JP2001311799A

JP2001311799A - 平版投影装置用の照射源

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Publication number: JP2001311799A
Application number: JP2000404229A
Authority: JP
Inventors: Henryk Fiedorowicz; ヘンリク、フィードロウィクズ; Frederik Bijkerk; フレデリク、ビユケルク; Bruijn Cornelis C De; コルネラ、デブルイユンコルネリス; Andrzej Bartnik; アンドルゼユ、バルトニク; Konstantin Nikolaevit Koshelev; ニコラエビッチ、コシェレブコンスタンチン; Vadim Yevgenyevich Banine; イエブゲニエビッチ、バニネバディム
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 1999-12-17
Filing date: 2000-12-14
Publication date: 2001-11-09
Anticipated expiration: 2020-12-14
Also published as: JP2007329484A; JP3992432B2; JP4195071B2; US6469310B1

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】平板投影装置用の照射源として使用しうるＥ
ＵＶ放射線を放射する改良されたプラズマ源を提供す
る。【解決手段】平板投影装置の照射系の照射源２２０は
放電がピンチ容積２２９内へ崩壊するように間に放電を
生じさせる電極２２１，２２２を含む。崩壊する放電は
ピンチ容積において強くイオン化された、高温のプラズ
マを生じさせる。供給源２２７の作業流体が噴射ノズル
からピンチ容積内へ放出され、それにより高温状態まで
昇温され、遠紫外線ＰＢを放射する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は照射源、特に平板投
影装置用の照射源として使用しうるＥＵＶ放射線を放射
する放電プラズマ源であって、遠紫外線を発生させるよ
うに構成配置された照射源と、前記遠紫外線を受取り、
該遠紫外線の投影ビームを供給するように構成配置され
た照射系と、所望のパターンに従い投影ビームをパター
ン化するように構成配置されたパターン化手段と、基板
を保持するように構成された基板テーブルと、パターン
化されたビームを前記基板の目標部分上に像形成するよ
うに構成配置された投影系とを含むことを特徴とする照
射源に関する。

【０００２】

【従来の技術】「パターン化手段」という用語は基板の
目標部分に形成すべきパターンに対応するパターン化さ
れた断面を到来照射ビームに付与するために使用しうる
手段を称するものとして広義に解釈すべきであり、「光
弁」という用語もこのような主旨で使用されている。一
般に、前記パターンは例えば集積回路あるいはその他の
素子（以下参照）のような目標部分において形成されつ
つある素子における特定の機能層に対応する。そのよう
なパターン化手段の例としては以下のものを含む。−
マスクを保持するマスクテーブルである。マスクの概念
は平板印刷おいては周知であり、バイナリ、交番移相お
よび減衰移相のようなマスク型式並びに各種のハイブリ
ッドマスク型式を含む。照射ビームにそのようなマスク
を位置させることによってマスクのパターンに従って
（透過マスクの場合は）透過度を、（反射マスクの場合
は）マスクに衝突する放射線の反射度を選択しうるよう
にする。マスクテーブルはマスクが到来照射ビームの所
望の位置に確実に位置しうるようにし、かつ希望に応じ
てマスクがビームに対して確実に移動可能にする。−
プログラム化可能なミラーアレイである。そのような素
子の例は粘弾性制御層と反射層とを有するマトリックス
アドレス指定可能な面である。そのような装置の背景に
ある基本概念は、（例えば）反射面のアドレスされた領
域が入射光線を拡散光線として反射し、一方アドレスさ
れていない領域が入射光線を非拡散光線として反射する
ことである。適当なフィルタを使用して、前記非拡散光
線は反射ビームから濾過され、拡散された光線のみを残
し、このようにして、ビームはマトリックスアドレス可
能な面のアドレス指定パターンに従ってパターン化され
る。必要なマトリックスアドレス指定は適当な電子手段
を使用して実行可能である。そのようなミラーアレイに
関するより多くの情報は、例えば、参考のため本明細書
に組み込んだ米国特許第５，２９６，８９１号および同
第５，５２３，１９３号から収集可能である。− プロ
グラム化可能なＬＣＤアレイである。そのような構成の
一例が参考のために本明細書に組み込んだ米国特許第
５，２２９，８７２号に提供されている。説明を簡単に
するために、本説明の残りにおいて、ある個所では特に
マスクテーブルとマスクを含む例を述べるが、そのよう
な場合においても説明された一般原理では上述したよう
な広義のパターン化手段を扱う。

【０００３】説明を簡単にするために、以下述べる投影
系は「レンズ」として指示する。しかしながら、この用
語は、屈折光学装置、反射光学装置、および例えば反射
屈折光学系を含む各種型式の投影系を包含するというよ
うに広義に解釈すべきである。更に、平板印刷装置は２
個以上のマスクテーブルおよび（または）２個以上の基
板テーブルを有する型式のものでよい。

【０００４】平板投影装置は例えば集積回路（ＩＣｓ）
の製造において使用可能である。そのような場合、マス
ク（焦点板）はＩＣの個々の層に対応する回路パターン
を含み、このパターンは放射線感応材料（レジスト）の
層でコーテイングした基板（シリコンウェーファー）上
の目標領域（１個以上のダイを含む）上に像形成可能で
ある。一般に、単一のウェーファーが一時に一回マスク
を介して順次照射される隣接する目標領域の全体網を包
含している。平板投影装置の一型式において、各目標領
域はマスクパターン全体を一回の操作で目標領域上に露
出することによって照射される。そのような装置は通常
ウェーファーステッパと称されている。ステップアンド
スキャン装置と通常称される代替的な装置においては、
各目標領域は所定の基準方向（「走査」方向）において
投影ビームでマスクパターンを徐々に走査することによ
って照射され、一方同期的に前記方向に対して平行に、
あるいは反平行的に基板を走査する。一般に投影系は倍
率Ｍ（一般に＜１）であるので、基板テーブルが走査さ
れる速度Ｖはマスクテーブルが走査される速度のＭ倍の
係数である。平板装置に関するより更に多くの情報は国
際特許出願第ＷＯ９７／３３２０５号から収集可能であ
る。

