JPS63292553A - X線発生装置におけるプラズマ飛散防止機構 - Google Patents
X線発生装置におけるプラズマ飛散防止機構Info
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- JPS63292553A JPS63292553A JP62129042A JP12904287A JPS63292553A JP S63292553 A JPS63292553 A JP S63292553A JP 62129042 A JP62129042 A JP 62129042A JP 12904287 A JP12904287 A JP 12904287A JP S63292553 A JPS63292553 A JP S63292553A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はレーザX線源等の、物質のプラズマ化により発
生するX線を、被照射物に照射する装置において、プラ
ズマの好ましくない飛散を防止する機構に関する。
生するX線を、被照射物に照射する装置において、プラ
ズマの好ましくない飛散を防止する機構に関する。
〈従来の技術〉
例えばレーザX線源においては、ターゲット材料をレー
ザ照射した際に発生するプラズマ飛散物の処理が大きな
問題となる。この飛散物をX線被照射物に到達させない
ために、従来、高速回転シャッタを用いた防止機構、磁
場印加による防止機構、あるいはチェンバ内へのヘリウ
ムガス充填による防止機構等が提案されている。
ザ照射した際に発生するプラズマ飛散物の処理が大きな
問題となる。この飛散物をX線被照射物に到達させない
ために、従来、高速回転シャッタを用いた防止機構、磁
場印加による防止機構、あるいはチェンバ内へのヘリウ
ムガス充填による防止機構等が提案されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
高速回転シャッタを用いた機構は、ターゲットとX線被
照射物との間に高速度で回転するシャッタを介在させ、
X線発生と飛散物の飛散との時間差を利用して、飛散物
の飛散をシャッタで阻止する機構であるが、この機構は
、シャッタの回転タイミングを取るのが困難で、また、
X線発生装置内部に高速駆動機構を配設する必要がある
ため、振動発生の問題や補修に関しての問題がある。
照射物との間に高速度で回転するシャッタを介在させ、
X線発生と飛散物の飛散との時間差を利用して、飛散物
の飛散をシャッタで阻止する機構であるが、この機構は
、シャッタの回転タイミングを取るのが困難で、また、
X線発生装置内部に高速駆動機構を配設する必要がある
ため、振動発生の問題や補修に関しての問題がある。
永久磁石等の磁場印加による防止機構は、イオン化物や
電子に対しては有効であるが、飛散物の一部は中性粒子
であるため、この飛散を阻止することができないという
欠点がある。
電子に対しては有効であるが、飛散物の一部は中性粒子
であるため、この飛散を阻止することができないという
欠点がある。
ヘリウムガスのチェンバ内への充填による防止機構は、
単にヘリウムガスを充填することで、飛散物がヘリウム
原子に衝突して熱化し、減速されるという大きな飛散防
止効果が得られ、有望な手法であるが、この衝突により
阻止された飛散物も、そのままではヘリウムガス中に浮
遊し、最終的にはチェンバ内壁面等に付着してしまう。
単にヘリウムガスを充填することで、飛散物がヘリウム
原子に衝突して熱化し、減速されるという大きな飛散防
止効果が得られ、有望な手法であるが、この衝突により
阻止された飛散物も、そのままではヘリウムガス中に浮
遊し、最終的にはチェンバ内壁面等に付着してしまう。
これを防止するために、例えば第3図に示すような機構
が提案されている。この機構においては、レーザ光を照
射すべきターゲット31を収容するターゲットチェンバ
32と、このターゲットチェンバ32にスリット33を
介して連通ずるX線照射チェンバ34内にヘリウムガス
をそれぞれの圧力で充填し、かつ、真空ポンプ35によ
りターゲットチェンバ32側からヘリウムガスを差動排
気することにより、X線照射チェンバ34からスリット
33を介してターゲットチェンバ32へと向かうヘリウ
ムガス流を作って浮遊飛散物を排除している。
が提案されている。この機構においては、レーザ光を照
射すべきターゲット31を収容するターゲットチェンバ
32と、このターゲットチェンバ32にスリット33を
介して連通ずるX線照射チェンバ34内にヘリウムガス
をそれぞれの圧力で充填し、かつ、真空ポンプ35によ
りターゲットチェンバ32側からヘリウムガスを差動排
気することにより、X線照射チェンバ34からスリット
