JP2002043221A - リソグラフィ投影装置 - Google Patents

リソグラフィ投影装置

Info

Publication number
JP2002043221A
JP2002043221A JP2001201548A JP2001201548A JP2002043221A JP 2002043221 A JP2002043221 A JP 2002043221A JP 2001201548 A JP2001201548 A JP 2001201548A JP 2001201548 A JP2001201548 A JP 2001201548A JP 2002043221 A JP2002043221 A JP 2002043221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection
radiation
pupil
optical element
microlenses
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001201548A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3913009B2 (ja
Inventor
Jan Jaap Krikke
ヤープ クリッケ ヤン
Markus Franciscus A Eurlings
フランシスクス アントニウス オイルリングス マルクス
Jan Hoegee
ホエゲー ヤン
Van Der Feen Paul
ファン デル フェーン パウル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2002043221A publication Critical patent/JP2002043221A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3913009B2 publication Critical patent/JP3913009B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リソグラフィ投影装置でマスクパターンを基
板上に正確な結像するためには、投影放射線ビームの強
度がビーム直角断面全体に亘って均一であることが重要
であるが、その均一化のために使う種々の光学素子が楕
円性誤差のような強度分布の異常を取込むことがある。
この異常を解消することが課題である。 【解決手段】 放射線源ＬＡから積分器１７を通ってマ
スクＭＡに至る投影ビームＰＢを成形するズーム・アキ
シコン１５、１６の前に一つ１４および後に一つ１８の
六角形マイクロレンズ１４ｂのアレイから成る回折光学
素子を配置し、積分器入射面のフィリングを向上すると
共に、回折素子１４が持込んだ投影ビームの楕円性を、
回折素子１８を光軸周りに回転することによって相殺す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ投影
装置であって： − 放射線の投影ビームを供給するための放射線シス
テムで、上記投影ビームの角エネルギー分布および空間
エネルギー分布を調整し且つその瞳に上記投影ビームの
予め選択した強度分布をもたらすための照明システムを
含む放射線システム； − 所望のパターンに従って投影ビームをパターン化
するのに役立つパターニング手段を支持するための支持
構造体； − 基板を保持するるための基板テーブルで、上記装
置に画定するＸ、Ｙ座標系のＸおよびＹ方向に沿って動
き得るテーブル；並びに − パターン化したビームを基板の目標部分上に結像
するための、そして上記強度分布をその瞳に投影するた
めの投影システムを含む投影装置の照明システムの改良
に関する。
【０００２】ここで使う“パターニング”という用語
は、入射放射線ビームに、基板の目標部分に創成すべき
パターンに対応する、パターン化した断面を与えるため
に使うことができる手段を指すと広く解釈すべきであ
り；“光バルブ”という用語もこのような関係で使うこ
とができる。一般的に、上記パターンは、集積回路また
はその他のデバイス（以下参照）のような、目標部分に
創るデバイスの特別の機能層に対応するだろう。そのよ
うなパターニング手段の例には次のようなものがある； − マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知
られ、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトの
ようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を
含む。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、こ
のマスク上のパターンに従って、マスクに入射する放射
線の選択透過（透過性マスクの場合）または選択反射
（反射性マスクの場合）を生ずる。マスクの場合、支持
構造体は、一般的にマスクテーブルであり、それがマス
クを入射放射線ビームの中の所望の位置に保持できるこ
と、およびもし望むなら、それをビームに対して動かせ
ることを保証する。 − プログラム可能ミラーアレイ。そのような装置の
例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス
アドレス可能面である。そのような装置の背後の基本原
理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域が入
射光を回折光として反射し、一方アドレス指定されない
領域が入射光を未回折光として反射するということであ
る。適当なフィルタを使って、上記未回折光を反射ビー
ムから濾過して取除き、回折光だけを後に残すことがで
き；この様にして、ビームがマトリックスアドレス可能
面のアドレス指定パターンに従ってパターン化されるよ
うになる。必要なアドレス指定は、適当な電子手段を使
って行える。そのようなミラーアレイについての更なる
情報は、例えば、ＵＳ５，２９６，８９１およびＵＳ
５，５２３，１９３から集めることができ、それらを参
考までにここに援用する。プログラム可能ミラーアレイ
の場合、上記支持構造体は、例えば、必要に応じて固定
または可動でもよい、フレームまたはテーブルとして具
体化してもよい。 − プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構成の
例は、ＵＳ５，２２９，８７２で与えられ、それを参考
までにここに援用する。上記のように、この場合、支持
構造体は、例えば、必要に応じて固定または可動でもよ
い、フレームまたはテーブルとして具体化してもよい。
簡単のために、この本文の残りは、ある場所で、マスク
およびマスクテーブルを伴う例を具体的に指向するかも
知れないが；しかし、そのような場合に議論する一般原
理は、上に示すようなパターニング手段の広い文脈で見
るべきである。
【０００３】
【従来の技術】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積
回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。そのような場
合、パターニング手段がＩＣの個々の層に対応する回路
パターンを創成してもよく、このパターンを、放射線感
応性材料（レジスト）の層で塗被した基板（シリコンウ
エハ）の目標部分（一つ以上のダイを含む）上に結像す
ることができる。一般的に、単一ウエハが隣接する目標
部分の全ネットワークを含み、それらを投影システムを
介して、一度に一つずつ、順次照射する。マスクテーブ
ル上のマスクによるパターニングを使う現在の装置で
は、機械の二つの異なる種類を区別することができる。
一つの種類のリソグラフィ投影装置では、全マスクパタ
ーンを目標部分上に一度に露出することによって各目標
部分を照射し；そのような装置を普通ウエハステッパと
呼ぶ。代替装置 ― 普通ステップ・アンド・スキャン装
置と呼ぶ ― では、マスクパターンを投影ビームの下で
与えられた基準方向（Ｙ方向または“走査”方向）に順
次走査し、一方、一般的に、投影システムが倍率Ｍ（一
般的に＜１）であり、基板テーブルを走査する速度Ｖ
が、倍率Ｍ掛けるマスクテーブルを走査する速度である
ので、基板テーブルをこの方向に平行または逆平行に同
期して走査することによって各目標部分を照射する。こ
こに説明したようなリソグラフィ装置に関する更なる情
報は、例えば、参考までにここに援用するＵＳ６，０４
６，７９２から収集することができる。
【０００４】リソグラフィ投影装置を使う製造プロセス
では、（例えば、マスクの中の）パターンを、少なくと
も部分的に放射線感応材料（レジスト）の層で覆われた
基板上に結像する。この結像工程の前に、基板は、例え
ば、下塗り、レジスト塗布およびソフトベークのよう
な、種々の処理を受けるかも知れない。露出後、基板
は、例えば、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベ
ークおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を
受けるかも知れない。この一連の処理は、デバイス、例
えばＩＣの個々の層をパターン化するための基礎として
使用する。そのようにパターン化した層は、次に、エッ
チング、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化
処理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕
上げを意図した種々の処理を受けるかも知れない。も
し、幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を
各新しい層に反復しなければならないだろう。結局、デ
バイスのアレイが基板（ウエハ）上にできる。次に、こ
れらのデバイスをダイシングまたは鋸引のような手法に
よって互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャ
リヤに取付け、ピンに接続し等できる。そのようなプロ
セスに関する更なる情報は、例えば、参考までにここに
援用する、ピータ・バン・ザントの“マイクロチップの
製作：半導体加工の実用ガイド”、第３版、マグロウヒ
ル出版社、1997年、ISBN0-07-067250-4という本から得
ることができる。
【０００５】簡単のために、投影システムを、以後“レ
ンズ”と呼ぶかも知れないが；この用語は、例えば、屈
折性光学素子、反射性光学素子、および反射屈折性光学
素子を含む、種々の型式の投影システムを包含するよう
に広く解釈すべきである。放射線システムも放射線の投
影ビームを指向し、成形しまたは制御するためにこれら
の設計形式の何れかに従って作用する部品を含んでもよ
く、そのような部品も以下で集合的または単独に“レン
ズ”と呼ぶかも知れない。やはりここで、この発明を直
交Ｘ、ＹおよびＺ方向の基準方式を使って説明する。更
に、文脈が別の要求をするのでなければ、ここで使う
“垂直”という用語は、装置の何れかの特定の向きを意
味するのではなく、基板若しくはこのパターン（パター
ニング手段が用意する）を含む平面と直角を成す方向、
または光学系の光軸に平行な方向を指すことを意図す
る。同様に、“水平”という用語は、基板表面若しくは
パターニング手段が創成するパターンの表面に平行な、
または光軸に垂直な方向、従ってこの“垂直”方向と直
角を成す方向を指す。特に、上記走査方向に対応する水
