JPH0760654B2 - イオンビ−ム発生方法および装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生方法および装置Info
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- JPH0760654B2 JPH0760654B2 JP60183945A JP18394585A JPH0760654B2 JP H0760654 B2 JPH0760654 B2 JP H0760654B2 JP 60183945 A JP60183945 A JP 60183945A JP 18394585 A JP18394585 A JP 18394585A JP H0760654 B2 JPH0760654 B2 JP H0760654B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、イオン化室内のガス分子を励起し、生成した
イオンをイオンビームとして引き出すイオンビーム発生
方法および装置に関するものである。
イオンをイオンビームとして引き出すイオンビーム発生
方法および装置に関するものである。
従来のイオンビーム発生装置、いわゆるイオン源として
は、イオン化室内のガス分子を直流グロー放電もしくは
高周波放電により励起するもの、あるいは電子ビームに
より励起するものがある。これらの詳細については、文
献（１）〔R.G.Wilson and G.R.Brewer編集、Ion Beams
（with applications to ion implantation）,John Wil
ey ＆ Sons Inc.1973〕に紹介がなされている。第８
図、第９図にその代表的な例を示す。
は、イオン化室内のガス分子を直流グロー放電もしくは
高周波放電により励起するもの、あるいは電子ビームに
より励起するものがある。これらの詳細については、文
献（１）〔R.G.Wilson and G.R.Brewer編集、Ion Beams
（with applications to ion implantation）,John Wil
ey ＆ Sons Inc.1973〕に紹介がなされている。第８
図、第９図にその代表的な例を示す。
第８図の例は直流グロー放電形式で、アノード電極２と
カソード電極３との間に直流電圧が印加され、上方から
イオン化室１に導入されたガスはグロー放電によってイ
オン化される。生成したイオンは引き出し電極４に印加
される電圧により、イオンビームとして引き出される。
カソード電極３との間に直流電圧が印加され、上方から
イオン化室１に導入されたガスはグロー放電によってイ
オン化される。生成したイオンは引き出し電極４に印加
される電圧により、イオンビームとして引き出される。
第９図の例は高周波放電形式で、コイル５によりイオン
化室１に高周波電界が印加され、上方から導入されたガ
スは高周波放電によりイオン化される。生成したイオン
は引き出し電極４に印加される電圧により、イオンビー
ムとして引き出される。この例では、磁石６を併用して
イオン生成効率の改善を図っている。
化室１に高周波電界が印加され、上方から導入されたガ
スは高周波放電によりイオン化される。生成したイオン
は引き出し電極４に印加される電圧により、イオンビー
ムとして引き出される。この例では、磁石６を併用して
イオン生成効率の改善を図っている。
第８図、第９図は従来技術の典型的な例であるが、これ
らの例では、放電領域、すなわちガスがイオン化される
励起領域を所定の空間に限定することが困難であるた
め、生成したイオンと電子の衝突により器壁や電極から
ガス中に不純物が混入し、イオンビームの純度を低下さ
せるという欠点があった。また、これらの例では、プラ
ズマ中のイオンの運動エネルギーが広い範囲に分布し、
これをイオンビームとして利用するのに適した所望の一
定の値の運動エネルギーを有するものとするように制御
することが困難であった。
らの例では、放電領域、すなわちガスがイオン化される
励起領域を所定の空間に限定することが困難であるた
め、生成したイオンと電子の衝突により器壁や電極から
ガス中に不純物が混入し、イオンビームの純度を低下さ
せるという欠点があった。また、これらの例では、プラ
ズマ中のイオンの運動エネルギーが広い範囲に分布し、
これをイオンビームとして利用するのに適した所望の一
定の値の運動エネルギーを有するものとするように制御
することが困難であった。
従来技術の他の例として、電子ビームにより励起する方
式のものがあるが、この方式でも、電子ビームの形状に
影響を与えないで励起領域に電圧を印加すること、すな
わち生成したイオンの運動エネルギーを所望のように制
御することが困難であった。
式のものがあるが、この方式でも、電子ビームの形状に
影響を与えないで励起領域に電圧を印加すること、すな
わち生成したイオンの運動エネルギーを所望のように制
御することが困難であった。
さらに、これら従来技術においては、生成するイオン種
の種類およびその励起準位、すなわち内部エネルギーも
広い範囲に分布しており、イオンビームとして利用する
に適した特定の種類のイオン種あるいは特定の励起状態
のイオン種を集中して生成することが困難であった。
の種類およびその励起準位、すなわち内部エネルギーも
広い範囲に分布しており、イオンビームとして利用する
に適した特定の種類のイオン種あるいは特定の励起状態
のイオン種を集中して生成することが困難であった。
本発明は、上記従来技術の問題点を解決した新しいイオ
ンビーム発生方法および装置を提供することを目的とす
る。
ンビーム発生方法および装置を提供することを目的とす
る。
本発明のイオンビーム発生方法は、ガスを満たしたイオ
ン化室に、扁平な形状に集光された軟Ｘ線または真空紫
外光ビーム（好ましくは波長10Å〜2000Å）を照射し
て、イオン化室内の限定された領域のガスをイオン化
し、生成したイオンをイオンビームとして引き出すこと
を特徴としている。
ン化室に、扁平な形状に集光された軟Ｘ線または真空紫
外光ビーム（好ましくは波長10Å〜2000Å）を照射し
て、イオン化室内の限定された領域のガスをイオン化
し、生成したイオンをイオンビームとして引き出すこと
を特徴としている。
また本発明のイオンビーム発生装置は、イオン化室と、
該イオン化室にガスを導入する手段と、前記イオン化室
に軟Ｘ線または真空紫外光ビーム（好ましくは波長10Å
〜2000Å）を照射する手段と、該軟Ｘ線または真空紫外
光ビームを扁平な形状とするための集光手段と、前記軟
Ｘ線または真空紫外光ビームの照射によりガスがイオン
化される励起領域から生成したイオンをイオンビームと
して引き出すための電界を形成する手段とを有し、前記
軟Ｘ線または真空紫外光ビーム照射手段は電子シンクロ
トロン放射装置を軟Ｘ線または真空紫外光発生源として
用いた構成を有することを特徴としている。
該イオン化室にガスを導入する手段と、前記イオン化室
に軟Ｘ線または真空紫外光ビーム（好ましくは波長10Å
〜2000Å）を照射する手段と、該軟Ｘ線または真空紫外
光ビームを扁平な形状とするための集光手段と、前記軟
Ｘ線または真空紫外光ビームの照射によりガスがイオン
化される励起領域から生成したイオンをイオンビームと
して引き出すための電界を形成する手段とを有し、前記
軟Ｘ線または真空紫外光ビーム照射手段は電子シンクロ
トロン放射装置を軟Ｘ線または真空紫外光発生源として
用いた構成を有することを特徴としている。
本発明のイオンビーム発生方法では、軟Ｘ線または真空
紫外光ビームの照射によりイオン化室内の限定された領
域でのみガス分子の励起を行なっているので、器壁や電
極に接触させないでプラズマを形成することができ、こ
れによってイオンビーム中への不純物の混入が避けられ
る。また、励起領域が限定されているため、生成したイ
オンの運動エネルギーの制御が容易にできるようにな
り、さらに特定波長の軟Ｘ線または真空紫外光ビームを
用いることによって、特定の種類のイオン種あるいは特
定の励起状態のイオン種を選択的に生成することがで
き、イオンの内部エネルギーの制御も容易にできる。こ
れは、引き出されるイオンビームの特性を所望のように
変えることを可能にする。
紫外光ビームの照射によりイオン化室内の限定された領
域でのみガス分子の励起を行なっているので、器壁や電
極に接触させないでプラズマを形成することができ、こ
れによってイオンビーム中への不純物の混入が避けられ
る。また、励起領域が限定されているため、生成したイ
オンの運動エネルギーの制御が容易にできるようにな
り、さらに特定波長の軟Ｘ線または真空紫外光ビームを
用いることによって、特定の種類のイオン種あるいは特
定の励起状態のイオン種を選択的に生成することがで
き、イオンの内部エネルギーの制御も容易にできる。こ
れは、引き出されるイオンビームの特性を所望のように
変えることを可能にする。
本発明のイオンビーム発生装置は、電子シンクロトロン
放射装置から発生する指向性の良い高強度の軟Ｘ線また
は真空紫外光ビームをイオン化室に照射することによ
り、限定された領域のガス分子の励起を効率良く行な
い、生成したイオンを電界の作用によりイオンビームと
して引き出すことができる。また、軟Ｘ線または真空紫
外光発生源である電子シンクロトロン放射装置に波長選
択手段を併用すれば、前記特定波長の軟Ｘ線または真空
