JP5232871B2 - 回折ベースのオーバレイメトロロジーツール及びその方法 - Google Patents

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Description

（関連出願への相互参照）
[0001] 本出願は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする２００７年１２月１７日出願の米国仮出願第６１／００６，０７３号の利益を主張する。
[0001] 本発明は、回折ベースのオーバレイメトロロジーツール及び回折ベースのオーバレイメトロロジーの方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
[0003] リソグラフィ処理の場合、基板上の後続の層内のパターンの場所は、基板上のデバイスフィーチャを正確に画定するためにできるだけ正確でなければならず、それらのフィーチャはすべて指定の許容範囲内のサイズを有していなければならない。オーバレイ誤差（すなわち、後続の層の不一致）は、機能デバイスを作成するために明確に規定された許容範囲内でなければならない。
[0004] このために、一般にオーバレイ測定モジュールを用いて基板上のパターンのオーバレイ誤差がパターンの上のレジスト層内に画定されたマスクパターンで決定される。
[0005] 通常、オーバレイ測定モジュールは、光学装置で測定を実行する。基板上のパターンの位置に対するレジスト層内のマスクパターンの位置は、光源によって照明される光学マーカーからの光学応答を測定することにより決定される。光学マーカーによって生成される信号は、センサ装置によって測定される。センサの出力を用いてオーバレイ誤差を導出することができる。通常、オーバレイ誤差がその上で測定されるパターンは、ターゲット部分間のスクライブレーン内に位置する。
[0006] オーバレイメトロロジーの２つの基本概念が知られている。
[0007] 第１の概念は、画像ベースのオーバレイ誤差の測定に関する。基板上のパターンの画像の位置は、レジスト層内のマスクパターンの位置と比較される。この比較からオーバレイ誤差が決定される。オーバレイ誤差を測定する一例は、外側のボックス内の内側のボックスの位置が外側のボックスの位置に対して測定されるいわゆるボックスインボックス構造である。
[0008] 画像ベースのオーバレイ誤差測定は、測定中の振動と焦点品質に影響されやすいことがある。このため、画像ベースのオーバレイ誤差測定は、追跡システム内などの振動にさらされる環境では精度が低下することがある。また、画像ベースのオーバレイ測定は、測定の精度をさらに低減する可能性がある光学装置内の収差に影響されやすい場合がある。
[0009] 第２の概念は、回折ベースのオーバレイ誤差測定に関する。基板上のパターン層内には第１の格子が位置し、レジスト層内には第２の格子が第１の格子と実質的に同一のピッチで位置する。第２の格子は、名目上第１の格子の上にある。互いに重畳した第１及び第２の格子によって生成される回折パターンの強度を測定することで、オーバレイ誤差のための手段を得ることができる。第１及び／又は第２の格子の間に何らかのオーバレイ誤差が存在する場合、これは、回折パターンから検出することができる。
[0010] 回折ベースのオーバレイ誤差測定では、格子の周囲の隣接する領域に反射する光は回折パターンの強度レベルに干渉するので、第１及び第２の格子だけが照明される。しかし、ダイの内部の（必ずしもスクライブレーン内ではなく）臨界構造付近にオーバレイ誤差測定値を有する傾向が出現する。また、回路に利用することができる面積を広げるために、格子のサイズを低減する需要がある。そのような需要は、格子外の領域の照明を回避するために第１及び第２の格子に入射する照明ビームの断面を低減することで、ある程度満足される。しかし、照明ビームの最小断面は、基本的に物理法則によって制約される（すなわち、回折のため制約がある）。以下、ビームの回折が生起する断面サイズを回折限界と呼ぶ。
[0011] 改良型の回折ベースのオーバレイ誤差測定システム及び方法を有することが望ましい。
[0012] 本発明の一態様によれば、基板表面の第１のパターンと第１のパターンに重畳した第２のパターンとの間のオーバレイ誤差を決定する方法であって、基板が第１のパターン内の第１の格子と第１の格子の上の第２の格子を含み、第２の格子が第１の格子と実質的に同一のピッチを有し、第１の格子と第２の格子とが第１の複合格子を形成し、上記方法が、固定位置の基板の表面に沿った第１の水平方向にある入射角で少なくとも第１の複合格子を照明する第１の照明ビームを提供するステップと、第１の複合格子から１次回折ビームの第１の強度を測定するステップと、固定位置の基板の表面に沿った第１の水平方向と逆向きの第２の水平方向に上記入射角で少なくとも第１の複合格子を照明する第２の照明ビームを提供するステップと、第１の複合格子から−１次回折ビームの第２の強度を測定するステップとを含む方法が提供される。
[0013] 本発明の一態様によれば、上記方法は、第１の強度と第２の強度との強度差を決定するステップであって、強度差が第１の格子と第２の格子との間のオーバレイ誤差に比例するステップをさらに含む。
[0014] 本発明の一態様によれば、第１及び第２の照明ビームは、共通の照明ビームの一部である。
[0015] 本発明の一態様によれば、共通の照明ビームは、環状の断面を有する。
[0016] 本発明の一態様によれば、入射角は基板表面に対して斜めであり、表面の法線に対する１次及び−１次回折ビームの回折角は入射角より小さい。
[0017] 本発明の一態様によれば、入射角は基板表面に実質的に垂直であり、本方法は、第２の照明ビームとして第１の照明ビームを使用するステップを含み、第１の複合格子からの１次回折ビームの第１の強度と第１の複合格子からの１次回折ビームの第２の強度を測定するステップが第１の照明ビームが提供されている間に連続的に実行される。
[0018] 本発明の一態様によれば、上記方法は、第１の照明ビームを提供する時には、１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止するステップと、第２の照明ビームを提供する時には、−１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止するステップとを含む。
[0019] 本発明の一態様によれば、複合格子から１次回折ビームの第１の強度を測定するステップは、パターン認識によって１次回折ビームだけによって得られる複合格子の画像を検出するステップを含み、複合格子から−１次回折ビームだけによって得られる複合格子の第２の強度を測定するステップは、パターン認識によって−１次回折ビームだけによって得られる複合格子の画像を検出するステップを含む。
[0020] 本発明の一態様によれば、上記方法は、基板上に第２の複合格子を提供するステップであって、第２の複合格子が第１のパターン内の第３の格子と第１の格子の上の第４の格子とによって形成され、第３の格子及び第４の格子が第１及び第２の格子と実質的に同一のピッチを有し、第１の複合格子が格子方向に沿ったシフト方向に第１のシフト量だけバイアスされ、第２の複合格子が格子方向に沿ったシフト方向に第１のシフト量と異なる第２のシフト量だけバイアスされるステップと、固定位置の基板の表面に沿った第１の水平方向にある入射角で第２の複合格子を照明する第１の照明ビームを提供するステップと、第２の複合格子から１次回折ビームの第１の強度を測定するステップと、基板の表面に沿った第２の水平方向に上記入射角で第２の複合格子を照明する第２の照明ビームを提供するステップと、２の複合格子から−１次回折ビームの第２の強度を測定するステップとを含む。
[0021] 本発明の一態様によれば、基板表面の第１のパターンと第１のパターンに重畳した第２のパターンとの間のオーバレイ誤差を決定するように構成された検出システムであって、照明源と、複数のレンズと、開口絞りと画像検出器とを含むシステムであって、複数のレンズが基板を保持する基板位置と画像検出器との間の光路に沿って配置され、基板が第１のパターン内の第１の格子と第１の格子の上の第２の格子とを含み、第２の格子が第１の格子と同一のピッチを有し、第２及び第１の格子が複合格子を形成し、照明源が基板位置の基板の表面に沿った第１の水平方向にある入射角で基板上の複合格子を照明する第１の照明ビームを形成するように配置され、画像検出器が複合格子から１次回折ビームを受光するように配置され、照明源が基板位置の基板の表面に沿った第１の水平方向と逆向きの第２の水平方向にある入射角で複合格子を照明する第２の照明ビームを形成するように配置され、画像検出器が複合格子から−１次回折ビームを受光するように配置された検出システムが提供される。
[0022] 本発明の一態様によれば、上記の基板表面の第１のパターンと第１のパターンに重畳した第２のパターンとの間のオーバレイ誤差を決定する検出システムを含むリソグラフィ装置が提供される。
[0023] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0024] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。 [0024] ある実施形態による回折ベースのオーバレイ誤差メトロロジーを示す図である。 [0024] ある実施形態による回折ベースのオーバレイ誤差メトロロジーを示す図である。 [0024] ある実施形態による回折ベースのオーバレイ誤差メトロロジーを示す図である。 [0025] 本発明のある実施形態による回折ベースのオーバレイ誤差検出システムの第１の測定中の図である。 [0025] 本発明のある実施形態による回折ベースのオーバレイ誤差検出システムの第２の測定中の図である。 [0026] オーバレイ誤差の関数としての−１次及び１次回折ビームの強度の例示的な測定値を示す図である。 [0027] オーバレイ誤差の関数としての−１次及び１次回折ビームの強度の差を示す図である。 [0028] 本発明によって決定される画像ベースのオーバレイ誤差と回折ベースのオーバレイ誤差の相関関係を示す図である。
[0029] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたパターニングデバイス支持体又は支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
[0030] 照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
[0031] パターニングデバイス支持体又は支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。このパターニングデバイス支持体又は支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
[0032] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0033] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0034] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0035] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
[0036] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0037] リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）と投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
[0038] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
[0039] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含んでいてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
[0040] 放射ビームＢは、パターニングデバイス支持体又は支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。一般に、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
[0041] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
[0042] １．ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
[0043] ２．スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
[0044] ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0045] 上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0046] 図２ａ、図２ｂ、図２ｃは、ある実施形態による回折オーバレイメトロロジーに使用可能な照明ビームと２つの重なり合う格子との相互作用を示す。
[0047] 図２ａには、ゼロオーバレイ誤差を示す複合格子１１０、１２０の断面図が示されている。
[0048] 基板１００上には、第１の格子１１０と第２の格子１２０を含む複合格子が構築される。第１の格子１１０は、基板材料内にパターニングされ、格子方向Ｘ１に沿った第１の周期的構造を含む。
[0049] ある実施形態では、第１の格子の周期的構造は、２次ライン１１２が介在する複数の１次ライン１１１を含む。周期的構造は、層１１５内に形成される。
[0050] 図を見やすくするため、図２ａでは、１つの１次ライン１１１と１つの隣接する２次ライン１１２だけが参照番号で示されている。
[0051] 格子１１０のピッチＰは、１つのライン１１１と１つの２次ライン１１２の幅に等しい。
[0052] 当業者には明らかなように、２次ライン１１２は、基板の材料とは異なる材料で充填された基板ライン１１１の間のトレンチから作成することができる。例えば、基板材料はシリコンで、トレンチ材料は、二酸化シリコンなどの誘電体又はタングステンもしくは銅などの金属である。
[0053] 第１の格子１１０の上に第２の格子１２０が存在する。第２の格子は、第２の周期的構造からなる。
[0054] 図示の実施形態では、第２の周期的構造は、格子方向Ｘ１のトレンチ１２２が介在する複数のライン１２１を含む。
[0055] この例では、ライン１２１は、第１の格子１１０の２次ライン１１２の上に位置する。第２の格子１２０は、１つのライン１２１と１つのトレンチ１２２の幅に等しい方向Ｘ１のピッチＰ’を有する。第２の格子１２０のピッチＰ’は、第１の格子１１０のピッチＰと実質的に等しくなるように選択される。ある実施形態では、第２の格子１２０のライン１２１は、第１の格子１１０の２次ライン１１２と実質的に同じ幅を有していてもよい。
[0056] あるいは、第２の格子１２０のライン１２１は、第１の格子１１０の１次ライン１１１の上にあってもよい。
[0057] 第２の格子は、レジスト層１２５内に形成されたパターンであってもよい。
[0058] 図２ａの場合、第１及び第２の格子１１０及び１２０のアライメントは完全であり、不一致は理想的なゼロである（ゼロオーバレイ誤差と呼ばれる）。第２の格子１２０のライン１２１は、第１の格子１１０の２次ライン１１２に完全に整列している。
[0059] 図２ａでは、照明ビームＩＢと複合格子１１０、１２０との相互作用のある実施形態が概略的に示されている。
[0060] この実施形態では、照明ビームＩＢは、格子方向Ｘ１の格子構造に第１の斜め入射角βで入射する。入射角βは、表面法線ｎに対して測定される。照明ビームＩＢは、複合格子１１０、１２０によって散乱し、それぞれ１次とゼロ次の（少なくとも）２つの回折ビームＢ＋及びＢ０を形成する。１次回折ビームＢ＋は、角度θ（表面法線ｎに対する）で、またゼロ次回折ビームは、正反射でそれぞれ基板を離れる。複合格子１１０、１２０のピッチＰ及び照明ビームＩＢの波長は回折条件を満たすように選択されることに留意されたい。図２ａでは、回折次数と照明ビームが１つの平面内に示されているが、これは、便宜的な理由からである。本発明のある実施形態は、また、回折ビームが照明ビームと同じ平面内になくてもよい円錐回折のケースにも適用可能である。
[0061] 格子のピッチＰ（Ｐ＝Ｐ’）と照明ビームＩＢの波長の比率に応じて、より高次の回折ビームも存在し得るが、それらはここでは無視する。