【０００５】一般に、この型式の装置は単一のマスク
（第１の対物）テーブルと単一の基板（第２の対物）テ
ーブルとを含んでいた。しかしながら、少なくとも２個
の独立して運動可能な基板テーブルが存在する機械が市
販されつつある。例えば、国際特許出願第ＷＯ９８／２
８６６５号および同第ＷＯ９８／４０７９１号に記載の
多段装置を参照されたい。そのような多段装置の背景に
ある基本作動原理は第１の基板テーブルがそのテーブル
に位置した第１の基板を露出しうるように投影系の下方
に位置している間に、第２の基板テーブルが装填位置ま
で進行し、露出された基板を排出し、新しい基板を取り
上げ、この新しい基板に対して若干の初期計測段階を実
行し、次にこの新しい基板を第１の基板の露出が完了す
るや直ちに投影系の下方の露出位置まで転送するように
待機し、このようにしてサイクルが繰返される。こうし
て機械の処理能力を顕著に増大させることが出来る。

【０００６】平板装置において、基板上に像形成可能な
特徴のサイズは投影放射線の波長によって制限される。
高密度の素子を備えた、従ってより速い作動速度の集積
回路を製造するためには、より小さい特徴を像形成でき
ることが望ましい。最新の平板投影装置は水銀ランプあ
るいはエキシマレーザによって発生する紫外線を使用し
ているが、約１３ｎｍのより短い波長の放射線を使用す
ることが提案されてきた。そのような放射線は遠紫外線
（ＥＹＶ）あるいは軟Ｘ線と称され、可能な供給源とし
ては、例えばレーザにより発生したプラズマ源、放電プ
ラズマ源、あるいは電子ストレイジリングからのシンク
ロトロン放射を含む。シンクロトロン放射を利用した平
板投影装置の概略設計は応用光学３２巻２４号の６９２
０―６９２９頁（１９９３）でのジェイエムマーフィに
よる「投影Ｘ線平板のためのシンクロトロン照射源およ
びコンデンサ」（” Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎｒａｄ
ｉａｔｉｏｎｓｏｕｒｃｅｓａｎｄｃｏｎｄｅｎ
ｓｅｒｓｆｏｒｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｘ−ｒａｙ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ” ＪＢＭｕｒｐｈｙｅｔ
ａｌ，ＡｐｐｌｉｅｄＯｐｔｉｃｓＶｏｌ．
３２Ｎｏ．２４ｐｐ６９２０−６９２９（１９
９３）に記載されている。放電プラズマ源を使用した装
置はＰｒｏｃＳＰＩＥ３９９７１３６―１５６頁、２０
００のダブリュー・パトロ、アイ・フォーメンコフ、ア
ール・オリバー、バークスによる「リチウム蒸気中での
濃密プラズマ焦点を使用したＥＵＶ（１３．５ｎｍ）光
源の開発」（Ｗ．Ｐａｒｔｌｏ，Ｉ．Ｆｏｍｅｎ
ｋｏｖ，Ｒ．Ｏｌｉｖｅｒ，Ｄ．Ｂｉｒｘ，”
ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆａｎＥＵＶ（１
３．５ｎｍ）ＬｉｇｈｔＳｏｕｒｃｅＥｍｐｌｏ
ｙｉｎｇａＤｅｎｓｅＰｌａｓｍａＦｏｃｕｓ
ｉｎＬｉｔｈｉｕｍＶａｐｏｒ”、ＰｒｏｃＳ
ＰＩＥ３９９７、８６１―８６６頁、２０００のエム
／。ダブリューマックゴーチによる「Ｚ−ピンチ遠紫外
線源のパワースケーリング」（Ｍ．Ｗ．ＭｃＧｅｏ
ｃｈ，” ＰｏｗｅｒＳｃａｌｉｎｇｏｆａＺ
−ｐｉｎｃｈＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａｖｉｏｌｅ
ｔＳｏｕｒｃｅ”，ＰｒｏｃＳＰＩＥ３９９７
，ｐｐ− ８６１−８６６，２０００），Ｐｒｏｃ
ＳＰＩＥ３６７６，ｐｐ２７２―２７５，１９９９のダ
ブリュー・テイ・シルフバスト、エム・クロスナ、ジー
・シムカベーグ、エイチ・ベンダ、ジー・クービアッ
ク、エヌ・フォルナシアーリによる「ＥＵＶ平板印刷用
の１３．５および１１．４ｎｍにおける高パワープラズ
マ放電源」（Ｗ．Ｔ．Ｓｉｌｆｖａｓｔ，Ｍ．Ｋ
ｌｏｓｎｅｒ，Ｇ．Ｓｈｉｍｋａｖｅｇ，Ｈ．
Ｂｅｎｄｅｒ，Ｇ．Ｋｕｂｉａｋ，Ｎ．Ｆｏｒ
ｎａｃｉａｒｉ，” Ｈｉｇｈ−ｐｏｗｅｒｐｌａｓ
ｍａｄｉｓｃｈａｒｇｅｓｏｕｒｃｅａｔ１
３．５ａｎｄ１１．４ｎｍｆｏｒＥＵＶｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ”）に記載されている。

【０００７】放電プラズマ源において、部分的にイオン
化された低密度の比較的冷たいプラズマが放電によって
形成され、次に更に強くイオン化され極めて高温に達し
ＥＵＶ放射を行なうように圧縮される。例えばＲＦパワ
ー源による予備イオンが採用されて放電を開始させ、良
好に画成されたプラズマシートを形成してもよい。例え
ばプラズマ集束、Ｚピンチおよび毛管源のような装置の
形状寸法は変動しうるが、これらの型式の各々において
放電の電流によって発生する磁界が圧縮を推進する。十
分に圧縮可能で、所望の周波数帯において十分大量の放
射線を放射しうるプラズマを形成するのに適当な磁気流
体特性を有するガスが少ないので、放電プラズマ源の効
率と強度とを最適化することが必須である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は平板投
影装置に使用しうる改良されたプラズマ源を提供するこ
とである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、遠紫外
線電磁照射用のプラズマ照射源であって、高電位差源に
接続され、第１のプラズマ状態と対応の磁界に誘導され
る電流によって第１のプラズマ状態をピンチ容積内へ圧
縮させるように構成配置された電極と、高温のプラズマ
状態にされて遠紫外線電磁放射線を放射する作業流体の
供給源と、前記第１のプラズマ状態を前記ピンチ容積内
へ圧縮することによって前記高温プラズマ状態にされる
ように前記ピンチ容積内へ前記作業流体を放出するよう
に構成配置された一次噴射ノズルとを含む遠紫外線電磁
照射用プラズマ照射源が提供される。

