позволяющая получать отдельные элементы структуры размером в несколько нанометров.
Заявляемый способ формирования проводящей структуры направлен на обеспечение повышения разрешающей способности структуры путем создания отдельных ее элементов размером от нескольких нанометров до десятков нанометров.
Указанный результат достигается тем, что способ формирования проводящей структуры включает нанесение на подложку слоя материала и преобразование материала в проводящий под действием излучения от источника заряженных частиц, при этом на подложку наносят слой материала толщиной 2-20 нм, а преобразование материала в проводящий проводят модулированным излучением после нанесения материала на подложку.
Отличительными признаками заявляемого способа являются
нанесение на подложку слоя материала, преобразуемого в проводящий под воздействием излучения, толщиной 2-20 нм;
преобразование материала в проводящий модулированным излучением после нанесения материала на подложку.
нанесение на подложку слоя материала, преобразуемого в проводящий под воздействием излучения, толщиной 2-20 нм;
преобразование материала в проводящий модулированным излучением после нанесения материала на подложку.
Преобразование материала в проводящий после нанесения его на подложку воздействием модулированного излучения позволяет получать на подложке проводящую структуру с заданным рисунком.
Выбор толщины слоя материала, наносимого на подложку, обусловлен необходимостью локализовать область взаимодействия излучения с преобразуемым материалом, что позволяет существенно уменьшить размеры получаемых элементов проводящей структуры. Экспериментально установлено, что при взаимодействии излучения с материалом, преобразуемым в проводящий, область взаимодействия (и соответственно преобразования материала) имеет локализованное проводящее пятно на поверхности, которое расширяется по мере углубления в материал и в объеме приобретает грушевидную форму, что обусловлено эффектами обратного рассеяния (см. фиг.). Поэтому если слой сделать тонким, то можно получить и более мелкие детали проводящей структуры. Если слой материала сделать толщиной более 20 нм, то, при всех прочих равных условиях, размеры получаемых элементов структуры начинают возрастать, если же наносить слой толщиной менее 2 нм, то будет возникать отсутствие сплошности в слое материала, что отразится на качестве формируемой проводящей структуры.
При этом проводящая структура может формироваться в виде металлического рисунка на слое диэлектрика, в виде полупроводникового рисунка на слое диэлектрика или металла и в виде рисунка одного металла на другом или на полупроводнике.
Предлагаемый способ позволяет формировать на подложке слой за слоем и таким образом получать объемные проводящие структуры, отдельные слои которой при необходимости могут быть разделены диэлектрическими слоями. В этом случае роль подложки будет выполнять предыдущий слой с выполненной в нем (или на нем) структурой (рисунком).
В качестве источника заряженных частиц может использоваться любой из числа известных - электронная пушка, ионный источник.
В качестве материала, преобразуемого в результате воздействия излучения в проводящий, могут использоваться любые из числа известных. Например, как в прототипе, это может быть нитрид металла, разлагающийся в результате воздействия излучения на азот и металл. Аналогично могут использоваться гидриды металлов и оксиды. Во всех перечисленных случаях газ будет удаляться, а металл оставаться, формируя рисунок (проводящую структуру).
Вид источника заряженных частиц выбирается исходя из свойств материала обрабатываемого слоя. Например, при использовании в качестве материала слоя различных оксидов, предпочтительно использовать ионы водорода, чтобы обеспечить восстановление металла. Режимы работы источников заряженных частиц определяются расчетным путем или подбираются экспериментально. В частных случаях реализации вместо гидридов и нитридов металлов можно использовать материал, представляющий пересыщенный твердый раствор металла в диэлектрике. В качестве диэлектрика могут быть использованы оксиды металлов, окисел кремния, алмазоподобные углеродные или углерод-кремниевые пленки. При облучении заряженными частицами пересыщенный раствор распадается с выделением металлической составляющей на облучаемой площади.
Для формирования рисунка проводящей структуры поток заряженных частиц может модулироваться двумя различными способами. Во-первых, модуляцией по интенсивности всего сечения пучка заряженных частиц с одновременным сканированием сфокусированного пятна по поверхности обрабатываемого слоя (по аналогии с телевизионным кинескопом). Во-вторых, возможна пространственная модуляция, когда сформированным соответствующим образом пучком заряженных частиц просвечивают шаблон с нанесенным на нем рисунком, а затем уменьшенное его изображение фокусируют на обрабатываемой поверхности.
Сущность заявляемого способа формирования проводящей структуры поясняется примерами его реализации и чертежом, на котором штриховкой условно показана в сечении форма объема превращающегося в металл материала при его взаимодействии с пучком заряженных частиц, а незаштрихованным - весь объем слоя материала.