[0062] 図２ｂには、照明ビームＩＢの第２の斜め入射に対する図２ａの複合格子１１０、１２０の同じ断面が示されている。
[0063] 図２ｂでは、照明ビームＩＢは、格子構造に第２の斜め入射角−βで入射する。第２の入射角−βは、第１の斜め入射角βと実質的に同じ大きさを有するが、比較では、格子方向Ｘ１に沿った反対方向に誘導される。第２の入射角−βは、表面法線ｎに対して測定される。
[0064] 照明ビームＩＢは、複合格子１１０、１２０によって散乱し、それぞれ１次（負）とゼロ次の（少なくとも）２つの回折ビームＢ−及びＢ０を形成する。各ビームは、それぞれ角度−θ及び正反射で基板を離れる。
[0065] 回折ビームＢ＋は、１次回折次数を示し、回折ビームＢ−は、−１次回折次数を示す。第１及び第２の格子は、完全に整列しているという事実によって、複合格子は対称である、すなわち、第１の格子１１０の２次ライン１１２は、複合ライン１１２、１２１として第２の格子１２０のライン１２１と一致する。複合格子が対称である結果、回折パターンも対称である。すなわち、１次回折ビームＢ＋の強度Ｉ＋は、−１次回折ビームＢ−の強度Ｉ−に実質的に等しい。
[0066]
I+ = I- = I+0 式（１）
上式で、Ｉ＋０は、対称の複合格子の１次回折ビームの強度を示す。
[0067] 図２ｃに、非ゼロオーバレイ誤差を示す複合格子１１０、１２０の断面が示されている。第２の格子１２０のライン１２１は、第１の格子の２次ライン１１２に対するオーバレイ誤差（ミスアライメント）εを示す。その結果、図２ｃに示す複合格子は非対称である。第２の格子１２０のライン１２１は、第１の格子１１０内のライン１１２と比較して距離εだけシフトする。
[0068] この非対称のために、第１の斜め入射角βで測定された１次回折ビームＢ＋の強度Ｉ＋は、この例では第２の斜め入射角−βで測定された−１次回折ビームＢ−の強度Ｉ−に等しくない。
[0069] 小さいオーバレイ誤差の場合、回折ビームの強度の変化は、オーバレイ誤差に直線的に比例する。オーバレイ誤差εの関数としての１次回折ビームＢ＋の強度Ｉ＋は、以下のように良好に近似される。
I+ = I+0 ＋ K × ε 式（２）
上式で、Ｋは比例定数である。
−１次回折ビームＢ−の強度Ｉ−は、以下の式で近似される。
I- = I+0 − K × ε 式（３）
差分ΔＩ＝Ｉ＋−Ｉ−を計算することで、オーバレイ誤差εと直線的に拡大縮小する信号が得られる。
ΔＩ = 2K × ε 式（４）
[0070] 比例定数Ｋについて以下に詳述する。
[0071] 別の実施形態では、オーバレイメトロロジーは、各々が複合格子１１０、１２０に実質的に垂直に入射する第１の照明ビームＩＢ１と第２の照明ビームＩＢ２の使用を含んでいてもよい。そのような実施形態では、第１の照明ビームＩＢ１と第２の照明ビームＩＢ２は一致し、単一の照明ビームとして提供されることは当業者には明らかであろう。第１の照明ビームは、第２の照明ビームとして使用することができる。また、１次回折ビームと−１次回折ビームＢ＋、Ｂ−も垂直な照明ビームとして入射する。これらのビームＢ＋、Ｂ−について、強度は、図２ａ〜図２ｃ及び式１〜４に関連して前述したのと同じ関係を示す。この実施形態では、１次及び−１次回折ビームの強度差ΔＩは、第１の照明ビームを使用し、それぞれ１次及び−１次回折ビームの強度を連続的に測定することで測定可能である。
[0072] 図３ａは、本発明のある実施形態による、複合格子１１０、１２０を保持する基板の第１の測定中の、回折ベースのオーバレイ誤差検出システム（以下、検出システムと呼ぶ）２００を概略的に示す。本発明のある実施形態では、検出システムは、基板を支持するように構成された支持体を含んでもよい。本発明のある実施形態では、支持体は、図１のリソグラフィ装置の基板テーブルであってもよい。
[0073] この実施形態では、検出システム２００は、複数のレンズ、すなわち、第１、第２、第３及び第４の正レンズＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４と、開口絞りＤＦと、画像検出器ＩＤとを含む。
[0074] 検出システム２００内で、複合格子１１０、１２０が斜め入射角で照明ビームＩＢによって照明することができる基板位置から複合格子の画像を画像検出器ＩＤ上に投影できる位置まで延在する光軸ＯＰが配置される。
[0075] 例えば、画像検出器ＩＤは、ＣＣＤカメラであってもよい。照明される区域は、格子の区域よりも広い。言い換えれば、周囲の環境も照明される。これは、「オーバフィル」とも呼ばれる。
[0076] 複合格子１１０、１２０の画像が検出システム２００の画像検出器ＩＤ上に投影されるように、光軸ＯＰに沿って、第１、第２、第３及び第４の正レンズＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４がそれぞれの中心を光軸上に置いて配置される。
[0077] 第１のレンズＬ１は、基板１００の上の複合格子１１０、１２０が位置できる基板位置の上部に配置される。第１のレンズと基板位置との距離は、第１のレンズＬ１の焦点距離Ｆ１に実質的に等しい。第１のレンズＬ１からある距離に、第２及び第３のレンズＬ２、Ｌ３が光軸ＯＰに沿って対として配置される。第４のレンズＬ４は、画像検出器ＩＤの投影レンズとして配置される。第３及び第４のレンズＬ３、Ｌ４の間に開口絞りＤＦが位置する。
[0078] 測定中に、複合格子１１０、１２０を備えた基板は基板位置にある。複合格子１１０、１２０は、所定位置（Ｑで示す）にある。非対称照明モードで、基板表面に沿った第１の水平方向（矢印Ｄ１で示す）に斜め入射角で第１の照明ビームＩＢ１が使用される。例えば、第１の照明ビームは、基板表面に沿った第１の水平方向にある成分を有する方向に伝搬する。第１の照明ビームＩＢ１が第１のレンズを通過した後に回折角θの１次回折次数のビームＢ＋を生成する角度で複合格子に入射するように、第１の照明ビームＩＢ１は第１のレンズＬ１に入射する。その結果、１次回折ビームＢ＋は基板表面で回折し、ゼロ次回折ビームＢ０は正反射で（この例では角度２θで）回折する。
[0079] １次回折ビームＢ＋とゼロ次ビームＢ０は、両方共第１のレンズＬ１を通過する。複合格子は第１のレンズＬ１の焦点距離Ｆ１の位置にあるため、１次及びゼロ次回折ビームＢ＋、Ｂ０は第１のレンズＬ１を通過した後で平行に誘導される。
[0080] 次に、１次及びゼロ次回折ビームＢ＋、Ｂ０は、第２のレンズＬ２を通過する。１次回折ビームＢ＋は、光軸に実質的に一致し、第２のレンズＬ２の中心を通過する。ゼロ次回折ビームＢ０は、第２のレンズＬ２の光軸外を通過し、通過後、第２のレンズＬ２の焦点を通るように誘導される。
[0081] 第３のレンズＬ３は、焦点Ｆ３が第２のレンズＬ２の焦点Ｆ２に一致した状態で配置される。
[0082] １次回折ビームＢ＋は、第３のレンズの光軸に一致し、第３のレンズＬ３の中心を通過し、光軸上に留まっている。ゼロ次回折ビームＢ０は、第３のレンズの光軸外を通過する。第２及び第３のレンズの焦点Ｆ２、Ｆ３が一致するという事実によって、ゼロ次回折ビームは、第３のレンズＬ３を通過した後で光軸に実質的に平行である。
[0083] 第３のレンズＬ３の後段に、開口絞りＤＦが光軸上に配置され、ゼロ次回折次数を阻止するように配置される。開口絞りＤＦは光軸ＯＰ上の１次回折ビームＢ＋を通過させ、ゼロ次回折ビームＢ０を阻止する。こうして、カメラ上の画像は、ゼロ次ではなく１次回折次数だけによって形成される。この結像モードは、普通「暗視野」結像と呼ばれる。開口絞りＤＦは、ゼロ次回折ビームＢ０を阻止し、１次回折ビームＢ＋を通過させる幅を有するように配置されている。
[0084] その結果、複合格子の画像は、１次又は−１次回折次数だけを用いてＣＣＤカメラ上に形成される。次に、当業者には周知の適切な画像処理及びパターン認識アルゴリズムを用いて複合格子の周囲の製品構造から複合格子を識別することができる。開口絞りを応用して、格子のサイズは回折限度に示す値より小さいままで回折限度を超えた断面サイズを備えた照明ビームを使用することができる。
[0085] 最後に、１次回折ビームＢ＋は、１次回折ビームＢ＋を画像検出器ＩＤ上に結像させるように配置された第４のレンズＬ４を通過する。
[0086] こうして、１次回折ビームＢ＋から生成される複合格子１１０、１２０の画像は、画像検出器ＩＤ上に投影される。画像は１つ高次の（１次）回折次数によってのみ形成されるため、画像は個別の格子ラインの変化を示すことはない。
[0087] １次回折次数は、表面に対して正確に垂直であるとは限らないことに留意されたい。１次回折次数は、開口絞りによって透過される限り（その他のどの回折次数も開口絞りを通過することなく）、ウェーハ表面と任意の角度をなしてもよい。
[0088] 画像検出器上に登録された複合格子１１０、１２０の画像から、強度Ｉ＋を決定することができる。格子の画像の正確な場所は、パターン認識アルゴリズム、例えば、縁部検出で決定される。
[0089] 図３ｂは、本発明のある実施形態による、複合格子１１０、１２０を保持する基板の第２の測定中の回折ベースのオーバレイ誤差検出システムを概略的に示す。
[0090] 図３ｂにおいて、先行する図に示す同じ参照番号を有するエンティティは、対応するエンティティを指す。
[0091] 第２の測定では、複合格子１１０、１２０は、図３ａに示す第１の測定中に使用する第１の水平方向Ｄ１と逆向きの第２の水平方向（矢印Ｄ２で示す）に第２の照明ビームＩＢ２によって非対称に照明される。例えば、第２の照明ビームは、基板表面に沿った第１の水平方向に成分を有する方向に伝搬する。複合格子は、第１の測定中と同様に同じ所定位置Ｑに保持される。
[0092] これらの条件下で、−１次回折ビームＢ−は、基板表面に垂直に回折し、ゼロ次回折ビームＢ０は、角度θで回折する。開口絞りＤＦは、ゼロ次回折ビームＢ０を阻止し、−１次回折ビームＢ−を通過させる幅を有するように配置される。
[0093] その結果、第２の測定中、−１次回折ビームＢ−から生成された複合格子１１０、１２０の画像は、画像検出器ＩＤ上に投影される。画像検出器ＩＤ上に登録された複合格子１１０、１２０の画像から、強度Ｉ−を決定することができる。さらに、パターン認識技法を用いて強度測定を実行すべきＣＣＤ上の領域を識別することができる
[0094] 別の実施形態では、照明ビームは、実質的に垂直の入射角を有することに留意されたい。当業者には明らかなように、この実施形態は、第１の事例では、１次回折ビームだけを通過させ、第２の事例では、−１次回折ビームだけを通過させる開口絞りの機能が同じである、異なるが機能的に同等の照明／検出レイアウトを使用することができる。
[0095] さらに、斜め入射角によってより小さいピッチの格子を使用することができるため、斜め入射角は必要ではないが、場合によっては好ましいことを理解されたい。
[0096] 上記のように、１次回折ビームＢ＋の強度Ｉ＋と−１次回折ビームＢ−の強度Ｉ−の差は、式４によるオーバレイ誤差εに比例する。比例定数Ｋは、処理条件、照明ビームの波長、回折角及び偏光によって変わる。当業者には明らかなように、処理、波長、回折角及び偏光の所与の組合せで、比例定数の較正を実行することが望ましい。
[0097] 本発明のある実施形態では、比例定数Ｋは、基板上の２つのバイアスされた複合格子上のオーバレイ誤差εを決定することで較正される。各々のバイアスされた複合格子は、第１の格子１１０と第２の格子１２０との間にそれぞれの所定の埋込みシフトを有する。２つのバイアスされた格子は、互いに基板上の固定位置にある。
[0098] 第１のバイアスされた複合格子は、格子方向Ｘ１に沿ったシフト方向に第１の埋込みシフト＋ｄを有する。第２のバイアスされた複合格子は、格子方向Ｘ１に沿って第１の埋込みシフトに等しいが、符号が逆の第２の埋込みシフト−ｄを有する。
[0099] オーバレイ誤差εの場合、第１のバイアスされた複合格子は全オーバレイ誤差ε＋ｄを示し、第２のバイアスされた複合格子は全オーバレイ誤差ε−ｄを示す。
[00100] 第１のバイアスされた複合格子上の１次及び−１次回折次数の間の強度差ΔＩ１と第２のバイアスされた複合格子上の１次及び−１次回折次数の間の強度差ΔＩ２は、以下の式で与えられる。
第１のバイアスされた複合格子の場合、
ΔＩ1 = K × (ε ＋ d) 式（５）
第２のバイアスされた複合格子の場合、
ΔＩ2 = K × (ε − d) 式（６）
[00101] Ｋを消去すると、以下のようになる。

式（７）
[00102] ある実施形態では、図３ａ、図３ｂに示す検出システムによって第１及び第２のバイアスされた複合格子を同時に測定することができる。その場合、画像検出器ＩＤは、第１のバイアスされた複合格子の画像と第２のバイアスされた複合格子の画像を同時に登録する。画像処理ソフトウェアを使用して、第１のバイアスされた複合格子の画像の強度と第２のバイアスされた複合格子の画像の強度を別々に決定することができる。オーバレイ誤差εは、式（５）〜（７）を用いて計算することができる。
[00103] 第１及び第２の照明ビームＩＢ１、ＩＢ２は各々かすめ入射を行うため、複合格子（すなわち、製品区域）外の表面領域に反射する光は、第１、第２、第３及び第４のレンズ系Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を通して画像検出器ＩＤに到達しないと考えられる。本発明のある実施形態では、第１及び／又は第２の照明ビームＩＢ１、ＩＢ２は、基板上の複合格子１１０、１２０よりも大きい断面を有していてもよく、格子外の表面に反射した光と複合格子によって回折した光との干渉を引き起こすことがない。
[00104] 開口絞りＤＦの開口数を増やすことは、複合格子と、複合格子が埋め込まれたその周囲の製品区域との間の急峻な遷移を可能にするため、好ましい。同時に、開口絞りＤＦはゼロ次回折ビームＢ０を阻止するように配置されているため、開口絞りＤＦの開口数は、十分なゼロ次回折ビームの阻止と製品区域からの反射による十分に小さいクロストークとが折り合う上限値を有する。この手法で約１０×１０μｍ２のサイズの複合格子を使用することが実現可能である。
[00105] モデル化ソフトウェアを用いてクロストークをさらに最小限にできる製品区域と埋込み複合格子のレイアウトを計算することができることを留意されたい。この手法によって、約４×４μｍ２のサイズの埋込み複合格子を設計することができる。
[00106] ある実施形態では、開口絞りＤＦの開口数は約０．７であり、第１のレンズの開口数は約０．９５である。
[00107] 図４ａは、バイアスされた格子上のシフトｄの関数としての−１次及び１次回折ビームの強度の測定値の例を示す。
[00108] 図４ａでは、ピッチＰ＝６６０ｎｍの複合格子、波長λ＝７００ｎｍの照明ビームについて−１次回折ビームＢ−の強度Ｉ−と１次回折ビームＢ＋の強度Ｉ＋にシフトｄを加えた値の変動が示されている。０ｎｍ付近のシフトについての強度Ｉ＋，Ｉ−の変化は実質的に直線的であることが観察される。
[00109] 図４ｂは、図４ｂに示すバイアスされた格子上のシフトｄの関数としての−１次及び１次回折ビームの強度の差を示す。０ｎｍ付近のシフトについての強度差ΔＩの変化は実質的に直線的であることが観察される。
[00110] 図５は、本発明によって決定される画像ベースのオーバレイ誤差と回折ベースのオーバレイ誤差の相関関係を示す。
[00111] いくつかのサンプルについて、回折ベースのオーバレイ誤差メトロロジーによって測定されるバイアスされた複合格子のシフトｄは、画像ベースのオーバレイ誤差メトロロジーによっても測定される。図５では、回折によって測定されるオーバレイ（縦軸に沿った）と画像ベースの方法によって測定されるオーバレイ（横軸に沿った）との相関関係が示されている。データの直線フィットは、実線で示されている。方法の誤差の範囲内では、実線の係数は１である。相関係数は０．９９より大きい。
[00112] 上記の照明ビームＩＢは、単一のビームであってもよいことに留意されたい。あるいは、照明ビームは、断面が環の半分の形状を有していてもよい。その場合、図３ａの非対称照明は環状ビームの一方の半分で実行され、図３ｂに示す反対方向からの非対称の照明は環状ビームの他方の半分で実行される。
[00113] 照明ビームＩＢは、単色ランプ、又はレーザ源などの光源によって生成することができる。測定に時間をかけられない場合、比較的強度が高いレーザ源を使用することができる。
[00114] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[00115] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると内部にパターンが残される。
[00116] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
