JP2003534631A - 中性ビームを制御することに基づく極紫外線源 - Google Patents

中性ビームを制御することに基づく極紫外線源

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JP2003534631A JP2001586550A JP2001586550A JP2003534631A JP 2003534631 A JP2003534631 A JP 2003534631A JP 2001586550 A JP2001586550 A JP 2001586550A JP 2001586550 A JP2001586550 A JP 2001586550A JP 2003534631 A JP2003534631 A JP 2003534631A
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マクジオック，マルコム・ダブリュー
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プレックス・エルエルシー
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Abstract

(57)【要約】 光子源は、放電チャンバと、該放電チャンバ内にある複数のイオンビーム源と、中性化機構とを備えている。イオンビーム源の各々は作用ガスのイオンビームをプラズマ放電領域に向けて静電気的に加速する。中性化機構はイオンビームがプラズマ放電流域に入る前に、イオンビームの少なくとも一部分を中性化する。中性化されたビームはプラズマ放電領域に入り且つ光子を放射する高温プラズマを形成する。光子は柔らかいＸ線又は極紫外線波長範囲とすることができ、１つの実施の形態において、約１０乃至１５ナノメートルの範囲の波長を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【関連出願の相互参照】
本出願は、参考として引用し本明細書に含めた、２０００年、５月２２日付け
で出願された米国仮特許出願第６０／２０６，１３０号の利益を主張するもので
ある。
【０００２】
【発明の分野】
本発明は、イオンをプラズマ放電領域に向けて静電気的に加速し、その後に、
放電領域に近付くに伴い、空間放電反発を回避し得るようにイオンを中性化する
ことにより高パワーの光子の発生が実現される、プラズマＸ線源、及びより具体
的には、柔らかいＸ線又は極紫外線光子源に関する。
【０００３】
【発明の背景】
走査リングフィールドカメラ又はその他の画像装置を使用して光リソグラフィ
法を行うためには、高パワーで明るい極紫外線又は柔らかいＸ線光子源が必要と
される。リングフィールドリソグラフィ法は、例えば、１９９４年５月２４日付
けでジュウェル（Ｊｅｗｅｌｌ）らに対して発行された米国特許第５，３１５，
６２９号に記載されている。この目的のため、１２．５乃至１４．５ナノメート
ルの波長範囲が特に有用であり、それは、この帯域において、ケイ素及びモリブ
デン多層に基づく比較的高反射型ミラーが利用可能であるからである。別の近波
長、１１．４ナノメートルも、ケイ素及びベリリウム多層ミラーが利用可能であ
るため、興味を引く。
【０００４】 パルス状レーザをキセノンクラスタ膨張部に集束させることにより形成された
プラズマを放出することを介してこれらのリソグラフィ波長を発生させるため、
１０ナノメートル乃至１５ナノメートルの範囲のキセノン帯域の放出が提案され
ている。例えば、１９９６年１１月１９日付けでキュビアック（Ｋｕｂｉａｋ）
らに対して発行された米国特許第５，５７７，０９２号を参照するとよい。それ
により形成されるキセノンプラズマは、所望の帯域にて放射する高度にイオン化
したキセノン種を保持するため２０ｅＶ（電子ボルト）以上の温度に達しなけれ
ばならない。使用可能な１３．５ナノメートルの光子エネルギを可能にするため
のレーザエネルギからの変換効率は、１％以下であり、その結果、極めて高パワ
ー（数キロワット）レーザが必要とされる。かかるレーザは、高価格で且つ多額
の運転コストがかかる。レーザ発生によるプラズマアプローチ法の２つのその他
の不利益な点は、次の通りである。（ａ）捕集光学要素はプラズマに近く、大き
い立体角の放出された光線を集め、その結果、プラズマからのキセノンイオンが
スパッタリングにより捕集面を傷付けること、（ｂ）クラスタ膨張を生じさせる
ノズルは、工程が機能するためには、プラズマの約２ｍｍ以内になければならな
い。これにより、ノズルは侵食され、材料が捕集光学素子上に堆積し、その結果
、捕集光学素子の極紫外線の反射率が劣化することになる。
【０００５】 １０乃至１５ナノメートルのキセノン帯域の放射線を発生させるためのより直
接的な方法は、キセノンイオンをＺピンチ放電として既知のパルス式円筒状放電
体の軸に向けて磁気的に加速することである。この技術は、例えば、１９９６年
４月２日付けでマックゲオ（ＭｃＧｅｏｃｈ）に対して発行された米国特許第５
，５０４，７９５号、及び１９９８年、アプライド・オプティクス（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｏｐｔｉｃｓ）Ｖｏｌ．３７の１６５１−１６５８頁におけるマックゲオ
の「極紫外線リソグラフィ用の無線周波数プレイオン化したキセノンＺピンチ源
（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｐｒｅ−ｉｏｎｉｚｅｄ Ｘｅｎｏｎ Ｚ
−ｐｉｎｃｈ Ｓｏｕｒｃｅ ｆｏｒ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅ
ｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）」に開示されている。この源は、中心軸を有する
ピンチ領域を画成するチャンバと、ＲＦ電極にＲＦエネルギを印加することに応
答して中心軸の周りで対称であるプラズマ殻体を形成すべく、ピンチ領域内でガ
スをプレイオン化するためピンチ領域の周りに配置されたＲＦ電極と、ピンチ領
域の両端に配置されたピンチアノード及びピンチカソードとを備えている。０．
１トル乃至１０トルの範囲の典型的な圧力レベルにてＸ放射ガスがチャンバ内に
導入される。ピンチアノード及びピンチカソードは、プラズマ殻体を通じて電流
を軸方向に発生させ且つ高エネルギの電気パルスをピンチアノード及びピンチカ
ソードに印加することに応答してピンチ領域内で方位磁界を発生させる。方位磁
界によりプラズマ殻体は、中心軸に対して崩壊し且つＸ線を発生させる。
【０００６】 Ｚピンチ源は、直接、比較的高効率的にて電気エネルギをプラズマエネルギに
変換する。供給された電気エネルギの約１０％がキセノン帯域にて放射される。
しかし、放射するプラズマは、レーザを集束させることにより発生されるものよ
りも数倍大きいから、より小さい立体角の光線を捕集し且つ制限されたｅｔｅｎ
ｄｕｅを有するリソグラフィック光学素子内に導入することができる。このため
、正味効率利得は、２乃至４倍の範囲だけより小さい値まで減少する。Ｚピンチ
源の捕集角度がより小さいことの有利な点は、キセノンイオンによって傷付かな
いように捕集光学面がピンチ領域から十分に離れた位置にあることである。また
、捕集した光子ビームの角度がより小さいことは、フォイルトラップ又はその他
の装置をプラズマと捕集光学素子との間に挿入し、汚染物及びパーティキュレー
トを除去して、長時間の作動寿命に亙って捕集光学素子を保護することを許容す
る。
【０００７】 Ｚピンチ源の不利益な点は、放電プラズマ内で電子に力が加わる結果として、
イオン加速が生ずることに起因する。電子は、放電カソードとアノードとの間に
て円筒状の薄板内を流れ、戻り電流は外側の導電性円筒体を通って流れる。これ
らの円筒状の電流薄板の間にて、強力な磁界はプラズマシートをＺピンチ軸に向
けて加速する圧力を提供する。しかし、プラズマシートを発生させるコストのた
め、電子をＺピンチ電極から抽出しなければならず、また、この方法は、放電体
からキセノンイオンが入射することにより電子材料がスパッタリングされるため
、小さいが、不可避的な率の電極の侵食を伴う。
【０００８】 融合反応を生じさせ得るようにイオンが球状体の中心に向けて加速される、融
合器として既知の装置を研究した。かかる装置は、１９６６年６月 日付けで
ファーンズワース（Ｆａｒｎｓｗｏｒｔｈ）に対して発行された米国特許第３，
２５８，４０２号、１９６８年６月４日付けでファーンズワースに対して発行さ
れた米国特許第３，３８６，８８３号及び１９７０年９月２２日付けでヒルシェ
（Ｈｉｒｓｃｈ）らに対して発行された米国特許第３，５３０，４９７号に開示
されている。
【０００９】 既知の従来技術の装置の全てには１つ又はより多くの欠点及び不利益な点があ
る。従って、柔らかいＸ線又は極紫外線光子を発生させる改良された方法及び装
置が必要とされている。
【００１０】
【発明の概要】
本発明の第一の面によれば、光子源は、放電チャンバと、放電チャンバ内の複
数のイオンビーム源と、中性化機構とを備えている。イオンビーム源の各々は、
作用ガスのイオンビームをプラズマの放電領域に向けて静電的に加速する。中性
化機構は、イオンビームがプラズマ放電領域に入る前にイオンビームの少なくと
も一部を中性化する。中性化されたビームは、プラズマ放電領域に入り且つ光子
を放射する高温プラズマを形成する。
【００１１】 光子は、柔らかいＸ線又は極紫外線波長範囲内にある。１つの実施の形態にお
いて、放射する光子は、約１０乃至１５ナノメートルの波長を有する。 イオンビーム源は、パルス状又は連続式とすることができる。１つの実施の形
態において、プラズマ放電領域は、球状の形状であり、イオンビーム源は、球状
のプラズマ放電領域の周りで分配される。別の実施の形態において、プラズマ放
電領域は、円筒状の形状であり、イオンビーム源は、円筒状のプラズマ放電領域
の周りで分配される。
【００１２】 複数のイオンビーム源は、プラズマ放電領域を貫通する軸に沿って整合された
複数組みの開口を有する同心状の電極殻体と、電極殻体の間に電圧を印加する電
圧源と、作用ガスを電極殻体の複数組みの開口に供給するガス源とを備えている
。電極殻体は、カソード殻体及びアノード殻体を備えることができる。電極殻体
は、カソード殻体及びアノード殻体の間で１つ又はより多くの中間殻体を更に備
えることができる。電極殻体は、擬火花放電を発生させる形態とすることができ
、より具体的には、タンデム擬火花放電を発生させる形態とすることができる。
【００１３】 １つの実施の形態において、中性化機構は、イオンビームの各々に共鳴電荷交
換（ｒｅｓｏｎａｎｔ ｃｈａｒｇｅ ｅｘｃｈａｎｇｅ）を備えている。別の
実施の形態において、イオンビームは電子を導入することにより中性化される。
【００１４】 作用ガスは、キセノン、リチウム、ヘリウム、ネオン、アルゴン及びクリプト
ンから成る群から選ぶことができるが、これらのガスにのみ限定されるものでは
ない。放電チャンバ内の作用ガスの圧力は、約１乃至１００ミリトルの範囲にあ
ることが好ましい。
【００１５】 本発明の別の面によれば、光子源は、作用ガスを保持する放電チャンバと、放
電チャンバ内の同心状の電極殻体と、電極殻体の間に電圧を印加する電圧源と、
中性化機構とを備えている。電極殻体は、プラズマ放電領域を貫通する軸に沿っ
て整合された複数組みの開口を有している。作用ガスのイオンビームは、プラズ
マの放電領域に向けて軸に沿って向けられる。中性化機構は、イオンビームがプ
ラズマ放電領域に入る前に、イオンビームの少なくとも一部を中性化する。中性
化されたビームは、プラズマ放電領域に入り且つ光子を放射する高温プラズマを
形成する。
【００１６】 本発明の更なる面によれば、光子を発生させる装置が提供される。該装置は、
放電チャンバを画成するハウジングと、放電チャンバ内に配置された同心状の電
極殻体と、電極殻体の間で電圧を印加する電圧源と、作用ガスを放電チャンバに
供給するガス源と、中性化機構と、放電チャンバ内の作用ガスの圧力を制御する
真空装置とを備えている。電極殻体は、プラズマ放電領域を貫通する軸に沿って
整合された複数組みの開口を備えている。作用ガスのイオンビームは軸に沿って
プラズマ放電領域に向けられる。中性化機構はイオンビームがプラズマ放電領域
に入る前に、イオンビームの少なくとも一部を中性化し、中性化されたビームは
プラズマ放電領域に入り且つ光子を放射する高温プラズマを形成する。
【００１７】 ガス源及び真空装置は、作用ガスを放電チャンバを通じて循環させ得るように
接続することができる。 該装置は、放射した光子の測定スペクトルに応答して放電チャンバ内への作用
ガスの流量を制御するフィードバック制御装置を更に備えることができる。該フ
ィードバック制御装置は、放射した光子のスペクトルを検出する光子検出器と、
放電チャンバ内への作用ガスの流れを制御すべく測定光子スペクトルに応答可能
な流れ制御装置とを備えることができる。
【００１８】 該ハウジングは、放射した光子を捕集領域に通す構造体を備えることができる
。該構造体は、放射した光子の伝播方向と整合された複数の穴を有するハニカム
スクリーンを備えることができる。
【００１９】 本発明の別の面によれば、光子を発生させる方法が提供される。該方法は、作
用ガスの複数のイオンビームをプラズマ放電領域に向けて静電気的に加速する工
程と、イオンビームがプラズマ放電領域に入る前に、イオンビームの少なくとも
一部を中性化する工程とを備え、中性化されたビームがプラズマ放電領域に入り
且つ光子を放射する高温プラズマを形成する。
【００２０】 本発明を一層良く理解し得るようにするため、本明細書に含めた添付図面に関
して説明する。
【００２１】
【詳細な説明】
本発明による光子源は、光子を放出する高温プラズマを形成するためイオンを
放電領域まで加速することを利用する。イオンは、磁力ではなくて静電気により
加速される。イオンを小さい放電容積に向けるため、イオンはその軸が放電領域
内で直交する幾何学的に精密な加速空隙内で加速される。イオンは、イオン源か
ら加速空隙に供給するか又は空隙内で直接、発生させることができる。極紫外線
光子を放射させるには、放電領域内のプラズマは２０ｅＶ以上の温度に達しなけ
ればならないが、この温度での放射は極めて強力であり、プラズマを迅速に冷却
する傾向にある。必要とされる温度はパルス状イオンビームを向けることにより
最も容易に実現可能である。しかし、本発明の範囲内で連続的なイオンビームを
利用することもできる。中央プラズマに供給される粒子当たりのエネルギは、典
