JP4337648B2 - Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、EUV光((Extreme Ultraviolet: 極端紫外光)、本明細書及び特許請求の範囲では、波長が13.5nmの光を言う)を発生するEUV光源、及びこのEUV光源を使用したEUV露光装置、さらには、このEUV露光装置を使用した半導体デバイスの製造方法に関するものである。
半導体集積回路の集積度が増すに従い、回路パターンが微細化し、従来使用されていた可視光や紫外光を使用した露光装置では、その解像度が足らなくなってきている。周知のように、露光装置の解像度は、転写光学系の開口数(NA)に比例し、露光に使用する光の波長に逆比例する。そのため、解像度を上げる一つの試みとして、可視光や紫外光に代わり、波長の短いEUV(軟X線と称されることもある)光源を露光転写に使用する試みがなされている。
このような露光転写装置に使用されるEUV光発生装置として、特に有力視されているのがレーザプラズマEUV光源(以下では「LPP(Laser Produced Plasma)」と記載することがある)と放電プラズマEUV光源である。
LPPは、パルスレーザ光を真空容器内の標的材料上に集光し、標的材料をプラズマ化して、このプラズマから輻射されるEUV光を利用するものであり、小型でありながら、アンジュレータに匹敵するほどの輝度を持つ。
又、Dense Plasma Focus(DPF)などの放電プラズマを用いたEUV光源は小型であり、EUV光量が多く、低コストである。これらは波長13.5nmのEUV光を用いたEUV露光装置の光源として近年注目を集めている。
このようなEUV露光装置の概要を図8に示す。図中、IR1〜IR4は照明光学系の反射鏡であり、PR1〜PR4は投影光学系の反射鏡である。Wはウエハ、Mはマスクである。
レーザ光源Lから照射されたレーザ光は、ターゲットSに集光され、プラズマ現象により、ターゲットSからX線を発生させる。このX線は、反射鏡C、Dにより反射され、平行なX線として照明光学系に入射する。そして、照明光学系の反射鏡IR1〜IR4により順次反射され、マスクMの照明領域を照明する。マスクMに形成されたパターンによって反射されたX線は、投影光学系の反射鏡PR1〜PR4によって順次反射され、パターンの像をウエハW面に結像する。
このように、EUV露光装置で使用される波長13.5nmのEUV光源として、(レーザプラズマ光源、放電プラズマ光源ともに)ターゲット物質としてXeガス又は液化Xeを使用したXeプラズマを利用するものが広く研究開発されている。その理由は、比較的高い変換効率(入力エネルギーに対して得られるEUV光強度の比率)が得られること、Xeは常温で気体の材料なのでdebris(飛散粒子)の問題が生じにくいことである。
しかしながら、より高出力のEUV光源を得るためには、ターゲットとしてXeガスを使用したものでは限界があり、他の物質を用いることが要望されている。その中でも、Xeと同じ13.5nmのEUV光を放出する元素として、Snが知られている。そして、Snを用いれば、Xeに比べて高い変換効率が得られることも知られている。
しかしながら、Snは金属(固体)なので、以下のような問題点がある
(1) レーザプラズマ光源の場合には、固体状のSnターゲットへレーザを照射すると大量のdebrisが発生する。これを避けるために加熱して蒸気にして供給すると、密度が低くなるので十分高い変換効率を得ることができない。また、周辺の低温部分で固化して、その部分に大量に付着してしまう。
(2) 放電プラズマ光源の場合には、固体のままでは放電空間(電極の間のプラズマを生成する空間)へ材料を供給することが困難である。加熱して蒸気にして供給すると、周辺の低温部分で固化して、その部分に大量に付着してしまう。
そのために、高効率材料であることがわかっていながら、そのままではEUV光源のターゲット物質として用いることが困難であった。そこで、Snを使用した場合の問題である、Snが固体であるというデメリットを克服するため、様々な手法が試みられてきた。
例えば、水溶性Sn塩を水やその他の溶媒に溶かしでターゲットとして供給する方法などが知られている。しかし、この方法では、プラズマ生成後、飛散したdebrisからは、水は蒸発して無くなるが、Sn塩は依然固体としてミラー表面に固着して汚染してしまうという問題点がある。ミラー表面に固着したdebrisを加熱融解して除去しようとしても、ミラー表面の多層膜の耐熱温度は高々100℃程度であるからそれほど高温にはできない。又、数100℃の温度にも耐えうる高耐熱多層膜を使用しても、その温度にミラー基板が耐えられないという懸念もある。
従って、Snを主成分とした液体(できるだけ室温程度かそれ以下の温度で)を得ることで、ターゲットとして連続供給が可能で、飛散したdebrisも容易に液化して除去できるような供給物質が望まれていた。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、液体状のSnを使用することを可能にすることにより高い変換効率を得ることが可能であり、かつ、debrisの除去が容易であるEUV光源、及びこのEUV光源を使用したEUV露光装置、さらには、このEUV露光装置を使用した半導体デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するための第1の手段は、滴状の液体のターゲット物質をプラズマ化し、その際に放出されるEUV光を光源とするEUV光源であって、前記ターゲットが、Snの原子数%が15%以下のSn−Ga(錫−ガリウム)系合金であることを特徴とするEUV光源(請求項1)である。
