JPS61179046A - Ｘ線リソグラフ装置 - Google Patents
Ｘ線リソグラフ装置Info
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- JPS61179046A JPS61179046A JP60250556A JP25055685A JPS61179046A JP S61179046 A JPS61179046 A JP S61179046A JP 60250556 A JP60250556 A JP 60250556A JP 25055685 A JP25055685 A JP 25055685A JP S61179046 A JPS61179046 A JP S61179046A
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- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
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- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線リソグラフ機械、とりわけ、適当な標的
に高出力のレーザ光線の焦点を合わせて作られたプラズ
マから、ソフトＸ線を発生するＸ線リングラフ機械に係
る。
に高出力のレーザ光線の焦点を合わせて作られたプラズ
マから、ソフトＸ線を発生するＸ線リングラフ機械に係
る。
（従来の技術）
従来の集積回路チップは、フォトリソグラフとして知ら
れている技術を用いて製作されている。
れている技術を用いて製作されている。
フォトリソグラフ装置では特定の波長を持つ紫外線がマ
スクを介して半導体ウェハに供給されている。この半導
体ウェハには、フォトレジストとして周知のコンパウン
ドが被覆されている。マスクはフォトレジストの特定の
部分に光が当たるのを阻止する一方で、その他の部分に
光を当てることができるように作用する。光がフォトレ
ジストに当たっている部分では、フォトレジストは露光
される。周知の技術を用いて、露光されているかまたは
露光されていないフォトレジストを取り除くことができ
る。露光したフォトレジストを取り除けば、半導体ウェ
ハ上にパターンを残すことができる。その後、ドーピン
グ材料を使用して露出した半導体材料をインブラント処
理して、ＰまたはＮ領域を形成することができる。ある
いはオキサイド層または金属層を周知の方法で付着させ
ることもできる。マスクを通して半導体ウェハに光を当
てる技術が、半導体装置を製作する方法において一般的
に重要な工程となっている。マーチン・イー・り一氏（
Ｈａｒｔｉｎ Ｅ、 Ｌｅｅ ）名義の（フォトリソグ
ラフの技術に関する追加情報）“半導体ウェハのダイス
上に一連の画像を投影するための装置″の題名の付いた
米国特許 第４．４４４．４９２号を参考にできる。
スクを介して半導体ウェハに供給されている。この半導
体ウェハには、フォトレジストとして周知のコンパウン
ドが被覆されている。マスクはフォトレジストの特定の
部分に光が当たるのを阻止する一方で、その他の部分に
光を当てることができるように作用する。光がフォトレ
ジストに当たっている部分では、フォトレジストは露光
される。周知の技術を用いて、露光されているかまたは
露光されていないフォトレジストを取り除くことができ
る。露光したフォトレジストを取り除けば、半導体ウェ
ハ上にパターンを残すことができる。その後、ドーピン
グ材料を使用して露出した半導体材料をインブラント処
理して、ＰまたはＮ領域を形成することができる。ある
いはオキサイド層または金属層を周知の方法で付着させ
ることもできる。マスクを通して半導体ウェハに光を当
てる技術が、半導体装置を製作する方法において一般的
に重要な工程となっている。マーチン・イー・り一氏（
Ｈａｒｔｉｎ Ｅ、 Ｌｅｅ ）名義の（フォトリソグ
ラフの技術に関する追加情報）“半導体ウェハのダイス
上に一連の画像を投影するための装置″の題名の付いた
米国特許 第４．４４４．４９２号を参考にできる。
（発明が解決しようとする問題点）
半導体ウェハに形成することのできる配線の解像度並び
にサイズが、使用される光の波長により制限されること
はフォトリソグラフの分野において周知である。現代の
７オトリソグラフ技術は、フォトリソグラフ法で用いら
れる光の波長により、概ね１ミクロンまでの配線幅に制
限されている。
にサイズが、使用される光の波長により制限されること
はフォトリソグラフの分野において周知である。現代の
７オトリソグラフ技術は、フォトリソグラフ法で用いら
れる光の波長により、概ね１ミクロンまでの配線幅に制
限されている。
しかしチップはさらに高密度化してきており、チップ上
の配線幅をフォトリソグラフ技術で得られる１ミクロン
の実用上の限界よりも細くすることが望まれている。
の配線幅をフォトリソグラフ技術で得られる１ミクロン
の実用上の限界よりも細くすることが望まれている。
配線幅を細くする提案された１つの方法に、暴露放射線
として光取外にＸ線を用いる方法がある。
として光取外にＸ線を用いる方法がある。
よく知られているＸ線は、光よりも短い波長を備えてい
る。例えばヘンリー・アイ・スミス氏その他（Ｈｅｎｒ
ｙ １． Ｓｍ１ｔｈ ｅｔ ａ！＞名義の米国特許第
３．７４３．８４２号はソフトＸ線（２から２０オング
ストロームの波長）を用いることを提案している。この
ｘＩＩはＸ線用のマスクを通じて照射され、半導体装置
上のＸ線レジスト材料を暴露するようになっている。ソ
フトＸ線は、標的上に電子ビームを衝突させることによ
り作り出される。しかしながら、スミス氏その他の米国
特許第３．７４３．８４２号で提案されたＸ線発生手段
では不充分なＸ線しか得られず、結果的にＸ線レジスト
を暴露するのに１０分またはそれ以上の時間を必要とす
る。こうした状況の下では、スミス氏その他の説明に係
る装置を用いて生産施設内でＸ線レジスト材料を暴露す
ることは困難である。
る。例えばヘンリー・アイ・スミス氏その他（Ｈｅｎｒ
ｙ １． Ｓｍ１ｔｈ ｅｔ ａ！＞名義の米国特許第
３．７４３．８４２号はソフトＸ線（２から２０オング
ストロームの波長）を用いることを提案している。この