Пример 1. В общем случае способ реализуется следующим образом. В вакуумной камере технологической установки на подложкодержателе устанавливается подложка (или несколько) с нанесенным на ней материалом, который преобразуется под воздействием излучения в проводящий. В вакуумной камере размещен источник заряженных частиц (электронная пушка с вольфрамовым катодом) и электронные линзы для формирования луча, при этом одна из линз установлена между подложкой и шаблоном с нанесенным на нем рисунком. Внутренний объем установки откачивается до давления 10-8 - 10-9 торр, после чего включается источник заряженных частиц, излучение которого проходит сквозь шаблон и электронной линзой проецируется в уменьшенном виде на поверхность слоя материала, нанесенного на подложку. В результате взаимодействия материала с потоком заряженных частиц, в точках куда они попали, образуются элементы проводящей структуры, составляющие заданный рисунок.
Пример 2. В вакуумной камере размещалась подложка из кремния размером 5 • 5 • 0,4 мм, на которую наносился слой гидрида лантана или нитрида галлия различной толщины, в пределах от 2 до 100 нм. На пути электронного пучка устанавливалась маска с рисунком-оригиналом. При проведении экспериментов в качестве маски использовалась маска из кремния размером 50 • 50 • 0,4 мм с изготовленной в ней регулярной структурой в виде рядов круглых отверстий диаметром 100 нм и линий шириной 100 нм и длиной 30 мм с расстоянием между элементами 1000 нм. Вакуумная камера откачивалась сначала турбомолекулярным насосом, а затем ионным до давления 10 -9торр. В качестве источника электронов использовалась электронная пушка с термокатодом из вольфрама. После откачки включалась электронная пушка и обеспечивалось облучение подложки потоком электронов со средней энергией 200 КэВ и токе электронного пучка 1 мкА. Эксперименты по описанной процедуре осуществлялись на слоях преобразуемого в проводящий материала различной толщины. Результаты экспериментов для удобства сведены в таблицу 1.
Пример 3. Способ осуществлялся по той же схеме, что и в примерах 1 и 2, только с тем отличием, что в качестве источника заряженных частиц использовался источник протонов, обеспечивающий генерацию ионов водорода с энергиями 1 КэВ. В этом случае на подложки наносились слои гидрида иттербия или двуокиси урана. Результаты экспериментов приведены в таблице 2.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет получать проводящие структуры с размерами отдельных элементов, их составляющих, порядка нескольких нанометров.
Claims (1)
- Способ формирования проводящей структуры, включающий нанесение на подложку слоя материала и преобразование материала в проводящий под действием излучения от источника заряженных частиц, отличающийся тем, что на подложку наносят слой материала толщиной 2 - 20 нм, а преобразование материала в проводящий проводят модулированным излучением после его нанесения на подложку.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98109498/25A RU2129320C1 (ru) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | Способ формирования проводящей структуры |
| DE19922759A DE19922759A1 (de) | 1998-05-22 | 1999-05-18 | Verfahren zur Herstellung einer leitenden Struktur |
| FR9906508A FR2779007B1 (fr) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | Procede de formation d'une structure conductrice |
| KR1019990018462A KR19990088479A (ko) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | 전도성구조물형성방법 |
| GB9911764A GB2337635B (en) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | Method of forming a conducting structure |
| NL1012117A NL1012117C2 (nl) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | Werkwijze voor het vormen van een geleidende structuur. |
| US09/316,532 US6218278B1 (en) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | Method of forming a conducting structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98109498/25A RU2129320C1 (ru) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | Способ формирования проводящей структуры |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2129320C1 true RU2129320C1 (ru) | 1999-04-20 |
Family
ID=20206194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98109498/25A RU2129320C1 (ru) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | Способ формирования проводящей структуры |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6218278B1 (ru) |
| KR (1) | KR19990088479A (ru) |
| DE (1) | DE19922759A1 (ru) |
| FR (1) | FR2779007B1 (ru) |
| GB (1) | GB2337635B (ru) |
| NL (1) | NL1012117C2 (ru) |
| RU (1) | RU2129320C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088333A1 (fr) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | Boris Aronovich Gurovich | Procede de fabrication d'une structure tridimensionnelle conductrice et/ou semi-conductrice |
| MD152Z (ru) * | 2009-03-10 | 2010-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры |
| RU2477902C1 (ru) * | 2011-10-04 | 2013-03-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ формирования проводников в наноструктурах |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19934089A1 (de) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Univ Schiller Jena | Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitender Bereiche in mehrkomponentigen Materialien |
| WO2003009359A1 (fr) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Boris Aronovich Gurovich | Procede de formation d'une structure a couches multiples a parametres predetermines |
| US7294449B1 (en) | 2003-12-31 | 2007-11-13 | Kovio, Inc. | Radiation patternable functional materials, methods of their use, and structures formed therefrom |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4938996A (en) * | 1988-04-12 | 1990-07-03 | Ziv Alan R | Via filling by selective laser chemical vapor deposition |
| US5060595A (en) * | 1988-04-12 | 1991-10-29 | Ziv Alan R | Via filling by selective laser chemical vapor deposition |
| US4960613A (en) * | 1988-10-04 | 1990-10-02 | General Electric Company | Laser interconnect process |
| CA2002213C (en) * | 1988-11-10 | 1999-03-30 | Iwona Turlik | High performance integrated circuit chip package and method of making same |
| US5075243A (en) * | 1989-08-10 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Fabrication of nanometer single crystal metallic CoSi2 structures on Si |
| US5064685A (en) * | 1989-08-23 | 1991-11-12 | At&T Laboratories | Electrical conductor deposition method |
| US5106779A (en) * | 1990-12-06 | 1992-04-21 | Micron Technology, Inc. | Method for widening the laser planarization process window for metalized films on semiconductor wafers |
| JPH04247681A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Fujitsu Ltd | 導体パターンの形成方法 |
| JPH088225B2 (ja) * | 1991-12-17 | 1996-01-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 改良された半導体用局部的相互接続 |
| US5459098A (en) | 1992-10-19 | 1995-10-17 | Marietta Energy Systems, Inc. | Maskless laser writing of microscopic metallic interconnects |
| ATE153147T1 (de) * | 1992-11-19 | 1997-05-15 | Univ Dundee | Dampfabscheidungsverfahren |
| US5559057A (en) | 1994-03-24 | 1996-09-24 | Starfire Electgronic Development & Marketing Ltd. | Method for depositing and patterning thin films formed by fusing nanocrystalline precursors |
| JP3402821B2 (ja) * | 1995-02-09 | 2003-05-06 | 科学技術振興事業団 | 超微粒子の製造方法と超微粒子配向成長体の製造方法 |
| US5759906A (en) * | 1997-04-11 | 1998-06-02 | Industrial Technology Research Institute | Planarization method for intermetal dielectrics between multilevel interconnections on integrated circuits |
| US6069380A (en) * | 1997-07-25 | 2000-05-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Single-electron floating-gate MOS memory |
-
1998
- 1998-05-22 RU RU98109498/25A patent/RU2129320C1/ru not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-05-18 DE DE19922759A patent/DE19922759A1/de not_active Withdrawn
- 1999-05-21 US US09/316,532 patent/US6218278B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-21 NL NL1012117A patent/NL1012117C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1999-05-21 KR KR1019990018462A patent/KR19990088479A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-05-21 GB GB9911764A patent/GB2337635B/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-21 FR FR9906508A patent/FR2779007B1/fr not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Аброян И.А. и др. Физические основы электронной и ионной технологии.-М.: Высшая школа, 1984, с.310. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088333A1 (fr) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | Boris Aronovich Gurovich | Procede de fabrication d'une structure tridimensionnelle conductrice et/ou semi-conductrice |
| MD152Z (ru) * | 2009-03-10 | 2010-09-30 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры |
| RU2477902C1 (ru) * | 2011-10-04 | 2013-03-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Способ формирования проводников в наноструктурах |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2779007A1 (fr) | 1999-11-26 |
| DE19922759A1 (de) | 1999-11-25 |
| US6218278B1 (en) | 2001-04-17 |
| FR2779007B1 (fr) | 2002-06-14 |
| KR19990088479A (ko) | 1999-12-27 |
| GB2337635A (en) | 1999-11-24 |
| NL1012117A1 (nl) | 1999-11-24 |
| NL1012117C2 (nl) | 2001-08-14 |
| GB9911764D0 (en) | 1999-07-21 |
| GB2337635B (en) | 2003-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6924493B1 (en) | Ion beam lithography system | |
| US4620898A (en) | Ion beam sputter etching | |
| GB2325473A (en) | A method of depositing a carbon film on a membrane | |
| RU2129320C1 (ru) | Способ формирования проводящей структуры | |
| Ochiai et al. | Ten-nanometer resolution nanolithography using newly developed 50-kv electron beam direct writing system | |
| JPS5975549A (ja) | Ｘ線管球 | |
| US7161162B2 (en) | Electron beam pattern generator with photocathode comprising low work function cesium halide | |
| JP2003511855A (ja) | 多荷電粒子ビーム放射コラムのアレイ | |
| EP0127919A2 (en) | Electron lithography mask manufacture | |
| JPH01159955A (ja) | 電子イメージプロジェクタ | |
| RU2477902C1 (ru) | Способ формирования проводников в наноструктурах | |
| Cullman et al. | Comparison of different x‐ray sources using the same printing process parameters | |
| JPH0950984A (ja) | 表面処理方法 | |
| US6476401B1 (en) | Moving photocathode with continuous regeneration for image conversion in electron beam lithography | |
| Kuwano | Dry development of resists exposed to low‐energy focused gallium ion beam | |
| WO1986002774A1 (en) | Focused substrate alteration | |
| RU2129294C1 (ru) | Способ получения рисунка | |
| JPS61203642A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| RU2205469C1 (ru) | Способ получения объемной проводящей структуры | |
| Guharay et al. | H− beam based projection microlithography: A conceptual study of the beam parametersa | |
| Ji et al. | Combined electron-and ion-beam imprinter and its applications | |
| JPH0590230A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2699196B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH05136097A (ja) | 微細加工方法および微細加工装置 | |
| JP2000133652A (ja) | 金属配線形成方法および金属配線形成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC4A | Invention patent assignment |
Effective date: 20060609 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080523 |