発明者は、プラズマEUV光源においてターゲット物質としてSnを用いる方法を検討した結果、Snをできるだけ低融点とし、液体の状態で用いることができれば、発生するdebrisの除去が容易となることに着目した。Sn自体の融点は232℃であり、このままでは、前述のように、ミラーに付着したdebrisの除去が困難である。しかし、Snを合金化することにより、融点を下げることができれば、液体の状況で使用することができ、かつ、ミラーの温度を、ミラーの多層膜を破損しない温度まで高めることにより、付着したdebrisを液体として除去することが可能になる。
発明者は、このようなSn合金として、Sn−Ga(錫−ガリウム)系合金に着目した。Sn−Ga合金は、Gaの低融点と、Sn−Gaが共晶系という点から、合金の融点が非常に低いという特徴を持つ。
図1に、Sn−Ga合金系の状態図を示す(以下、状態図はすべて、アグネ技術センター発行、長崎誠三・平林眞編著「二元合金状態図集」による)。縦軸は温度を表す。横軸は、下側が原子数%(at%)、上側が重量%(wt%)を表す。Sn−Ga合金状態図からは、Snの融点が232℃、Gaの融点が29.8℃であることが分かり、両者を結ぶ最も上の曲線(「液相線」と呼ぶ)から、Sn含有比が小さくなるほど融点が低くなり、Snが8at%で共晶温度20.5℃となることがわかる。
この温度はSn、Gaいずれの融点よりも低い。これは共晶系の特徴であり、Sn−Ga合金は単純な共晶系をなす。ちなみに、Snの融点(232℃)から共晶点(Sn8at%、20.5℃)までの液相線と、20.5℃の共晶線(横の直線)と、Sn側にある縦の曲線とで囲まれた大きな三角領域は、そこが液相とSn主体の化合物(Sn比93%程度)との二相共存域であることを示す。
いずれにしても、液相線が合金としての融点を表しているから、この状態図から、50℃以下の融点を得るには、Sn−Ga合金でSn比が15at%以下の領域を用いればよいことがわかる。50℃という温度は、EUV光源のターゲットとして使用する場合に、容易に加熱ができる温度として採用した。
前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、前記ターゲットのSnの原子数%が、8%以下であることを特徴とするもの(請求項2)である。
図1から分かるように、Snの原子数%が8%以下の領域では、融点が最大でも29.8℃である。よって、仮に固液分離が進んでGa固溶体だけが単独で分離された場合でも、その融点は高々29.8℃であるから、よって、より容易に液体とすることが可能である。
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第2の手段であって、前記ターゲットのSnの原子数%が、8%の共晶組成比であることを特徴とするもの(請求項3)である。
図1から分かるように、Snの原子数%が8%のとき、共晶点となり、共晶温度は20.5℃となる。よって、室温でも液体の状態で使用することができ、ターゲット供給の際にも特に温めることなく液体として供給できる。又、飛散したdebris自体も共晶であるから、室温で液体状態であり、クリーニングも容易である。共晶組成の場合は、固液二相共存域を経ることなく、あたかも単体物質のように、共晶温度一点で、液相←→共晶の融解・凝固を起こすので、扱いやすい。さらに、前記第2の手段の中では、Snの比率が最も高く、その分、EUV光の変換効率が高くなる。
前記課題を解決するための第4の手段は、滴状の液体のターゲット物質をプラズマ化し、その際に放出されるEUV光を光源とするEUV光源であって、前記ターゲットが、Snが15原子数%以下、Gaが55〜70原子数%、Inが20〜30原子数%で、Snの原子数%、Gaの原子数%、Inの原子数%と、不純物の原子数%の和が100%であるSn−Ga−In(錫−ガリウム−インジウム)三元系合金であることを特徴とするEUV光源(請求項4)である。
Snを含有する三元合金で、融点の低いものとしては、Sn−Ga−In(錫−ガリウム−インジウム)三元系合金がある。このうち、Snが15原子数%以下、Gaが55〜70原子数%、Inが20〜30原子数%のものを用いれば、融点を15℃以下とすることができる。
前記課題を解決するための第5の手段は、前記第4の手段であって、前記ターゲットが、Ga:62原子%、Sn:13原子%、残部がInと不純物からなる共晶組成比であるSn−Ga−In(錫−ガリウム−インジウム)三元系合金であることを特徴とするもの(請求項5)である。
本手段によれば、ターゲットの融点は5℃となり、完全に常温で液体の状態である。
前記課題を解決するための第6の手段は、EUV光源からのEUV光を照明光学系を介してマスクに照射し、マスクに形成されたパターンを、投影光学系によりウエハ等の感応基板に露光転写するEUV露光装置であって、前記EUV光源が、前記第1の手段から第5の手段のいずれかのEUV光源であることを特徴とするもの(請求項6)である。
本手段においては、高い変換効率を有するプラズマEUV光源を使用しているので、大きな光量のEUV光源とすることができ、スループットを上げることができる。
前記課題を解決するための第7の手段は、前記第6の手段であるEUV露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンをウエハ等の感応基板に露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法(請求項7)である。
本手段においては、スループットの良い露光装置を使用しているので、半導体デバイスの生産効率を上げることができる。
