WO2005083759A1

WO2005083759A1 - 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法

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Publication number: WO2005083759A1
Application number: PCT/JP2005/003803
Authority: WO
Inventors: Takashi Aoki; Tohru Isogami
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2005-02-28
Publication date: 2005-09-09
Also published as: JPWO2005083759A1

Abstract

　投影光学系チャンバ５の下部によって、レジスト放出ガスの大半が、投影光学系内に侵入するのを防止する。また、ワーキングディスタンス（投影光学系のチャンバの下部でかつウエハ３の上部の空間）に、給気管７とその先端部の給気口８、及び排気管９とその先端部の排気口１０が設置されている。給気口８からはＥＵＶ光と光化学反応を引き起こさない高純度パージガスが供給され、パージガスの大半は排気口１０から排出される。ＥＵＶ照射によって生じるレジスト放出ガス６は、上方に向かって移動するが、このパージガス流に乗って、からめとられるように運び去られるため、レジスト放出ガス６のほとんどすべては投影光学系内に侵入することがなくなる。

Description

露光装置、及ぴ微細パターンを有するデバイスの製造方法 i 技術分野

本発明は、極端紫外線または軟 X線（本明細書及び特許請求の範囲におレヽては、波長力 S 150nm 以明下の光を意味し、「 E U V ( Extreme Ul travi ol et) 光」と言うことがある糸）を露光光源として用いる、露光装田 1

置、及びこれらを使用した微細パターン書を有するデバイスの製造方法に関するものである。背景技術

半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、マスク（本明細書おょぴ特許請求の範囲においてはレチクルを含む）に形成されたパターン像を、投影光学系を介して感光材（レジスト）が塗布されたウェハ上の各投影（ショット）領域に縮小して投影する縮小投影露光装置が使用されている。半導体素子、液晶表示素子等の回路は、上記投影露光装置でウェハやガラス上に回路パターンを露光することにより転写され、後処理によって形成される。

近年、集積回路の高密度集積化、すなわち、回路パターンの微細化が進められてきた。これに対応するため、投影露光装置における投影光も短波長化される傾向にある。すなわち、これまで主流だった水銀ランプの輝線に代わって、 KrFエキシマレーザー（248nm) が用いられるようになり、さらに短波長の ArFエキシマレーザー（193nm) を用いた投影露光装置が実用化されている。また、更なる高密度集積化をめざして F 2 レ一ザ一（157nm) を使用する露光装置や液浸機構を有する光露光装置の開発も進められている。

さらに、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（l l〜14 nm) の E U V光を使用した投影リソグラフィが開発されている。この技術は、 E U Vリソグラフィと呼ばれており、従来の光リソグラフィでは実現不可能な 45nm以下の解像力を得られる技術として期待されている。

このような、 E U V光を使用した露光装置（E U V露光装置）の投影光学系の概要を図 1 1に示す。光源 3 1から放出された E U V光 3 2は、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡 3 4を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー 3 5 aおよび 3 5 bからなるォプティカルインテグレータ 3 5に入射する。

こうして、フライアイミラー 3 5 bの反射面の近傍、すなわちォプテイカルインテグレータ 3 5の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。実質的な面光源からの光は平面反射鏡 3 6 により偏向された後、マスク M上に細長い円弧状の照明領域を形成する。ここで、円弧状の照明領域を形成するための開口板は、図示していない。マスク Mの表面で反射された光は、その後、投影光学系 3 7のミラー M l 、 M 2、 M 3、 M 4、 M 5、 M 6で順に反射されて、マスク Mの表面に形成されたパターンの像を、ウェハ 3 8上に塗布されたレジスト 3 9上に形成する。これらの光学系は、チャンバ 4 0中に収納され、チヤンバ 4 0中は、真空度の高い状態に保たれているが、その中でも、とくに投影光学系チャンバ 3 7は、さらに真空度の高い状態に保たれている。このために、真空チヤンバ 4 0は真空ポンプ 4 3により排気され、更に、投影光学系チャンバ 3 7は真空ポンプ 4 2により排気され真空度の高い状態が達成される。

' 一般に、 E U V光はあらゆる物質で吸光されるので空気中を透過しな —'■ い。このため、 E U V光を用いた露光装置では、露光光をウェハ面上に十分な照度で到達させるためには、露光光路上の吸光物質を低減もしくは排除し、光路空間を高真空に保つ必要がある。このためには、放出ガスが極力少ない物質を用いて露光装置光路空間を構成する必要がある。このように、 E U V光を用いた露光装置では、より微細な遮光パターンの転写が可能な一方で、吸光物質を排除する必要がある（吸光物質の放出する部材の利用が限られる）など設計が容易でない。発明の開示

半導体回路などのパターンの露光転写では、ウェハ面上にレジストと呼ばれる感光剤を塗布する必要がある。従来型光露光装置でも問題が顕在化しているように、露光中にレジストから大量に放出される物質は吸光の大きな物質であり、ミラーなどの光学素子表面に吸着して、露光光の光量を減じる、照度ムラを増大させる等、光学性能を著しく劣化させる。

レジストは感光剤、溶剤、酸発生剤などから構成され、いずれも有機物をその主成分とする。さらに、このレジストに高強度の露光光が照射されることによって、その成分は露光空間に放出される。

特に、 E U V光を用いた露光装置では、露光光のエネルギーが高いので、容易にレジスト物質（たとえば、レジスト中に含まれる溶剤物質）を断鎖し、比較的分子数の小さい、すなわち蒸気圧の高い物質がレジスト内に生成される。この物質はレジスト内の熱拡散によってレジスト表面に到達し、やがて蒸発に似たプロセスで露光光路空間にガスとして放出される。投影光学系内の光学素子（反射ミラー）とレジストとの間に遮るものが無く、かっこの空間は高真空に保たれているので、この放出ガスのうち、ある立体角内に放出されたものは遮られることなく投影光学系内の反射ミラー表面に付着して汚染を生じる。ある立体角外に放出されたガスであっても、いったん鏡筒内壁に付着した後に脱離するなどして、ミラー表面に付着するものもある。

すなわち、レジストからの放出ガスは、図 1 1における投影光学系 3 7に放出され、投影光学系 3 7のチャンバ内に入り、コンタミ物質としてミラー面に付着する。付着したコンタミ物質は、露光光もしくは光電子との光化学反応によって、緻密な炭素（C ) 膜を形成し、吸光（ミラ一の反射率の低下）の原因となる。また、コンタミ物質の付着が不均一であれば、照度ムラの原因ともなり得る。なお、ここでいぅコンタミ物質とは、メタン、ェタン、プロパン、ブタンなどの炭化水素、イソプロピルアルコール、ポリメチルメタタリレートなどの直鎖有機物、ベンゼン環を有するフタル酸エステルなどの環状有機物、シラン、シロキサンなどの S i含有有機物、などを指す。

レジストから放出されるガスの様子を図 1 2により説明する。図 1 2 は、図 1 1に示す E U V光露光装置の、ウェハ近傍の構成を示す概要図である。図示していない部分の構成は、図 1 1に示した E U V光露光装置と同じである。

E U V光は、ミラー M 5、 M 6で反射され、図示しないマスクに形成されたパターンの像を、ウェハ 3 8に塗布されたレジスト 3 9上に形成する。 E U V光は、ほとんど全ての物質で吸光されるので、露光空間は、たとえば 10一⁵ P a といった高真空度に保たれている。露光光は、レジスト 3 9上に照射されるが、このとき、レジスト 3 9から大量のレジスト放出ガス 4 1が放出される。

このレジスト放出ガス 4 1のうち、ある立体角内に放出されたものは遮られることなくミラー M 6の表面に付着する。ある立体角外に放出されたガスであっても、いったん鏡筒内壁に付着した後に脱離するなどして、ミラー M 5や M 6の表面に付着するものもある。ミラ一表面に付着した放出ガス物質は、露光光や光電子との反応により緻密な C膜に変化する。

この C膜の厚みは露光時間が増大するとともに増大し、増大とともにミラー多膜層（S i / M o多膜層）の反射率が低下する（ミラー表面に lnmのカーボン層が堆積すると反射率が約 1 %低下する）ので、収差が発生し、照度ムラが発生するなど光学特性劣化をもたらす。さらに、反射率低下はスループットの低下となり、装置の生産性を著しくおとしめる。反射率低下量の目標は、 1 % /面程度である。また、 E U V光露光装置では、従来型露光装置と異なり、光路空間にガスが充填されていないので、気流制御による放出ガス排除が容易でない。以上のことから、コンタミ物質の光路空間中分圧の低減が必要となる。

本発明はこのような問題点を解決するためにされたもので、投影光学系の光学素子へのコンタミ物質の付着をできるだけ少なくして光学特性の劣化を抑えつつ、パージガスの投影光学系内への侵入量を低減することで、オーバホールまでの寿命を長くした E U V光露光装置、及びこの露光方法を使用した微細パターンを有するデバイスの製造方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するための第 1の発明は、極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ等の感応基板上に露光転写する露光装置であって、前記マスクに形成されたパターンを感応基板上に投影する投影光学系と、前記投影光学系を囲う真空チャンバと、前記真空チャンバに配置され、前記感応基板に向かう極端紫外光を通過させる開口と、前記感応基板に塗布されたレジストから発生するレジスト放出ガスをパ一ジするガスを給気する給気口と、前記パージガスを排気する排気口とが設けられていることを特徴とする極端紫外線露光装置である。本発明においては、ガスを給気口から流すと共に、そのガスを排気口で排気することにより、レジスト放出ガスをこのガス流中に引き込み、レジスト放出ガスが投影光学系のチャンバ内の光学系に達する前に系外に排出する。これにより、投影光学系のチャンバ内に入るコンタミ物質を含んだレジスト放出ガスを低減させることができるので、コンタミ物質のミラーへの付着を低減でき、ミラーの反射率の低下を緩和できる。よって、光学特性の劣化を抑え、又はオーバホールまでの寿命の長い E U V露光装置とすることができる。

なお、本発明をはじめとする以下の発明において、「排気口」は、一般にチャンバ内や、チャンバとウェハの間の空間を高真空度に保っために使用されている真空引き用の排気口を使用してもよいし、これとは別に設けてもよい。特に、給気口に対面させて特別の排気口を設けると効果が大きい。

前記目的を達成するための第 2の発明は、前記第 1の発明であって、前記開口より感応基板側の空間に比べて相対的に前記投影光学系の真空チャンバ内の空間の真空度が高いことを特徴とするものである。

本発明によれば、開口より感応基板側の空間に比べて相対的に投影光学系の真空チャンバ内の空間の真空度が高いので、反射鏡が汚染されることを低減することが可能となる。

前記目的を達成するための第 3の発.明は、前記第 1の発明又は第 2の発明であって、前記開口が前記開口を通過する極短紫外光の光束形状と実質的に同一形状であることを特徴とするものである。

開口は実質的に露光に必要な E U V光の透過する領域（露光エリァと露光光の開口数によって決まる）程度の開口とすることが好ましく、このようにすることによって、真空チャンバ内に入るレジスト放出ガスの低減をより効果的に行うことが可能である。前記課題を解決するための第 4の発明は、前記第 1の発明から第 ³の発明のいずれかであって、前記給気口と前記排気口は前記真空チャンバと前記感応基板の間に配置されていることを特徴とするものである。本手段においては、給気口と前記排気口は、真空チャンバと感応基板の間に配置されているので、吸気口から放出されるガスが、真空チャンバ内に入り込む量を少なくすることができる。

前記課題を解決するための第 5の発明は、前記第 4の発明であって、前記パージガスの流通路と前記真空チャンバとの間に、露光に必要な極短紫外光を通過させる開口を有する遮蔽板が設けられていることを特徴とするものである。

本発明においては、レジスト放出ガスが投影光学系のチャンバ内に入る場所が、遮蔽板の開口部に限定される。よって、このことによって、投影光学系のチャンバ内に入るコンタミ物質を含むレジスト放出ガスを低減させることができるほか、給気口から排気口に向かって流すガス流力 S、この開口部を覆って流れるようにするだけで十分にレジスト放出ガスを前記ガス流中に引き込むことができるので、給気口から排気口に向かって流すガス流の流れを狭くすることができる。なお、開口は、露光に必要な極短紫外光を通過させることができるという条件を満たす限り、できるだけ狭い方が好ましい。

