JP5098019B2 - 極端紫外光源装置 - Google Patents
極端紫外光源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5098019B2 JP5098019B2 JP2007119110A JP2007119110A JP5098019B2 JP 5098019 B2 JP5098019 B2 JP 5098019B2 JP 2007119110 A JP2007119110 A JP 2007119110A JP 2007119110 A JP2007119110 A JP 2007119110A JP 5098019 B2 JP5098019 B2 JP 5098019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- debris
- chamber
- laser
- optical element
- collector mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 142
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 101
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 48
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 64
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- -1 mohair Polymers 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Inorganic materials [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M thallium(i) bromide Chemical compound [Tl]Br PGAPATLGJSQQBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 210000000050 mohair Anatomy 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical compound BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマから極端紫外光と共に放出された飛散物を、チャンバ内の光学素子から除去する極端紫外光源装置の光学素子洗浄方法において、
ターゲットを固体の錫とし且つこの固体の錫の励起源をCO2レーザにすることによって、プラズマから放出される飛散物の大きさをナノサイズ以下にし、
光学素子に付着するナノサイズ以下の飛散物に、当該飛散物の付着力を断ち切る作用を付与すること
を特徴とする。
チャンバ内のターゲットをレーザビームで励起することによって生成されるプラズマから極端紫外光と共に放出された飛散物を、チャンバ内の光学素子から除去する極端紫外光源装置の光学素子洗浄装置において、
ターゲットを固体の錫とし、
固体の錫の励起源をCO2レーザとし、
固体の錫をCO2レーザで励起することによって生成されるプラズマから放出されて光学素子に付着したナノサイズの飛散物に、当該飛散物の付着力を断ち切る作用を付与する洗浄手段を備えたこと
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子に付着したナノサイズの飛散物を払拭する払拭手段を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子に付着したナノサイズの飛散物をスパッタリングによって除去するスパッタリング手段を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子に付着したナノサイズの飛散物にレーザ光を照射して、当該飛散物をレーザ光の照射により発生する熱衝撃波で光学素子から離脱させるレーザ光照射手段を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子に付着したナノサイズの飛散物に水分を供給する水分供給手段と、
水分を含んだ飛散物にレーザ光を照射して、当該飛散物を水分と共に蒸発させるレーザ光照射手段と、を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子に付着したナノサイズの飛散物に不活性ガスを噴射して、当該飛散物を不活性ガスの噴射圧で光学素子から剥離させるガス噴射手段を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子に付着したナノサイズの飛散物に粒子を噴射して、当該飛散物を粒子の噴射圧で光学素子から剥離させる粒子噴射手段を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
前記チャンバ内に液体を満たし、光学素子に付着したナノサイズの飛散物を液体によって除去する液体充満手段を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子に付着したナノサイズの飛散物に液体を噴射して、当該飛散物を液体の噴射圧又は洗浄力で光学素子から剥離させる液体噴射手段を有すること
を特徴とする。
前記洗浄手段は、
光学素子を振動して、光学素子に付着したナノサイズの飛散物を光学素子から離脱させる振動手段を有すること
を特徴とする。
前記光学素子は、
他の光学素子を覆うようにして当該他の光学素子とプラズマ発生領域との間に設けられ、当該他の光学素子に飛散物が付着することを防止する透過性の防護板を含むことを
特徴とする。さらに、付記的事項として、本願明細書には、チャンバ内の錫ターゲットを前記チャンバに設けられた光学素子の窓からCO2レーザービームで励起する極端紫外光源装置であって、
前記CO2レーザービームが前記錫ターゲットを励起するプラズマ発生領域と前記窓を有する側の前記チャンバの内壁との間に設けられた前記CO2レーザービームを透過するデブリ防護光学素子と、
前記デブリ防護光学素子の第1の領域は、前記窓と前記プラズマ発生領域との空間に位置し、前記デブリ防護光学素子の第2の領域は、前記チャンバの内壁と前記プラズマ発生領域との空間に位置し、
前記第2の領域を囲う洗浄室と、
前記デブリ防護光学素子の第1の領域を第2の領域を交代させる駆動手段と
前記洗浄室内であって、前記デブリ防護光学素子の第2の領域に接するブラシを有すること特徴とする発明を含む。さらに、本願明細書には、前記ブラシを前記デブリ防護光学素子との化学反応が許容できる程度まで希釈された洗浄液に浸潤させる手段を有することを特徴とする発明を含む。さらに本願明細書には、前記デブリ防護光学素子は回転軸を有し、この回転軸が前記駆動手段と連結していることを特徴とする発明を含む。
本発明の各実施形態を説明する前に、本発明に係るEUV光源装置の基本的な構成について、図1を参照して説明する。なお、後述する全ての実施形態は、図1を用いて説明する構成を有するものとする。
この装置は、プレート状の錫1′と、錫1′の表面に対する鉛直方向に配置されたTEA−CO2レーザ13′と、錫1′の表面に対する鉛直方向から約30度傾いた方向であって錫から約120mmだけ離間した位置に配置された分析用のMo/Siサンプルミラー15′とを備える。本発明者らは、TEA−CO2レーザ13′のエネルギーを約15〜25mJ程度、パルス時間半値幅10ns、集光スポットサイズ約100μm程度において、EUV発光が十分可能な条件のレーザビームを15万ショット以上照射して、Mo/Siサンプルミラー15′に付着したデブリを観察した。
