JP2001237181A - Ｅｕｖレチクルサーマルマネージメントシステム - Google Patents

Ｅｕｖレチクルサーマルマネージメントシステム

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JP2001237181A
JP2001237181A JP2000395889A JP2000395889A JP2001237181A JP 2001237181 A JP2001237181 A JP 2001237181A JP 2000395889 A JP2000395889 A JP 2000395889A JP 2000395889 A JP2000395889 A JP 2000395889A JP 2001237181 A JP2001237181 A JP 2001237181A
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reticle
thermal management
management system
thermal
heating element
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JP2000395889A
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Andrew W Mccullough
ダブリュー マッカロー アンドリュー
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Original Assignee
SVG Lithography Systems Inc
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【解決手段】レチクルの熱歪を実質的に除去する、ホト
リソグラフィック装置／ツールに使用されるサーマルマ
ネージメント装置。扁平な冷却エレメントがＥＵＶ電磁
放射が照射されるレチクルに隣接配置される。加熱エレ
メントが電磁放射によるレチクルの露光の前に熱を供給
し、システムは熱平衡状態にある。ＥＵＶ電磁放射によ
る露光に基づいてレチクルによる吸収が熱を引き起こ
す。加熱エレメントは発生熱を低減すべく制御され、放
射吸収が原因で露光期間中にレチクル内に発生される外
部熱負荷が補償される。 【効果】レチクルはもはや加熱／熱エネルギー変化を受
けず、ひいてはレチクル内の膨張／熱勾配はいずれも除
去／著しく低減される。レチクルの熱勾配の低減は歪み
を低減するので、感光性基板に対するレチクルのイメー
ジングは改善される。本発明は半導体／電子装置の製造
に使用される走査形ホトグラフィックシステムに適す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は一般に、半導体デバイスの製造に
使用されるようなホトリソグラフィーに関し、かつもっ
と特定すれば、走査形ホトリソグラフィックシステムに
おけるレチクルの温度を制御することに関する。
【０００２】発明の背景 エレクトロニックデバイスまたは半導体デバイスの製造
に使用されるようなホトリソグラフィーにおいて、その
上に回路パターンを含んでいるレチクルまたはマスクが
投影光学系を介して感光性またはレジストがカバーされ
ている基板上にイメージされる。今日１００ｎｍになら
んとしているフィーチャサイズで非常に高度な品質のイ
メージが要求されることも多い。ＥＵＶ（extreme ultr
aviolet）、極紫外線範囲において、このようなサイズ
は数十ナノメータに減る可能性がある。要求される高品
質のイメージおよび非常に小さなフィーチャサイズを実
現するために、マスクまたはレチクルのイメージを感光
性の基板に投影するための照射源に対する選択例次第で
は、極紫外線、ＥＵＶにある波長を有している電磁放射
の使用が要求される。時として、要求される露光線量を
実現するために、照射源は比較的高いエネルギーまたは
高いレベルの線束のものでなければならない。マスクま
たはレチクルはこのエネルギーの相当の部分を吸収する
はずである。ＥＵＶにおいて、レチクルは反射性であ
る。高反射領域において吸収されるエネルギーの量は、
マスクまたはレチクルの反射成分に対してはこのコーテ
ィキングの場合３２％でありかつマスクまたはレチクル
の吸収または非反射成分に対しては１００％である。結
果として、レチクルは全体として温度が上昇することに
なりかつこの上昇はパターンに依存して不均一になる可
能性があり、そうすると補正できない歪みが生じる。そ
れ故に性能に不都合に影響することになる。レチクルの
加熱（ヒーティングまたはウォーミング）はしばしば複
雑である。その理由は、システムは普通真空中に配置さ
れているからである。更に、レチクルの加熱はしばし
ば、レチクルの表面を横断するように高エネルギーの照