33を介してターゲットチェンバ32へと向かうヘリウ
ムガス流を作って浮遊飛散物を排除している。
しかし、この機構によれば、ヘリウムガス流によってX
線被照射物たるX線マスク36やウェハ37等に振動や
流体圧が作用し、悪影響を与える場合がある。
線被照射物たるX線マスク36やウェハ37等に振動や
流体圧が作用し、悪影響を与える場合がある。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、ヘリウムガス充
填によるプラズマ飛散防止機構を基本とし、X線被照射
物に悪影響を与えることなく浮遊飛散物を除去し得ると
ともに、ヘリウムガスによる飛散防止効果をも増大し得
る、プラズマ飛散防止機構の提供を目的としている。
填によるプラズマ飛散防止機構を基本とし、X線被照射
物に悪影響を与えることなく浮遊飛散物を除去し得ると
ともに、ヘリウムガスによる飛散防止効果をも増大し得
る、プラズマ飛散防止機構の提供を目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための構成を、実施例に対応する
第1図を参照しつつ説明すると、本発明は、ターゲット
チェンバ2内のターゲット1をプラズマ化することによ
って発生するX線を、X線照射チェンバ3内の被照射物
(4,5)に照射する装置において、ターゲットチェン
バ2およびX線照射チェンバ3内にそれぞれヘリウムガ
スを充填するとともに、ターゲット1と被照射物(4,
5)との間を横切る方向にヘリウムガス流Fを形成する
手段(循環ポンプ6、噴出パイプ7、吸引パイプ8等)
を備えたことによって、特徴づけられる。
第1図を参照しつつ説明すると、本発明は、ターゲット
チェンバ2内のターゲット1をプラズマ化することによ
って発生するX線を、X線照射チェンバ3内の被照射物
(4,5)に照射する装置において、ターゲットチェン
バ2およびX線照射チェンバ3内にそれぞれヘリウムガ
スを充填するとともに、ターゲット1と被照射物(4,
5)との間を横切る方向にヘリウムガス流Fを形成する
手段(循環ポンプ6、噴出パイプ7、吸引パイプ8等)
を備えたことによって、特徴づけられる。
〈作用〉
ターゲット1からの飛散物は、まず、ターゲットチェン
バ2内のヘリウム原子に衝突して減速されるが、これを
通過して被照射物側へ飛散する飛散物、および浮遊飛散
物は、ヘリウムガス流Fにより押し流され、X線照射チ
ェンバ3内への侵入が阻止される。ここで、ヘリウムガ
ス流Fのエアカーテン機能により、ターゲットチェンバ
2例の圧力がX線照射チェンバ3側の圧力よりも低くて
も、X線照射チェンバ3側からターゲットチェンバ2側
へのヘリウムガスの急激な流入が阻止される結果、X線
照射チェンバ3内のヘリウムガスは安定し、被照射物4
.5に振動等の悪影響を与えることがない。
バ2内のヘリウム原子に衝突して減速されるが、これを
通過して被照射物側へ飛散する飛散物、および浮遊飛散
物は、ヘリウムガス流Fにより押し流され、X線照射チ
ェンバ3内への侵入が阻止される。ここで、ヘリウムガ
ス流Fのエアカーテン機能により、ターゲットチェンバ
2例の圧力がX線照射チェンバ3側の圧力よりも低くて
も、X線照射チェンバ3側からターゲットチェンバ2側
へのヘリウムガスの急激な流入が阻止される結果、X線
照射チェンバ3内のヘリウムガスは安定し、被照射物4
.5に振動等の悪影響を与えることがない。
〈実施例〉
本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第1図はレーザX線源を用いたX線露光装置に本発明を
適用した場合の実施例の構成を示す図である。
適用した場合の実施例の構成を示す図である。
5一
回転ターゲット1を収容するターゲットチェンバ2の側
壁には集光レンズ13が装着されており、この集光レン
ズ13を介して、ターゲットチェンバ2内に入射するレ
ーザ光は、回転ターゲット1の表面所定箇所に集光され
る。このターゲットチェンバ2の底面には、X線を通過
させるためのスリット14が形成されている。
壁には集光レンズ13が装着されており、この集光レン
ズ13を介して、ターゲットチェンバ2内に入射するレ
ーザ光は、回転ターゲット1の表面所定箇所に集光され
る。このターゲットチェンバ2の底面には、X線を通過
させるためのスリット14が形成されている。
ターゲットチェンバ2の下方には、X線被照射物、この
例ではX線マスク4とウェハ5、を収容するX線照射チ
ェンバ3が配設されており、このX線照射チェンバ3の
上面には、上述のスリット14と同軸上のスリット15
が形成されている。
例ではX線マスク4とウェハ5、を収容するX線照射チ
ェンバ3が配設されており、このX線照射チェンバ3の
上面には、上述のスリット14と同軸上のスリット15
が形成されている。
スリット14および15を介して互いに連通ずるターゲ
ットチェンバ2およびX線照射チェンバ3の内部には、
それぞれヘリウムガスが充填されるが、ターゲットチェ
ンバ2は真空ポンプ10によるパイプ11を介しての排
気により、その内部圧力は100Torr以下程度の所
定圧力に保持され、また、X線照射チェンバ3内の圧力
はそれよりも高い100〜760Torr程度に設定さ
れている。
ットチェンバ2およびX線照射チェンバ3の内部には、
それぞれヘリウムガスが充填されるが、ターゲットチェ
ンバ2は真空ポンプ10によるパイプ11を介しての排
気により、その内部圧力は100Torr以下程度の所
定圧力に保持され、また、X線照射チェンバ3内の圧力
はそれよりも高い100〜760Torr程度に設定さ
れている。
ターゲットチェンバ2の底面とX線照射チェンバ3の上
面との間には、循環ポンプ6の吐出口に連通し、その先
端がスリット14.15の近傍にまで伸びて開口するヘ
リウムガス噴出パイプ7と、同じく循環ポンプ6の吸入
口に連通し、その先端がスリン1−14.15の近傍に
まで伸びて開口するヘリウムガス吸引パイプ8が配設さ
れている。
面との間には、循環ポンプ6の吐出口に連通し、その先
端がスリット14.15の近傍にまで伸びて開口するヘ
リウムガス噴出パイプ7と、同じく循環ポンプ6の吸入
口に連通し、その先端がスリン1−14.15の近傍に
まで伸びて開口するヘリウムガス吸引パイプ8が配設さ
れている。
このヘリウムガス吸引パイプ8は循環ポンプ6の手前で
、真空ポンプ10の吐出口に連通ずるパイプ12と合流
しており、その合流点と循環ポンプ6との間にはフィル
タ9が配設されている。
、真空ポンプ10の吐出口に連通ずるパイプ12と合流
しており、その合流点と循環ポンプ6との間にはフィル
タ9が配設されている。
ヘリウムガス噴出パイプ7および吸引パイプ8の先端開
口部は、第2図に第1図A矢視拡大図を示すように、ス
リット14と15の中心を結ぶ軸線に直交する向きに互
いに対向しており、循環ポンプ6の駆動によって、スリ
ット14と15との間を横切る方向に高速のヘリウムガ
ス流Fを形成することができる。なお、ヘリウムガス噴
出パイプ7および吸引パイプ8の対向する先端開口部に
近接して、第2図に示すようなじゃま板16a。
口部は、第2図に第1図A矢視拡大図を示すように、ス
リット14と15の中心を結ぶ軸線に直交する向きに互
いに対向しており、循環ポンプ6の駆動によって、スリ
ット14と15との間を横切る方向に高速のヘリウムガ
ス流Fを形成することができる。なお、ヘリウムガス噴
出パイプ7および吸引パイプ8の対向する先端開口部に
近接して、第2図に示すようなじゃま板16a。
16bを設けることにより、噴出パイプ7からのヘリウ
ムガスがスムーズに吸引パイプ8に吸引され、高速のヘ
リウムガス流Fの形成を助勢することができる。
ムガスがスムーズに吸引パイプ8に吸引され、高速のヘ
リウムガス流Fの形成を助勢することができる。
次に作用を述べる。レーザ光が照射された回転ターゲッ
ト1は、レーザパワーに応じた量が蒸発・プラズマ化し
、X線を発生すると同時に飛散物を発散する。これらの
飛散物は当初高エネルギを有しているが、一般に、ヘリ
ウムガス数百Torr−cm通過によってほとんど熱化
して減速されるから、ターゲットチェンバ2内でほとん
どのものが減速される。
ト1は、レーザパワーに応じた量が蒸発・プラズマ化し
、X線を発生すると同時に飛散物を発散する。これらの
飛散物は当初高エネルギを有しているが、一般に、ヘリ
ウムガス数百Torr−cm通過によってほとんど熱化
して減速されるから、ターゲットチェンバ2内でほとん
どのものが減速される。
被照射物へ向かうX線および減速された飛散物は、スリ
ット14を通過してヘリウムガス流Fに達するが、X線
はこれを通過してスリット15を介してX線マスク4お
よびウェハ5に到達し、飛散物もしくは浮遊飛散物はヘ
リウムガス流Fによって押しやられ、ヘリウムガス吸引
パイプ8にその大部分が吸引される。
ット14を通過してヘリウムガス流Fに達するが、X線
はこれを通過してスリット15を介してX線マスク4お
よびウェハ5に到達し、飛散物もしくは浮遊飛散物はヘ
リウムガス流Fによって押しやられ、ヘリウムガス吸引
パイプ8にその大部分が吸引される。
ターゲットチェンバ2内はX線照射チェンバ3に対して
低圧となっており、スリット14を通ってターゲットチ
ェンバ2内へ流入する若干のヘリウムガス流が存在する
が、このガス流によって飛散物のX線照射チェンバ3へ
の飛散が更に阻止される。
低圧となっており、スリット14を通ってターゲットチ
ェンバ2内へ流入する若干のヘリウムガス流が存在する
が、このガス流によって飛散物のX線照射チェンバ3へ
の飛散が更に阻止される。
スリット14と15との間のヘリウムガス流は、上述し
た飛散防止機能を有すると同時にエアカーテンとしてし
の機能を有し、X線照射チェンバ3からターゲットチェ
ンバ2へのヘリウムガスの急激な流入を阻止する。この
ことによって、X線照射チェンバ3内のヘリウムガスは
安定化し、ガス流による被照射物、特にX線マスク4へ
の影響が生じない。
た飛散防止機能を有すると同時にエアカーテンとしてし
の機能を有し、X線照射チェンバ3からターゲットチェ
ンバ2へのヘリウムガスの急激な流入を阻止する。この
ことによって、X線照射チェンバ3内のヘリウムガスは
安定化し、ガス流による被照射物、特にX線マスク4へ
の影響が生じない。
ターゲットチェンバ2内のヘリウムガスは、被照射物へ
と向かう飛散物を阻止すると同時に、レーザ光入射ウィ
ンド(集光レンズ13)への飛散物の飛散を防止し、そ
の汚れを防ぐ効果も持つ。
と向かう飛散物を阻止すると同時に、レーザ光入射ウィ
ンド(集光レンズ13)への飛散物の飛散を防止し、そ
の汚れを防ぐ効果も持つ。
X線照射チェンバ3内のヘリウムガスは、ヘリウムガス
流Fを横断してくるわずかな飛散物の被照射物への到達
を防止すると同時に、X線照射により加熱されるX線マ
スク4の冷却剤としての機能を有している。
流Fを横断してくるわずかな飛散物の被照射物への到達
を防止すると同時に、X線照射により加熱されるX線マ
スク4の冷却剤としての機能を有している。
ヘリウムガス吸引パイプ8に吸引された飛散物、および
ターゲットチェンバ2内から真空ポンプ10により吸引
された、浮遊飛散物は、フィルタ9によってトラップさ
れる。
ターゲットチェンバ2内から真空ポンプ10により吸引
された、浮遊飛散物は、フィルタ9によってトラップさ
れる。
なお、ターゲットチェンバ2内へのガス充填の、レーザ
光に対する影響として、レーザ光の電界による放電が考
えられるが、ここで使用されるレーザパワー密度、10
”W/cm2以下、ではヘリウムガスを使用する限り問
題にはならない。また、ヘリウムガスによる軟X線の吸
収も、500eV以上のX線ではほとんど問題にはなら
ない。
光に対する影響として、レーザ光の電界による放電が考
えられるが、ここで使用されるレーザパワー密度、10
”W/cm2以下、ではヘリウムガスを使用する限り問
題にはならない。また、ヘリウムガスによる軟X線の吸
収も、500eV以上のX線ではほとんど問題にはなら
ない。
本発明は以上の実施例のようなレーザX線源だけでなく
、ガス中放電を利用したガスパフ型(あるいは2ピンチ
型等)のプラズマX線源に対しても適用可能である。こ
の種のX線源の場合、飛散物は放電用電極より発生し、
被照射物との間に存在するベリリウム隔壁を汚染してX
線量を減少させる等の悪影響を与える。このような装置
におい一1〇− ては、放電電極間は通常10−3〜10−’Torrの
真空に保つ必要があるため、通常のヘリウムガス充填を
行うことは困難であるが、上述の実施例と同様にヘリウ
ムガス流によるエアカーテン効果を利用し、差動排気を
行うことによって、ヘリウムガス充填が可能となる。こ
のようにしてヘリウムガス充填を行うことにより、放電
電極からの飛散物を阻止することができると同時に、更
に進んでX線量減少の原因となるベリリウム隔壁を撤去
することも可能となる。
、ガス中放電を利用したガスパフ型(あるいは2ピンチ
型等)のプラズマX線源に対しても適用可能である。こ
の種のX線源の場合、飛散物は放電用電極より発生し、
被照射物との間に存在するベリリウム隔壁を汚染してX
線量を減少させる等の悪影響を与える。このような装置
におい一1〇− ては、放電電極間は通常10−3〜10−’Torrの
真空に保つ必要があるため、通常のヘリウムガス充填を
行うことは困難であるが、上述の実施例と同様にヘリウ
ムガス流によるエアカーテン効果を利用し、差動排気を
行うことによって、ヘリウムガス充填が可能となる。こ
のようにしてヘリウムガス充填を行うことにより、放電
電極からの飛散物を阻止することができると同時に、更
に進んでX線量減少の原因となるベリリウム隔壁を撤去
することも可能となる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、ターゲットチェ
ンバおよびX線照射チェンバ内にそれぞれヘリウムガス
を充填するとともに、ターゲットとX線被照射物との間
を横切るヘリウムガス流Fを形成したことにより、X線
発生と同時に発生するターゲットからの飛散物はヘリウ
ム原子によって減速されるとともに、ヘリウムガス流F
によってX線被照射物への到達が積極的に阻止される。
ンバおよびX線照射チェンバ内にそれぞれヘリウムガス
を充填するとともに、ターゲットとX線被照射物との間
を横切るヘリウムガス流Fを形成したことにより、X線
発生と同時に発生するターゲットからの飛散物はヘリウ
ム原子によって減速されるとともに、ヘリウムガス流F
によってX線被照射物への到達が積極的に阻止される。
また、このヘリウムガス流Fのエアカーテン効果により
、X線照射チェンバ内に、被照射物に悪影響を与える可
能性のある大きなガス流の発生が阻止される。
、X線照射チェンバ内に、被照射物に悪影響を与える可
能性のある大きなガス流の発生が阻止される。
また、従来のヘリウムガス充填による飛散防止機構のよ
うに、ターゲットチェンバ内とX線照射チェンバ内とを
単純に差動排気しないので、各チェンバ内の充填ガス圧
力を個々に設定することが可能となり、それぞれの最適
調整が容易となるという効果もある。
うに、ターゲットチェンバ内とX線照射チェンバ内とを
単純に差動排気しないので、各チェンバ内の充填ガス圧
力を個々に設定することが可能となり、それぞれの最適
調整が容易となるという効果もある。
第1図は本発明実施例の構成を示す図、第2図はその人
矢視拡大図、 第3図は従来のヘリウムガス充填によるプラズマ飛散防
止機構の説明図である。 1・・・回転ターゲット 2・・・ターゲットチェンバ 3・・・X線照射チェンバ 4・・・X線マスク 5・・・ウェハ 6・・・循環ポンプ 7・・・ヘリウムガス噴出パイプ 8・・・ヘリウムガス吸引パイプ 10・・・真空ポンプ 14.15・・・スリット 特許出願人 株式会社島津製作所工業技術院
電子技術総合研究所 代 理 人 弁理士 西1)新第1図 第2図
矢視拡大図、 第3図は従来のヘリウムガス充填によるプラズマ飛散防
止機構の説明図である。 1・・・回転ターゲット 2・・・ターゲットチェンバ 3・・・X線照射チェンバ 4・・・X線マスク 5・・・ウェハ 6・・・循環ポンプ 7・・・ヘリウムガス噴出パイプ 8・・・ヘリウムガス吸引パイプ 10・・・真空ポンプ 14.15・・・スリット 特許出願人 株式会社島津製作所工業技術院
電子技術総合研究所 代 理 人 弁理士 西1)新第1図 第2図
Claims (1)
- ターゲットチェンバ内のターゲットをプラズマ化するこ
とによって発生するX線を、X線照射チェンバ内の被照
射物に照射する装置において、上記ターゲットチェンバ
およびX線照射チェンバ内にそれぞれヘリウムガスを充
填するるとともに、上記ターゲットと被照射物との間を
横切る方向にヘリウムガス流を形成する手段を備えたこ
とを特徴とする、X線発生装置におけるプラズマ飛散防
止機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62129042A JPS63292553A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | X線発生装置におけるプラズマ飛散防止機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62129042A JPS63292553A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | X線発生装置におけるプラズマ飛散防止機構 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63292553A true JPS63292553A (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14999656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62129042A Pending JPS63292553A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | X線発生装置におけるプラズマ飛散防止機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63292553A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0837095A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JPH09320792A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Nikon Corp | X線発生装置 |
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