図3からは、Mo/Siサンプルミラー15′の表面に金属膜が形成されていることを確認できる。しかしながら、図3からは、Mo/Siサンプルミラー15′の表面に粒子が付着していることは確認できない。一方、真空蒸着によってサンプル表面にマイクロサイズの錫を付着させた場合は、図4に示すように、サンプル表面にマイクロサイズの粒子が付着していることを確認できる。これらの結果から、Mo/Siサンプルミラー15′の表面に形成される金属膜は、マイクロサイズより小さいサブナノ〜ナノサイズ程度の粒子によって構成されていると推測される。すなわち、固体の錫をCO2レーザで励起した場合に、プラズマから放出されるデブリの多くはサブナノ〜ナノサイズ程度であると推測される。
本実施形態では、導入窓18の出力側表面を払拭することによって導入窓18に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、導入窓18の出力側に設けられたデブリ防護板46の表面を払拭することによってデブリ防護板46(材質はZnSe、BaF2、NaCl、Si、Ge、CsI、KRS−5のいずれか)に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、プラズマにバイアスをかけるスパッタリング(プラズマエッチング)によってEUVコレクタミラー15の反射面に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、イオンを加速するスパッタリング(イオンミリング)によってEUVコレクタミラー15の反射面に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、パルスレーザ光の照射に応じて発生する熱衝撃波によって導入窓18及びレーザ集光光学系14に付着するナノサイズのデブリの付着力(van der Waals 力など)を断ち切っている。
本実施形態では、水分の蒸発に伴い発生する力によってレーザ集光光学系14に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、EUVコレクタミラー15の反射面にガスを噴射することによってEUVコレクタミラー15に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、EUVコレクタミラー15の反射面に粒子を噴射することによってEUVコレクタミラー15に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、真空チャンバ10内に洗浄液を充満させることによって真空チャンバ10内のあらゆる光学素子に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、EUVコレクタミラー15の反射面に洗浄液を噴射することによってEUVコレクタミラー15に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
本実施形態では、超音波振動によってEUVコレクトミラー15に付着するナノサイズのデブリの付着力を断ち切っている。
10…真空チャンバ、11…ターゲット位置検出器、13…CO2レーザ、
14…レーザ集光光学系、15…EUVコレクタミラー、
18…導入窓、24…EUV光パワー検出器
Claims (4)
- チャンバ内の錫ターゲットを前記チャンバに設けられた光学素子の窓からCO2レーザービームで励起し、発生した光をコレクタミラーで反射集光する極端紫外光源装置であって、
前記チャンバ内にエッチャントガスを供給するガス供給手段と、
前記コレクタミラーの裏面に接続されたカソードと
前記CO2レーザービームが前記錫ターゲットを励起するプラズマ発生領域を挟んで前記コレクターミラーに対抗する位置に設けられたグリッド形状のアノードと、
前記カソードと前記アノード間に接続される電源を有することを特徴とする極端紫外光源装置。 - 前記ガス供給手段が、前記コレクタミラーとの化学反応が許容できる程度まで希釈された化学的反応ガス種を加える手段を有することを特徴とする請求項1記載の極端紫外光源装置
- チャンバ内の錫ターゲットを前記チャンバに設けられた光学素子の窓からCO2レーザー装置から出射するレーザビームで励起する極端紫外光源装置であって、
パルスレーザー装置であって、前記チャンバ内の光学素子に付着したデブリにパルスレーザービームを照射して、前記デブリを前記パルスレーザービームの照射により発生する熱衝撃波で前記光学素子から離脱させるパルスレーザー装置と、
前記CO2レーザー装置と前記窓との間に、前記パルスレーザー装置から出射されるパルスレーザービームと、前記CO2レーザー装置から出射されるレーザービームを併合するように配置されたビームコンバイナを有することを特徴とする極端紫外光源装置。 - チャンバ内の錫ターゲットを前記チャンバに設けられた光学素子の窓からCO2レーザービームで励起する極端紫外光源装置であって、
前記チャンバの内壁の最上部に設けられた第1の開口部と、
前記開口部に接続され、前記チャンバの外部に設けられた洗浄液供給手段と、
前記チャンバの内壁の最下部に設けられた第2の開口部と、
前記第2の開口部を開閉するバルブを有することを特徴とする極端紫外光源装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007119110A JP5098019B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 極端紫外光源装置 |
US12/148,969 US8256441B2 (en) | 2007-04-27 | 2008-04-24 | Method for cleaning optical element of EUV light source device and optical element cleaning device |
US13/567,656 US20120298134A1 (en) | 2007-04-27 | 2012-08-06 | Method for cleaning optical element of euv light source device and optical element cleaning device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007119110A JP5098019B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 極端紫外光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277529A JP2008277529A (ja) | 2008-11-13 |
JP5098019B2 true JP5098019B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=40055144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007119110A Active JP5098019B2 (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 極端紫外光源装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8256441B2 (ja) |
JP (1) | JP5098019B2 (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7541121B2 (en) * | 2004-10-13 | 2009-06-02 | Infineon Technologies Ag | Calibration of optical line shortening measurements |
WO2007121142A2 (en) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | The Regents Of The University Of California | Improved light source employing laser-produced plasma |