射野が走査されるという走査形ホトグラフィックシステ
ムにおいては複雑である。それ故に、ホトグラフィック
システムにおけるレチクルの熱管理ないし熱操作（以
下、サーマルマネージメントと表す）を、殊に走査形ホ
トグラフィックシステムにおいて改善しようという要求
がある。
【０００３】発明の概要 本発明は、レチクルによって吸収される熱エネルギーを
管理ないし操作するための装置および方法に向けられて
いる。基本コンセプトは、外部の熱／冷却供給を設定し
て、レチクルが常に一定の熱負荷を有しかつこの熱負荷
がウェハの線束に無関係であるようにすることである。
熱負荷はこの熱源からの負荷＋入射する線束熱負荷が一
定に維持されるようにする調整可能なヒータから成って
いる。実質的に扁平な冷却エレメントがレチクルに隣接
して位置決めされている。冷却エレメントはアパーチャ
を有していて、その中を照射源からの照射野が通過する
ようになっている。この照射アパーチャに隣接して加熱
エレメントが位置決めされている。冷却エレメントおよ
び加熱エレメントは、温度変化がもはや生じず、従って
レチクルは熱平衡状態に維持されるように平衡をとられ
ている。熱は２つのソースから生じるようになってい
る。すなわち、加熱エレメントからの熱およびレチクル
によって吸収されるＥＵＶ電磁放射からの熱。ＥＵＶ電
磁放射の露光線量の間のレチクルの吸収率を考慮した加
熱エレメントの選択的な制御の結果、等温環境にあるか
のように、レチクルの線束誘起される熱歪は著しく低減
されることになる。別の実施例において、走査の方向に
対して垂直である方向における加熱エレメントの温度変
化を、レチクルの吸収パターンに依存した不均一性また
はパターンを補償するように変形することも可能であ
る。レチクルと加熱および冷却エレメント間に適当な不
活性ガスを導入して、周知の熱泳動法によりレチクルを
クリーンにするようにしてもよい。
【０００４】更に、本発明の目的は、レチクルの熱歪を
最小にまたは防止して、これによりイメージの品質を改
善し、かつ誘起されるいずれのオーバレイエラーも最小
化されるようにすることである。
【０００５】本発明の別の利点は、走査形ホトグラフィ
ックシステムにおけるレチクルのサーマルマネージメン
トを改善することである。本発明の利点は、種々異なっ
た吸収度を有する種々異なったレチクルに対して容易に
調整可能であるということである。
【０００６】本発明の別の利点は、レチクルの熱泳動ク
リーニングに容易に適合可能であるということである。
【０００７】本発明のキーとなる特徴は、加熱および冷
却エレメント間が同時に使用されるということである。
【０００８】本発明の更に別の特徴は、加熱エレメント
が使用されかつＥＵＶ照射からレチクルによって吸収さ
れるエネルギーがあっても、一定の熱負荷に維持される
ということである。
【０００９】これらのおよびその他の目的、利点、およ
び特徴は以下の一層詳細な説明を見れば容易に明らかに
なる。
【００１０】有利な実施例の詳細な説明 図１には、本発明の実施例が略示されている。図１に
は、サーマルマネージメントデバイス１６を使用してい
るホトリソグラフィックシステムまたはツールが示され
ている。照射源１０は、極紫外線ＥＵＶにある波長を持
った電磁放射を反射性のレチクルまたはマスク１２に供
給する。
【００１１】別の実施例または形態において、レチクル
またはマスク１２は反射性のレチクルである必要はな
い。その場合、照射はレチクルを透過することになる。
更に、照射源はいずれの波長の電磁放射も発生すること
ができ、かつＥＵＶに制限されていないことは勿論であ
る。
【００１２】レチクルまたはマスク１２はレチクルステ
ージ１４に位置決めされている。照射源１０からの電磁
放射はサーマルマネージメントデバイス１６のアパーチ
ャを通って出入りする。反射された電磁放射は投影光学
系１８によって収集される。投影光学系１８一般にＥＵ
Ｖを反射するが、ＥＵＶとは別の波長では屈折するまた
はその組み合わせである。投影光学系１８は感光性の基
板またはウェハ２０にレチクルをイメージする。基板ま
たはウェハは上に感光性のレジストコーティングを有し
ている。投影光学系１８は普通、１より小さな倍率を有
するものであり、レチクルの縮小されたイメージを形成
する。大抵は、倍率は４：１の縮小比であるが、別の比
を使用することもできる。感光性の基板２０は基板また
はウェハステージ２２に配置されている。レチクルまた
はマスクステージ１４および基板またはウェハステージ
２２の動きはステージコントロール２４によって制御さ
れる。有利には、レチクルまたはマスクステージ１４お
よび基板またはウェハステージ２２は同期して走査され
て、走査露光が実現されかつレチクル１２のイメージ全
体が感光性の基板２０上に製造されるようになってい
る。レチクルまたはマスクステージ１４および基板また
はウェハステージ２２の相対速度は、投影光学系１８の
