CN103901740A - 光刻对准标记的放置方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光刻对准标记的放置方法,步骤包括:1)将所有光刻对准标记集成在掩膜上的图形区域内,和当层的主图形一起制成光刻版;2)算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标;3)根据晶格的大小,在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形;4)用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域;5)后层光刻时,平移上层的集成图形进行对准。本发明将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域,利用shot的平移实现光刻对准,该方法不受切割线大小的限制,因此解决了切割线尺寸变小后的对准标记放置问题。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种针对50微米以下切割线放置光刻对准标记的方法。
背景技术
对于小晶格(die)的产品,切割线(scribe line)变小可以极大地提高硅片的利用率。例如,8寸的硅片,对于1.5mm×1.5mm的晶格,当切割线宽80μm时,芯片占硅片面积为89.3%;当切割线宽20μm时,芯片占硅片面积为97.3%。切割线越小,硅片的利用率越高。
但是,目前使用切割线标记进行对准的光刻曝光机台,例如Nikon光刻曝光机,在切割线的尺寸逐步变小时,CD(Critical Dimension,关键尺寸)和OVL(Overlay,套准精度)量测标记虽然可以等比例变小,但是Nikon系统库的对准标记很难等比例变小,这样对准标记在切割线中的放置就变得越来越困难,如图1所示,这限制了切割线尺寸的变小。
目前的解决方法有:方法1,使用更小的对准标记,但这受到光刻机台本身的限制;方法2,将对准标记放置在Cell area(单元面积)里面,但是这会影响芯片的设计,并且还会影响硅片的利用率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种光刻对准标记的放置方法,它可以解决切割线尺寸小于50微米时的光刻对准标记放置问题。
为解决上述技术问题,本发明的光刻对准标记的放置方法,步骤包括:
1)在掩膜上设计一个专门放置光刻对准标记的图形区域,将光刻所需的所有对准标记集成在一起,做成集成图形,放置在该图形区域内,和当层的主图形一起制成光刻版;
2)算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标;
3)根据晶格的大小,在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形;
4)用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域;
5)后层光刻时,平移上层的集成图形进行对准。
本发明将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域,利用shot的平移实现光刻对准的目的,由于特别区域的大小不受到切割线大小的限制,因此能够很好地实现放置对准标记的功能,从而解决了切割线尺寸变小后,光刻对准标记的放置问题。
附图说明
图1是晶圆上的切割线、晶格和对准标记示意图。切割线的尺寸越小,对准标记在切割线中的放置越困难。
图2是掩膜上的光刻对准标记集成图形。
图3是集成图形在晶圆上的位置示意图。
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解,现结合图示的实施方式,详述如下:
本实施例放置光刻对准标记的具体方法如下:
步骤1,首先,将光刻所需的search mark(寻找标记)和EGA mark(精对准标记)集成在掩膜上一个0.5mm×0.5mm大小的空间内,做成集成图形,再加上0.3mm铬保护区,和当层的主图形一起制成光刻版,如图2所示。算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标。例如,search mark相对集成图形中心的坐标为(Xs,Ys)。
步骤2,根据晶格的大小,在晶圆上选择5个长度为shot(曝光块)的长度、宽度为n×D的特别区域,用来放置集成图形。其中,D为晶格的尺寸,n为使n×D>0.5mm的最小整数。
步骤3,用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的5个特别区域,如图3所示。算出集成图形中心相对shot的坐标为(Xi,Yi)。
步骤4,后层光刻时,就利用上层放进特别区域的对准标记进行对准。由于上层所做的对准标记不在主shot当中,需要算好坐标做平移,例如,search mark坐标的平行坐标为(Xi+Xs,Yi+Ys-0.5×n×D-0.5×YShot),其中,Yshot为曝光shot在Y方向的宽度。
该方法将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域,利用shot的平移,进行光刻对准。由于特别区域的大小不会受到切割线大小的限制,因此能够很好地实现放置对准标记的功能。虽然特别区域会浪费一定的硅片利用率,例如,8寸的硅片,晶格尺寸1.5mm×1.5mm,使用上述方法会损失0.53%的硅片面积利用率,但却能增加7.5%的良率。
Claims (3)
1.光刻对准标记的放置方法,其特征在于,步骤包括:
1)在掩膜上设计一个专门放置光刻对准标记的图形区域,将光刻所需的所有对准标记集成在一起,做成集成图形,放置在该图形区域内,和当层的主图形一起制成光刻版;
2)算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标;
3)根据晶格的大小,在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形;
4)用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域;
5)后层光刻时,平移上层的集成图形进行对准。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述特别区域的长度为曝光块的长度,宽度为n×D,其中,D为晶格的尺寸,n为使n×D大于所述图形区域尺寸的最小整数。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述特别区域有5个。
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