JP5086664B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-11-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
WO2009140270A2 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | The Regents Of The University Of California | System and method for light source employing laser-produced plasma |
JP2009295800A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Komatsu Ltd | Euv光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法および装置 |
EP2157584A3 (en) * | 2008-08-14 | 2011-07-13 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20100192973A1 (en) * | 2009-01-19 | 2010-08-05 | Yoshifumi Ueno | Extreme ultraviolet light source apparatus and cleaning method |
JP5559562B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-07-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
JP5603135B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2014-10-08 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置におけるターゲット軌道を計測及び制御する装置及び方法 |
JP2011023712A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
NL2004706A (nl) * | 2009-07-22 | 2011-01-25 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
WO2011018295A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Euv radiation system and lithographic apparatus |
JP5381607B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2014-01-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 極端紫外光利用装置 |
JP5758153B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2015-08-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源装置、リソグラフィ装置、放射発生および送出方法、およびデバイス製造方法 |
JP2011222958A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-11-04 | Komatsu Ltd | ミラーおよび極端紫外光生成装置 |
EP2556729A1 (en) * | 2010-04-08 | 2013-02-13 | ASML Netherlands BV | Euv radiation source and euv radiation generation method |
KR101135499B1 (ko) * | 2010-05-28 | 2012-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전지용 전극 탭의 레이저 세정 장치 및 이를 이용한 레이저 세정 방법 |
US8633459B2 (en) * | 2011-03-02 | 2014-01-21 | Cymer, Llc | Systems and methods for optics cleaning in an EUV light source |
US8604452B2 (en) | 2011-03-17 | 2013-12-10 | Cymer, Llc | Drive laser delivery systems for EUV light source |
JP5815967B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び真空処理システム |
US8734586B2 (en) | 2012-02-02 | 2014-05-27 | Sematech, Inc. | Process for cleaning shield surfaces in deposition systems |
US8734907B2 (en) | 2012-02-02 | 2014-05-27 | Sematech, Inc. | Coating of shield surfaces in deposition systems |
US9073098B2 (en) * | 2012-05-16 | 2015-07-07 | Asml Netherlands B.V. | Light collector mirror cleaning |
JP6084290B2 (ja) * | 2012-08-13 | 2017-02-22 | トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | 光学アッセンブリ、光学モジュール及びハウジング内で光学モジュールを正しい位置に位置決めする方法 |
DE102012217120A1 (de) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | EUV-Strahlungserzeugungsvorrichtung und Betriebsverfahren dafür |
CN103100539B (zh) * | 2013-01-31 | 2015-04-15 | 东南大学 | 对光学元件表面污染物进行清理的装置和方法 |
DE102013219585A1 (de) * | 2013-09-27 | 2015-04-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung, insbesondere Plasma-Lichtquelle oder EUV-Lithographieanlage |
US20160062251A1 (en) * | 2014-08-27 | 2016-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning apparatus of optical apparatus, optical apparatus, and exposure apparatus |
US10101664B2 (en) * | 2014-11-01 | 2018-10-16 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for optics protection from debris in plasma-based light source |