紫外光ビームを容易に得ることができる。
放射装置から発生する指向性の良い高強度の軟Ｘ線また
は真空紫外光ビームをイオン化室に照射することによ
り、限定された領域のガス分子の励起を効率良く行な
い、生成したイオンを電界の作用によりイオンビームと
して引き出すことができる。また、軟Ｘ線または真空紫
外光発生源である電子シンクロトロン放射装置に波長選
択手段を併用すれば、前記特定波長の軟Ｘ線または真空
紫外光ビームを容易に得ることができる。
以下、本発明の実施例を第１図〜第７図により説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例図で、基本的な装置構成を示
す。
す。
第１図において、７は軟Ｘ線または真空紫外光発生源で
ある電子シンクロトロン放射装置を模式的に示したもの
である。電子シンクロトロン放射装置については文献
（２）〔C.Kunz編集、Synchrotron radiation（Techniq
ues and Applications）,Springer-Verlag,1979〕に紹
介されている。
ある電子シンクロトロン放射装置を模式的に示したもの
である。電子シンクロトロン放射装置については文献
（２）〔C.Kunz編集、Synchrotron radiation（Techniq
ues and Applications）,Springer-Verlag,1979〕に紹
介されている。
８は真空パイプからなるビーム伝搬路、９はイオン化
室、10はガス導入ノズル、11、12は対向電極、13は引き
出し電極、14、15は直流バイアス電源、16はイオン化室
９に入射した軟Ｘ線または真空紫外光ビームＬによりガ
スがイオン化される励起領域を示している。
室、10はガス導入ノズル、11、12は対向電極、13は引き
出し電極、14、15は直流バイアス電源、16はイオン化室
９に入射した軟Ｘ線または真空紫外光ビームＬによりガ
スがイオン化される励起領域を示している。
次に、第１図にもとづいて本発明装置の動作原理、特徴
および主要な効果を述べる。
および主要な効果を述べる。
第２図は電子シンクロトロン放射装置の放射光の波長分
布（上図）と、該放射光に対するメタン（CH4）、シラ
ン（SiH4）ガスの吸収断面積のスペクトル（下図）を示
す。他の多くのガス分子もこの図と概略同様な吸収スペ
クトルを示し、ガス分子はこの光吸収に伴ってイオン化
する。すなわちこの図は、電子シンクロトロン放射装置
の放射光がガス分子を効率良くイオン化する、吸収率の
高い波長分布を持った光であることを示している。
布（上図）と、該放射光に対するメタン（CH4）、シラ
ン（SiH4）ガスの吸収断面積のスペクトル（下図）を示
す。他の多くのガス分子もこの図と概略同様な吸収スペ
クトルを示し、ガス分子はこの光吸収に伴ってイオン化
する。すなわちこの図は、電子シンクロトロン放射装置
の放射光がガス分子を効率良くイオン化する、吸収率の
高い波長分布を持った光であることを示している。
この吸収率の高い波長成分はほぼ10Å〜2000Åの範囲に
分布している。
分布している。
また、電子シンクロトロン放射装置の放射光の強度分布
は、前記文献（２）中のシュビンガーの式で与えられ、
この式に従えば、第３図に示されるように、電子シンク
ロトロン放射装置から放射される軟Ｘ線または真空紫外
光ビームＬの上下方向の広がりは （ｖは電子の速度、ｃは光の速度）で表される。
は、前記文献（２）中のシュビンガーの式で与えられ、
この式に従えば、第３図に示されるように、電子シンク
ロトロン放射装置から放射される軟Ｘ線または真空紫外
光ビームＬの上下方向の広がりは （ｖは電子の速度、ｃは光の速度）で表される。
これから、指向性の良い軟Ｘ線または真空紫外光ビーム
を発生することがわかる。
を発生することがわかる。
したがって、第１図において、ガス導入ノズル10からイ
オン化室９の対向電極11、12間にガスを満たし、これに
電子シンクロトロン放射装置７からの軟Ｘ線または真空
紫外光ビームＬを照射すれば、対向電極11、12間でガス
がイオン化し、対向電極11、12に、例えば電極11がアノ
ード、電極12がカソードとなるように所定の電圧（放電
を起こさない程度の電圧）を印加するとともに、引き出
し電極13をカソード側電極12に対してさらに負の電位に
保つことにより、生成したイオンのうち正イオンが電界
の作用を受けイオンビームとして外部に引き出されるこ
とは明らかである。
オン化室９の対向電極11、12間にガスを満たし、これに
電子シンクロトロン放射装置７からの軟Ｘ線または真空
紫外光ビームＬを照射すれば、対向電極11、12間でガス
