JP2014165460A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光装置においてレチクルの熱収差を抑制し、オーバーレイ誤差を低下させることができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体製造装置は、第1の光学系および第2の光学系を備えている。第1の光学系は、第1の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する。第2の光学系は、原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第2の光源からの光を原版に照射する。
【選択図】図1
【解決手段】本実施形態による半導体製造装置は、第1の光学系および第2の光学系を備えている。第1の光学系は、第1の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する。第2の光学系は、原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第2の光源からの光を原版に照射する。
【選択図】図1
Description
本発明による実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
微細化された半導体装置を形成するために、極短紫外(EUV(Extreme Ultra Violet))光を用いた露光装置(以下、EUV露光装置ともいう)が開発されている。EUV光は空気中で減衰するため、EUV露光装置のチャンバの内部は真空に保たれている。真空チャンバ内にあるレチクルは、EUV光を受けて加熱されやすい状態にあるため、レチクルステージを介して冷却する必要がある。しかし、レチクルステージに冷却機構を設けたとしても、レチクルの温度変化は大きく、熱収縮あるいは熱膨張によるオーバーレイ誤差が生じ易い。即ち、レチクルにおいて熱収差が生じやすい。従って、露光装置においてレチクルの熱収差を抑制し、オーバーレイ誤差を低下させることが望まれている。
露光装置においてレチクルの熱収差を抑制し、オーバーレイ誤差を低下させることができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
本実施形態による半導体製造装置は、第1の光学系および第2の光学系を備えている。第1の光学系は、第1の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する。第2の光学系は、原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第2の光源からの光を原版に照射する。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す図である。尚、本実施形態は、EUV露光装置100に限らず、他の露光装置にも適用可能である。
図1は、第1の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す図である。尚、本実施形態は、EUV露光装置100に限らず、他の露光装置にも適用可能である。
EUV露光装置100は、真空チャンバ1と、レチクルステージ7と、ウェハステージ10と、電磁チャック9、12と、第1の光学系4と、第2の光学系5と、レチクル搬送アーム8と、ウェハ搬送アーム11と、演算制御部23と、真空装置24と、第1の光源31と、第2の光源32とを備えている。
真空チャンバ1の内部は真空装置24によって真空(例えば、1×10−4Pa程度の減圧雰囲気)に維持されている。レチクルステージ7、ウェハステージ10、第1の光学系4および第2の光学系5は、真空チャンバ1内に設けられており、EUV光による露光は真空チャンバ1内で実行される。
レチクルステージ7は、電磁チャック9を備え、半導体基板Wを露光するために回路パターンを形成した反射型レチクルRを装着する。電磁チャック9は、レチクルRを吸着し固定する。レチクルステージ7は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。
ウェハステージ10は、電磁チャック12を備え、露光対象である半導体基板Wを搭載する。電磁チャック12は、半導体基板Wを吸着し固定する。ウェハステージ10は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。