WO2016135932A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びターゲット回収器 |
CN104907287B (zh) * | 2015-04-29 | 2016-12-07 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种光学元件表面碳污染清洗方法及装置 |
US9888554B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-02-06 | Asml Netherlands B.V. | System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector |
JP6810797B2 (ja) * | 2017-05-15 | 2021-01-06 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
RU2670273C2 (ru) * | 2017-11-24 | 2018-10-22 | Общество с ограниченной ответственностью "РнД-ИСАН" | Устройство и способ для генерации излучения из лазерной плазмы |
US10719020B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Droplet generator and method of servicing extreme ultraviolet radiation source apparatus |
US11262659B2 (en) * | 2018-08-31 | 2022-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of cleaning extreme ultraviolet lithography collector |
US11774856B2 (en) * | 2020-06-12 | 2023-10-03 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Extreme ultraviolet light source device |
DE102021202648A1 (de) | 2021-03-18 | 2022-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche, Reinigungsvorrichtung und optische Anordnung |
US11815821B2 (en) * | 2021-03-19 | 2023-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Module vessel with scrubber gutters sized to prevent overflow |
KR20220132731A (ko) | 2021-03-23 | 2022-10-04 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광원 시스템의 컬렉터 세정 방법 |
US11543757B2 (en) * | 2021-04-20 | 2023-01-03 | Kla Corporation | System and method for optical-path coupling of light for in-situ photochemical cleaning in projection imaging systems |
DE102021207365B4 (de) | 2021-07-12 | 2024-02-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen von einem Bauteil für die Halbleiterfertigung |
CN114397799B (zh) * | 2022-01-21 | 2024-10-01 | 张玥 | 一种用于光刻机的euv辐射源产生装置 |
US12019378B2 (en) * | 2022-05-23 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of cleaning a lithography system |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064864A (ja) * | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 洗浄装置 |
US6200674B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-03-13 | Nanogram Corporation | Tin oxide particles |
JP3644246B2 (ja) * | 1998-04-10 | 2005-04-27 | 三菱電機株式会社 | X線露光方法 |
US6377651B1 (en) * | 1999-10-11 | 2002-04-23 | University Of Central Florida | Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target |
JP2001133597A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Toyota Macs Inc | X線装置 |
JP2002214400A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Toyota Macs Inc | レーザープラズマeuv光源装置及びそれに用いられるターゲット |
US7491954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
DE10205189B4 (de) * | 2002-02-06 | 2012-06-28 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung auf Basis eines strahlungsemittierenden Plasmas |
KR100737759B1 (ko) * | 2002-12-20 | 2007-07-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법, 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 및 세정장치 |
JP2004214013A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toyota Macs Inc | 軟x線光源装置 |
JP2004213993A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Toyota Macs Inc | 軟x線光源装置 |
US7217940B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Collector for EUV light source |
JP4613167B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2011-01-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つの光学要素を洗浄する方法および装置 |
JP2005072404A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