ｘＩＩはＸ線用のマスクを通じて照射され、半導体装置
上のＸ線レジスト材料を暴露するようになっている。ソ
フトＸ線は、標的上に電子ビームを衝突させることによ
り作り出される。しかしながら、スミス氏その他の米国
特許第３．７４３．８４２号で提案されたＸ線発生手段
では不充分なＸ線しか得られず、結果的にＸ線レジスト
を暴露するのに１０分またはそれ以上の時間を必要とす
る。こうした状況の下では、スミス氏その他の説明に係
る装置を用いて生産施設内でＸ線レジスト材料を暴露す
ることは困難である。
こうした生産施設では、暴露時間は１０秒かそれ以下で
行なう必要がある。
行なう必要がある。
Ｘ線真空管に関する前述した問題点を克服する１つの技
術が、ナゲル氏その他（Ｎａａｅｌ ｅｔ ａｌ ）名
義の米国特許第４．１８４．０７８号に提案されている
。この特許に記載されているＸ線リングラフ装置では、
例えばアルミニウム等の標的材料に高出力レーザパルス
の焦点を合わせてソフトＸ線放出プラズマが形成され、
その結果、レーザが標的に衝突する地点にプラズマを形
成するようになっている。プラズマは、標的材料に見合
う狭い帯域のソフトＸ線を放出する。レーザパルスに充
分な出力があれば、非常に短い時間（例えば数１０ｖ１
分の１秒）で暴露を行なえる強力なＸ線を発生させるこ
とができる。
術が、ナゲル氏その他（Ｎａａｅｌ ｅｔ ａｌ ）名
義の米国特許第４．１８４．０７８号に提案されている
。この特許に記載されているＸ線リングラフ装置では、
例えばアルミニウム等の標的材料に高出力レーザパルス
の焦点を合わせてソフトＸ線放出プラズマが形成され、
その結果、レーザが標的に衝突する地点にプラズマを形
成するようになっている。プラズマは、標的材料に見合
う狭い帯域のソフトＸ線を放出する。レーザパルスに充
分な出力があれば、非常に短い時間（例えば数１０ｖ１
分の１秒）で暴露を行なえる強力なＸ線を発生させるこ
とができる。
ナゲル氏その他の特許に記載されているように、必要な
プラズマを作り出してＸ線を発生させるためには、標的
を減圧した室の内部に置かなければならない。例えば、
標的を収めている室の内部の圧力はｏ、ｏｉトル以下に
する必要がある。ナゲル氏その他の特許に記載されてい
るようにマスクとＸ線レジスト被覆半導体ウェハとを減
圧された室内に配置して、これらをＸ線に暴露すること
ができる。こうした作業を行なうために、従来の真空室
はＸ線を吸収する材料から作られている。従って、スミ
ス氏名義の米国特許 第３．７４３．８４２号に提案されているようにＸ線の
透過する窓を室に設けていない限り、室の外側に配置し
たマスクとＸ線レジスト被覆ウェハにＸ線が届くのを室
自体が遮断することになる。
プラズマを作り出してＸ線を発生させるためには、標的
を減圧した室の内部に置かなければならない。例えば、
標的を収めている室の内部の圧力はｏ、ｏｉトル以下に
する必要がある。ナゲル氏その他の特許に記載されてい
るようにマスクとＸ線レジスト被覆半導体ウェハとを減
圧された室内に配置して、これらをＸ線に暴露すること
ができる。こうした作業を行なうために、従来の真空室
はＸ線を吸収する材料から作られている。従って、スミ
ス氏名義の米国特許 第３．７４３．８４２号に提案されているようにＸ線の
透過する窓を室に設けていない限り、室の外側に配置し
たマスクとＸ線レジスト被覆ウェハにＸ線が届くのを室
自体が遮断することになる。
ナゲル氏その他の特許に記載された構造に付随する別の
問題点には、標的上にレーザ光線の焦点を合わせてプラ
ズマを形成する場合に、ある程度の量の残渣が発生する
ことがある。ナゲル氏その他はこの問題点を認めて、マ
スク上で動かすマイラーシートを用い、残渣を遮断する
ことを試みている。しかしながら、残渣は室全体に散ら
ばるため、マスクに付着して当該マスクのＸ線透過開口
部を介して残渣粒子の影が投影され、後続の暴露工程時
に悪影響を及ぼすことがある。
問題点には、標的上にレーザ光線の焦点を合わせてプラ
ズマを形成する場合に、ある程度の量の残渣が発生する
ことがある。ナゲル氏その他はこの問題点を認めて、マ
スク上で動かすマイラーシートを用い、残渣を遮断する
ことを試みている。しかしながら、残渣は室全体に散ら
ばるため、マスクに付着して当該マスクのＸ線透過開口
部を介して残渣粒子の影が投影され、後続の暴露工程時
に悪影響を及ぼすことがある。
スミス氏その他の特許やナゲル氏その他の特許に提案さ
れているこれら従来技術に共通したその他の問題点には
、マスク、とりわけＸ線の透過を遮断するように構成さ
れたマスクの区域で吸収されるこれら照射されたＸ線が
、マスクの温度を上昇させることがある。マスクの温度
が上昇すると、マスクは変形することがあり、マスクと
既に半導体ウェハ上に形成されている加工途中の露出パ
ターンとの間で不整合やあるいはその他のゆがみの原因
となることがある。マスクは一定の温度に保つことが望
ましいことから、Ｘ線レジスト被覆ウェハに衝突するＸ
線を制御できるようにすることが望まれている。
れているこれら従来技術に共通したその他の問題点には
、マスク、とりわけＸ線の透過を遮断するように構成さ
れたマスクの区域で吸収されるこれら照射されたＸ線が
、マスクの温度を上昇させることがある。マスクの温度
が上昇すると、マスクは変形することがあり、マスクと
既に半導体ウェハ上に形成されている加工途中の露出パ
ターンとの間で不整合やあるいはその他のゆがみの原因
となることがある。マスクは一定の温度に保つことが望
ましいことから、Ｘ線レジスト被覆ウェハに衝突するＸ
線を制御できるようにすることが望まれている。
本発明の１つの形態によれば、排気された室内にあるＸ
線の供給源と、Ｘ線が送られる物体と、供給源並びに物
体の間にあってＸ線の透過する限定的なガスの流れを形
成するための手段とを備えた装置が提供される。
線の供給源と、Ｘ線が送られる物体と、供給源並びに物
体の間にあってＸ線の透過する限定的なガスの流れを形
成するための手段とを備えた装置が提供される。
以下添付図面に沿って本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
（実施例）
第１図を参照する。Ｘ線リソグラフ装置１０が概略的に
示されている。Ｘ線１２は、標的１６に焦点を合わされ
るレーザ光線により作り出される。
示されている。Ｘ線１２は、標的１６に焦点を合わされ
るレーザ光線により作り出される。
標的１６は、当該標的１６にレーザ光線１４が衝突する
際、Ｘ線発生プラズマを作り出すある種の材料から構成
することができる。例えば標的１６は、８〜１５オング
ストロームのＸ線を発生する鉄等の金属から構成するこ
とができる。レーザ光線１４は、鏡２０に向けて高出力
レーザパルスを発射するレーザ発生機１８により作り出
される。
際、Ｘ線発生プラズマを作り出すある種の材料から構成
することができる。例えば標的１６は、８〜１５オング
ストロームのＸ線を発生する鉄等の金属から構成するこ
とができる。レーザ光線１４は、鏡２０に向けて高出力
レーザパルスを発射するレーザ発生機１８により作り出
される。
例えば、レーザ発生機１８から発射される各レーザパル
スは１０ジユールのエネルギを持つことができ、また１
〜１０ｎｓｅｃの範囲にパルス持続時間を設定すること
ができる。鏡２０はレンズ２２を通るようにレーザ光線
１４を反射する。前記レンズは、標的１６上の特定の地
点にレーザ光線１４の焦点を合わせる。レンズ２２は、
レーザ光線を標的１６の表面上で概ね４０〜８０ミクロ
ンの直径まで集中させる必要がある。レーザ光線１４の
焦点を標的１６に合わせた場合にプラズマが生じるよう
にするために、排気された室２４内に標的１６を入れる
必要がある。室２４は、真空ポンプ２６により室外に比
べて低圧に保たれている。室２４内の圧力は、例えば０
．１トル以下に保つことができる。
スは１０ジユールのエネルギを持つことができ、また１
〜１０ｎｓｅｃの範囲にパルス持続時間を設定すること
ができる。鏡２０はレンズ２２を通るようにレーザ光線
１４を反射する。前記レンズは、標的１６上の特定の地
点にレーザ光線１４の焦点を合わせる。レンズ２２は、
レーザ光線を標的１６の表面上で概ね４０〜８０ミクロ
ンの直径まで集中させる必要がある。レーザ光線１４の
焦点を標的１６に合わせた場合にプラズマが生じるよう
にするために、排気された室２４内に標的１６を入れる
必要がある。室２４は、真空ポンプ２６により室外に比
べて低圧に保たれている。室２４内の圧力は、例えば０
．１トル以下に保つことができる。
標的１６から生じたＸ線１２の少なくとも一部が、室２
４の底に作られたＸ線透過窓２８を通り抜ける。窓２８
は、充分な厚みのベリリウムフオイル等のＸ′ｍの透過
する材料から作ることができる。前記フォイルは、両側
の圧力差に耐えられる充分な強度を備えていなくてはな
らない。また、レンズ２２は室２４の壁に取り付けるこ
ともできる。その結果、レーザ発生機１８と鏡２０を室
２４の内部から遠く離すことができる。
４の底に作られたＸ線透過窓２８を通り抜ける。窓２８
は、充分な厚みのベリリウムフオイル等のＸ′ｍの透過
する材料から作ることができる。前記フォイルは、両側
の圧力差に耐えられる充分な強度を備えていなくてはな
らない。また、レンズ２２は室２４の壁に取り付けるこ
ともできる。その結果、レーザ発生機１８と鏡２０を室
２４の内部から遠く離すことができる。
窓２８を通り抜けるＸ線は、マスク３０および半導体ウ
ェハ３２等の物体に向けられる。マスク３０は、Ｘ線を
選択的に通して半導体装置３２上にパターンを形成する
、周知の装置である。装置３２には、Ｘ線に晒されるＸ
線レジスト材料３４の層が被覆されている。マスク３０
はフレーム３６を備え、このフレーム３６の内部にＸ線
透過薄Ｉｔ！３８が設置されている。ｌ膜３８には金等
のｘｉ吸収材料４０のパターンが取り付けられている。
ェハ３２等の物体に向けられる。マスク３０は、Ｘ線を
選択的に通して半導体装置３２上にパターンを形成する
、周知の装置である。装置３２には、Ｘ線に晒されるＸ
線レジスト材料３４の層が被覆されている。マスク３０
はフレーム３６を備え、このフレーム３６の内部にＸ線
透過薄Ｉｔ！３８が設置されている。ｌ膜３８には金等
のｘｉ吸収材料４０のパターンが取り付けられている。
このＸ線吸収材料はＸ線を遮断して、Ｘ線レジスト材料
３４がＸ線に晒されるのを阻止するようになっている。
３４がＸ線に晒されるのを阻止するようになっている。
Ｘ線に晒されたＸ線レジスト材料３４は、さらに、周知
の方法で処理されて半導体の集積回路を形成する。
の方法で処理されて半導体の集積回路を形成する。
マスク３０は固定位置に保持され、半導体装置３２が多
数の位置の間を移動し、箇々の区域をマスク３ｏを通る
Ｘ線に晒すことができる。ウェハ３２は、ウェハ取り扱
い装置４２により保持されている。この装置は、Ｉｌｌ
！ＭｌされていてＸＳｔに晒す必要のある箇々の区域の
間でウェハを動かすようになっている。そうしたウェハ
取り扱い装置の例が、リー氏（Ｌｅｅ）の名義の米国特
許第４．４４４．４９２号に詳しく説明されている。
数の位置の間を移動し、箇々の区域をマスク３ｏを通る
Ｘ線に晒すことができる。ウェハ３２は、ウェハ取り扱
い装置４２により保持されている。この装置は、Ｉｌｌ
！ＭｌされていてＸＳｔに晒す必要のある箇々の区域の
間でウェハを動かすようになっている。そうしたウェハ
取り扱い装置の例が、リー氏（Ｌｅｅ）の名義の米国特
許第４．４４４．４９２号に詳しく説明されている。
第２図を参照する。レーザ光線１４が標的１６に衝突す
ると、温度が摂氏１００万度以上になるため、標的１６
のこの部分は焼けてなくなっていく。この部分がプラズ
マ４４の区域となり、プラズマからはＸ線が放出される
。Ｘ線１２の他に、プラズマが冷却する際に微小粒子の
残渣４６が放出される。これら粒子４６は′Ｍ２８上に
落下してＸ線吸収材料として作用し、窓２８を通ってマ
スク３０に向かうＸ線の一部を遮断してしまう。ナゲル
氏その他（Ｎａｇｅｌ ｅｔ ａｌ ）の特許に示され
ているように、マスク３０を室２４内に配置すると、残
渣４６の粒子がマスク３０上に直接落下してしまい、粒
子が発熱してマスクを損傷し、しかもマスク３０により
作られるＸ［Ｉパターンを遮ってしまう結果となる。
ると、温度が摂氏１００万度以上になるため、標的１６
のこの部分は焼けてなくなっていく。この部分がプラズ
マ４４の区域となり、プラズマからはＸ線が放出される
。Ｘ線１２の他に、プラズマが冷却する際に微小粒子の
残渣４６が放出される。これら粒子４６は′Ｍ２８上に
落下してＸ線吸収材料として作用し、窓２８を通ってマ
スク３０に向かうＸ線の一部を遮断してしまう。ナゲル
氏その他（Ｎａｇｅｌ ｅｔ ａｌ ）の特許に示され
ているように、マスク３０を室２４内に配置すると、残
渣４６の粒子がマスク３０上に直接落下してしまい、粒
子が発熱してマスクを損傷し、しかもマスク３０により
作られるＸ［Ｉパターンを遮ってしまう結果となる。
第１図と第３図を参照する。コンプレッサ４８と捕集／
分離器ユニット５０が設置されて、窓２８を横切ってガ
ス膜５２が形成されるようになっている。ガス膜５２が
ノズル５４により形成される。ガス１１５２がノズル５
４により形成される。
分離器ユニット５０が設置されて、窓２８を横切ってガ
ス膜５２が形成されるようになっている。ガス膜５２が
ノズル５４により形成される。ガス１１５２がノズル５
４により形成される。
このノズルはコンプレッサ４８の一部分として構成する
ことができる。また捕集／分離器５０の一部分として構
成できる開口５６がガスを受け取り、捕集／分離器５０
内にこのガスを送り込むようになっている。第３図に見
られるように、ガス膜はマスク３０の薄ｗＡ３８を覆う
窓２８と少なくとも同じ程度の幅がある。
ことができる。また捕集／分離器５０の一部分として構
成できる開口５６がガスを受け取り、捕集／分離器５０
内にこのガスを送り込むようになっている。第３図に見
られるように、ガス膜はマスク３０の薄ｗＡ３８を覆う
窓２８と少なくとも同じ程度の幅がある。
排気された室の開口を横切ってガスの噴射膜を形成し、
排気された室の内側と外側の間の圧力差を一定に保つこ
とは従来技術から周知である。例えば、この技術は排気
された室からレーザ光線を作り出す際に広く用いられて
いる。ガス膜を用いてガスレーザ発生に必要な部分的な
負圧を保つ実例が、ケブラー氏その他（にｅＤＩｅｒ
ｅｔ ａｌ）の米国特許第３．９７３．２１８号とこの
特許に引用された引用例に示されている。
排気された室の内側と外側の間の圧力差を一定に保つこ
とは従来技術から周知である。例えば、この技術は排気
された室からレーザ光線を作り出す際に広く用いられて
いる。ガス膜を用いてガスレーザ発生に必要な部分的な
負圧を保つ実例が、ケブラー氏その他（にｅＤＩｅｒ
ｅｔ ａｌ）の米国特許第３．９７３．２１８号とこの
特許に引用された引用例に示されている。
残渣４６の粒子が標的１６から窓２８に向けて落下する
際、これらの残渣はガス膜５２により払い除かれる。捕
集／分離器５０はガスから粒子を分け、戻し通路５８を
通じてコンプレッサ４８の入力側にガスを送り返す。ガ
ス膜５２を形成するのに用いられる種類のガスは、実質
的にＸ線を通すガスである。空気、水素、ヘリウムや窒
素等の分子量の小さいガスは充分なＸ線の透過性を備え
ていて、Ｘ線がガスに吸収されることなく窓２８からマ
スク３０に供給される。ガス膜５２の厚みは、動き廻る
ほとんどの残渣粒子を遮ることができるように選択され
る。はとんどのガスは捕集／分離器５０に集められ、室
２４内の部分的な負圧が失われることがない。
際、これらの残渣はガス膜５２により払い除かれる。捕
集／分離器５０はガスから粒子を分け、戻し通路５８を
通じてコンプレッサ４８の入力側にガスを送り返す。ガ
ス膜５２を形成するのに用いられる種類のガスは、実質
的にＸ線を通すガスである。空気、水素、ヘリウムや窒
素等の分子量の小さいガスは充分なＸ線の透過性を備え
ていて、Ｘ線がガスに吸収されることなく窓２８からマ
スク３０に供給される。ガス膜５２の厚みは、動き廻る
ほとんどの残渣粒子を遮ることができるように選択され
る。はとんどのガスは捕集／分離器５０に集められ、室
２４内の部分的な負圧が失われることがない。
ノズル組立体５４の構造により、ガス流５２が層流状態
になる。この層流の流れは、ガス取り扱い装置全体を通
じて、また排気管が設けられている場合ではこの排気管
から外に残渣粒子を搬送する役割を果たす。噴射ガスか
ら残渣を分離するために、捕集／分離器５０が使われる
。この捕集／分離器はディフューザから構成されていて
、ガス流の流れを乱流に変化させ、残渣をディフューザ
下部に設けた捕集器に落下させるようになっている。
になる。この層流の流れは、ガス取り扱い装置全体を通
じて、また排気管が設けられている場合ではこの排気管
から外に残渣粒子を搬送する役割を果たす。噴射ガスか
ら残渣を分離するために、捕集／分離器５０が使われる
。この捕集／分離器はディフューザから構成されていて
、ガス流の流れを乱流に変化させ、残渣をディフューザ
下部に設けた捕集器に落下させるようになっている。
第４図を参照する。本発明の変更例が示されている。便
宜上、同じ作用をする同一の構成要素は、第１図とは異
なる位置に配置されている。第４図の例では１１１２０
が省略され、レーザ光線１４はレーザ源１８からレンズ
２２を通じて直接供給される。またレンズ２２は、例え
ば、底ではなく室２４の側部に設置されている。しかも
閉じられた窓２８は開いた窓６０に換えられている。こ
の開いた窓は、室２４の底から突き出たリップ６２によ
り形成されている。
宜上、同じ作用をする同一の構成要素は、第１図とは異
なる位置に配置されている。第４図の例では１１１２０
が省略され、レーザ光線１４はレーザ源１８からレンズ
２２を通じて直接供給される。またレンズ２２は、例え
ば、底ではなく室２４の側部に設置されている。しかも
閉じられた窓２８は開いた窓６０に換えられている。こ
の開いた窓は、室２４の底から突き出たリップ６２によ
り形成されている。
第４図に示すように、コンプレッサ４８から送り出され
るガス膜５２は開いた窓６０のリップ６２を横切って流
される。ガス膜５２は、ポンプ２６により作り出された
室２４内の負圧を一定に保つ働きをする。同時にガス膜
５２は、第１図から第３図の実施例で説明したように、
開いた窓６０を通して標的１６から落下してくる残渣粒
子４６を吹き飛ばすことができる。このようにガス膜５
２は、室２４内の負圧を一定に保ち、残渣粒子４６を吹
き飛ばす働きをする。
るガス膜５２は開いた窓６０のリップ６２を横切って流
される。ガス膜５２は、ポンプ２６により作り出された
室２４内の負圧を一定に保つ働きをする。同時にガス膜
５２は、第１図から第３図の実施例で説明したように、
開いた窓６０を通して標的１６から落下してくる残渣粒
子４６を吹き飛ばすことができる。このようにガス膜５
２は、室２４内の負圧を一定に保ち、残渣粒子４６を吹
き飛ばす働きをする。
ガス膜５２に充分に接近してマスク３０を設置すること
により、マスク３ｏがＸ線１２を吸収して当該マスクに
生じた熱を放熱させることができる。しかしながら、マ
スク３ｏをガス膜５２に近づけすぎて、ガス膜５２との
外側境界面に生じた乱流効果により、マスク３０に物理
的な影響が及んだり、マスク３０が装＠３２に接近する
ことがないように注意しなくてはならない。このように
ガス１１１５２は、第４図に示した実施例においてそれ
ぞれ３つの作用を果たしている。すなわち、室２４の負
圧を遮蔽して当該室２４に開口を設置できるようにし、
残渣粒子４６を吹き飛ばし、そしてマスク３０を冷却し
ている。
により、マスク３ｏがＸ線１２を吸収して当該マスクに
生じた熱を放熱させることができる。しかしながら、マ
スク３ｏをガス膜５２に近づけすぎて、ガス膜５２との
外側境界面に生じた乱流効果により、マスク３０に物理
的な影響が及んだり、マスク３０が装＠３２に接近する
ことがないように注意しなくてはならない。このように
ガス１１１５２は、第４図に示した実施例においてそれ
ぞれ３つの作用を果たしている。すなわち、室２４の負
圧を遮蔽して当該室２４に開口を設置できるようにし、
残渣粒子４６を吹き飛ばし、そしてマスク３０を冷却し
ている。
第４図において、第１図に示した捕集／分離器５ｏは捕
集／分離ディフューザ排気装置６４で置き換えられてい
る。ガスを捕集／分離器からコンプレッサ４８に送り戻
さず、ガスを周囲の環境へ排気する場合に、この形式の
装置が使われる。そうした装置は従来技術で周知であり
、従ってここでは詳しく説明されていない。しかし、第
１図に示した捕集／分離器５０か、または第４図に示し
た捕集／分離ディフューザ排気装置６４の何れかを使用
することができる。空気以外のガスを使用する場合、コ
ンプレッサ４０につながる送り戻し通路５８を持つ捕集
／分離器５ｏを使用することが好ましい。
集／分離ディフューザ排気装置６４で置き換えられてい
る。ガスを捕集／分離器からコンプレッサ４８に送り戻
さず、ガスを周囲の環境へ排気する場合に、この形式の
装置が使われる。そうした装置は従来技術で周知であり
、従ってここでは詳しく説明されていない。しかし、第
１図に示した捕集／分離器５０か、または第４図に示し
た捕集／分離ディフューザ排気装置６４の何れかを使用
することができる。空気以外のガスを使用する場合、コ
ンプレッサ４０につながる送り戻し通路５８を持つ捕集
／分離器５ｏを使用することが好ましい。
第５図を参照する。本発明の第３の実施例が示されてい
る。先の例と同じように、同一のエレメントには同一の
参照番号が使われている。第５図に示した実施例と、第
１図または第４図に示した実施例との間の原理てきな相
違点は、窓２８または開口６ｏが室２４の底の位置にあ
る首部６６で置き換えられていることにある。第４図に
示した５２のような単一のガス膜でもｖ２４の両側の圧
力差を保てるが、複数のガスシートを使えば非常に大き
な圧力差も保てることについてはよく知られている。従
って第５図の実施例では、コンプレッサ４８は首部６６
内にそれぞれ３つのガス膜５２Ａ、５２Ｂおよび５２Ｇ
が設けている。ノズル５４と通気孔５６を首部６６に形
成することができ、またコンプレッサ４８や捕集／分離
ディフューザ排気組立体６４の一部分として構成するこ
ともできる。
る。先の例と同じように、同一のエレメントには同一の
参照番号が使われている。第５図に示した実施例と、第
１図または第４図に示した実施例との間の原理てきな相
違点は、窓２８または開口６ｏが室２４の底の位置にあ
る首部６６で置き換えられていることにある。第４図に
示した５２のような単一のガス膜でもｖ２４の両側の圧
力差を保てるが、複数のガスシートを使えば非常に大き
な圧力差も保てることについてはよく知られている。従
って第５図の実施例では、コンプレッサ４８は首部６６
内にそれぞれ３つのガス膜５２Ａ、５２Ｂおよび５２Ｇ
が設けている。ノズル５４と通気孔５６を首部６６に形
成することができ、またコンプレッサ４８や捕集／分離
ディフューザ排気組立体６４の一部分として構成するこ
ともできる。
第１図、第４図および第５図の実施例の他の相違点は、
マスク３ｏが首部６６内でガス膜５２Ａ。
マスク３ｏが首部６６内でガス膜５２Ａ。
５２Ｂおよび５２Ｇのうちの２つのガス膜の間に配置さ
れていることである。例えば、マスク３０はガス膜５２
Ｂと５２Ｇの間に配置される。こうした方法で配置され
たガス膜５２Ｂと５２０を用いて、マスク３０を冷却す
ることができる。同じく、ガス膜５２Ｂと５２Ｇとによ
りマスク３０に乱流の影響が及ばないよう配慮する必要
がある。
れていることである。例えば、マスク３０はガス膜５２
Ｂと５２Ｇの間に配置される。こうした方法で配置され
たガス膜５２Ｂと５２０を用いて、マスク３０を冷却す
ることができる。同じく、ガス膜５２Ｂと５２Ｇとによ
りマスク３０に乱流の影響が及ばないよう配慮する必要
がある。
結果的に第５図に示したガス膜５２Ａ、５２Ｂおよび５
２Ｃは、第４図に示したガス膜５２と同じ３つの作用を
果たしている。すなわち、標的１６から放出された残渣
４６を吹き飛ばし、室２４内の負圧を一定に保っている
。従って、Ｘ線を吸収することがない開口を用いること
ができ、またマスク３０を冷却して当該マスクを一定の
温度に保つことができる。
２Ｃは、第４図に示したガス膜５２と同じ３つの作用を
果たしている。すなわち、標的１６から放出された残渣
４６を吹き飛ばし、室２４内の負圧を一定に保っている
。従って、Ｘ線を吸収することがない開口を用いること
ができ、またマスク３０を冷却して当該マスクを一定の
温度に保つことができる。
２つのガス膜５２Ｂと５２Ｇで得られるのと同じ冷却効
果が、第４図の実施例のマスク３０と半導体装置３４と
の間に第２のガス膜５２を配置することによっても得ら
れる。この構成は、第５図のガス膜５２Ｂと５２Ｇの間
に生じる部分的な負圧により放熱が不充分になることか
ら、マスク３０に用いられるある種の材料には好ましい
。
果が、第４図の実施例のマスク３０と半導体装置３４と
の間に第２のガス膜５２を配置することによっても得ら
れる。この構成は、第５図のガス膜５２Ｂと５２Ｇの間
に生じる部分的な負圧により放熱が不充分になることか
ら、マスク３０に用いられるある種の材料には好ましい
。
第１図は、残渣粒子を取り除いてマスクに付着しないよ
うにするガス膜を組み込んでいる、Ｘ線リソグラフ装置
を示している。 第２図は、プラズマと残渣を形成する方法を示している
。 第３図は、第１図の３−３線に沿ったガス膜を示す図で
ある。 第４図は、本発明の変更例を示している。この通り抜け
る室の内部の負圧を維持するのにも用いられている。 第５図は、更に別の変更例を示している。この例では、
３本のガスの流れを残渣粒子の取り除きと真空の保持と
マスクの冷却とに用いている。 １０・・・Ｘ線リソグラフ装置、１２・・・Ｘ線、１４
・・・レーザ光線、１６・・・標的、１８・・・レーザ
（発生機）、２０・・・鏡、２２・・・レンズ、２４・
−・室、２６・・・真空ポンプ、２８・・・窓、３ｏ・
・・マスク、３２・・・半導体ウェハ、３４・・・Ｘ線
フォトレジスト（材料）、３６・・・フレーム、４０・
・・Ｘ線吸収材料のパターン、４２・・・ウェハ取り扱
い装置、４４・・・プラズマ、４６・・・残渣、４８・
・・コンプレッサ、５ｏ・・・捕集／分離器、５２・・
・ガス膜、５４・・・ノズル、５６・・・通気孔、５８
・・・戻し通路。
うにするガス膜を組み込んでいる、Ｘ線リソグラフ装置
を示している。 第２図は、プラズマと残渣を形成する方法を示している
。 第３図は、第１図の３−３線に沿ったガス膜を示す図で
ある。 第４図は、本発明の変更例を示している。この通り抜け
る室の内部の負圧を維持するのにも用いられている。 第５図は、更に別の変更例を示している。この例では、
３本のガスの流れを残渣粒子の取り除きと真空の保持と
マスクの冷却とに用いている。 １０・・・Ｘ線リソグラフ装置、１２・・・Ｘ線、１４
・・・レーザ光線、１６・・・標的、１８・・・レーザ
（発生機）、２０・・・鏡、２２・・・レンズ、２４・
−・室、２６・・・真空ポンプ、２８・・・窓、３ｏ・
・・マスク、３２・・・半導体ウェハ、３４・・・Ｘ線
フォトレジスト（材料）、３６・・・フレーム、４０・
・・Ｘ線吸収材料のパターン、４２・・・ウェハ取り扱
い装置、４４・・・プラズマ、４６・・・残渣、４８・
・・コンプレッサ、５ｏ・・・捕集／分離器、５２・・
・ガス膜、５４・・・ノズル、５６・・・通気孔、５８
・・・戻し通路。
Claims (55)
- （１）排気室内にあるＸ線の供給源と、 当該Ｘ線の向けられる物体と、 前記供給源および物体の間にＸ線の透過する限られた範
囲のガスの流れを形成するための手段とを有するＸ線リ
ソグラフ装置。 - （２）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられて
Ｘ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え、
しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが当
該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止して
いる特許請求の範囲第１項に記載のＸ線リソグラフ装置
。 - （３）前記室が前記Ｘ線の通り抜ける開口を備え、前記
ガスの流れがこの開口に並列した状態に流されて、前記
開口の両側の圧力差を一定に保つている特許請求の範囲
第２項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４）前記室が前記Ｘ線の通り抜ける開口を備え、前記
ガスの流れがこの開口に並列した状態に流されて、前記
開口の両側の圧力差を一定に保つている特許請求の範囲
第１項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （５）前記ガスの流れが物体に接近して流され、当該物
体を冷却するような特許請求の範囲第１項に記載のＸ線
リソグラフ装置。 - （６）前記室が前記Ｘ線の通り抜ける開口を備え、前記
ガスの流れがこの開口に並列した状態に流されて、前記
開口の両側の圧力差を一定に保つている特許請求の範囲
第５項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （７）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられて
Ｘ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え、
しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが当
該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止して
いる特許請求の範囲第６項に記載のＸ線リソグラフ装置
。 - （８）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられて
Ｘ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え、
しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが当
該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止して
いる特許請求の範囲第５項に記載のＸ線リソグラフ装置
。 - （９）前記物体が、所定のＸ線の影像を形成するための
マスクである特許請求の範囲第１項に記載のＸ線リソグ
ラフ装置。 - （１０）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第９項に記載のＸ線リソグラフ装
置。 - （１１）前記室が前記Ｘ線の通り抜ける開口を備え、前
記ガスの流れがこの開口に並列した状態に流されて、前
記開口の両側の圧力差を一定に保つている特許請求の範
囲第９項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （１２）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第１１項に記載のＸ線リソグラフ
装置。 - （１３）前記ガスの流れがマスクに接近して流され、当
該マスクを冷却するような特許請求の範囲第１項に記載
のＸ線リソグラフ装置。 - （１４）前記負圧室が前記Ｘ線の通り抜ける開口を備え
、前記ガスの流れがこの開口に並列した状態に流されて
、前記開口の両側の圧力差を一定に保つている特許請求
の範囲第１３項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （１５）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第１４項に記載のＸ線リソグラフ
装置。 - （１６）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第１３項に記載のＸ線リソグラフ
装置。 - （１７）前記物体が半導体材料であり、さらに、当該半
導体材料と前述のようにして形成されたガスの流れとの
間に配置されているＸ線用のマスクを備えている特許請
求の範囲第１項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （１８）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第１７項に記載のＸ線リソグラフ
装置。 - （１９）前記室が前記Ｘ線の通り抜ける開口を備え、前
記ガスの流れがこの開口に並列した状態に流されて、前
記開口の両側の圧力差を一定に保つている特許請求の範
囲第１７項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （２０）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第１９項に記載のＸ線リソグラフ
装置。 - （２１）前記ガスの流れがマスクに接近して流され、当
該マスクを冷却するような特許請求の範囲第１７項に記
載のＸ線リソグラフ装置。 - （２２）前記室が前記Ｘ線の通り抜ける開口を備え、前
記ガスの流れがこの開口に並列した状態に流されて、前
記開口の両側の圧力差を一定に保つている特許請求の範
囲第２１項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （２３）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第２２項に記載のＸ線リソグラフ
装置。 - （２４）前記Ｘ線の供給源が、標的に焦点を合わせられ
てＸ線を放出するプラズマを作り出すレーザ装置を備え
、しかもこの供給源が残渣を放出し、前記ガスの流れが
当該残渣を遮り、この残渣が物体に到達するのを阻止し
ている特許請求の範囲第２１項に記載のＸ線リソグラフ
装置。 - （２５）Ｘ線リソグラフ装置において、 レーザ光線を作り出すためのレーザ光線の供給源と、 前記レーザ光線の焦点を合わせられる所定の材料から作
られていて、当該レーザ光線はこの所定の材料にプラズ
マを形成する充分な強さがあり、このプラズマから所定
の経路に沿つてソフトＸ線並びに残渣を放出するような
標的と、 物体にＸ線のパターンを移すように配置されたＸ線用の
マスクと、 当該マスク並びに前記標的の間の前記経路を横切つてＸ
線の透過するガス膜を形成し、前記残渣をマスクから取
り除くための手段とを有しているＸ線リソグラフ装置。 - （２６）前記ガス膜を形成するための前記手段が、コン
プレッサとガス膜形成ノズルとを備えている特許請求の
範囲第２５項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （２７）前記ガス膜を形成するための前記手段が、前記
残渣をガスから分離する手段を備えている特許請求の範
囲第２５項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （２８）前記分離する手段が、前記ガスを拡散する手段
と、当該ガスを排気ガスとして取り扱うための手段とを
備えている特許請求の範囲第２７項に記載のＸ線リソグ
ラフ装置。 - （２９）前記分離する手段が、前記ガス膜を形成する手
段に前記ガスを供給する手段を備えている特許請求の範
囲第２７項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３０）前記ガスが分子量の小さいガスである特許請求
の範囲第２９項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３１）前記ガスが空気である特許請求の範囲第３０項
に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３２）前記ガスがヘリウムである特許請求の範囲第３
０項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３３）前記ガスが窒素である特許請求の範囲第３０項
に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３４）前記ガスが水素である特許請求の範囲第３０項
に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３５）Ｘ線リソグラフ装置において、 Ｘ線を作り出すための手段と、 当該Ｘ線の通る経路に配置された半導体装置と、当該半
導体装置並びに前記手段の間に配置されていて、この半
導体装置に衝突する特定のＸ線のパターンを作り出すこ
とができ、半導体装置に対し互いに整合されて、前記Ｘ
線のパターンを当該半導体装置の所定の位置に当てるよ
うになつているマスクと、 Ｘ線の透過するガス膜を前記マスクから所定の距離をあ
けて形成することができ、当該マスクおよび半導体装置
の間の整合関係に影響を及ぼすことなく、ガス膜がマス
クから熱を取り去るように前記所定の距離が選択されて
いるようなＸ線リソグラフ装置。 - （３６）前記ガス膜を形成するための前記手段が、コン
プレッサと、前記マスクから前記所定の距離をあけて前
記ガス膜を流すためのガス膜形成ノズルとを備えている
特許請求の範囲第３５項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３７）前記ガス膜を形成するための前記手段が、前述
のようにして形成されたガス膜を拡散し且つこのガスの
排気を行なうための手段を備えている特許請求の範囲第
３６項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３８）さらに、前記ガスの前記コンプレツサへの排気
を行なうための手段を備えている特許請求の範囲第３７
項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （３９）前記ガス膜が前記供給源から前記Ｘ線を受け取
る前記マスクの側部に配置され、 当該ガス膜を形成するための前記手段が、マスクから第
２の所定の距離をあけて、Ｘ線の透過する第２のガス膜
を当該マスクの反対側に形成するための手段を備え、こ
のマスクおよび半導体装置の間の整合関係に影響を及ぼ
すことなく、第２のガス膜がマスクから熱を取り去るよ
うに前記第２の所定の距離が選択されているような特許
請求の範囲第３５項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４０）Ｘ線を作り出すための前記手段が、さらに残渣
を生み出し、 前記ガス膜は前記マスクとＸ線の供給源との間に配置さ
れ、当該残渣をマスクから取り除くようになつている特
許請求の範囲第３５項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４１）前記ガス膜が前記供給源から前記Ｘ線を受け取
る前記マスクの側部に配置され、 当該ガス膜を形成するための前記手段が、マスクから第
２の所定の距離をあけて、Ｘ線の透過する第２のガス膜
を当該マスクの反対側に形成するための手段を備え、こ
のマスクおよび半導体装置の間の整合関係に影響を及ぼ
すことなく、第２のガス膜がマスクから熱を取り去るよ
うに前記第２の所定の距離が選択されているような特許
請求の範囲第４０項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４２）前記Ｘ線の供給源は排気された室内に配置され
ていて、当該室が、前記マスクに向けてＸ線の通り抜け
る開口を備え、前記ガス膜がさらにこの開口に平行に配
置されて、開口の両側の圧力差を一定に保つているよう
な特許請求の範囲第３５項に記載のＸ線リソグラフ装置
。 - （４３）Ｘ線を作り出すための前記手段が、さらに残渣
を生み出し、 前記ガス膜は前記マスクとＸ線の供給源との間に配置さ
れ、当該残渣をマスクから取り除くようになつている特
許請求の範囲第４２項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４４）前記ガス膜が前記供給源から前記Ｘ線を受け取
る前記マスクの側部に配置され、 当該ガス膜を形成するための前記手段が、マスクから第
２の所定の距離をあけて、Ｘ線の透過する第２のガス膜
を当該マスクの反対側に形成するための手段を備え、こ
のマスクおよび半導体装置の間の整合関係に影響を及ぼ
すことなく、第２のガス膜がマスクから熱を取り去るよ
うに前記第２の所定の距離が選択されているような特許
請求の範囲第４３項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４５）前記ガス膜を形成するための前記手段が、コン
プレッサと、前記マスクから前記所定の距離をあけて前
記ガス膜を流すためのガス膜形成ノズルとを備えている
特許請求の範囲第４４項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４６）前記ガス膜を形成するための前記手段が、前述
のようにして形成されたガス膜を拡散し且つこのガスの
排気を行なうための手段を備えている特許請求の範囲第
４５項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４７）さらに、前記ガスの前記コンプレツサへの排気
を行なうための手段を備えている特許請求の範囲第４６
項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （４８）Ｘ線リソグラフ装置において、 開口を備えている排気された室と、 この室内にある標的と、 この標的にレーザ光線の焦点を合わせて、前記開口に向
けソフトＸ線を放出するプラズマを作り出すための手段
と、 前記Ｘ線の照射される前記室の外側にある物体と、 前記開口を横切つてＸ線の透過するガス膜を形成し、前
記室の内側および外側の間の圧力差を一定に保つための
手段とを有するＸ線リソグラフ装置。 - （４９）残渣が前記プラズマから放出され、前記ガス膜
が前記物体から残渣を取り除く特許請求の範囲第４８項
に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （５０）前記物体がマスクである特許請求の範囲第４９
項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （５１）前記物体がマスクである特許請求の範囲第４８
項に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （５２）前記マスクがある距離にわたり前記ガスシート
から離してあり、この距離が当該マスクの働きをできる
だけ少なくし、同時にガス膜がこのマスクを冷却できる
ように選択されている特許請求の範囲第５１項に記載の
Ｘ線リソグラフ装置。 - （５３）残渣が前記プラズマから放出され、前記ガス膜
が前記物体から残渣を取り除く特許請求の範囲第５２項
に記載のＸ線リソグラフ装置。 - （５４）当該装置がさらに、前記室の減圧を行なうポン
プを備えている特許請求の範囲第５３項に記載のＸ線リ
ソグラフ装置。 - （５５）当該装置がさらに、前記室の減圧を行なうポン
プを備えている特許請求の範囲第４８項に記載のＸ線リ
ソグラフ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/669,442 US4692934A (en) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | X-ray lithography system |
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