型的に、数キロボルトであり、再結合し、極紫外線又は柔らかいＸ線範囲内で放
射する高度のイオン化状態を形成する。更に、イオンは正電荷を保持しており、
この正電荷は、その中性化のための機構が設けられない限り、イオンが放電領域
に到達する前に、イオンを互いに反発させることになろう。１つの実施の形態に
おいて、加速されたイオンは、加速空隙から去るとき、共鳴電荷の交換を行い、
中性原子として中央位置に運ばれる。別の実施の形態において、イオンビームは
電子流を追加することにより中性化される。形成される中性化したビームは、偏
向されずに放電領域に入ることができる。共鳴電荷交換（ｒｅｓｏｎａｎｔ ｃ
ｈａｒｇｅ ｅｘｃｈａｎｇｅ）の場合、ガス圧力は、数センチメートルの距離
にて実質的に完全な電荷の交換を実現し得るように調節される、すなわち、ガス
圧力は約１乃至１００ミリトルの範囲にあることを意味する。
【００２２】 光子源に対するイオンビームは、その一例を図１Ａに図示した擬火花（ｐｓｅ
ｕｄｏｓｐａｒｋ）放電装置にて発生させることができる。擬火花放電装置１０
は、整合した穴２０、２２、２４をそれぞれ有する隔たった平面状電極１２、１
４、１６を備えている。図１Ａにおいて、擬火花放電装置１０は２系統の空隙を
備えている。全体として、擬火花放電装置は、擬火花放電のアノード及びカソー
ドとして作用する端部電極の間で１つ乃至多数の空隙を備えることができる。穴
２０、２２、２４は円形であり且つ１つの軸上で整合されている。典型的に、１
乃至１００ミリトルの圧力である作用ガスが擬火花放電装置に供給される。パル
ス状電圧が電極に印加され、プラズマの形成が開始したとき、粒子ビームは双方
向に向けて空隙から去る。正のパルスが電極１６に印加されたとき、電子ビーム
３０はアノード電極１６の穴２４を介して出て、また、イオンビーム３２はカソ
ード電極１２の穴２０を介して出る。電極１４のような中間電極は中間電位にて
浮動し又は偏倚して発生された粒子ビームを集束させることを助ける。中間電極
は、また所定のパルス状電圧に対して低いガス密度を使用することも許容し、こ
のことは極紫外線の吸収量を減少させる。
【００２３】 本発明による光子源の第一の実施の形態が図２Ａ及び図２Ｂに図示されている
。図２Ａ及び図２Ｂの実施の形態は、２空隙のイオン加速構造体１００を備えて
いる。加速構造体１００は、同心状の球状電極殻体１１２、１１３、１１４を備
えている。電極殻体１１２、１１３、１１４は、中央のプラズマ放電領域１２０
を貫通する軸に沿って整合された複数組みの穴を有している。このため、例えば
、電極殻体１１２、１１３、１１４の穴１２２、１２３、１２４はそれぞれプラ
ズマ放電領域１２０を貫通する軸１２６に沿って整合される。穴１２２、１２３
、１２４のような各組みの穴は加速コラム１２８を画成する。電極殻体１１２、
１１３、１１４の間の空間は、イオンビームを静電気的に加速するための加速空
隙を構成する。このように、加速コラムの各々は図２Ａ及び図２Ｂの実施の形態
にて２つの空隙を有する。図２Ａ及び図２Ｂの実施の形態は、１組１２ずつの３
組に配置された３６の加速コラム１２８を備えている。このように加速構造体１
００は、３６のイオンビームをプラズマ放電領域１２０に向ける。しかし、本発
明の範囲内で異なる数のイオンビームを利用することができる。
【００２４】 電極殻体１１２、１１３、１１４は、絶縁スペーサ１３０により支持すること
ができる。単に一例として、最内側電極殻体１１２は、直径５０ｍｍとし、電極
殻体間の間隔を５乃至１０ｍｍ程度とすることができる。電極殻体内で整合され
た穴１２２、１２３、１２４の直径は、３ｍｍ程度とすることができる。これら
の寸法は、単に一例として掲げたものであり、本発明の範囲を限定するものでは
ないことが理解されよう。加速構造体１００は、中間の電極殻体１１３無しの構
造とし又は２つ又はより多くの中間電極殻体を備えるものとすることもできる。
【００２５】 ポート１３４を有するプレナム１３２は加速構造体１００を包み込む。１０乃
至１５ナノメートルの放射線を発生させる場合、キセノンとすることのできる作
用ガスは、プレナム１３２のポート１３４を通じて導入し、プラズマ放電領域１
２０から最も離れた端部から加速コラム１２８の各々に供給し得るようにするこ
とができる。該構造体の中央部分は、加速構造体１００の頂部開口１４０及び（
又は）底部開口１４２を通じて真空励起により真空作用の下に置かれる。
【００２６】 加速構造体１００の中央部分における作用ガスの圧力は約１乃至１００ミリト
ルの範囲に保つことが好ましい。上述したように、１つの適宜な作用ガスはキセ
ノンである。その他の適宜な作用ガスは、非限定的に、リチウム、ヘリウム、ネ
オン、アルゴン及びクリプトンを含む。
【００２７】 作動時、作用ガスは、ポート１３４を通じて最外側の電極殻体１１４の後方の
空間１４４内にパルスモードにて又は連続的に導入する。作用ガスの一部は加速
コラム１２８に沿って下方に流れる。適宜なガス密度が加速コラム１２８内に存
在するとき、電極殻体１１２、１１４の間にパルス状電圧を印加することができ
、電極殻体１１４の極性は電極殻体１１２に対して正であるようにする。図２Ａ
及び図２Ｂの形態において、適宜なガス密度が存在し、十分な電圧が印加される
ならば、加速コラム１２８の各々にて擬火花放電が連続的に発生する。擬火花放
電は反対方向を向いた電子及び極めて高強度のイオンビームを発生させることを
特徴とする。イオンビームは電極殻体１１２にて加速コラム１２８の負極性端部
から出る一方、電子ビームは電極殻体にて加速コラムの正極性端部から出る。中
間電極殻体１１３は、電極殻体１１２、１１４間の中間の選んだ電位に保つこと
ができる。この中間の電位を調整すれば、プラズマ放電領域１２０におけるイオ
ンビームの集束程度を向上させることができる。
【００２８】 電極殻体１１２、１１４の間に印加された電圧はパルス状であることが好まし
い。これと代替的に、連続的電圧を利用してもよい。パルス電圧は５乃至５０ｋ
Ｖ（キロボルト）の振幅と、１０乃至１０００ナノ秒のパルス幅と、１Ｈｚ乃至
１００ｋＨｚの反復率とを有することが好ましい。パルス振幅は、イオンビーム
を加速し、１００ｅＶ（電子ボルト）から１０ｋｅＶ（１０００電子ボルト）の
エネルギーまで増大させるように選ばれる。これらのパラメータは単に一例とし
て掲げたものであり、本発明の範囲を限定するものではないことが理解されよう
。印加される電圧は、加速構造体のパラメータ、作用ガスのパラメータ及び放射
した光子のパラメータに依存する。
【００２９】 加速コラム１２８内で発生されたイオンビームは、プラズマ放電領域１２０に
静電気的に加速されて、この放電領域に効果的に衝突し且つイオンビーム中の作
用ガス原子が連続的に到着することで追加される、成長しつつあるプラズマを急
速に加熱する。加速コラムの各々の出口領域１４６における作用ガスの密度を正
確に調整することにより、殆どのイオンは、共鳴電荷交換により中性化され、偏
向することなくプラズマ放電領域内のプラズマまで伝播する中性ビームを形成す
る。作用ガスの圧力は、共鳴電荷交換を促進させ得るように約１乃至１００ミリ
トルの範囲にあることが好ましい。中性化されないこれらのイオンは各イオンビ
ームに対して過剰な正電荷を与え、擬火花放電に分解することによりカソードと
して既に励起されている電極殻体１１２の近傍面から電子が吸引されるようにす
る。このように、中性原子には、中性化されない残りのイオン及び電子を含む電
荷がほぼ釣り合ったプラズマビームが伴い、ビームプラズマは、プラズマ放電領
域１２０にて形成する高温プラズマへの追加のエネルギを提供する。プラズマ放
電領域１２０は、約０．００１乃至０．１ｃｍ3の範囲の容積を有することがで
きる。
【００３０】 プラズマが２０ｅＶ以上の温度に達したとき、極紫外線の放出が形成され、中
央のプラズマの組成にて優勢となり始める電荷状態となる。極紫外線光子の放射
は、１０乃至１００ナノ秒続く、エネルギを追加する段階、及びビームパワーが
減少されるときに開始し且つ１０乃至１００ナノ秒続く、プラズマを冷却する段
階の間の双方にて生じる。最初のＺピンチ源の場合と同様に、プラズマ放電領域
１２０におけるプラズマからの放射にて、膨張段階の間、急速に冷える電子が存
在することで供給される、再結合遷移が優勢となることができる。極紫外線光線
ビーム１５０は、加速構造体１００の開口１４０、１４２の各々から出るが、典
型的に、一方向にのみ使用される。
【００３１】 図２Ａ及び図２Ｂの光子源が数１０キロヘルツまでの割合にて反復的に作用す
ることは、リソグラフィ用途の走査リングフィールドカメラにて正確な露出照射
量を提供する。擬火花放電装置は、１００キロヘルツ以上の周波数にて再生する
ことができる。更に、多数の擬火花放電通路を同期化することは、１９９６年５
月２６日付けでマックゲオに対して発行された米国特許第５，５０２，３５６号
に開示されたように、光子源としてではなく、高電流の電気スイッチとして設計
された同様の電極の幾何学的形態にて実証されている。数キロヘルツ以上のよう
な、高反復周波数のとき、プラズマは、恒久的に、包み込まれた容積内に存在す
る。プラズマは、プラズマ放電領域１２０から全方向に向けて放射状に発する部
分的にイオン化されたガスを備えている。プラズマ流が電極殻体１１２の表面に
到達すると、二次電子が解放され、この電子は、電圧パルスが印加されたならば
、同期化した状態でコラム放電の各々を開始させる。
【００３２】 本発明による光子源の第二の実施の形態が、図３Ａ及び図３Ｂに図示されてい
る。図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂの同様の要素は、同様の参照番号で表示し
てある。図３Ａ及び図３Ｂの実施の形態において、イオンビームは、同一方向に
伝播する電子流を加えることで中性化される。イオン及び電子ビームは、タンデ
ム擬火花装置と称される背中を合わせた擬火花装置によって同時に発生される。
【００３３】 タンデム擬火花放電装置２００は、図１Ｂに概略図で示してある。タンデム擬
火花放電装置２００は、整合した穴２１２を有する平面状電極２０２、２０４、
２０６、２０８、２１０を備えている。中間電極２０６は、装置の各端部にて電
極２０２、２１０に対して正極性でパルス状に作動させ、これにより、背中同士
を合わせた形態を形成する。電子及びイオンビームは、図１Ａの装置におけるよ
うに発生される。しかし、図１Ｂの背中同士を合わせた形態において、電子及び
イオンビームは、互いに重ね合わされ、このためイオンビームには、低エネルギ
の電子が伴う。形成される中性のプラズマビームは、空間電荷の反発に起因する
実質的な偏向を伴わずに伝播し且つさもなければイオンを追い出すであろう正電
位を生ぜずに、光子源の放電領域に近付く。
【００３４】 図３Ａ及び図３Ｂを再度参照すると、加速構造体３００は、同心状の球状電極
殻体３１２、３１４、３１６、３１８、３２０を備えている。電極殻体３１２、
３１４、３１６、３１８、３２０は、プラズマ放電領域１２０を貫通する軸３３
０に沿って整合された複数組みの穴３２４を有している。整合された穴３２４は
加速コラム１２８を画成する。
【００３５】 作動時、キセノンガス又はその他の作用ガスがポート１３４を通じて空間１４
４及び電極殻体３１２、３１４、３１６、３１８、３２０の間に導入される。中
間電極殻体３１６は最内側電極殻体３１２及び最外側電極殻体３２０に対して正
極にてパルス化される。擬火花放電は、電極殻体３１６、３１２と、電極殻体３
１６、３２０との間にて同時に着火し、軸３３０に沿って中性のビームを発生さ
せる。内方に向けられたビームはプラズマ放電領域１２０内で収斂して衝突し且
つ典型的に２０乃至５０ｅＶの温度の高温プラズマを発生させる。プラズマの膨
張及び加熱が停止したとき、プラズマは冷却し且つ再結合して、極紫外線光子を
放射する。一例として、作用ガスは数ミリトルの圧力のキセノンとすることがで
きる。放電領域１２０内のプラズマは１００Å乃至１５０Åの範囲のキセノン帯
域内で放射する。電極殻体の構造は、作用ガスのパラメータ及び印加されたパル
ス電圧のパラメータは図２Ａ及び図２Ｂの実施の形態に関して説明したものと同
様のものとすることができる。
【００３６】 図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ及び図３Ｂの実施の形態におけるプラズマ放電領域１
２０は球状である。しかし、衝突する中性ビームにより形成されたプラズマ放電
領域は必ずしも球状である必要はなく、円筒状、楕円形又は任意のその他の形状
とすることができる。
【００３７】 球状のプラズマ放電領域を有する、本発明による光子源の第三の実施の形態が
図４Ａ及び図４Ｂに図示されている。図２Ａ、図２Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂの同様
の要素は同一の参照番号で表示してある。図４Ａ及び図４Ｂの実施の形態におい
て、加速構造体４００は同心状の電極殻体４１２、４１４、４１６を備えている
。電極殻体４１２、４１４、４１６は円筒状のプラズマ放電領域４３０を貫通す
る軸４２４に沿って整合された複数組みの穴４２０を有している。複数組みの穴
４２０は加速コラム１２８を画成する。図４Ａ及び図４Ｂの実施の形態において
、作用ガスはプレナム１３２のポート１３４を通じて加速構造体４００に導入さ
れて、空間１４４内で及び電極殻体４１２、４１４、４１６の間でほぼ均一に分
配される。パルス状の電圧は電極殻体４１２、４１６の間に印加され、電極殻体
４１４は中間の電位に保持される。電極殻体４１２、４１４、４１６の幾何学的
形態は、加速コラム１２８内で発生されたビームが円筒状のプラズマ放電領域４
３０に収斂するようなものとされている。図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ及び図３Ｂの
実施の形態と同様に、ビームは、共鳴電荷交換より中性化され且つ（又は）中性
化させる電子が伴うイオンを含む。ビームによって運ばれたエネルギは、放電領
域４３０内でプラズマ内に堆積され、柔らかいＸ線又は極紫外線スペクトル領域
内で放射する高度にイオン化された種（ｓｐｅｃｉｅｓ）を形成する。この放射
線はビーム４５０として源から出る一方、高温プラズマは開口１４２を通じて源
から排出される。
【００３８】 図４Ａ及び図４Ｂの光子源は、中間の電極殻体４１４無しの構造とし、又は２
つ以上の中間殻体を備える構造とすることができる。光子源は、図１Ａ、図３Ａ
及び図３Ｂに図示し且つ上述したようにタンデム擬火花放電装置を内蔵する構造
とすることができる。
