JP4516738B2 - リソグラフィー装置中の主要室ガスから光源ガスを分離する装置および方法 - Google Patents
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Description
一部の装置において、放電プラズマ光源を利用することによりEUV光を生じる。この種の光源はイオン化してプラズマを生じるガスまたはターゲット材料を使用する。例えばプラズマベース光源はキセノンのようなガスを使用することができる。引き続き放電によりプラズマが形成される。典型的にはEUV放射線は13〜14nmの範囲内であってもよい。他の装置において、レーザー励起プラズマ源からEUV放射線を製造する。レーザー励起プラズマ源において、材料(例えばキセノン、クラスターキセノン、水滴、氷粒子、リチウム、錫蒸気等)のジェットをノズルから噴出することができる。レーザーはノズルから一定の距離をおいて配置され、パルスを放射し、パルスがジェットを放射し、ジェットがプラズマを生じる。引き続きこのプラズマがEUV放射線を放射する。
(a)第1ガスを用いて光を製造する工程、
(b)第2ガスを用いて光学部品を処理する工程、および
(c)第1ガスと第2ガスの間を流れる第3ガスを用いて第2ガスから第1ガスを分離する工程
からなる方法を提供する。
Claims (13)
- イオン化されてプラズマを形成する第1ガスにもとづく極端紫外線を放射する部品を有する第1室、
方法を実施するために放射した光を使用し、かつ第2ガスを有する第2室、
前記第1ガスと前記第2ガスを結合するガスロック、および
前記ガスロック中で前記第2ガスから前記第1ガスを分離するために、前記ガスロック中の前記第1ガスと前記第2ガスの間に第3ガスを供給するガス源
を有しており、
前記第3ガスは、前記ガスロックから前記第1のガスを前記第1室へ移動させ、かつ、前記ガスロックから前記第2のガスを前記第2室へ移動させる、
装置。 - 前記第1ガスがキセノン、リチウム蒸気、錫、クリプトンおよび水蒸気からなる群から選択される請求項1記載の装置。
- 前記第2ガスがヘリウム、アルゴン、水素および窒素からなる群から選択される請求項1または2記載の装置。
- 前記第3ガスがヘリウム、ネオンおよび窒素からなる群から選択される請求項1〜3のいずれか1項記載の装置。
- 更に、
前記第1室から前記第1ガスおよび前記第3ガスを供給するポンプ、および
前記第1ガスを再利用して放射した光を形成するために、前記第3ガスから前記第1ガスを分離する再生装置
を有する請求項1〜4のいずれか1項記載の装置。 - 前記ポンプおよび前記再生装置が前記第1室の外部に配置されている請求項5記載の装置。
- 前記第1室がプラズマ光源を収容する請求項1〜6のいずれか1項記載の装置。
- (a)イオン化されてプラズマを形成する第1ガスを用いて極端紫外線を製造する工程、
(b)第2ガスを用いて光学部品を処理する工程、および
(c)前記第1ガスと前記第2ガスの間を流れる第3ガスを用いて前記第2ガスから前記第1ガスを分離する工程
からなり、
前記処理工程(c)においては、前記第3ガスを用いて前記第1ガスを前記処理工程(a)へ移動させ、かつ、前記第3ガスを用いて前記第2ガスを前記処理工程(b)へ移動させる、
方法。 - 前記第1ガスがキセノン、リチウム蒸気、錫、クリプトンおよび水蒸気からなる群から選択される請求項8記載の方法。
- 前記第2ガスがヘリウム、アルゴン、水素および窒素からなる群から選択される請求項8または9記載の方法。
- 前記第3ガスがヘリウム、ネオンおよび窒素からなる群から選択される請求項8〜10のいずれか1項記載の方法。
- 更に前記第3ガスから前記第1ガスを分離し、前記第1ガスを循環することからなる請求項8〜11のいずれか1項記載の方法。
- 前記処理工程(b)が、前記光学部品の汚染を減少する、または、前記光学部品を保護する請求項8〜12のいずれか1項記載の方法。
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