平方向をＹ方向と呼ぶ。
【０００６】更に、リソグラフィ装置は二つ以上の基板
テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）
を有する型式でもよい。そのような“多段”装置では、
追加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程
を一つ以上のテーブルで行い、一方他の一つ以上のテー
ブルを露出に使ってもよい。二段階リソグラフィ装置
は、例えば、参考までにここに援用する、ＵＳ５，９６
９，４４１およびＷＯ９８／４０７９１に記載してあ
る。
【０００７】リソグラフィ投影装置でのパターニング手
段によって創成したパターンの正確な結像は、このパタ
ーニング手段の正確な照明を要し；特に、パターニング
手段が創成したパターンに近い、またはこのパターンの
上記平面に共役の隣接平面の、照明強度が露出フィール
ドの全面に亘って均一であることが重要である。また、
一般的にパターニング手段を、解像度向上のために、例
えば、環状、四極子または双極子照明のような、多種多
様なモードの軸外し照明で照明できることが必要であ
り；そのような照明モードの使用についての更なる情報
は、例えば、参考までにここに援用する、ＥＰ１０９１
２５２参照。上記照明モードは、例えば、照明システム
の瞳に対応する予め選択した強度分布を用意することに
よって得る。上記要件を満たすために、リソグラフィ投
影システムの照明システムは、一般的にかなり複雑であ
る。典型的照明システムは：高圧水銀灯またはエキシマ
レーザであるかも知れない線源によるビーム出力の強度
を制御するためのシャッタおよびアッテネータ；例え
ば、放射線ビーム発散を低下するためにエキシマレーザ
放射線ビームに使用するビーム拡大器のような、ビーム
成形素子；照明モードおよびパラメータを設定するため
のズーム可能アキシコン対およびズームレンズ（まとめ
てズーム・アキシコンと呼ぶ）；ビームの強度分布をよ
り均一にするための、石英ロッドのような、積分器；照
明領域を区切るためのマスキングブレード；並びにこの
積分器の出口の像をパターニング手段上に投影するため
の結像光学素子を含むだろう。簡単のために、この放射
線システムおよび投影システムでパターニング手段が創
成したパターンの平面、およびこの平面と共役の平面を
以後“像”面と呼ぶかも知れない。照明システムは、像
面またはその近くで照明ビームの不均一性を補正するこ
とを意図した素子も含んでよい。例えば、この照明シス
テムが積分器ロッドの入射面に近い投影ビーム断面と上
記入射面の形状の整合を改善するために回折光学素子を
含んでもよい。回折光学素子は、典型的にはマイクロレ
ンズのアレイから成り、それはフレネルレンズまたはフ
レネル・ゾーンプレートでもよい。上記整合の改善は、
パターン化した層に起るフィールド依存リソグラフィ誤
差の問題を軽減する。上記整合は、以後積分器入射面の
“フィリング”と呼ぶかも知れない。回折光学素子は、
エキシマレーザビームがもたらす放射線の角分布を、所
望の照明モードを発生するための放射線の予め選択した
角分布に変換するために、例えば、ズーム・アキシコン
のような、ビーム成形素子の前にも配置してよい。ここ
で述べたような照明システムについての更なる情報は、
例えば、参考までにここに援用する、ＥＰ０７４７７７
２およびＵＳ５，６７５，４０１参照。
【０００８】また、照明システムは、例えば、空間強度
変動を減少するために、パターンの平面の直前に、透過
率の予め選択した空間分布の、投影ビームの放射線に部
分的に透過性のフィルタを含んでもよい。
【０００９】しかし、既知の照明システムは、まだ種々
の問題がある。特に、使用する種々の素子、とりわけ回
折光学素子および石英ロッド積分器は、放射線システム
または投影システムの光軸に垂直な平面で強度分布の異
常を取込むことがある。例えば、放射線システムまたは
投影システムの瞳に近い平面で、投影ビーム断面が円形
でなく楕円形であるか、または投影ビーム断面内の投影
ビーム強度分布が、例えば、円形対称でなく楕円形対称
であるかも知れない。両種の誤差を“投影ビームの楕円
性”または簡単に“楕円性誤差”と呼び、典型的には上
記パターン化した層での特定のリソグラフィ誤差に繋が
る。特に、ＸおよびＹ方向の両方に平行な方向に起るパ
ターン化した形態は、投影ビームの楕円性が存在すると
き、露出および処理すると異なるサイズを示すかも知れ
ない。そのようなリソグラフィ誤差を通常Ｈ−Ｖ差と呼
ぶ。また、積分器のフィリングを改善するために使用す
る回折光学素子は、一般的にズーム・アキシコンの一つ
の設定にしか最適でない。他の設定に対しては、積分器
入射面が、実質的フィールド依存Ｈ−Ｖ差に繋がるアン
ダフィル（投影ビーム断面が積分器入射面より小さい）
かも知れない。上記他の設定に対しては、積分器入射面
が、エネルギー浪費に繋がるオーバフィルであるかも知
れない。また、１５７ｎｍエキシマレーザおよび他のエ
キシマレーザは、ＸおよびＹ方向に大きな発散差がある
傾向があり、それは、許容可能寸法内のビーム形状を保
ちながらビーム拡大器レンズを使って完全に解決するこ
とはできない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、リソ
グラフィ投影装置で使用するための改良した照明システ
ム、特に投影ビームの楕円性を制御または減少でき且つ
積分器入射面のフィリングを制御できて、Ｈ−Ｖ差の問
題を軽減する照明システムを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記およびその他の目的
は、発明によれば、冒頭の段落に指定したリソグラフィ
投影装置で、 − 上記強度分布の強度異常を補正するための補正手
段を有し、強度異常が、それぞれ、上記ＸおよびＹ方向
に沿って分布し且つ実質的に異なる強度を有する、二つ
の細長い部分を含み、 − 上記補正手段が上記投影装置の光軸周りに回転可
能な光学素子を含むことを特徴とする投影装置によって
達成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明では、投影ビームの楕円
性を生ずる光学素子を、上記光学素子を含むシステムの
光軸周りに回転して、この投影ビームが横切る他の素子
によって生じた楕円性を打消せることを認識する。
【００１３】投影ビームの楕円性は、例えば、照明シス
テムに設けた回折光学素子によって補正してもよい。照
明システムは、勿論一つ以上の回折光学素子を含んでも
よい。線源および投影ビームの楕円性の程度に依って、
この回折光学素子を適当な角度に回転して固有の楕円性
を利用し、または、例えば、各マイクロレンズを非対称
アレイにすることによって、特定の楕円度に作ってもよ
い。この回折光学素子は、楕円性を完全に除去し、また
はそれを許容レベルに減少するのが好ましい。それで、
この発明は、回折光学素子の回転位置を楕円性誤差を打
消すように向ける、リソグラフィ投影装置を提供でき
る。
【００１４】本発明のもう一つの態様は、投影ビーム放
射線に部分的に透過性で、この投影ビームが横切る他の
光学素子によって生じた楕円性誤差を打消す透過率分布
を有する放射線フィルタを提供することである。典型的
に、そのような放射線フィルタは、楕円形対称の透過率
分布を有する。特に、補助の部分的に透過性の放射線フ
ィルタと直列に配列し、共に上記投影装置の光軸周りに
回転可能な、そのような部分的に透過性の放射線フィル
タは、上記他の光学素子によって生じた楕円性を補償す
るために要するような、相殺楕円性を発生し且つその量
を調整するための手段として使うことができる。
【００１５】本発明は、リソグラフィ投影装置で： − 放射線の投影ビームを供給するための放射線シス
テムで、上記投影ビームの角エネルギー分布および空間
エネルギー分布を調整し且つその瞳に上記投影ビームの
予め選択した強度分布をもたらすための照明システムを
含む放射線システム； − 所望のパターンに従って投影ビームをパターン化
するのに役立つパターニング手段を支持するための支持
構造体； − 基板を保持するるための基板テーブルで、上記装
置に画定するＸ、Ｙ座標系のＸおよびＹ方向に沿って動
き得るテーブル；並びに − パターン化したビームを基板の目標部分上に結像
するための、そして上記強度分布をその瞳に投影するた
めの投影システムを含む投影装置投影装置に於いて、上
記照明システムが積分器を含み：上記積分器の前に位置
し且つマイクロレンズのアレイを含み、上記マイクロレ
ンズのアレイが上記マイクロレンズの焦点を含む焦点面
を有する回折光学素子、および上記マイクロレンズのア
レイの上記焦点面に近接して位置し且つ互いに近接する
１対の実質的に平行な板を含み、上記平行な板が上記マ
イクロレンズのアレイと実質的に同じピッチで正弦波的
に変動する屈折力を有する回折板要素に特徴がある投影
装置も提供する。
【００１６】回折板要素は、上記互いに近接する平行な
板の位置を、異なるズーム・アキシコン設定に対し、照
明システムの光軸と実質的に垂直な少なくとも一つの方
向に沿って調整することによって、積分器入射面のフィ
リングを制御し、それによってアンダフィリングおよび
オーバフィリングを避けるために使ってもよい。この互
いに近接する実質的に透明な平行板は、石英で作っても
よく、正弦波的屈折力は、これらの板の対向する面に一
つ以上の直交方向の正弦波形輪郭を与えることによって
得ることができる。
【００１７】この発明のもう一つの態様によれば、リソ
グラフィ投影装置で： − 放射線の投影ビームを供給するための放射線シス
テムで、上記投影ビームの角エネルギー分布および空間
エネルギー分布を調整し且つその瞳に上記投影ビームの
予め選択した強度分布をもたらすための照明システムを
含む放射線システム； − 所望のパターンに従って投影ビームをパターン化
するのに役立つパターニング手段を支持するための支持
構造体； − 基板を保持するるための基板テーブルで、上記装
置に画定するＸ、Ｙ座標系のＸおよびＹ方向に沿って動
き得るテーブル； − パターン化したビームを基板の目標部分上に結像
するための、そして上記強度分布をその瞳に投影するた
めの投影システムを含む投影装置をセットアップする方
法であって、上記強度分布の強度異常を補正するための
補正手段を用意する工程で、強度異常が、それぞれ、上
記ＸおよびＹ方向に沿って分布し且つ実質的に異なる強
度を有する、二つの細長い部分を含む工程、並びに上記
投影装置の光軸周りに回転可能であり且つ上記補正手段
に含まれる、少なくとも一つの光学素子の回転位置を、
上記異常を実質的に補償するように、調整する工程を含
む方法が提供される。
【００１８】この発明の更なる態様によれば、リソグラ
フィ投影装置を使うデバイス製造方法で： − 少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆わ
れた基板を用意する工程； − 放射線システムを使って放射線の投影ビームを作
る工程； − 投影ビームの断面にパターンを付けるためにパタ
ーニング手段を使う工程； − 放射線のパターン化したビームを放射線感応性材
料の層の目標部分上に投影する工程を含む方法であっ
て：上記放射線システムの瞳および上記投影システムの
瞳を含む瞳のグループから選択した瞳に近接する投影ビ
ームの断面の強度分布の強度異常を補正するための補正
手段を用意する工程で、強度異常が、それぞれ、二つの
相互に垂直な方向に沿って分布し且つ実質的に異なる強
度を有する、二つの細長い部分を含む工程、並びに上記
投影装置の光軸周りに回転可能であり且つ上記補正手段