【００１０】ＥＵＶ放射線は主として、圧縮放電によっ
て高温の放射線放射状態まで昇温された作業（一次）流
体によって放射されるので、作業流体は放電を形成する
のに好ましい特性の必要性によって制限されることなく
所望の波長でＥＵＶ放射線を放射する上での効率に選択
することができる。作業流体は、例えばリチウム蒸気、
クリプトン、キセノン、水および極低温液体でよい。同
時に、電導性で効果的な圧縮媒体を発生させる上で効果
的な磁気―流体力学特性に基づき、かつＥＵＶ光学特
性、特に対象とする波長における透過性に基づいて選択
された駆動流体を放電の形成を助勢するために電極の間
の空間に供給できる。従って、プラズマ発生要件と放射
要件とは相互作用を断たれ、各要素用の物質の広い範囲
の選択を可能にし、かつ供給源の効果、および効率を改
良しうる。

【００１１】供給源の放電（「ショット」）毎に新しい
作業流体を提供することは、また各サイクルで初期状態
をより迅速に到達させることによって供給源の可能な繰
返し速度を増加させる。作業流体を新しく供給すること
はまた従来技術の供給源では時間のかかったピンチ容積
から汚染をフラッシュのに役立つ。更に、作業流体は、
例えばクラスタ噴射あるいは液体噴射のようなより濃密
な形態で供給しうるので各放電に対してより大量の作業
流体を供給可能である。

【００１２】放出軸線上の作業流体の濃度は放出れる流
体が放出軸線上で最高の濃度を有するように一次噴射を
適当に配することによって増加させることができる。超
音波噴射は鋭いピークの濃度プロフィルを備えた噴射を
提供するので特に好ましい。

【００１３】本発明の好適実施例において、照射源は更
に二次流体用供給源と、前記作業流体の噴出線に平行
に、かつそれから離隔して前記二次流体を放出するよう
に構成配置された二次噴射ノズルとを含んでもよい。

【００１４】一次噴射ノズルの他に二次噴射ノズルを設
けることにより、一次ガスの発散度は二次噴射ノズルか
らの二次ガスの流出よって減少してもよい。その場合一
次ガスの十分な濃度が噴射ノズルの出口からより離れた
距離に存在するので、ノズルの出口からより離れた距離
をおいてプラズマを形成することが可能である。このこ
とは、破片の生成とそれに関わる問題とを阻止する。更
に、照射源は、二次ガスの流出が照射系の光学要素と一
方では照射源の電極や絶縁体のような部材と、他方では
形成される高温のプラズマとの間の例えば遮蔽体として
機能するように位置してもよい。そのような遮蔽体は破
片の粒子が照射源の部品あるいは光学要素に向って逃げ
るのを大いに阻止する。粒子は遮蔽用二次ガスを通過せ
ず、あるいは減速しかつ中立化され、そして堆積あるい
はその他の原因による損傷作用を生じるのを阻止され
る。また、放射された放射線の再吸収性が減少し、輝度
が増加した照射源はピンチ容積の側部においてＸＵＶ照
射透明容積を提供することによって得ることができる。

【００１５】特に好ましい実施例において、二次噴射ノ
ズルは一次噴射ノズルを囲む。そのような場合、二次ノ
ズルは形状が環状でよく、一次ノズルを囲むように配置
された複数のノズルから構成しうる。そのような形態は
一次ガスの放散を更に良好に制御し、平行で、あるいは
ノズルから一定距離にわたり収束する一次ガスの流出を
得ることができる。一次ガスと、そこで形成された高温
のプラズマとを囲む二次ガスも更に、プラズマからのプ
ラズマ粒子の逃げを阻止し、ピンチ容積の周りにＸＵＶ
照射透明容積を提供する。最適形態においては、一次お
よび二次噴射ノズルは共軸である。

【００１６】二次ノズルは初期放電形成を助勢する初期
量の二次ガスを提供し、次にガスの供給を停止してもよ
いことが注目される。代替的に、二次ガスは前述の機能
を実行するために連続的に、あるいはパルス状で供給可
能である。

【００１７】二次ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、
クリプトン、メタン、シラン、および水素、あるいは一
般にいずれかのＥＵＶ透明ガスからなる群から選択され
た少なくとも一つのガスから構成しうる。水素はＥＵＶ
照射に関しては優れた吸収特性を有するので好ましい二
次ガスである。このように、水素は大きな流速（流出に
おける局部的濃度が高い）で使用可能で、放散制御やプ
ラズマの遮蔽のために一次ガスを極めて効率的に閉じ込
めることが出来る。

【００１８】本発明はまた、マスクのマスクパターンを
基板上に像形成する平板照射装置であって、遠紫外線を
発生させるように構成配置された照射源と、前記遠紫外
線を受取り、該遠紫外線の投影ビームを供給するように
構成配置された照射系と、所望のパターンにより放射線
の投影ビームをパターン化するように構成配置されたパ
ターン化手段と、基板を保持するように構成された基板
テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分
上に像形成するように構成配置された投影系とを含む装
置において、前記照射源が前述したようなものであるこ
とを特徴とする平板投影装置を提供する。

【００１９】本発明は更に遠紫外線を発生させるように
構成配置された照射源と、前記遠紫外線を受取り、該遠
紫外線の投影ビームを供給するように構成配置された照
射系と、所望のパターンに従って放射線の投影ビームを
パターン化するように構成配置されているパターン化手
段と、基板を保持するように構成された基板テーブル
と、前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分
上に像形成するように構成配置された投影系とを含む平
板印刷装置を使用した素子を製造する方法であって、前
記照射源を使用して放射線の投影ビームを提供する段階
と、放射線に感応する材料の層によって少なくとも部分
的に被覆された基板を前記基板テーブルに提供する段階
と、所望のパターンによる断面に投影ビームをパターン
化する段階と、前記基板の前記目標部分上にパターン化
したビームを像形成する段階とを含む方法において、前
記照射源として前述した照射源を使用することを特徴と
する平板印刷装置を使用した素子を製造する方法を提供
する。