前記目的を達成するための第 6の発明は、前記第 1の発明であって、前記給気口から給気されるパージガスの流速は超音速であることを特徴とするものである。

本発明においては、レジスト放出ガスが高速に放出される場合でも、その大部分が投影光学系のチャンバ内に入らないようにすることができる。

前記目的を達成するための第 7の発明は、前記第 1の発明から第 6の発明のいずれかであって、前記パージガスの圧力を 0. 1〜 1 O Pa としたことを特徴とするものである。

パージガスの圧力が低すぎると、パージガスの分子とレジスト放出ガスの分子が衝突しなくなり、パージの効果が失われる。パージガスの圧力が 0. lPa以上であると、通常のパージ空間である約 1 O mmの距離をレジスト放出ガスが移動する間に、期待値として 1回以上パージガスの分子とレジスト放出ガスの分子が衝突することが計算上求められるので、本発明においては、パージガスの圧力の下限値を 0. lPaに規定している。一方、パージガスの圧力が大きすぎると、パージガスが投影光学系のチヤンバ内に入り込み、真空度が低下する恐れがある。パージガスの圧力を 1 O Pa以下とすると、チャンバ内に流入するパージガスが十分低減できるので、本発明においては、パージガスの圧力の上限値を 1 O Pa としている。

前記目的を達成するための第 8 の発明は、前記第 1 の発明から第 7の発明のいずれかであって、前記レジスト放出ガスをパージするためのガスの流れの方向を、交互に逆向きにしながら露光を行うことを特徴とするものである。

パージガスの流れによって捕捉されなかったレジスト放出ガスは、投影光学系内に侵入するが、その侵入位置は、パージガスの流れの影響を受けてパージガスの下流側になる。よって、パージガスの流れの方向を切り換えることにより、レジスト放出ガスの投影光学系内への侵入位置を変えることができ、投影光学系のミラーの反射率が不均一に低下するのを緩和することができる。

前記目的を達成するための第 9の発明は、前記第 1 の発明から第 8の発明のうちいずれかであって、前記レジスト放出ガスをパージするためのガスが、 Ar、 Kr、 Xe、 N ₂ 、 He、 Ne、又はこれらの 2種以上の混合体であることを特徴とするものである。

パージ用のガスとしては、 E U V光が吸収されにくく、 E U V光もしくは光電子によって光化学反応が発生しにくく、それ自身が、光学素子面に付着してカーボン膜を生成せず、分子の質量が大きくてレジスト放出ガスを効率良く排出することができるものである必要がある。そのためには、パージ用のガスとしてこれらの気体を使用することが好ましい。前記目的を達成するための第 1 0の発明は、前記第 1の発明であって、前記投影光学系中の前記複数の反射鏡のうち、前記極短紫外光の光路に沿って最も感応基板に近い反射鏡と前記開口との間に前記給気口が配置されていることを特徴とする露光装置である。

本発明によれば、 E U V照射によって生じるレジスト放出ガス 6のうち、光学系へ向かわないガスは第 1 の遮蔽板（真空チャンバの壁）で遮蔽し、第 1遮蔽板を通過したレジスト放出ガスのみの方向をパージガスによって変更し、遮蔽するため、前述のように、パージガスを流すことによって投影光学系に向かわないはずの放出ガスが投影光学系へ向かうという悪影響を低減することが可能となる。

前記課題を解決するための第 1 1の発明は、前記第 1 0の発明であつて、前記給気口と前記最も感応基板に近い反射鏡との間に前記極端紫外線が通過可能な開口を有する遮蔽板が配置されることを特徴とするものである。

本発明においては、遮蔽板の作用により、光路に沿って最も感応基板に近い反射鏡に、レジスト放出ガスとパージガスが到達することをより効果的に防止することができる。

前記課題を解決するための第 1 2の発明は、前記第 1 1の発明であつて、前記遮蔽板と前記真空チャンバの壁によって囲まれる空間が前記開口部以外で閉じられた空間であることを特徴とするものである。本手段においては、遮蔽板と前記真空チャンバの壁によって囲まれる空間を、その外側にある空間、及び投影光学系を囲う真空チャンバによつて形成される空間と実質的に別空間とすることができるので、パージガスが、投影光学系を囲う空間に漏れる量を少なくでき、また、この空間の真空度を制御しやすくなる。

前記課題を解決するための第 1 3の発明は、前記第 1 1の発明又は第 1 2の発明であって、前記遮蔽板と前記真空チャンバの間に排気口を有することを特徴とするものである。

遮蔽板と真空チャンバの間に排気口を設けることにより、真空チャンバ内へのパージガスの浸入をより効果的に防止することができる。

前記課題を解決するための第 1 4の発明は、前記第 1 1の発明から第 1 3の発明のいずれかであって、前記遮蔽板及ぴ前記真空チャンバのうち、少なくとも一方の開口が前記開口を通過する極短紫外光の光束形状と実質的に同一形状であることを特徴とするものである。

開口は実質的に露光に必要な E U V光の透過する領域（露光エリアと露光光の開口数によって決まる）程度の開口とすることが好ましく、このようにすることによって、真空チャンバ内に入るレジスト放出ガスの低減をより効果的に行うことが可能である。

前記課題を解決するための第 1 5の発明は、前記第 1 0の発明であつて、前記開口より感応基板側の空間に比べて、相対的に、前記投影光学系の真空チャンバ内の空間の真空度が高いことを特徴とするものである。本発明によれば、開口より感応基板側の空間に比べて相対的に投影光学系の真空チャンバ内の空間の真空度が高いので、反射鏡が汚染されることを低減することが可能となる。

前記課題を解決するための第 1 6の発明は、前記第 1 1の発明であつて、前記真空チャンバの開口より感応基板側の空間に比べて、相対的に、前記真空チヤンバの開口より前記反射鏡側の空間の真空度が高いことを特徴とするものである。

本発明によれば、より反射鏡に近い空間の真空度を高くすることができるので、投影光学系を構成する反射鏡が汚染されることを低減することが可能である。

前記課題を解決するための第 1 7の発明は、前記第 1 1の発明であつて、前記遮蔽板の開口より感応基板側の空間に比べて、相対的に、前記遮蔽板の開口より前記反射鏡側の空間の真空度が高いことを特徴とするものである。 '

本手段においては、より反射鏡に近い空間を段階的に高い真空度とすることができ、反射鏡が汚染されることを低減することが可能となる。前記目的を達成するための第 1 8の発明は、前記第 1. 0の発明から第 1 7の発明のいずれかであって、前記給気口から供給されるパージガスが前記真空チヤンバの開口を通して前記感応基板の方向に供給されるように前記給気口が配置されることを特徴とするものである。

本発明によれば、 E U V照射によって生じるレジスト放出ガスのうち、遮蔽板の開口から投影光学系へ向かおうとするガスを、給気口からゥェハの方向に供給されるパージガスによって押し戻す。また、パージガス自体も感応基板（レジストを塗布したウェハなど）の方向に供給されるので、ほとんど投影光学系に進入することがない。

前記目的を達成するための第 1 9の発明は、前記第 1 8の発明であつて、前記排気口は前記真空チャンバの開口よりも前記感応基板の側に配置されることを特徴とするものである。

排気口が、感応基板（ウェハおよびレジスト）の側においてパージガスの流れの近傍に配置されているので、効率的にレジストからの放出ガスおよびパージガスを回収することができる。前記目的を達成するための第 2 0の発明は、前記第 1 8の発明又は第 1 9の発明であって、前記給気口のガスを供給する開口の寸法を、前記パージガス流のレイノルズ数が 2000 以下となるように定めたことを特徴とするものである。

パージガス流のレイノルズ数が 2000 以下となるので乱流による給気口（ノズル）の振動による投影光学系の振動を抑えることができる。この結果、結像性能の劣化を抑えることができる。

前記目的を達成するための第 2 1 の発明は、前記第 1 8の発明から第 2 0の発明のいずれかであって、感応基板に向けてガスを供給する方向が感応基板に対して 3 0〜 6 0度であることを特徴とするものである。現実的なワーキングディスタンスの高さ（5mm以上 10mm以下）では、ノズルからのガス噴出方向とウェハ（感応基板）面とがなす角度が、 30〜 60° の間でレジスト放出ガスの投影光学系内流入率が極小となる。他方、パージガスの投影光学系内流入率は、この角度の範囲で単調に減少する。前記目的を達成するための第 2 2の発明は、前記第 1 8の発明から第 2 1 の発明のいずれかであって、給気口から供給されるガスの流量が 600〜1000cc/min ( 1 · 00 x 10— ⁵〜 1. 67 x 10— ⁵ M ³ /s ec) となるように定めたことを特徴とするものである。

パージガスは流量 600cc/min (se em)程度以上でレジスト放出ガス投影光学系内流入率を 1 %以下にすることが可能である。また、パージガスは流量 l OOOcc/mi n程度以下でパージガス投影光学系内圧力を 0. 4Pa以下にすることが可能である。

前記目的を達成するための第 2 3の発明は、前記第 1 の発明から第 2 1の発明のうちいずれかの露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板に露光転写する工程を有することを特徴とする微細パターンを有するデバイスの製造方法である。本発明においては、光学特性の劣化を抑え、又は露光装置を長期間に亘つて連続運転可能となるので、微細パターンを有するデバイスをスループット良く製造することができる。

図面の簡単な説明

図 1は、本発明の第 1の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図である。

図 2は、本発明の第 2の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図である。

図 3は、本発明の第 3の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図である。

図 4は、図 3における投影光学系下部の拡大図である。

図 5は、本発明の第 4の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図であり、ウェハ近傍の構成を示す概要図であって、図 4に対応する部分を示すものである。

図 6は、最適化されたノズル形状の一例を示す図である。

図 7は、図 5、図 6に示した投影光学系チャンバ 5と、給気口 2 1、排気口 2 3等の関係を示した図である。

図 8は、パージガス噴出角度とレジスト放出ガス投影光学系内流入率およびパージガス投影光学系内流入率との関係の数値解析結果を示す図である。

図 9は、本発明の第 5の実施の形態である E U V露光装置の構成を示す図であり、図 5に対応するものである。

図 1 0は、本発明の半導体デバイス製造方法の実施形態の一例を示すフローチャートである。図 1 1は、 E U V光を使用した露光装置（Eひ V露光装置）の投影光学系の概要を示す図である。

図 1 2は、レジストから放出されるガスの様子を示す図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図 1は、本発明の第 1の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図である。図 1は、図 1 1に示した E U V露光装置と同じものの、投影光学系を中心とした部分のみを示した図である。光源からの E U V光は平面反射鏡 1により偏向された後、マスク M上に細長い円弧状の照明領域を形成する。ここで、円弧状の照明領域を形成するための開口板は、図示していない。

マスク Mの表面で反射された光は、その後、投影光学系 2のミラー M 1 、 M 2、 M 3、 M 4、 M 5、 M 6で順に反射されて、マスク Mの表面に形成されたパターンの像を、ウェハ 3上に塗布されたレジスト 4上に形成する。

投影光学系のミラー M 1〜M 6は、投影光学系チャンバ 5の中に収納され、投影光学系チャンバ 5の中は高い真空度に保たれている。図 1 1 において説明したように、投影光学系チャンバ 5の外側も高い真空度に保たれているが、投影光学系チャンバ 5中の真空度が、その外側よりも高くされている。なお、図 1 1の真空ポンプの配置や真空チャンバの構成は一つの例であり、他の形態でも構わない。例えば、図 1 1では真空チャンバ 4 0は装置全体を囲うチャンバであるが、レチクルステージ、ウェハステージ、照明光学系、投影光学系が各々別の真空チャンバで各々独立して真空排気が行われるように真空ポンプを配置することも可能である。この場合においても投影光学系が最も高い真空度を保つようにすることが好ましい。投影光学系チャンバ 5における E U V光の入射位置と出射位置とには、それぞれ開口部 5 a、 5 bが設けられている。

