JP4195071B2 - 平版投影装置用の照射源 - Google Patents
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Description
− マスクを保持するマスクテーブルである。マスクの概念は平板印刷おいては周知であり、バイナリ、交番移相および減衰移相のようなマスク型式並びに各種のハイブリッドマスク型式を含む。照射ビームにそのようなマスクを位置させることによってマスクのパターンに従って(透過マスクの場合は)透過度を、(反射マスクの場合は)マスクに衝突する放射線の反射度を選択しうるようにする。マスクテーブルはマスクが到来照射ビームの所望の位置に確実に位置しうるようにし、かつ希望に応じてマスクがビームに対して確実に移動可能にする。
− プログラム化可能なミラーアレイである。そのような素子の例は粘弾性制御層と反射層とを有するマトリックスアドレス指定可能な面である。そのような装置の背景にある基本概念は、(例えば)反射面のアドレスされた領域が入射光線を拡散光線として反射し、一方アドレスされていない領域が入射光線を非拡散光線として反射することである。適当なフィルタを使用して、前記非拡散光線は反射ビームから濾過され、拡散された光線のみを残し、このようにして、ビームはマトリックスアドレス可能な面のアドレス指定パターンに従ってパターン化される。必要なマトリックスアドレス指定は適当な電子手段を使用して実行可能である。そのようなミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、参考のため本明細書に組み込んだ米国特許第5,296,891号および同第5,523,193号から収集可能である。
− プログラム化可能なLCDアレイである。そのような構成の一例が参考のために本明細書に組み込んだ米国特許第5,229,872号に提供されている。説明を簡単にするために、本説明の残りにおいて、ある個所では特にマスクテーブルとマスクを含む例を述べるが、そのような場合においても説明された一般原理では上述したような広義のパターン化手段を扱う。
図1は本発明の第1の実施例によるプラズマ焦点放電源210を示す。プラズマ焦点放電源210は間に環状空間を置いて細長い陽極212を囲む全体的に筒形の陰極211を含む。電圧源214は放電電流Iが陽極から陰極まで流れ始めるように環状空間においてガスをイオン化させるのに十分な高電圧を陽極と陰極との間に掛ける。放電電流Iは陽極と陰極との間の環状空間において円形の磁界Bを発生させる。放電電流のイオンは矢印216で指示するように陽極212に沿って磁界Bと相互作用することによって駆動される。陽極212は陰極211よりも短く、プラズマが陽極212の端をおおって駆動され、かつピンチ容積218内に極めて高温のプラズマを形成するように収束するように中空の先端を有する。
以下述べることを除いて本発明の第1の実施例と同じでよい本発明の第2の実施例は所謂Z―ピンチプラズマ照射源を含む。
以下述べることを除いて第1の実施例と同じでよい第3の実施例は毛細放電プラズマ源を含む。図3は小さい室233の端板を形成する陰極231と陽極232とを有する毛細放電源230を示す。陽極232は、陰極231と室233の側壁とに面する陽極232の側部を覆う絶縁体235に形成された細い毛管236と整合した小さい中央貫通孔を有する。放電は毛管236に形成され、先の実施例と同様に毛管の軸線をピンチ容積に縮め高温を有する強くイオン化された高密度のプラズマを形成する。放射開口は開口プレート237によって画成されている。
図4は前述した第1の実施例の変形である本発明による、照射源の第4の実施例を示す。図は電気絶縁体130によって分離された状態に保たれ、コンデンサバンク140に接続された陽極110および陰極120の形態を示す。照射源の中央部分は中心軸線の周りで筒形に対称である。図4は、更に環状の陰極開口121と中心軸線Aの周りの環状の陰極空洞122を示す。
図5は第4の実施例の変形であり、中心軸線Aにおけるプラズマの崩壊から陰極120の開口領域を更に遮蔽する本発明の第5の実施例を示す。陽極110と陰極120の双方は「帽子状」構造を有する。環状の陰極の空洞122と開口121とは前記帽子の底側に位置している。開口121での放電によって形成された、部分的にイオン化された低密度で比較的冷たいプラズマが上方に、かつ中心軸線Aに向かって「角を曲がった」ところで圧縮される。更に、陽極110と陰極120との位置は交換されている。陰極120は本構造体の外部に位置し、XUV放射線を真空室170まで通す開口123を含む。
本発明の第6の実施例による照射源が図6および図7に概略図示され、それぞれ一次および二次噴射ノズル10および20並びに一次および二次噴射ノズルへの一次および二次ガスの供給源11、21を含む。本実施例において、双方の噴射ノズルはパルス化された噴射ノズルであって、双方の供給ライン11、21は一次および二次ガスのパルスをそれぞれの噴射ノズルに供給するある瞬間に開放する弁を含む。
図9は本発明による照射源を使用しうる平板投影装置1を概略図示している。本装置は、
● EUV放射線の投影ビームPBを供給する照射系LA,IIと、
● マスクMA(例えば、レチクル)を保持する第1の対象物(マスク)ホルダを備え、マスクを物品PLに対して正確に位置決めする第1の位置決め手段PMに接続された第1の対象物テーブル(マスクテーブル)MTと、
● 基板W(例えばレジストをコーテイングしたシリコンウェーファー)を保持する第2の対象物(基板)ホルダを備え、基板を物品PLに対して正確に位置決めする第2の位置決め手段PWに接続された第2の対象物テーブル(基板テーブル)WTと、
● マスクMAの照射された部分を基板Wの目標部分C(ダイ)上に像形成する投影系(「レンズ」)PL(例えば、屈折、反射屈折、あるいは反射投影系)とを含む。
1.ステップモードにおいて、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保持され、マスク像全体は一回の動作(すなわち、単一の「フラッシュ」)で目標領域C上に投影される。次に、基板テーブルWTは異なる目標領域CがビームPBによって照射しうるようにXおよび(または)Y方向に移動される。
2.走査モードにおいて、所定の目標領域Cが単一の「フラッシュ」で露出されないことを除いて、本質的に同じシナリオが適用される。その代わりに、マスクテーブルMTは速度vで所定の方向(所謂「走査方向」、例えばY方向)に運動可能であり、かくして投影ビームPBはマスクの像の上を走査するようにされ、同時に基板テーブルWTは速度V=Mvで同じ方向あるいは反対方向に同時に動かされ、ここでMはレンズPLの倍率(典型的にはM=1/4または1/5)である。このように、相対的に大きな目標領域Cは分解度に関して妥協する必要なく露出可能である。
Claims (18)
- 遠紫外線電磁放射線用のプラズマ照射源において、
高電位源に接続され、第1のプラズマ状態が該第1のプラズマ状態と対応の電磁界に誘導された電流によってピンチ容積に圧縮されうるように構成配置された電極と、
高温のプラズマ状態にされて遠紫外電磁放射線を放射する液体からなる作業流体の供給源と、
前記第1のプラズマ状態を前記ピンチ容積内へ圧縮することによって前記高温のプラズマ状態にされるように前記作業流体を前記ピンチ容積内に排出するように構成配置された一次噴射ノズルと、
二次流体の供給源と、
前記二次流体を排出することにより、前記作業流体の発散度を減少させる二次噴射ノズルとを含むことを特徴とする、
遠紫外線電磁放射線用のプラズマ照射源。 - 前記一次噴射ノズルがクラスタ噴射あるいは小滴状噴射として前記作業流体を噴射することを特徴とする請求項1に記載の照射源。
- 前記作業流体が、クリプトン、キセノン、水およびクライオジェニックリキッドからなる群から選択されることを特徴とする請求項1または2に記載の照射源。
- 前記照射源がプラズマ集束源であることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の照射源。
- 前記照射源がZピンチプラズマ源であることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の照射源。
- 前記照射源が毛管放電プラズマ源であることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の照射源。
- 前記電極が陽極と陰極であって、該陽極と該陰極との間で駆動流体を排出することによってプラズマを形成するように構成配置された陽極と陰極とを含み、前記陰極が開口を有する中空の空洞を含み、前記開口が照射源の中心軸線の周りで概ね環状の形状を有することを特徴とする請求項4に記載の照射源。
- 前記空洞が照射源の中心軸線の周りに概ね環状の形状を有することを特徴とする請求項7に記載の照射源。
- 前記作業流体が前記陽極と陰極との間で前記中心軸線の周りの領域に供給されることを特徴とする請求項7または8に記載の照射源。
- 前記作業流体が前記中心軸線に沿って供給されることを特徴とする請求項9に記載の照射源。
- 前記二次噴射ノズルが前記一次噴射ノズルを囲んでいることを特徴とする請求項1から10までのいずれか1項に記載の照射源。
- 前記一次および二次噴射ノズルが共軸であることを特徴とする請求項11に記載の照射源。
- 前記二次流体がヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、メタン、シランおよび水素からなる群から選択された少なくとも1種類のガスからなることを特徴とする請求項1から12までのいずれか1項に記載の照射源。
- 前記一次噴射ノズルが前記作業流体のパルスを噴射することを特徴とする請求項1から13までのいずれか1項に記載の照射源。
- 前記一次噴射ノズルが超音波噴射ノズルであることを特徴とする請求項1から14までのいずれか1項に記載の照射源。
- 前記遠紫外線が9から16nmの範囲の波長を有する放射線からなることを特徴とする請求項1から15までのいずれか1項に記載の照射源。
- マスクのマスクパターンを基板上に像形成する平板投影装置において、
遠紫外線を発生させるように構成配置された照射源と、
前記遠紫外線を受取り、前記遠紫外線の投影ビームを供給するように構成配置された照明系と、
所望のパターンに従って放射線の投影ビームをパターン化するように構成配置されたパターン化手段と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板の目標部分上に像形成するように構成配置された投影系とを含み、
照射源が請求項1から16までのいずれか1項に記載のものであることを特徴とする平板投影装置。 - 遠紫外線を発生させるように構成配置された照射源と、
前記遠紫外線を受取り、該遠紫外線の投影ビームを供給するように構成配置された照明系と、
前記放射線の投影ビームを所望のパターンにパターン化するように構成配置されたパターン化手段と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分上に像形成するように構成配置された投影系とを含む平板印刷装置を使用した素子の製造方法において、
前記照射源を使用して放射線の投影ビームを提供する段階と、
放射線感応材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を前記基板テーブルに提供する段階と、
所望のパターンに従って投影ビームの断面をパターン化する段階と、
パターン化したビームを前記基板の前記目標部分上に像形成する段階とを含み、
前記照射源として請求項1から17までのいずれか1項に記載の照射源を使用することを特徴とする平板装置を使用した素子の製造方法。
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