レチクル搬送アーム8は、ロードロックチャンバ13からレチクルRを真空チャンバ1内へ搬入し、そのレチクルRをレチクルステージ7へ搬送する。
ロードロックチャンバ13は、レチクル交換室14と真空チャンバ1との間でレチクルRの受け渡しを行なうために設けられている。ロードロックチャンバ13の内部は、真空装置26によって真空状態にすることができる。ロードロックチャンバ13の両側にはゲート弁16、17が設けられている。ロードロックチャンバ13がレチクルRをレチクル交換室14から受け取るとき、ゲート弁16が閉鎖され、ゲート弁17が開放される。このとき、ロードロックチャンバ13の内部は大気圧となっている。一方、ロードロックチャンバ13がレチクルRを真空チャンバ1へ搬入するときには、ゲート弁17は閉鎖され、ゲート弁16が開放される。ゲート弁17を閉じた後、ゲート弁16を開放する前に、ロードロックチャンバ13の内部は真空装置26によって真空状態にされる。
レチクル交換室14は、複数のレチクルRを収納している。レチクル搬送アーム15は、レチクル交換室14とロードロックチャンバ13との間においてレチクルRの受け渡しを行なう。
ウェハ搬送アーム11は、ロードロックチャンバ18から半導体基板Wを真空チャンバ1内へ搬入し、その半導体基板Wをウェハステージ10上に搭載する。
ロードロックチャンバ18は、ウェハ交換室19と真空チャンバ1との間で半導体基板Wの受け渡しを行なうために設けられている。ロードロックチャンバ18の内部は、真空装置27によって真空状態にすることができる。ロードロックチャンバ18の両側にはゲート弁21、22が設けられている。ロードロックチャンバ18が半導体基板Wをウェハ交換室19から受け取るとき、ゲート弁21が閉鎖され、ゲート弁22が開放される。このとき、ロードロックチャンバ18の内部は大気圧となっている。一方、ロードロックチャンバ18が半導体基板Wを真空チャンバ1へ搬入するときには、ゲート弁22は閉鎖され、ゲート弁21が開放される。ゲート弁22を閉じた後、ゲート弁21を開放する前に、ロードロックチャンバ18の内部は真空装置27によって真空状態にされる。
ウェハ交換室19は、複数の半導体基板Wを収納している。ウェハ搬送アーム20は、ウェハ交換室19とロードロックチャンバ18との間において半導体基板Wの受け渡しを行なう。
第1の光源31は、EUV光を生成し、第1の光学系4へEUV光を供給する。第1の光学系4は、第1の光源31からの光をレチクルステージ7に装着された露光原版としてのレチクルRに照射し、該レチクルRに描かれたパターンをウェハステージ10上に搭載された半導体基板Wに露光転写する。露光時に、第1の光学系4は、EUV光をレチクルRへ照射し、レチクルRで反射した露光光で半導体基板Wを露光する。即ち、第1の光学系4は、レチクルRの照明および半導体基板Wへの投影を行なう。半導体基板Wの表面には、感光性材料(例えば、レジスト)が予め塗布されており、露光光(EUV光)は、半導体基板W上の感光性材料を感光させる。
第2の光源32は、第1の光源31と同時に、EUV光を生成し、第2の光学系5へEUV光を供給する。第2の光源32は、EUV光以外の赤外光等を生成してもよい。第2の光学系5は、第1の光学系4とは別経路で第2の光源32からの光をレチクルRへ照射する。第2の光源32からの光は、露光のために用いられるのではなく、レチクルRの熱収差を抑制するために用いられる。即ち、第2の光源32からの光は、露光光ではなく、レチクルRへの補充光である。以下、第2の光学系5からの光を、第1の光学系4からの露光光と区別するために補充光と呼ぶ。このとき、第2の光学系5は、後述するように、レチクルRに描かれたパターンの密度に応じた照度で補充光をレチクルRの全体あるいはその局所に照射する。第2の光学系5からの補充光は、第1の光学系4からの露光光と同時にレチクルRへ照射される。補充光の反射光は、半導体基板Wに照射されないように、受光部(図示せず)において受光される。
演算制御部23は、レチクルステージ7、ウェハステージ10等のEUV露光装置100の各構成要素の動作を制御する。例えば、演算制御部23は、レーザ干渉計の計測結果およびフォーカスセンサの検出結果に基づきマスク位置を制御する。
冷却機構40は、レチクルR、電磁チャック9およびレチクルステージ7の熱を吸収するためにレチクルステージ7に接続されている。
次に、レチクルRに描かれたパターンの密度と第2の光学系5からの光の光量との関係を説明する。
図2は、レチクルRのパターンを示す平面図である。レチクルRは、第1の領域R1と、第2の領域R2とを含む。第1の領域R1は、第1の密度で形成されたパターンP1を有し、第2の領域R2は、第2の密度で形成されたパターンP2を有する。例えば、パターンP1は、パターンP2よりも単位面積当たりに含まれる素子が多く、第1の密度は第2の密度よりも高い。この場合、露光時に、第1の領域R1において反射する露光光は、第2の領域R2において反射する露光光よりも多くなる。換言すると、第2の領域R2に吸収される露光光の光量は、第1の領域R1に吸収される露光光の光量よりも多い。従って、第1の光学系4からのEUV光を考慮した場合、第2の領域R2は、第1の領域R1よりも加熱されやすく、第1の領域R1よりも温度が高くなり易いと考えられる。
尚、レチクルRのパターン面の単位面積S当たりにおける反射部の面積をSrefとすると、レチクルRのパターン密度Dは、式1のように表すことができる。
D=Sref/S (式1)
D=Sref/S (式1)
以下の第1の密度D1および第2の密度D2は、式1に従って導出され得る。
図3は、レチクルR、第2の光源32および第2の光学系5の関係を示す概略図である。図3において、第1の光源31および第1の光学系4の図示は省略されている。
第2の光学系5は、レチクルRのパターンP1の密度(第1の密度)D1とパターンP2の密度(第2の密度)D2との比率(D1:D2)に応じた光量の補充光を第1の領域R1および第2の領域R2のそれぞれに照射する。そのために、第2の光学系5は、照度調整素子50を備えている。照度調整素子50は、半導体露光技術で広く使用される透過型マスクでよい。例えば、照度調整素子50は、光を十分に透過するガラス基板に、クロムなどの遮光機能を持つ材料をマスクパターンとして形成したマスクでよい。
図4は、照度調整素子50のレイアウトパターンの一例を示す平面図である。照度調整素子50は、所望の光量の補充光を得るために、低密度のマスクパターンを有する第1の透過領域T1と高密度のマスクパターンを有する第2の透過領域T2と含む。代替的に、照度調整素子50は、液晶の配向により透過率を制御する液晶パネルであってもよい。
本実施形態において、照度調整素子50は、レチクルRの第1の密度D1と第2の密度D2に応じた透過率を有する第1の透過領域T1と第2の透過領域T2とを含む。第1の透過領域T1および第2の透過領域T2のそれぞれの透過率をそれぞれRt1およびRt2とすると、第1の透過領域T1および第2の透過領域T2のそれぞれの透過率の比(Rt1:Rt2)は、レチクルRの第1の密度D1および第2の密度D2に対して式2のような関係を有する。
Rt1:Rt2=(1−D1)-1:(1−D2)-1 (式2)
Rt1:Rt2=(1−D1)-1:(1−D2)-1 (式2)
一般に、レチクルRのパターン密度Dの領域に強度Iの光を照射した場合、レチクルRのパターンにおいて反射される光の強度はD×Iである。逆に、レチクルRのパターンにおいて吸収される光の強度は(1−D)×Iである。ここで、レチクルRの熱収差を抑制するためには、吸収される光の強度をパターン密度Dによらず一定に保つ必要がある。吸収される光の強度を一定に保つためには、レチクルRのパターンに照射される光の強度を予め(1−D)-1×Iにしておけばよい。これにより、吸収される光の強度は、レチクルRのパターン密度Dに依らず、I(=(1−D)×(1−D)-1×I)に維持される。
例えば、照度調整素子50は、レチクルRの領域R1に照射する補充光の強度を、Rt1×I(=(1−D1)-1×I)に調整する。照度調整素子50は、レチクルRの領域R2に照射する補充光の強度を、Rt2×I(=(1−D2)-1×I)に調整する。これにより、露光光および補充光によるトータルの吸収光の光量がレチクルRの第1および第2の領域R1、R2においてほぼ等しくなる。このように、照度調整素子50の透過率の比(Rt1:Rt2)が式2を満たすことによって、レチクルRにおける吸収光の強度は、密度D1、D2に依らず、一定に維持され得る。即ち、レチクルRにおける吸収光(露光光および補充光の吸収光)の強度は、密度D1、D2に依らず、第1および第2の領域R1、R2においてほぼ一定に維持され得る。
図3に示すように、第2の光源32からの補充光は、照度調整素子50を通過してレチクルRへ照射される。このとき、第1の透過領域T1を通過した補充光は、レチクルRの第1の領域R1に照射され、第2の透過領域T2を通過した補充光は、レチクルRの第2の領域R2に照射される。第1および第2の透過領域T1、T2は、それぞれ式2を満たす透過率Rt1、Rt2を有する。従って、第2の光学系5は、式2で表されるようにレチクルRのパターン密度D1、D2で定まる比((1−D1)-1:(1−D2)-1)の補充光をレチクルRの第1の領域R1および第2の領域R2に対して照射する。これにより、レチクルRにおける吸収光の光量は、密度D1、D2に依らず、第1および第2の領域R1、R2においてほぼ一定に維持される。
レチクルRに対する補充光の照射角度は、特に限定しないが、反射光が半導体基板Wに照射されないような角度とし、上述のように受光部に照射されるようにする。
上述の通り、パターンP1の密度がパターンP2の密度より高い場合、第1の光学系4からの露光光は、レチクルRの第1の領域R1よりも第2の領域R2において多く吸収される。しかし、本実施形態では、第2の光学系5は、露光光の照射と同時に、パターンP1およびP2の密度に応じて定まる比率で、第2の光源32からの光を透過させている。その結果、第2の光学系5は、第2の領域R2よりも第1の領域R1に多くの補充光を照射している。これにより、第2の光学系5からの補充光が、レチクルRの面内における露光光の吸収差を補うように照射される。即ち、第2の光学系5からの補充光をレチクルRへ照射することによって、レチクルRにおいて第1の領域R1と第2の領域R2との温度差が抑制される。さらに換言すると、第2の光学系5からの補充光が、レチクルRの面内における熱収差の相違(レチクルRにおける熱収差の面内差)を抑制することができる。これにより、本実施形態によるEUV露光装置100は、レチクルRの温度の面内ばらつきを抑制し、レチクルRの面内の温度をほぼ均一に保持することができる。その結果、EUV露光装置100は、レチクルRの熱収差を抑制(相殺)し、結像性能を向上させ、かつ、オーバーレイ誤差を低下させることができる。これは半導体装置の歩留まり向上に繋がる。
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す概略図である。第2の実施形態において、第2の光学系5は、照度調整素子50とレチクルRとの間に設けられたアッテネータ70をさらに備えている。減衰部としてのアッテネータ70は、第1の光学系4からの露光光が照射されるレチクルRの領域R10に第2の光学系5からの補充光を減衰して照射する、あるいは、補充光を遮蔽する。
図5は、第2の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す概略図である。第2の実施形態において、第2の光学系5は、照度調整素子50とレチクルRとの間に設けられたアッテネータ70をさらに備えている。減衰部としてのアッテネータ70は、第1の光学系4からの露光光が照射されるレチクルRの領域R10に第2の光学系5からの補充光を減衰して照射する、あるいは、補充光を遮蔽する。
露光光がレチクルRの領域R10に照射される場合、アッテネータ70は、領域R10に照射される補充光を減衰させる。第2の光学系5は、領域R10以外の領域には、補充光を照射する。第2の実施形態のその他の構成は、第1の実施形態の対応する構成と同様でよい。
このように、第1の光学系4が露光光をレチクルRの一部の領域R10に照射する場合に、第2の光学系5は、領域R10の補充光を減衰させ、領域R10以外の領域に補充光を減衰せずに照射する。領域R10に照射される露光光および補充光の総光量は、領域R10以外の領域に照射される露光光および補充光の総光量にほぼ等しくする。これにより、レチクルRに照射される光量は、レチクルRの面内においてほぼ均等になる。
尚、もし、領域R10以外に照射される補充光の強度が領域R10に照射される露光光の強度にほぼ等しい場合、アッテネータ70は、レチクルRの面内に照射される光量をほぼ均等にするために補充光を遮断すればよい。
さらに、露光光が照射される領域R10においては、第1の実施形態を適用してもよい。即ち、露光光が照射される領域R10には、第1の実施形態と同様に、領域R10のパターン密度で定まる比の補充光を照射すればよい。例えば、領域R10がパターン密度D1およびD2の部分を有する場合、アッテネータ70は、領域R10内におけるパターン密度D1、D2で定まる比率に応じた光量で第2の光源からの光を領域R10に照射する。即ち、アッテネータ70は、上記式2に従って領域R10に部分的に減衰率を相違させて補充光を照射すればよい。これにより、露光装置100は、レチクルRの全体にはほぼ等しい光量の光を照射しつつ、領域R10内においてはパターン密度に応じた補充光を照射することができる。これにより、第2の実施形態も第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第3の実施形態)
図6および図7は、第3の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す概略図である。第3の実施形態に従ったEUV露光装置100は、レチクルRおよび半導体基板W(図1参照)をスキャン方向Dsへ走査させながら露光を実行する走査型露光装置である。即ち、第3の実施形態においてEUV露光装置100は、所謂、スキャン露光を実行する。
図6および図7は、第3の実施形態に従ったEUV露光装置100の構成例を示す概略図である。第3の実施形態に従ったEUV露光装置100は、レチクルRおよび半導体基板W(図1参照)をスキャン方向Dsへ走査させながら露光を実行する走査型露光装置である。即ち、第3の実施形態においてEUV露光装置100は、所謂、スキャン露光を実行する。
第3の実施形態において、第2の光学系5は、照度調整素子50とアッテネータ70との間に設けられたビームシフタ80をさらに備えている。ビームシフタ80は、露光時のレチクルRの動作に追随して第2の光学系5からの補充光の照射方向を変更する。これにより、ビームシフタ80は、露光時に補充光をレチクルRの全体に照射するように補充光の照射角度を調節することができる。
スキャン露光では、第1の光学系4からの露光光は移動せず、レチクルRおよび半導体基板Wが移動する。従って、アッテネータ70の位置は固定されている。露光光が照射される領域R20は、レチクルRの移動に合せてレチクルR上を移動する。
スキャン露光を行なうEUV露光装置100であっても、ビームシフタ80を用いることによって、第2の光学系5は、移動するレチクルRの全面に補充光を継続的に照射することができる。このとき、アッテネータ70は、露光光が照射される領域R20において補充光を減衰させる。一方、第2の光学系5は、領域R20以外の領域には補充光を減衰させることなく照射する。これにより、レチクルRに照射される光量が、レチクルRの面内においてほぼ均等になる。従って、第3の実施形態も第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(第1〜第3の実施形態の変形例)
上記実施形態において、照度調整素子50は、光を透過させる透過型素子である。しかし、照度調整素子50は、光を反射させる反射型素子であってもよい。この場合、照度調整素子50は、第1の密度D1と第2の密度D2に応じた反射率を有する第1の反射領域と第2の反射領域とを含む。第1の反射領域および第2の反射領域のそれぞれの反射率をそれぞれRr1およびRr2とすると、第1の反射領域および第2の反射領域のそれぞれの反射率の比(Rr1:Rr2)は、レチクルRの第1の密度D1および第2の密度D2に対して式3のような関係を有する。
Rr1:Rr2=(1−D1)-1:(1−D2)-1 (式3)
上記実施形態において、照度調整素子50は、光を透過させる透過型素子である。しかし、照度調整素子50は、光を反射させる反射型素子であってもよい。この場合、照度調整素子50は、第1の密度D1と第2の密度D2に応じた反射率を有する第1の反射領域と第2の反射領域とを含む。第1の反射領域および第2の反射領域のそれぞれの反射率をそれぞれRr1およびRr2とすると、第1の反射領域および第2の反射領域のそれぞれの反射率の比(Rr1:Rr2)は、レチクルRの第1の密度D1および第2の密度D2に対して式3のような関係を有する。
Rr1:Rr2=(1−D1)-1:(1−D2)-1 (式3)
これにより、照度調整素子50が反射型素子であっても、上記実施形態の効果を得ることができる。
このように、光学系5は、第2の光源32から発した光を照度調整素子50で反射させる反射光学系であってもよい。その場合、第1から第3の実施形態における照度調整素子50の透過率に代えて、照度調整素子50の反射率を用いればよい。
また、上記実施形態において、光学系5および照度調整素子50は、転写原版(例えば、レチクルR)に補充光を照射することによって、その転写原版の熱収差を低減させている。しかし、上記実施形態は、露光装置の光学系中に存在する転写原版以外の任意の素子についても、熱収差を低減させるために適用してもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
100・・・EUV露光装置、1・・・真空チャンバ、7・・・レチクルステージ、10・・・ウェハステージ、9、12・・・電磁チャック、4・・・第1の光学系、5・・・第2の光学系、8・・・レチクル搬送アーム、11・・・ウェハ搬送アーム、23・・・演算制御部、24・・・真空装置、31・・・第1の光源、32・・・第2の光源、R・・・レチクル、W・・・半導体基板、50・・・照度調整素子、70・・・アッテネータ、80・・・ビームシフタ
Claims (10)
- 第1の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する第1の光学系と、
前記原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第2の光源からの光を前記原版に照射する第2の光学系とを備え、
前記原版は、第1の密度で形成されたパターンを有する第1の領域と、第2の密度で形成されたパターンを有する第2の領域とを含み、
前記第2の光学系は、前記第1の密度と前記第2の密度で定まる所定の比率に応じた光量を前記第1および第2の領域のそれぞれに照射することを特徴とする半導体製造装置。 - 前記第1の密度をD1とし、前記第2の密度をD2とすると、
前記所定の比率は、
(1−D1)-1:(1−D2)-1
であることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。 - 第1の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する第1の光学系と、
前記原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第2の光源からの光を前記原版に照射する第2の光学系とを備えた半導体製造装置。 - 前記原版は、第1の密度で形成されたパターンを有する第1の領域と、第2の密度で形成されたパターンを有する第2の領域とを含み、
前記第2の光学系は、前記第1の密度と前記第2の密度との比率に応じた光量の光を前記第1および第2の領域のそれぞれに照射することを特徴とする請求項3に記載の半導体製造装置。 - 前記第2の光学系は、前記第1の密度と前記第2の密度で定まる所定の比率に応じた透過率を有する第1の透過領域と第2の透過領域とを含む照度調整素子を備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。
- 前記第2の光学系は、前記第1の密度と前記第2の密度で定まる所定の比率に応じた反射率を有する第1の反射領域と第2の反射領域とを含む照度調整素子を備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造装置。
- 前記第1および第2の光学系が前記原版へ照射する総光量は、前記原版の面内においてほぼ均等であることを特徴とする請求項3から請求項6のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
- 前記第2の光学系は、前記第1の光学系からの光が照射される前記原版の領域に、前記第2の光学系からの光を減衰して照射する減衰部をさらに備えていることを特徴とする請求項3から請求項7のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
- 前記第2の光学系は、露光時の前記原版の動作に合せて前記第2の光学系からの光の照射方向を変更するビームシフタをさらに備えていることを特徴とする請求項3から請求項8のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
- 第1の光源からの光を原版に照射する第1の光学系と、第2の光源からの光を前記原版に照射する第2の光学系とを用いた半導体装置の製造方法であって、
第1の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写し、
前記第1の光源による照射と同時に、前記原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第2の光源からの光を前記原版に照射することを具備した半導体装置の製造方法。
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