JP2006080029A - 微小イオンビーム発生方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この出願の発明は、レーザーをターゲット気体中で集光させてプラズマを発生させ、発生したプラズマ中のイオンを引き出して集束させることにより微小イオンビームを形成することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
H. Hiroshima et al.: "A Focused He+ Ion Beam with a High Angular Current Density", Japanese Journal of Applied Physics 31, p.4492 (1992) E. Salancon et al.: "A new approach to gas field ion sources", Ultramicroscopy 95, p.183 (2003) Y. Ishii et al.: "Low-energy ion source characteristics for producing an ultra-file microbeam", Nuclear Instrument and Method B 118, p.75 (1996) Y. Ishii et al.: "Development of a sub-micron ion beam system in the keV range", Nuclear Instrument and Method B 181, p.71 (2001) Y. Ishii et al.: "Progress in submicron width ion beam system using double acceleration lenses", Nuclear Instrument and Method B 210, p.70 (2003)
のガス圧力は引き出し側の真空チャンバ内の真空度に影響がない程度に、できるだけ高くすることが望ましい。
図1は同上一実施形態の微小イオンビーム発生装置の構成を模式的に示す断面図である。この微小イオンビーム発生装置(1)では、プラズマ生成用チャンバ(2)と真空チャンバ(3)が隣接して配置される。プラズマ生成用チャンバ(2)内にはターゲット気体(4)が収容される。プラズマ生成用チャンバ(2)はレーザー(5)の照射、集光のための透明窓(6a)、(6b)と、発生したプラズマを引き出すための引き出し口(7)を備えている。レーザー(5)は集光レンズ(8)によりターゲット気体(4)中で集光され、その集光位置においてプラズマ(9)が生成する。すなわちレーザー(5)の集光位置がイオン源となる。真空チャンバ(3)内において、イオン引き出し口(7)の近傍にはプラズマ(9)中のイオンを引き出すためのイオン引き出し電極(10)が設けられ、さらにそれに隣接して、引き出されたイオンを集束するための静電レンズ(11)が設けられている。(12)は得られた微小イオンビームである。
2 プラズマ生成用チャンバ
3 真空チャンバ
4 気体ターゲット
5 レーザー
6a、6b 透明窓
7 イオン引き出し口
8 集光レンズ
9 プラズマ
10 イオン取り出し電極
11 静電レンズ
12 微小イオンビーム
Claims (5)
- レーザーをターゲット気体中で集光させてプラズマを生成させ、生成したプラズマ中のイオンを引き出して集束させることにより微小イオンビームを形成することを特徴とする微小イオンビーム発生方法。
- ターゲット気体が常温でガス状の元素からなること特徴とする請求項1記載の微小イオンビーム発生方法。
- ターゲット気体が水素であることを特徴とする請求項2記載の微小イオンビーム発生方法。
- ターゲット気体が希ガスであることを特徴とする請求項2記載の微小イオンビーム発生方法。
- ターゲット気体を収容するプラスマ発生用チャンバと、
プラズマ発生用チャンバ内のターゲット気体中にレーザーを照射、集光させるレーザー照射手段と、
レーザーの照射、集光により発生したプラズマ中のイオンを引き出すイオン引き出し手段と、
イオン引き出し手段により引き出されたイオンを集束させて微小イオンビームとするイオン集束手段を備えることを特徴とする微小イオンビーム発生装置。
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---|---|---|---|
JP2004265450A JP2006080029A (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | 微小イオンビーム発生方法及び装置 |
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JP2004265450A JP2006080029A (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | 微小イオンビーム発生方法及び装置 |
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JP2006080029A true JP2006080029A (ja) | 2006-03-23 |
Family
ID=36159293
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6244936A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオンビ−ム発生方法および装置 |
JPH052000A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Toru Kinukawa | 水素原子線による表面分析装置 |
JP2001210247A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Inst Of Physical & Chemical Res | 低速多価イオンビームの発生装置 |
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2004
- 2004-09-13 JP JP2004265450A patent/JP2006080029A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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JPS6244936A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオンビ−ム発生方法および装置 |
JPH052000A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Toru Kinukawa | 水素原子線による表面分析装置 |
JP2001210247A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Inst Of Physical & Chemical Res | 低速多価イオンビームの発生装置 |
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