E U V光はレジスト 4に照射されるが、このとき、レジスト 4から大量のレジスト放出ガス 6が放出される。

本実施の形態においては、図 1に示されるように、ヮ一キングデイスタンス（投影光学系チャンバ 5 とウェハ 3の間の空間）に、給気管 7 とその先端部の給気口 8、及び排気管 9 とその先端部の排気口 1 0が設置されている。給気口 8からは E U V光もしくは光電子と光化学反応を引き起こさない高純度（ミラーの反射率低下の原因となる有機物 =コンタミ物質を極力低減した）パージガスが供給され、パージガスの大半は排気口 1 ◦から排出される。ここでは、ガス種として Arを使用している。 E U V照射によって生じるレジスト放出ガス 6は、上方に向かって移動するが、このパージガス流に乗って、からめとられるように運び去られるため、レジスト放出ガス 6のほとんどすべては投影光学系チヤンバ 5 内に侵入することがなくなる。

ただし、パージガスが大量に投影光学系チャンバ 5內に侵入する可能性がある。このため、給気口 8から供給されるパージガスは高速に噴出されていることが望ましい。レジスト 4からのレジスト放出ガス 6が高速である場合には、その対処のために、パージガスは超音速にする必要性があることもある。開口部 5 bを極力小さくすることにより、パージガスが大量に投影光学系内に侵入するのを防止することができる。すなわち、開口部 5 bの大きさと形状を、開口部 5 bを通過しレチクルパタ一ンの結像に寄与する E U V光の通過する領域（露光ェリアと露光光の開口数によって決まる）に限ることが最も好ましい。不必要に大きくすると、投影光学系内にパージガスが流入し、露光光の透過率低下を招く恐れがある。具体的には、外周部長さが 33mm以下、幅 4mm以下の露光ェリァと同様である部分輪体状形状であることが好ましい。このような開口部 5 bの形状の例は、後に説明する。これによつて、パージガスによる E U V光の吸収を、無視できる程度以下に抑えることができる。このように、レジスト放出ガスやパージガスが通過する開口の大きさを露光に必要な最小限の大きさとすることは、特に断らなくても、全ての実施の形態について同様である。

又、本実施の形態では、投影光学系のチャンバの下部でかつウェハ 3 の真上に給気口 8、排気口 1 0を設置しているが、必要な量のパージガスが供給 · 排出されれば給気口 8、排気口 1 0の一方あるいは両方を他の位置に配置しても良い。すなわち、給気口 8 , 排気口 1 0は高さ方向、投影光学系チャンバ 5 とウェハ 3の間にあれば、水平方向では、必ずしも、投影光学系のチャンバがある部分の下で、かつウェハ 3の上に位置する必要はない。そこで、ウェハステージ上部より遠方の空間からガスを供給し、ウェハステージ上部より遠方で排出してもよい。又、パージガスの排出口は、図 1 1においてチャンバ 4 0内を高真空に保っために内部の気体を排気している排気口と共用して真空ポンプ 4 3で排気してもよい。このことは、本実施の形態のみならず、他の実施の形態に置いても適宜適用することができる。

なお、前述のような理由により、ワーキングディスタンス部の圧力を 0. 1〜 1 0 Pa 以下とすることが好ましい。特に、ワーキングディスタンス部の圧力が 1 Pa程度であれば、ワーキングディスタンス部（高さ 1 0 mm程度）におけるレジスト放出ガス 6 とパージガスの衝突回数が 1 0回以上となり、反重力方向にレジスト放出ガス 6が高速で放出されたとしても、確実にパージガスにからめとられて排気口 1 0へと導かれるので好ましレ、。

又、給気口 8 と排気口 1 0を別々に設けず、双方を吸排気口として、交互に、一方を給気口、他方を排気口として用いることも可能である。パージガスの流速を高速にすることで、レジスト放出ガス 6の投影光学系内への侵入を極力低減することができるが、完全に排除できる訳ではない。排除し切れなかったレジスト放出ガス 6は投影光学系内に侵入するが、パージガスとの衝突の影響で、ミラー M 6の、パージガス流下流側に比較的多く付着することになる。このような状況が長時間続くと、ミラー M 6の反射率が不均一に低下し、光学性能が劣化する。そこで、給気と排気の方向を入れ替えることで、ミラー反射率の低下の不均一性を低減し、パターン線幅の不均一性の劣化を低減することができる。このことは、本実施の形態のみならず、他の実施の形態においても適宜適用することができる。

以上の実施の形態では、パージガスとして、 Arを使用しているが、パージガスとしては、不活性であること、有機物でなくカーボン膜の原因とならないこと、運動量が大きい（質量が大きレ、）こと、 E U V光吸収係数が小さいことといった条件を満たしているものであれば他のガスを使用することができる。例えば、 Kr、 Xe等を使用することができ、この他にも、 N ₂、 Ne 等を使用することができる。 N ₂はガス価格が安価なので、ランニングコストの上昇を低減できるメリットがある。質量の大きい分子の方が、運動量が大きくなるので、レジスト放出ガスを効率よく排除することができ、大きすぎると、分子の熱運動の速度が小さくなり（温度が同じ場合）、相殺する（レジスト放出ガスとパージガスの衝突による吹き飛ばし効果と衝突回数の積が大きく変わらない）ので、十分な効果が得られない場合がある。このような好ましいガス種については、以下の全ての実施形態について同じである。

また、本発明は、主にレジストからの放出ガスがコンタミ物質となり、ミラ一表面に付着するのをできるだけ少なくするためのものであるが、レジスト放出ガスからのコンタミ物質の付着を少なくするためだけに使用されるものではなレ、。他の部材から発生するコンタミ物質に対しても、同様に、ミラー表面に付着するのを少なくすることができる。例えば、ウェハステージ近傍の装置構成部材から放出される有機物等のコンタミ物質に対しても、同様にミラー表面に付着するのを少なくすることができるのは言うまでもない。このことは、本実施の形態のみならず、他の全ての実施の形態について同様である。

図 2は、本発明の第 2の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図である。この E U V露光装置も、全体の概要は図 1 1に示したものと同じであり、図 2には、投影光学系周りの概要を示す。なお、以下の図において、本欄における前出の図に示された構成要素と同じ構成要素には、同じ符号を付してその説明を省略する。

この実施の形態においては、図 1に示した実施の形態の構成に加え、投影光学系チャンバ 5より下に、遮蔽板 1 1が設置されている。この遮蔽板 1 1によって、レジスト放出ガスの大半が、投影光学系内に侵入するのを防止する。この場合も、遮蔽板 1 1の開口部を極力小さくすることにより、パージガスが大量に投影光学系内に侵入するのを防止することが好ましいのは前述のとおりである。