【００３９】 放電領域４３０内の円筒状のプラズマは、半径方向よりも円筒状の放電領域の
軸方向に向けてより強力な極紫外線を放出する。細長いプラズマが再結合光線を
放出するとき、指向性の放射線を発生させることができる。放射線を狭小なビー
ムに投影することは、典型的に、ミラーである捕集光学面をプラズマから長い距
離に配置し、ミラーのプラズマ加熱を低下させるか又はミラーに対するより小さ
い放射線の入射角度を使用することを許容しなければならないとき、有益なこと
である。回転楕円体のような球状と円筒体との間のプラズマの形状は、適当な中
性ビームアレイを使用して発生させることができる。
【００４０】 本発明に従って光子を発生させる装置の１つの実施の形態が図５に概略図的に
図示されている。加速構造体５００は、図２Ａ及び図２Ｂに図示した加速構造体
１００、図３Ａ及び図３Ｂに図示した加速構造体３００、図４Ａ及び図４Ｂに図
示した加速構造体４００、又は本発明の範囲内の任意のその他の加速構造体に相
応するものとすることができる。図５の実施例において、加速構造体５００は図
２Ａ及び図２Ｂに図示し且つ上述した加速構造体１００に相応する。図２Ａ、図
２Ｂ及び図５の同様の要素は同一の参照番号で表示してある。加速構造体５００
及びプレナム１３２は放電チャンバ５０４を画成するハウジング５０２内に収容
されている。加速構造体５００の頂部開口１４０は収容物５１６により画成され
た捕集領域５１４にスクリーン５１０を通じて接続されている。収容物５１６は
光子ビーム１５０を遠隔の使用点まで中継する捕集光学素子５１８を保持してい
る。以下に説明するように、スクリーン５１０は、光子が放電チャンバ５０４か
ら捕集領域５１４に伝播するのを許容するが、ガスが放電チャンバ５０４から輪
集領域５１４に流れるのを妨害する。ハウジング５０２に接続されたガス供給源
５２０は、プレナム１３２のポート１３４を通じて加速構造体５００に作用ガス
を供給する。加速構造体５００の底部開口１４２は真空ポンプ５２４に接続され
ている。真空ポンプ５２４の出口５２６がガス源５２０に接続されてガスの再循
環装置を形成する。ガス源５２０及び真空ポンプ５２４は、作用ガスが放電チャ
ンバ５０４を通じて再循環するのを許容する閉ループの形態にてハウジング５０
２に接続されている。ガス源５２０は、作用ガスから不純物及びパーティキュレ
ートを除去する要素を含むことができる。
【００４１】 パルス電圧源５３０は導電体５３２、５３４を介して電極殻体１１４、１１２
にそれぞれ接続されている。パルス電圧源５３０は、ハウジング５０２の外部に
配置され、導体５３２、５３４はそれぞれ絶縁したフィードスルー５３６、５３
８を貫通して加速構造体５００に達する。電圧源５３０の正端子は外側電極殻体
１１４に接続され、電圧源５３０の負端子は内側電極殻体１１２に接続されてい
る。パルス電圧源５３０は固体状態スイッチ付きの磁力調節型パルス発生器とす
ることができる。
【００４２】 プラズマ放電領域１２０を収容物５１２から分離するスクリーン５１０は、光
子ビーム１５０の局部的な伝播方向と整合された多数の小さいボア穴を含むハニ
カム構造体を備えることができる。スクリーン５１０は、光子が殆ど減衰されず
に透過するのを許容しつつ、ガスが放電チャンバ５０４から捕集領域５１４内に
流れるのを妨害する。このため、スクリーン５１０は、放電チャンバ５０４内で
の電荷の交換を許容するのに十分な高圧力と、光子ビームが捕集領域５１４内で
効率的に伝播するのを許容する低圧力との圧力差が放電チャンバ５０４と捕集領
域５１４との間で生じるのを許容する。スクリーン５１０は、プラズマの熱を除
去し且つ捕集領域５１４内で捕集光学素子を保護する高熱伝導性材料で形成する
ことができる。スクリーン５１０は、炭化ケイ素のような電気絶縁性材料又は銅
のような導電性材料で製造することができる。
【００４３】 該装置は、放射された光子の測定スペクトルに応答して放電チャンバ５０４内
への作用ガスの流量を制御するフィードバック制御装置５４８を備えることがで
きる。フィードバック制御装置５４８は、捕集領域５１４内に配置された検出器
５５０と、制御回路５５２と、流れ制御装置５５４とを備えている。検出器５５
０は、制御回路５５２を通じて流れ制御装置５５４に接続されている。流れ制御
装置５５４は放電チャンバ５０４内への作用ガスの流れを制御し得るよう配置さ
れている。一例において、検出器５５０は、優勢なスペクトルの特徴と一致する
２つの波長にて放射された光子の極紫外線スペクトルをサンプリングする。例え
ば、キセノンスペクトルにおいて、第一の検出器は１３．４ナノメートルにおけ
る強度をサンプリングし、第二の検出器は１１．４ナノメートルにおける強度を
サンプリングする。これら検出器の各々は、狭小な帯域幅の放射線を別個の二酸
化ケイ素まで反射する多層ミラーを備えることができる。１３．４ナノメートル
の帯域はモリブデンケイ素多層ミラーによって反射され、１１．４ナノメートル
の帯域はケイ素ベリリウム多層ミラーによって反射される。１３．４ナノメート
ルにおける信号と１１．４ナノメートルにおける信号との比は、制御回路５５２
により決定され、この比は流れ制御装置５５４に対する制御信号を計算するため
に使用される。この比が所望の値よりも大きいならば、プラズマは過度に冷え過
ぎであり、ガス圧力を僅かに降下させる。この比が所望の値よりも小さいならば
、ガス圧力を僅かに上昇させる。このようにして、フィードバック制御装置５４
８は極紫外線放出スペクトルの安定性を保つ。
【００４４】 極紫外線及び柔らかいＸ線波長の範囲内で光子を発生させることに関して本発
明を説明した。極紫外線波長範囲は通常、１０ナノメートル乃至１００ナノメー
トルの範囲を含むと考えられ、柔らかいＸ線波長範囲は、通常、０．１ナノメー
ル乃至１０ナノメートルの範囲を含むと考えられる。本発明はこれらの波長範囲
に限定されず、その他の波長範囲の光子を発生させるために使用することができ
る。
【００４５】 一例において、作用ガスとしてアルゴンを使用し、４０乃至１２０ナノメート
ルの波長範囲の極紫外線の発生を実証した。カソード殻体、アノード殻体及び１
つの中間電極殻体は、６４個の加速カラムを画成する整合した複数組みの３ｍｍ
直径の穴を保持し、これら穴は全て球の中心を貫通する軸に沿って整合させた。
球の中心に形成されたプラズマは直径３ｍｍ以下の容積から放射したが、最内側
電極殻体の内径は５０ｍｍであった。この試験において、装置に加えられたエネ
ルギは６ジュールとし、アルゴンの圧力は４０ミリトルの範囲とし、分光光度計
をプラズマから１５０ｃｍ離れた距離に配置した。極紫外線光線は、装置の１回
のパルスにて全スペクトルを捕集するのを許容するのに十分に強力であった。高
反復率作動の可能性を実証するとき、装置は３００Ｈｚにてパルス作動した。
【００４６】 本発明は、現在、本発明の好ましい実施の形態であると考えられるものについ
て示し且つ説明したが、当該技術分野の当業者には、特許請求の範囲により規定
された本発明の範囲から逸脱せずに色々な変更及び改変を為すことが可能である
ことは明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 １Ａは、単一の擬火花放電装置の概略図である。 １Ｂは、タンデム擬火花放電装置の概略図である。
【図２】 ２Ａは、本発明による極紫外線源の第一の実施の形態を示す側面断面図である
。 ２Ｂは、図２Ａに図示した極紫外線源の頂面断面図である。
【図３】 ３Ａは、本発明による極紫外線源の第二の実施の形態を示す側面断面図である
。 ３Ｂは、図３Ａに図示した極紫外線源の頂面断面図である。
【図４】 ４Ａは、本発明による極紫外線源の第三の実施の形態を示す側面断面図である
。 ４Ｂは、図４Ａに図示した極紫外線源の頂面断面図である。
【図５】 本発明に従って極紫外線光子を発生させる装置の１つの実施の形態を示す概略
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 27/00 Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｈ０５Ｈ 1/24 3/02 3/02 Ｈ０５Ｇ 1/00 Ｋ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＣＮ，Ｊ Ｐ，ＫＲ Ｆターム(参考） 2G085 BA02 DA03 EA01 EA08 4C092 AA06 AA07 AB30 AC09 4G075 AA42 BC10 CA15 CA33 CA38 CA39 CA48 CA51 CA65 EB01 EB33 EB41 EC21 EE01 EE02 EE05 FB03 FC15 5C030 DG06

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光子源において、 放電チャンバと、 該放電チャンバ内に設けられた複数のイオンビーム源であって、その各々が作
    用ガスのイオンビームをプラズマ放電領域に向けて静電気的に加速する前記複数
    のイオンビーム源と、 前記イオンビームがプラズマ放電領域に入る前に、該イオンビームの少なくと
    も一部分を中性化し、中性化されたビームがプラズマ放電領域に入り且つ光子を
    放射する高温プラズマを形成する中性化機構とを備える光子源。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光子源において、前記イオンビーム源がパ
    ルス状イオンビーム源を備える光子源。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の光子源において、前記イオンビーム源が連
    続式イオンビーム源を備える光子源。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の光子源において、前記プラズマ放電領域が
    球状の形状であり、前記イオンビーム源が球状のプラズマ放電領域の周りで分配
    される光子源。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載の光子源において、プラズマ放電領域が円筒
    状の形状であり、前記イオンビーム源が円筒状のプラズマ放電領域の周りで分配
    される光子源。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載の光子源において、前記複数のイオンビーム
    源が、プラズマ放電領域を貫通する軸に沿って整合させた複数組みの開口を有す
    る同心状の電極殻体と、該電極殻体の間に電圧を印加する電圧源と、作用ガスを
    前記電極殻体の複数組みの開口に供給するガス供給源とを備える光子源。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の光子源において、前記電極殻体がカソード
    殻体及びアノード殻体を備える光子源。
  8. 【請求項８】 請求項７に記載の光子源において、前記電極殻体が前記カソ
    ード殻体と前記アノード殻体との間に１つ又はより多くの中間殻体を更に備える
    光子源。
  9. 【請求項９】 請求項６に記載の光子源において、前記電極殻体が擬火花放
    電を発生させ得る形態とされる光子源。
  10. 【請求項１０】 請求項６に記載の光子源において、前記電極殻体がタンデ
    ム擬火花放電の形態とされる光子源。
  11. 【請求項１１】 請求項１に記載の光子源において、前記中性化機構が前記
    イオンビームの各々に共鳴電荷交換を備える光子源。
  12. 【請求項１２】 請求項１に記載の光子源において、前記光子が柔らかいＸ
    線又は極紫外線波長の範囲内にある光子源。
  13. 【請求項１３】 請求項１に記載の光子源において、前記作用ガスがキセノ
    ンであり、放射された光子が約１０乃至１５ナノメートルの範囲の波長を有する
    光子源。
  14. 【請求項１４】 請求項１に記載の光子源において、作用ガスが、リチウム
    、ヘリウム、ネオン、アルゴン及びクリプトンから成る群から選ばれる光子源。
  15. 【請求項１５】 光子源において、 作用ガスを保持する放電チャンバと、 該放電チャンバ内に設けられて、プラズマ放電領域を貫通する軸に沿って整合
    された複数組みの開口を有する同心状の電極殻体と、 前記電極殻体の間に電圧を印加する電圧源であって、作用ガスのイオンビーム
    がプラズマ放電領域に向けて前記軸に沿って向けられるようにする前記電圧源と
    、 前記イオンビームがプラズマ放電領域に入る前に、該イオンビームの少なくと
    も一部分を中性化し、中性化されたビームがプラズマ放電領域に入り且つ光子を
    放射する高温プラズマを形成する中性化機構とを備える光子源。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の光子源において、前記電圧源がパルス
    状である光子源。
  17. 【請求項１７】 請求項１５に記載の光子源において、前記電圧源が約１０
    乃至１０００ナノ秒の範囲のパルス幅を有するパルスを発生させる光子源。
  18. 【請求項１８】 請求項１５に記載の光子源において、前記電圧源が連続式
    である光子源。
  19. 【請求項１９】 請求項１５に記載の光子源において、前記電極殻体の間に
    印加された電圧が約５乃至５０キロボルトの範囲にある光子源。
  20. 【請求項２０】 請求項１５に記載の光子源において、作用ガスがキセノン
    を備え、放射された光子が約１０乃至１５ナノメートルの範囲の波長を有する光
    子源。
  21. 【請求項２１】 請求項１５に記載の光子源において、作用ガスが、リチウ
    ム、ヘリウム、ネオン、アルゴン及びクリプトンから成る群から選ばれる光子源
    。
  22. 【請求項２２】 請求項１５に記載の光子源において、作用ガスが約１乃至
    １００ミリトルの範囲の圧力を有する光子源。
  23. 【請求項２３】 請求項１５に記載の光子源において、前記電極殻体がほぼ
    球状の形状である光子源。
  24. 【請求項２４】 光子を発生させる装置において、 放電チャンバを画成するハウジングと、 該放電チャンバ内に配置されて、プラズマ放電領域を貫通する軸に沿って整合
    された複数組みの開口を有する同心状の電極殻体と、 前記電極殻体の間に電圧を印加する電圧源と、 作用ガスを放電チャンバに供給するガス源であって、作用ガスのイオンビーム
    が前記軸に沿ってプラズマ領域に向けて向けられる前記ガス源と、 前記イオンビームがプラズマ放電領域に入る前に、該イオンビームの少なくと
    も一部分を中性化し、中性化されたビームがプラズマ放電領域に入り且つ光子を
    放射する高温プラズマを形成する中性化機構と、 放電チャンバ内の作用ガスの圧力を制御する真空装置とを備える装置。
  25. 【請求項２５】 請求項２４に記載の装置において、プラズマ放電領域が球
    状の形状である装置。
  26. 【請求項２６】 請求項２４に記載の装置において、プラズマ放電領域が円
    筒状の形状である装置。
  27. 【請求項２７】 請求項２４に記載の装置において、前記ガス源及び前記真
    空装置が接続されて放電チャンバを通じて作用ガスを循環させる装置。
  28. 【請求項２８】 請求項２４に記載の装置において、放射された光子の測定
    スペクトルに応答して放電チャンバ内への作用ガスの流量を制御するフィードバ
    ック制御システムを更に備える装置。
  29. 【請求項２９】 請求項２８に記載の装置において、前記フィードバック制
    御装置が、放射された光子のスペクトルを検出する光子検出器と、測定された光
    子スペクトルに応答して放電チャンバ内への作用ガスの流れを制御する流れ制御
    装置とを備える装置。
  30. 【請求項３０】 請求項２４に記載の装置において、前記ハウジングが、放
    射された光子の伝播方向と整合された複数の穴を有するハニカムスクリーンを備
    える、放射された光子を通す構造体を備える装置。
  31. 【請求項３１】 請求項２４に記載の装置において、プラズマ放電領域が約
    ０．００１乃至０．１ｃｍ3の範囲の容積を有する装置。
  32. 【請求項３２】 請求項２４に記載の装置において、イオンビームが約１０
    ０ｅＶ乃至１０ｋｅＶの範囲のエネルギを有する装置。
  33. 【請求項３３】 光子を発生させる方法において、 作用ガスの複数のイオンビームをプラズマ放電領域に向けて静電気的に加速す
    る工程と、 前記イオンビームがプラズマ放電領域に入る前に、該イオンビームの少なくと
    も一部分を中性化する工程とを備え、中性化されたビームがプラズマ放電領域に
    入り且つ光子を放射する高温プラズマを形成する方法。
  34. 【請求項３４】 請求項３３に記載の方法において、複数のイオンビームを
    静電気的に加速する工程が複数のパルスイオンビームをプラズマ放電領域に向け
    ることを備える方法。
  35. 【請求項３５】 請求項３３に記載の方法において、前記イオンビームの少
    なくとも一部分を中性化する工程が前記イオンビームと共にプラズマ放電領域に
    輸送される電子を提供する方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３３に記載の方法において、前記イオンビームの少
    なくとも一部分を中性化する工程が前記イオンビームの各々における共鳴電荷交
    換を促進することを備える方法。
  37. 【請求項３７】 請求項３３に記載の方法において、放射された光子の測定
    スペクトルに応答してプラズマ放電領域を保持する放電チャンバ内への作用ガス
    の流量を制御する工程を更に備える方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007529869A (ja) * 2004-03-17 2007-10-25 サイマー インコーポレイテッド 高繰返し数レーザを生成するプラズマｅｕｖ光源
JP2008522379A (ja) * 2004-12-04 2008-06-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電気放電装置を動作させる方法及び機器
CN110662336A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 北京石油化工学院 一种激光谐振腔电离装置及方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504189B1 (ko) * 1997-12-31 2005-10-21 매그나칩 반도체 유한회사 원자외선광발생장치및그발생방법
TW548524B (en) * 2000-09-04 2003-08-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
CN1314300C (zh) * 2001-06-07 2007-05-02 普莱克斯有限责任公司 星形箍缩的x射线和远紫外线光子源
DE10151080C1 (de) * 2001-10-10 2002-12-05 Xtreme Tech Gmbh Einrichtung und Verfahren zum Erzeugen von extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis einer Gasentladung
KR20040020585A (ko) * 2002-08-31 2004-03-09 최대규 플라즈마 반응기를 이용한 극자외선 발생 장치 및 방법
US6963071B2 (en) * 2002-11-25 2005-11-08 Intel Corporation Debris mitigation device
DE10256663B3 (de) * 2002-12-04 2005-10-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Gasentladungslampe für EUV-Strahlung
DE10305701B4 (de) 2003-02-07 2005-10-06 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung mit hohen Repetitionsraten
US7230258B2 (en) * 2003-07-24 2007-06-12 Intel Corporation Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source
JP4262032B2 (ja) * 2003-08-25 2009-05-13 キヤノン株式会社 Ｅｕｖ光源スペクトル計測装置
US7183717B2 (en) * 2004-07-09 2007-02-27 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven light source for microscopy
US7307375B2 (en) * 2004-07-09 2007-12-11 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
US7948185B2 (en) * 2004-07-09 2011-05-24 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
US7199384B2 (en) * 2004-07-09 2007-04-03 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven light source for lithography
EP1774838B1 (en) * 2004-07-09 2011-04-20 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
US7569791B2 (en) * 2005-09-30 2009-08-04 Energetiq Technology, Inc. Inductively-driven plasma light source
CA2732372A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Jiddtek Pty Ltd Neutral particle generator
US9155180B1 (en) * 2011-10-10 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation System and method of simultaneously fueling and mitigating debris for a plasma-based illumination source
CN102361531B (zh) * 2011-10-26 2013-07-03 西安电子科技大学 大面积均匀非磁化等离子体产生装置及方法
US9268031B2 (en) * 2012-04-09 2016-02-23 Kla-Tencor Corporation Advanced debris mitigation of EUV light source
US9234912B2 (en) * 2012-06-06 2016-01-12 Northrop Grumman Systems Corporation Atomic far-off resonance trap (FORT) accelerometer system
US9408287B2 (en) * 2012-11-27 2016-08-02 General Electric Company System and method for controlling plasma induced flow
CN104694733B (zh) * 2015-02-10 2016-08-24 中国科学院电工研究所 一种等离子体处理金属表面的实验装置及方法
US11079230B2 (en) 2019-05-10 2021-08-03 Northrop Grumman Systems Corporation Fiber-optic gyroscope (FOG) assembly

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE627008A (ja) 1960-02-26
US3386883A (en) 1966-05-13 1968-06-04 Itt Method and apparatus for producing nuclear-fusion reactions
US3530497A (en) 1968-04-24 1970-09-22 Itt Apparatus for generating fusion reactions
US4401618A (en) 1976-08-09 1983-08-30 Occidental Research Corporation Particle-induced thermonuclear fusion
FR2567276B1 (fr) 1984-07-06 1988-02-19 Labo Electronique Physique Perfectionnement apporte a une camera pour la detection de rayonnements x et g, camera dont le bloc scintillateur possede une fenetre d'entree formee d'une structure-support mecaniquement rigide et tres faiblement absorbante auxdits rayonnements
US5315629A (en) 1990-10-10 1994-05-24 At&T Bell Laboratories Ringfield lithography
US5126638A (en) * 1991-05-13 1992-06-30 Maxwell Laboratories, Inc. Coaxial pseudospark discharge switch
EP0728404A4 (en) 1994-04-25 1996-11-20 Rockford Technologies Associat GENERATION OF PARTS WITH INERTIAL-ELECTROSTATIC CONTAINMENT
US5502356A (en) 1994-05-02 1996-03-26 Plex Corporation Stabilized radial pseudospark switch
US5577092A (en) 1995-01-25 1996-11-19 Kublak; Glenn D. Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources
US5504795A (en) 1995-02-06 1996-04-02 Plex Corporation Plasma X-ray source
IL129609A0 (en) * 1996-11-01 2000-02-29 Miley George H Spherical inertial electrostatic confinement device as a tunable x-ray source
US6075838A (en) 1998-03-18 2000-06-13 Plex Llc Z-pinch soft x-ray source using diluent gas

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007529869A (ja) * 2004-03-17 2007-10-25 サイマー インコーポレイテッド 高繰返し数レーザを生成するプラズマｅｕｖ光源
KR101118995B1 (ko) * 2004-03-17 2012-03-12 사이머 인코포레이티드 고 반복율 레이저 발생 플라즈마 ｅｕｖ 광원
JP2008522379A (ja) * 2004-12-04 2008-06-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電気放電装置を動作させる方法及び機器
CN110662336A (zh) * 2019-09-27 2020-01-07 北京石油化工学院 一种激光谐振腔电离装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1290925A2 (en) 2003-03-12
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