倍率に比例している。温度コントロール部２６は、サー
マルマネージメントデバイス１６、ステージコントロー
ル部２４および照射源１０に接続されている。
【００１３】サーマルマネージメントデバイス１６は、
照射源１０からのＥＵＶ電磁放射の吸収に基づくレチク
ル内またはレチクル上に発生される熱エネルギーをマネ
ージメント（管理もしくは操作）または補償する。サー
マルマネージメントデバイス１６は、レチクル１２の熱
歪を除去するまたは著しく低減する。サーマルマネージ
メントデバイス１６は特に、比較的小さなフィーチャー
サイズをイメージするために電磁放射の比較的短い波長
が使用されるときに好都合である。
【００１４】図２には、本発明の操作が示されている。
サーマルマネージメントデバイス１６は１つの実質的に
扁平な冷却エレメント２８を有している。冷却エレメン
ト２８の間に、加熱エレメント３０が位置決めされてい
る。加熱エレメント３０は照射アパーチャ３６に隣接し
て配置されている。冷却エレメント２８と加熱エレメン
ト３０との間には隔離スペース３８が設けられている。
マスクまたは反射性のレチクル１２とサーマルマネージ
メントデバイス１６との間に適当な不活性ガス流を供給
するために、ガス供給部４２を使用することができる。
これは、所望のときに、熱泳動法（thermophoretic met
hod）によりレチクルをクリーンに保つのに役立つ。冷
却エレメント２８および加熱エレメント３０をレチクル
に対して熱結合するのにも貢献することになる。矢印４
０は、反射性のレチクル１２の走査の方向を表してい
る。更に、絶縁体３２が冷却エレメント２８の上に配置
されかつ絶縁体３４が冷却エレメント３０の上に配置さ
れているようにできる。
【００１５】図３には、サーマルマネージメントデバイ
ス１６の平面図が示されている。図３から分かるよう
に、レチクル１２はサーマルマネージメントデバイス１
６に隣接してまたはその下方に配置されている。鎖線３
９はレチクル１２の走査限界を表している。イメージさ
れるべき、レチクル１２上のパターン４４はレチクル上
に形成された普通は直交の回路パターンである。これは
一部が照射アパーチャ３６を通して図示されている。こ
のパターンが感光性の基板上に製造されるべきものであ
る。加熱エレメント３０上の絶縁物３４が照射アパーチ
ャ３６に隣接して図示されている。隔離スペース３８が
スペースとして図示されていることによく注目すべきで
ある。しかし隔離スペース３８は、絶縁物またはその他
の適当な材料によって容易に充填することもできる。更
に、略示されている加熱エレメントはワイヤグリッドの
ようないずれかの加熱エレメント、または赤外線レーザ
またはランプのような放射源であってよい。その他等価
の加熱エレメントを使用してもよい。使用の加熱エレメ
ントは応答が迅速でかつ熱質量が小さいものでなければ
ならない。このようにして、加熱エレメントの温度の急
激な変化を実現することができる。
【００１６】図４には、本発明の別の実施例が示されて
いる。この実施例について、サーマルマネージメントデ
バイス１１６が平面図にて示されている。サーマルマネ
ージメントデバイス１１６は弓形の照射アパーチャ１３
６並びに弓形の加熱エレメントをカバーしている隣接す
る弓形の絶縁物１３４を有している。隔離スペース１３
８も弓形であってよい。絶縁物１３２は冷却エレメント
をカバーしている。図４に図示されているこの実施例
は、本発明を弓形形状を有している照射野に使用する例
を示している。しかし照射アパーチャ１３６はいずれの
所望の照射野に整合するように作ることができる。
【００１７】図５は、本発明の実施例を具体化するため
に使用される方法のステップまたは実行を表しているブ
ロックダイヤグラムである。ブロック２１０は、加熱領
域および冷却領域に隣接しているまたは下方にあるレチ
クルを走査するステップまたは実行を表している。ブロ
ック２１２は、極紫外線、ＥＵＶ、電磁放射によるレチ
クルの一部を照射するステップまたは実行を表してい
る。ブロック２１４は加熱される領域からの熱の一部を
取り除くまたは低減するステップまたは実行を表してい
る。ブロック２１６は、極紫外線、ＥＵＶ、電磁放射で
レチクルを走査して、レチクルのイメージを感光性の基
板に露光するステップまたは実行を表している。
【００１８】本発明および種々様々な実施例は図を参照
して容易に理解することができる。照射源１０は照射野
を形成する。これは、レチクル１２および基板２０が同
期して走査されるとき、レチクル１２のイメージを感光
性の基板２０に逐次投影するために使用される。どんな
瞬間にもレチクル１２の一部しか照射されず、かつレチ
クルの一部によるＥＵＶ電磁放射の吸収が非常に高いこ
とを考えれば、レチクル内の一様でない加熱または温度
勾配のためにレチクルが歪む可能性がある。サーマルマ
ネージメントデバイス１６が冷却エレメント２８および
加熱エレメント３０を有していて、熱エネルギーを制御
しかつレチクル１２の歪みを防止するのである。冷却エ
レメント２８は加熱エレメント３０によって行われるの
と同じレートで熱エネルギーを除去する。従って、レチ
クル１２に供給される熱エネルギーはもはや存在しな
い。レチクル１２は矢印４０の方向において連続的に走
査されるようになっているので、レチクルは生じる走査
レートにおいて非常に低い過渡的な、大きさの小さい熱
表面波とだけ熱平衡をとる。露光が行われるべきであり
かつレチクル１２のイメージが感光性の基板にて投影ま
たは形成されるべきとき、極紫外線電磁放射が照射アパ
ーチャ３６に入りかつレチクル１２を照射する。典型的
には３２％と１００％との間にある、この電磁放射の一
部はレチクル１２によって吸収される。加熱エレメント
３０に供給されるエネルギーは除去または低減されて、
レチクル１２における電磁放射の吸収により生成された
熱エネルギーが補償されるようになっている。結果とし
て、レチクル１２はもはや熱負荷変化を蒙らず、極紫外
線電磁放射の吸収に基づくレチクルの加熱の結果として
生成される歪みはいずれも除去または相当低減される。
温度コントロール部２６は加熱および冷却コマンドをサ
ーマルマネージメントデバイス１６に供給する。加熱エ
レメント３０および冷却エレメント２８に供給される信
号は走査操作の期間に連続するようにできるので、レチ
クル１２が走査方向における異なった場所において不均
一な吸収を有しているとしても、加熱エレメント３０を
適当に一時的に制御して、レチクル１２におけるそれぞ
れの空間場所について補償することができる。更に、加
熱エレメント３０を走査方向に対して垂直である方向に
沿って空間的に制御して付加的に、走査方向に対して垂
直である方向または照射アパーチャ３６に沿って縦方向
におけるレチクルの吸収のレートの差がいずれも補償さ
れるようにしている。それ故に本発明のサーマルマネー
ジメントデバイス１６は、レチクル１２における種々異
なった熱吸収が補償されるように非常に容易にコントロ
ールすることができる。更に、本発明は、レチクル１２
のサーマルマネージメントを著しく支援しかつレチクル
１２における熱勾配によって引き起こされる歪みを実質
的に除去または低減する。本発明は、走査モードを使用
するホトリソグラフィックツールに殊に適しているが、
コンセプトはその他のコンフィギュレーションに対して
適用してもよい。
【００１９】更に、有利な実施例が図示されかつ説明も
されたが、当業者には、本発明の精神および範囲を逸脱
しない限りには種々の変形例が可能であることは明確で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】レチクルサーマルマネージメントデバイスを有
しているホトリソグラフィックシステムの概略図であ
る。
【図２】レチクルサーマルマネージメントデバイスの略
図である。
【図３】レチクルサーマルマネージメントデバイスを略
示する平面図である、
【図４】弓形の照射源を有するシステムと協働するレチ
クルサーマルマネージメントデバイスの別の実施例を略
示する平面図である。
【図５】本発明の別の実施例の方法ステップを説明する
ブロック線図である。

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ホトリソグラフィーに使用されるレチク
    ルサーマルマネージメントシステムであって、レチクル
    に隣接配置されている加熱エレメントを備え、該加熱エ
    レメントに隣接して形成される照射アパーチャを備え、
    前記加熱エレメントに接続されているコントロール部を
    備え、ここで前記コントロール部は前記加熱エレメント
    を選択的に制御して、照射されていないときにレチクル
    に熱が供給されるようにして、レチクルが照射されてい
    るときの電磁放射の吸収を補償するレチクルサーマルマ
    ネージメントシステム。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の、ホトリソグラフィー
    に使用されるレチクルサーマルマネージメントシステム
    であって、更に、前記加熱エレメントに隣接配置されか
    つ前記コントロール部に接続されている冷却エレメント
    を備えているレチクルサーマルマネージメントシステ
    ム。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の、ホトリソグラフィー
    に使用されるレチクルサーマルマネージメントシステム
    であって、更に、前記加熱および冷却エレメント上に配
    置されている絶縁物を備えているレチクルサーマルマネ
    ージメントシステム。
  4. 【請求項４】 ホトリソグラフィーに使用されるレチク
    ルサーマルマネージメントシステムであって、レチクル
    に隣接配置されている冷却エレメントを備え、該レチク
    ルおよび前記冷却エレメントに隣接配置されている加熱
    エレメントを備え、該加熱エレメントに隣接して形成さ
    れる照射アパーチャを備え、かつ前記冷却エレメントお
    よび加熱エレメントに接続されているコントロール部を
    備え、該コントロール部は前記加熱エレメントを制御し
    て、電磁放射によって照射されていないときにレチクル
    が加熱されかつ電磁放射によって照射されていてレチク
    ルに熱が発生されるとき熱が低減されるようにし、ここ
    で電磁放射は前記照射アパーチャを通って通過して、レ
    チクルを照射しかつ感光性の基板上にレチクルのイメー
    ジを投影するレチクルサーマルマネージメントシステ
    ム。
  5. 【請求項５】 請求項４記載のホトリソグラフィーに使
    用されるレチクルサーマルマネージメントシステムであ
    って、前記加熱エレメントはワイヤグリッドであるレチ
    クルサーマルマネージメントシステム。
  6. 【請求項６】 請求項４記載のホトリソグラフィーに使
    用されるレチクルサーマルマネージメントシステムであ
    って、前記加熱エレメントはランプであるレチクルサー
    マルマネージメントシステム。
  7. 【請求項７】 請求項４記載のホトリソグラフィーに使
    用されるレチクルサーマルマネージメントシステムであ
    って、前記加熱エレメントは非化学線の波長において動
    作するレーザであるレチクルサーマルマネージメントシ
    ステム。
  8. 【請求項８】 請求項４記載のホトリソグラフィーに使
    用されるレチクルサーマルマネージメントシステムであ
    って、前記照射アパーチャは弓形の形状を有しているレ
    チクルサーマルマネージメントシステム。
  9. 【請求項９】 請求項４記載のホトリソグラフィーに使
    用されるレチクルサーマルマネージメントシステムであ
    って、更に、前記冷却エレメントおよび加熱エレメント
    上に絶縁個所を有しているレチクルサーマルマネージメ
    ントシステム。
  10. 【請求項１０】 請求項４記載のホトリソグラフィーに
    使用されるレチクルサーマルマネージメントシステムで
    あって、更に、ガス供給部を有しており、該ガス供給部
    は前記レチクルに隣接してガス流を供給するレチクルサ
    ーマルマネージメントシステム。
  11. 【請求項１１】 請求項４記載のホトリソグラフィーに
    使用されるレチクルサーマルマネージメントシステムで
    あって、前記コントロール部は前記加熱エレメントおよ
    び冷却エレメントを空間的に制御するレチクルサーマル
    マネージメントシステム。
  12. 【請求項１２】 ホトリソグラフィーに使用されるレチ
    クルの温度を制御する際に使用されるサーマルマネージ
    メントシステムであって、レチクルに隣接配置された実
    質的に扁平な加熱エレメントを備え、レチクルに隣接配
    置されかつ前記扁平な加熱エレメントを取り囲む実質的
    に扁平な冷却エレメントを備え、前記扁平な加熱エレメ
    ントと共通の側面を有している、前記扁平な冷却エレメ
    ントに形成された照射アパーチャを備え、前記実質的に
    扁平な加熱エレメントに接続されているコントロール部
    を備え、該コントロール部は、該実質的に扁平な加熱エ
    レメントを制御して、レチクルが照射源からの電磁放射
    によって放射されていないときに熱を供給しかつレチク
    ルが照射源からの電磁放射によって放射されているとき
    に熱を供給しないようにし、これにより照射源からの電
    磁放射の吸収に基づくレチクル内の熱勾配が低減される
    ようにしたサーマルマネージメントシステム。
  13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の、ホトリソグラフ
    ィーに使用されるレチクルの温度を制御する際に使用さ
    れるサーマルマネージメントシステムであって、前記コ
    ントロール部は前記加熱エレメントを種々異なったロケ
    ーションにおいて空間的に制御するサーマルマネージメ
    ントシステム。
  14. 【請求項１４】 請求項１２に記載の、ホトリソグラフ
    ィーに使用されるレチクルの温度を制御する際に使用さ
    れるサーマルマネージメントシステムであって、前記加
    熱エレメントはワイヤグリッドを有しているサーマルマ
    ネージメントシステム。
  15. 【請求項１５】 レチクルサーマルマネージメント部を
    備えたホトリソグラフィックシステムであって、照射野
    を発生するＥＵＶ照射源を備え、レチクルを有している
    レチクルステージを備え、該レチクルは該ステージ上に
    前記照射野を受け取るように位置決めされており、レチ
    クルに隣接配置された加熱エレメントを備え、該加熱エ
    レメントはレチクルの一部に熱を供給し、レチクルに隣
    接配置された冷却エレメントを備え、該冷却エレメント
    はレチクルから熱を除去し、前記ＥＵＶ照射源と、前記
    照射源と、前記加熱エレメントおよび冷却エレメントと
    に接続されている温度コントロール部を備え、これによ
    り該温度コントロール部が前記加熱エレメントおよび冷
    却エレメントによってレチクルに供給される熱エネルギ
    ーを選択的に制御して、レチクルによる電磁放射の吸収
    に基づく熱勾配が低減されるようになっており、基板ス
    テージを備え、この上に感光性の基板を有しており、レ
    チクルと感光性の基板との間に配置された投影光学系を
    備え、かつ前記レチクルステージおよび前記基板に接続
    されているステージコントロール部を備え、これにより
    レチクルのイメージは感光性の基板上に、レチクル中の
    熱勾配に基づいた歪みが低減された形で投影されるよう
    にしたサーマルマネージメントシステム。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載の、ホトリソグラフィ
    ーに使用されるレチクルの温度を制御するために使用さ
    れるサーマルマネージメントシステムであって、照射野
    はレチクルを横断するように走査されるサーマルマネー
    ジメントシステム。
  17. 【請求項１７】 請求項１５記載の、ホトリソグラフィ
    ーに使用されるレチクルの温度を制御するために使用さ
    れるサーマルマネージメントシステムであって、前記投
    影光学系は縮小されたイメージを形成するサーマルマネ
    ージメントシステム。
  18. 【請求項１８】 請求項１６記載の、ホトリソグラフィ
    ーに使用されるレチクルの温度を制御するために使用さ
    れるサーマルマネージメントシステムであって、前記温
    度コントロール部は走査操作の期間、熱エネルギーを一
    時的に制御するサーマルマネージメントシステム。
  19. 【請求項１９】 請求項１５記載の、ホトリソグラフィ
    ーに使用されるレチクルの温度を制御するために使用さ
    れるサーマルマネージメントシステムであって、前記温
    度コントロール部は照射野に沿った方向において熱エネ
    ルギーを空間的に制御するサーマルマネージメントシス
    テム。
  20. 【請求項２０】 ホトリソグラフィーに使用されるレチ
    クルの温度を制御するために使用されるサーマルマネー
    ジメントシステムであって、レチクルを備え、該レチク
    ルに隣接配置されたサーマルマネージメント手段を備
    え、該サーマルマネージメント手段は前記レチクルの照
    射の前に熱エネルギーを供給しかつ前記レチクルの照射
    の期間には熱エネルギーを除去し、これにより電磁放射
    の吸収に基づくレチクル中の熱勾配および歪みが低減さ
    れるようにしているサーマルマネージメントシステム。
  21. 【請求項２１】 ホトリソグラフィーに使用されるレチ
    クルの熱歪を制御する方法であって、レチクルが照射源
    によって照射されていないときに、レチクルに熱を供給
    し、レチクルが照射源によって照射されているときに、
    レチクルから熱を取り除き、これによりレチクル中の熱
    勾配が低減されるようにする方法。
  22. 【請求項２２】 請求項２１に記載の、ホトリソグラフ
    ィーに使用されるレチクルの熱歪を制御する方法であっ
    て、熱を供給するステップは、照射源によって照射され
    ているときに、レチクルによる電磁放射の吸収から期待
    される熱に等価である熱を供給することを有し、かつ熱
    を除去するステップは、照射源によって照射されている
    ときに、レチクルによる電磁放射の吸収によって引き起
    こされる熱に等価である熱を取り除くことを有している
    方法。
  23. 【請求項２３】 走査形ホトリソグラフィーに使用され
    るレチクルの熱歪を制御する方法であって、加熱および
    冷却領域に隣接しているレチクルを走査し、レチクルの
    一部に電磁放射を照射し、加熱領域から熱の一部を取り
    除き、レチクルを電磁放射によって走査して、感光性の
    基板が露光され、レチクルのイメージが形成されるよう
    にするステップを有している方法。
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