【００２０】本発明による平板投影装置を使用した製造
方法において、マスクのパターンが放射線に感応する材
料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に被覆さ
れている基板上に像形成される。この像形成段階に先立
って、基板は例えば下塗り、レジストコーテイング、お
よび軟質ベーキングのような各種の手順を経由しうる。
露出の後、基板は、例えば露出後ベーキング（ＰＥ
Ｂ）、現像、硬質ベーキングおよび像形成された特徴の
測定／検査のような他の処置を受けてよい。この多くの
処置は、例えばＩＣのような素子の個々の層をパターン
化する基準として使用される。そのようなパターン化さ
れた層は、次にエッチング、イオン移植（ドーピン
グ）、金属化、酸化、化学的―機械的研磨等のような、
全て個々の層を仕上げる目的の各種の工程を受けてよ
い。数枚の層が必要である場合、全体の処置、あるいは
その変形は新しい各層に対して繰り返す必要がある。最
終的に、素子のアレイが基板（ウェーファー）上に位置
する。次に、これらの素子は例えばダイシングあるいは
ソーイングのような技術によって相互から分離され、次
に個々の素子はキャリヤに装着されるか、あるいはピン
に接続するなどが可能である。そのような工程に関する
詳細情報は１９９７、ＩＳＢＮ０―０７―０６７２５０
―４のマグローヒル出版社のピータファンザント著の本
「マイクロチップファブリケーション：半導体処理の実
用ガイド」の第３版（“ ＭｉｃｒｏｃｈｉｐＦａｂｒ
ｉｃａｔｉｏｎ：ＡＰｒａｃｔｉｃａｌＧｕｉｄ
ｅｔｏＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＰｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ”，ＴｈｉｒｄＥｄｉｔｉｏｎ，ｂｙ
ＰｅｔｅｒｖａｎＺａｎｔ，ＭｃＧｒａｗＨｉ
ｌｌＰｕｂｌｉｓｈｉｎｇＣｏ．，１９９７，ＩＳ
ＢＮ０−０７−０６７３５０−４）から取得しうる。

【００２１】本文ではＩＣｓの製造において本発明の装
置の使用を特に参照してよいが、そのような装置はまた
その他の用途も可能であることを明確に理解すべきであ
る。例えば、前記装置は集積した光学系、磁気ドメイン
メモリ用案内および検出パターン、液晶デイスプレイパ
ネル、薄膜磁気ヘッド等の製造においても採用可能であ
る。当該技術分野の専門家は、そのような代替的適用に
関連して、本文における「レチクル」、「ウェーファ
ー」、あるいは「ダイ」というような用語の使用は、よ
り一般的な用語、「マスク」、「基板」、および「目標
部分」あるいは「露出領域」に置き換えられるとみなす
べきことを認識しよう。

【００２２】各種の図面において、同じ部材は同じ参照
番号で指示する。

【００２３】

【発明の実施の形態】実施例１図１は本発明の第１の実施例によるプラズマ焦点放電源
２１０を示す。プラズマ焦点放電源２１０は間に環状空
間を置いて細長い陽極２１２を囲む全体的に筒形の陰極
２１１を含む。電圧源２１４は放電電流Ｉが陽極から陰
極まで流れ始めるように環状空間においてガスをイオン
化させるのに十分な高電圧を陽極と陰極との間に掛け
る。放電電流Ｉは陽極と陰極との間の環状空間において
円形の磁界Ｂを発生させる。放電電流のイオンは矢印２
１６で指示するように陽極２１２に沿って磁界Ｂと相互
作用することによって駆動される。陽極２１２は陰極２
１１よりも短く、プラズマが陽極２１２の端をおおって
駆動され、かつピンチ容積２１８内に極めて高温のプラ
ズマを形成するように収束するように中空の先端を有す
る。

【００２４】本発明によると、各放電の間に陽極２１２
と陰極２１１との間の環状空間を充填する駆動ガスにプ
ラズマが形成される。駆動ガスは磁気―流体力学的特性
に従って選択されて導電性媒体を効果的に形成し、電流
を陽極から陰極まで案内し、発生した磁界によって誘導
され、軸線の周り、かつその上に囲われた容積を含む。
所望の波長のＥＵＶ照射を提供するために、例えばガ
ス、蒸気、クラスタあるいは液体のような作業（一次）
物質が囲われた容積内へ提供され、収束するプラズマに
よって加熱されＥＵＶ放射線を放射する。作業物質は例
えば約９から１６ｎｍ，好ましくは１１あるいは１３ｎ
ｍの所望の波長でのＥＵＶ放射線の放出中の効率に対し
て選択され、リチウム，キセノンあるいは水でよい。

【００２５】作業物質は適当にパルス化された源２１４
から得られる放電電圧に対して適当に調時された、例え
ばクラスタ噴射あるいは小滴状噴射のような噴射として
収束プラズマのピンチ容積２１８の領域内へ放出される
ことが好ましい。作業物質は陽極２１２の孔２１３を介
して供給源２１５から供給されて陽極２１２の中空の先
端に噴射２１７を形成することができる。前記供給源２
１５は作業物質の容器並びに噴射を制御するのに必要な
ポンプ、弁等を含む。

【００２６】例２以下述べることを除いて本発明の第１の実施例と同じで
よい本発明の第２の実施例は所謂Ｚ―ピンチプラズマ照
射源を含む。

【００２７】Ｚ−ピンチプラズマ放電源２２０が図２に
示されている。それは絶縁壁を有する筒形の室２２３の
両端に設けられた環状の陰極２２１と環状の陽極２２２
とを含む。ある量の駆動（二次）ガスが筒形の室２２３
の外壁の近くの環状の開口を通して供給源２２５から噴
射され、事前にイオン化される。次に、電圧源２２４が
陽極２２２と陰極２２１との間でに電圧を掛け、筒形の
放電を前記室２２３の絶縁壁で開始させ、該室２２３は
方位磁界を発生させる。前記磁界は放電を高温高圧で細
い軸線方向の糸状、すなわちピンチ容積２２９に縮小さ
せる。セラミックプラグ２２６が、投影ビームＰＢを形
成する遠紫外線が通って放射される開口を画成する。

【００２８】本発明によってＥＵＶの放射を向上させる
ために、作業物質は適当な時間に供給源２２７から室２
２３内のピンチ容積領域内へ噴射されてプラズマ放電に
より同伴され、かつ圧縮される。第１の実施例と同様
に、駆動ガスは高温のプラズマを発生させる効果につい
て選択でき、作業物質は所望の波長のＥＵＶ放射線を放
出する効率について選択できる。