図 3は、本発明の第 3の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図であり、図 4は、図 3における投影光学系下部の拡大図である。この E U V露光装置も、全体の概要は図 1 1に示したものと同じであり、図 3には、投影光学系周りの概要を示す。

この実施の形態においては、図 1に示した実施の形態の構成に加え、給気管 7、給気口 8、排気管 9、排気口 1 0の下部に遮蔽板 1 2が設けられ、遮蔽板 1 2の下部に排気管 9、排気口 1 0とは別の排気管 1 3とそれにつながる排気口 1 4が設けられていることが異なっている。遮蔽板 1 2を配置することによって、レジスト 4から放出した、図 4 に矢印で示す放出ガスのうち、遮蔽板 1 2の開口 1 2 aを通過しないガスは遮蔽板 1 2によって遮蔽され、排気口 1 4で排気されて系外に排出される。開口 1 2 aの大きさは投影露光に必要な光束の形状とほぼ同じ形状としておく。この有効光束 1 7の形状を図 4に例示的に破線で示した。このようにすることによって、遮蔽板 1 2より上流（投影光学系方向）に向かうガスは、有効光束 1 7の範囲に限定される。

遮蔽板 1 2を通過した矢印で示す放出ガスは、給気口 8からのパージガス 1 6によつて紙面左方向へ向きを変えられる。パージガス 1 6 として、 Arを使用しているが、その他、前述のようなガスを適宜使用することができる。また、パージガスを流す方向は必ずしも水平方向に流す必要はなく、他の方向でも良く、例えば、斜め下方向に向かって流すことも効果的である。また、給気口の位置、個数、開口径、形状等は装置に対して振動を極力発生させないよう、また、効果的にパージガスを流せるように決定される。このことは、図 1、図 2に示した実施の形態についても同様である。

パージガス 1 6によって向きを変えられたレジスト放出ガス 6の一部もしくは大部分は投影光学系チャンバ 5の下壁 5 cによって遮蔽される。このようにすることによって、パージガス 1 6を流すことによつて本来投影光学系に向かわない放出ガスが投影光学系に向かってしまうというような問題が解決され、より効果的にレジスト放出ガス 6のミラーへの侵入を低減させることが可能となる。

遮蔽板 1 2を通過してきた放出ガスをパージガスによって効果的に遮蔽することが可能であれば、下壁 5 cを無くして遮蔽板 1 2そのものを真空チャンバ 5の下壁とすることも可能である。但し、下壁 5 C と遮蔽板 1 2の両方を設けておく方が放出ガスの除去効率がより高くなる。なお、遮蔽板 1 2に衝突したレジスト放出ガス 6が真空装置内で浮遊すると、露光光束を吸収したり、他の部品に対するコンタミネーシヨンの発生原因となり、問題となることがある。従って、本実施の形態では、前述のように、遮蔽板 1 2の下側に排気口 1 4、排気管 1 3を配置し、遮蔽板 1 2に衝突して浮遊するレジスト放出ガス 6を排気するようにしている。なお、この排気口の数は特に一つである必要はなく、多数配置してもよい。また、図の便宜上、排気ポンプ 1 5を 1つだけ図示しているが、排気管 9， 1 3の各々が別の排気ポンプに接続され、独立に排気する方が好ましい。

また、本実施の形態では、遮蔽板 1 2の左右を、投影光学系チャンバ 5に接続することで、分離された空間を作り出している。つまり、投影光学系を構成する反射鏡 M 1— M 6が配置される空間 Aと、チャンバの下壁 5 c と遮蔽板 1 2 とで囲まれる空間 Bと、遮蔽板 1 2 とウェハステージとの間の空間 Cである。このことにより、空間 Cに比べて空間 Bの真空度が高くなり、更に、空間 Bに比べて空間 Aの真空度を高くすることが可能となる。このようにすることによって、投影光学系を構成する反射鏡の汚染をより効果的に低減させることが可能となる。但し、遮蔽板 1 2を単なる遮蔽板として、上述のような分離された空間を作り出さなくても、遮蔽板としての効果を奏することは言うまでもない。

なお、図 3においては、投影光学系チャンバ 5の下面の下に遮蔽板 1 2を設け、これらの間に形成された空間（E U V光の光路を確保するための開口部を除いて密閉されている）に給気口 8 と排気口 1 0 とを設けているが、図 3における遮蔽板 1 2に相当する部分（空間 Aと Bの部分）までを投影光学系チャンバ 5 とし、図 3においてハツチングで示される下壁 5 cを遮蔽板として投影光学系チャンバ 5の内部に遮蔽板を設けるようにしても名称が変更するだけであり、実質的な構成は同じであり、同じ作用効果を有する。

図 5は、本発明の第 4の実施の形態である E U V露光装置の概要を示す図であり、ウェハ近傍の構成を示す概要図であって、図 4に対応する部分を示すものである。この E U V露光装置も、全体の概要は図 1 1に示したものと同じである。

本実施の形態においては、投影光学系チャンバ 5の下部の開口部 5 b は、露光に必要な E U V光の透過する領域（露光ェリァと露光光の開口数によって決まる）程度とし、必要以上に大きくしない。放出ガスやパージガスの投影光学系内への流入をできるだけ防止するためである。具体的には、外周部長さが 3 3 m m以下、幅 4 m m以下の露光エリアと同様である部分輪帯状形状であることが好ましい。このことは前述の実施形態においても同様である。

本実施の形態においては、投影光学系チャンバ 5の内側にノズル形状の給気口 2 1が設けられており、その開口部 2 2から、パージガスが吹き出されている。

給気口 2 1がパージガスを供給する方向は、ウェハ 3およびレジスト 4からなる感応基板の面に対して所定の角度 0を有する。この角度については後で詳細に説明する。

さらに、本実施の形態においては、遮蔽板の機能を有する投影光学系チヤンバ 5の下部とレジスト 4およびウェハ 3との間においてパージガスの流れの近傍に排気口 2 3を設置することで、レジスト放出ガスとパージガスがより効率よく排出されるので、投影系内に侵入する量を低減することができる。

投影光学系チャンバ 5の開口部 5 bは上述のように、部分輪帯（円弧）状形状となるので、ノズル形状の給気口 2 1の形状に工夫が必要である。図 6に、最適化されたノズル形状の一例を示す。ノズル形状の給気口 2 1 の開口部 2 2 (パージガス噴出口）は投影光学系チャンパ 5の開口部 5 bの形状に添うような円弧形状とするのが好ましい。その理由は、ガスの流れを開口の幅がより短い方向に一致させることにより、パージガスが投影光学系チャンバ 5内に逆流しないようにすることができるからである。投影光学系チャンバ 5の開口部 5 b、又は必要に応じて設けられる遮蔽板の開口部を図 6に示すような円弧形状とするのが好ましいことは他の実施の形態においても同じである。

また、ガスの噴出効率を高めるために、パージガスを噴出させるノズル形状の給気口 2 1の開口部 2 2の高さ dを 0. 5mm程度とし、ノズル形状の給気口 2 1の開口部 2 2の幅は投影光学系チャンバ 5の開口部 5 b と同程度かそれよりやや小さい程度とする。ノズルの開口高さ d を 0. 5mm 程度とすることで、パージガスの噴出方向を揃えることができ効率よくレジスト放出ガスの投影光学系内流入を低減できる。また、流量を後で説明するように 600〜1000cc/mi n と仮定するとパージガス流のレイノルズ数が 2000 以下となるので乱流によるノズルの振動による投影光学系の振動を抑えることができる。この結果、結像性能の劣化を抑えることができる。

図 7は、図 5、図 6に示した投影光学系チャンバ 5 と、給気口 2 1、排気口 2 3等の関係を示した図である。投影光学系内は光学素子の劣化を防ぐため、より真空度の高い環境とされる必要があり、投影光学系チャンバ 5内に投影光学系を構成する各ミラー M 1〜M 6が配置される。なお、場合によっては、平面反射鏡 1や他の光学素子がこの投影光学系チャンバ 5内に配置されることもある。

本実施の形態ではこの投影光学系チャンバ 5の下側の開口部 5 bが遮蔽板の開口部としての役割を果たしている。そして、ガス導入機 2 4から導入されたパージガスが配管 2 5を通ってノズル状の給気口 2 1 より W

23 上述のように射出するものである。投影光学系チャンバ 5の隔壁を遮蔽板として使用しているため、ワーキングディスタンスの小さい場所であつても、問題なく、遮蔽板とノズルを配置することが可能である。なお、投影光学系チャンバ 5の下側に遮蔽板を別に設ける場合であっても、遮蔽板の下側よりも上側の真空度を高くすることが好ましい。何故ならば、投影光学系内にレジスト放出ガスやパージガスの混入を防ぐことができるからである。

ノズルから噴出させるパージガスにより、投影光学系内に侵入するレジスト放出ガス量を低減する。しかし、パージガス量が多すぎると、投影光学系内のパージガス圧が高くなり、上述のように、露光光の吸収の原因となり、スループットの低下をもたらす。したがって、すべてのレジスト放出ガス分子数に対する投影光学系内に流入するレジスト放出ガスの分子数の割合であるレジスト放出ガス投影光学系内流入率と、すべてのパージガス分子数に対する投影光学系内に流入するパージガスの分子数の割合であるパージガス投影光学系内流入率とをともに低減する必要がある。

パージガスの流量について以下に説明する。本実施の形態においては、パージガスは流量 600_{C C}/nii n (sccm)程度以上でレジスト放出ガス投影光学系内流入率を 1 %以下にすることが可能である。一方、パージガス投影光学系内流入率の低減も重要である。現在最も現実的と考えられている 6 枚反射鏡による投影光学系の場合、露光光の投影系内光路長は 3600mm程度である。この光学系で、投影光学系内パージガスにおける吸収を 5 %まで許容できるとすると、投影光学系内に流入したパージガスの圧力は 0. 4Pa以下であることが求められる。本実施の形態のような構成の場合、パージガスは流量 lOOOcc/min程度以下でパージガス投影光学系内圧力を 0. 4Pa以下にすることが可能である。また、パージガスは、屈折率の変化を生じ、ウェハ ' オートフォー力スの Z方向（投影光学系の光軸方向）位置測定誤差の要因となることも考えられる。しかし、 Ar流量が 600〜1000 cc/minの領域ではほぼ無視できるレベルまで抑えることができ、問題はない。

つぎに、パージガス噴出角度について説明する。パージガス噴出角度とは、ズルからのガス噴出方向とウェハ（感応基板）面とがなす角度である。図 8に、パージガス噴出角度とレジスト放出ガス投影光学系内流入率およびパージガス投影光学系内流入率との関係の数値解析結果を示す。図 8に示すように、現実的なワーキングディスタンスの高さ（5mm以上 10mm 以下）では、 30〜60° の間でレジスト放出ガス（CO ₂ )の投影光学系内流入率が極小となる。他方、パージガス（Ar)の投影光学系内流入率は、このパージガス噴出角度の範囲で単調に減少する。したがって、パージガス噴出角度は、好ましくは、 30〜60。であり、さらに好ましくは、 . 35〜55° である。

数値解析の結果では、ガスの流れは 0. 1秒程度で定常状態に達するので、パージガスの流れを開始するのは、露光開始直前であっても問題はない。

図 9は、本発明の第 5の実施の形態である E U V露光装置の構成を示す図であり、図 5に対応するものである。第 5の実施の形態の構成は、投影光学系チャンバ 5の開口部 5 bの周囲に、複数のノズル状の給気口 2 1が設置されている点が、第 4の実施の形態と異なる。第 5の実施の形態の方が、投影系内に侵入するレジスト放出ガスとパージガスの量を低減することが可能であるので好ましい。ただし、機構がより複雑になるという短所がある。

投影光学系チャンバ 5の開口部 5 bの周囲全面にわたってノズルを設置すれば、より効率のよく投影系内に侵入するレジスト放出ガスとパージガスの量を低減することが可能である。

以下、本発明に係わる半導体デバイスの製造方法の実施の形態の例を説明する。図 1 0は、本発明の半導体デバイス製造方法の実施形態の一例を示すフローチヤ一卜である。この例の製造工程は以下の各工程を含む。

( 1 )ウェハを製造するウェハ製造工程（またはウェハを準備するウェハ準備工程）

( 2)露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程（またはマスクを準備するマスク準備工程）

( 3 ) ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程

(4) ウェハ上に形成されたチップを 1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程 .

( 5) できたチップを検査するチップ検査工程

なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。これらの主工程の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッシング工程である。この工程では、設計された回路パターンをウェハ上に順次積層し、メモリや MP Uとして動作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシング工程は、以下の各ェ程を含む。

( 1 ) 絶縁層となる誘電体膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜などを形成する薄膜形成工程（CVDやスパッタリングなどを用いる）

( 2) この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程

( 3) 薄膜層やウェハ基板などを選択的に加工するためにマスク（レクチル）を用いてレジストのバターンを形成するリソグラフィ工程

(4) レジストパターンにしたがって薄膜層や基板を加工するエツチング工程（たとえばドライエツチング技術を用いる）

( 5 ) イオン · 不純物注入拡散工程

( 6 ) レジスト剥離工程

( 7 ) さらに加工されたウェハを検査する検査工程

なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。

本実施形態においては、上記リソグラフイエ程において、上述の E U V光露光装置を使用している。よって、露光装置を長期間にわたって連続運転可能となるので、微細パターンを有するデバイスをスループットよく製造することができる。また、投影光学系を構成する光学素子の反射特性などが光学素子の部分によって変わることが少なくなるので、露光性能が劣化するのを抑えることができる。

Claims

請求の範囲

1 . 極端紫外光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ等の感応基板上に露光転写する露光装置であって、前記マスクに形成されたパターンを感応基板上に投影する投影光学系と、前記投影光学系を囲う真空チャンバと、前記真空チャンバに配置され、前記感応基板に向かう極端紫外光を通過させる開口と、前記感応基板に塗布されたレジストから発生するレジスト放出ガスをパージするガスを給気する給気口と、前記パージガスを排気する排気口とが設けられていることを特徴とする極端紫外線露光装置。

2 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記開口より感応基板側の空間に比べて相対的に前記投影光学系の真空チャンバ内の空間の真空度が髙いことを特徴とする露光装置。

3 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記開口が前記開口を通過する極短紫外光の光束形状と実質的に同一形状であることを特徴とする露光装置。

4 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記給気口と前記排気口は前記真空チャンバと前記感応基板の間に配置されていることを特徴とする露光装置。

5 . 請求の範囲第 4項に記載の露光装置であって、前記パージガスの流通路と前記真空チャンバとの間に、露光に必要な極短紫外光を通過させる開口を有する遮蔽板が設けられていることを特徴とする露光装置。

6 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記給気口から給気されるパージガスの流速は超音速であることを特徴とする露光装置。

7 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記パージガスの圧力を 0. 1〜 1 0 Paとしたことを特徴とする露光装置。

8 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記レジスト放出ガスをパージするためのガスの流れの方向を、交互に逆向きにしながら露光を行うことを特徴とする露光装置。

9 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記レジスト放出ガスをパージするためのガス力 Ar、 Kr、 Xe、 N ₂ 、 He , Ne、又はこれらの 2種以上の混合体であることを特徴とする露光装置。

1 0 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置であって、前記投影光学系中の前記複数の反射鏡のうち、前記極短紫外光の光路に沿って最も感応基板に近い反射鏡と前記開口との間に前記給気口が配置されていることを特徴とする露光装置。

1 1 . 請求の範囲第 1 0項に記載の露光装置であって、前記給気口と前記最も感応基板に近い反射鏡との間に前記極端紫外線が通過可能な開口を有する遮蔽板が配置されることを特徴とする露光装置。

1 2 . 請求の範囲第 1 1項に記載の露光装置であって、前記遮蔽板と前記真空チャンバの壁によって囲まれる空間が前記開口部以外で閉じられた空間であることを特徴とする露 '光装置。

1 3 . 請求の範囲第 1 2項に記載の露光装置であって、前記遮蔽板と前記真空チャンバの間に排気口を有することを特徴とする露光装置。

1 4 . 請求の範囲第 1 0項に記載の露光装置であって、前記遮蔽板及び前記真空チャンバのうち、少なくとも一方の開口が前記開口を通過する極短紫外光の光束形状と実質的に同一形状であることを特徴とする露光装置。

1 5 . 請求の範囲第 1 1項に記載の露光装置であって、前記真空チヤンバの開口より感応基板側の空間に比べて、相対的に、前記真空チャンバの開口より前記反射鏡側の空間の真空度が高いことを特徴とする露光装置。

1 6 . 請求の範囲第 1 1項に記載の露光装置であって、前記真空チヤンバの開口より感応基板側の空間に比べて、相対的に、前記真空チャンバの開口より前記反射鏡側の空間の真空度が高いことを特徴とする露光装置。 .

1 7 . 請求の範囲第 1 1項に記載の露光装置であって、前記遮蔽板の開口より感応基板側の空間に比べて、相対的に、前記遮蔽板の開口より前記反射鏡側の空間の真空度が高いことを特徴とする露光装置。

1 8 . 請求の範囲第 1 0項に記載の露光装置であって、前記給気口から供給されるパージガスが前記真空チャンバの開口を通して前記感応基板の方向に供給されるように前記給気口が配置されることを特徴とする露光装置。

1 9 . 請求の範囲第 1 8項に記載の露光装置であって、前記排気口は前記真空チャンバの開口よりも前記感応基板の側に配置されることを特徴とする露光装置。

2 0 . 請求の範囲第 1 8項に記載の露光装置であって、前記給気口のガスを供給する開口の寸法を、前記パージガス流のレイノルズ数が 2000 以下となるように定めたことを特徴とする露光装置。

2 1 . 請求の範囲第 1 8項に記載の露光装置であって、感応基板に向けてガスを供給する方向が感応基板に対して 3 0〜 6 0度であることを特徴とする露光装置。

2 2 . 請求の範囲第 1 8項に記載の露光装置であって、給気口から供給されるガスの流量が 600〜1000cc/rain ( 1. 00 x 10— ⁵〜 1. 67 x 10— ⁵ M ³ /s ec) となるように定めたことを特徴とする露光装置。

2 3 . 請求の範囲第 1項に記載の露光装置を用いて、マスクに形成されたパターンを感応基板に露光転写する工程を有することを特徴とする微細パターンを有するデバイスの製造方法。