がイオン化し、対向電極11、12に、例えば電極11がアノ
ード、電極12がカソードとなるように所定の電圧（放電
を起こさない程度の電圧）を印加するとともに、引き出
し電極13をカソード側電極12に対してさらに負の電位に
保つことにより、生成したイオンのうち正イオンが電界
の作用を受けイオンビームとして外部に引き出されるこ
とは明らかである。
ここで、イオン化室９内には指向性の良い軟Ｘ線または
真空紫外光ビームが照射されるため、この軟Ｘ線または
真空紫外光ビームの照射によりガスがイオン化する励起
領域、すなわちプラズマが形成される領域16はイオン化
室９内の空間の一部に限定され、該励起領域16の周囲に
空間には未だ励起されていないガスが存在する。
真空紫外光ビームが照射されるため、この軟Ｘ線または
真空紫外光ビームの照射によりガスがイオン化する励起
領域、すなわちプラズマが形成される領域16はイオン化
室９内の空間の一部に限定され、該励起領域16の周囲に
空間には未だ励起されていないガスが存在する。
したがって、生成したイオンと電子の衝突により器壁や
電極から不純物がガス中に混入して引き出されるイオン
ビームの純度を低下させることが避けられる。
電極から不純物がガス中に混入して引き出されるイオン
ビームの純度を低下させることが避けられる。
すなわち、第１図の実施例装置は本発明のイオンビーム
発生方法を実施するための装置として用いることができ
る。
発生方法を実施するための装置として用いることができ
る。
第４図は本発明の他の実施例装置を示す。
本実施例は、電子シンクロトロン放射装置７の放射光を
ビーム伝搬路８の途中に設けたシリンドリカルミラー17
により対向電極11、12の電極面と平行な扁平な形状に集
光してイオン化室９に入射させる構成としたもので、イ
オン化室内部における扁平な軟Ｘ線または真空紫外光ビ
ームＬと対向電極11、12との相対的位置関係を第５図に
示す。
ビーム伝搬路８の途中に設けたシリンドリカルミラー17
により対向電極11、12の電極面と平行な扁平な形状に集
光してイオン化室９に入射させる構成としたもので、イ
オン化室内部における扁平な軟Ｘ線または真空紫外光ビ
ームＬと対向電極11、12との相対的位置関係を第５図に
示す。
前述のように電子シンクロトロン放射装置７からの放射
光は指向性が良いので、これをシリンドリカルミラーま
たはトロイダルミラー、双曲線ミラーなどで集光し、あ
るいはスリットで絞ることにより、厚さ1mm程度の扁平
なビームを容易に得ることができる。このような扁平な
ビームを用いることは、イオン化室内部での励起領域16
を限定する本発明の趣旨に沿うばかりでなく、励起領域
全体が電極面からほぼ等距離にあることから、励起によ
り生成したイオンが電界の作用を均等に受けるので、電
界の強度を変えることにより、イオンビームを形成する
イオンの運動エネルギーを高い精度で制御することが可
能となり、イオンビームとして利用するために最も望ま
しい大きさの運動エネルギーをすべてのイオンに与える
ことができる。
光は指向性が良いので、これをシリンドリカルミラーま
たはトロイダルミラー、双曲線ミラーなどで集光し、あ
るいはスリットで絞ることにより、厚さ1mm程度の扁平
なビームを容易に得ることができる。このような扁平な
ビームを用いることは、イオン化室内部での励起領域16
を限定する本発明の趣旨に沿うばかりでなく、励起領域
全体が電極面からほぼ等距離にあることから、励起によ
り生成したイオンが電界の作用を均等に受けるので、電
界の強度を変えることにより、イオンビームを形成する
イオンの運動エネルギーを高い精度で制御することが可
能となり、イオンビームとして利用するために最も望ま
しい大きさの運動エネルギーをすべてのイオンに与える
ことができる。
第６図は、特定の波長成分の軟Ｘ線または真空紫外光ビ
ームを照射するための波長選択手段を付加した本発明の
他の実施例装置を示す。
ームを照射するための波長選択手段を付加した本発明の
他の実施例装置を示す。
本実施例では、波長選択手段の一例としてビーム伝搬路
８の途中に回折格子からなる分光器18を設置し、電子シ
ンクロトロン放射装置７の放射光のうち特定の波長成分
のみを分光器18により選択し、これを前記シリンドリカ
ルミラー17により扁平な形状に集光してイオン化室９に
入射させる構成としてある。
８の途中に回折格子からなる分光器18を設置し、電子シ
ンクロトロン放射装置７の放射光のうち特定の波長成分
のみを分光器18により選択し、これを前記シリンドリカ
ルミラー17により扁平な形状に集光してイオン化室９に
入射させる構成としてある。
ガス分子がイオン化する場合、イオン化に関与する軟Ｘ
線または真空紫外光のエネルギー、すなわち波長に対
し、生成するイオンの種類（SiH4を例にとれば、Si+、S
iH+、SiH2 +、SiH4 +、Si2+などの種類がある）およびそ
の励起準位が一定の関係にあることが知られている。し
たがって、第６図の実施例装置を用いてイオン化室９へ
照射する軟Ｘ線または真空紫外光ビームの波長を選択す
ることにより、特定の種類のイオン種あるいは特定の励
起準位のイオン種を選択的に生成することが可能とな
る。
線または真空紫外光のエネルギー、すなわち波長に対
し、生成するイオンの種類（SiH4を例にとれば、Si+、S
iH+、SiH2 +、SiH4 +、Si2+などの種類がある）およびそ
の励起準位が一定の関係にあることが知られている。し
たがって、第６図の実施例装置を用いてイオン化室９へ
照射する軟Ｘ線または真空紫外光ビームの波長を選択す
ることにより、特定の種類のイオン種あるいは特定の励
起準位のイオン種を選択的に生成することが可能とな
る。
第７図も同様の波長選択手段を有する本発明の他の実施
例装置を示すが、本実施例では、分光器18より後方のビ
ーム伝搬路８の途中にレンズ（例えばフレネルゾーンプ
レート）19を設置することにより、軟Ｘ線または真空紫
外光ビームを微小（直径10μｍ〜0.1μｍ）なスポット
に集光してイオン化室９に入射させるようにしている。
このようなイオンビーム発生装置は、イオンが生成され
る励起領域20を極微小なものに限定することができるの
で、微細パターン形成用イオンビーム装置のイオン源と
して適している。従来のイオンビーム装置用微小イオン
源としては液体金属を用いたものがあるが、数種の限ら
れた原子のイオンを生成するものしか存在しないのに対
し、本実施例装置は、導入するガスの種類を変えるだけ
で、きわめて広い範囲の各種の原子あるいは分子のイオ
ンビームを形成することができるという長所を有する。
例装置を示すが、本実施例では、分光器18より後方のビ
ーム伝搬路８の途中にレンズ（例えばフレネルゾーンプ
レート）19を設置することにより、軟Ｘ線または真空紫
外光ビームを微小（直径10μｍ〜0.1μｍ）なスポット
に集光してイオン化室９に入射させるようにしている。
このようなイオンビーム発生装置は、イオンが生成され
る励起領域20を極微小なものに限定することができるの
で、微細パターン形成用イオンビーム装置のイオン源と
して適している。従来のイオンビーム装置用微小イオン
源としては液体金属を用いたものがあるが、数種の限ら
れた原子のイオンを生成するものしか存在しないのに対
し、本実施例装置は、導入するガスの種類を変えるだけ
で、きわめて広い範囲の各種の原子あるいは分子のイオ
ンビームを形成することができるという長所を有する。
なお、電子シンクロトロン放射装置にアンジュレータ
〔電子軌道を蛇行させる装置で文献（２）に紹介されて
いる〕を取付けると、第２図に示された放射光の波長分
布が特定の波長λ０の付近に集中し、強度も２桁近く増
大し、さらに磁場の強さを変えることにより、波長λ０
を広範囲に変えることができる。したがって、第１図あ
るいは第４図の実施例装置において、アンジュレータを
取付けた電子シンクロトロン放射装置を軟Ｘ線または真
空紫外光発生源として用いることにより、分光装置を用
いることなく、波長選択性のある高強度の軟Ｘ線または
真空紫外光ビームを得ることができる。
〔電子軌道を蛇行させる装置で文献（２）に紹介されて
いる〕を取付けると、第２図に示された放射光の波長分
布が特定の波長λ０の付近に集中し、強度も２桁近く増
大し、さらに磁場の強さを変えることにより、波長λ０
を広範囲に変えることができる。したがって、第１図あ
るいは第４図の実施例装置において、アンジュレータを
取付けた電子シンクロトロン放射装置を軟Ｘ線または真
空紫外光発生源として用いることにより、分光装置を用
いることなく、波長選択性のある高強度の軟Ｘ線または
真空紫外光ビームを得ることができる。
以上のように本発明のイオンビーム発生方法は、軟Ｘ線
または真空紫外光ビームの照射によりイオン化室内の限
定された領域のガス分子を励起し、生成したイオンをイ
オンビームとして引き出すため、器壁や電極からの不純
物の混入により汚染されることのない高純度のイオンビ
ームを形成することができる。
または真空紫外光ビームの照射によりイオン化室内の限
定された領域のガス分子を励起し、生成したイオンをイ
オンビームとして引き出すため、器壁や電極からの不純
物の混入により汚染されることのない高純度のイオンビ
ームを形成することができる。
また、本発明のイオンビーム発生装置によれば、電子シ
ンクロトロン放射装置から発生する指向性の良い高強度
の軟Ｘ線または真空紫外光ビームを利用して、限定され
た領域のガス分子の励起およびイオンビームの引き出し
を効率良く実現することができる。
ンクロトロン放射装置から発生する指向性の良い高強度
の軟Ｘ線または真空紫外光ビームを利用して、限定され
た領域のガス分子の励起およびイオンビームの引き出し
を効率良く実現することができる。
上記以外の各実施態様の特有の効果については実施例の
項に記載した通りである。
項に記載した通りである。
本発明のイオンビーム発生方法および装置は、LSIプロ
セスにおけるドライエッチングや微細パターン形成用イ
オンビーム装置などへの応用に適している。
セスにおけるドライエッチングや微細パターン形成用イ
オンビーム装置などへの応用に適している。
第１図は本発明の基本的な装置構成を示す概略図、第２
図は電子シンクロトロン放射光の波長分布およびガス分
子の吸収断面積のスペクトル分布を示す図、第３図は電
子シンクロトロン放射光の放射角度分布を示す図、第４
図は集光手段を付加した本発明の装置構成の他の例を示
す概略図、第５図はその対向電極と軟Ｘ線または真空紫
外光ビームの相対的位置関係を示す図、第６図、第７図
は集光手段と波長選択手段を併用した本発明の装置構成
の他の例を示す概略図、第８図は従来の直流グロー放電
形式のイオンビーム発生装置を示す概略図、第９図は従
来の高周波放電形式のイオンビーム発生装置を示す概略
図である。 ７、８、17、18、19……軟Ｘ線または真空紫外光ビーム
照射手段（７……電子シンクロトロン放射装置、８……
ビーム伝搬路、17……集光用シリンドリカルミラー、18
……波長選択用分光器、19……集光用レンズ） ９……イオン化室 10……ガス導入手段であるノズル 11、12、13、14、15……電界形成手段（11、12……対向
電極、13……引き出し電極、14、15……電流バイアス電
源） 16、20……励起領域 Ｌ……軟Ｘ線または真空紫外光ビーム
図は電子シンクロトロン放射光の波長分布およびガス分
子の吸収断面積のスペクトル分布を示す図、第３図は電
子シンクロトロン放射光の放射角度分布を示す図、第４
図は集光手段を付加した本発明の装置構成の他の例を示
す概略図、第５図はその対向電極と軟Ｘ線または真空紫
外光ビームの相対的位置関係を示す図、第６図、第７図
は集光手段と波長選択手段を併用した本発明の装置構成
の他の例を示す概略図、第８図は従来の直流グロー放電
形式のイオンビーム発生装置を示す概略図、第９図は従
来の高周波放電形式のイオンビーム発生装置を示す概略
図である。 ７、８、17、18、19……軟Ｘ線または真空紫外光ビーム
照射手段（７……電子シンクロトロン放射装置、８……
ビーム伝搬路、17……集光用シリンドリカルミラー、18
……波長選択用分光器、19……集光用レンズ） ９……イオン化室 10……ガス導入手段であるノズル 11、12、13、14、15……電界形成手段（11、12……対向
電極、13……引き出し電極、14、15……電流バイアス電
源） 16、20……励起領域 Ｌ……軟Ｘ線または真空紫外光ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 豊樹 神奈川県厚木市森の里若宮３番１号 日本 電信電話株式会社厚木電気通信研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−27039（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】直流電場が形成されたイオン化室内にガス
を導入し、軟Ｘ線または真空紫外光ビームを照射して、
前記イオン化室内の限定された領域のガスをイオン化
し、生成したイオンを前記直流電場によりイオン引き出
し電極系に輸送し、該イオン引き出し電極系により所望
のエネルギーのイオンビームとして引き出すことを特徴
とするイオンビーム発生方法。 - 【請求項２】前記軟Ｘ線または真空紫外光ビームは、特
定の波長成分からなり、この特定の波長成分によって前
記ガスを特定の種類のイオン種にイオン化することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム発生
方法。 - 【請求項３】前記軟Ｘ線または真空紫外光ビームは、扁
平な形状を有し、かつ、上記直流電場の等電位面に平行
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項
のいずれかに記載のイオンビーム発生方法。 - 【請求項４】前記軟Ｘ線または真空紫外光ビームは、微
小なスポットに集光して照射されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項、第２項のいずれかに記載のイオン
ビーム発生方法。 - 【請求項５】イオンを引き出すための開口を有するイオ
ン化室と、該イオン化室にガスを導入する手段と、前記
イオン化室に軟Ｘ線または真空紫外光ビームを照射する
手段と、該軟Ｘ線または真空紫外光ビームの照射により
ガスがイオン化される励起領域から生成したイオンを前
記開口まで輸送するための直流電場を前記イオン化室内
に形成する手段と、前記開口まで輸送されたイオンを所
望のエネルギーのイオンビームとして引き出すための電
界を形成する手段とを有し、前記軟Ｘ線または真空紫外
光ビームの照射手段は電子シンクロトロン照射装置を軟
Ｘ線または真空紫外光の発生源として用いた構成を有す
ることを特徴とするイオンビーム発生装置。 - 【請求項６】前記軟Ｘ線または真空紫外光ビームの照射
手段は、該軟Ｘ線または真空紫外光ビームを特定の波長
成分とするための波長選択手段を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第５項記載のイオンビーム発生装置。 - 【請求項７】前記Ｘ線または真空紫外光ビームの照射手
段は、該軟Ｘ線または真空紫外光ビームを扁平な形状と
するための集光手段を有することを特徴とする特許請求
の範囲第５項、第６項のいずれかに記載のイオンビーム
発生装置。 - 【請求項８】前記軟Ｘ線または真空紫外光ビームの照射
手段は、該軟Ｘ線または真空紫外光ビームを微小なスポ
ットに集光するための集光手段を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第５項、第６項のいずれかに記載のイ
オンビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183945A JPH0760654B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | イオンビ−ム発生方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183945A JPH0760654B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | イオンビ−ム発生方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244936A JPS6244936A (ja) | 1987-02-26 |
| JPH0760654B2 true JPH0760654B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16144558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60183945A Expired - Fee Related JPH0760654B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | イオンビ−ム発生方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760654B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2710913B2 (ja) * | 1993-06-18 | 1998-02-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線発生管 |
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| JP5618851B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2014-11-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127039A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | Mitsubishi Electric Corp | イオンビ−ム発生装置 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60183945A patent/JPH0760654B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6244936A (ja) | 1987-02-26 |
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