[00117] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
[00118] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
[00119] 上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (18)

  1. 基板の表面の第１のパターンと該第１のパターンに重畳した第２のパターンとの間のオーバレイ誤差を決定する方法であって、前記第１のパターンが第１の格子を含み、前記第２のパターンが前記第１の格子の上の第２の格子を含み、前記第２の格子が前記第１の格子と実質的に同一のピッチを有し、前記第２及び第１の格子が複合格子を形成し、前記方法が、
    固定位置にある前記基板の前記表面に沿った第１の水平方向にある成分を有する方向に第１の照明ビームが伝搬するように、少なくとも前記複合格子をある入射角で照明する該第１の照明ビームを提供するステップと、
    前記複合格子からの１次回折ビームだけの第１の強度を像面にて測定するステップと、
    前記固定位置にある前記基板の前記表面に沿った前記第１の水平方向と逆向きの第２の水平方向に第２の照明ビームがある成分を有するように、少なくとも前記複合格子を前記入射角で照明する該第２の照明ビームを提供するステップと、
    前記複合格子からの−１次回折ビームだけの第２の強度を像面にて測定するステップと、
    を含む方法。
  2. 前記第１の強度を測定するステップが、パターン認識によって前記１次回折ビームだけによって得られる前記複合格子の画像を検出することを含み、
    前記第２の強度を測定するステップが、パターン認識によって前記−１次回折ビームだけによって得られる前記複合格子の画像を検出することを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１の強度と前記第２の強度との強度差を決定するステップであって、該強度差が、前記第１の格子と前記第２の格子との間の前記オーバレイ誤差に比例する、ステップをさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記第１及び第２の照明ビームが、共通の照明ビームの一部である、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
  5. 前記共通の照明ビームが、環状の断面を有する、請求項４に記載の方法。
  6. 前記入射角が、前記基板表面に対して斜めであり、前記基板表面の法線に対する回折ビームの回折角が、前記入射角より小さい、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
  7. 前記入射角が、前記基板表面に実質的に垂直であり、
    該方法が、前記第２の照明ビームとして前記第１の照明ビームを使用するステップを含み、
    前記複合格子からの前記回折ビームの前記第１の強度を測定するステップ及び前記複合格子からの前記回折ビームの前記第２の強度を測定するステップが、前記第１の照明ビームが提供されている間に連続的に実行される、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
  8. 前記第１の照明ビームを提供する時に、前記１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止するステップと、
    前記第２の照明ビームを提供する時に、前記−１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止するステップとを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
  9. 前記基板上に追加の複合格子を提供するステップであって、該追加の複合格子が、前記第１のパターン内の第３の格子と、前記第１の格子の上の第４の格子とによって形成され、該第３の格子及び該第４の格子が、前記第１及び前記第２の格子と実質的に同一のピッチを有し、前記複合格子が、格子方向に沿ったシフト方向に第１のシフト量だけバイアスされ、前記追加の複合格子が、格子方向に沿った前記シフト方向に第１のシフト量と異なる第２のシフト量だけバイアスされる、ステップと、
    前記固定位置にある前記基板の前記表面に沿った前記第１の水平方向にある成分を有する方向に前記第１の照明ビームが伝搬するように、前記追加の複合格子を前記入射角で照明する前記第１の照明ビームを提供するステップと、
    前記追加の複合格子からの１次回折ビームだけの第１の強度を像面にて測定するステップと、
    前記基板の前記表面に沿った前記第２の水平方向にある成分を有する方向に前記第２の照明ビームが伝搬するように、前記追加の複合格子を前記入射角で照明する前記第２の照明ビームを提供するステップと、
    前記追加の複合格子からの−１次回折ビームだけの第２の強度を像面にて測定するステップと、
    をさらに含む、請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
  10. 基板の表面の第１のパターンと該第１のパターンに重畳した第２のパターンとの間のオーバレイ誤差を決定する検出システムであって、前記第１のパターンが第１の格子を含み、前記第２のパターンが前記第１の格子の上の第２の格子を含み、前記第２の格子が前記第１の格子と実質的に同一のピッチを有し、前記第２及び第１の格子が複合格子を形成し、前記システムが、
    （ａ）基板位置にある前記基板の前記表面に沿った第１の水平方向にある成分を有する方向に第１の照明ビームが伝搬するように、前記基板上の前記複合格子をある入射角で照明する該第１の照明ビームを形成し、（ｂ）前記基板位置にある前記基板の前記表面に沿った前記第１の水平方向と逆向きの第２の水平方向にある成分を有する方向に第２の照明ビームが伝搬するように、前記基板上の前記複合格子をある入射角で照明する該第２の照明ビームを形成する照明源と、
    前記複合格子からの１次及び−１次回折ビームだけを像面にて受光する画像検出器と、
    前記基板位置と前記画像検出器との間の光路に沿って配置された複数のレンズと、
    開口絞りと、
    を備える検出システム。
  11. 前記画像検出器が、パターン認識方法によって、前記１次回折ビームと前記−１次回折ビームだけを用いて前記複合格子の画像を検出する、請求項１０に記載の検出システム。
  12. 前記開口絞りが、前記第１の照明ビームを形成する時には、前記１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止し、前記第２の照明ビームを形成する時には、前記−１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止する、請求項１０又は１１に記載の検出システム。
  13. 前記複数のレンズが、少なくとも前記基板表面に隣接する対物レンズと、前記画像検出器に隣接する投影レンズとを備え、前記開口絞りが、前記対物レンズと前記投影レンズとの間の前記光路に沿って配置され、
    前記対物レンズが第１の開口数の値を有し、前記開口絞りが第２の開口数の値を有し、前記第２の開口数の値が前記第１の開口数の値より小さい、請求項１０乃至１２のいずれかに記載の検出システム。
  14. 基板の表面の第１のパターンと該第１のパターンに重畳した第２のパターンとの間のオーバレイ誤差を決定する検出システムを備えるリソグラフィ装置であって、前記第１のパターンが第１の格子を含み、前記第２のパターンが前記第１の格子の上の第２の格子を含み、前記第２の格子が前記第１の格子と実質的に同一のピッチを有し、前記第２及び第１の格子が複合格子を形成し、前記検出システムが、
    （ａ）基板位置にある前記基板の前記表面に沿った第１の水平方向にある成分を有する方向に第１の照明ビームが伝搬するように、前記基板上の前記複合格子をある入射角で照明する該第１の照明ビームを形成し、（ｂ）前記基板位置にある前記基板の前記表面に沿った前記第１の水平方向と逆向きの第２の水平方向にある成分を有する方向に第２の照明ビームが伝搬するように、前記基板上の前記複合格子をある入射角で照明する該第２の照明ビームを形成する照明源と、
    前記複合格子からの１次及び−１次回折ビームだけを像面にて受光する画像検出器と、
    前記基板位置と前記画像検出器との間の光路に沿って配置された複数のレンズと、
    開口絞りと、
    を備える、リソグラフィ装置。
  15. 放射ビームを調節する照明システムと、
    前記放射ビームをパターニングしてパターン付放射ビームを形成するパターニングデバイスを保持するパターニングデバイス支持体と、
    前記基板を保持する基板テーブルと、
    前記パターン付放射ビームを前記基板上に投影する投影システムと、
    をさらに備える、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記検出システムの前記画像検出器が、パターン認識方法によって、前記１次回折ビームと前記−１次回折ビームだけを用いて前記複合格子の画像を検出する、請求項１４又は１５に記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記検出システムの前記開口絞りが、前記第１の照明ビームを形成する時には、前記１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止し、前記第２の照明ビームを形成する時には、前記−１次回折次数以外の回折次数のビームを阻止する、請求項１４乃至１６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  18. 前記検出システムの前記複数のレンズが、少なくとも前記基板表面に隣接する対物レンズと、前記画像検出器に隣接する投影レンズとを備え、前記開口絞りが、前記対物レンズと前記投影レンズとの間の前記光路に沿って配置され、
    前記対物レンズが第１の開口数の値を有し、前記開口絞りが第２の開口数の値を有し、前記第２の開口数の値が前記第１の開口数の値より小さい、請求項１４乃至１７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
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Families Citing this family (661)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4943304B2 (ja) * 2006-12-05 2012-05-30 株式会社 Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
JP5429869B2 (ja) 2008-12-22 2014-02-26 株式会社 Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
KR101461457B1 (ko) * 2009-07-31 2014-11-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
WO2011023517A1 (en) * 2009-08-24 2011-03-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets
NL2005459A (en) 2009-12-08 2011-06-09 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and corresponding lithographic apparatus.
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
US9140998B2 (en) 2010-11-12 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2007425A (en) 2010-11-12 2012-05-15 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
CN102540734A (zh) * 2010-12-08 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 套刻测试方法
US9223227B2 (en) * 2011-02-11 2015-12-29 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
WO2012126684A1 (en) 2011-03-24 2012-09-27 Asml Netherlands B.V. Substrate and patterning device for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
NL2009001A (en) 2011-07-08 2013-01-09 Asml Netherlands Bv Methods and patterning devices for measuring phase aberration.
US8582114B2 (en) * 2011-08-15 2013-11-12 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology by pupil phase analysis
CN103748515A (zh) * 2011-08-23 2014-04-23 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备以及器件制造方法
NL2009508A (en) 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
KR101761735B1 (ko) 2012-03-27 2017-07-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
JP6077647B2 (ja) 2012-05-29 2017-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
EP2859410B1 (en) 2012-06-12 2019-11-20 ASML Netherlands B.V. Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
KR101983615B1 (ko) 2012-06-22 2019-05-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 포커스를 결정하는 방법, 검사 장치, 패터닝 장치, 기판, 및 디바이스 제조 방법
EP2865003A1 (en) 2012-06-26 2015-04-29 Kla-Tencor Corporation Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology
CN104471484B (zh) 2012-07-05 2018-02-06 Asml荷兰有限公司 用于光刻术的量测
JP6169176B2 (ja) 2012-07-23 2017-07-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 検査方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
CN103697817A (zh) * 2012-09-27 2014-04-02 中国航空工业第六一八研究所 一种基于复合光栅的新型光位移传感器及其位移补偿方法
NL2011816A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
WO2014138522A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-12 Kla-Tencor Corporation Pupil plane calibration for scatterometry overlay measurement
NL2012872A (en) 2013-06-12 2014-12-15 Asml Netherlands Bv Method of determining critical-dimension-related properties, inspection apparatus and device manufacturing method.
WO2015000673A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
KR101855243B1 (ko) 2013-08-07 2018-05-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
US9189705B2 (en) 2013-08-08 2015-11-17 JSMSW Technology LLC Phase-controlled model-based overlay measurement systems and methods
CN104423173B (zh) * 2013-08-27 2016-09-28 上海微电子装备有限公司 套刻测量装置和方法
WO2015055387A1 (en) 2013-10-17 2015-04-23 Asml Netherlands B.V. Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US9846132B2 (en) 2013-10-21 2017-12-19 Kla-Tencor Corporation Small-angle scattering X-ray metrology systems and methods
US9885962B2 (en) * 2013-10-28 2018-02-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for measuring semiconductor device overlay using X-ray metrology
US9958791B2 (en) 2013-10-30 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method
KR101890783B1 (ko) 2013-11-26 2018-08-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 계측을 위한 방법, 장치 및 기판
EP2884338A1 (en) 2013-12-12 2015-06-17 Mitutoyo Corporation Method of selecting a region of interest from interferometric measurements
CN105830198B (zh) 2013-12-13 2017-10-27 Asml荷兰有限公司 辐射源、量测设备、光刻系统和器件制造方法
NL2013839A (en) 2013-12-13 2015-06-16 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and methods, lithographic system and device manufacturing method.
WO2015086258A1 (en) 2013-12-13 2015-06-18 Asml Netherlands B.V. Radiation source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US9958790B2 (en) 2013-12-19 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Inspection methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method
US9490182B2 (en) * 2013-12-23 2016-11-08 Kla-Tencor Corporation Measurement of multiple patterning parameters
KR102221751B1 (ko) 2014-02-03 2021-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
WO2015121045A1 (en) 2014-02-17 2015-08-20 Asml Netherlands B.V. Method of determining edge placement error, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method
JP6433504B2 (ja) 2014-02-21 2018-12-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ターゲット構成の最適化及び関連するターゲット
CN106462078B (zh) 2014-05-13 2018-10-02 Asml荷兰有限公司 衬底和量测用图案形成装置、量测方法及器件制造方法
JP6408610B2 (ja) 2014-06-02 2018-10-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジターゲットの設計方法、メトロロジターゲットを有する基板、オーバーレイの測定方法、およびデバイス製造方法
NL2014938A (en) 2014-06-30 2016-03-31 Asml Netherlands Bv Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
KR101948912B1 (ko) 2014-07-09 2019-02-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치, 검사 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2016015987A1 (en) 2014-07-28 2016-02-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
KR102246872B1 (ko) * 2014-07-29 2021-04-30 삼성전자 주식회사 포커스 계측 마크를 포함하는 포토마스크, 포커스 모니터 패턴을 포함하는 계측용 기판 타겟, 노광 공정 계측 방법, 및 집적회로 소자의 제조 방법
US10948421B2 (en) 2014-08-28 2021-03-16 Asml Netherlands B.V. Laser-driven photon source and inspection apparatus including such a laser-driven photon source
CN107924132B (zh) 2014-08-28 2021-02-12 Asml荷兰有限公司 检查设备、检查方法和制造方法
WO2016030227A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a distance between two objects, inspection apparatus and method
WO2016030255A2 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method, target and substrate
WO2016034428A2 (en) 2014-09-01 2016-03-10 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a property of a target structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2016045945A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and device manufacturing method
WO2016050453A1 (en) 2014-10-03 2016-04-07 Asml Netherlands B.V. Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arragnement
WO2016078862A1 (en) 2014-11-21 2016-05-26 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
CN107004060B (zh) 2014-11-25 2022-02-18 Pdf决策公司 用于半导体制造工艺的经改进工艺控制技术
US10430719B2 (en) 2014-11-25 2019-10-01 Stream Mosaic, Inc. Process control techniques for semiconductor manufacturing processes
IL297220B2 (en) 2014-11-26 2024-06-01 Asml Netherlands Bv Metrological method, computer product and system
WO2016096524A1 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US9847242B2 (en) * 2014-12-24 2017-12-19 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method for aligning two plates during transmission small angle X-ray scattering measurements
CN105807573B (zh) * 2014-12-31 2017-12-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 用于套刻误差检测的装置和方法
WO2016124345A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Asml Netherlands B.V. Metrology method, metrology apparatus and device manufacturing method
WO2016124393A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
WO2016124399A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Asml Netherlands B.V. A method and apparatus for improving measurement accuracy
CN104614955B (zh) * 2015-03-06 2017-01-11 中国科学院光电技术研究所 一种复合光栅纳米光刻自动对准系统
NL2016509A (en) 2015-04-03 2016-10-10 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus for measuring properties of a target structure, methods of operating an optical system, method of manufacturing devices.
CN107771271B (zh) 2015-04-21 2020-11-06 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、计算机程序及光刻系统
CN107533020B (zh) * 2015-04-28 2020-08-14 科磊股份有限公司 计算上高效的基于x射线的叠盖测量系统与方法
WO2016176502A1 (en) 2015-04-28 2016-11-03 Kla-Tencor Corporation Computationally efficient x-ray based overlay measurement
KR102344379B1 (ko) 2015-05-13 2021-12-28 삼성전자주식회사 실딩 패턴을 갖는 반도체 소자
CN107710073B (zh) 2015-06-12 2021-04-30 Asml荷兰有限公司 检查设备、检查方法、光刻设备、图案化装置及制造方法
JP6630369B2 (ja) 2015-06-17 2020-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 相互レシピ整合性に基づくレシピ選択
NL2016925A (en) 2015-06-18 2016-12-22 Asml Netherlands Bv Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2017016839A1 (en) 2015-07-24 2017-02-02 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus and manufacturing method
US10216096B2 (en) * 2015-08-14 2019-02-26 Kla-Tencor Corporation Process-sensitive metrology systems and methods
NL2017271A (en) 2015-08-20 2017-02-22 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, substrates for use in such methods, lithographic system and device manufacturing method
NL2017300A (en) 2015-08-27 2017-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method
NL2017466A (en) 2015-09-30 2017-04-05 Asml Netherlands Bv Metrology method, target and substrate
KR102104843B1 (ko) 2015-10-02 2020-04-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 및 리소그래피 시스템
WO2017076702A2 (de) 2015-11-05 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung eines durch wenigstens einen lithographieschritt strukturierten wafers
DE102015221773A1 (de) 2015-11-05 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
DE102016213925A1 (de) 2016-07-28 2018-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
DE102015221772A1 (de) 2015-11-05 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
CN108292108B (zh) 2015-11-27 2020-06-26 Asml荷兰有限公司 计量目标、方法和设备、计算机程序和光刻系统
WO2017099843A1 (en) 2015-12-08 2017-06-15 Kla-Tencor Corporation Control of amplitude and phase of diffraction orders using polarizing targets and polarized illumination
KR102128488B1 (ko) 2015-12-09 2020-07-01 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 플렉시블 일루미네이터
US11016397B2 (en) 2015-12-17 2021-05-25 Asml Netherlands B.V. Source separation from metrology data
WO2017102428A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arrangement
JP6626208B2 (ja) 2015-12-21 2019-12-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法、パターニングデバイス、計測装置、リソグラフィシステム、コンピュータプログラムおよびデバイス製造方法
NL2017844A (en) 2015-12-22 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Focus control arrangement and method
WO2017108411A1 (en) 2015-12-23 2017-06-29 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
CN113376975A (zh) 2015-12-23 2021-09-10 Asml荷兰有限公司 量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品
NL2017930A (en) 2015-12-31 2017-07-05 Asml Netherlands Bv Method and device for focusing in an inspection system
WO2017114672A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Metrology by reconstruction
KR102563921B1 (ko) 2016-02-02 2023-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 소자
WO2017140528A1 (en) 2016-02-19 2017-08-24 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein
JP6703612B2 (ja) 2016-02-26 2020-06-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、およびデバイス製造方法
US10811323B2 (en) 2016-03-01 2020-10-20 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
WO2017148665A1 (en) 2016-03-01 2017-09-08 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure and lithographic apparatus
KR102173439B1 (ko) 2016-03-03 2020-11-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 리소그래피 방법, 리소그래피 셀 및 컴퓨터 프로그램
US10928737B2 (en) 2016-03-04 2021-02-23 Asml Netherlands B.V. Method for characterizing distortions in a lithographic process, lithographic apparatus, lithographic cell and computer program
JP6731490B2 (ja) 2016-03-07 2020-07-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 照明システムおよびメトロロジシステム
US11022896B2 (en) 2016-03-11 2021-06-01 Asml Netherlands B.V. Mark position determination method
US10504759B2 (en) * 2016-04-04 2019-12-10 Kla-Tencor Corporation Semiconductor metrology with information from multiple processing steps
WO2017178220A1 (en) 2016-04-11 2017-10-19 Asml Netherlands B.V. Metrology target, method and apparatus, target design method, computer program and lithographic system
WO2017178285A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Asml Netherlands B.V. Method for adjusting actuation of a lithographic apparatus
KR102238466B1 (ko) 2016-04-22 2021-04-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스택 차이의 결정 및 스택 차이를 사용한 정정 기술
KR20180128490A (ko) 2016-04-29 2018-12-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체의 특성을 결정하는 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법
US10394132B2 (en) 2016-05-17 2019-08-27 Asml Netherlands B.V. Metrology robustness based on through-wavelength similarity
US10983440B2 (en) 2016-05-23 2021-04-20 Asml Netherlands B.V. Selection of substrate measurement recipes
CN109313393A (zh) 2016-06-09 2019-02-05 Asml荷兰有限公司 计量设备
KR102640173B1 (ko) * 2016-06-14 2024-02-26 삼성전자주식회사 회절 기반 오버레이 마크 및 오버레이 계측방법
WO2017215944A1 (en) 2016-06-15 2017-12-21 Asml Netherlands B.V. Substrate measurement recipe configuration to improve device matching
KR102178588B1 (ko) 2016-06-30 2020-11-16 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 오버레이 및 임계 치수 센서들에서의 퓨필 조명을 위한 디바이스 및 방법
WO2018001747A1 (en) 2016-07-01 2018-01-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system for a lithographic or inspection apparatus
CN113552779A (zh) 2016-07-15 2021-10-26 Asml荷兰有限公司 用于量测目标场的设计的方法和设备
KR20190031542A (ko) 2016-07-21 2019-03-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 타겟을 측정하는 방법, 기판, 메트롤로지 장치, 및 리소그래피 장치
EP3279736A1 (en) 2016-08-01 2018-02-07 ASML Netherlands B.V. Device and method for processing a radiation beam with coherence
WO2018028971A1 (en) 2016-08-11 2018-02-15 Asml Holding N.V. Variable corrector of a wave front
WO2018033342A1 (en) 2016-08-17 2018-02-22 Asml Netherlands B.V. Substrate measurement recipe design of, or for, a target including a latent image
KR102221714B1 (ko) 2016-08-23 2021-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 공정에 의해 기판 상에 형성된 구조체를 측정하는 메트롤로지 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 공정에 의해 기판 상에 형성된 구조체를 측정하는 방법
WO2018041550A1 (en) 2016-09-01 2018-03-08 Asml Netherlands B.V. Automatic selection of metrology target measurement recipes
EP3290911A1 (en) 2016-09-02 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and system to monitor a process apparatus
EP3291008A1 (en) 2016-09-06 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to monitor a process apparatus
KR102200257B1 (ko) 2016-09-06 2021-01-11 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 검사 시스템에서의 포커싱을 위한 디바이스 및 방법
EP3293574A1 (en) 2016-09-09 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
EP3293575A1 (en) 2016-09-12 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Differential target design and method for process metrology
EP3299890A1 (en) 2016-09-27 2018-03-28 ASML Netherlands B.V. Metrology recipe selection
KR102265164B1 (ko) 2016-09-27 2021-06-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 레시피 선택
EP3309616A1 (en) 2016-10-14 2018-04-18 ASML Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system
DE102016221243A1 (de) 2016-10-27 2017-11-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
EP3321737A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system
IL266447B2 (en) 2016-11-10 2023-11-01 Asml Netherlands Bv Design and repair using stack diff
EP3321736A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Measurement system, lithographic system, and method of measuring a target
EP3321738A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of a device manufacturing process, metrology apparatus, substrate, target, device manufacturing system, and device manufacturing method
EP3333632A1 (en) 2016-12-08 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
EP3333633A1 (en) 2016-12-09 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus
US10983005B2 (en) 2016-12-15 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Spectroscopic overlay metrology
EP3336605A1 (en) 2016-12-15 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336607A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a property of a substrate, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336606A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a characteristic of illumination from a metrology apparatus
EP3796088A1 (en) 2019-09-23 2021-03-24 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for lithographic process performance determination
EP3343294A1 (en) 2016-12-30 2018-07-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus
CN108345177B (zh) * 2017-01-24 2020-06-30 台湾积体电路制造股份有限公司 层迭误差测量装置及方法
TWI649635B (zh) * 2017-01-24 2019-02-01 台灣積體電路製造股份有限公司 層疊誤差測量裝置及方法
US10409171B2 (en) * 2017-01-25 2019-09-10 Kla-Tencor Corporation Overlay control with non-zero offset prediction
EP3358413A1 (en) 2017-02-02 2018-08-08 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
KR102370347B1 (ko) 2017-02-02 2022-03-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치 및 연계된 컴퓨터 제품
EP3361315A1 (en) 2017-02-09 2018-08-15 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus and method of inspecting structures
KR102370339B1 (ko) 2017-02-22 2022-03-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 전산 계측
KR102384553B1 (ko) 2017-03-23 2022-04-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체의 비대칭 모니터링
EP3388896A1 (en) 2017-04-14 2018-10-17 ASML Netherlands B.V. Method of measuring
CN110622068B (zh) 2017-04-14 2022-01-11 Asml荷兰有限公司 测量方法
KR102331098B1 (ko) 2017-04-28 2021-11-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치 및 연관된 컴퓨터 프로그램
WO2018202388A1 (en) 2017-05-03 2018-11-08 Asml Netherlands B.V. Metrology parameter determination and metrology recipe selection
CN110582729B (zh) 2017-05-04 2022-03-08 Asml控股股份有限公司 测量光学量测的性能的方法、衬底和设备
EP3399371A1 (en) 2017-05-05 2018-11-07 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of interest, device manufacturing method, metrology apparatus, and lithographic system
CN110612481A (zh) 2017-05-08 2019-12-24 Asml荷兰有限公司 测量结构的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法
EP3401733A1 (en) 2017-05-08 2018-11-14 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3404488A1 (en) 2017-05-19 2018-11-21 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a target, metrology apparatus, lithographic cell, and target
WO2018215177A1 (en) 2017-05-24 2018-11-29 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of interest, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
CN108962776B (zh) * 2017-05-26 2021-05-18 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法
US11029673B2 (en) 2017-06-13 2021-06-08 Pdf Solutions, Inc. Generating robust machine learning predictions for semiconductor manufacturing processes
CN110799903B (zh) 2017-06-20 2021-11-16 Asml荷兰有限公司 确定边缘粗糙度参数
EP3467589A1 (en) 2017-10-06 2019-04-10 ASML Netherlands B.V. Determining edge roughness parameters
EP3422103A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter of a process
EP3422102A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
US10663633B2 (en) * 2017-06-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Aperture design and methods thereof
EP3422105A1 (en) 2017-06-30 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Metrology parameter determination and metrology recipe selection
EP3432072A1 (en) 2017-07-18 2019-01-23 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for measurement of a parameter of a feature fabricated on a semiconductor substrate
WO2019015995A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Asml Netherlands B.V. METHODS AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A CHARACTERISTIC MANUFACTURED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
US10817999B2 (en) 2017-07-18 2020-10-27 Kla Corporation Image-based overlay metrology and monitoring using through-focus imaging
CN110945436B (zh) 2017-07-25 2022-08-05 Asml荷兰有限公司 用于参数确定的方法及其设备
EP3435162A1 (en) 2017-07-28 2019-01-30 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus and computer program
EP3441819A1 (en) 2017-08-07 2019-02-13 ASML Netherlands B.V. Computational metrology
KR102352673B1 (ko) 2017-08-07 2022-01-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컴퓨테이션 계측법
EP3441820A1 (en) 2017-08-11 2019-02-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for determining the position of a spot of radiation and inspection apparatus
EP3444674A1 (en) 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3444676A1 (en) 2017-08-15 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
EP3447580A1 (en) 2017-08-21 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2019038054A1 (en) 2017-08-23 2019-02-28 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF A PATTERN TRANSFER PROCESS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
US11022642B2 (en) 2017-08-25 2021-06-01 Pdf Solutions, Inc. Semiconductor yield prediction
EP3451060A1 (en) 2017-08-28 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Substrate, metrology apparatus and associated methods for a lithographic process
IL272901B2 (en) 2017-09-01 2024-10-01 Asml Netherlands B V Optical systems, metrology instruments and related methods
EP3451061A1 (en) * 2017-09-04 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a manufacturing process
EP3454123A1 (en) 2017-09-06 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
EP3454124A1 (en) 2017-09-07 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Method to determine a patterning process parameter
EP3454129A1 (en) 2017-09-07 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Beat patterns for alignment on small metrology targets
EP3454126A1 (en) 2017-09-08 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Method for estimating overlay
EP3454127A1 (en) 2017-09-11 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3462239A1 (en) 2017-09-27 2019-04-03 ASML Netherlands B.V. Metrology in lithographic processes
IL273145B2 (en) 2017-09-11 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Lithographic processes in meteorology
WO2019048147A1 (en) 2017-09-11 2019-03-14 Asml Netherlands B.V. METHODS AND DEVICES FOR FORMING PATTERNS AND APPARATUSES FOR MEASURING THE PERFORMANCE OF DEVELOPING A LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP3457211A1 (en) 2017-09-13 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. A method of aligning a pair of complementary diffraction patterns and associated metrology method and apparatus
EP3457212A1 (en) 2017-09-18 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Method of controlling a patterning process, device manufacturing method
JP7050150B2 (ja) 2017-09-22 2022-04-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． パターニングプロセスパラメータを決定する方法
EP3460574A1 (en) 2017-09-22 2019-03-27 ASML Netherlands B.V. Method to determine a patterning process parameter
CN111149062B (zh) 2017-09-28 2022-11-04 Asml控股股份有限公司 量测方法和装置
CN114993205A (zh) * 2017-10-05 2022-09-02 Asml荷兰有限公司 用于确定衬底上的一个或更多个结构的特性的量测系统和方法
EP3480554A1 (en) 2017-11-02 2019-05-08 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
TW201923332A (zh) 2017-10-10 2019-06-16 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 度量衡方法和設備、電腦程式及微影系統
EP3470923A1 (en) 2017-10-10 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP3470924A1 (en) 2017-10-11 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing the position and/or size of a measurement illumination spot relative to a target on a substrate, and associated apparatus
EP3470926A1 (en) * 2017-10-16 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus, lithographic system, and method of measuring a structure
EP3474074A1 (en) 2017-10-17 2019-04-24 ASML Netherlands B.V. Scatterometer and method of scatterometry using acoustic radiation
EP3477391A1 (en) 2017-10-26 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest, method of cleaning a signal containing information about a parameter of interest
CN111279268B (zh) 2017-10-26 2022-04-01 Asml荷兰有限公司 确定所关注的参数的值的方法、清除包含关于所关注的参数的信息的信号的方法
IL273836B2 (en) 2017-10-31 2023-09-01 Asml Netherlands Bv A measuring device, a method for measuring a structure, a method for making a device
EP3477392A1 (en) 2017-10-31 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method
EP3480659A1 (en) 2017-11-01 2019-05-08 ASML Netherlands B.V. Estimation of data in metrology
EP3499312A1 (en) 2017-12-15 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and a method of determining a characteristic of interest
JP7150838B2 (ja) 2017-11-07 2022-10-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 関心対象特性を算出するメトロロジ装置及び方法
EP3489756A1 (en) 2017-11-23 2019-05-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3492985A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets
WO2019110211A1 (en) 2017-12-04 2019-06-13 Asml Netherlands B.V. Measurement method, patterning device and device manufacturing method
EP3492984A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method
US10310281B1 (en) * 2017-12-05 2019-06-04 K Laser Technology, Inc. Optical projector with off-axis diffractive element
EP3495888A1 (en) 2017-12-06 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3495889A1 (en) 2017-12-07 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
US10473460B2 (en) * 2017-12-11 2019-11-12 Kla-Tencor Corporation Overlay measurements of overlapping target structures based on symmetry of scanning electron beam signals
US11906907B2 (en) 2017-12-12 2024-02-20 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for determining a condition associated with a pellicle
EP3499311A1 (en) 2017-12-14 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated aparatuses
EP3729197A1 (en) 2017-12-19 2020-10-28 ASML Netherlands B.V. Computational metrology based correction and control
KR102585064B1 (ko) 2017-12-22 2023-10-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 결함 확률에 기초한 프로세스 윈도우
EP3506011A1 (en) 2017-12-28 2019-07-03 ASML Netherlands B.V. Apparatus for and a method of removing contaminant particles from a component of a metrology apparatus
WO2019129465A1 (en) 2017-12-28 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. A metrology apparatus for and a method of determining a characteristic of interest of a structure on a substrate
KR102429845B1 (ko) 2017-12-28 2022-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 장치의 컴포넌트로부터 오염물 입자를 제거하는 장치 및 방법
EP3528048A1 (en) 2018-02-15 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. A metrology apparatus for and a method of determining a characteristic of interest of a structure on a substrate
WO2019129468A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method of processing data, method of obtaining calibration data
WO2019129485A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method and device for determining adjustments to sensitivity parameters
WO2019141479A1 (en) 2018-01-17 2019-07-25 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a target, and metrology apparatus
EP3514628A1 (en) 2018-01-18 2019-07-24 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a target, and metrology apparatus
WO2019145092A1 (en) 2018-01-24 2019-08-01 Asml Netherlands B.V. Computational metrology based sampling scheme
EP3518040A1 (en) 2018-01-30 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid
WO2019149586A1 (en) 2018-01-30 2019-08-08 Asml Netherlands B.V. Method of patterning at least a layer of a semiconductor device
EP3521930A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a metrology process
EP3521929A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of determining an optimal focus height for a metrology apparatus
EP3528047A1 (en) 2018-02-14 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques
EP3531205A1 (en) 2018-02-22 2019-08-28 ASML Netherlands B.V. Control based on probability density function of parameter
KR102499656B1 (ko) 2018-02-23 2023-02-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴의 시맨틱 분할을 위한 딥 러닝
WO2019162280A1 (en) 2018-02-23 2019-08-29 Asml Netherlands B.V. Guided patterning device inspection
WO2019166190A1 (en) 2018-02-27 2019-09-06 Stichting Vu Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3531191A1 (en) 2018-02-27 2019-08-28 Stichting VU Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
US11029359B2 (en) 2018-03-09 2021-06-08 Pdf Solutions, Inc. Failure detection and classsification using sensor data and/or measurement data
US11775714B2 (en) 2018-03-09 2023-10-03 Pdf Solutions, Inc. Rational decision-making tool for semiconductor processes
US10777470B2 (en) 2018-03-27 2020-09-15 Pdf Solutions, Inc. Selective inclusion/exclusion of semiconductor chips in accelerated failure tests
EP3547029A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
EP3547031A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
KR20200125986A (ko) 2018-03-29 2020-11-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스캐닝 노광 장치를 위한 제어 방법
EP3547030A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
EP3553602A1 (en) 2018-04-09 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Model based reconstruction of semiconductor structures
NL2021848A (en) * 2018-04-09 2018-11-06 Stichting Vu Holographic metrology apparatus.
US11054250B2 (en) 2018-04-11 2021-07-06 International Business Machines Corporation Multi-channel overlay metrology
EP3553603A1 (en) 2018-04-13 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
EP3557327A1 (en) 2018-04-18 2019-10-23 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
EP3570109A1 (en) 2018-05-14 2019-11-20 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
TWI723396B (zh) 2018-05-24 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 判定基板之堆疊組態之方法
EP3575874A1 (en) 2018-05-29 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
JP7182904B2 (ja) * 2018-05-31 2022-12-05 キヤノン株式会社 検出装置、インプリント装置、平坦化装置、検出方法及び物品製造方法
EP3575875A1 (en) 2018-05-31 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Measurement apparatus and method of measuring a target
EP3579052A1 (en) 2018-06-08 2019-12-11 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
CN112236724B (zh) 2018-06-08 2023-05-23 Asml荷兰有限公司 确定衬底上的一个或更多个结构的特性的量测设备和方法
EP3614207A1 (en) 2018-08-21 2020-02-26 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
WO2019238363A1 (en) 2018-06-13 2019-12-19 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus
EP3582009A1 (en) 2018-06-15 2019-12-18 ASML Netherlands B.V. Reflector and method of manufacturing a reflector
EP3584637A1 (en) 2018-06-19 2019-12-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
KR20210013605A (ko) 2018-06-19 2021-02-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 장치 및 연계된 장치를 제어하는 방법
EP3588190A1 (en) 2018-06-25 2020-01-01 ASML Netherlands B.V. Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses
KR102463503B1 (ko) * 2018-07-11 2022-11-03 현대자동차주식회사 터보차저 엔진의 부스트압 제어 시스템
EP3598235A1 (en) 2018-07-18 2020-01-22 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic relating to one or more structures on a substrate
WO2020020759A1 (en) 2018-07-26 2020-01-30 Asml Netherlands B.V. Method for determining an etch profile of a layer of a wafer for a simulation system
EP3605230A1 (en) 2018-08-01 2020-02-05 Stichting VU Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
NL2021852A (en) * 2018-08-01 2018-11-09 Asml Netherlands Bv Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3611569A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and photonic crystal fiber
EP3611570A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
TWI824334B (zh) 2018-08-17 2023-12-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 非暫時性電腦可讀媒體
EP3614194A1 (en) 2018-08-24 2020-02-26 ASML Netherlands B.V. Matching pupil determination
EP3620857A1 (en) 2018-09-04 2020-03-11 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
WO2020048692A1 (en) 2018-09-04 2020-03-12 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus
EP3623868A1 (en) 2018-09-12 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3623869A1 (en) 2018-09-14 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Method for measuring a parameter of a structure formed using a lithographic process
KR102571918B1 (ko) 2018-09-19 2023-08-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 위치 계측을 위한 계측 센서
US20210356873A1 (en) 2018-09-19 2021-11-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus therefor
EP3627226A1 (en) 2018-09-20 2020-03-25 ASML Netherlands B.V. Optical system, metrology apparatus and associated method
EP3629086A1 (en) 2018-09-25 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for determining a radiation beam intensity profile
US11087065B2 (en) 2018-09-26 2021-08-10 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
EP3629087A1 (en) 2018-09-26 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
EP3629088A1 (en) 2018-09-28 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Providing a trained neural network and determining a characteristic of a physical system
TW202020577A (zh) 2018-09-28 2020-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 基於晶圓量測判定熱點排序
JP7179979B2 (ja) 2018-10-08 2022-11-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトトロジ方法、パターニングデバイス、装置及びコンピュータプログラム
EP3637186A1 (en) 2018-10-09 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating a plurality of metrology apparatuses, method of determining a parameter of interest, and metrology apparatus
EP3637187A1 (en) 2018-10-12 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus
US11118903B2 (en) 2018-10-17 2021-09-14 Kla Corporation Efficient illumination shaping for scatterometry overlay
EP3647874A1 (en) 2018-11-05 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Optical fibers and production methods therefor
US11999645B2 (en) 2018-10-24 2024-06-04 Asml Netherlands B.V. Optical fibers and production methods therefor
EP3647871A1 (en) 2018-10-31 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Method of determing a value of a parameter of interest of a patterning process, device manufacturing method
WO2020094385A1 (en) 2018-11-08 2020-05-14 Asml Netherlands B.V. Prediction of out of specification based on spatial characteristic of process variability
EP3650941A1 (en) 2018-11-12 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. Method of determining the contribution of a processing apparatus to a substrate parameter
EP3654103A1 (en) 2018-11-14 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for obtaining training data for training a model of a semicondcutor manufacturing process
US12032297B2 (en) 2018-11-16 2024-07-09 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring lithographic apparatus
EP3654104A1 (en) 2018-11-16 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring lithographic apparatus
EP3657256A1 (en) 2018-11-20 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3657257A1 (en) 2018-11-26 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Method for of measuring a focus parameter relating to a structure formed using a lithographic process
US12044980B2 (en) 2018-12-03 2024-07-23 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
TWI734284B (zh) 2018-12-04 2021-07-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於判定微影製程之效能參數之目標
EP3663856A1 (en) 2018-12-07 2020-06-10 ASML Netherlands B.V. Method for adjusting a target feature in a model of a patterning process based on local electric fields
KR102704902B1 (ko) 2018-12-12 2024-09-09 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
US20220028052A1 (en) 2018-12-14 2022-01-27 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for grouping image patterns to determine wafer behavior in a patterning process
EP3671346A1 (en) 2018-12-18 2020-06-24 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of a patterning process, metrology apparatus, target
CN113196175A (zh) 2018-12-18 2021-07-30 Asml荷兰有限公司 测量图案化过程的参数的方法、量测设备、目标
CN113196177B (zh) 2018-12-20 2024-04-30 Asml荷兰有限公司 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法
KR20230175346A (ko) 2018-12-28 2023-12-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 프린트된 기판으로부터의 측정 피드백에 기초한 패턴 랭킹 결정
KR20240140188A (ko) 2018-12-31 2024-09-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 오버레이 계측을 위한 방법 및 그 장치
WO2020141050A1 (en) 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
WO2020141052A1 (en) 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Improved imaging via zeroth order suppression
EP3715951A1 (en) 2019-03-28 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
US20220082944A1 (en) 2018-12-31 2022-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for metrology optimization
KR20210096659A (ko) 2018-12-31 2021-08-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법
US11733615B2 (en) 2019-01-03 2023-08-22 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3696606A1 (en) 2019-02-15 2020-08-19 ASML Netherlands B.V. A metrology apparatus with radiation source having multiple broadband outputs
EP3703114A1 (en) 2019-02-26 2020-09-02 ASML Netherlands B.V. Reflector manufacturing method and associated reflector
EP3702840A1 (en) 2019-03-01 2020-09-02 ASML Netherlands B.V. Alignment method and associated metrology device
EP3705942A1 (en) 2019-03-04 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
EP3705945A1 (en) 2019-03-08 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for estimating substrate shape
EP3764164A1 (en) 2019-07-11 2021-01-13 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
CN113632009B (zh) 2019-03-22 2024-07-02 Asml荷兰有限公司 控制光刻装置的方法和相关装置
CN113631999B (zh) 2019-03-25 2023-05-16 Asml荷兰有限公司 频率拓宽装置和方法
EP3715944A1 (en) 2019-03-25 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Frequency broadening apparatus and method
EP3719551A1 (en) 2019-04-03 2020-10-07 ASML Netherlands B.V. Optical fiber
EP3719545A1 (en) * 2019-04-03 2020-10-07 ASML Netherlands B.V. Manufacturing a reflective diffraction grating
WO2020200637A1 (en) 2019-04-03 2020-10-08 Asml Netherlands B.V. Optical fiber
EP3734366A1 (en) 2019-05-03 2020-11-04 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
CN113678063A (zh) 2019-04-04 2021-11-19 Asml荷兰有限公司 光刻工艺的子场控制和相关设备
EP3731018A1 (en) 2019-04-23 2020-10-28 ASML Netherlands B.V. A method for re-imaging an image and associated metrology apparatus
NL2025265A (en) 2019-05-06 2020-11-23 Asml Netherlands Bv Dark field microscope
WO2020229049A1 (en) 2019-05-13 2020-11-19 Asml Netherlands B.V. Detection apparatus for simultaneous acquisition of multiple diverse images of an object
EP3742230A1 (en) 2019-05-23 2020-11-25 ASML Netherlands B.V. Detection apparatus for simultaneous acquisition of multiple diverse images of an object
EP3739389A1 (en) 2019-05-17 2020-11-18 ASML Netherlands B.V. Metrology tools comprising aplanatic objective singlet
EP3751342A1 (en) 2019-06-13 2020-12-16 Stichting VU Metrology method and method for training a data structure for use in metrology
CN114008531A (zh) 2019-06-17 2022-02-01 Asml荷兰有限公司 用于确定复值场的量测方法和装置
EP3754427A1 (en) 2019-06-17 2020-12-23 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus for of determining a complex-valued field
US11875101B2 (en) 2019-06-20 2024-01-16 Asml Netherlands B.V. Method for patterning process modelling
EP3754389A1 (en) 2019-06-21 2020-12-23 ASML Netherlands B.V. Mounted hollow-core fibre arrangement
EP3767347A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Mounted hollow-core fibre arrangement
EP3758168A1 (en) 2019-06-25 2020-12-30 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
US11635682B2 (en) 2019-06-26 2023-04-25 Kla Corporation Systems and methods for feedforward process control in the manufacture of semiconductor devices
WO2021001102A1 (en) 2019-07-02 2021-01-07 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
JP7482910B2 (ja) 2019-07-03 2024-05-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 半導体製造プロセスにおいて堆積モデルを適用する方法
EP3767391A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
CN114174927A (zh) 2019-07-04 2022-03-11 Asml荷兰有限公司 光刻工艺及关联设备的子场控制
WO2021005067A1 (en) 2019-07-08 2021-01-14 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated computer product
EP3786712A1 (en) 2019-08-28 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications
CN114008530B (zh) 2019-07-16 2024-05-31 Asml荷兰有限公司 光源及控制方法；用于测量应用的装置和方法
EP3767375A1 (en) 2019-07-19 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. A light source and a method for use in metrology applications
EP3611567A3 (en) 2019-07-23 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. Improvements in metrology targets
EP3796080A1 (en) 2019-09-18 2021-03-24 ASML Netherlands B.V. Radiation source
KR20220024908A (ko) 2019-07-24 2022-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스
EP3770682A1 (en) 2019-07-25 2021-01-27 ASML Netherlands B.V. Method and system for determining information about a target structure
EP3779600A1 (en) 2019-08-14 2021-02-17 ASML Netherlands B.V. Method and metrology tool for determining information about a target structure, and cantilever probe
CN114207432A (zh) 2019-08-14 2022-03-18 Asml荷兰有限公司 用于确定关于目标结构的信息的方法和量测工具及悬臂式探针
EP3783436A1 (en) 2019-08-19 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Illumination and detection apparatus for a metrology apparatus
EP3783439A1 (en) 2019-08-22 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Metrology device and detection apparatus therefor
EP3786701B1 (en) 2019-08-29 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications
EP3786700A1 (en) 2019-08-29 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications
EP3812836A1 (en) 2019-10-21 2021-04-28 ASML Netherlands B.V. End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications
CN114341739A (zh) 2019-08-30 2022-04-12 Asml控股股份有限公司 计量系统和方法
WO2021043593A1 (en) 2019-09-02 2021-03-11 Asml Netherlands B.V. Mode control of photonic crystal fiber based broadband light sources
EP3786713A1 (en) 2019-09-02 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device for determining a complex-valued field
EP3786702A1 (en) 2019-09-02 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. Mode control of photonic crystal fiber based broadband light sources
EP3789809A1 (en) 2019-09-03 2021-03-10 ASML Netherlands B.V. Assembly for collimating broadband radiation
EP3792673A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Assembly for collimating broadband radiation
US20220326152A1 (en) 2019-09-05 2022-10-13 Asml Netherlands B.V. An improved high harmonic generation apparatus
EP3790364A1 (en) 2019-09-05 2021-03-10 ASML Netherlands B.V. An improved high harmonic generation apparatus
US11359916B2 (en) * 2019-09-09 2022-06-14 Kla Corporation Darkfield imaging of grating target structures for overlay measurement
EP3792693A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3796089A1 (en) 2019-09-18 2021-03-24 ASML Holding N.V. A method for filtering an image and associated metrology apparatus
EP3805857A1 (en) 2019-10-09 2021-04-14 ASML Netherlands B.V. Improved broadband radiation generation in hollow-core fibres
CN114514465A (zh) 2019-09-18 2022-05-17 Asml荷兰有限公司 中空芯部光纤中的改进的宽带辐射生成
EP3798729A1 (en) 2019-09-26 2021-03-31 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method
KR20220047387A (ko) 2019-09-27 2022-04-15 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 계측 시스템 및 위상 어레이 조명 소스
KR20220054425A (ko) 2019-10-02 2022-05-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 예측 모델들을 사용한 공정 모니터링 및 튜닝
EP3809190A1 (en) 2019-10-14 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for coherence scrambling in metrology applications
US20240118629A1 (en) 2019-10-17 2024-04-11 Asml Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
EP3839621A1 (en) 2019-12-16 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated metrology apparatus
EP3809203A1 (en) 2019-10-17 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
EP4045973A1 (en) 2019-10-17 2022-08-24 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated metrology apparatus
EP3839586A1 (en) 2019-12-18 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
EP3812807B1 (en) 2019-10-24 2024-04-10 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation
EP3816721A1 (en) 2019-10-29 2021-05-05 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for efficient high harmonic generation
KR20220065872A (ko) 2019-11-01 2022-05-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 리소그래피 장치
EP3869270A1 (en) 2020-02-18 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Assemblies and methods for guiding radiation
KR20220066963A (ko) 2019-11-05 2022-05-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 측정 방법 및 측정 장치
EP3819266A1 (en) 2019-11-07 2021-05-12 ASML Netherlands B.V. Method of manufacture of a capillary for a hollow-core photonic crystal fiber
CN114641732A (zh) 2019-11-07 2022-06-17 Asml控股股份有限公司 用于清洁光刻设备的部分的系统
EP3819267B1 (en) 2019-11-07 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Method of manufacture of a capillary for a hollow-core photonic crystal fiber
US11774861B2 (en) 2019-11-11 2023-10-03 Asml Netherlands B.V. Calibration method for a lithographic system
EP3828632A1 (en) 2019-11-29 2021-06-02 ASML Netherlands B.V. Method and system for predicting electric field images with a parameterized model
WO2021104718A1 (en) 2019-11-29 2021-06-03 Asml Netherlands B.V. Method and system for predicting process information with a parameterized model
CN114846412A (zh) 2019-12-05 2022-08-02 Asml荷兰有限公司 对准方法和相关联的对准和光刻设备
WO2021115735A1 (en) 2019-12-12 2021-06-17 Asml Netherlands B.V. Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses
US12032299B2 (en) 2019-12-16 2024-07-09 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
WO2021121733A1 (en) 2019-12-17 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
EP3839635A1 (en) 2019-12-17 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
EP3851915A1 (en) 2020-01-14 2021-07-21 ASML Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
IL293749A (en) 2019-12-18 2022-08-01 Asml Netherlands Bv A method for correcting measurements in the production of integrated circuits and related devices
US12092964B2 (en) 2019-12-19 2024-09-17 Asml Netherlands B.V. Optically determining electrical contact between metallic features in different layers in a structure
WO2021123135A1 (en) 2019-12-19 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Scatterometer and method of scatterometry using acoustic radiation
EP3839631A1 (en) 2019-12-19 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Determining relative positions of different layers in a structure
EP3839632A1 (en) 2019-12-20 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Method for determining a measurement recipe and associated apparatuses
WO2021130315A1 (en) 2019-12-24 2021-07-01 Asml Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
IL279727A (en) 2019-12-24 2021-06-30 Asml Netherlands Bv Method of determining information about pattern procedure, method of error reduction in measurement data, metrology process calibration method, method of selecting metrology targets
EP3865931A1 (en) 2020-02-12 2021-08-18 ASML Netherlands B.V. Method, assembly, and apparatus for improved control of broadband radiation generation
CN114945865A (zh) 2020-01-15 2022-08-26 Asml荷兰有限公司 用于改善对宽带辐射生成的控制的方法、组件、和设备
WO2021151565A1 (en) 2020-01-28 2021-08-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP3876037A1 (en) 2020-03-06 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate
WO2021151754A1 (en) 2020-01-29 2021-08-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate
WO2021155990A1 (en) 2020-02-07 2021-08-12 Asml Netherlands B.V. A stage system, stage system operating method, inspection tool, lithographic apparatus, calibration method and device manufacturing method
US11796920B2 (en) 2020-02-12 2023-10-24 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3869271A1 (en) 2020-02-20 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
US20230076218A1 (en) 2020-02-21 2023-03-09 Asml Netherlands B.V. Method for calibrating simulation process based on defect-based process window
EP3872567A1 (en) 2020-02-25 2021-09-01 ASML Netherlands B.V. Systems and methods for process metric aware process control
US10990023B1 (en) * 2020-02-27 2021-04-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for diffraction-based overlay measurement
US11852981B2 (en) * 2020-02-27 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Frequency-picked methodology for diffraction based overlay measurement
US11886125B2 (en) 2020-03-02 2024-01-30 Asml Netherlands B. V. Method for inferring a local uniformity metric
EP3879342A1 (en) 2020-03-10 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses
KR20220137074A (ko) 2020-03-03 2022-10-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 프로세스를 제어하기 위한 방법 및 연관된 장치
EP3882701A1 (en) 2020-03-19 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3876036A1 (en) 2020-03-04 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Vibration isolation system and associated applications in lithography
EP3879343A1 (en) 2020-03-11 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Metrology measurement method and apparatus
EP3889681A1 (en) 2020-03-31 2021-10-06 ASML Netherlands B.V. An assembly including a non-linear element and a method of use thereof
US20230176491A1 (en) 2020-05-07 2023-06-08 Asml Netherlands B.V. A substrate comprising a target arrangement, and associated at least one patterning device, lithographic method and metrology method
EP3913429A1 (en) 2020-05-19 2021-11-24 ASML Netherlands B.V. A supercontinuum radiation source and associated metrology devices
WO2021239334A1 (en) 2020-05-26 2021-12-02 Asml Netherlands B.V. Method for optimizing a sampling scheme and associated apparatuses
TWI792198B (zh) 2020-06-01 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法
WO2021250034A1 (en) 2020-06-09 2021-12-16 Asml Netherlands B.V. A target for measuring a parameter of a lithographic process
WO2021249711A1 (en) 2020-06-10 2021-12-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method, metrology apparatus and lithographic apparatus
WO2021259559A1 (en) 2020-06-24 2021-12-30 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
KR20230019952A (ko) 2020-07-03 2023-02-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 불량률에 기초한 프로세스 윈도우
KR20230035034A (ko) 2020-07-06 2023-03-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 조명 장치 및 연관된 계측 및 리소그래피 장치
KR20220005361A (ko) 2020-07-06 2022-01-13 삼성전자주식회사 경사 조명을 이용한 회절 기반 계측 장치 및 방법, 그 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법
EP3936936A1 (en) 2020-07-08 2022-01-12 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator with extended fiber lifetime
DK3936937T3 (en) 2020-07-08 2022-09-19 Asml Netherlands Bv Hollow-Core Fiber Based Broadband Radiation Generator With Extended Fiber Lifetime
CN115777085A (zh) 2020-07-09 2023-03-10 Asml荷兰有限公司 用于调整图案化过程的方法
KR20230021733A (ko) 2020-07-09 2023-02-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 그리고 컴퓨터 프로그램
EP3944020A1 (en) 2020-07-20 2022-01-26 ASML Netherlands B.V. Method for adjusting a patterning process
US20230315027A1 (en) 2020-07-09 2023-10-05 Asml Netherlands B.V. Motion control using an artificial neural network
EP3945548A1 (en) 2020-07-30 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for classifying semiconductor wafers
EP3962241A1 (en) 2020-08-26 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated metrology apparatus
US20230288818A1 (en) 2020-07-21 2023-09-14 ASML Netherlands B,V. An illumination source and associated metrology apparatus
EP3945367A1 (en) 2020-07-31 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
CN116157744A (zh) 2020-07-22 2023-05-23 Asml荷兰有限公司 用于控制制造工艺的方法和相关联的装置
KR20230029934A (ko) 2020-07-28 2023-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치의 초점 성능을 측정하기 위한 방법, 패터닝 디바이스 및 장치, 디바이스 제조 방법
WO2022028796A1 (en) 2020-08-03 2022-02-10 Asml Netherlands B.V. Method for generating broadband radiation and associated broadband source and metrology device
EP3974899A1 (en) 2020-09-28 2022-03-30 ASML Netherlands B.V. Method for generating broadband radiation and associated broadband source and metrology device
EP4001976A1 (en) 2020-11-13 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Hollow core fiber light source and a method for manufacturing a hollow core fiber
EP4193205A1 (en) 2020-08-06 2023-06-14 ASML Netherlands B.V. Hollow core fiber light source and a method for manufacturing a hollow core fiber
EP3961303A1 (en) 2020-08-27 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab
KR20230038264A (ko) 2020-08-11 2023-03-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 반도체 팹 내의 오염을 식별하기 위한 방법 및 장치
EP3958052A1 (en) 2020-08-20 2022-02-23 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an exposed pattern and associated metrology apparatus
EP3961304A1 (en) 2020-08-31 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. Mapping metrics between manufacturing systems
EP3964892A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope
EP3964809A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Wavefront metrology sensor and mask therefor, method for optimizing a mask and associated apparatuses
IL300587A (en) 2020-09-03 2023-04-01 Asml Netherlands Bv Photonic crystal radiation generator based on broadband hollow crystal fibers
EP3988996A1 (en) 2020-10-20 2022-04-27 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP3968090A1 (en) 2020-09-11 2022-03-16 ASML Netherlands B.V. Radiation source arrangement and metrology device
EP3971555A1 (en) 2020-09-16 2022-03-23 ASML Netherlands B.V. Method of performing metrology
KR20230069123A (ko) 2020-09-16 2023-05-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측을 수행하는 방법, 기계 학습 모델을 트레이닝시키는 방법, 2차원 재료를 포함하는 층을 제공하는 방법, 계측 장치
CN116420069A (zh) 2020-09-28 2023-07-11 Asml荷兰有限公司 具有投影系统的位置控制的量测工具
CN116209958A (zh) 2020-09-28 2023-06-02 Asml荷兰有限公司 目标结构以及相关联的方法和设备
EP3978964A1 (en) 2020-10-01 2022-04-06 ASML Netherlands B.V. Achromatic optical relay arrangement
KR20220056726A (ko) 2020-10-28 2022-05-06 삼성전자주식회사 디포커스 계측방법과 보정방법, 및 그 보정방법을 포함한 반도체 소자 제조방법
EP4002015A1 (en) 2020-11-16 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
CN116648675A (zh) 2020-11-17 2023-08-25 Asml荷兰有限公司 量测系统和光刻系统
WO2022111945A1 (en) 2020-11-24 2022-06-02 Asml Netherlands B.V. Method of determining mark structure for overlay fingerprints
EP4006640A1 (en) 2020-11-26 2022-06-01 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure
WO2022111967A2 (en) 2020-11-27 2022-06-02 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
WO2022111935A1 (en) 2020-11-30 2022-06-02 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method
EP4006641A1 (en) 2020-11-30 2022-06-01 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method
EP4009107A1 (en) 2020-12-01 2022-06-08 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for imaging nonstationary object
IL303221A (en) 2020-12-08 2023-07-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and related devices
EP4012492A1 (en) 2020-12-10 2022-06-15 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4012494A1 (en) 2020-12-10 2022-06-15 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
KR20220088538A (ko) 2020-12-18 2022-06-28 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조방법
EP4016186A1 (en) 2020-12-18 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus
EP4030236A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
US20240004309A1 (en) 2020-12-21 2024-01-04 Asml Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process
EP4017221A1 (en) 2020-12-21 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for controlling electron density distributions
EP4020084A1 (en) 2020-12-22 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP4030230A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for providing a broadband light source
WO2022135823A1 (en) 2020-12-23 2022-06-30 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatus for providing a broadband light source
EP4075341A1 (en) 2021-04-18 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
WO2022144203A1 (en) 2020-12-30 2022-07-07 Asml Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4075339A1 (en) 2021-04-15 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4075340A1 (en) 2021-04-15 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4030237A1 (en) 2021-01-19 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
US20240053532A1 (en) 2021-01-27 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber
EP4036619A1 (en) 2021-01-27 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber
EP4036646A1 (en) 2021-01-29 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Metrology methods and appratuses
EP4040233A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 ASML Netherlands B.V. A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and appratuses
US20240134182A1 (en) 2021-02-04 2024-04-25 Asml Netherlands B.V. Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses
EP4067968A1 (en) 2021-03-29 2022-10-05 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses
EP4047400A1 (en) 2021-02-17 2022-08-24 ASML Netherlands B.V. Assembly for separating radiation in the far field
WO2022174991A1 (en) 2021-02-17 2022-08-25 Asml Netherlands B.V. Assembly for separating radiation in the far field
EP4057069A1 (en) 2021-03-11 2022-09-14 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for characterizing a semiconductor manufacturing process
US20240152024A1 (en) 2021-03-16 2024-05-09 Asml Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4060408A1 (en) 2021-03-16 2022-09-21 ASML Netherlands B.V. Method and system for predicting process information with a parameterized model
EP4060403A1 (en) 2021-03-16 2022-09-21 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based multiple wavelength light source device
EP4086698A1 (en) 2021-05-06 2022-11-09 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
US20240160151A1 (en) 2021-03-22 2024-05-16 Asml Netherlands B.V. Digital holographic microscope and associated metrology method
EP4063971A1 (en) 2021-03-22 2022-09-28 ASML Netherlands B.V. Digital holographic microscope and associated metrology method
EP4071553A1 (en) 2021-04-07 2022-10-12 ASML Netherlands B.V. Method of determining at least a target layout and associated metrology apparatus
EP4080284A1 (en) 2021-04-19 2022-10-26 ASML Netherlands B.V. Metrology tool calibration method and associated metrology tool
WO2022223230A1 (en) 2021-04-19 2022-10-27 Asml Netherlands B.V. Metrology tool calibration method and associated metrology tool
WO2022228820A1 (en) 2021-04-26 2022-11-03 Asml Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus
EP4170421A1 (en) 2021-10-25 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus
EP4334766A1 (en) 2021-05-03 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. Optical element for generation of broadband radiation
EP4105696A1 (en) 2021-06-15 2022-12-21 ASML Netherlands B.V. Optical element for generation of broadband radiation
US20240241452A1 (en) 2021-05-04 2024-07-18 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus and lithographic apparatus
EP4089484A1 (en) 2021-05-12 2022-11-16 ASML Netherlands B.V. System and method to ensure parameter measurement matching across metrology tools
EP4187321A1 (en) 2021-11-24 2023-05-31 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
WO2022253501A1 (en) 2021-05-31 2022-12-08 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
EP4137889A1 (en) 2021-08-20 2023-02-22 ASML Netherlands B.V. Metrology measurement method and apparatus
IL308370A (en) 2021-05-31 2024-01-01 Asml Netherlands Bv Metrological measurement method and device
WO2022263102A1 (en) 2021-06-14 2022-12-22 Asml Netherlands B.V. An illumination source and associated method apparatus
EP4134734A1 (en) 2021-08-11 2023-02-15 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated method apparatus
EP4124909A1 (en) 2021-07-28 2023-02-01 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device
IL308972A (en) 2021-06-18 2024-01-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and instrument
EP4112572A1 (en) 2021-06-28 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. Method of producing photonic crystal fibers
EP4113210A1 (en) 2021-07-01 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses
US11669079B2 (en) * 2021-07-12 2023-06-06 Tokyo Electron Limited Tool health monitoring and classifications with virtual metrology and incoming wafer monitoring enhancements
CN117642701A (zh) 2021-07-16 2024-03-01 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备
EP4130880A1 (en) 2021-08-03 2023-02-08 ASML Netherlands B.V. Methods of data mapping for low dimensional data analysis
WO2023001463A1 (en) 2021-07-20 2023-01-26 Asml Netherlands B.V. Methods and computer programs for data mapping for low dimensional data analysis
IL310095A (en) 2021-07-23 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and metrology device
EP4124911A1 (en) 2021-07-29 2023-02-01 ASML Netherlands B.V. Metrology method and metrology device
WO2023011905A1 (en) 2021-08-02 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in metrology systems
WO2023012338A1 (en) 2021-08-06 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Metrology target, patterning device and metrology method
WO2023020856A1 (en) 2021-08-18 2023-02-23 Universiteit Van Amsterdam Metrology method and apparatus
EP4163715A1 (en) 2021-10-05 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Improved broadband radiation generation in photonic crystal or highly non-linear fibres
IL309622A (en) 2021-08-25 2024-02-01 Asml Netherlands Bv Improving broadband radiation generation in photonic crystal or nonlinear fibers
EP4194952A1 (en) 2021-12-13 2023-06-14 ASML Netherlands B.V. Method for determing a measurement recipe and associated apparatuses
JP2024531236A (ja) 2021-08-26 2024-08-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 測定レシピを決定するための方法及び関連する機器
KR20240056509A (ko) 2021-09-07 2024-04-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 공정을 모니터링하는 방법 및 관련된 장치
EP4191337A1 (en) 2021-12-01 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
CN117999517A (zh) 2021-09-08 2024-05-07 Asml荷兰有限公司 量测方法以及相关联的量测和光刻设备
EP4184426A1 (en) 2021-11-22 2023-05-24 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device
WO2023041274A1 (en) 2021-09-14 2023-03-23 Asml Netherlands B.V. Metrology method and device
CN117940851A (zh) 2021-09-15 2024-04-26 Asml荷兰有限公司 从量测数据的源分离
KR20240067903A (ko) 2021-09-22 2024-05-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 소스 선택 모듈, 그리고 관련된 계측 및 리소그래피 장치
EP4155821A1 (en) 2021-09-27 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Method for focus metrology and associated apparatuses
EP4155822A1 (en) 2021-09-28 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4160314A1 (en) 2021-10-04 2023-04-05 ASML Netherlands B.V. Method for measuring at least one target on a substrate
EP4163687A1 (en) 2021-10-06 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Fiber alignment monitoring tool and associated fiber alignment method
EP4167031A1 (en) 2021-10-18 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. Method of determining a measurement recipe in a metrology method
EP4170429A1 (en) 2021-10-19 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Out-of-band leakage correction method and metrology apparatus
EP4170430A1 (en) 2021-10-25 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure
EP4174568A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4174577A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter distribution
WO2023078619A1 (en) 2021-11-02 2023-05-11 Asml Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4174567A1 (en) 2021-11-02 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
FR3128779B1 (fr) 2021-11-02 2024-03-01 Commissariat Energie Atomique Structure de metrologie
EP4181018A1 (en) 2021-11-12 2023-05-17 ASML Netherlands B.V. Latent space synchronization of machine learning models for in-device metrology inference
EP4184250A1 (en) 2021-11-23 2023-05-24 ASML Netherlands B.V. Obtaining a parameter characterizing a fabrication process
EP4191338A1 (en) 2021-12-03 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. Metrology calibration method
EP4445221A1 (en) 2021-12-09 2024-10-16 ASML Netherlands B.V. Surrounding pattern and process aware metrology
WO2023110318A1 (en) 2021-12-17 2023-06-22 Asml Netherlands B.V. Machine learning model for asymmetry-induced overlay error correction
EP4202550A1 (en) 2021-12-22 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method
WO2023126300A1 (en) 2021-12-28 2023-07-06 Asml Netherlands B.V. Element of an afm tool
IL313849A (en) 2022-01-10 2024-08-01 Asml Netherlands Bv Mechanically controlled optical systems and methods
CN118591773A (zh) 2022-01-21 2024-09-03 Asml荷兰有限公司 用于检查光刻设备的部分的系统和方法
EP4224254A1 (en) 2022-02-04 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4224255A1 (en) 2022-02-08 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method
CN118715485A (zh) 2022-02-10 2024-09-27 Asml荷兰有限公司 用机器学习从光学量测数据生成sem质量量测数据的系统和方法
EP4231090A1 (en) 2022-02-17 2023-08-23 ASML Netherlands B.V. A supercontinuum radiation source and associated metrology devices
WO2023160924A1 (en) 2022-02-22 2023-08-31 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for reflecting pulsed radiation
WO2023160925A1 (en) 2022-02-25 2023-08-31 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for cleaning a portion of a lithography apparatus
IL314698A (en) 2022-03-01 2024-10-01 Asml Netherlands B V Device and methods for filtering radiation measurement
EP4250010A1 (en) 2022-03-25 2023-09-27 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4242744A1 (en) 2022-03-09 2023-09-13 ASML Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
EP4246231A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses
EP4246232A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU Illumination arrangement for a metrology device and associated method
WO2023174648A1 (en) 2022-03-18 2023-09-21 Stichting Vu Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4254068A1 (en) 2022-03-28 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof
EP4254266A1 (en) 2022-03-29 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Methods related to an autoencoder model or similar for manufacturing process parameter estimation
EP4296780A1 (en) 2022-06-24 2023-12-27 ASML Netherlands B.V. Imaging method and metrology device
WO2023194036A1 (en) 2022-04-05 2023-10-12 Asml Netherlands B.V. Imaging method and metrology device
EP4273622A1 (en) 2022-05-02 2023-11-08 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
WO2023194049A1 (en) 2022-04-08 2023-10-12 Asml Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4261618A1 (en) 2022-04-14 2023-10-18 ASML Netherlands B.V. A method of determining a correction for control of a lithography and/or metrology process, and associated devices
EP4279993A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
WO2023208487A1 (en) 2022-04-25 2023-11-02 Asml Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
WO2023213527A1 (en) 2022-05-03 2023-11-09 Asml Netherlands B.V. Illumination mode selector and associated optical metrology tool
EP4276537A1 (en) 2022-05-09 2023-11-15 ASML Netherlands B.V. Illumination mode selector and associated optical metrology tool
WO2023222310A1 (en) 2022-05-16 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
EP4279992A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
WO2023222342A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Measurement of fabrication parameters based on moiré interference pattern components
WO2023222349A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Single pad overlay measurement
EP4279994A1 (en) 2022-05-20 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
WO2023222328A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
EP4303655A1 (en) 2022-07-04 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. A membrane and associated method and apparatus
WO2023232360A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for determining a failure event on a lithography system and associated failure detection module
WO2023232408A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. A membrane and associated method and apparatus
WO2023232397A1 (en) 2022-06-02 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device
EP4328670A1 (en) 2022-08-23 2024-02-28 ASML Netherlands B.V. Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device
EP4296779A1 (en) 2022-06-21 2023-12-27 ASML Netherlands B.V. Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device
WO2023232478A1 (en) 2022-06-02 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device
EP4289798A1 (en) 2022-06-07 2023-12-13 ASML Netherlands B.V. Method of producing photonic crystal fibers
EP4300193A1 (en) 2022-06-27 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Focus measurment and control in metrology and associated wedge arrangement
EP4300183A1 (en) 2022-06-30 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Apparatus for broadband radiation generation
EP4303658A1 (en) 2022-07-05 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. Method of correction metrology signal data
WO2024012772A1 (en) 2022-07-14 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Metrology target and associated metrology method
EP4312079A1 (en) 2022-07-29 2024-01-31 ASML Netherlands B.V. Methods of mitigating crosstalk in metrology images
EP4312005A1 (en) 2022-07-29 2024-01-31 Stichting VU Method and apparatuses for fourier transform spectrometry
EP4318131A1 (en) 2022-08-01 2024-02-07 ASML Netherlands B.V. Sensor module, illuminator, metrology device and associated metrology method
WO2024033036A1 (en) 2022-08-08 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4321933A1 (en) 2022-08-09 2024-02-14 ASML Netherlands B.V. A radiation source
WO2024033005A1 (en) 2022-08-09 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Inference model training
EP4361726A1 (en) 2022-10-24 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. Inference model training
WO2024033035A1 (en) 2022-08-10 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4332678A1 (en) 2022-09-05 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. Holographic metrology apparatus and method
WO2024052057A1 (en) 2022-09-06 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring proper functioning of one or more components of a lithography system
WO2024052012A1 (en) 2022-09-07 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4336262A1 (en) 2022-09-07 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4336251A1 (en) 2022-09-12 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. A multi-pass radiation device
WO2024056296A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
WO2024078813A1 (en) 2022-10-11 2024-04-18 Asml Netherlands B.V. An aberration correction optical system
EP4354224A1 (en) 2022-10-11 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. Method for operating a detection system of a metrology device and associated metrology device
EP4354200A1 (en) 2022-10-11 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. An aberration correction optical system
WO2024083559A1 (en) 2022-10-17 2024-04-25 Asml Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4357853A1 (en) 2022-10-17 2024-04-24 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4361703A1 (en) 2022-10-27 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. An illumination module for a metrology device
EP4372462A1 (en) 2022-11-16 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A broadband radiation source
EP4371949A1 (en) 2022-11-17 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A fiber manufacturing intermediate product and method of producing photonic crystal fibers
EP4371951A1 (en) 2022-11-17 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A method of producing photonic crystal fibers
EP4372463A1 (en) 2022-11-21 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. Method and source modul for generating broadband radiation
EP4375744A1 (en) 2022-11-24 2024-05-29 ASML Netherlands B.V. Photonic integrated circuit for generating broadband radiation
WO2024115048A1 (en) 2022-12-02 2024-06-06 Asml Netherlands B.V. Method for labeling time series data relating to one or more machines
WO2024120709A1 (en) 2022-12-07 2024-06-13 Asml Netherlands B.V. Supercontinuum radiation source
WO2024153407A1 (en) 2023-01-16 2024-07-25 Asml Netherlands B.V. Focus metrology method and associated metrology device
EP4400913A1 (en) 2023-01-16 2024-07-17 ASML Netherlands B.V. Focus metrology method and associated metrology device
WO2024153591A1 (en) 2023-01-20 2024-07-25 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for patterning process performance determination
WO2024153392A1 (en) 2023-01-20 2024-07-25 Asml Netherlands B.V. System and method for producing supercontinuum radiation
EP4407372A1 (en) 2023-01-30 2024-07-31 ASML Netherlands B.V. System and method for producing supercontinuum radiation
WO2024156440A1 (en) 2023-01-24 2024-08-02 Asml Netherlands B.V. Phase generated carrier interrogator and associated phase generated carrier interrogation method
WO2024160498A1 (en) 2023-01-30 2024-08-08 Asml Netherlands B.V. Method of performing a maintenance action on a lithographic apparatus
EP4414783A1 (en) 2023-02-09 2024-08-14 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Method for nonlinear optical measurement of parameter
WO2024170230A1 (en) 2023-02-13 2024-08-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
EP4414785A1 (en) 2023-02-13 2024-08-14 ASML Netherlands B.V. Metrology method with beams incident on a target at a plurality of different angles of incidence and associated metrology tool
WO2024170186A1 (en) 2023-02-13 2024-08-22 Asml Netherlands B.V. Reticle frontside potential control with clamp burl connection
WO2024175266A1 (en) 2023-02-20 2024-08-29 Asml Netherlands B.V. Phase generated carrier interrogator and associated phase generated carrier interrogation method
EP4432007A1 (en) 2023-03-13 2024-09-18 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4431988A1 (en) 2023-03-13 2024-09-18 ASML Netherlands B.V. An illumination module for a metrology device
WO2024199864A1 (en) 2023-03-30 2024-10-03 Asml Netherlands B.V. Gas mixture for hollow core fiber used in generating broadband radiation
EP4451021A1 (en) 2023-04-17 2024-10-23 ASML Netherlands B.V. Photonic crystal fiber

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332473A (en) * 1979-01-31 1982-06-01 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members
US4999014A (en) 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
US5689339A (en) * 1991-10-23 1997-11-18 Nikon Corporation Alignment apparatus
US6153886A (en) * 1993-02-19 2000-11-28 Nikon Corporation Alignment apparatus in projection exposure apparatus
US6034378A (en) * 1995-02-01 2000-03-07 Nikon Corporation Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus
US5808742A (en) 1995-05-31 1998-09-15 Massachusetts Institute Of Technology Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks
US5805290A (en) * 1996-05-02 1998-09-08 International Business Machines Corporation Method of optical metrology of unresolved pattern arrays
JPH11121351A (ja) * 1997-10-09 1999-04-30 Nikon Corp 焦点位置検出装置のビーム調整法
AU2076699A (en) 1998-02-02 1999-08-16 Nikon Corporation Surface position sensor and position sensor
US7317531B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US7009704B1 (en) 2000-10-26 2006-03-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay error detection
WO2002065545A2 (en) 2001-02-12 2002-08-22 Sensys Instruments Corporation Overlay alignment metrology using diffraction gratings
US6699624B2 (en) 2001-02-27 2004-03-02 Timbre Technologies, Inc. Grating test patterns and methods for overlay metrology
KR100536646B1 (ko) 2001-03-02 2005-12-14 액센트 옵티칼 테크놀로지스 인코포레이티드 산란 측정법을 이용한 라인 프로파일 비대칭 측정
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
US6458605B1 (en) * 2001-06-28 2002-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling photolithography overlay registration
US7193715B2 (en) 2002-11-14 2007-03-20 Tokyo Electron Limited Measurement of overlay using diffraction gratings when overlay exceeds the grating period
US7230703B2 (en) 2003-07-17 2007-06-12 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings
US7271921B2 (en) * 2003-07-23 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for determining surface layer thickness using continuous multi-wavelength surface scanning
AU2003300005A1 (en) 2003-12-19 2005-08-03 International Business Machines Corporation Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method
TWI288307B (en) * 2004-04-30 2007-10-11 United Microelectronics Corp Method of measuring the overlay accuracy of a multi-exposure process
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US20060117293A1 (en) 2004-11-30 2006-06-01 Nigel Smith Method for designing an overlay mark
JP2006165371A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc 転写装置およびデバイス製造方法
US7528953B2 (en) 2005-03-01 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging
TWI286196B (en) * 2006-02-22 2007-09-01 Ind Tech Res Inst Methods and systems for determining overlay error based on target image symmetry
US7561282B1 (en) * 2006-03-27 2009-07-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Techniques for determining overlay and critical dimension using a single metrology tool
US7415319B2 (en) 2006-04-04 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528941B2 (en) 2006-06-01 2009-05-05 Kla-Tencor Technolgies Corporation Order selected overlay metrology
US7564554B2 (en) * 2006-06-30 2009-07-21 Intel Corporation Wafer-based optical pattern recognition targets using regions of gratings
US20080018897A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Nanometrics Incorporated Methods and apparatuses for assessing overlay error on workpieces
JP4293223B2 (ja) 2006-10-16 2009-07-08 日本電気株式会社 プログラム並列化装置及びその方法並びにプログラム
US7599064B2 (en) * 2007-03-07 2009-10-06 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method, substrate for use in the methods
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.

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