本発明によれば、液体状のSnを使用することを可能にすることにより高い変換効率を得ることが可能であり、かつ、debrisの除去が容易であるEUV光源、及びこのEUV光源を使用したEUV露光装置、さらには、このEUV露光装置を使用した半導体デバイスの製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図3は、本発明の実施の形態の第1の例であるレーザプラズマEUV光源の概要を示す図である。
加熱されたタンク4内には、本発明の範囲の組成を有するSn−Ga系合金、又は、Sn−Ga−In三元系合金(以下「Sn合金」と略称する)が収納されている。タンク4でのSn合金の温度を均一にし、かつ組成を均一にするために、溶液攪拌機構5が設けられている。溶液攪拌機構5は、この例においては、液体中で羽根を回転させるものである。
タンク4は、加圧ポンプ6と配管で繋がれており、加圧ポンプで加圧されたSn合金はノズル1へ導かれて、真空チャンバー7内に設けられたノズル1の先端から液体状のSn合金を噴出する。タンク4から加圧ポンプ6を経てノズル1に至るまでの間の配管類は、途中でSn合金が固化しないように全て加熱されている。ただし、Sn合金の融点が十分低い場合には、加熱機構は必ずしも必要ない。
ノズル1から噴出された液体状のSn合金は、表面張力により球形の形状となり、ターゲット2となる。ノズル1からは、一定の時間間隔で一定の寸法のターゲット2が供給されるように、加圧する圧力、ノズル1の直径などが設定されている。ターゲット2は、1パルスのレーザ照射でちょうどプラズマ化されて消費されるターゲットの量に一致するようにすることが好ましい。ターゲットが大き過ぎると、プラズマ化されなかった残りがdebrisの原因となるので好ましくない。逆にターゲットが小さすぎると変換効率が低下するので好ましくない。
真空チャンバー7にはレーザ光導入用のレーザ導入窓10が設けられており、真空チャンバー7の外に配置されたNd:YAGレーザ光源8から発生したレーザ光は、レンズ9で集光されて真空チャンバー7内へ導かれる。
各部品は、ターゲット2がレーザの集光点位置を通過するよう配置されており、ターゲット2がちょうど集光点位置に来たときにレーザパルスが照射されるように、ターゲット供給とレーザパルスは同期制御されている。すなわち、ターゲット2の位置は不図示のモニター機構により監視されており、ターゲット2が、レーザの集光点位置にきたときに、Nd:YAGレーザ光源8に発光のトリガーがかけられるようになっている。
レーザを照射されたターゲット2は、プラズマ化してEUV光を含む光を輻射する。集光ミラー11は、プラズマから発生したEUV光を集光して(不図示の)照明光学系へ導く。集光ミラー11は、回転楕円面形状の反射面を有し、反射面にはMo/Si多層膜がコーティングされている。そして、回転楕円面の一つの焦点位置が、レーザの集光点位置、すなわちEUV光の発生位置となっている。従って、集光ミラー11で反射された光は、他の焦点位置に集光され、その後、照明光学系へ導かれる。
ターゲット2の、プラズマ化されずに残った残留物は、ターゲット回収機構3で回収される。回収されたターゲット残留物はタンク4に戻され、再び加熱溶融されて再利用される。ターゲット回収機構3とタンク4の間には(不図示の)逆流防止機構が設けられており、タンク内の蒸気が真空チャンバー7内へ逆流するのを防いでいる。
図3では集光ミラー11で反射したEUV光がレーザ導入窓10等と干渉してしまうように見えるが、実際には図4に示すように、ターゲット2を供給するノズル1の中心軸と、レーザ光12の中心軸と、集光ミラー11で反射されたEUV光の主光線の軸とは互いに直交するように配置されており、EUV光がレーザ導入窓10等と干渉することはない。
図5は、本発明の実施の形態の第2の例である放電プラズマEUV光源の概要を示す図である。加熱されたタンク4内には、Sn合金が収納されている。タンク4でのSn合金の温度を均一にし、かつ組成を均一にするために、溶液攪拌機構5が設けられている。溶液攪拌機構5は、この例においては、液体中で羽根を回転させるものである。
タンク4は、加圧ポンプ6と配管で繋がれており、加圧ポンプで加圧された樹脂はノズル1へ導かれて、真空チャンバー7内に設けられたノズル1の先端から液体状の樹脂を噴出する。タンク4から加圧ポンプ6を経てノズル1に至るまでの間の配管類は、途中で樹脂が固化しないように全て加熱されている。ただし、Sn合金の融点が十分低い場合には、加熱機構は必ずしも必要ない。
ノズル1から噴出された液体は、表面張力により球形の形状となり、ターゲット2となる。ノズル1からは、一定の時間間隔で一定の寸法のターゲット2が供給されるように、加圧する圧力、ノズル1の直径などが設定されている。この実施の形態においても、ターゲット2は、1パルスのレーザ照射でちょうどプラズマ化されて消費されるターゲットの量に一致するようにすることが好ましい。ターゲットが大き過ぎると、プラズマ化されなかった残りがdebrisの原因となるので好ましくない。逆にターゲットが小さすぎると変換効率が低下するので好ましくない。
ノズル1から噴出されたターゲット2はZピンチ型放電プラズマ光源27の中の放電空間へ導かれる。Zピンチ型放電プラズマ光源27は、穴の開いた円盤状の電極(陽極)21と、同様の形状の電極(陰極)23と、両者をつなぐ筒状の絶縁体22から構成されており、電極(陽極)21と電極(陰極)23の間に高電圧パルスを印加すると、放電によりその間の空間にある物質をプラズマ化し、EUV光を含む光を輻射する。
各部品は、ターゲット2が放電空間を通過するよう配置されており、ターゲット2がちょうど放電空間の中心位置に来たときに高電圧パルスが印加されるように、ターゲット供給と高電圧パルスは同期制御されている。
ノズル1には不図示の加振機構が設けられており、ノズル1の液体噴出方向に振動を与えることにより液体状のSn合金の噴射のタイミングを制御することができる。上記の同期が取れるように、ノズル1への加振と高電圧電源へのトリガーが制御されている。
集光光学系26は、プラズマから発生したEUV光を集光して(不図示の)照明光学系へ導く。集光光学系26は、2枚の同心球面形状の反射面24、25から構成されるシュバルツシルド光学系であり、その反射面にはMo/Si多層膜がコーティングされている。
ターゲット2のプラズマ化されずに残った残留物は、ターゲット回収機構3で回収される。回収されたターゲット残留物はタンク4に戻され、再び加熱溶融されて再利用される。ターゲット回収機構3とタンク4の間には(不図示の)逆流防止機構が設けられており、タンク内の蒸気が真空チャンバー7内へ逆流するのを防いでいる。
ターゲット回収機構3と放電プラズマ光源27の位置関係は図6のようになっており、電極23の穴の中心軸と、ターゲット回収機構3の開口部の中心軸がほぼ一致するように配置されている。
ターゲット回収機構3は放電プラズマ光源27から発生したEUV光の一部を遮蔽する。集光光学系26に使用したシュバルツシルド光学系は中心遮蔽のある光学系なので、元々光軸付近の光線を集光することができない。本実施の形態では、ターゲット回収機構3を、できるだけシュバルツシルド光学系の中心遮蔽内に配置して、蹴られによるEUV光の損失を最小限に防いでいる。
集光光学系26としてシュバルツシルド光学系以外にヴォルター型光学系を使用することもできるが、この場合も中心遮蔽のある光学系なので、同様の配置にして蹴られによるEUV光の損失を最小限に抑えることができる。
本発明の実施の形態であるEUV露光装置の構成は、基本的には図8に示したものと変わらない。ただ、EUV光源として、第1の実施の形態に示したレーザプラズマEUV光源や、第2の実施の形態に示した放電プラズマEUV光源を使用することのみが異なってだけであるので、その説明を省略する。
以下、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施の形態の例を説明する。図7は、本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。この例の製造工程は以下の各主工程を含む。
(1)ウェハを製造するウェハ製造工程(又はウェハを準備するウェハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
(4)ウェハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
(5)できたチップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。
これらの主工程の中で、半導体のデバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウェハ上に順次積層し、メモリやMPUとして動作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシング工程は以下の各工程を含む。
(1)絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリング等を用いる)
(2)この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
(3)薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマスク(レチクル)を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
(4)レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(5)イオン・不純物注入拡散工程
(6)レジスト剥離工程
(7)さらに加工されたウェハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
本実施の形態である半導体デバイスの製造方法においては、リソグラフィー工程に本発明の実施の形態であるEUV露光装置を使用している。よって、微細な線幅のパターンの露光を行うことができると同時に、高スループットで露光を行うことができ、効率良く半導体デバイスを製造することができる。
(実施例1)
本実施例では、EUV露光装置の光源のターゲットに、Sn−Ga合金を用いた。合金組成は、Sn8at%、Ga92at%の組成を選択した。この組成は、図1に示すSn−Ga系状態図から分かる通り、Sn−Ga合金における共晶組成であり、その融点は20.5℃である。このターゲットは、室温(24℃)において液体であるので、液体タンクに入れて、光源チャンバー内でノズルから噴出させ、レーザーを照射してプラズマ化し、EUV光を発光させた。ターゲットはSnを含有するSn系ターゲットであり、高い変換効率を有する。また、ターゲットのうちSnの占める割合は8at%であるが、この量はEUV光への変換には十分な供給量である。また、残りのGaは、EUV光の発光及び伝搬には悪影響を与えなかった。本ターゲットを用いた場合の変換効率は、単体のSnを使用した場合と同程度が得られていることが分かった。
本ターゲットは液体であるから、使用済みターゲットは液体としてチャンバ内で容易に回収し、パイプを通して再利用できる。
また、debrisについては、プラズマ化時に、ターゲット飛散粒子(飛散液滴)が発生し、対向するミラー表面やその他の部材に付着してしまったが、液体であるので、ミラーには固着することはなく、メンテナンス時にそのまま容易に洗い流して除去できる。
上記工程では、本ターゲットの融点が20.5℃と低いことを利用しているので、特別な操作なしに液体ターゲットを使用したが、部材によっては冷却部位が近傍にあって、ターゲットの流路に20.5℃以下の部分が存在するときは、適宜弱いヒーターで23℃程度に温めてやることができる。ミラーに付着した場合も、融点よりわずか高い温度に温めてやれば、容易に融解する。この温度は高々25℃以下で処理できるから、多層膜にも、ミラー基板にも、何ら熱的ダメージを与えない。
(実施例2)
本実施例では、EUV露光装置の光源のターゲットに、Sn−Ga合金を用いた。合金組成は、Sn5at%、Ga95at%の組成を選択した。この組成は、図1に示すSn−Ga系状態図から分かる通り、融点は約25℃である。このターゲットは、室温(24℃)においては固液分離相であるが、30℃程度に温めればすべてが液体になるので、ターゲット貯蔵部に固体または温めた液体の状態で貯蔵し、そこから温めたパイプ内を液体状態で輸送し、光源チャンバー内で蒸気化させ、パルス状の高電圧を生成する電極近傍でプラズマ化し、EUV光を発光させた。ターゲットはSnを含有するSn系ターゲットであり、高い変換効率を有する。また、ターゲットのうちSnの占める割合は5at%であるが、この量はEUV光への変換には十分な供給量である。また、残りのGaは、EUV光の発光及び伝搬には悪影響を与えなかった。本ターゲットを用いた場合の変換効率は、単体のSnを使用した場合と同程度が得られていることが分かった。
使用済みターゲットは、回収部を温めておくことで液体としてチャンバー内で容易に回収し、温めたパイプを通して輸送して再利用できる。
また、debrisについては、プラズマ化時に、ターゲット飛散粒子(飛散液滴)が発生し、対向するミラー表面やその他の部材に付着してしまったが、メンテナンス時に、ミラーを30℃程度に温めてやることでdebrisはすべて液化し、そのまま容易に洗い流して除去できる。
上記工程では、本ターゲットを融解するためにヒーターによる加熱が必要であるが、その温度も高々30℃程度である。また、ミラーに付着したdebrisの除去にも30℃程度の融解温度があれば十分で、多層膜にも、ミラー基板にも、何ら熱的ダメージを与えない。
(実施例3)
本実施例では、EUV露光装置の光源のターゲットに、Sn−Ga合金を用いた。合金組成は、Sn12at%、Ga88at%の組成を選択した。この組成は、図1に示すSn−Ga系状態図から分かる通り、融点は約40℃である。このターゲットは、室温(24℃)においては固液分離相であるが、45℃程度に温めればすべてが液体になるので、ターゲット貯蔵部に固体または温めた液体の状態で貯蔵し、そこから温めたパイプ内を液体状態で輸送し、光源チャンバー内でノズルから噴出させ、レーザーを照射してプラズマ化し、EUV光を発光させた。ターゲットはSnを含有するSn系ターゲットであり、高い変換効率を有する。また、ターゲットのうちSnの占める割合は12at%であるが、この量はEUV光への変換には十分な供給量である。また、残りのGaは、EUV光の発光及び伝搬には悪影響を与えなかった。本ターゲットを用いた場合の変換効率は、単体のSnを使用した場合と同程度が得られていることが分かった。
使用済みターゲットは、回収部を温めておくことで液体としてチャンバー内で容易に回収し、温めたパイプを通して輸送して再利用できる。
また、debrisについては、プラズマ化時に、ターゲット飛散粒子(飛散液滴)が発生し、対向するミラー表面やその他の部材に付着してしまったが、メンテナンス時に、ミラーを45℃程度に温めてやることでdebrisはすべて液化し、そのまま容易に洗い流して除去できる。
上記工程では、本ターゲットを融解するためにヒーターによる加熱が必要であるが、その温度も高々45℃程度である。また、ミラーに付着したdebrisの除去にも45℃程度の融解温度があれば十分で、多層膜にも、ミラー基板にも、何ら熱的ダメージを与えない。
(実施例4)
本実施例では、EUV露光装置の光源のターゲットに、Sn−Ga−In合金を用いた。合金組成は、Sn13at%、Ga62at%、In25at%の組成を選択した。この組成は、Sn−Ga−In三元系合金における共晶組成であり、その融点は5℃である。このターゲットは、室温(24℃)において液体であるので、液体タンクに入れて、光源チャンバー内で蒸気化させ、パルス状の高電圧を生成する電極近傍でプラズマ化し、EUV光を発光させた。ターゲットはSnを含有するSn系ターゲットであり、高い変換効率を有する。また、ターゲットのうちSnの占める割合は13at%であるが、この量はEUV光への変換には十分な供給量である。また、残りのGa及びInは、EUV光の発光及び伝搬には悪影響を与えなかった。本ターゲットを用いた場合の変換効率は、単体のSnを使用した場合と同程度が得られていることが分かった。
本ターゲットは液体であるから、使用済みターゲットは液体としてチャンバー内で容易に回収し、パイプを通して再利用できる。
また、debrisについては、プラズマ化時に、ターゲット飛散粒子(飛散液滴)が発生し、対向するミラー表面やその他の部材に付着してしまったが、液体であるので、ミラーには固着することはなく、メンテナンス時にそのまま容易に洗い流して除去できる。
上記工程では、本ターゲットの融点が5℃と低いことを利用しているので、特別な操作なしに液体ターゲットを使用したが、部材によっては冷却部位が近傍にあって、ターゲットの流路に5℃以下の部分が存在するときは、適宜弱いヒーターで10℃程度に温めてやることができる。ミラーに付着した場合も、通常の使用であれば液体であるから、ミラー基板にも、何ら熱的ダメージを与えない。
その他の合金に関する考察
低融点のSn合金を作るための相手の金属は、融点が低ければ良いというものでもない。図2に例としてSn−Hg(錫−水銀)系合金の状態図を示すが、HgはGaより融点が低いにもかかわらず(Gaの融点は29.8℃、Hgの融点は−39℃)、Snの含有量が1〜2at%付近で急激に液相線が立ち上がり、Snが約20at%の組成で融点(完全に融解しきる温度)は90℃以上まで上がってしまう。−34.6℃〜液相線までの温度では、ほとんどHgである液相と、ほとんどSnである固溶体(ε相、δ相、γ相)との固液分離領域である。これがすべて融解しきるには液相線以上の温度が必要である。図1と図2を重ねれば、Snが約2〜30at%の組成範囲では、Sn−Ga状態図の液相線の方が、Sn−Hg状態図の液相線よりも下であることがわかる。従って、Sn−Hg合金も低融点合金の候補とはなるが、50℃以下で完全に融解する領域は、Snで約3〜4%以下と狭い。また、Hgを含有しているので、その取り扱いには大変な注意が必要である。
参考までに、Hg以外の物質について列挙すると下記のようになる。
(1)共晶系で、共晶温度が200℃未満のもの
・Sn−In系(錫−インジウム):全体的には共晶系で、最も低い融点は共晶点で約120℃(Sn約48at%)。なお、Inの融点は157℃。
・Sn−Bi系(錫−ビスマス):単純な共晶系で、最も低い融点は共晶点で139℃(Sn57at%)。なお、Biの融点は271℃。
・Sn−Tl系(錫−タリウム):Sn側は共晶系で、最も低い融点は共晶点で170℃(Sn約68at%)。なお、Tlの融点は303℃。
・Sn−Cd系(錫−カドミウム):共晶系で、最も低い融点は共晶点で177℃(Sn約65at%)。なお、Cdの融点は321℃。
・Sn−Pb系(錫−鉛):単純な共晶系で、最も低い融点は共晶点で183℃(Sn約74at%)。いわゆるハンダ。なお、Pbの融点は328℃。
・Sn−Zn系(錫−亜鉛):単純な共晶系で、最も低い融点は共晶点で198℃(Sn85at%)。なお、Znの融点は420℃。
(2)金属間化合物が高融点のもの
・Sn−Na系(錫−ナトリウム):Snの融点が232℃、Naの融点が97℃であるが、合金の融点は最高で578℃にもなる。Sn付近は共晶系で、この近傍の最も低い融点は共晶点で約215℃(Sn約95at%)。Na付近は、Sn混入とともに急激に融点が上昇し、わずかSn1at%程度で融点は200℃に達する。従って、最も低い融点は、ほぼ100%NaでSnがほとんど含有されない合金で約97℃程度である。
(3)共晶温度が最も低い融点だが、Sn100%近傍の領域のみ共晶系で、融点低下がわずかのもの
・Sn−Mg系(錫−マグネシウム):MgSn(金属間化合物)と共晶系。最も低い融点は共晶点で200℃(Sn約93at%)。なお、Mgの融点は650℃。
・Sn−Au系(錫−金):Sn付近のみ共晶系のため、最も低い融点は共晶点だが、217℃(Sn約91at%)で、Snの融点に近い。なお、Auの融点は1063℃。
・Sn−Ag系(錫−銀):Sn付近のみ共晶系のため、最も低い融点は共晶点だが、221℃(Sn約95at%)で、Snの融点に近い。なお、Agの融点は962℃。
・Sn−Cu系(錫−銅):Sn付近のみ共晶系のため、最も低い融点は共晶点だが、227℃(Sn約99at%)で、Snの融点に近い。なお、Cuの融点は1083℃。
・Sn−Al系(錫−アルミニウム):単純な共晶系だが、共晶点がかなりSn寄りにあるため、最も低い融点は共晶点だが228℃(Sn約98at%)で、ほとんどSnの融点と同じである。なお、Alの融点は660℃。
・Sn−Pt系(錫−白金):Sn付近のみ共晶系のため、最も低い融点は共晶点だが、228℃(Sn約98at%)で、ほとんどSnの融点と同じである。なお、Ptの融点は1769℃。
・Sn−Co系(錫−コバルト):Sn付近のみ共晶系のため、最も低い融点は共晶点だが、229℃(Sn約99at%)で、Snの融点に近い。なお、Coの融点は1495℃。
・Sn−Y系(錫−イットリウム):Sn付近のみ共晶系のため、最も低い融点は共晶点だが、229℃(Sn約99at%)で、Snの融点に近い。なお、Yの融点は1522℃。
・Sn−Te系(錫−テルル):金属間化合物SnTeと共晶系をなすが、共晶点がほとんどSnと同じで、最も低い融点は232℃(Sn99at%)である。なお、Teの融点は450℃。
・Sn−Ge系(錫−ゲルマニウム):共晶系だが共晶点がほとんどSnと同じで、最も低い融点は232℃(Sn99.7at%)である。なお、Geの融点は938℃。
(4)包晶系など、相手方の混入により融点は上昇するもの(最低融点がSnの融点であるもの)
Sn−As系(錫−ヒ素)Sn−Fe系(錫−鉄)
Sn−Ge系(錫−ゲルマニウム)Sn−Mn系(錫−マンガン)
Sn−Nb系(錫−ニオブ)Sn−Ni系(錫−ニッケル)
Sn−Pd系(錫−パラジウム)Sn−Sb系(錫−アンチモン)
Sn−Se系(錫−セレン)、
上記のリストすべてのうち、(3)(4)は実用的には不適合である(融点がSnより高いか、またはほとんどSnと変わらない)。(2)はNaリッチ領域で融点は低いがほとんどSnを含有できない。(1)が最も実用的な合金の組であるが、その中で最も低い融点を与えるIn(インジウム)でも120℃(共晶点)であるから、ターゲットの連続供給やdebris除去の手段として加熱をするなら120℃以上にしなければならない。それらから比べると、Sn−Ga系の共晶点20.5℃は、EUV光源のターゲットとして適していることが分かる。
Sn−Ga合金系の状態図である。 Sn−Hg系合金の状態図である。 本発明の実施の形態の第1の例であるレーザプラズマEUV光源の概要を示す図である。 図3に示した本発明の実施の形態におけるターゲットを供給するノズルのと、レーザ光と、集光ミラーの配置の関係を示す図である。 本発明の実施の形態の第2の例である放電プラズマEUV光源の概要を示す図である。 図5に示した本発明の実施の形態におけるターゲット回収機構と放電プラズマ光源の位置関係を示す図である。 本発明の半導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。 EUV露光装置の概要を示す図である。
符号の説明
1…ノズル、2…ターゲット、3…ターゲット回収機構、4…タンク、5…溶液攪拌機構、6…加圧ポンプ、7…真空チャンバー、8…YAGレーザ光源、9…レンズ、10…レーザ導入窓、11…集光ミラー、12…レーザ光、21…電極、22…絶縁体、23…電極、24,25…反射面、26…集光光学系

Claims (7)

  1. 滴状の液体のターゲット物質をプラズマ化し、その際に放出されるEUV光を光源とするEUV光源であって、前記ターゲットが、Snの原子数%が15%以下のSn−Ga(錫−ガリウム)系合金であることを特徴とするEUV光源。
  2. 前記ターゲットのSnの原子数%が、8%以下であることを特徴とする請求項1に記載のEUV光源。
  3. 前記ターゲットのSnの原子数%が、8%の共晶組成比であることを特徴とする請求項2に記載のEUV光源。
  4. 滴状の液体のターゲット物質をプラズマ化し、その際に放出されるEUV光を光源とするEUV光源であって、前記ターゲットが、Snが15原子数%以下、Gaが55〜70原子数%、Inが20〜30原子数%で、Snの原子数%、Gaの原子数%、Inの原子数%と、不純物の原子数%の和が100%であるSn−Ga−In(錫−ガリウム−インジウム)三元系合金であることを特徴とするEUV光源。
  5. 前記ターゲットが、Ga:62原子数%、Sn:13原子数%、残部がInと不純物からなる共晶組成比であるSn−Ga−In(錫−ガリウム−インジウム)三元系合金であることを特徴とする請求項4に記載のEUV光源。
  6. EUV光源からのEUV光を、照明光学系を介してマスクに照射し、マスクに形成されたパターンを、投影光学系によりウエハ等の感応基板に露光転写するEUV露光装置であって、前記EUV光源が、請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載のEUV光源であることを特徴とするEUV露光装置。
  7. 請求項6に記載のEUV露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンをウエハ等の感応基板に露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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EP05755680A EP1775755B1 (en) 2004-06-24 2005-06-22 Euv light source, euv exposure system, and production method for semiconductor device
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5156193B2 (ja) * 2006-02-01 2013-03-06 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP2008053696A (ja) * 2006-07-28 2008-03-06 Ushio Inc 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法
JP5149520B2 (ja) * 2007-03-08 2013-02-20 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US20080239262A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asml Netherlands B.V. Radiation source for generating electromagnetic radiation and method for generating electromagnetic radiation
JP5098019B2 (ja) * 2007-04-27 2012-12-12 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP5386799B2 (ja) 2007-07-06 2014-01-15 株式会社ニコン Euv光源、euv露光装置、euv光放射方法、euv露光方法および電子デバイスの製造方法
US8493548B2 (en) * 2007-08-06 2013-07-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090095924A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 International Business Machines Corporation Electrode design for euv discharge plasma source
NL1036614A1 (nl) * 2008-03-21 2009-09-22 Asml Netherlands Bv A target material, a source, an EUV lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same.
TWI585298B (zh) 2008-04-04 2017-06-01 布魯克機械公司 利用錫銻合金的低溫泵及其使用方法
WO2010007569A1 (en) * 2008-07-18 2010-01-21 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Extreme uv radiation generating device comprising a contamination captor
EP2170021B1 (en) 2008-09-25 2015-11-04 ASML Netherlands B.V. Source module, radiation source and lithographic apparatus
JP5426317B2 (ja) 2008-10-23 2014-02-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
JP2010110790A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Miyachi Technos Corp ヒュージング方法
JP5574470B2 (ja) * 2009-06-12 2014-08-20 国立大学法人 宮崎大学 極端紫外光源および極端紫外光発生方法
US9265136B2 (en) 2010-02-19 2016-02-16 Gigaphoton Inc. System and method for generating extreme ultraviolet light
US9113540B2 (en) 2010-02-19 2015-08-18 Gigaphoton Inc. System and method for generating extreme ultraviolet light
EP2742780B1 (en) * 2011-08-12 2017-03-15 ASML Netherlands BV Radiation source
JP5563012B2 (ja) * 2012-04-18 2014-07-30 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
CN103042221B (zh) * 2012-12-14 2015-04-15 华中科技大学 一种用于极紫外光源的高熔点材料液滴靶产生装置
DE102013212779A1 (de) * 2013-07-01 2014-07-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
TWI527085B (zh) * 2013-08-27 2016-03-21 Toshiba Kk Inspection device and inspection method
US9744642B2 (en) * 2013-10-29 2017-08-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station
CN103874312B (zh) * 2014-03-24 2016-06-29 西安交通大学 一种面向z箍缩的壳层等离子体柱产生方法及其装置
DE102014006063A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Microliquids GmbH Strahlerzeugungsvorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Flüssigkeitsstrahls
KR102269695B1 (ko) 2015-03-19 2021-06-25 삼성전자주식회사 극자외선 광 생성 장치
CN107056271B (zh) * 2017-06-15 2020-02-04 内蒙古大学 一种GaFeO3陶瓷靶材及纳米薄膜的制备方法
JP7225224B2 (ja) * 2017-10-26 2023-02-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. プラズマをモニタするためのシステム
US10631392B2 (en) 2018-04-30 2020-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV collector contamination prevention
KR20210023535A (ko) 2019-08-23 2021-03-04 삼성전자주식회사 타겟 잔해물 수집 장치 및 이를 포함하는 극자외선 광원 장치
CN111703899A (zh) * 2020-08-12 2020-09-25 江西铭德半导体科技有限公司 一种用于激光器芯片挑晶的治具

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3777208A (en) * 1968-07-05 1973-12-04 Chevron Res Method and apparatus for producing radiation
JPH0770650B2 (ja) * 1986-10-20 1995-07-31 富士通株式会社 半導体装置の冷却方法
US5243638A (en) * 1992-03-10 1993-09-07 Hui Wang Apparatus and method for generating a plasma x-ray source
US5956192A (en) * 1997-09-18 1999-09-21 Svg Lithography Systems, Inc. Four mirror EUV projection optics
US6134049A (en) * 1998-09-25 2000-10-17 The Regents Of The University Of California Method to adjust multilayer film stress induced deformation of optics
WO2000019496A1 (fr) 1998-09-28 2000-04-06 Hitachi, Ltd. Generateur au plasma laser de rayons x, dispositif d'alignement de semiconducteurs possedant ce generateur et procede d'exposition de semiconducteurs
JP2001023795A (ja) 1999-07-05 2001-01-26 Toyota Macs Inc X線発生装置
US6831963B2 (en) * 2000-10-20 2004-12-14 University Of Central Florida EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions
JP2003513418A (ja) 1999-10-27 2003-04-08 ジェイ エム エー アール リサーチ、インク マイクロターゲットを用いた方法及びラジエーション生成システム
DE19955392A1 (de) * 1999-11-18 2001-05-23 Philips Corp Intellectual Pty Monochromatische Röntgenstrahlenquelle
EP1305984B1 (en) * 2000-07-28 2010-11-24 Jettec AB Method and apparatus for generating x-ray radiation
US20020171922A1 (en) * 2000-10-20 2002-11-21 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same
US7491954B2 (en) * 2006-10-13 2009-02-17 Cymer, Inc. Drive laser delivery systems for EUV light source
JP4995379B2 (ja) 2001-06-18 2012-08-08 ギガフォトン株式会社 光源装置及びそれを用いた露光装置
JP3790814B2 (ja) * 2001-10-25 2006-06-28 独立行政法人産業技術総合研究所 X線照射装置における飛散物除去方法及び装置
US7671349B2 (en) * 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
JP3759066B2 (ja) * 2002-04-11 2006-03-22 孝晏 望月 レーザプラズマ発生方法およびその装置
DE10219173A1 (de) 2002-04-30 2003-11-20 Philips Intellectual Property Verfahren zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolett-Strahlung
JP4264505B2 (ja) 2003-03-24 2009-05-20 独立行政法人産業技術総合研究所 レーザープラズマ発生方法及び装置

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