JP3759066B2 - レーザプラズマ発生方法およびその装置 - Google Patents

レーザプラズマ発生方法およびその装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3759066B2
JP3759066B2 JP2002109587A JP2002109587A JP3759066B2 JP 3759066 B2 JP3759066 B2 JP 3759066B2 JP 2002109587 A JP2002109587 A JP 2002109587A JP 2002109587 A JP2002109587 A JP 2002109587A JP 3759066 B2 JP3759066 B2 JP 3759066B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
target material
jet
laser
hollow cylindrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2002109587A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003303696A (ja
Inventor
孝晏 望月
Original Assignee
孝晏 望月
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 孝晏 望月 filed Critical 孝晏 望月
Priority to JP2002109587A priority Critical patent/JP3759066B2/ja
Priority to US10/410,269 priority patent/US6924600B2/en
Publication of JP2003303696A publication Critical patent/JP2003303696A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3759066B2 publication Critical patent/JP3759066B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21BFUSION REACTORS
    • G21B1/00Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/11Details
    • G21B1/23Optical systems, e.g. for irradiating targets, for heating plasma or for plasma diagnostics
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
    • H05G2/006Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05GX-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10Nuclear fusion reactors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、X線ビーム加工、X線リソグラフィー、又は材料分析などで必要となる高平均出力のX線源が得られるものであって、固体および液体の少なくとも一方でありかつ流体をなす物質をターゲット材とし、このターゲット材をノズルから柱状に噴出させてジェット流に形成される噴流ターゲットに、少なくとも一つのパルス状のレーザビームを集光照射することにより前記ターゲット材を加熱して、高温高密度プラズマを生成するレーザプラズマ発生方法およびその装置に関し、特に、ガス発生量の少ないターゲット連続供給の方法、及びターゲットから発生するX線の変換効率又は発生効率を向上できるレーザプラズマ発生方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
高尖頭パルスレーザによりターゲットとなる物質を高温プラズマ化し、それから放射されるX線を利用する目的でレーザプラズマX線源の実用化が努力されてきた。高輝度のX線源を実現するには、レーザビームの集光照射点内でX線変換効率はできる限り高いことが望ましい。一方、高いX線変換効率を得るためには生成されるプラズマの密度をできるだけ高くするとよい。その場合、ターゲットを供給する手段として、ターゲットを気相または液相による流体状態で用意し、これを真空のチャンバー内に向けてノズルから噴出させて、その噴出したジェット流に上記パルスレーザビームを集光照射させる方法が開発されている。この方法では、ターゲット材を比較的容易に連続供給できるため、高繰返しパルスのレーザビームの照射による平均出力の大きいX線源が実現できる。
【0003】
ここで噴出流として超音速ガスジェット流が利用される。しかし、この噴出流はガス流であるため、ノズルの上流におけるターゲット分子数密度は固体密度と比較して二桁以上低い。また、ガス流の広がり角度がほぼ30度と大きいため、ノズルの噴射口から離れたレーザビーム集光照射点ではターゲット密度が大幅に低下する。すなわち、レーザエネルギーから発光X線エネルギーへの変換割合であるX線変換効率が、固体状態のターゲットの場合と比較して大幅に低下する。
【0004】
一方、レーザ集光照射点をガス流出口のノズル先端数mmに近づけて、より高密度のプラズマを生成することが試みられている。しかし、この状態では、ノズル先端の金属表面を損傷し、かつノズル材料の微粒子の蒸散が起こる。
【0005】
この問題を解決するため、ガス状ターゲットをノズル上流で冷却しかつ分子数密度を高めて、液化寸前の状態にしてノズルから噴出させ分子クラスターを生成することが提案されている。すなわち、分子クラスターを噴出流とすることにより、ノズル出口からの噴出流の広がり角度をより小さくし、かつクラスター化により噴出流の密度を上げるものである。しかし、実際には、広がり角度は十分に小さくならない。すなわち、レーザビーム集光照射点をノズル先端から10mm位置に設定した場合、この位置では噴出流が噴霧状態となっており、ターゲットの分子数密度は必要な強度のX線を得るプラズマを生成するには不十分である。
【0006】
また、上述した超音速ガスジェット流に比べ、液滴ターゲットでは、レーザ集光照射点で材料として最少量の液体密度のターゲット材を保証している。しかしながら、レーザプラズマX線源の実用動作に対して、この液滴ターゲットの大きさ及び軌道の安定性に重大な問題がある。更に液滴ターゲットの高速性とパルスビームの照射に対するタイミングの正確性とが高繰返し動作のために必要である。その理由は、レーザビームパルスが集光照射点位置で液滴ターゲットを照射する際に、生成プラズマ粒子又は散乱レーザビームによって次の液滴ターゲットがヒットされ、破棄されないように液滴ターゲット間の距離は十分な大きさであると共に正しく液滴の中心にレーザビームパルスを当てるためである。このため、連続する高速の液体噴出流を使用することが、上述した問題の解決に最も素直な方法であろう。
【0007】
例えば、特表2000−509190号公報に開示されたX線放射線を発生するための方法では、図8に示されるように、ターゲット発生手段1が液体を連続的に噴出してジェット流に形成された噴流ターゲット2を発生する。噴流ターゲット2の空間的に連続した部分を集光照射点4として、集光されたレーザビーム3がヒット照射する。この結果、噴流ターゲット2がプラズマ化してX線を放射する。
【0008】
他方、液体噴流レーザプラズマ源として極低温のキセノンを用いることが、例えば、ビー.エイ.エム.ハンソンほかによる文献(In Emerging Lithographic Technologies IV, Proceedings of SPIE Vol.3997, 2000)で発表されている。
【0009】
上述した資料によれば、キセノン噴流の直径は40μmに制限される。その理由は、装置の排気容量の制限と恐らくは流体力学上の不安定性に起因する。一方、集光照射範囲は連続流体の範囲に留めなくてはならない。
【0010】
固体滴又は噴流体のターゲットでは、レーザによる加熱がターゲット内部を加熱する衝撃波を引き起こす強圧インパルスを発生させる。従って、レーザビームパルスにより加熱され、外向きに蒸散するプラズマからの外側に向かう放射エネルギーのみがX線源として利用される。一方、衝撃波、圧縮波などの流体力学的エネルギーとして内向きに伝播するエネルギーはその周囲のターゲット材の内部で微粒子生成及び大量の蒸発の少なくとも一方を引き起こして消耗する。
【0011】
X線変換効率の増進のため、キャビティターゲットを用いることがテストされている。そのキャビティターゲットは、キャビティの入り口穴を通して内壁を照射するパルスレーザビームによって生成されたX線及びプラズマ粒子の少なくとも一方をキャビティ内に閉じ込める。また、このキャビティ形状では、X線放射パルス長の延長が観察され、かつキャビティ導入口からの放射の輝度がいくらか増加することが確認されている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、滴状ターゲット材は、液体密度又は固体密度を与えることができるため、ガス噴流に比べ、高いX線変換効率が得られる効果がある。しかしながら、滴状ターゲットの大きさ、軌道、弾道速度、及び繰返し速度を安定に制御することは困難である。更に高平均出力X線源としての高繰返しパルス運転における実用性には疑問がある。
【0013】
一方、液体噴流ターゲットでは、消費するターゲット材の量を少なくするため円柱状噴流ターゲットの直径を小さくすることが考えられる。しかし、十分なX線変換効率を得るためには、この噴流ターゲットの直径を、必要とされるX線光源の寸法、すなわちレーザビームの集光照射点の直径と同一の寸法にする必要がある。噴流ターゲットの直径が集光照射点の直径より小さい場合には、レーザビームが十分に吸収されないうえ、レーザと相互作用する膨張プラズマのみでは、イオン密度が低い。従って、X線の発光が弱くなる。この結果、滴状ターゲットに比べて、ターゲット材の消費が多い割にはX線発生量が少ない。すなわち、X線の発生量の割には大量のガスがX線源の真空チャンバー内に発生する。
【0014】
また、キャビティターゲットは、レーザビームのエネルギー吸収率が向上し、かつ発生したプラズマのもつエネルギーが、再度、X線輻射エネルギーに変換される効果があるため、総合のX線変換効率の向上が期待される。しかしながら、キャビティターゲットを連続高速供給することに疑問があるうえ、キャビティから取出せるX線の量は、取出し口の大きさによって制限される。つまり、キャビティの出口から取出せるX線エネルギーは、キャビティの内壁を加熱し蒸散させて消失するX線エネルギーと比較して非常に小さい。X線により駆動された内壁の蒸散はキャビティ壁内部へ進み、壁材をイオン化することによってそのエネルギーを損失する。
【0015】
また、発生するターゲット材のガスを十分に排気できない場合にはX線発生のための真空チャンバーにおける真空度が低下する。そのため、使用したターゲットで生成されたレーザプラズマから放射されたX線は、光源の周囲に滞在する同一ターゲット材の中性ガスにより吸収される。従って、外部へ取り出せるX線量が著しく低下する。それを防ぐには、大排気容量の真空ポンプを必要とする。
【0016】
本発明の課題は、このような問題点を解決し、ターゲットの初期密度が液体/固体でありながらガス発生量の少なく、しかも、ターゲットから発生するX線の変換効率又は発生効率を向上できるレーザプラズマ発生方法およびそのシステムを提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明は、流体をなす物質をターゲット材とし、このターゲット材をノズルから柱状に噴出させてジェット流に形成される連続する噴流ターゲットに、連続パルス状のレーザビームを集光照射することによりターゲット材を加熱して、高温高密度プラズマを生成する方法及びその装置に関するものである。
【0018】
本発明では、上記課題を解決するため、ターゲットとして中空状で壁厚を有する中空筒状ターゲット(Hollow Shell Target)を用いる。すなわち、中空筒状ターゲットを形成するため、一つはノズルの先端部で単一のターゲット材噴出口の中心部に芯材を備えて噴出口を環状に形成し、他の一つは複数のターゲット材噴出口を環状に配列している。従って、複数のノズルそれぞれから同時に噴出するターゲット材により噴流ターゲットに中空部を生成することができる。
【0019】
中空筒状ターゲットの外径はレーザビームの集光照射点での寸法とほぼ同一とすることが望ましい。中空筒状ターゲットの壁厚は「レーザアブレーション厚」とほぼ同一か又はそれ以上とする。「レーザアブレーション厚」とは、レーザビームにより加熱され高温プラズマとなって外側に向けて噴出した際に消失するターゲット材の層の厚さである。その厚さは、ターゲット材が高温プラズマ化した際のX線発生量とガス発生量とを考慮して最適化される。
【0020】
カットオフ密度領域で吸収されたレーザビームのエネルギーは、蒸散プラズマにおける外側向きのX線輻射として消費されるほかに、蒸散するプラズマの運動・熱エネルギー及び内側向きにターゲットを駆動する流体運動エネルギーなどに分配される。前者は、外側向きに膨張すると共に外部へ散逸する。後者の中には、衝撃波又は圧縮波で駆動されるターゲット全体の運動エネルギーが含まれている。
【0021】
この運動エネルギーに変換される割合は、蒸散流をロケット噴射と見なす「ロケットモデル」により「ΔM/M」の関数として表わすことができる。ここで、「ΔM」は蒸散により外側向きに噴出されるターゲット材の質量、また「M」は初期の全質量である。
【0022】
本発明では、ターゲットの壁厚を上記の「レーザアブレーション厚」程度にすることにより、パルスレーザビームが照射されている間に加熱された蒸散プラズマからのX線輻射を従来通り確保できると共に、ターゲットが中空のためX線発生に寄与しない余分な内部のターゲット材に起因するガスの発生は一切起こらない。
【0023】
一方、中空筒状ターゲットの壁厚をアブレーション厚より大きくすることにより、蒸散で残った中空筒状ターゲットの壁厚材は蒸散の反作用でロケット状に加速された後、円筒中心軸方向に2次元的に集束し、衝突し合う。従って、上記中空筒状ターゲットの壁厚材の運動エネルギーは衝突により内部エネルギーに変換し、更に慣性により閉じ込められる。この閉じ込められて滞留している間に内部エネルギーは筒の中心軸部分で一時的に高温高密度プラズマを形成する。この結果、内部エネルギーはこのプラズマからX線輻射エネルギーとして放出される。
【0024】
従来技術で説明したような通常のターゲット材では中空部分に対する加速ターゲット層を有しないので、レーザビームの吸収エネルギーの一部がレーザビームとの相互作用中にX線輻射エネルギーとして放出される以外には、プラズマの膨張に伴ってプラズマ粒子の運動エネルギー及び熱エネルギーとして外側に向けて直ちに散逸してしまう。それと比較して本発明によるターゲット構造では、プラズマ粒子の運動エネルギーの一部を輻射エネルギーに再度変換する機能を有している。
【0025】
また、本発明では、中空筒状ターゲットの2次元集束の際に、密度及び温度の十分な上昇の効果を得るために、中空筒状ターゲットの中心軸に垂直な一つの面上で、レーザビームが角度方向で等間隔な方向から均一に照射することが望ましい。また、これは、レーザビームの照射により中空筒状ターゲットが照射部分の先端側でビーム照射の反対方向に屈曲するのを防止するためにも望ましい。
【0026】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図面は説明の便のために描かれており、その構成相互の大きさ、配置などのディメンジョンは部分的に誇張もあるなど正確ではない。また、中空筒状ターゲットは噴出口から噴出した直後に固化した固体流であってもよい。しかし、下記実施例では説明の便を図り、中空筒状ターゲットは最も効果的な形状の円筒に形成されるものとする。
【0027】
図1は本発明装置におけるノズル部分の実施の一形態を断面で示す説明図である。
【0028】
図1に示されるレーザプラズマ発生方法では、まず、真空チャンバーの内側で、ノズル10から液体および/または半固体、例えば粘性の高い流体のターゲット材20を噴射させて中空筒状ターゲット21を形成する。次いで、この中空筒状ターゲット21に連続パルス状のレーザビーム30を集光照射することにより、この集光照射点40にプラズマを発生している。
【0029】
ノズル10は、中心軸部分に円筒空間を有するものとし、その先端にターゲット噴出口11、及び内部に整流器12を備えている。ノズル10の円筒空間には、ターゲット噴出口11を先端として断面を円形とする楔型の芯材50が、整流器12により固定されている。従って、ターゲット噴出口11の軸に垂直方向の断面形状はドーナッツ形状と同様で環形をなしている。
【0030】
ノズル10の円筒空間はターゲット材20の噴射のためターゲット噴出口11付近で狭く形成されている。従って、ノズル10は、円筒空間内のターゲット材20を、整流器12の駆動によりターゲット噴出口11から、外形を柱状に形成したジェット流として噴出する。整流器12は、中空筒状ターゲット21を生成するのに必要な流速を得るように圧力を与え、ターゲット材20を連続して噴出するように稼働する。
【0031】
芯材50も、芯材先端部51でターゲット噴出口11の内面と対向する外面を中心軸から外側に角度θをもってターゲット噴出口11を狭めて中空筒状ターゲット21の形成に役立たせている。従って、中空筒状ターゲット21は壁厚部22及び中空部23を有する円筒状を形成するジェット噴流となる。
【0032】
すなわち、ターゲット材20が流動するターゲット噴出口11の内面と芯材50の外面とは表面の粗さが可能な限り滑らかであることが必要である。更に、これらの面の傾斜角等を含む噴出口付近の形状は、整流器12によるターゲット材20の噴出速度にも依存するが、同一径の中空筒状状を連続して長距離を維持できるように形成される。
【0033】
ここで、ターゲット噴出口から噴出された流体のターゲット材は表面気化熱により冷却され、直ちに固体化して流動しても構わない。本発明における中空筒状ターゲットの成形過程は押出し成形といえる。X線リソグラフィー用光源としては、光源の直径は、300〜1000μmと想定されている。従って、中空筒状ターゲットを直径0.3〜1.0mmに成形する。ここで、この中空筒状ターゲットを10ns程度のパルス幅で照射強度1011〜1012W/cmを与えるパルスレーザビームにより照射する。一方アブレーション厚は約20μmなので、中空筒状ターゲットの壁厚を30〜40μmとする。すなわち、アスペクト比(半径/壁厚)は「10〜25」とする。従って、消費されるガス化されるターゲット材の量は、中空でない場合の100分の1以下である。
【0034】
ここで、図1を参照して、ノズルと芯材とに必要な形状及びその相対位置関係について説明する。
【0035】
ノズル10及び芯材50の各部分は、噴射により所定のサイズの中空筒状ターゲット21を形成するため、必要な温度制御がなされている。得られた中空筒状ターゲット21が固体化される場合には、中空又はガス入りのファイバーを射出成形したものと類似している。
【0036】
上述したように、芯材50の先端部51では、角度θを有して緩くテーパ状に広がっている。すなわち、ジェット流体である壁厚部22により形成される中空部23が流体の表面張力でつぶされないように、噴出流体に中心軸に対して外側方向に運動量を与えている。これは、真空チャンバー内部の残留ガスによるガス圧が在る場合に特に有効である。
【0037】
次に、図2を参照して図1に示したものより更に安定した中空筒状ターゲット21の形成について説明する。図2における図1との相違は芯材60の構造にある。
【0038】
すなわち、芯材60は、その先端部にガス噴出口61、またその中央内部に管状のガス供給路62それぞれを備えている。ガス供給路62ではガス70が、他端部から軽い圧力を加えて吹き込まれ、先端部のガス噴出口61から噴出ガス71として流出してターゲット材噴出口11から噴出されたターゲット材20の中空部23を形成する。
【0039】
すなわち、噴出ガス71は、中空筒状ターゲット21の中空部23で、内部から外側に向け静圧を与えている。従って、中空筒状ターゲット21は、ターゲット材20による表面張力、又はチャンバー内ガス圧力が原因で中空部23がつぶれることを防止でき、中空筒状ターゲット21の形状を安定化させている。勿論このガス70は中空筒状ターゲット21の温度以下の液化点を必要としている。
【0040】
上記を実施する際の一つのパラメータは、例えば、ノズル上流部の内圧1〜10MPa、流速1〜100m/s、ノズル噴出口の内径・中空筒状ターゲットの外径0.3〜1.0mm、芯材の外径・中空筒状ターゲットの内径0.2〜0.9mm、ガス供給管の内径30〜300μm、及びノズルの長さ1〜10mmである。ここで、ノズルの長さは整流器12より噴出口側にあってジェット流を形成するのに有効な部分の長さである。例えば、ターゲット材がキセノンの液体又は固体の場合には低温ヘリウムガスを噴出ガスとして用いることが望ましい。
【0041】
次に、図3及び図4を併せ参照して上述した中空筒状ターゲット21にレーザビームを照射した場合の一実施例について説明する。
【0042】
図3に示される例では、中空筒状ターゲット21の中心軸に垂直な一つの面上で、紙面では左右の対称する方向からレーザビーム31,32が壁厚部22の集光照射点に集光照射(手順S1)している。この結果、壁厚部22のターゲット材が左右両方向から加熱され高温高密度のプラズマが生成されて、X線が四方に放射(手順S2)される。
【0043】
次いで図4に示されるように、壁厚部22の一部が蒸散加速されて得たエネルギーをX線輻射エネルギーとして放出させるため、加速された壁厚部22の残存ターゲット材22aを中空部23aに集束(手順S3)させることが望ましい。この結果、高温高密度のプラズマを内部で再び形成することができる。
【0044】
このようにして更に高密度のプラズマを得るためには、図示されるような二方向からだけではなく、壁厚部22を回転角方向にできる限り均一にレーザビームで照射加熱して、中心軸に向かって一様な2次元圧縮を実現する必要がある。すなわち、例えば対向する相互に反対方向から照射する3対のレーザビームを角度的に等間隔のそれぞれ60度間隔で配置する。更に、より均一なレーザ加熱を行う場合には、対称位置にある対となるレーザビームの組を増加させることにより実現できる。
【0045】
なお、プラズマで散乱するレーザビームが対向する集光光学系の光路に入り込み、対向するレーザビーム源に損傷を与えないように対向位置にせず、奇数のレーザビームを等角度間隔に配列して均一な照射加熱を実現することも望ましい。
【0046】
また、流体ジェット流がノズルから真空中に射出された後、気化熱により固体化して中空筒状ターゲットが固体ファイバー状となった場合、プラズマ化した部分の外縁部分にあるファイバー状ターゲットにターゲットの中心軸と垂直方向にせん断応力が働く。このような場合、このせん断応力は連続してノズルから噴射されて流動するファイバー状ターゲットの弾道又は軌道を曲げる効果を与える。すなわちこのファイバー状ターゲットに一つのレーザビームを照射する際には、集光照射点がプラズマ化して消散した部分に隣接するファイバー状ターゲットの中心軸には垂直方向のせん断応力が働く。従って、このせん断応力により、続いて送られる部分がせん断応力方向に軌道を曲げ、集光照射点を外れる。この結果、次のレーザビームパルスによるプラズマの生成ができない。従って、特にファイバー状ターゲットの場合には、レーザビームの照射位置はこのファイバー状ターゲットの中心軸と垂直な一つの面上で対称位置にあることが必要となる。対称に照射することにより合成されたせん断応力を実効的にゼロにすることができる。また、上述した2次元圧縮を有効に起こすことができる。
【0047】
次に図1に図5及び図6を併せ参照して、X線放射の発生過程について詳細を説明する。図5には、レーザビームの照射に伴なうターゲット材の時間に対する動きが流線で示されている。
【0048】
図1により生成される中空筒状ターゲット21はその壁厚部22の表面のターゲット材が手順S1のレーザビーム30の照射により加熱されプラズマ化する。手順S2では、ここで生成された高温高密度プラズマからX線が輻射される。
【0049】
レーザビーム30の集光照射により中空筒状ターゲット21の外部表面からターゲット材が蒸散する反作用で壁厚部22の内側のターゲット材には内部空間の中空部23への加速応力が働き、中心部分に向かってターゲット材の集束と圧縮とが行われる。この結果、手順S3として、中空筒状ターゲット21の中心軸位置でいわゆる爆縮という現象が発生し、中心部分で圧縮されかつ高温の滞留プラズマ24を形成する。
【0050】
この爆縮には次の二つのモードがある。
【0051】
一つは、蒸散爆縮と呼ばれるものである。すなわち、ターゲットの壁厚が十分に厚く外側表面からプラズマが蒸散する場合、この反作用で内側のターゲット材が低温のまま中心軸方向にいわゆるロケット加速し圧縮されていく。
【0052】
残る一つは、衝撃爆縮と呼ばれる。すなわち、ターゲットの壁厚が比較的薄く、レーザビームの強度が十分に高い場合、ターゲットの壁厚部全体のターゲット材が瞬時に高温プラズマ化し、内部の空間へ向かう求心衝撃波が発生する。この衝撃波はガス化したターゲット材を中心軸に向けて加熱し圧縮する。
【0053】
上述した手順S3において2次元圧縮されたターゲット材は、中空筒状ターゲット21の中心軸部分で慣性閉じ込め効果により、高温高密度の滞留プラズマ24を形成する。従って、手順S4として、この滞留プラズマ24からX線が輻射される。
【0054】
次に、X線変換効率について簡単な試算を行う。
【0055】
波長1μmで1012〜1014W/cmの強度を有するレーザビームにより照射されて固体ターゲットから発生するプラズマでは、輻射により放出されるエネルギーの割合である輻射変換効率ηは30%程度であることが実験で判明している。その中で、波長13〜14nmで波長幅(BW)2%のX線の変換効率ηはほぼ1%である。これらは、入射レーザビームエネルギーに対する時間積分された割合であるが、おおよその目安として正しい。一方、反射レーザビームエネルギー、プラズマ粒子エネルギーとして散逸する割合は、それぞれ20%及び50%である。
【0056】
圧縮されて中心部分で形成された高温高密度プラズマが慣性閉じ込め効果により輻射するに必要な時間以上に存在した場合には、そのプラズマ中でプラズマ粒子エネルギーからX線輻射エネルギーへの変換が生じる。爆縮されて中心部に形成されたプラズマ粒子の持つ、圧縮効率で決まるエネルギーの割合は、全プラズマ粒子エネルギーのほぼ半分とすると、中空部のプラズマ粒子が有するエネルギーは0.25Eと表わされる。このエネルギーの40%が輻射エネルギーになるとした場合、13〜14nm帯でBW2%へのX線変換効率ηは1.3%(=0.01+0.25×0.4×0.01/0.3)となり、1.3倍にも増える。これらは、レーザの波形、強度などのレーザパラメータと、ターゲットの材料及び寸法によって最適値が存在するのはいうまでもない。
【0057】
すなわち、図6に示されるように、レーザビームの一つのパルス幅Τに対してX線の出力は時間的に長引き、爆縮時間Τimpの後に2番目の出力ピークを発生する。
【0058】
上記説明では、ノズルのターゲット材噴出口の形状が円環をなすとしたが、眞円でなくとも噴出されたターゲット材が中空筒状ターゲットを形成するものであれば、その効果を十分発揮することができる。
【0059】
次に、図7を参照して図1及び図2を参照して説明したものとは別のノズル80の構造とターゲット材噴出口81の形状とについて説明する。
【0060】
図7(A)に示されるノズル先端部80には、複数のターゲット材噴出口81が環状に等間隔に配置されている。すなわち、複数のターゲット材噴出口81から噴出噴流するターゲット材を空中で合流合体させ、中空筒状ターゲットに近似的に形成している。
【0061】
このような複数のターゲット材噴出口81は断面が扇形を有する複数の同一形状を有する細分化ノズル82による組立て構造でもよい。図示される細分化ノズル82それぞれが一つのターゲット材噴出口81を有している。
【0062】
また、図7(B)に示されるノズル先端部80Bは上記同様の配置で複数のターゲット材噴出口81Bが環状に等間隔に配置されている。しかし、細分化ノズル82Bそれぞれは、ほぼ台形を有し、中心線位置の中心部円柱83に抱き合わせられた構成を有している。
【0063】
図7でターゲット材噴出口は、その形状が環状方向に広いほぼ矩形の断面を有し、細分化ノズルの中央部分に配置されている。しかし、図7(B)で参照されるように、中心部円柱にターゲット材噴出口のための溝を接する構造でもよい。
【0064】
また、複数のターゲット材噴出口を有するノズルとしては、細いターゲット材噴出口を有する円筒状の細い細分化ノズルを中心部円柱の周囲に詰めて形成することもできる。
【0065】
従って、このような複数のターゲット材噴出口を有するノズルでは、同一形状の細分化ノズルを詰めて成形されるので、環状の噴射口を容易に形成でき、中空筒状ターゲットの形成に対して、より安定した動作が得られる。
【0066】
上述した各種のターゲット材噴出口の形状は、流体としてのターゲット材の特性、例えば、粘性、表面張力など、及び必要とする外形寸法、流速などによって決められる。
【0067】
このように、上記記載では、図面それぞれを参照し、かつ適切なデータを示して説明している。しかし、図示され説明された形状、大きさおよび相互位置、数量などの構成、並びに組合せについては、相互に関連を有してはいるが上述した機能を満たす範囲で変更可能であり、本発明は上記記載に限定されるものではない。
【0068】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、レーザビームの照射ターゲットを中空筒状ターゲットとしているので集光照射点におけるターゲット材の量が縮小され、通常のX線発生に伴なうターゲット材のガス放出が著しく低減されるため、真空チャンバー内における残留ガスの排気及びターゲット材の回収、それぞれの装置規模を小型化することができる。
【0069】
更に、中空筒状ターゲットをレーザビームにより2次元均一照射することにより、爆縮されて中心軸部分に形成されたコアプラズマからのX線放射も利用できる。従って、X線変換効率は実効的に向上する。すなわち、X線源としての強度が向上するので、ドライバーレーザを小型化することができる。
【0070】
この結果、装置全体としてコンパクトで設備費及び運転コストの低いレーザプラズマX線発生装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の関連構造部分における実施の一形態を断面で示す説明図である。
【図2】図1の一部を改良した実施の一形態を示す図である。
【図3】図1の集光照射点の近傍におけるレーザビーム照射時点でのターゲット断面の一形態を示す図である。
【図4】図3に示される状態から続く状態を説明する図である。
【図5】図1の集光照射点においてレーザビーム照射時点からのターゲット材の流れを時系列で示す図である。
【図6】図5に対応して発生するX線の強度を時系列で示す図である。
【図7】図1とは別の複数のターゲット材噴出口を有するノズル先端部分における正面の一形態を示す図(A)、及びこれに中心部円柱を利用したノズル先端部分における正面の一形態を示す図(B)である。
【図8】従来の流体ターゲットを用いたX線発生構造の一例を示す図である。
【符号の説明】
10 ノズル
11、81、81B ターゲット材噴出口
12 整流器
20 ターゲット材
21 中空筒状ターゲット
22 壁厚部
23 中空部
24 滞留プラズマ
30、31、32 レーザビーム
40 集光照射点
50、60 芯材
51 芯材先端部
61 ガス噴出口
62 ガス供給路
70 ガス
71 噴出ガス
80,80B ノズル先端部
82、82B 細分化ノズル
83 中心部円柱

Claims (15)

  1. 固体および液体の少なくとも一方でありかつ流体をなす物質をターゲット材とし、該ターゲット材をノズルから柱状に噴出させてジェット流に形成される一つの噴流ターゲットに連続パルスによりレーザビームを集光照射することにより前記ターゲット材を加熱して高温高密度プラズマを生成するものであって、前記ノズルは前記噴流ターゲットを生成する一つまたは複数のターゲット材噴出口を有しそのターゲット材噴出口中心部に芯材を備え、該芯材により前記ノズルから噴出する前記噴流ターゲットに中空部を生成して単一の中空筒状ターゲットを形成することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  2. 請求項1において、前記ノズルは単一の円形ターゲット材噴出口であり、その単一のターゲット材噴出口中心部に芯材を備え、該芯材により前記ノズルから噴出する単一の前記噴流ターゲットに中空部を生成して単一の円筒状ターゲットを形成することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  3. 請求項2において、前記芯材から前記中空筒状ターゲットの中心線上にガスを噴出させて柱形状の噴流ガスを生成し前記中空筒状ターゲットの中空部分の生成を助成することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  4. 請求項1において、前記ノズルは複数のターゲット材噴出口を環状に有し、その複数のターゲット材噴出口から同時に噴出するターゲット材が空中で一体化され中空部が生成された単一の中空筒状ターゲットを形成することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  5. 請求項1において、前記中空筒状ターゲットの外径を、前記レーザビームの集光照射点においてレーザビームの寸法と同一に形成することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  6. 請求項1において、複数のレーザビームによりパルス毎に中空筒状ターゲットの中心軸上の同一個所を同時に集光照射することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  7. 請求項6において、複数の前記レーザビームを備え、該レーザビームを前記中空筒状ターゲットの噴流方向に垂直な一つの面上で等間隔角度となる位置から対称に、前記中空筒状ターゲットに集光照射することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  8. 請求項1において、前記ノズルのターゲット材噴出口付近における形状及び寸法の組合せにより、前記ターゲット材が前記レーザビームの照射によりパルス毎に蒸散する深さと同一からやや大きいまでの間の寸法に前記中空筒状ターゲットの平均壁厚を形成することを特徴とするレーザプラズマ発生方法。
  9. 固体および液体の少なくとも一方でありかつ流体をなす物質をターゲット材とし、該ターゲット材を柱状に噴出させて一つの噴流ターゲットに形成するノズルと、連続パルスにより一つの点に集光照射する少なくとも一つのレーザビームとを備え、前記レーザビームを集光照射して前記噴流ターゲットのターゲット材を加熱し、高温高密度プラズマを生成するものであって、前記ノズルは、前記ターゲット材が環形のジェット流となって噴出し前記噴流ターゲットを単一の中空筒状ターゲットに形成するように、環形をなす一つのターゲット材噴出口を備えることを特徴とするレーザプラズマ発生装置
  10. 請求項9において、環形をなす前記ターゲット材噴出口はその中心線上に前記中空筒状ターゲットの中空部分の生成を助成する噴流ガスを噴出するガス噴出口を更に備えることを特徴とするレーザプラズマ発生装置
  11. 固体および液体の少なくとも一方でありかつ流体をなす物質をターゲット材とし、該ターゲット材を柱状に噴出させて一つの噴流ターゲットに形成するノズルと、連続パルスにより一つの点に集光照射する少なくとも一つのレーザビームとを備え、前記レーザビームを集光照射して前記噴流ターゲットのターゲット材を加熱し、高温高密度プラズマを生成するものであって、前記ノズルは、前記ターゲット材が環状態の筒状ジェット流となってその中心軸の周囲に平行して噴出し前記噴流ターゲットを単一の中空 筒状ターゲットに形成するように、環状態を形成する複数のターゲット材噴出口を備えることを特徴とするレーザプラズマ発生装置
  12. 請求項11において、前記ノズルは、それぞれが一つのターゲット材噴出口を有する複数の細分化ノズルにより形成され、複数の前記ターゲット材噴出口が環状態をなすように一体化されることを特徴とするレーザプラズマ発生装置
  13. 請求項9乃至12のいずれか一つにおいて、前記ターゲット材噴出口は、前記中空筒状ターゲットの外径を前記レーザビームの集光照射点における直径と同一に形成するような形状と寸法とを有することを特徴とするレーザプラズマ発生装置
  14. 請求項9乃至12のいずれか一つにおいて、前記ターゲット材噴出口は、十分な大きさを有する前記ターゲット材が前記レーザビームの照射によりパルス毎に蒸散する深さと同一かまたは大き目の寸法に前記中空筒状ターゲットの壁厚を形成するような形状と寸法とを有することを特徴とするレーザプラズマ発生装置
  15. 請求項9乃至12のいずれか一つにおいて、前記中空筒状ターゲットの噴流方向に垂直な一つの面上で等間隔角度により対称となる位置から同時パルスにより、前記中空筒状ターゲットを照射する複数の前記レーザビームを備えることを特徴とするレーザプラズマ発生装置
JP2002109587A 2002-04-11 2002-04-11 レーザプラズマ発生方法およびその装置 Expired - Fee Related JP3759066B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002109587A JP3759066B2 (ja) 2002-04-11 2002-04-11 レーザプラズマ発生方法およびその装置
US10/410,269 US6924600B2 (en) 2002-04-11 2003-04-10 Laser plasma generation method and structure thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002109587A JP3759066B2 (ja) 2002-04-11 2002-04-11 レーザプラズマ発生方法およびその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003303696A JP2003303696A (ja) 2003-10-24
JP3759066B2 true JP3759066B2 (ja) 2006-03-22

Family

ID=28786590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002109587A Expired - Fee Related JP3759066B2 (ja) 2002-04-11 2002-04-11 レーザプラズマ発生方法およびその装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6924600B2 (ja)
JP (1) JP3759066B2 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003240233A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-11 Jettec Ab Method and arrangement for producing radiation
DE102004005242B4 (de) * 2004-01-30 2006-04-20 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung
JP4337648B2 (ja) 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
EP1775756B1 (en) * 2004-06-24 2011-09-21 Nikon Corporation Euv light source, euv exposure equipment and semiconductor device manufacturing method
DE102004042501A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-16 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur Bereitstellung eines reproduzierbaren Targetstromes für die energiestrahlinduzierte Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
TW200934603A (en) * 2008-02-01 2009-08-16 Contrel Technology Co Ltd Jetting type laser processing machine
WO2011027737A1 (ja) 2009-09-01 2011-03-10 株式会社Ihi プラズマ光源
JP2011054376A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Ihi Corp Lpp方式のeuv光源とその発生方法
JP6021454B2 (ja) * 2011-10-05 2016-11-09 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成方法
JP6174605B2 (ja) * 2012-02-22 2017-08-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 燃料流生成器、ソースコレクタ装置、及び、リソグラフィ装置
US9268031B2 (en) * 2012-04-09 2016-02-23 Kla-Tencor Corporation Advanced debris mitigation of EUV light source
CN104488362B (zh) * 2012-05-21 2017-05-10 Asml荷兰有限公司 辐射源
NL2011533A (en) * 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for generating radiation.
US9609729B2 (en) * 2013-04-19 2017-03-28 Raytheon Company X-ray cells and other components having gas cells with thermally-induced density gradients
CN103257531A (zh) * 2013-04-25 2013-08-21 华中科技大学 一种用于激光等离子体极紫外光源的空腔液体锡靶发生器
US9585236B2 (en) 2013-05-03 2017-02-28 Media Lario Srl Sn vapor EUV LLP source system for EUV lithography
US9357625B2 (en) 2014-07-07 2016-05-31 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
US9301381B1 (en) * 2014-09-12 2016-03-29 International Business Machines Corporation Dual pulse driven extreme ultraviolet (EUV) radiation source utilizing a droplet comprising a metal core with dual concentric shells of buffer gas
US9497843B1 (en) * 2015-05-21 2016-11-15 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Colliding jets laser guiding structure
EP3726940A3 (en) 2019-04-16 2020-11-11 Okinawa Institute of Science and Technology School Corporation Laser-driven microplasma xuv source

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4663567A (en) * 1985-10-28 1987-05-05 Physics International Company Generation of stable linear plasmas
US5577092A (en) * 1995-01-25 1996-11-19 Kublak; Glenn D. Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources
US5636239A (en) * 1995-05-15 1997-06-03 Hughes Electronics Solid state optically pumped laser head
US5640408A (en) * 1996-01-29 1997-06-17 Science And Technology Corporation Quasi four-level Tm:LuAG laser
SE510133C2 (sv) 1996-04-25 1999-04-19 Jettec Ab Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål
US5978407A (en) * 1997-03-31 1999-11-02 United States Enrichment Corporation Compact and highly efficient laser pump cavity
DE19983270B4 (de) * 1999-03-31 2009-07-30 Japan As Represented By Director General Of Agency Of Industrial Science And Technology Laserplasmalichtquelle und Verfahren zur Erzeugung von Strahlung unter Verwendung derselben

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003303696A (ja) 2003-10-24
US6924600B2 (en) 2005-08-02
US20030194055A1 (en) 2003-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3759066B2 (ja) レーザプラズマ発生方法およびその装置
US6855943B2 (en) Droplet target delivery method for high pulse-rate laser-plasma extreme ultraviolet light source
US6738452B2 (en) Gasdynamically-controlled droplets as the target in a laser-plasma extreme ultraviolet light source
US9295147B2 (en) EUV light source using cryogenic droplet targets in mask inspection
EP1182912B1 (en) Liquid sprays as the target for a laser-plasma extreme ultraviolet light source
EP1492394B1 (en) Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement
CN105935007B (zh) 极紫外光源
US20070170377A1 (en) Extreme ultra violet light source device
US6995382B2 (en) Arrangement for the generation of intensive short-wave radiation based on a plasma
KR20030090745A (ko) 극자외선광 특히 리소그라피 공정용 극자외선광을발생시키는 방법 및 장치
SE510133C2 (sv) Laser-plasma röntgenkälla utnyttjande vätskor som strålmål
JP4995379B2 (ja) 光源装置及びそれを用いた露光装置
JP2006244837A (ja) レーザープラズマから輻射光を発生させる方法、該方法を用いたレーザープラズマ輻射光発生装置
JP2014522555A (ja) 流体ジェット生成方法と装置、そのジェットをプラズマに変換する方法とシステム、並びにそのシステムの使用
JP4578883B2 (ja) 極端紫外光源装置
JP4496355B2 (ja) 液滴供給方法および装置
JP2006210157A (ja) レーザ生成プラズマ方式極端紫外光光源
JP2002289397A (ja) レーザプラズマ発生方法およびそのシステム
French et al. Investigation of the Nd: YAG laser percussion drilling process using high speed filming
JP2897005B1 (ja) レーザプラズマ光源及びこれを用いた輻射線発生方法
EP1367445B1 (en) Linear filament array sheet for EUV production
EP1492395A2 (en) Laser-produced plasma EUV light source with isolated plasma
JP2006228998A (ja) 極端紫外線光源装置
JP2005251601A (ja) X線発生用ターゲット物質供給方法およびその装置
JPH08138594A (ja) 軟x線光源装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050323

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050511

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100113

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees