JP4979746B2 - マスク・パターン、マーカ構造、リトグラフ投影装置におけるマーカ構造の提供方法、およびリトグラフ装置におけるマーカ構造の位置関係決定方法 - Google Patents
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Description
マスク。マスクの概念は、リソグラフィにおいてよく知られ、バイナリ、交互移相及び減衰移相等のマスク型、並びに様々なハイブリッド・マスク型を含む。当該マスクを放射ビーム内に配置すると、マスク上のパターンに応じて、マスクに入射する放射の選択的透過(透過マスクの場合)又は反射(反射マスクの場合)が生じる。マスクの場合、支持構造体は、一般には、マスクを入射放射ビームにおける所望の位置に保持できるようにするとともに、望まれる場合はビームに対して相対的に移動できるようにするマスク・テーブルである。
プログラム可能ミラー・アレイ。当該デバイスの一例は、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリクス・アドレス可能面である。当該装置の背後にある基本原理は、(例えば)反射面のアドレス領域が入射光を回折光として反射するのに対して、非アドレス領域は入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビームから濾別し、回折光のみを残す。このように、ビームは、マトリクス・アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替的な実施例は、好適な局所電場を加えることにより、又は圧電駆動手段を採用することによって、各々を軸のまわりに個々に傾斜させることができる小ミラーのマトリックス構成を採用する。ここでも、アドレス・ミラーが非アドレス・ミラーに異なる方向で入射放射ビームを反射するように、ミラーがマトリックス・アドレス可能となっている。このように、反射ビームは、マトリックス・アドレス可能ミラーのアドレス・パターンに従ってパターン化される。好適な電子手段を使用して必要なマトリックス・アドレッシングを行うことができる。上述の状況のいずれにおいても、パターン化手段は、1つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。ここに示されるようなミラー・アレイに関するさらなる情報は、例えば、参照により本明細書に援用されている米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号、並びにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号から収集することができる。プログラム可能ミラー・アレイの場合は、前記支持構造体を、例えば、必要に応じて固定又は可動にすることができるフレーム又はテーブルとして具体化できる。
プログラム可能LCDアレイ。当該構造体の例は、参照により本明細書に援用されている米国特許第5,229,872号に示されている。上述のように、この場合における支持構造体は、例えば、必要に応じて固定又は可動にすることができるフレーム又はテーブルとして具体化できる。
放射(例えば紫外線)の投影ビームPBを供給するための放射システムEx、IL。この特定の場合において、放射システムは、放射源SOをも含む。
マスクMA(例えばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備え、品目PLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段(図示せず)に接続された第1のオブジェクト・テーブル(マスク・テーブル)MT。
基板W(例えばレジスト塗布シリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備え、品目PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクト・テーブル(基板テーブル)WT。
マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを備える)に画像化するための投影システム(「レンズ」)PL。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTを実質的に固定し、マスク画像全体をターゲット部分Cに一気に(すなわち単一「フラッシュ」で)投影する。次いで、異なるターゲット部分CにビームPBを照射できるように、基板テーブルWTをX及び/又はY方向に移動させる。
2.走査モードでは、所定のターゲット部分Cは、単一「フラッシュ」で露光させない点を除いては本質的に同じシナリオが適用される。その代わり、投影ビームPBにマスク画像を走査させるように、マスク・テーブルMTを所定の方向(所謂「走査方向」、例えばY方向)に速度νで移動可能とする。それと同時に、基板テーブルWTを同一又は反対方向に速度V=Mν(ただし、MはレンズPLの倍率(典型的にはM=1/4又は1/5))で同時に移動させる。このように、解像度を低下させることなく、比較的大きいターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (4)
- リトグラフ投影装置で基板上にマーカ構造を画像化するためのマスク・パターンであって、前記マーカ構造は、使用に際して光学的アラインメント又はオーバレイを決定するように構成され、前記マスク・パターンは、前記マーカ構造を定める複数の構成部を備え、
前記構成部のそれぞれは、複数の区分要素に分割されており、該複数の区分要素は、リトグラフ投影の走査方向に対して垂直な方向に並んでおり、
前記区分要素は、それぞれ前記基板上に画像化されるデバイスフィーチュアと実質的に同じサイズを有し、
前記マスク・パターンは、リトグラフ投影の解像度を下回るサイズを実質的に有する補助フィーチュアを備え、
前記補助フィーチュアは、前記区分要素の臨界外側エッジ付近に配置された線形区分として定められ、
前記補助フィーチュアは、隣接する前記区分要素を接続するように、リトグラフ投影の走査方向に対して垂直な方向に伸びている、
ことを特徴とするマスク・パターン。 - 請求項1に記載のマスク・パターンにより生成されるマーカ構造。
- 放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
パターン化手段を支持する支持構造体と、
基板を保持するための基板テーブルと、
投影するための投影システムと、
リトグラフ処理の間に光学的アラインメント又はオーバレイを決定するように構成された基板アラインメント又はオーバレイ・システムとを備えたリトグラフ投影装置における光学的アラインメント又はオーバレイのためのマーカ構造を提供する方法であって、
放射の投影ビームを前記パターン化手段から前記投影システムを介して前記基板のターゲット部分に導く工程を含み、前記パターン化手段は、請求項1に記載のパターンを担持することを特徴とする方法。 - リトグラフ装置を用いて基板上の第1の材料層に露光される第1のマーカ構造と、リトグラフ装置を用いて基板上の第1の層と異なる第2の材料層に露光される第2のマーカ構造との間の位置関係を決定する方法であって、
前記第1のマーカ構造及び前記第2のマーカ構造のそれぞれの重心の位置を決定する工程と、
前記第1及び第2のマーカ構造の重心位置の違いを算出する工程と、を備え、
前記第1及び第2のマーカ構造のそれぞれは、そのマーカ構造を定める複数の構成部を備え、
前記構成部のそれぞれは、複数の区分要素に分割されており、該複数の区分要素は、前記リトグラフ装置の走査方向に実質的に垂直な方向に並んでおり、
前記区分要素は、それぞれ前記基板に製造されるデバイスのフィーチュアと実質的に同じサイズを有し、
前記構成部のそれぞれは、前記リトグラフ装置の解像度を下回るサイズを実質的に有する補助フィーチュアを備え、
前記補助フィーチュアは、前記区分要素の臨界外側エッジ付近に配置された線形区分として定められ、
前記補助フィーチュアは、隣接する前記区分要素を接続するように、リトグラフ投影の走査方向に対して垂直な方向に伸びている、
ことを特徴とする方法。
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