JP4325622B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4564742B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005197081A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Komatsu Ltd | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
JP2005235959A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Canon Inc | 光発生装置及び露光装置 |
US8075732B2 (en) * | 2004-11-01 | 2011-12-13 | Cymer, Inc. | EUV collector debris management |
JP4337648B2 (ja) * | 2004-06-24 | 2009-09-30 | 株式会社ニコン | Euv光源、euv露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
US7109503B1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-09-19 | Cymer, Inc. | Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris |
US7482609B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-01-27 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
US7141806B1 (en) * | 2005-06-27 | 2006-11-28 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
JP2007013054A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Nikon Corp | 投影露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2007119110A (ja) | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Fuji Xerox Co Ltd | シート搬送装置および画像形成装置 |
JP5011709B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-08-29 | 日産自動車株式会社 | 燃料電池システム及び燃料電池システムの水素漏れ検知方法 |
JP4850558B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 光源装置、及びそれを用いた露光装置、デバイス製造方法 |
JP2007281320A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | Nikon Corp | 光学素子の汚れ除去方法及び露光装置 |
JP5075389B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
JP5358060B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2013-12-04 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
-
2007
- 2007-04-27 JP JP2007119110A patent/JP5098019B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-24 US US12/148,969 patent/US8256441B2/en active Active
-
2012
- 2012-08-06 US US13/567,656 patent/US20120298134A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120298134A1 (en) | 2012-11-29 |
JP2008277529A (ja) | 2008-11-13 |
US20100025231A1 (en) | 2010-02-04 |
US8256441B2 (en) | 2012-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5098019B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
US8530870B2 (en) | Extreme ultraviolet light source apparatus | |
JP5335269B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP5593554B2 (ja) | 極紫外線光源 | |
JP5133740B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP6860185B2 (ja) | 高輝度lpp線源および放射線の発生方法並びにデブリの軽減方法 | |
JP5277496B2 (ja) | 極端紫外光源装置および極端紫外光源装置の光学素子汚染防止装置 | |
US8445877B2 (en) | Extreme ultraviolet light source apparatus and target supply device | |
KR101095394B1 (ko) | 하나 이상의 광학 컴포넌트를 클리닝하기 위한 방법 및장치 | |
TWI535338B (zh) | 用以產生極紫外(euv)光之裝置 | |
US8017924B2 (en) | Drive laser delivery systems for EUV light source | |
US20220197160A1 (en) | Radiation source for lithography process | |
JP5006977B2 (ja) | Euv光源用コレクタ | |
JP2007134166A (ja) | 極端紫外光光源装置 | |
JP5588032B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP2004340761A (ja) | 極端紫外光発生装置 | |
JP4973425B2 (ja) | 極端紫外光光源装置における集光光学手段のクリーニング方法及び極端紫外光光源装置 | |
JP2009026935A (ja) | 集光反射鏡の前処理およびクリーニング方法並びに集光反射鏡を備えた極端紫外光光源装置 | |
JP5425265B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP2007214253A (ja) | 極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置における集光光学手段の保護方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120515 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120612 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5098019 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |