JPS5975549A - X線管球 - Google Patents
X線管球Info
- Publication number
- JPS5975549A JPS5975549A JP57185407A JP18540782A JPS5975549A JP S5975549 A JPS5975549 A JP S5975549A JP 57185407 A JP57185407 A JP 57185407A JP 18540782 A JP18540782 A JP 18540782A JP S5975549 A JPS5975549 A JP S5975549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- ray
- ray generating
- filament
- grid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/24—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はX線管球、特にX線発生面の細長い部分からX
、iを発生するX線管球に関するものである。
、iを発生するX線管球に関するものである。
細長いX*=生部外部分するX線管球は特に半導体回路
素子製造用のマスク、ウェハーを密着若しくは極近接さ
せスリット露光を行うX線露光装置の線源として有効で
ある。
素子製造用のマスク、ウェハーを密着若しくは極近接さ
せスリット露光を行うX線露光装置の線源として有効で
ある。
従来一般のX線管球を使った、X線露光装置はスポット
状の発生部分すなわちポイント焦点を持つfCX線管球
からの発散光を13e等の窓を通して露光チャンバー内
に導きX線マスクのノくターン部を通過したX線が、ウ
エノ・−に塗布されAs光レしヌト上に達し、X+Y3
Jマスクのノくターンの影絵を作るという方式をとって
いる。この方法では完全なポイント焦点が寿命、冷却能
力等の面から得難くφ2〜3問位の大きさになっている
。
状の発生部分すなわちポイント焦点を持つfCX線管球
からの発散光を13e等の窓を通して露光チャンバー内
に導きX線マスクのノくターン部を通過したX線が、ウ
エノ・−に塗布されAs光レしヌト上に達し、X+Y3
Jマスクのノくターンの影絵を作るという方式をとって
いる。この方法では完全なポイント焦点が寿命、冷却能
力等の面から得難くφ2〜3問位の大きさになっている
。
又一般にX線露光装置はマスクの損耗を少くする為、マ
スクとウエノ・−とが10μm位の間隔すなわちプロキ
シミテイ・ギャップを有して配置されている。半角lO
数度の発散光とグロキシミテイ・ギャップと、φ3朋位
のX線焦点との相乗作用により原理的に発生する露光中
心から周辺にかけて増大するディストーション(マスク
パターン位置とウェハーパターン位置とのズレ)やグロ
キシミテイ・ギャップの不均一さに敏感に反応するディ
ストーション等の補正が技術的に難しかった。この為、
露光装置の複雑化、装置釧路の上昇、取扱性の悪化等を
招いていた。
スクとウエノ・−とが10μm位の間隔すなわちプロキ
シミテイ・ギャップを有して配置されている。半角lO
数度の発散光とグロキシミテイ・ギャップと、φ3朋位
のX線焦点との相乗作用により原理的に発生する露光中
心から周辺にかけて増大するディストーション(マスク
パターン位置とウェハーパターン位置とのズレ)やグロ
キシミテイ・ギャップの不均一さに敏感に反応するディ
ストーション等の補正が技術的に難しかった。この為、
露光装置の複雑化、装置釧路の上昇、取扱性の悪化等を
招いていた。
このためX線発生部が細長いすなわち、線状若しくは帯
状でおるX線管球が特開昭52−150975に開示さ
れている。このX線管球はX線発生面に断面形状か線状
若しくは帯状の電子ビームで照射するものである。この
ため電子ビームの強度が断面方向に沿って長い距離均一
であることが望ましい。しかしながらこの様な均一強度
の電子ビームを得ることは比較的困難でおる。
状でおるX線管球が特開昭52−150975に開示さ
れている。このX線管球はX線発生面に断面形状か線状
若しくは帯状の電子ビームで照射するものである。この
ため電子ビームの強度が断面方向に沿って長い距離均一
であることが望ましい。しかしながらこの様な均一強度
の電子ビームを得ることは比較的困難でおる。
本発明はこの点に注目してなされたもので比較的細い電
子ビームでX線発生面を走査することによって実質的に
線状、帯状若しくは破線状のX?tM発生部全生部いる
。この比較的細い電子ビームの走査方向に沿った強度分
布は長さが短いため均一にすることが比較的容易であり
、又、走査を行うため走査方向に沿った電子ビームの強
度分布が非均−であってもX線の走査方向での強度分布
は均一になる。
子ビームでX線発生面を走査することによって実質的に
線状、帯状若しくは破線状のX?tM発生部全生部いる
。この比較的細い電子ビームの走査方向に沿った強度分
布は長さが短いため均一にすることが比較的容易であり
、又、走査を行うため走査方向に沿った電子ビームの強
度分布が非均−であってもX線の走査方向での強度分布
は均一になる。
以下本発明の実施例を図面を使用して説明する。
第1図は本発明のX線管球の概略を示す図で、lはX線
発生器でこの中に冷却液等が入っている。2はX?fM
発生面で純金属、半導体、あるいは合金で形成された陽
極である。この陽極は絶縁碍子に固定されている。3は
電子ビーム発生器でるる。4はフィラメントで、タング
ステン。
発生器でこの中に冷却液等が入っている。2はX?fM
発生面で純金属、半導体、あるいは合金で形成された陽
極である。この陽極は絶縁碍子に固定されている。3は
電子ビーム発生器でるる。4はフィラメントで、タング
ステン。
白金、グラファイト、カンタル、タンタル、ジルコニウ
ム、タングステンに酸化トリウムなどを被着したものを
必要に応じて使用する。5は制御グリッドでフィラメン
ト4から放出される電子ビームを収束あるいは偏向させ
る。この制御グリッドはフィラメント方向に沿って複数
個に電気的に分割されている。そして各々の分割辺には
並列的に負電圧が印加されている。6はスイッチ群で、
制御グリッド分割辺に印加されている負電圧を制御する
スイッチ群で、負電圧を印加していない分割辺の開口か
ら電子ビームが放出される。従って、分割辺を順番若し
くは所定の順序で負電圧を印加しない時間を与えること
によって電子ビームは順番若しくは所定の順序でX線発
生部2に向う。従ってX線発生面2は比較的細い電子ビ
ームによって走査される。
ム、タングステンに酸化トリウムなどを被着したものを
必要に応じて使用する。5は制御グリッドでフィラメン
ト4から放出される電子ビームを収束あるいは偏向させ
る。この制御グリッドはフィラメント方向に沿って複数
個に電気的に分割されている。そして各々の分割辺には
並列的に負電圧が印加されている。6はスイッチ群で、
制御グリッド分割辺に印加されている負電圧を制御する
スイッチ群で、負電圧を印加していない分割辺の開口か
ら電子ビームが放出される。従って、分割辺を順番若し
くは所定の順序で負電圧を印加しない時間を与えること
によって電子ビームは順番若しくは所定の順序でX線発
生部2に向う。従ってX線発生面2は比較的細い電子ビ
ームによって走査される。
この走査を1回若しくはくシ返し行うことによってX線
発生面2のX線発生部7からX線が発生する。電子ビー
ムを細く集束させることによって線状の発生部が得られ
、電子ビームを太く収束させることによって帯状の発生
部、又、電子ビームを破線状、若しくは波帯状に走査方
向に間隔を置いて入射させることによって破線状、若し
くは波帯状の発生部が得られる。
発生面2のX線発生部7からX線が発生する。電子ビー
ムを細く集束させることによって線状の発生部が得られ
、電子ビームを太く収束させることによって帯状の発生
部、又、電子ビームを破線状、若しくは波帯状に走査方
向に間隔を置いて入射させることによって破線状、若し
くは波帯状の発生部が得られる。
第2図し≠旙祖#本発明のX線管球を走査型Xw蕗先光
装置適用した例を示す図である。第1図で示したX線管
球は装置上部の真空容器10中に配されている。11は
排気孔でこの排気孔から不図示の真空ポンプによって容
器中の空気は排気され、はぼI 0−8Torr程度の
真空に保たれている。そしてこの容器10の必要部分は
液体を流して冷却しである。12は陽極2に印加される
高電圧と真空容器との絶縁を保つ事が可能な絶縁物であ
り、中に絶縁と冷却を兼ねて行うだめの絶縁油が封入し
である。13は陽極の冷却を行う液体を導入するだめの
冷却液導入口である。14は陽極を冷却した液体を外部
に排出するだめの冷却液排出口である。15は陽極の上
にできる電子ビームの裏面に位置した所に設けた、電子
ビームの大きさに合った細長いスリット状の開口を持っ
た冷却液ノズルである。16は高圧接続器であシこれを
介して電極2に5〜20KVの正電圧が印加されている
。又、フィラメント4には5〜10V、5〜20Aの霜
、力が供給されている。尚、このフィラメント4は容器
10に接地させても良い。各制御グリッド辺5には10
0〜2000Vの負の電圧が印加されている。そして、
制御グリッド辺は先に述べたスイッチ群6によって順次
l Q rn /sec程度時間負電圧を印加しない時
間、若しくはせいぜい数lO■に低下させる時間を与え
る。これKよつて先に述べた様に走査電子ビーム17が
得られる。この走査電子ビームによって実質的にシート
状のX線ビーム18が2個得られる。・20は露光室で
ヘリウムガスが充されている。この露光室と真空室10
0間には2つの窓が形成され、この窓はX線を透過する
透明板21でおおわれている。
装置適用した例を示す図である。第1図で示したX線管
球は装置上部の真空容器10中に配されている。11は
排気孔でこの排気孔から不図示の真空ポンプによって容
器中の空気は排気され、はぼI 0−8Torr程度の
真空に保たれている。そしてこの容器10の必要部分は
液体を流して冷却しである。12は陽極2に印加される
高電圧と真空容器との絶縁を保つ事が可能な絶縁物であ
り、中に絶縁と冷却を兼ねて行うだめの絶縁油が封入し
である。13は陽極の冷却を行う液体を導入するだめの
冷却液導入口である。14は陽極を冷却した液体を外部
に排出するだめの冷却液排出口である。15は陽極の上
にできる電子ビームの裏面に位置した所に設けた、電子
ビームの大きさに合った細長いスリット状の開口を持っ
た冷却液ノズルである。16は高圧接続器であシこれを
介して電極2に5〜20KVの正電圧が印加されている
。又、フィラメント4には5〜10V、5〜20Aの霜
、力が供給されている。尚、このフィラメント4は容器
10に接地させても良い。各制御グリッド辺5には10
0〜2000Vの負の電圧が印加されている。そして、
制御グリッド辺は先に述べたスイッチ群6によって順次
l Q rn /sec程度時間負電圧を印加しない時
間、若しくはせいぜい数lO■に低下させる時間を与え
る。これKよつて先に述べた様に走査電子ビーム17が
得られる。この走査電子ビームによって実質的にシート
状のX線ビーム18が2個得られる。・20は露光室で
ヘリウムガスが充されている。この露光室と真空室10
0間には2つの窓が形成され、この窓はX線を透過する
透明板21でおおわれている。
22は使用する特性X線を透過しやすい、高分子膜、無
機薄膜でありその表面に特性X線を吸収しやすい物質で
所望の形状を被着あるいは開口しであるマスク。23は
表面に使用する特性X線を良く吸収し必要な化学反応を
生じ易く、かつ密層性に優れた感光材を塗布したウェハ
である。24は、ウェハを吸着保持するウエノ・チャッ
ク。25は、マスクとウェハの相対位置を相互に移動で
き、しかも残飼に保持することができる構造を持った保
持台であシ、左右方向に移動可能な取り付けがなされて
いる。
機薄膜でありその表面に特性X線を吸収しやすい物質で
所望の形状を被着あるいは開口しであるマスク。23は
表面に使用する特性X線を良く吸収し必要な化学反応を
生じ易く、かつ密層性に優れた感光材を塗布したウェハ
である。24は、ウェハを吸着保持するウエノ・チャッ
ク。25は、マスクとウェハの相対位置を相互に移動で
き、しかも残飼に保持することができる構造を持った保
持台であシ、左右方向に移動可能な取り付けがなされて
いる。
26はX、%lコリメータであシ、極く薄い高分子、又
は無機質材料でできたコリメーションスリットを多数整
列したものである。なお、コリメーションスリットの表
面には、スリットの開き角に応じた材質の、例えば金の
ようなものを被着してあり、XHの全反射を利用した、
X線ミラーの役割りを持っている。
は無機質材料でできたコリメーションスリットを多数整
列したものである。なお、コリメーションスリットの表
面には、スリットの開き角に応じた材質の、例えば金の
ようなものを被着してあり、XHの全反射を利用した、
X線ミラーの役割りを持っている。
そして、このx6+コリメーター26はX線を平行化す
るものである。上部コリメーター26はスリット板が奥
行き方向に配列され、奥行き方向のX線の広がりを制限
して平行化し、下部コリメーター26は左右方向に配列
され左右方向のX線の広がりを制限して平行化している
。
るものである。上部コリメーター26はスリット板が奥
行き方向に配列され、奥行き方向のX線の広がりを制限
して平行化し、下部コリメーター26は左右方向に配列
され左右方向のX線の広がりを制限して平行化している
。
光される。
尚、30はマスク、ウェハーのアライメントを行う顕微
鏡である。
鏡である。
第1図は本発明のX線管球を説明する図、第2図は第1
図のX線管球を適用したX線露光装置を示す図である。 図中、lはX線発生器、2はX線発生面、3は電子ビー
ム発生器、4はフィラメント、5は制御グリッド、6は
スイッチ群、7はXi発生部である。 出願人 キャノン株式会社
図のX線管球を適用したX線露光装置を示す図である。 図中、lはX線発生器、2はX線発生面、3は電子ビー
ム発生器、4はフィラメント、5は制御グリッド、6は
スイッチ群、7はXi発生部である。 出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- (1)X線発生向上を成子ビーム発生器からの電子ビー
ムで照射してX線を発生させるX線管球に於いて、前記
電子ビーム発生器は長手方向に沿って電子ビームを発生
させる制御器を有し、この電子ビーム発生器から連続的
若しくは間欠的に発生される電子ビームで前記X線発生
面の長手方向の異なる位置を照射することを特徴とする
x、1管球。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57185407A JPS5975549A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | X線管球 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57185407A JPS5975549A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | X線管球 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5975549A true JPS5975549A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16170249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57185407A Pending JPS5975549A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | X線管球 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5975549A (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04121902U (ja) * | 1991-04-15 | 1992-10-30 | 株式会社サンワ | ゴミ収納用囲い |
JPH055701U (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-26 | 住友軽金属工業株式会社 | ゴミ収積ボツクス |
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US8824637B2 (en) | 2008-09-13 | 2014-09-02 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray tubes |
US9001973B2 (en) | 2003-04-25 | 2015-04-07 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray sources |
US9020095B2 (en) | 2003-04-25 | 2015-04-28 | Rapiscan Systems, Inc. | X-ray scanners |
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-
1982
- 1982-10-22 JP JP57185407A patent/JPS5975549A/ja active Pending
Cited By (35)
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JP2011251143A (ja) * | 2003-04-25 | 2011-12-15 | Cxr Ltd | X線管電子源 |
JP2011251142A (ja) * | 2003-04-25 | 2011-12-15 | Cxr Ltd | X線管電子源 |
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