に含まれる、少なくとも一つの光学素子の回転位置を、
上記異常を実質的に補償するような向きに、調整する工
程を特徴とする方法が提供される。
【００１９】この本文では、ＩＣの製造に於けるこの発
明による装置の使用を具体的に参照してもよいが、その
ような装置は、他の多くの可能な用途があることを明確
に理解すべきである。例えば、それを集積光学システ
ム、磁区メモリ用誘導検出パターン、液晶ディスプレイ
パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業
者は、そのような代替用途の関係では、この本文で使う
“レチクル”、“ウエハ”または“ダイ”という用語の
どれも、それぞれ、より一般的な用語“マスク”、“基
板”および“目標領域”で置換えられると考えるべきで
あることが分るだろう。
【００２０】本文書では、“放射線”および“ビーム”
という用語を紫外放射線（例えば、３６５、２４８、１
９３、１５７または１２６ｎｍの波長の）およびＥＵＢ
（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する超紫外放
射線）を含むあらゆる種類の電磁放射線を包含するため
に使用する。
【００２１】さて、この発明の実施形態を、例としてだ
け、添付の概略図を参照して説明する。これらの図で、
対応する参照記号は、対応する部品を示す。
【００２２】
【実施例１】図１は、この発明の特別の実施形態による
リソグラフィ投影装置を概略的に描く。この装置は： − 放射線（例えば、ＵＶ線）の投影ビームＰＢを供
給するための放射線システムＥｘ、ＩＬ。この特別の場
合は、放射線システムが放射線源ＬＡも含む； − マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するため
のマスクホルダを備え、このマスクを部材ＰＬに関して
正確に位置決めするために第１位置決め手段に結合され
た第１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ； − 基板Ｗ（例えば、レジストを塗被したシリコンウ
エハ）を保持するための基板ホルダを備え、この基板を
部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第２位置決
め手段に結合された第２物体テーブル（基板テーブル）
ＷＴ； − マスクＭＡの被照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ
（例えば、一つ以上のダイを含む）上に結像するための
投影システム（“レンズ”）ＰＬ（例えば、石英および
／またはＣａＦ2のレンズシステム、またはそのような
材料で作ったレンズ素子を含む反射屈折システム、また
はミラーシステム）を含む。ここに描くように、この装
置は、透過型である（即ち、透過性のマスクを有す
る）。しかし、一般的に、それは、例えば、（反射性の
マスクを備える）反射型でもよい。その代りに、この装
置は、上に言及した種類のプログラム可能ミラーアレイ
のような、他の種類のパターニング手段を使ってもよ
い。
【００２３】放射線源ＬＡ（例えば、水銀灯、エキシマ
レーザ、レーザまたは放電プラズマ源、または放射線の
ビームを作る貯蔵リング若しくはシンクロトロンの電子
ビームの経路の周りに設けたアンジュレータ）が放射線
のビームを作る。このビームを直接か、または、例え
ば、ビーム拡大器Ｅｘのような、状態調節手段を通して
から、照明システム（照明器）ＩＬの中へ送る。この照
明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内
側半径方向範囲（普通、それぞれ、σ外側および／また
はσ内側と呼ぶ）を設定するための調整手段ＡＭを含ん
でもよい。これらのσ外側およびσ内側の設定（“シグ
マ設定”）は、例えば、基板で、上記投影ビームが伝達
する放射線エネルギーの角分布に影響する。その上、そ
れは、一般的に、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのよ
うな、種々の他の部品を含む。この様にして、マスクＭ
Ａに入射するビームＰＢは、その断面に所望の均一性お
よび強度分布を有する。
【００２４】図１に関して、放射線源ＬＡは、（この放
射線源ＬＡが、例えば、水銀灯である場合によくあるこ
とだが）リソグラフィ投影装置のハウジング内にあって
もよいが、このリソグラフィ投影装置から遠く離れてい
て、作った放射線ビームを装置に（例えば、適当な指向
ミラーを使って）導いてもよいことに注意すべきで；後
者のシナリオは、放射線源ＬＡがエキシマレーザである
場合によくあることである。本発明および請求項は、こ
れらのシナリオの両方を包含する。
【００２５】ビームＰＢは、次に、マスクテーブルＭＴ
上にマスクホルダで保持されたマスクＭＡを横切る。マ
スクＭＡを横断してから、ビームＰＢは、レンズＰＬを
通過し、それがこのビームを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集
束する。第２位置決め手段（および干渉計測定手段Ｉ
Ｆ）の助けをかりて、基板テーブルＷＴを、例えば、異
なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置するように、
正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクＭ
Ａをマスクライブラリから機械的に検索してから、また
は走査中に、第１位置決め手段を使ってマスクＭＡをビ
ームＰＢの経路に関して正確に配置することができる。
一般的に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの運動は、図１には
っきりは示さないが、長ストロークモジュール（粗位置
決め）および短ストロークモジュール（微細位置決め）
の助けをかりて実現する。しかし、ウエハステッパの場
合は（ステップアンドスキャン装置と違って）、マスク
テーブルＭＴを短ストロークアクチュエータに結合する
だけでもよく、または固定してもよい。
【００２６】図示する装置は、二つの異なるモードで使
うことができる： １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴを本質的
に固定して保持し、全マスク像を目標部分Ｃ上に一度に
（即ち、単一“フラッシュ”で）投影する。次に基板テ
ーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して異なる
目標部分ＣをビームＰＢで照射できるようにする； ２．走査モードでは、与えられた目標部分Ｃを単一“フ
ラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じ
シナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴ
が与えられた方向（所謂“走査方向”、例えば、Ｙ方
向）に速度ｖで動き得て、それで投影ビームＰＢがマス
ク像の上を走査させられ；同時に、基板テーブルＷＴが
それと共に同じまたは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで動かさ
れ、このＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／
４または１／５）である。この様にして、比較的大きい
目標部分Ｃを、解像度について妥協する必要なく、露出
できる。
【００２７】照明システムＩＬで、投影ビームＰＢの一
部をビームスプリッタＢＳによってエネルギーセンサＥ
Ｓへ方向転換する。ビームスプリッタＢＳは、石英上に
アルミニウムを堆積して作った反射器で、投影ビームを
都合のよい方向に折曲げるために使ってもよい。小さい
孔のパターンをアルミニウム層にエッチングし、エネル
ギーの既知の（比較的僅かの）部分、例えば１％しかエ
ネルギーセンサへ方向転換しないようにする。このエネ
ルギーセンサの出力を使って露出で伝達する線量を制御
する。
【００２８】特に、波長１５７ｎｍ以下の放射線を使う
場合、この装置の全光路を一つ以上のケーシングＣＡに
収納し、それを投影ビームに使用する放射線に透明なガ
ス、例えば、乾燥Ｎ2で洗い流すことができる。この洗
浄、または浄化ガスは、ガス供給源ＧＳから供給し、そ
の供給源は、例えば、清浄ガスの容器または空気を洗浄
し且つ乾燥するためのプラントでもよい。
【００２９】図２は、放射線源ＬＡからマスクＭＡまで
の投影ビームの光路を詳細に示す。この実施形態の放射
線源ＬＡは、出力放射線を収集するための楕円反射器を
備える高圧水銀灯であるが、それはレーザでもよい。こ
の灯の出力を制御するために二つのシャッタが設けてあ
り：安全シャッタ１１をコイル１１ａによって開けてお
き且つもし、この機械ケーシングのパネルの何れかが開
いたら、自動的に閉じるように構成してあり；回転シャ
ッタ１２を各露出毎にモータ１２ａが駆動する。モータ
１３ａによって駆動され且つシャッタ開口に光減衰フィ
ルタを有する第２回転シャッタ１３を低線量露出用に設
けてもよい。
【００３０】ビーム成形は、それぞれのサーボシステム
１５ａ、１６ａによって駆動される調整可能光学素子で
ある、アキシコン１５およびズームレンズ１６によって
主として行う。これらの部品をまとめてズーム・アキシ
コンと呼ぶ。アキシコン１５は、凹面円錐レンズおよび
相補の凸面円錐レンズを含み、それらの離隔距離は調整
可能である。アキシコン１５の二つの素子を一緒に設定
すると、従来の円形照明をもたらし、一方それらを離し
て動かすと、環状照明分布を生ずる。ズームレンズ１６
は、照明ビームのサイズまたは環状照明モードの外側半
径を決める。瞳成形手段（図示せず）を、例えば、四極
子またはその他の照明モードをもたらすために、このズ
ーム・アキシコン・モジュールの射出瞳２２に挿入して
もよい。
【００３１】アキシコン１５を均一に満たすために、第
１回折光学素子（ＤＯＥ）１４が設けてある。この回折
光学素子１４は、拡大図に示す、ぎっしりと詰めた（例
えば、六角形）マイクロレンズ１４ｂのアレイを含み、
それはビームを拡大し、例えば、瞳２２に瞳形状を形成
するのに役立つ。ＤＯＥの代替形にはホログラフィＤＯ
Ｅがあり、それは、所望の瞳形状およびビーム断面内に
所望のエネルギー分布を形成するために位相シフトを使
う。回折光学素子は、交換器１４ａによってこのビーム
に選択的に挿入可能な複数の素子の一つでもよい。交換
器１４ａは、ビームＰＢの中のこの回折素子の位置およ
び向きを調整するように構成してもよい。
【００３２】この場合の積分器ＩＮは、直角プリズム１
７ａで接合した二つの長い石英ロッド１７を含み、その
プリズムの斜辺面は、ビームエネルギーの僅かな、既知
の部分をエネルギーセンサＥＳへ通すために部分的に銀
鍍金してある。投影ビームＰＢは、石英ロッド１７の中
で多重内部反射を受け、それでそれを通して振返って見
ると、複数の離間した仮想線源が見え、それによって投
影ビームの強度分布を均等にする。だが、これらの石英
ロッドの側面が光軸と平行であるので、環状、四極子ま
たは双極子照明モードで限られた照明角が、照明システ
ムの有効開口数のように、維持されることに注意すべき
である。
【００３３】第２回折光学素子１８および結合光学素子
１８ｂを使ってこのズーム・アキシコンからの光を石英
ロッド１７の中へ結合し、そのフィリングを改善する。
この第２回折光学素子１８も適当な形（例えば、矩形）
にしたマイクロレンズまたはホログラムのアレイでよ
く、交換器１８ａの制御の下で調整可能または交換可能
でもよい。上記第２ＤＯＥ１８が、例えば、瞳２２のよ
うな、瞳に近接して位置するのが好ましい。
【００３４】積分器ＩＮの出口の後ろに近接して、レチ
クル・マスキングブレード１９があり、それを使って照
明領域、即ち、レチクルを照明すべき領域を画定する。
四つの別々のレチクル・マスキングブレード１９があ
り、それらは、個々にサーボシステム１９ａによって駆
動される。これら四つのブレードは、金属で、迷光をこ
のレチクル・マスキングオリフィスから離して導くよう
に、楔形前縁を有する。
【００３５】集光光学素子ＣＯがこのレチクル・マスキ
ングオリフィスを、中間瞳２３を介して、このレチクル
（マスク）上に結像するための対物レンズを形成する。
折曲げミラー２０が装置の照明システムの都合のよい位
置に含めてあり、既知の強度変動を補正するために、傾
斜フィルタ２１が含めてある。
【００３６】照明システムの種々の光学素子が、これを
避けるためのあらゆる努力にも拘らず、投影ビームＰＢ
に楕円性誤差を取込むことがある。上に説明したよう
に、楕円性誤差は、例えば、Ｈ−Ｖ差として知られるリ
ソグラフィ誤差を生ずるかも知れない。この発明によれ
ば、第１および／または第２回折光学素子１４、１８
は、光学系の他の素子が取込んだ楕円性誤差を補正する
ために、以下に説明するように、回転可能であるかおよ
び／または楕円率を制御できる。
【００３７】図３Ａは、六角形マイクロレンズを備える
従来の回折素子１４を使うとき、瞳２３の形状を定め
る、瞳２３の強度分布を示す。この回折光学素子は、各
々光軸周りに、Ｘ方向に関して１５°回転した、六角形
マイクロレンズの六角形アレイを含んで、楕円率ゼロの
星形瞳を提供する。原理的に、瞳２３の強度分布は、二
つの実質的に均一な強度分布の和であり、各分布は、六
角形で、積分器ロッド１７の中の反射のために、一つの
分布は、Ｘ方向に関して１５°時計方向に回転され、他
の分布は、反時計方向に１５°回転されている。その結
果、出来た強度分布のＸ軸およびＹ軸に沿う半径方向範
囲は、実質的に等しく、従ってＤＯＥ１４は楕円性誤差
を取込まない。しかし、図３Ｂに示すように、全回折光
学素子を回転することによって、瞳２３の瞳形状の楕円
率を変えることができる。図３Ｂで、回折光学素子のＸ
軸に関する回転角を上に定める従来の１５°方向に関し
て５°だけ増し（Ｘ方向に関して２０°回転するよう
に）、顕著な楕円率を生ずる。回折光学素子の回転の１
°の増加によって、約０．３〜０．４％の楕円率の偏り
が生ずる。
【００３８】従って、照明光学系全体としておよび回折
光学素子１４によって生じた楕円性誤差を測定し、この
回折光学素子を回転して補償する。回折光学素子の９０
°、または９０°の倍数の回転は、楕円率の大きさに何
の影響もない筈であるが、実際には楕円率に顕著な変化
があることを特に言及する。アポディゼーションとして
知られる、そのような変化は、本発明を利用できるよう
にし、従って本発明は、数度オーダの回転は勿論、９０
°の倍数の回転も包含する。
【００３９】この発明の実施形態１の変形で、回折光学
素子を不規則六角形マイクロレンズで作り、他の素子に
よって生じた楕円性誤差を補正するために、所定の楕円
性誤差を取入れるために一つの軸に沿って伸してもよ
い。
【００４０】回折光学素子がホログラムレンズである場
合、他の素子が取込んだ楕円性誤差を補正するための楕
円性効果を故意に取込むことができる。所望の補正、お
よび必要なホログラムレンズの形をコンピュータによっ
て計算できる。このホログラムレンズは、例えば、円形
で且つ投影ビームが横切る他の素子によって生ずる楕円
性誤差を補正するために楕円性対称強度異常を有する強
度分布を発生してもよい。
【００４１】原理的に、所謂双極子数を補正するだけで
屡々十分である。この双極子数は、瞳平面で、Ｙ方向に
沿う象限の放射線エネルギーに対するＸ方向に沿う象限
の放射線エネルギーの割合を表す。１００％という値
は、各組の象限のエネルギーが等しいことを示す。楕円
性誤差を取込む光学素子は、上記双極子数にも影響し、
従って、この発明に従って上記双極子数を補正するため
に使うことができる。
【００４２】
【実施形態２】この発明の実施形態２は、以下に説明す
ることを除いて、この発明の実施形態１と同じでもよ
く、レーザ光源を使用する。図４は、この実施形態２の
照明システムの最初の幾つかの構成要素を示す。
【００４３】レーザ３１は、比較的狭い、平行ビームを
出し、それは、実施形態１のようにシャッタ１１、１
２、１３を通過する。それは次にビーム発散光学素子３
２を通過し、それがこのビームを都合のよいサイズ、例
えば、断面で３０ｍｍ×３０ｍｍに拡大する。理想的に
は、ビーム拡大器３２は平行ビームを出すべきである
が；しかし、このビームの縁で、Ｘ方向とＹ方向の間に
（ここでＺ方向は、ビームの光軸である）１５ｍｒａｄ
までの発散差があるかも知れない。この実施形態２で
は、ビーム拡大光学素子を配置して一方向、例えば、Ｙ
方向に正しい発散をもたらして、発散誤差を他の方向、
例えば、Ｘ方向に集め、次のそれを回折光学素子３３に
よって補正する。
【００４４】この回折光学素子３３は、例えば、図２お
よび図３Ａに示すように、幅０．２５ｍｍおよび半径
２．６ｍｍでＸ軸に関して１５°に向いた正六角形素子
のアレイである。この基本形状を次に修正してレーザビ
ームの発散差を補正する。これを行うために必要な修正
は、この発明を使用する特定の装置、特に照明システム
の残りの特性に依存する。実施形態２の一つの例では、
Ｘ発散を次のようにＸ方向の六角形マイクロレンズの幅
を減らすことによって補正できる：
【００４５】実施形態１同様、この発明の実施形態２で
は、双極子数を補正するだけで十分かも知れない。回折
光学素子３３の素子形状の変更は、ズーム・アキシコン
１５、１６への入口でビーム断面の形状に影響すること
があるが、そのような変化は、大きな発散値に対してで
も非常に小さく、無視できる。
【００４６】回折光学素子３３は、交換器３３ａに取付
けて、異なる効果のためにビームに別の素子を挿入でき
るようにし、且つこの発明による補正を行うように、そ
のような素子の向きを調整できるようにしてもよい。
【００４７】
【実施形態３】実施形態３では、投影ビームの経路に、
この投影ビームの放射線に部分的に透過性のフィルタを
設け、それで上記部分的に透過性のフィルタが上記楕円
性誤差を打消す透過率分布を有することによって投影ビ
ームの上記楕円性誤差を補正する。
【００４８】原理的に、この投影装置の瞳平面（例え
ば、図２の平面２２または２３のような）に近接する単
一の部分的に透過性のフィルタが必要な打消し効果をも
たらすことができる。原理的に、楕円性誤差に特有な強
度分布Ｉは、次のように表すことができる： I=Io(1+Iacos(2θ)) （１） 但し、Ioは、この瞳の平均強度であり、Iacos(2θ)は、
この強度分布の強度異常である。この異常は、図５に示
すように、Ｙ軸に関して方向を成す角度θ（ラジアン
の）に従って変動し、Iaは、変動の無次元振幅である。
一般的に、Iaは、数パーセントのオーダであり；Iaは、
例えば、０．０３であってもよい。図５で、項目５０
は、ＸおよびＹ方向に平行な瞳平面で、投影装置の光軸
に中心を置く投影ビームの断面である。この強度分布
は、それぞれ、実質的に異なる強度を有し、Ｙ方向およ
びＸ方向に沿って分布する、二つの細長い部分５２およ
び５１を含み；式（１）によれば、これらの異なる強度
は、それぞれθ=0およびθ=π/2での強度に実質的に等
しく、それで部分５２では、強度が、良い近似で、Io(1
+Ia)であり、部分５１では、強度が、良い近似で、Io(1
-Ia)である。同様に、光軸に中心を置き、対応する複数
の角度θが成す対応する複数の方向に沿って分布する、
複数の細長い部分５３の強度は、良い近似で、式（１）
によって与えられる。
【００４９】上記楕円性誤差を軽減するための（従っ
て、上記Ｈ−Ｖ差を軽減するための）打消し効果をもた
らす、部分的に透過性の放射線フィルタの透過率分布
を、放射線フィルタ６０に関して固定したと考える直交
Ｕ、Ｖ座標系（図６参照）に関連して定義する。透過率
分布を、例えば、次のように与えてもよい： T=To(1-Ia-Iacos(2α)) （２） 但し、Toは、Ｕ方向に沿う第１の細長い部分６１の（最
大）第１透過率であり、To(1-2Ia)は、Ｖ方向に沿う第
２の細長い部分６２の（最小）第２透過率である。この
透過率は、Ｖ軸に関して方向を成す角度α（ラジアン
の）に従って変動する；図６参照。透過率分布が式
（２）によって与えられる、部分的に透過性の放射線フ
ィルタは、例えば、実質的に透明なパターン化した板と
して、投影ビーム経路に設けることができる。上記パタ
ーン化した板のパターンは、例えば、空間密度を式
（２）に従って変動して表面上に分布した、灰色色調の
ディザ化した不透明ドット（この投影ビームの放射線を
阻止する）を含んでもよい。そのような放射線フィルタ
を、Ｘ、Ｙ座標系とＵ、Ｖ座標系を整合して並置して、
断面５０の平面に配置することができる。放射線ビーム
がこの具体化した部分的に透過性の放射線フィルタを横
切った結果としての強度分布を以後 Ir によって示す。
この実施形態では、Irが次のように与えられる： Ir=T・I =To(1-Ia-Iacos(2θ))Io(1+Iacos(2θ)) =ToIo(1-Ia-Ia2cos(2θ)-Ia2cos2(2θ)) （３） ここでIaの２次の項は、１との関係で無視でき、それで
この結果の強度分布は、角度θと実質的に独立である
（即ち、この楕円性誤差を補正する）： Ir≒ToIo(1-Ia) （４）
【００５０】一般的に、楕円性誤差は、例えば、光学素
子が徐々に汚染するため、または投影ビームの放射線と
例えば光学素子の材料との間の徐々の不可逆的相互作用
のために、そのうちに変動するかも知れない。典型的に
そのような相互作用は、かなりの露出回数の後にだけ、
許容差を超える楕円性誤差の増加に繋がるかも知れない
が、投影装置が上記の部分的に透過性の放射線フィルタ
の透過率分布を調整するための、楕円性誤差のドリフト
を補正できるような、手段を備えることが望ましい。上
記手段の好適実施例は、上に説明したような、第１の部
分的に透過性の放射線フィルタ、および第２の、補助の
部分的に透過性の放射線フィルタを含み、この両方の部
分的に透過性の放射線フィルタが上記投影装置の光軸周
りに回転可能であり、この両方の部分的に透過性の放射
線フィルタが投影ビームの経路に直列に配置してある。
各フィルタの透過率分布は、各々対応する部分的に透過
性の放射線フィルタに関して固定した座標系、Ｕ１、Ｖ
１座標系およびＵ２、Ｖ２座標系で、それぞれ、例え
ば、次のように与えられる： T1=To(1-(Ia/2)-(Ia/2)cos(2α1)) T2=To(1-(Ia/2)-(Ia/2)cos(2α2)) （５） ここでToは、第１フィルタ用にＵ１方向に沿う、および
第２フィルタ用にＵ２方向に沿う第１の細長い部分の
（最大）第１透過率であり、上に説明したフィルタに類
似して、第１および第２フィルタの透過率は、それぞ
れ、Ｖ１およびＶ２軸に関して方向を成す角度α1およ
びα2（ラジアンの）に従って変動する。ビーム断面５
０でのＸ、Ｙ座標系に関する第１および第２フィルタの
回転方向は、それぞれ、回転角φ1およびφ2によって定
義される；図７参照。上記第１および第２フィルタの
Ｘ、Ｙ座標系に関する結果透過率分布T1およびT2は、そ
れぞれ、次のように与えられる： T1=To(1-(Ia/2)-(Ia/2)cos(2θ-φ1)) =To(1-(Ia/2)-(Ia/2)cos(2θ)cosφ1-(Ia/2)sin(2θ)sinφ1) （６） および T2=To(1-(Ia/2)-(Ia/2)cos(2θ-φ2)) =To(1-(Ia/2)-(Ia/2)cos(2θ)cosφ2-(Ia/2)sin(2θ)sinφ2) （７） 一つ以上のモータを設けて、これらのフィルタに回転φ
1およびφ2を与えることができる。一般的に、次の式を
実質的に満足する方向に回転φ1を回転φ2に結合するの
が好ましい。 φ2=-φ1 （８） それで、第１フィルタが時計方向に回転するとき、第２
フィルタは半時計方向に回転する。そのような結合は、
伝動歯車組立体によって容易に提供できる。直列の二つ
のフィルタの透過率分布T12は、T1とT2の積によって与
えられる： T12=To2(1-Ia-Iacosφ1cos(2θ)) （９） ここで、式（６）、（７）および（８）を考慮に入れ、
Iaの２次の項は、１との関係で無視する。次の式で表す
回転位置の設定で、 φ1=-φ2=π/2 結果透過率T12は、T12=To2(1-Ia)によって与えられる。
従って、それはθと独立であり、それでこの回転位置の
設定は、楕円性誤差がなくても適切である。φ1=φ2=0
によって表す回転位置設定は、良い近似で（即ち、Ia
の２次以上の効果を無視して）、強度異常の式（１）で
表す強度分布に存在するような無次元振幅による補正を
可能にする。他の設定も、同様に、強度異常の無次元振
幅2Iacosφ1による補正を可能にし、それでφ1 の調整
が楕円性誤差の調整という結果になる。
【００５１】上に説明したような、部分的に透過性の放
射線フィルタの反対方向（φ1=-φ2）の回転の他に、回
転は、例えば、同じ回転方向の回転を含んでもよい。こ
れは、共に光軸に中心を置き、T12の透過率分布が、そ
れぞれ、最大および最小透過率を有する、第１および第
２の細長い部分のＸ、Ｙ平面での回転配向を変えるだろ
う。
【００５２】これら二つのフィルタは、例えば、積分器
１７によって生ずる楕円性誤差を打消せるように、図２
で集光光学素子ＣＯの瞳２３に近接して位置するのが好
ましい。楕円性誤差は、照明設定に依存するかも知れ
ず、この依存性を測定できる。このリソグラフィ投影装
置の作動中に楕円性誤差の適切な補正を適用できるよう
に、φ1およびφ2の最適回転設定の対応する表を計算
し、記憶手段に記憶することができる。
【００５３】
【実施形態４】この発明の実施形態４は、以下に説明す
ることを除いて、実施形態１、実施形態２または実施形
態３と同じでもよく、ズーム・アキシコン１５、１６の
異なる設定に対して積分器１７の入射面の最適フィリン
グを可能にするために調整可能板要素４０を導入する。
図８は、実施形態４の照明システムの一部を示し、一方
図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃを
使ってこの調整可能板要素４０の効果を説明する。
【００５４】図８に示すように、調整可能板要素４０が
回折光学素子１８とこの回折光学素子の焦点面に近い結
合光学素子１８ｂ（ズーム・アキシコン１５、１６の出
力を石英ロッド１７に結合するために使う）の間に配置
してある。この調整可能板要素４０は、図９Ｂに示す、
二つの実質的に透明な板４１、４２を含み、それらは、
例えば、石英で作ってもよい。板４１および４２の対向
する面４１ａ、４２ａは、相補の正弦波形の輪郭を有す
る。二つの面の間の間隙４３が小さく、それで第１板４
１の表面４１ａを離れる放射線は、この放射線の伝播方
向と垂直方向に無視できる程の変位で第２板４２の第２
表面４２ａに入る。
【００５５】これらの放射線は、表面４１ａおよび４２
ａで屈折される。これを図９Ｂに示し、そこで調整可能
板要素の効果が焦点を、図９Ａに示す、調整可能板要素
４０の無い位置に比べてシフトすることであることが分
るだろう。この調整可能板の一部だけが正レンズの効果
を有し、そのために調整可能板要素を第２回折光学素子
１８の焦点面近くに配置し、それで調整可能板の負レン
ズの効果を有する部分を使わないことに気付くべきであ
る。
【００５６】調整可能板要素の二つの表面での屈折が加
算するか相殺するかは、投影ビームの伝播方向に実質的
に垂直な“水平”方向に沿う二つの板４１、４２の相対
位置に依る。図１０Ａに示すように、もし、板４１、４
２が整列していれば、二つの屈折が同じ向きに作用し、
組合さってこの板が最大の効果を有するようになる。図
１０Ｂに示すように、もし、板４１、４２が周期の半分
だけずれていれば、屈折が相殺し、投影ビームを本質的
に影響されないままにする。図１０Ｃは、これらの板が
周期の半分未満だけずれていて、それで集束効果がそれ
程ない中間位置を示す。図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１
０Ｃで、調整可能板要素に入射する放射線を平行である
として示し、屈折効果を明確さのために誇張してあるこ
とを注記する。
【００５７】調整可能板要素４０によって生ずる角度変
化の位置依存性を次のように誘導できる。それぞれ、板
４１および４２によって生ずる角度変化θ1（ｘ）およ
びθ2（ｘ）を次のように表せる：
【００５８】
【数１】
【００５９】上の式で、ｘは、投影ビームの伝播方向と
実質的に垂直な方向に沿う位置を表し、ｘ1およびｘ
2は、投影ビームの伝播方向と実質的に垂直な方向に沿
う座標で、それぞれ、要素４１および４２の位置を定め
る。ｘ、ｘ1およびｘ2の定義は、図１０Ｃに詳しく示
す。更に、ｐは、表面４１ａ、４２ａの正弦波形輪郭の
周期を表し、θmは、板４１および４２の屈折率並びに
この正弦波形輪郭の振幅によって決る、最大角度変化で
ある。
【００６０】二つの板が、間隙４３で光線が無視できる
量しか変位しない程十分に近いと仮定すると、全角度変
化θT（ｘ）は、次のように誘導できる：
【００６１】
【数２】
【００６２】これらの板４１、４２を互いに対しておよ
び回折光学素子１８に対して配置するために、サーボ制
御位置決めシステム４０ａが設けてある。これは、二つ
の板の相対位置を正確に決められるようにするために、
それらの上に設けた位置合せマークを検出するためのセ
ンサを含んでもよい。これらの板の製作は、多重露出／
エッチング工程の波の干渉またはグレースケール・リソ
グラフィによるような既知の技術を使って行ってもよ
い。２次元でフィリングを制御するために、板４１、４
２は、２方向に正弦波的に変動する輪郭を備え、これら
の２方向に可動であってもよい。その代りに、二つの１
次元の調整可能板要素を、一つは第２回折素子１８の焦
点面の直前に、一つは直後に設けてもよい。
【００６３】上にこの発明の特定の実施形態を説明した
が、この発明を説明したものと別の方法で実施してもよ
いことが判るだろう。説明は、この発明を制限すること
を意図しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施形態１によるリソグラフィ投影
装置を描く。
【図２】この発明の実施形態１の照明システムの更に詳
しい図である。
【図３Ａ】回折光学素子のマイクロレンズの回転の効果
を示す線図である。
【図３Ｂ】回折光学素子のマイクロレンズの回転の効果
を示す線図である。
【図４】この発明の実施形態２の照明システムの一部を
示す線図である。
【図５】投影ビーム断面、上記断面に関係する座標系、
および上記断面内の細長い部分を示す線図である。
【図６】実施形態３の部分的に透過性の放射線フィル
タ、上記フィルタに関係する座標系、および上記フィル
タに含まれる細長い部分を示す線図である。
【図７】投影ビームの断面に関係する、および二つの部
分的に透過性の放射線フィルタに関係する座標系を示
す。
【図８】この発明の実施形態４の照明システムの一部を
示す線図である。
【図９Ａ】この発明の実施形態の調整可能板要素の効果
を示す線図である。
【図９Ｂ】この発明の実施形態の調整可能板要素の効果
を示す線図である。
【図１０Ａ】図９Ａおよび図９Ｂに示すこの発明の実施
形態の調整可能板要素の調整によって達成可能な異なる
効果を示す線図である。
【図１０Ｂ】図９Ａおよび図９Ｂに示すこの発明の実施
形態の調整可能板要素の調整によって達成可能な異なる
効果を示す線図である。
【図１０Ｃ】図９Ａおよび図９Ｂに示すこの発明の実施
形態の調整可能板要素の調整によって達成可能な異なる
効果を示す線図である。
【符号の説明】
Ｃ 目標部分 Ｅｘ ビーム拡大器 ＩＬ 照明システム ＬＡ 放射線源 ＭＡ パターニング手段、マスク ＭＴ 支持構造体、マスクテーブル ＰＢ 投影ビーム ＰＬ 投影システム Ｗ 基板 ＷＴ 基板テーブル １４ 回折光学素子 １４ｂ マイクロレンズ １５，１６ 調整可能ビーム成形素子 １７ 積分器 １８ 回折光学素子 ３１ レーザ ３２ ビーム拡大手段 ３３ 回折光学素子 ４０ 回折板要素 ４１ 平行な板 ４１ａ 板の面 ４２ 平行な板 ４２ａ 板の面 ５１，５２ 強度分布の細長い部分 ６０ 放射線フィルタ ６１ 透過率分布の第１の細長い部分 ６２ 透過率分布の第２の細長い部分
フロントページの続き (72)発明者 ヤン ホエゲー オランダ国 アイントホーフェン、カステ レンプレイン 49 (72)発明者 パウル ファン デル フェーン オランダ国 アイントホーフェン、ガブリ エル メトスラーン 76 Ｆターム(参考） 5F046 BA04 BA05 CB08 CB12 CB19 CB23

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リソグラフィ投影装置で： − 放射線の投影ビーム（ＰＢ）を供給するための放
    射線システム（Ｅｘ，ＩＬ）で、上記投影ビーム（Ｐ
    Ｂ）の角エネルギー分布および空間エネルギー分布を調
    整し且つその瞳に上記投影ビーム（ＰＢ）の予め選択し
    た強度分布をもたらすための照明システム（ＩＬ）を含
    む放射線システム； − 所望のパターンに従って投影ビーム（ＰＢ）をパ
    ターン化するのに役立つパターニング手段（ＭＡ）を支
    持するための支持構造体（ＭＴ）； − 基板（Ｗ）を保持するための基板テーブル（Ｗ
    Ｔ）で、上記装置に画定するＸ、Ｙ座標系のＸおよびＹ
    方向に沿って動き得るテーブル； − パターン化したビームを基板（Ｗ）の目標部分
    （Ｃ）上に結像するための、そして上記強度分布をその
    瞳に投影するための投影システム（ＰＬ）を含む投影装
    置において、 上記強度分布の強度異常を補正するための補正手段（１
    ４，１８；６０）を有し、 − 強度異常が、それぞれ、上記ＸおよびＹ方向に沿
    って分布し且つ実質的に異なる強度を有する、二つの細
    長い部分（５１，５２）を含み、 − 上記補正手段（１４，１８；６０）が投影装置の
    光軸周りに回転可能な光学素子（１４，１８；６０）を
    含むことを特徴とする投影装置。
  2. 【請求項２】 請求項１による装置に於いて、上記光学
    素子（１４，１８）が透過か反射で作用する回折光学素
    子である投影装置。
  3. 【請求項３】 請求項２による装置に於いて、上記回折
    光学素子（１４，１８）がマイクロレンズ（１４ｂ）の
    アレイを含む投影装置。
  4. 【請求項４】 請求項３による装置に於いて、上記マイ
    クロレンズ（１４ｂ）の中心を繋ぎ合せる線が上記アレ
    イの光軸に垂直な基準方向に対して１５．５°ないし２
    ０°の範囲の角度で傾斜するように、上記マイクロレン
    ズ（１４ｂ）のアレイを回転する投影装置。
  5. 【請求項５】 請求項３または請求項４による装置に於
    いて、上記マイクロレンズ（１４ｂ）の各々がその中心
    軸周りの回転で円形対称でない投影装置。
  6. 【請求項６】 請求項５による装置に於いて、上記マイ
    クロレンズ（１４ｂ）の各々は、上記光軸に垂直な二つ
    の直交方向（Ｘ，Ｙ）の一つの寸法が他の直交方向の寸
    法の９４ないし９９％の範囲内にある投影装置。
  7. 【請求項７】 請求項１から請求項６の何れか一項によ
    る装置に於いて、上記照明システム（ＩＬ）が上記予め
    選択した強度分布を形成するための調整可能ビーム成形
    素子（１５，１６）を含み、上記回折光学素子（１４）
    が上記調整可能ビーム成形素子（１５，１６）の前に位
    置する投影装置。
  8. 【請求項８】 請求項１から請求項７の何れか一項によ
    る装置に於いて、上記放射線システム（Ｅｘ，ＩＬ）が
    レーザ（３１）によるビーム出力を拡大するためのビー
    ム拡大手段（３２）を含み、上記回折光学素子（３３）
    が上記ビーム拡大手段（３２）の後にあり且つこのビー
    ムの異なる方向の発散角の差を修正するような寸法を有
    する投影装置。
  9. 【請求項９】 請求項１による装置に於いて、上記光学
    素子が部分的に透過性の放射線フィルタ（６０）である
    投影装置。
  10. 【請求項１０】 請求項９による装置に於いて、上記強
    度異常を補正するための上記手段が、上記投影装置の光
    軸周りに回転可能であり且つこの投影ビーム（ＰＢ）の
    経路に上記部分的に透過性の放射線フィルタ（６０）と
    直列に配列された、補助の部分的に透過性の放射線フィ
    ルタを含む投影装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０による装置に於いて、上記
    部分的に透過性の放射線フィルタおよび上記補助の部分
    的に透過性の放射線フィルタの透過率分布が： − 第１方向（Ｕ）に沿って分布し、光軸に中心を置
    き、第１透過率を有する第１の細長い部分（６１）、 − 上記第１方向（Ｕ）と実質的に直交する第２方向
    （Ｖ）に沿って分布し、光軸に中心を置き、上記第１透
    過率と実質的に異なる第２透過率を有する第２の細長い
    部分（６２）、 − 光軸に中心を置き、上記直交方向（Ｕ，Ｖ）の一
    つと対応する複数の角度αで対応する複数の方向に沿っ
    て分布し、上記第１透過率と第２透過率の間で上記角度
    αに従って徐々に変動する、対応する複数の透過率を有
    する複数の細長い部分を含む投影装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１１による装置に於いて、上記
    透過率の変動が上記角度αの正弦波関数である投影装
    置。
  13. 【請求項１３】 請求項１２による装置に於いて、上記
    角度αの上記正弦波関数がcos(2α)によって与えられる
    投影装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１０から請求項１３の何れか一
    項による装置に於いて、上記部分的に透過性の放射線フ
    ィルタ（６０）および上記補助の部分的に透過性の放射
    線フィルタの少なくとも一つの軸方向位置が、照明シス
    テム（ＩＬ）の瞳の位置、投影システム（ＰＬ）の瞳の
    位置、および上記瞳と共役の平面の軸方向位置を含む軸
    方向位置のグループから選択した位置と実質的に一致す
    る投影装置。
  15. 【請求項１５】 リソグラフィ投影装置で： − 放射線の投影ビーム（ＰＢ）を供給するための放
    射線システム（Ｅｘ，ＩＬ）で、上記投影ビーム（Ｐ
    Ｂ）の角エネルギー分布および空間エネルギー分布を調
    整し且つその瞳に上記投影ビーム（ＰＢ）の予め選択し
    た強度分布をもたらすための照明システム（ＩＬ）を含
    む放射線システム； − 所望のパターンに従って投影ビーム（ＰＢ）をパ
    ターン化するのに役立つパターニング手段（ＭＡ）を支
    持するための支持構造体（ＭＴ）； − 基板（Ｗ）を保持するるための基板テーブル（Ｗ
    Ｔ）で、上記装置に画定するＸ、Ｙ座標系のＸおよびＹ
    方向に沿って動き得るテーブル； − パターン化したビームを基板（Ｗ）の目標部分
    （Ｃ）上に結像するための、そして上記強度分布をその
    瞳に投影するための投影システム（ＰＬ）を含む投影装
    置投影装置に於いて、上記照明システム（ＩＬ）が積分
    器（１７）を含み：上記積分器（１７）の前に位置し且
    つマイクロレンズのアレイを含む回折板要素（４０）を
    有し、上記マイクロレンズのアレイが上記マイクロレン
    ズの焦点を含む焦点面を有する回折光学素子（１８）、
    および上記マイクロレンズのアレイの上記焦点面に近接
    して位置し且つ互いに近接する１対の実質的に平行な板
    （４１，４２）を含み、上記平行な板（４１，４２）が
    上記マイクロレンズのアレイと実質的に同じピッチで正
    弦波的に変動する屈折力を有することを特徴とする投影
    装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５による装置に於いて、上記
    対の平行な板（４１，４２）の上記屈折力が上記照明シ
    ステム（ＩＬ）の光軸に垂直な、二つの直交方向に正弦
    波的に変動する投影装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１５による装置であって、更
    に、上記マイクロレンズのアレイの焦点面に近接して位
    置する第２回折板要素を含み、上記第２回折板要素が互
    いに近接する１対の実質的に平行な板（４１，４２）を
    含み、上記平行な板（４１，４２）が上記マイクロレン
    ズのアレイと実質的に同じピッチで正弦波的に変動する
    屈折力を有し、上記第２回折板要素の屈折力が他の回折
    板要素（４０）の屈折力の変動方向と直交する方向に変
    動する投影装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１５から請求項１７の何れか一
    項による装置であって、更に、互いに近接する上記平行
    な板（４１，４２）の位置を上記照明システム（ＩＬ）
    の光軸と実質的に垂直な少なくとも一つの方向に沿って
    調整するための位置決め手段（４０ａ）を含む投影装
    置。
  19. 【請求項１９】 請求項１５から請求項１８の何れか一
    項による装置に於いて、上記平行な板（４１，４２）の
    対向する面（４１ａ，４２ａ）が、上記正弦波的に変動
    する屈折力をもたらすために正弦波的に変動する輪郭を
    有する投影装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１から請求項１９の何れかによ
    る装置に於いて、支持構造体（ＭＴ）がマスクを保持す
    るためのマスクテーブルを含む投影装置。
  21. 【請求項２１】 請求項１から請求項２０の何れかによ
    る装置に於いて、放射線システム（Ｅｘ，ＩＬ）が放射
    線源（ＬＡ）を含む投影装置。
  22. 【請求項２２】 リソグラフィ投影装置で： − 放射線の投影ビーム（ＰＢ）を供給するための放
    射線システム（Ｅｘ，ＩＬ）で、上記投影ビーム（Ｐ
    Ｂ）の角エネルギー分布および空間エネルギー分布を調
    整し且つその瞳に上記投影ビーム（ＰＢ）の予め選択し
    た強度分布をもたらすための照明システム（ＩＬ）を含
    む放射線システム； − 所望のパターンに従って投影ビーム（ＰＢ）をパ
    ターン化するのに役立つパターニング手段（ＭＡ）を支
    持するための支持構造体（ＭＴ）； − 基板（Ｗ）を保持するるための基板テーブル（Ｗ
    Ｔ）で、上記装置に画定するＸ、Ｙ座標系のＸおよびＹ
    方向に沿って動き得るテーブル； − パターン化したビームを基板（Ｗ）の目標部分
    （Ｃ）上に結像するための、そして上記強度分布をその
    瞳に投影するための投影システム（ＰＬ）を含む投影装
    置をセットアップする方法であって、 上記強度分布の強度異常を補正するための補正手段（１
    ４，１８；６０）を用意する工程で、強度異常が、それ
    ぞれ、上記ＸおよびＹ方向に沿って分布し且つ実質的に
    異なる強度を有する、二つの細長い部分（５１，５２）
    を含む工程、そして上記投影装置の光軸周りに回転可能
    であり且つ上記補正手段（１４，１８；６０）に含まれ
    る、少なくとも一つの光学素子の回転位置を、上記異常
    を実質的に補償するように、調整する工程を含む方法。
  23. 【請求項２３】 リソグラフィ投影装置を使うデバイス
    製造方法で： − 少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆わ
    れた基板（Ｗ）を用意する工程； − 放射線システム（Ｅｘ，ＩＬ）を使って放射線の
    投影ビーム（ＰＢ）を作る工程； − 投影ビーム（ＰＢ）の断面にパターンを付けるた
    めにパターニング手段（ＭＡ）を使う工程； − この放射線のパターン化したビームを放射線感応
    性材料の層の目標部分（Ｃ）上に投影する工程を含む方
    法であって：上記放射線システム（Ｅｘ，ＩＬ）の瞳お
    よび上記投影システム（ＰＬ）の瞳を含む瞳のグループ
    から選択した瞳に近接する投影ビーム（ＰＢ）の断面の
    強度分布の強度異常を補正するための補正手段（１４，
    １８；６０）を用意する工程で、強度異常が、それぞ
    れ、二つの相互に垂直な方向（Ｘ，Ｙ）に沿って分布し
    且つ実質的に異なる強度を有する、二つの細長い部分
    （５１，５２）を含む工程、並びに上記投影装置の光軸
    周りに回転可能であり且つ上記補正手段（１４，１８；
    ６０）に含まれる、少なくとも一つの光学素子の回転位
    置を、上記異常を実質的に補償するような向きに、調整
    する工程を特徴とする方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２３の方法によって製造したデ
    バイス。
JP2001201548A 2000-07-05 2001-07-03 リソグラフィ投影装置 Expired - Fee Related JP3913009B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00305666.0 2000-07-05
EP00305666 2000-07-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002043221A true JP2002043221A (ja) 2002-02-08
JP3913009B2 JP3913009B2 (ja) 2007-05-09

Family

ID=8173103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001201548A Expired - Fee Related JP3913009B2 (ja) 2000-07-05 2001-07-03 リソグラフィ投影装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6583855B2 (ja)
JP (1) JP3913009B2 (ja)
KR (1) KR100554253B1 (ja)
DE (1) DE60120282T2 (ja)
TW (1) TW498408B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008529290A (ja) * 2005-01-29 2008-07-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 照射システム、具体的には、半導体リソグラフにおける投影露光装置のための照射システム
JP2008294442A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Asml Holding Nv フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ
JP2009527114A (ja) * 2006-02-17 2009-07-23 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器
JP2010192471A (ja) * 2009-02-13 2010-09-02 Canon Inc 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2013501348A (ja) * 2009-07-31 2013-01-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学ビーム偏向要素及び調節方法
JP2013033071A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 V Technology Co Ltd マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置
US8673476B2 (en) 2006-07-18 2014-03-18 Lg Chem, Ltd. Electrode assembly having stable lead-tap joint and electrochemical cell containing them

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6563567B1 (en) 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
SG124257A1 (en) * 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
DE10108254A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-22 Leica Microsystems Optische Betrachtungseinrichtung mit Vorrichtung zur partiellen Reduktion der Intensität der Beleuchtung
TW554411B (en) * 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
US7079321B2 (en) * 2001-10-18 2006-07-18 Asml Holding N.V. Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil
US6813003B2 (en) * 2002-06-11 2004-11-02 Mark Oskotsky Advanced illumination system for use in microlithography
US7006295B2 (en) * 2001-10-18 2006-02-28 Asml Holding N.V. Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator
KR100431883B1 (ko) * 2001-11-05 2004-05-17 삼성전자주식회사 노광방법 및 투영 노광 장치
TW567406B (en) * 2001-12-12 2003-12-21 Nikon Corp Diffraction optical device, refraction optical device, illuminating optical device, exposure system and exposure method
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6963390B1 (en) * 2002-07-19 2005-11-08 Litel Instruments In-situ interferometer arrangement
JP4307041B2 (ja) * 2002-09-20 2009-08-05 株式会社 液晶先端技術開発センター 結晶化装置および結晶化方法
JP4230187B2 (ja) 2002-09-25 2009-02-25 シャープ株式会社 マイクロレンズアレイの製造方法およびマイクロレンズアレイの製造装置
US7511886B2 (en) * 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
US7016015B2 (en) * 2003-06-20 2006-03-21 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8064730B2 (en) * 2003-09-22 2011-11-22 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, orientation determination method and lithographic apparatus
JP4599936B2 (ja) * 2004-08-17 2010-12-15 株式会社ニコン 照明光学装置、照明光学装置の調整方法、露光装置、および露光方法
US7642037B2 (en) 2004-08-27 2010-01-05 Searete, Llc Integrated circuit lithography
US7315351B2 (en) * 2004-10-28 2008-01-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured therewith
JP2008533728A (ja) 2005-03-15 2008-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影露光方法及びそのための投影露光システム
US7535644B2 (en) * 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7332733B2 (en) * 2005-10-05 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. System and method to correct for field curvature of multi lens array
WO2007050743A2 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Yale University An optical system for illumination of an evanescent field
TWI456267B (zh) * 2006-02-17 2014-10-11 Zeiss Carl Smt Gmbh 用於微影投射曝光設備之照明系統
US8071136B2 (en) 2006-04-21 2011-12-06 Bioactives, Inc. Water-soluble pharmaceutical compositions of hops resins
DE102007049133A1 (de) * 2007-02-13 2008-08-21 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Position mindestens einer Struktur auf einem Objekt, Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung für die Vorrichtung und Verwendung von Schutzgas für die Vorrichtung
US8582113B2 (en) 2007-02-13 2013-11-12 Kla-Tencor Mie Gmbh Device for determining the position of at least one structure on an object, use of an illumination apparatus with the device and use of protective gas with the device
JP5035747B2 (ja) * 2007-03-16 2012-09-26 株式会社ニコン オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102008040742A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung
DE102008011501A1 (de) 2008-02-25 2009-08-27 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Betreiben eines Beleuchtungssystems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US8045250B1 (en) * 2008-11-18 2011-10-25 Kla-Tencor Corporation Optical scanning using rotating parallel plate
US9476520B2 (en) 2013-03-14 2016-10-25 Hanon Systems HVAC door with intersecting surface configurations
JP6703612B2 (ja) * 2016-02-26 2020-06-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、およびデバイス製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097940A (ja) * 1995-05-24 1997-01-10 Svg Lithography Syst Inc フォトリソグラフィー用ハイブリッド照明系
JPH09223661A (ja) * 1996-02-15 1997-08-26 Nikon Corp 露光装置
JPH1187232A (ja) * 1997-07-18 1999-03-30 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH11504443A (ja) * 1996-02-23 1999-04-20 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 光学装置用の照明ユニット
JP2000182933A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002093700A (ja) * 2000-09-02 2002-03-29 Carl Zeiss:Fa 投影露光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3209218B2 (ja) * 1991-12-27 2001-09-17 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JPH05231817A (ja) * 1992-02-25 1993-09-07 Nikon Corp 露光装置
JP3295956B2 (ja) * 1992-03-05 2002-06-24 株式会社ニコン 露光装置及び半導体素子の製造方法
DE69418131D1 (de) * 1993-03-01 1999-06-02 Gen Signal Corp Vorrichtung zur erzeugung einer einstellbaren ringförmigen beleuchtung für einen photolithograpischen projektionsapparat
US6285443B1 (en) * 1993-12-13 2001-09-04 Carl-Zeiss-Stiftung Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
DE19520563A1 (de) 1995-06-06 1996-12-12 Zeiss Carl Fa Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät
EP0658811B1 (de) * 1993-12-13 1998-06-17 Carl Zeiss Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie-Belichtungsanlage
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
KR960008501A (ko) * 1994-08-02 1996-03-22 신동율 수첩형 골프 정보 데이타 베이스 및 화면 표시장치
DE19809395A1 (de) * 1998-03-05 1999-09-09 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem und REMA-Objektiv mit Linsenverschiebung und Betriebsverfahren dafür
US6392742B1 (en) * 1999-06-01 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and projection exposure apparatus
US6476905B1 (en) * 2000-01-20 2002-11-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Step and scan exposure system equipped with a plurality of attenuator blades for exposure control

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH097940A (ja) * 1995-05-24 1997-01-10 Svg Lithography Syst Inc フォトリソグラフィー用ハイブリッド照明系
JPH09223661A (ja) * 1996-02-15 1997-08-26 Nikon Corp 露光装置
JPH11504443A (ja) * 1996-02-23 1999-04-20 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 光学装置用の照明ユニット
JPH1187232A (ja) * 1997-07-18 1999-03-30 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2000182933A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2002093700A (ja) * 2000-09-02 2002-03-29 Carl Zeiss:Fa 投影露光装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008529290A (ja) * 2005-01-29 2008-07-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 照射システム、具体的には、半導体リソグラフにおける投影露光装置のための照射システム
JP2009527114A (ja) * 2006-02-17 2009-07-23 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器
JP2012156552A (ja) * 2006-02-17 2012-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム用の光結合器
US8520307B2 (en) 2006-02-17 2013-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical integrator for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US8673476B2 (en) 2006-07-18 2014-03-18 Lg Chem, Ltd. Electrode assembly having stable lead-tap joint and electrochemical cell containing them
JP2008294442A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Asml Holding Nv フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ
JP4719772B2 (ja) * 2007-05-23 2011-07-06 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ
JP2010192471A (ja) * 2009-02-13 2010-09-02 Canon Inc 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2013501348A (ja) * 2009-07-31 2013-01-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学ビーム偏向要素及び調節方法
JP2013033071A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 V Technology Co Ltd マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3913009B2 (ja) 2007-05-09
KR20020004861A (ko) 2002-01-16
DE60120282T2 (de) 2007-05-31
KR100554253B1 (ko) 2006-02-24
US20020036763A1 (en) 2002-03-28
TW498408B (en) 2002-08-11
DE60120282D1 (de) 2006-07-20
US6583855B2 (en) 2003-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3913009B2 (ja) リソグラフィ投影装置
US9651875B2 (en) Illumination system and lithographic apparatus
JP4979746B2 (ja) マスク・パターン、マーカ構造、リトグラフ投影装置におけるマーカ構造の提供方法、およびリトグラフ装置におけるマーカ構造の位置関係決定方法
US7333178B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8279405B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9134629B2 (en) Illumination system, lithographic apparatus and method of forming an illumination mode
EP1170635B1 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2001237183A (ja) マイクロリソグラフィ投影装置
US8049864B2 (en) Device manufacturing method and lithographic apparatus
JP2004200701A (ja) リソグラフィ投影マスク、リソグラフィ投影マスクによるデバイス製造方法、およびこの方法により製造したデバイス
JP2005340847A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4277016B2 (ja) 照明アセンブリ、放射線ビームを供給する方法、リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
US8982481B2 (en) Catadioptric objective for scatterometry
US7113255B2 (en) Grating patch arrangement, lithographic apparatus, method of testing, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US20070103789A1 (en) Optical system, lithographic apparatus and method for projecting
JP2004343058A (ja) 計測ビームの操作および方向付けするための装置および方法
JP4837713B2 (ja) リソグラフィ装置および方法
EP1498779A2 (en) Marker structure for alignment or overlay

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060530

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060724

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20061010

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees