SE510133C2 - Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål - Google Patents
Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmålInfo
- Publication number
- SE510133C2 SE510133C2 SE9601547A SE9601547A SE510133C2 SE 510133 C2 SE510133 C2 SE 510133C2 SE 9601547 A SE9601547 A SE 9601547A SE 9601547 A SE9601547 A SE 9601547A SE 510133 C2 SE510133 C2 SE 510133C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- liquid
- target
- jet
- generating
- ray
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 claims description 9
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 claims description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000003963 x-ray microscopy Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005564 crystal structure determination Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002047 photoemission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003058 plasma substitute Substances 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000002424 x-ray crystallography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
510133 genom» -att nytt “target” material kontinuerligt tillförs, samt möjlighet till hög medel- röntgeneffekt genom att använda lasrar med hög repetitionsfrekvens. Tidigare försök att använda vätskor som “target” utnyttjar andra droppgenereringsmetoder vilka ger större droppar med mindre spatial och temporal kontroll. Detta medför sämre prestanda vad avser röntgenemission, stabilitet och “debris”.
Uppfinningens ändamål och viktigaste kännetecken Ändamålet med föreliggande uppfinning är att beskriva ett sätt och åstadkomma en anordning för stabil och enkel röntgengenerering utnyttjande laser-plasma med vätskor som strålmål (“target”). Detta ändamål uppnås genom att utnyttja en mikroskopisk vätskestråle som “target”, enligt sätt och anordning beskrivna i patentkrav 1 respektive 5.
Ett ytterligare ändamål är att visa att med hjälp av fluorhaltiga vätskor kan en röntgenkälla lämplig för kontaktlitografi erhållas. Detta ändamål uppnås genom sätt och anordning enligt patentkrav 4 respektive 8. Det tredje ändamålet är användning av den i ovanstående patentkrav specificerade röntgenkällan inom mikroskopi, litografi och materialvetenskap, vilket uppnås enligt patentkrav 9-13.
Föreliggande uppfinning baseras på behovet av kompakta och intensiva röntgenkällor för bl.a. litograñ, mikroskopi och materialvetenskap. Speciellt intressanta våglängdsområden för dess tillämpningar är 0.8-1.7 nm (litografi), 2.3-4.4 mn (mikroskopi) och 0.1-10 nm (materialvetenskap, exempelvis fotoelektronspektroskopi eller röntgenfluorescens). Sådan röntgenstrålning kan produceras med laser-producerade plasman. Generering av dessa korta våglängder med hög konversionseffektivitet kräver laserintensiteter omkring 1014- 1015 W/cmz. För att uppnå dylika intensiteter med kompakta lasersystem kräver fokusering från ca 10-100 mikrometer i diameter. Således kan “target” göras mikroskopiskt, förutsatt att det är spatialt stabilt. De små dimensionema bidrar till att “targeW-materialet utnyttjas effektivt vilket bland annat medför en drastisk minskning av “debris”.
Laser-plasma röntgenkällor baserade på spatialt stabila mikroskopiska droppar producerade med en kontinuerlig vätskestråle i en vakuumbehållare (Rymell och Hertz, Opt. Commun. 103, 105 (1993)) är en implementering av mikroskopiska “target” enligt förgående stycke. Härvid pressas vätskan under högt tryck genom ett litet munstycke.
Detta genererar en vätskestråle med ungefär samma diameter som munstycket. Vanligtvis har sådana mikroskopiska vätskestrålar diametrar från några mikrometrar upp till omkring 100 mikrometer. Beroende på vätskans hydrodynamiska egenskaper (främst viskositet, ytspänning och densitet, se exempelvis Heinzl and Hertz, Advances in Electronics and Electron Physics 65, 91 (1985)) bryts vätskestrålen sedan spontant upp i droppar. Genom att piezoelektriskt vibrera munstycket, kan man uppnå tidsmässigt välkontrollerd och spatialt stabil generering av dropparna. Mot dessa droppar fokuseras sedan laserpulserna, vilket resulterar i röntgenemission. Genom att utnyttja olika vätskor eller lösningar innehållande atomer med exempelvis lämpliga emissionlinjer, kan röntgenstrålning koncentrerad till relativt välbestämt våglängdsområde erhållas (se, Lex. Rymell, Berglund och Hertz, Appl. Phys. Lett. 66, 2625 (1995)) Emellertid kan inte alla vätskor bilda tillräckligt spatialt stabila mikroskopiska droppar.
Vidare finns det även för lärnpliga vätskor långsamma drifter i dropp-position relativt laserstrålens fokus, vilket medför att laser-plasma produktionen måste tidsmässigt justeras emellanåt. Det är därför ofta att föredra att fokusera laserstrålen på själva vätskestrålen 510 'lšš innan den bryter upp i droppar. Detta är föreliggande uppfinnings viktigaste kännetecken.
Genom att producera laserplasma i själva vätskestrålen kan nya vätskor användas som “target”. Vidare förbättras stabiliteten eftersom långsamma drifier inte längre påverkar röntgenemissionen. Det är också väsentligt att handhavandet förenklas väsentligt genom att lasem inte behöver synkroniseras temporalt med droppbildningen för att träffa en enskild droppe. Således kan en mindre avancerad laser ofta kan utnyttjas. Dessa fördelar erhålles samtidigt som man behåller många av fördelarna med dropp-fonnad vätske- “target” diskuterade ovan, exempelvis kraftig reduktion av “debris”, mycket god geometrisk access, möjlighet att köra lång tid utan uppehåll genom att byte av “target”- material sker kontinuerligt genom vätskestrålen, billig kostnad för “target”-material samt att man kan utnyttja lasrar med hög repetitionsfrekvens, vilket ökar medelröntgeneffekten.
Som speciellt åberopad tillämpning på ovanstående röntgenkälla anges i föreliggande uppfinning kontaktlitografi, vilket kräver strålning i våglängdsområdet O.8-1.7 nm.
Emission koncentrerad till detta våglängdsintervall från mikroskopiska strålar eller droppar av vätskor har tidigare inte erhållits. Vi visar i detta patent hur fluorhalti ga vätskor kan utnyttjas. Genom att belysa en mikroskopisk vätskestråle eller, i vissa fall, droppar med pulsad laser genereras emission från joniserat fluor (F VIH och F IX) med hög röntgenintensitet i våglängdsområdet 1.2-1.7 nm. Denna strålning kan med lämpliga litografiska masker, röntgenfilter etc. utnyttjas för litografi med strukturstorlek under 100 nm.
Med ovan nämnda och andra vätskor kan lämpliga röntgenvåglängder genereras för en mängd olika tillämpningar utnyttjande den beskrivna uppfinningen. Exempel på dylika tillämpningar är röntgenmikroskopi, materialvetenskap (t.ex. fotoelektronmikroskopi och röntgenfluorescens), EUV projektionslitografi eller kristallstrukturbestänmingar.
Beskrivning av figurer FIG. 1 visar det grundläggande anordningen för generering av röntgenstrålning genom att producera plasma i en tunn vätskestråle innan den bryter upp i droppar. Av tydlighetskäl visas endast en laserstråle.
FIG. 2 visar ett exempel på anordning för röntgenerering utnyttjande den diskuterade röntgenkällan, inklusive exponeringsstation för kontaktlitografi. Av tydlighetskäl visas endast en laserstråle.
FIG. 3 visar ett exempel på anordning för kontaktlitografi utnyttjande laser-plasma produktion i små fluorhaltiga droppar. Av tydlighetskäl visas endast en laserstråle.
Beskrivning Det principiella sättet och anordningen för uppfinningen åskådliggörs i Fig. I och 2.
Sammanfattningsvis fokuseras en eller flera pulsade lasrar från en eller flera riktningar mot en vätskestråle, vilka fungerar som “target”. Det bildade plasrnat ernitterar den önskade röntgenstrålníngen. Själva röntgenproduktionen sker i vakuum för att den emitterade mjuka röntgenstrålningen inte skall absorberas samt för att undvika laser-inducerade genombrott framför vätskestrålen. 510153 För att bilda mikroskopiska och spatialt stabila vätskestrålar i vakuum utnyttjas en kontinuerlig vätskestråle som bildas i en vakurnkamrnare 8. Vätskan 7 pressas här under högt tryck (vanligtvis 5-100 atmosfárer) från en pump eller tryckbehållare 14 genom ett litet munstycke 10 vars diameter vanligtvis mindre än ca. 100 mikrometer och typiskt någon eller några tiotal mikrometer. Detta resulterar i en stabil mikroskopisk vätskestråle 17 med ungefárligen samma diameter som munstycket och en hastighet omkring 10-100 m/s. Vätskestrålen utbreder sig i en bestämd riktning till en droppbildningspunkt 15 vid vilken den spontant bryter upp i droppar. Avståndet till droppbildningspunkten bestäms huvudsakligen av vätskans hydrodynarniska egenskaper, munstyckets dimensioner och vätskans hastighet. (Heinzl and Hertz, Advances in Electronics and Electron Physics 65, 91 (1985)). Droppbildningsfrekvensen är härvid delvis slumpmässig. För vissa lågviskösa vätskor kan turbulens medföra att ingen stabil vätskestrâle erhålles, medan för vissa vätskor med låg ytspänning kan droppbildningspunkten hamna långt från munstycket.
När vätskan, senare droppama, lämnar munstycket kyls den genom avdunstning varför den kan vara fryst då den fokuserade laserstrålen 11 träffar dem. Nuvarande kompakta lasersystem, som ger tillräcklig pulsenergi, har repetitionfrekvenser som vanligen inte överstiger 100-1000 Hz. Laserstrålen fokuseras till diametrar omkring 10-100 mikrometer.
Givet vätskestrålens hastighet kommer således merparten av vätskan inte att användas för laser-plasma produktion, vilket för många vätskor medför ett högre tryck i vakuumkarnmaren p.g.a. avdunstning. Problemet kan exempelvis lösas genom att en kylfälla 16 fångar upp den outnyttjade vätskan. Alternativt kan munstycket placeras utanför huvudvakuumkamrnaren och spruta in vätskan genom ett mycket litet hål.
Därvidlag kan en mekanisk chopper eller elektrisk avlänkning utanför huvudvakuumkammaren utnyttjas för att endast skicka in det önskade antalet droppar i huvudvakuumkarnmaren. För vätskor med låg avdunstning kan det räcka med ökad pumpkapacitet.
Användningen av kontinuerliga trycksatta vätskestrålar av den typ som beskrivs i föregående stycken ger tillräcklig spatial stabilitet (xnågra mikrometer) och för att tillåta laser-plasma produktion med en laserstråle fokuserad till samma storlek som vätskestrålens diameter. Semikontinuerliga eller pulsade vätskestrålar, vilka producerar vätskestrålar med begränsad rumslig längd, kan vara tillämpliga i speciella fall. Emellertid har dessa ofta nackdelen att strålar med tillräckligt små diametrar inte kan genereras med tillräcklig spatial stabilitet.
Laser-plasman i droppama produceras nu genom att fokusera en pulsad laser 1, eventuellt via en eller flera speglar 2, med en lins 13 eller annat optiskt element mot en punkt i vätskestrålen ll mellan munstycket 10 och droppbildningspunkten 15. Det är väsentligt att sträckan från munstycket till droppbildningspunkten är tillräckligt lång (storleksordningen millimeter) så att det producerade laserplasmat vid fokus 11 kan placeras på visst avstånd från munstycket så att detta inte skadas av plasmat. För röntgenemission i våglängdsornrådet runt l-5 nm krävs att laserintensiteten är ca. 1014-1015 W/cmz. Som exempel kan dylika intensiteter lätt uppnås genom att fokusera laserpulser med pulsenergi av 100 mJ och pulstid av 100 ps till ett 10 um fokus ll. Dylika lasrar i det synliga, ultravioletta och nära infraröda våglängdsområdet finns kommersiellt tillgängliga med repetionsfrekvenser om 10-20 Hz och system med större repetitionsfrekvens utvecklas för närvarande. Den korta pulstiden är väsentlig dels för att erhålla hög intensitet samtidigt 5l0153 som pulsenergin, och därmed lasems storlek, hålles liten. Vidare medför en kort puls att ytan av det bildade plasmat minskar. Längre pulser resulterar i större plasma p.g.a. plasmats expansion, vilket normalt är ca. l-3-l07 cm/s. Om längre våglängder önskas bör laserpulslängden ökas för att ge lägre toppeffekt. Genom att exempelvis utnyttja några 100 mJ/puls och en pulstid längre än en nanosekund ökas emissionen i våglängdsområdet l0- 30 nm på bekostnad av emissionen i 0.5-5 nm området. Detta är väsentligt för EUV projektions-litografi.
Ovanstående metod att generera röntgenstrålning kan utnyttjas bl.a för kontakt-litografi ' enligt. En anordning för detta visas i FIG 2. Här utnyttjas exempelvis fluorhaltiga vätskor (t.ex. flytande CmFn, där n kan vara 5-10 och m 10-20, eller arman fluorhaltig vätska) som “target”. Dessa ger stark röntgenemission i våglängdsornrådet 1.2-1.7 nm. De flesta sådana vätskors hydrodynamiska egenskaper kräver att man använder vätskestrålen som “target” men för vissa kan droppar utnyttjas (se nedan). En exponeringstation 18 placeras på ett visst avstånd från laserplasmat vid lasem fokus 11. Denna innehåller exempelvis en mask 19 och ett resistbelagt substrat 20. Tunna röntgenfilter 21 filtrerar den utsända strålningen så att endast strålning i det önskade våglängdsintervallet når mask och substrat. Genom att utnyttja ett mikroskopisk “target” av vätska blir “debris”-produktionen mycket låg varför avståndet mellan exponeringsstationen och laserplasmat kan göras litet. Om övriga krav för litografin tillåter det kan avståndet vara ner till någon centimeter. Detta förkortar exponeringstiden.
För kontaktlitografin kan för vissa fluorhaltiga vätskor stabil droppbildning erhållas. FIG 3 visar anordningen för laser-plasmaproduktion från fluorhaltiga droppar. Det utnyttjas samma grundteknik som beskrivs ovan för generandet av vätskestrålen. Emellertid kräves stabil droppbildning, vilket erhålles genom att vibrera munstycket av exempelvis en piezoelektrisk kristall 9 vilken drivs av en oscillator 6. Typiska vibrationsfrekvenser är 0.1-10 MHz . Detta resulterar i att vätskestrålen utbreder sig i en bestämd riktning till en bestämd droppbildningspunkt 15, vid vilken strålen sönderdelas i ett stabilt tåg av droppar 12a. Normalt produceras 105-107 droppar/sekund i vakuumkammaren 8. Droppama 12a har en diameter på vanligtvis 5-100 um och en hastighet av 10-100 rn/s. Genom att temporalt synkronisera laserpulsen med dropparna kan laser-plasma erhållas i en bestämd droppe. Denna synkronisering är inte nödvändig om plasma bildas i vätskestrålen. För att uppnå stabil plasmabildning i en enstaka droppe synkroniseras laserpulsen tidsmässigt med den (piezoelektriska) vibrationsfrekvensen 6, vilken kontrollerar droppamas fas, med synkroniseringselektronik 5. För droppar från de kontinuerliga vätskestrålarna som diskuteras ovan måste denna synkronisering vara korrekt inom några tiotal till hundratal nanosekunder p.g.a. dropparnas hastighet. Termisk och andra drifter gör också att den tidsmässiga synkroniseringen måste justeras med jämna mellanrum, automatiskt eller manuellt.
Genom att utnyttja andra vätskor än de som diskuterats ovan kan röntgenemission vid nya vâglängdsområden erhållas. Laserplasma i en vätskestråle av exempelvis etanol eller ammoniak genererar röntgenemission i våglängdsområdet 2.3-4.4 nm, vilket är lärnpligt för röntgenmikroskopi (Jfr. motsvarande i droppar: Rymell och Hertz, Opt. Commun. 103, 105 (l993); Rymell, Berglund och Hertz, Appl. Phys. Lett. 66, 2625 (1995)). Härvid utnyttjas emissionen från kol och kvävejoner. Vatten eller vattenblandningar innehållande mycket syre kan kombineras med lasrar med lägre toppeffekter för att generera EUV- strålning lämplig för projektionslitografi i våglängdsområdet 10-20 nm (Jfr. motsvamde 510 135 for droppar: H.M. Hertz, L. Rymell, M. Berglund and L. Malmqvist, in Applications of Laser Plasma Radiation II, M.C. Richardsson, Ed., SPIE Vol. 2523 (Soc. Photo-Optical Instrum. Engineers, Bellingharn, Washington, 1995) p. 88-93.). Vätskor innehållande tyngre atomer ger emission vid kortare våglängder, något som är intressant for exempelvis fotoelekronspektroskopi och röntgenflourescens inom materialvetenskap. Ytterligare kortare våglängder kan erhållas om högre laserintensiteter utnyttjas, något som kan vara av intresse för röntgenkristallografi. Vidare kan ämnen som normalt inte är flytande lösas i en lämplig bärvätska och därmed utnyttjas för röntgenproduktion med laser plasma i våtskestrålar.
Claims (13)
1. Sätt att producera röntgen- eller EUV-strålning via laserplasma-emission, vid vilket minst en pulsad laserstràle (3) fokuseras från en eller flera riktningar mot ett i vakuum genererat mål, k ä n n e t e c k n a t av att målet bildas genom att en vätska under tryck för generering av en (17) varvid strålen (17) utbreder sig i en bestämd riktning pressas genom ett munstycke (10) av nämnda vätska, kontinuerlig, mikroskopisk stràle till en droppbildningspunkt (15), vid vilken strålen (17) sönderdelas i droppar (12), och att nämnda minst en (ll) på strålen (17) (10) och droppbildningspunkten (15). laserstràle (3) fokuseras i en punkt mellan munstycket
2. Sätt enligt krav 1, vid vilket målet genereras i form av en pulsad vätskestråle.
3. Sätt enligt krav l eller 2, vid vilket laser- stràlen (3) fokuseras en sträcka av storleksordningen millimeter från munstycket (10).
4. Sätt enligt krav l, 2 eller 3, fluorhaltig vätska används som màl för generering av vid vilket en röntgenemission i váglängdsområdet 1-2 nm för kontakt- litografi.
5. Anordning för generering av röntgen- eller EUV- strålning via laserplasma-emission, omfattande en vakuum- (7,l0, mål i nämnda vakuumkammare (8), och ett optiskt element (13) från minst en laser (1) pà målet, kammare (8), 14) för generering av ett ett organ för fokusering av minst en pulsad laserstràle (3) k ä n n e t e c k n a d av att det målgenererande organet (7, 10, 14) är utformat att under högt tryck pressa en vätska genom ett munstycke (10) för generering av en mikroskopisk, kontinuerlig (17), vilken utbreder sig i en bestämd rikt- ning till en droppbildningspunkt (15), strålen (17) sönderdelas i droppar (15), och att fokuse- vätskestråle vid vilken vätske- 10 15 20 25 30 ringselementet (13) är utformat att fokusera nämnda minst en laserstråle (3) i en punkt mellan munstycket (10) och droppbildningspunkten (15).
6. Anordning enligt krav 5, vid vilken det målgene- rerande organet (7, 10, 14) är utformat att generera en pulsad vätskestråle.
7. Anordning enligt krav 5 eller 6, vid vilken fokuseringsorganet (13) är utformat att fokusera laser- strålen (3) en sträcka av storleksordningen millimeter (10).
8. Anordning enligt krav 5, från munstycket 6 eller 7, vid vilken nämnda vätska är en fluorhaltig vätska för generering av röntgenemission i vàglängdsomrádet 1-2 nm för kontaktlito- grafi, varvid en exponeringsstation (18) är placerad i närheten av nämnda fokuseringspunkt på vätskestràlen (17).
9. Användning av ett sätt enligt något av kraven 1-3 eller en anordning enligt något av kraven 5-7, varvid den emitterade strålningen används för röntgenmikroskopi.
10. Användning av ett sätt enligt 1-4 eller en anordning enligt något av den emitterade strålningen används för
11. Användning av ett sätt enligt 1-3 eller en anordning enligt något av den emitterade strålningen används för litografi.
12. Användning av ett sätt enligt 1-3 eller en anordning enligt något av den emitterade strålningen används för spektroskopi.
13. Användning av ett sätt enligt 1-3 eller en anordning enligt något av den emitterade strålningen används för SCSIIS . något av kraven kraven 5-8, varvid kontaktlitografi. något av kraven kraven 5-7, varvid EUV-projektions- något av kraven kraven 5-7, varvid fotoelektron- något av kraven kraven 5-7, varvid röntgenfluore-
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9601547A SE510133C2 (sv) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål |
DE69722609T DE69722609T3 (de) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen von röntgen- oder extremer uv- strahlung |
DE0895706T DE895706T1 (de) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen von röntgen- oder extremer uv- strahlung |
AU27207/97A AU2720797A (en) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | Method and apparatus for generating x-ray or euv radiation |
PCT/SE1997/000697 WO1997040650A1 (en) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | Method and apparatus for generating x-ray or euv radiation |
JP53800397A JP3553084B2 (ja) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | X線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置 |
EP97921060A EP0895706B2 (en) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | Method and apparatus for generating x-ray or euv radiation |
US09/175,953 US6002744A (en) | 1996-04-25 | 1998-10-21 | Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation |
JP2004036569A JP3943089B2 (ja) | 1996-04-25 | 2004-02-13 | X線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9601547A SE510133C2 (sv) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9601547D0 SE9601547D0 (sv) | 1996-04-25 |
SE9601547L SE9601547L (sv) | 1997-10-26 |
SE510133C2 true SE510133C2 (sv) | 1999-04-19 |
Family
ID=20402312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9601547A SE510133C2 (sv) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6002744A (sv) |
EP (1) | EP0895706B2 (sv) |
JP (2) | JP3553084B2 (sv) |
AU (1) | AU2720797A (sv) |
DE (2) | DE69722609T3 (sv) |
SE (1) | SE510133C2 (sv) |
WO (1) | WO1997040650A1 (sv) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6831963B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-12-14 | University Of Central Florida | EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions |
US6377651B1 (en) | 1999-10-11 | 2002-04-23 | University Of Central Florida | Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target |
FR2799667B1 (fr) | 1999-10-18 | 2002-03-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
TWI246872B (en) * | 1999-12-17 | 2006-01-01 | Asml Netherlands Bv | Radiation source for use in lithographic projection apparatus |
US6469310B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source for extreme ultraviolet radiation, e.g. for use in lithographic projection apparatus |
JP2003518252A (ja) * | 1999-12-20 | 2003-06-03 | エフ イー アイ エレクトロン オプティクス ビー ヴィ | 軟x線のx線源を有するx線顕微鏡 |
US6493423B1 (en) * | 1999-12-24 | 2002-12-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
US6711233B2 (en) | 2000-07-28 | 2004-03-23 | Jettec Ab | Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation |
ATE489838T1 (de) * | 2000-07-28 | 2010-12-15 | Jettec Ab | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von röntgenstrahlung |
US6324256B1 (en) * | 2000-08-23 | 2001-11-27 | Trw Inc. | Liquid sprays as the target for a laser-plasma extreme ultraviolet light source |
AU2001282361A1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-13 | Powerlase Limited | Electromagnetic radiation generation using a laser produced plasma |
US6693989B2 (en) * | 2000-09-14 | 2004-02-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Ultrabright multikilovolt x-ray source: saturated amplification on noble gas transition arrays from hollow atom states |
SE520087C2 (sv) * | 2000-10-13 | 2003-05-20 | Jettec Ab | Förfarande och anordning för alstring av röntgen- eller EUV- strålning samt användning av den |
US6760406B2 (en) | 2000-10-13 | 2004-07-06 | Jettec Ab | Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation |
FR2823949A1 (fr) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
US7405416B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-07-29 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for EUV plasma source target delivery |
US7916388B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-03-29 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
GB0111204D0 (en) | 2001-05-08 | 2001-06-27 | Mertek Ltd | High flux,high energy photon source |
JP2003288998A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Ushio Inc | 極端紫外光源 |
JP3759066B2 (ja) | 2002-04-11 | 2006-03-22 | 孝晏 望月 | レーザプラズマ発生方法およびその装置 |
AU2003240233A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-11 | Jettec Ab | Method and arrangement for producing radiation |
US6738452B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-05-18 | Northrop Grumman Corporation | Gasdynamically-controlled droplets as the target in a laser-plasma extreme ultraviolet light source |
US6855943B2 (en) * | 2002-05-28 | 2005-02-15 | Northrop Grumman Corporation | Droplet target delivery method for high pulse-rate laser-plasma extreme ultraviolet light source |
US6792076B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-09-14 | Northrop Grumman Corporation | Target steering system for EUV droplet generators |
US6744851B2 (en) | 2002-05-31 | 2004-06-01 | Northrop Grumman Corporation | Linear filament array sheet for EUV production |
SE523503C2 (sv) * | 2002-07-23 | 2004-04-27 | Jettec Ab | Kapillärrör |
US6835944B2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-12-28 | University Of Central Florida Research Foundation | Low vapor pressure, low debris solid target for EUV production |
DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
US6912267B2 (en) | 2002-11-06 | 2005-06-28 | University Of Central Florida Research Foundation | Erosion reduction for EUV laser produced plasma target sources |
US6864497B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-03-08 | University Of Central Florida Research Foundation | Droplet and filament target stabilizer for EUV source nozzles |
DE10306668B4 (de) | 2003-02-13 | 2009-12-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas |
JP4264505B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2009-05-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | レーザープラズマ発生方法及び装置 |
DE10314849B3 (de) * | 2003-03-28 | 2004-12-30 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Stabilisierung der Strahlungsemission eines Plasmas |
DE10326279A1 (de) * | 2003-06-11 | 2005-01-05 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Plasma-basierte Erzeugung von Röntgenstrahlung mit einem schichtförmigen Targetmaterial |
US6933515B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-08-23 | University Of Central Florida Research Foundation | Laser-produced plasma EUV light source with isolated plasma |
DE102004003854A1 (de) * | 2004-01-26 | 2005-08-18 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Verfahren und Vorrichtungen zur Erzeugung fester Filamente in einer Vakuumkammer |
DE102004005241B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-03-02 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Einrichtung zur plasmabasierten Erzeugung weicher Röntgenstrahlung |
DE102004005242B4 (de) | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
JP2005276671A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Komatsu Ltd | Lpp型euv光源装置 |
JP2005276673A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Komatsu Ltd | Lpp型euv光源装置 |
US7208746B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
DE102004036441B4 (de) * | 2004-07-23 | 2007-07-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung |
US7302043B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-11-27 | Gatan, Inc. | Rotating shutter for laser-produced plasma debris mitigation |
DE102004037521B4 (de) * | 2004-07-30 | 2011-02-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung |
DE102004042501A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Bereitstellung eines reproduzierbaren Targetstromes für die energiestrahlinduzierte Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung |
JP2006128313A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Univ Of Miyazaki | 光源装置 |
JP4429302B2 (ja) * | 2005-09-23 | 2010-03-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 電磁放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および該製造方法によって製造されたデバイス |
US7718985B1 (en) | 2005-11-01 | 2010-05-18 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Advanced droplet and plasma targeting system |
DE102007056872A1 (de) | 2007-11-26 | 2009-05-28 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Berlin | Strahlungserzeugung mittels Laserbestrahlung eines freien Tröpfchentargets |
US7872245B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-01-18 | Cymer, Inc. | Systems and methods for target material delivery in a laser produced plasma EUV light source |
JP2011054376A (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ihi Corp | Lpp方式のeuv光源とその発生方法 |
WO2011027737A1 (ja) | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社Ihi | プラズマ光源 |
WO2014072149A2 (en) * | 2012-11-07 | 2014-05-15 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for generating radiation |
CA2935900A1 (en) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | Jettec Ab | X-ray micro imaging |
US9872374B2 (en) | 2014-05-22 | 2018-01-16 | Ohio State Innovation Foundation | Liquid thin-film laser target |
JP5930553B2 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-06-08 | 株式会社Ihi | Lpp方式のeuv光源とその発生方法 |
DE102014226813A1 (de) * | 2014-12-22 | 2016-06-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Metallstrahlröntgenröhre |
RU2658314C1 (ru) * | 2016-06-14 | 2018-06-20 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Эуф Лабс" | Высокояркостный источник эуф-излучения и способ генерации излучения из лазерной плазмы |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1143079A (en) * | 1965-10-08 | 1969-02-19 | Hertz Carl H | Improvements in or relating to recording devices for converting electrical signals |
US4161436A (en) * | 1967-03-06 | 1979-07-17 | Gordon Gould | Method of energizing a material |
US4317994A (en) * | 1979-12-20 | 1982-03-02 | Battelle Memorial Institute | Laser EXAFS |
EP0186491B1 (en) † | 1984-12-26 | 1992-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing soft x-rays using a high energy beam |
JP2614457B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1997-05-28 | ホーヤ 株式会社 | レーザープラズマx線発生装置及びx線射出口開閉機構 |
US4866517A (en) * | 1986-09-11 | 1989-09-12 | Hoya Corp. | Laser plasma X-ray generator capable of continuously generating X-rays |
JPH02267895A (ja) * | 1989-04-08 | 1990-11-01 | Seiko Epson Corp | X線発生装置 |
US4953191A (en) * | 1989-07-24 | 1990-08-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High intensity x-ray source using liquid gallium target |
GB9308981D0 (en) * | 1993-04-30 | 1993-06-16 | Science And Engineering Resear | Laser-excited x-ray source |
US5459771A (en) † | 1994-04-01 | 1995-10-17 | University Of Central Florida | Water laser plasma x-ray point source and apparatus |
US5577092A (en) * | 1995-01-25 | 1996-11-19 | Kublak; Glenn D. | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources |
-
1996
- 1996-04-25 SE SE9601547A patent/SE510133C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-25 WO PCT/SE1997/000697 patent/WO1997040650A1/en active IP Right Grant
- 1997-04-25 DE DE69722609T patent/DE69722609T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-25 EP EP97921060A patent/EP0895706B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-25 AU AU27207/97A patent/AU2720797A/en not_active Abandoned
- 1997-04-25 DE DE0895706T patent/DE895706T1/de active Pending
- 1997-04-25 JP JP53800397A patent/JP3553084B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-21 US US09/175,953 patent/US6002744A/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-13 JP JP2004036569A patent/JP3943089B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0895706A1 (en) | 1999-02-10 |
DE69722609T3 (de) | 2009-04-23 |
EP0895706B2 (en) | 2008-08-06 |
JP3553084B2 (ja) | 2004-08-11 |
DE69722609D1 (de) | 2003-07-10 |
US6002744A (en) | 1999-12-14 |
SE9601547D0 (sv) | 1996-04-25 |
JP3943089B2 (ja) | 2007-07-11 |
JP2004235158A (ja) | 2004-08-19 |
SE9601547L (sv) | 1997-10-26 |
DE895706T1 (de) | 2001-06-13 |
DE69722609T2 (de) | 2004-04-29 |
JP2000509190A (ja) | 2000-07-18 |
AU2720797A (en) | 1997-11-12 |
WO1997040650A1 (en) | 1997-10-30 |
EP0895706B1 (en) | 2003-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE510133C2 (sv) | Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål | |
JP5073146B2 (ja) | X線発生方法および装置 | |
US9295147B2 (en) | EUV light source using cryogenic droplet targets in mask inspection | |
US6711233B2 (en) | Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation | |
US8158960B2 (en) | Laser produced plasma EUV light source | |
US6304630B1 (en) | Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit | |
US6647088B1 (en) | Production of a dense mist of micrometric droplets in particular for extreme UV lithography | |
US8319201B2 (en) | Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave | |
US7067832B2 (en) | Extreme ultraviolet light source | |
EP1367866B1 (en) | Droplet target delivery method for high pulse-rate laser-plasma extreme ultraviolet light source | |
Malmqvist et al. | Liquid‐jet target for laser‐plasma soft x‐ray generation | |
US8513629B2 (en) | Droplet generator with actuator induced nozzle cleaning | |
US7239686B2 (en) | Method and arrangement for producing radiation | |
CN103841744B (zh) | 激光尾波场加速器及产生高亮度阿秒光脉冲的方法 | |
KR20030090745A (ko) | 극자외선광 특히 리소그라피 공정용 극자외선광을발생시키는 방법 및 장치 | |
Hansson et al. | A liquid-xenon-jet laser-plasma X-ray and EUV source | |
JP3759066B2 (ja) | レーザプラズマ発生方法およびその装置 | |
Hemberg et al. | Stability of droplet-target laser-plasma soft x-ray sources | |
EP1492395A2 (en) | Laser-produced plasma EUV light source with isolated plasma | |
Hansson et al. | Xenon liquid-jet laser plasma source for EUV lithography | |
Gouge et al. | A cryogenic xenon droplet generator for use in a compact laser plasma x-ray source | |
JP2005251601A (ja) | X線発生用ターゲット物質供給方法およびその装置 | |
WO2024141345A1 (en) | Apparatuses and methods for extreme ultraviolet light source utilizing thermally induced breakup of target material stream | |
Nakamura et al. | Imaging diagnostics of debris from laser-produced tin plasma with droplet target for EUV light source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |