JP2010192471A - 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光源からの光束を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、前記被照明面に入射する光束の入射角度分布を調整するための反射率分布もしくは透過率分布を有する複数の調整部を有し、前記複数の調整部は、前記被照明面上の複数点における光束の入射角度分布の第1の方向に沿った方向の光量と、前記第1の方向とは異なる第2の方向に沿った方向の光量との差を調整する調整部と、前記被照明面上の複数点における光束の入射角度分布の前記第1の方向の光量差及び前記第2の方向の光量差のうち少なくとも一方を調整する調整部と、を含むことを特徴とする照明光学系を提供する。
【選択図】図1
Description
10 光源
20 照明光学系
209 視野絞り
220 第1の調整部
221 平行平面板
222 調整膜
230 第2の調整部
231 平行平面板
232 調整膜
240 第3の調整部
40 投影光学系
50 ウエハ
Claims (11)
- 光源からの光束を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、
前記被照明面に入射する光束の入射角度分布を調整するための反射率分布もしくは透過率分布を有する複数の調整部を有し、
前記複数の調整部は、
前記被照明面上の複数点における光束の入射角度分布の第1の方向に沿った方向の光量と、前記第1の方向とは異なる第2の方向に沿った方向の光量との差を調整する調整部と、
前記被照明面上の複数点における光束の入射角度分布の前記第1の方向の光量差及び前記第2の方向の光量差のうち少なくとも一方を調整する調整部と、
を含むことを特徴とする照明光学系。 - 前記第2の方向は、前記第1の方向に垂直な方向であることを特徴とする請求項1に記載の照明光学系。
- 前記被照明面における照明領域を規定する視野絞りを更に有し、
前記複数の調整部のうち、前記照明領域に入射する主光線が通過する領域の反射率が1.0%以上である調整部は、前記光源と前記視野絞りとの間に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の照明光学系。 - 前記被照明面における照明領域を規定する視野絞りを更に有し、
前記複数の調整部のうち、前記照明領域に入射する主光線が通過する領域の反射率が1.0%未満である調整部は、前記光源と前記視野絞りとの間に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の照明光学系。 - 前記複数の調整部は、光束の入射位置に応じて異なる反射率もしくは透過率分布を有して前記反射率分布もしくは透過率分布を形成する調整膜を含むことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記複数の調整部のそれぞれは、互いに前記光源からの光束の可干渉距離の1/2以上の間隔を有して配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記複数の調整部は、前記被照明面の近傍、又は、前記被照明面の共役面の近傍に配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の照明光学系。
- 光源からの光束を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、
前記被照明面における照明領域を規定する視野絞りと、
前記被照明面に入射する光束の入射角度分布を調整するための反射率分布もしくは透過率分布を有する複数の調整部と、
を有し、
前記複数の調整部のうち、前記照明領域に入射する主光線が通過する領域の反射率が1.0%以上である調整部は、前記光源と前記視野絞りとの間に配置されていることを特徴とする照明光学系。 - 光源からの光束を用いて被照明面を照明する照明光学系であって、
前記被照明面における照明領域を規定する視野絞りと、
前記被照明面に入射する光束の入射角度分布を調整するための反射率分布もしくは透過率分布を有する複数の調整部と、
を有し、
前記複数の調整部のうち、前記照明領域に入射する主光線が通過する領域の反射率が1.0%未満である調整部は、前記視野絞りと前記被照明面との間に配置されていることを特徴とする照明光学系。 - 光源からの光束を用いてレチクルを照明する請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の照明光学系と、
前記レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013011715A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光方法及びその装置 |
JP2014165460A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016513815A (ja) * | 2013-03-14 | 2016-05-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置上で光学的対称性を測定する装置及び方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9575412B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for reducing pole imbalance by adjusting exposure intensity |
US10274979B1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-04-30 | Capital One Services, Llc | Preventing image or video capture of input data provided to a transaction device |
US10438010B1 (en) | 2018-12-19 | 2019-10-08 | Capital One Services, Llc | Obfuscation of input data provided to a transaction device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62231924A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-12 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
JPH0922869A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002043221A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-02-08 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ投影装置 |
JP2003092253A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2004247527A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2006054328A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2006059834A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
WO2008092653A2 (en) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2008270564A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3101613B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 照明光学装置及び投影露光装置 |
JP2000082655A (ja) | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Canon Inc | スリット機構、露光装置およびデバイス製造方法 |
KR20010085493A (ko) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | 시마무라 기로 | 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법 |
US8605257B2 (en) * | 2004-06-04 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor |
JP5159027B2 (ja) | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
JP4310349B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101708948B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2017-03-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
-
2009
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-
2010
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62231924A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-12 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
JPH0922869A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2002043221A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-02-08 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ投影装置 |
JP2003092253A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Nikon Corp | 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2004247527A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2006054328A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2006059834A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Nikon Corp | 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法 |
WO2008092653A2 (en) * | 2007-01-30 | 2008-08-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2008270564A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013011715A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光方法及びその装置 |
KR101432888B1 (ko) * | 2011-06-29 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 노광 방법 및 그 장치 |
JP2014165460A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2016513815A (ja) * | 2013-03-14 | 2016-05-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光装置上で光学的対称性を測定する装置及び方法 |
US9703205B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Measuring an optical symmetry property on a projection exposure apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US8854605B2 (en) | 2014-10-07 |
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