【００２９】実施例３以下述べることを除いて第１の実施例と同じでよい第３
の実施例は毛細放電プラズマ源を含む。図３は小さい室
２３３の端板を形成する陰極２３１と陽極２３２とを有
する毛細放電源２３０を示す。陽極２３２は、陰極２３
１と室２３３の側壁とに面する陽極２３２の側部を覆う
絶縁体２３５に形成された細い毛管２３６と整合した小
さい中央貫通孔を有する。放電は毛管２３６に形成さ
れ、先の実施例と同様に毛管の軸線をピンチ容積に縮め
高温を有する強くイオン化された高密度のプラズマを形
成する。放射開口は開口プレート２３７によって画成さ
れている。

【００３０】本発明によれば、作業（一次）物質は供給
源２３８から毛管２３６内へ噴射される。前述の実施例
と同様に、駆動ガスは高温のプラズマを発生する効果に
ついて選択でき、作業物質は所望の波長のＥＵＶ放射線
を放出する効率について選択できる。

【００３１】第３の実施例において、また第１と第２の
実施例においても、駆動ガスは供給源の各放電（ショッ
ト）で室内へ噴射可能である。作業ガスおよび駆動ガス
は第７と第８の実施例において説明するように、例えば
２部分の環状ノズルによって噴射可能である。このこと
は、噴出された作業流体の噴射の放散を低減し、供給源
の効率を増大させるピンチ容積の周りの遮蔽ガスを提供
する。一次噴射ノズルは該噴射ノズルからの噴出の軸線
に沿った作業ガスの鋭いピークの密度分布を有する超音
波噴射を提供することが好ましい。

【００３２】実施例４図４は前述した第１の実施例の変形である本発明によ
る、照射源の第４の実施例を示す。図は電気絶縁体１３
０によって分離された状態に保たれ、コンデンサバンク
１４０に接続された陽極１１０および陰極１２０の形態
を示す。照射源の中央部分は中心軸線の周りで筒形に対
称である。図４は、更に環状の陰極開口１２１と中心軸
線Ａの周りの環状の陰極空洞１２２を示す。

【００３３】駆動ガスあるいは蒸気は前記空洞内に低圧
を提供するように入口１２５を介して該空洞１２２に供
給される。本実施例において、アルゴン（Ａｒ）が駆動
ガスとして採用されるが、基本的に、例えばヘリウム
（Ｈｅ），ネオン（Ｎｅ），および水素（Ｈ₂）のよう
ないずれかのガスが適当である。水素は、ＥＵＶ範囲で
低い放射線吸収性を示すので特に好ましい。空洞１２２
内の駆動ガスは陽極と陰極との間に放電を開始するため
の電子源として使用される。

【００３４】陰極空洞１２２は中心軸線の周りの領域に
ある陽極―陰極間隙に作業ガスあるいは蒸気を噴出する
（一次）作業ガスあるいは蒸気の供給源１６０を囲む。
作業ガスあるいは蒸気はプラズマとしてのスペクトル放
射特性について選択される。本実施例は約１３．５ｎｍ
で極めて強力な放射ラインがあるためリチウム（Ｌｉ）
を使用する。電磁放射スペクトルのＸＵＶ（およびＥＵ
Ｖ）領域において広い放射スペクトルを有するキセノン
（Ｘｅ）も使用してよい。図示したリチウム源１６０は
固形リチウムを入れた容器１６２の下方にヒータ１６１
を含む。気化したリチウムが超音波（ラバル）ノズル１
６３を介して陽極―陰極間隙に到達するが、その他の型
式のノズルを使用してもよい。

【００３５】トリガ電極１５０が陰極の空洞１２２に挿
入されている。電極１５０は以下説明する放電を開始す
るために電圧パルスを電極に掛ける適当な電気回路（図
８に示さず）に接続される。最初は、照射源は自動トリ
ガに近接している。トリガ電極１５０に掛けられた電圧
パルスは陰極の空洞１２２内の電界の乱れをしょうじさ
せ、これは中空の陰極を起動させ、破壊チャネル形成さ
せ、その後陰極１２０と陽極１１０との間に放電を生じ
させる。

【００３６】初期放電は低い初期圧（ｐ＜０．５Ｔｏｒ
ｒ）および高電圧（Ｖ＜１０ＫＶ）条件において起こる
ことがあり、そのため電子の平均自由軌道は陽極―陰極
間隙と比較して大きく、かくてタウンセンド（Ｔｏｗｎ
ｓｅｎｄ）イオン化が無効となる。これらの状態はガス
あるいは蒸気密度比Ｅ／Ｎに亘って大きな電界強度によ
って特徴付けられる。この段階は固定の電位差を有する
可成り均等に離隔された等電位線を示す。

【００３７】イオン化成長は、可成り低いＥ／Ｎにおい
て作動する中空の陰極内の事象によって最初は支配さ
れ、その結果電子用の小さい平均自由軌道を生じる。中
空の陰極１２０からの、そして該空洞１２２内の駆動ガ
スあるいは蒸気から得られる電子は陽極―陰極間隙内へ
噴射され、仮想陽極が継続中のイオン化によって作ら
れ、該仮想陽極は陽極１１０から中空の陰極１２０に向
って伝播し、陰極の近傍まで完全な陽極電位を導く。陰
極１２０の中空の空洞１２２内の電界は今では顕著に向
上する。

【００３８】次の局面において、イオン化は継続し、中
空の陰極内に高イオン密度を有する領域を陰極の開口１
２１の直ぐ後ろに急速に発生させる。最後に、この領域
から陽極―陰極間隙内へ電子１２６の強力なビームを噴
射することは、最終の破壊チャネルを形成する。この形
態は均一な予備イオン化と放電容積における破壊とを提
供する。

【００３９】作業ガスあるいは蒸気が供給源１６０から
噴出され、放電が開始すると、作業ガスあるいは蒸気の
部分的にイオン化された低密度で比較的冷たいプラズマ
が開口１２１の上方の陽極―陰極間隙に形成される。電
流が陰極１２０から陽極１１０までプラズマ内に流れ、
その電流は照射源の周りに、磁界強度Ｈを有する方位磁
界を生じさせる。方位電磁界は陰極開口１２１の上方に
ある部分的にイオン化されたプラズマを中心軸線Ａに向
って圧縮させる。

【００４０】プラズマの動的圧縮が行われる理由は、方
位磁界の圧力は熱プラズマの圧力よりはるかに高いから
でありＨ²／８π＞＞ｎｋＴ、ここでｎはプラズマ粒子
の密度を表わし、ｋはボルツマン定数を表わし、Ｔはプ
ラズマの絶対温度を表わす。陽極１１０および陰極１２
０に接続されたコンデンサバンク１４０に貯えられた電
気エネルギはプラズマ圧縮の全時間の間運動爆縮のエネ
ルギに最も効率的に変換される。高度な空間安定性を備
えた均一に充填されたピンチ容積が形成される。

【００４１】プラズマ圧縮、すなわち中心軸線Ａ上での
ピンチ容積におけるプラズマのよどみの最終段階におい
て、プラズマの運動エネルギがプラズマの熱エネルギに
変換され、最終的にＸＵＶ範囲において極めて大きく寄
与する電磁放射線に変換される。

【００４２】崩壊したプラズマからの放射線は陽極１１
０の開口１１１を通って真空室１７０内へ進み、該真空
室はその壁にある開口１７１を介して排気されている。
プラズマおよび破片の粒子もまた開口１１１を介して逃
げることがある。ＸＵＶ照射パルスが何ら放出されない
場合これらの粒子を遮断し粒子が投影系ＰＬまでのＸＵ
Ｖ放射線の照射軌道にあるどの光学要素に到達しないよ
うにするフライホイール１８０が存在している。

【００４３】実施例５図５は第４の実施例の変形であり、中心軸線Ａにおける
プラズマの崩壊から陰極１２０の開口領域を更に遮蔽す
る本発明の第５の実施例を示す。陽極１１０と陰極１２
０の双方は「帽子状」構造を有する。環状の陰極の空洞
１２２と開口１２１とは前記帽子の底側に位置してい
る。開口１２１での放電によって形成された、部分的に
イオン化された低密度で比較的冷たいプラズマが上方
に、かつ中心軸線Ａに向かって「角を曲がった」ところ
で圧縮される。更に、陽極１１０と陰極１２０との位置
は交換されている。陰極１２０は本構造体の外部に位置
し、ＸＵＶ放射線を真空室１７０まで通す開口１２３を
含む。

【００４４】しかしながら、作業ガスあるいは蒸気、ま
た本実施例におけるリチウム蒸気の密度は放電およびプ
ラズマを形成するには陰極１２０の環状開口１２１にお
いて低すぎることがある。第６の実施例において、照射
源は駆動ガスに放電を起こす駆動ガスあるいは蒸気、本
実施例においてはＡｒの十分高い圧力を環状の開口１２
１の領域における陽極―陰極間隙内に提供するように構
成されている。その結果得られる駆動ガスのプラズマは
中心軸線Ａに向って圧縮を開始し、ある個所において作
業ガスあるいは蒸気の十分高い圧力と出会い作業ガスあ
るいは蒸気のプラズマを形成し、該プラズマは次に中心
軸線Ａにおけるピンチ容積内へよどみができるまで更に
圧縮される。駆動ガスあるいは蒸気のプラズマは作業ガ
スあるいは蒸気の十分高い圧力に到達するように最初か
らでも「角を曲がら」なければならないことがある。

【００４５】実施例６本発明の第６の実施例による照射源が図６および図７に
概略図示され、それぞれ一次および二次噴射ノズル１０
および２０並びに一次および二次噴射ノズルへの一次お
よび二次ガスの供給源１１、２１を含む。本実施例にお
いて、双方の噴射ノズルはパルス化された噴射ノズルで
あって、双方の供給ライン１１、２１は一次および二次
ガスのパルスをそれぞれの噴射ノズルに供給するある瞬
間に開放する弁を含む。

【００４６】図６は一次および二次ガス用の噴射ノズル
源の長手方向断面を示す。図７はノズル源の正面図を示
す。一次および二次噴射ノズルは共軸に配置され、二次
噴射ノズル２０は一次噴射ノズル１０を囲んでいる。一
次噴射ノズル１０は円形出口１３を有し、二次ノズル２
０は環状の出口２３を有する。プランジャ１２および２
２は一次および二次ガスの供給源１１および２１にそれ
ぞれ配設され、供給源のテーパ付きの端部に当接するこ
とによってそれぞれの供給源を閉鎖するように独立に作
動可能である。このようにして、一次および二次ガスの
パルス化した流出を提供するようにそれぞれの供給源を
開閉する弁が得られる。しかしながら、パルス化したノ
ズルはその他の各種の形態でも得ることができる。プラ
ンジャ１２、２２は図示していない手段によって作動す
る。更に、連続したノズルの使用も可能である。

【００４７】ノズル源から一次ガスが放出され、二次ガ
スが放出されない場合、噴射ノズルの出口１３からの一
次ガスの流出１５は強く放散する。二次ガス２５のパル
スを放出することは、また一次ガス１５の放散のより少
ない、あるいは平行あるいは収束した流出を生じる。照
射源に最適な一次ガスの流出は数個のパラメータのうち
の一つ以上を変更することによって達成可能である。こ
れらのパラメータの一つは一次噴射ノズルへの一次ガス
の供給速度に対する二次噴射ノズル２０への二次ガスの
供給速度である。別のパラメータは一次ガスのパルスの
タイミングに対する二次ガスのパルスのタイミングであ
る。二次ガスのパルスに対して一次ガスの適当に遅れた
パルスは、二次ガスが一次ガスおよび二次ガスが同じ流
量で非遅延パルスと比較して一次ガスよりも軽いガスで
ある場合、より小さい放散のビームを提供すると思われ
る。その他の関連のパラメータはノズル供給源における
ガスの背圧と噴射の幾何学的形状である。最適なパラメ
ータは使用されるガスあるいは液体および一次および二
次噴射ノズルの特定の幾何学的形状いかんで決まる。

【００４８】照射源の第６の実施例の一次ガスは、純粋
の状態で、あるいはその他の（不活性）ガスとの混合物
として供給してよいクリプトンあるいはキセノンからな
る。例えば、キセノンのプラズマは遠紫外線の大きい部
分を放出することが示されている。代替実施例において
は、水滴あるいはキャリヤガス中の例えば液状キセノン
のような極低温液体を一次液体として使用してよい。二
次ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、メ
タン、シランおよび水素からなる群から選択してよい。

【００４９】好適実施例において、二次ガスは、殆ど遠
紫外線を吸収しないという理由で水素である。水素は遠
紫外線に関して好ましい吸収特性を有するので、二次ノ
ズルからの極めて大量の水素の流出が採用でき、その結
果流出での局部的な濃度が極めて高くなる。より軽い二
次ガスは、衝突時の小さい慣性移転により、より重い二
次ガスに対して一次ガスとしてのキセノンの閉じ込めが
悪くなるものと思われる。本発明により照射源で採用し
うる水素のはるかに大量の流出とより高い圧力とは、許
容しうる可成り大きい局部的な圧力により、他の二次ガ
スに対して水素の小さい質量を過剰に補償する。

【００５０】前述の噴射ノズルでは、一次噴射ノズル１
０からの作業（一次）ガスの放散の小さい、局限され、
あるいはほぼ平行な流出が得られ、プラズマとノズルの
相互作用による噴射ノズルからの破片を生じないノズル
供給源からのある距離に位置するのが好ましいピンチ容
積の可成り局限された領域に、排出された作業ガスを受
け取ることができる。環状の二次噴射ノズルからの二次
流体の連続した放出は、ピンチ容積での圧縮された高温
のプラズマの周りにガスシールドを提供し、高温のプラ
ズマから放出される高速の粒子を遮断し、あるいは遅ら
せ、かつ中立化する。供給源の部品および恐らくは平板
投影装置の照明装置に含まれる光学要素もそのような高
速の粒子による損傷あるいはこれらの粒子の堆積から保
護される。更に、二次ガスのフラッシュガスシールドも
適当な二次流体が選択された場合発生したＸＵＶ放射線
に対して非常に透明である環境をピンチ容積の周りに提
供する。例えば電極から腐蝕した重い（金属）粒子ある
いはピンチ容積における高温のプラズマの周りに存在す
ることがある一次キセノン（作業）ガスは発生したＸＵ
Ｖ放射線を大量に吸収する。

【００５１】図８は本発明の第６の実施例による照射源
の変形において使用されるノズル供給源の正面図を概略
図示する。前記変形は、二次ノズルが一次ノズルの一方
の側に位置している点で第６の実施例の基本配置と相違
している。図はそれぞれ一次および二次噴射ノズルの出
口１３および２３を示す。一次ノズルからの流出の放散
は、本実施例については、用途によって都合のよいこの
一方の側のみにおいて制御してよい。二次噴射ノズルが
一次噴射ノズルを部分的に囲む実施例、あるいは、例え
ば一次噴射ノズルの出口の両側あるいはその四方に二次
噴射ノズルの出口を有する実施例も考えられる。

【００５２】平板印刷装置図９は本発明による照射源を
使用しうる平板投影装置１を概略図示している。本装置
は、 ● ＥＵＶ放射線の投影ビームＰＢを供給する照射系Ｌ
Ａ，ＩＩと、 ● マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持する第１の
対象物（マスク）ホルダを備え、マスクを物品ＰＬに対
して正確に位置決めする第１の位置決め手段ＰＭに接続
された第１の対象物テーブル（マスクテーブル）ＭＴ
と、 ● 基板Ｗ（例えばレジストをコーテイングしたシリコ
ンウェーファー）を保持する第２の対象物（基板）ホル
ダを備え、基板を物品ＰＬに対して正確に位置決めする
第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２の対象物テー
ブル（基板テーブル）ＷＴと、 ● マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの目標部分Ｃ
（ダイ）上に像形成する投影系（「レンズ」）ＰＬ（例
えば、屈折、反射屈折、あるいは反射投影系）とを含
む。

【００５３】本明細書で述べるように、本装置は反射型
式である（すなわち、反射マスクを有する）。しかしな
がら、一般に、それは例えば透過型式であってもよい。

【００５４】前記投影系は前述した照射源のいずれかで
あってよく、遠紫外線（ＥＵＶ）放射線のビームを生じ
る照射源ＬＡを含む。このビームは照明系（「レン
ズ」）に含まれる種々の光学要素に沿って通され、得ら
れるビームＰＢが投影系の入口瞳孔およびマスクにおい
て所望の形状と光度分布を有する照明を生ぜしめるよう
に集められる。

【００５５】その後ビームＰＢはマスクテーブルＭＴ上
のマスクホルダに保持されたマスクＭＡに当る。マスク
ＭＡによって選択的に反射されて、ビームＰＢはレンズ
ＰＬを通過し、該レンズはビームＰＢを基板Ｗの目標領
域Ｃ上に集める。干渉移動測定手段ＩＦと位置決め手段
ＰＷの助けによって、基板テーブルＷＴは、例えば種々
の目標領域ＣをビームＰＢの軌道に位置決めするように
正確に移動できる。同様に、位置決め手段ＰＭおよび干
渉移動測定手段ＩＦはビームＰＢの軌道に対してマスク
ＭＡを正確に位置決めするのに使用できる。一般に、対
象物テーブルＭＴ，ＷＴの運動は、図９に明確に示して
いないが長いストロークのモジュール（コース位置決
め）および短いストロークのモジュール（微細位置決
め）の助けによって実現される。

【００５６】前述した装置は２種類のモードで使用可能
である。１．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基
本的に静止状態に保持され、マスク像全体は一回の動作
（すなわち、単一の「フラッシュ」）で目標領域Ｃ上に
投影される。次に、基板テーブルＷＴは異なる目標領域
ＣがビームＰＢによって照射しうるようにＸおよび（ま
たは）Ｙ方向に移動される。２．走査モードにおいて、所定の目標領域Ｃが単一の
「フラッシュ」で露出されないことを除いて、本質的に
同じシナリオが適用される。その代わりに、マスクテー
ブルＭＴは速度ｖで所定の方向（所謂「走査方向」、例
えばＹ方向）に運動可能であり、かくして投影ビームＰ
Ｂはマスクの像の上を走査するようにされ、同時に基板
テーブルＷＴは速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向あるいは反対方
向に同時に動かされ、ここでＭはレンズＰＬの倍率（典
型的にはＭ＝１／４または１／５）である。このよう
に、相対的に大きな目標領域Ｃは分解度に関して妥協す
る必要なく露出可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は第１の実施例による照射源を形成するプ
ラズマ焦束源を示す。

【図２】図２は本発明の第２の実施例による照射源を形
成するＺ−ピンチプラズマ源を示す。

【図３】図３は本発明の第３の実施例による照射源を形
成する毛管放電プラズマ源を示す。

【図４】図４は本発明の第４の実施例による照射源を示
す。

【図５】図５は本発明の第５の実施例による照射源を示
す。

【図６】図６は本発明の第６の実施例によるパルス化さ
れた噴射ノズル源の長手方向断面を示す。

【図７】図７は図６に示すノズル源の正面図である。

【図８】図８は本発明の第６の実施例の変形によるノズ
ル源の正面図である。

【図９】図９は本発明による照射源が使用可能である平
板投影装置を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｈ０５Ｈ 1/06 Ｈ０５Ｈ 1/24 1/24 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ｓ (72)発明者コルネリスコルネラ、デブルイユンオランダ国スプルンデル、ビネンホフ５ (72)発明者アンドルゼユ、バルトニクポーランド国ワルシャワ、ウルミレラ８／１ (72)発明者コンスタンチンニコラエビッチ、コシェレブロシア国モスクワリージョン、トロイトズク、シュコルナヤストラーセ４ (72)発明者バディムイエブゲニエビッチ、バニネオランダ国ヘルモンド、ニエルスラーン２

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】遠紫外線電磁放射線用のプラズマ照射源
において、高電位源に接続され、第１のプラズマ状態が該第１のプ
ラズマ状態と対応の電磁界に誘導された電流によってピ
ンチ容積に圧縮されうるように構成配置された電極と、高温のプラズマ状態にされて遠紫外電磁放射線を放射す
る作業流体の供給源と、前記第１のプラズマ状態を前記ピンチ容積内へ圧縮する
ことによって前記高温のプラズマ状態にされるように前
記作業流体を前記ピンチ容積内に排出するように構成配
置された一次噴射ノズルとを含むことを特徴とする遠紫
外線電磁放射線用のプラズマ照射源。
【請求項２】前記作業流体が液体であることを特徴と
する請求項１に記載の照射源。
【請求項３】前記噴射ノズルがクラスタ噴射あるいは
小滴状噴射として前記作業流体を噴射することを特徴と
する請求項２に記載の照射源。
【請求項４】前記作業流体がリチウム蒸気、クリプト
ン、キセノン、水および極低温液体からなる群から選択
されることを特徴とする請求項１から３までのいずれか
１項に記載の照射源。
【請求項５】前記照射源がプラズマ集束源であること
を特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載
の照射源。
【請求項６】前記照射源がＺピンチプラズマ源である
ことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に
記載の照射源。
【請求項７】前記照射源が毛管放電プラズマ源である
ことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に
記載の照射源。
【請求項８】前記電極が陽極と陰極であって、該陽極
と該陰極との間で駆動流体を排出することによってプラ
ズマを形成するように構成配置された陽極と陰極とを含
み、前記陰極が開口を有する中空の空洞を含み、前記開
口が照射源の中心軸線の周りで概ね環状の形状を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の照射源。
【請求項９】前記空洞が照射源の中心軸線の周りに概
ね環状の形状を有することを特徴とする請求項８に記載
の照射源。
【請求項１０】前記作業流体が前記陽極と陰極との間
で前記中心軸線の周りの領域に供給されることを特徴と
する請求項８または９に記載の照射源。
【請求項１１】前記作業流体が前記中心軸線に沿って
供給されることを特徴とする請求項１０に記載の照射
源。
【請求項１２】二次流体の供給源と、前記作業流体の排出線に対して平行で、かつそこから離
隔して前記二次流体を排出するように構成配置されてい
る二次噴射ノズルとを更に含むことを特徴とする請求項
１から１１までのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項１３】前記二次噴射ノズルが前記一次噴射ノ
ズルを囲んでいることを特徴とする請求項１２に記載の
照射源。
【請求項１４】前記一次および二次噴射ノズルが共軸
であることを特徴とする請求項１３に記載の照射源。
【請求項１５】前記二次流体がヘリウム、ネオン、ア
ルゴン、クリプトン、メタン、シランおよび水素からな
る群から選択された少なくとも１種類のガスからなるこ
とを特徴とする請求項１２から１４までのいずれか１項
に記載の照射源。
【請求項１６】前記一次噴射ノズルがパルス化された
噴射ノズルであることを特徴とする請求項１から１５ま
でのいずれか１項に記載の照射源。
【請求項１７】前記一次噴射ノズルが超音波噴射ノズ
ルであることを特徴とする請求項１から１６までのいず
れか１項に記載の照射源。
【請求項１８】前記遠紫外線が波長が８から２０ｎｍ
の範囲、特に９から１６ｎｍの範囲の波長を有する放射
線からなることを特徴とする請求項１から１７までのい
ずれか１項に記載の照射源。
【請求項１９】マスクのマスクパターンを基板上に像
形成する平板投影装置において、遠紫外線を発生させるように構成配置された照射源と、前記遠紫外線を受取り、前記遠紫外線の投影ビームを供
給するように構成配置された照明系と、所望のパターンに従って放射線の投影ビームをパターン
化するように構成配置されたパターン化手段と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分上に像形成す
るように構成配置された投影系とを含み、照射源が請求項１から１８までのいずれか１項に記載の
ものであることを特徴とする平板投影装置。
【請求項２０】遠紫外線を発生させるように構成配置
された照射源と、前記遠紫外線を受取り、該遠紫外線の投影ビームを供給
するように構成配置された照明系と、前記放射線の投影ビームを所望のパターンにパターン化
するように構成配置されたパターン化手段と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン化されたビームを前記基板の目標部分上に像形
成するように構成配置された投影系とを含む平板印刷装
置を使用した素子の製造方法において、前記照射源を使用して放射線の投影ビームを提供する段
階と、放射線感応材料の層によって少なくとも部分的に被覆さ
れた基板を前記基板テーブルに提供する段階と、所望のパターンによる断面の投影ビームをパターン化す
る段階と、パターン化したビームを前記基板の前記目標部分上に像
形成する段階とを含み、前記照射源として請求項１から１９までのいずれか１項
に記載の照射源を使用することを特徴とする平板装置を
使用した素子の製造方法。
【請求項２１】請求項２０に記載の方法により製造さ
れた素子。