KR102102302B1 - 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 - Google Patents
회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102102302B1 KR102102302B1 KR1020177006830A KR20177006830A KR102102302B1 KR 102102302 B1 KR102102302 B1 KR 102102302B1 KR 1020177006830 A KR1020177006830 A KR 1020177006830A KR 20177006830 A KR20177006830 A KR 20177006830A KR 102102302 B1 KR102102302 B1 KR 102102302B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- grating
- image
- diffraction
- substrate
- composite
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 107
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 39
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012567 pattern recognition method Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706849—Irradiation branch, e.g. optical system details, illumination mode or polarisation control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
기판(100) 상의 제 1 격자(110)와 제 2 격자(120) 간의 오버레이 오차를 결정하는 방법이 제공되며, 상기 제 2 격자(120)는 상기 제 1 격자(110)의 최상부 상에 있고, 상기 제 2 격자(120)는 상기 제 1 격자(110)와 실질적으로 동일한 피치(P1)를 가지고, 상기 제 2 격자 및 상기 제 1 격자는 복합 격자(110, 120)를 형성하며, 상기 방법은, 상기 복합 격자(110, 120)를 상기 기판의 표면을 따르는 제 1 수평 방향(D1)을 따라 소정의 입사 각(β)으로 조명하는 제 1 조명 빔(IB)을 제공하는 단계; 상기 복합 격자(110, 120)로부터 1차 회절 빔(B+)의 제 1 세기(i+)를 측정하는 단계; 상기 복합 격자(110, 120)를 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 수평 방향(D2)을 따라 소정의 입사 각(-β)으로 조명하는 제 2 조명 빔을 제공하는 단계 - 제 2 수평 방향(D2)은 제 1 수평 방향(D1)과 대향됨 -; 및 상기 복합 격자(110, 120)로부터 -1차 회절 빔(B-)의 제 2 세기(i-)를 측정하는 단계를 포함한다.
Description
관련 출원들에 대한 원용
본 출원은 2007년 12월 17일에 출원되었고 본 명세서에 전문이 인용 참조되는 미국 가출원 61/006,073의 우선권을 주장한다.
본 발명은 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴(diffraction based overlay metrology tool) 및 회절 기반 오버레이 메트롤로지의 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행한 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 프로세싱 동안, 기판 상의 연속하는 층들에서의 패턴들의 배치는 기판 상에서의 디바이스 피처들의 정확한 형성(definition)을 위해 가능한 한 정밀하게 이루어져야 하며, 상기 피처들 모두는 규정된 공차 내의 크기를 가져야 한다. 오버레이 오차(즉, 연속하는 층들 간의 부정합)는 기능적인 디바이스들을 생성하기 위해 잘-형성된 공차들 내에 있어야 한다.
이를 위하여, 패턴 최상부 상의 레지스트 층에 정의된 바와 같은 마스크 패턴과 기판 상의 패턴의 오버레이 오차를 결정하기 위해 오버레이 측정 모듈이 일반적으로 이용된다.
오버레이 측정 모듈은 통상적으로 광학기를 이용한 측정을 수행한다. 기판 상 패턴의 위치에 대한 레지스트 층 내의 마스크 패턴의 위치는 광 소스에 의하여 조명되는 광학 마커들로부터의 광학적 응답을 측정함으로써 결정된다. 광학 마커에 의하여 발생되는 신호는 센서 장치에 의하여 측정된다. 센서들의 출력을 이용하면 오버레이 오차가 유도될 수 있다. 통상적으로, 오버레이 오차가 측정되는 패턴들은 타겟부들 사이의 스크라이브 레인(scribe lane) 내에 배치된다.
오버레이 메트롤로지에 대한 2 가지 기본 개념이 알려져 있다.
첫 번째 개념은 이미지에 기반한 오버레이 오차의 측정에 관한 것이다. 기판 상의 패턴 이미지의 위치는 레지스트 층 내의 마스크 패턴의 위치와 비교된다. 이 비교로부터 오버레이 오차가 결정된다. 오버레이 오차 측정을 위한 예시적 구조체로는, 외측 박스의 위치에 대해 외측 박스 내의 내측 박스의 위치가 측정되는 소위 박스-인-박스 구조체(box-in-box structure)가 있다.
이미지 기반 오버레이 오차 측정은 진동에 민감하며 측정 동안의 포커스의 질에도 민감할 수 있다. 이러한 이유로, 이미지 기반 오버레이 오차 측정은 트랙 시스템 내에서와 같이 진동이 발생되는 환경에서는 정확도가 떨어진다. 또한, 이미지 기반 오버레이 오차 측정은 광학기의 수차에도 영향을 받기 쉬우며, 이는 측정의 정확도를 더욱 떨어뜨릴 수 있다.
두 번째 개념은 회절에 기반한 오버레이 오차의 측정에 관한 것이다. 기판 상의 패턴 층에는 제 1 격자가 배치되며, 레지스트 층에는 제 1 격자와 실질적으로 동일한 피치를 갖는 제 2 격자가 배치된다. 제 2 격자는 대체로 제 1 격자의 최상부 상에 배치된다. 서로 포개지는 제 1 격자와 제 2 격자에 의하여 생성되는 회절 패턴의 세기를 측정함으로써, 오버레이 오차에 대한 측정치가 얻어질 수 있다. 제 1 격자와 제 2 격자 사이에 몇몇 오버레이 오차가 존재하는 경우, 이는 회절 패턴으로부터 검출가능하다.
회절 기반 오버레이 오차 측정에서는, 제 1 격자와 제 2 격자 주위의 인접한 영역들로부터 반사되는 광이 회절 패턴의 세기 수위에 간섭을 일으키기 때문에 단지 제 1 격자와 제 2 격자만 조명될 수 있다. 하지만, 다이 내의 (그리고 반드시 스크라이브 레인 내에 있을 필요는 없는) 임계(critical) 구조체들 가까이에서 오버레이 오차를 측정하려는 경향이 나타나고 있다. 또한, 회로를 위한 보다 큰 가용 면적을 갖도록 하기 위해 격자들의 크기를 줄이고자 하는 요구가 존재한다. 격자 외측 영역의 조명을 피하기 위하여 제 1 격자와 제 2 격자 상에 입사되는 조명 빔의 단면을 축소시킴으로써 이러한 요구들이 어느 정도까지는 수용될 수 있다. 하지만, 조명 빔의 최소 단면은 기본적으로 물리법칙들(law of physics)에 의하여 제한(즉, 회절로 인해 제한)된다. 이후, 빔의 회절이 발생되는 단면의 크기는 회절 한계(diffraction limit)로 지칭될 것이다.
본 발명의 목적은 개선된 회절 기반 오버레이 오차 측정 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판 표면 상의 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴 상에 포개지는 제 2 패턴 간의 오버레이 오차를 결정하기 위한 방법이 제공되며, 상기 기판은 상기 제 1 패턴 내의 제 1 격자 및 상기 제 1 격자의 최상부 상의 제 1 격자를 포함하고, 상기 제 2 격자는 상기 제 1 격자와 실질적으로 동일한 피치를 가지고, 상기 제 2 격자 및 상기 제 1 격자는 제 1 복합 격자를 형성하며, 상기 방법은: 적어도 상기 제 1 복합 격자를, 상기 기판 - 상기 기판은 고정된 위치에 있음 - 의 표면을 따르는 제 1 수평 방향을 적어도 소정의 입사 각으로 조명하는 제 1 조명 빔을 제공하는 단계, 상기 제 1 복합 격자로부터 1차 회절 빔(first order diffracted beam)의 제 1 세기를 측정하는 단계; 적어도 상기 제 1 복합 격자를, 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 수평 방향을 따라 소정의 입사 각으로 조명하는 제 2 조명 빔을 제공하는 단계 - 상기 제 2 수평 방향은 상기 제 1 수평 방향과 대향되며, 상기 기판은 고정된 위치에 있음 - , 및 상기 제 1 복합 격자로부터 -1차 회절 빔의 제 2 세기를 측정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 방법은 상기 제 1 세기와 상기 제 2 세기 간의 세기 차를 결정하는 단계를 더 포함하며, 상기 세기 차는 상기 제 1 격자와 상기 제 2 격자 간의 오버레이 오차에 비례한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 제 1 조명 빔 및 상기 제 2 조명 빔은 공통 조명 빔의 부분들이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 공통 조명 빔은 환형 단면을 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 입사 각은 상기 기판의 표면에 대해 둔각이며, 상기 표면의 법선에 대한 1차 및 -1차 회절 빔의 회절 각은 입사 각보다 작다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 입사 각은 상기 기판의 표면에 대해 실질적으로 수직하고, 상기 방법은 상기 제 1 조명 빔을 상기 제 2 조명 빔으로서 이용하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 복합 격자로부터 1차 회절 빔의 제 1 세기를 측정하는 단계 및 상기 제 1 복합 격자로부터 -1차 회절 빔의 제 2 세기를 측정하는 단계는 상기 제 1 조명 빔을 제공하는 동안 연속적으로 수행된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 방법은: 상기 제 1 조명 빔을 제공하는 경우 1차 회절 차수가 아닌 회절 차수의 빔들을 차단하는 단계; 및 상기 제 2 조명 빔을 제공하는 경우 -1차 회절 차수가 아닌 회절 차수의 빔들을 차단하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 복합 격자로부터 1차 회절 빔의 제 1 세기를 측정하는 단계는: 패턴 인식(pattern recognition)에 의하여 1차 회절 빔에 의해서만 얻어지는 복합 격자의 이미지를 검출하는 단계를 포함하고, 상기 복합 격자로부터 -1차 회절 빔에 의해서만 얻어지는 상기 복합 격자의 제 2 세기를 측정하는 단계는; 패턴 인식에 의하여 상기 -1차 회절 빔에 의해서만 얻어지는 상기 복합 격자의 이미지를 검출하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 방법은 상기 기판 상에 제 2 복합 격자를 제공하는 단계 - 상기 제 2 복합 격자는 상기 제 1 패턴 내의 제 3 격자 및 상기 제 3 격자의 최상부 상의 제 4 격자에 의하여 형성되고, 상기 제 3 격자 및 상기 제 4 격자는 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자와 실질적으로 동일한 피치를 가지고, 상기 제 1 복합 격자는 격자 방향을 따르는 시프트 방향으로 제 1 시프트를 가지고 바이어싱되고(biased) 상기 제 2 복합 격자는 상기 격자 방향을 따르는 상기 시프트 방향으로 제 2 시프트를 가지고 바이어싱되며, 상기 제 1 시프트는 상기 제 2 시프트와는 상이함 - ; 상기 제 2 복합 격자를, 상기 기판 - 상기 기판은 고정된 위치에 있음 - 의 표면을 따르는 제 1 수평 방향을 따라 소정의 입사 각으로 조명하는 제 1 조명 빔을 제공하고, 상기 제 2 복합 격자로부터 1차 회절 빔의 제 1 세기를 측정하는 단계; 및 상기 제 2 복합 격자를, 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 수평 방향을 따라 상기 입사 각으로 조명하는 제 2 조명 빔을 제공하고, 상기 제 2 복합 격자로부터 -1차 회절 빔의 제 2 세기를 측정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기판의 표면 상의 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴 상에 포개지는 제 2 패턴 간의 오버레이 오차를 결정하도록 구성되는 검출시스템이 제공되며, 상기 검출시스템은, 조명 소스, 복수의 렌즈, 어퍼처 스톱(aperture stop) 및 이미지 검출기를 포함하며, 상기 복수의 렌즈는 기판을 유지하기 위한 상기 기판의 위치와 상기 이미지 검출기 사이의 광학 경로를 따라 배치되며; 상기 기판은 상기 제 1 패턴 내의 제 1 격자 및 상기 제 1 격자의 최상부 상의 제 2 격자를 포함하고, 상기 제 2 격자는 상기 제 1 격자와 동일한 피치를 가지며, 상기 제 2 격자 및 상기 제 1 격자는 복합 격자를 형성하며; 상기 조명 소스는 상기 복합 격자를, 상기 기판의 표면을 따르는 제 1 수평 방향을 따라 소정의 입사 각으로 조명하는 제 1 조명 빔을 형성하도록 구성되고, 상기 기판은 상기 기판 위치에 있으며; 상기 이미지 검출기는 상기 복합 격자로부터 1차 회절 빔을 수용하도록 구성되며; 상기 조명 소스는 기판의 복합 격자를, 상기 기판의 표면을 따르는 제 2 수평 방향을 따라 소정의 입사 각으로 조명하는 제 2 조명 빔을 형성하도록 구성되고, 상기 제 2 수평 방향은 상기 제 1 수평 방향과 대향되고, 상기 기판은 상기 기판 위치에 있으며, 상기 이미지 검출기는 상기 복합 격자로부터 -1차 회절 빔을 수용하도록 구성된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상술된 바와 같이 기판의 표면 상의 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴 상에 포개지는 제 2 패턴 간의 오버레이 오차를 결정하기 위한 검출시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
이하, 대응되는 참조 부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 단지 예시의 방법으로 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2a, 2b, 2c는 일 실시예에 따른 회절을 토대로 한 오버레이 오차 메트롤로지를 예시한 도;
도 3a, 3b는 각각 제 1 측정과 제 2 측정 동안의 본 발명의 일 실시예에 따른 회절 기반 오버레이 오차 검출시스템을 나타낸 도;
도 4a는 오버레이 오차의 함수로서 -1차 회절 빔 및 1차 회절 빔의 세기의 예시적 측정치들을 예시한 도;
도 4b는 오버레이 오차의 함수로서 -1차 회절 빔과 1차 회절 빔 간의 세기의 차이를 예시한 도;
도 5는 본 발명에 따라 결정된 회절 기반 오버레이 오차와 이미지 기반 오버레이 오차 간의 상관관계를 나타낸 도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
도 2a, 2b, 2c는 일 실시예에 따른 회절을 토대로 한 오버레이 오차 메트롤로지를 예시한 도;
도 3a, 3b는 각각 제 1 측정과 제 2 측정 동안의 본 발명의 일 실시예에 따른 회절 기반 오버레이 오차 검출시스템을 나타낸 도;
도 4a는 오버레이 오차의 함수로서 -1차 회절 빔 및 1차 회절 빔의 세기의 예시적 측정치들을 예시한 도;
도 4b는 오버레이 오차의 함수로서 -1차 회절 빔과 1차 회절 빔 간의 세기의 차이를 예시한 도;
도 5는 본 발명에 따라 결정된 회절 기반 오버레이 오차와 이미지 기반 오버레이 오차 간의 상관관계를 나타낸 도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는, 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 데 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 그들의 여하한의 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스(SO) 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스(SO)는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터(IL)의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면이 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖도록 하기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)를 가로지른 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 상기 투영 시스템(PS)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부(C)의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부(C)의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2a, 2b, 2c는 일 실시예에 따른 회절 오버레이 메트롤로지에 사용될 수 있는 2 개의 오버래핑 격자들과 조명 빔 간의 상호작용을 예시하고 있다.
도 2a에는, 제로 오버레이 오차를 나타내는 복합 격자(110, 120)의 단면이 도시되어 있다.
기판(100) 상에는 제 1 격자(110) 및 제 2 격자(120)를 포함하는 복합 격자가 구성되어 있다. 제 1 격자(110)는 기판 재료에 패터닝되고 격자 방향(X1)을 따르는 제 1 주기 구조체(first periodic structure)를 포함한다.
일 실시예에서, 제 1 격자의 주기 구조체는 제 2 라인(112)들이 개재되는 복수의 제 1 라인(111)을 포함한다. 주기 구조체는 층(115) 내에 형성된다.
간명함을 위해서, 도 2a에는 단 하나의 제 1 라인(111)과 인접한 하나의 제 2 라인(112)에만 참조 부호가 표시되어 있다.
격자(110)의 피치(P)는 하나의 제 1 라인(111) 및 하나의 제 2 라인(112)의 폭과 같다.
당업자라면 이해할 수 있듯이, 제 2 라인(112)은 기판 재료와는 상이한 재료로 채워지는 제 1 라인들(111) 사이의 트렌치들로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판 재료는 실리콘이고 트렌치 재료는 실리콘 다이옥사이드 같은 유전체 또는 텅스텐이나 구리 같은 금속이다.
제 1 격자(110)의 최상부 상에는, 제 2 격자(120)가 존재한다. 제 2 격자는 제 2 주기 구조체로 이루어진다.
도시된 실시예에서, 제 2 주기 구조체는 격자 방향(X1)을 따라 트랜치(122)가 개재되는 복수의 라인(121)을 포함한다.
이 예시에서, 라인(121)은 제 1 격자(110)의 제 2 라인(112)들의 최상부 상에 위치된다. 제 2 격자(120)는 하나의 트렌치(122) 및 하나의 라인(121)의 폭과 같은 방향 X1으로의 피치(P')를 갖는다. 제 2 격자(120)의 피치(P')는 제 1 격자(110)의 피치(P)와 실질적으로 같아지도록 선택된다. 일 실시예에서, 제 2 격자(120)의 라인(121)은 제 1 격자(110)의 제 2 라인(112)과 실질적으로 같은 폭을 가질 수 있다.
대안적으로, 제 2 격자(120)의 라인(121)은 제 1 격자(110)의 제 1 라인(111)의 최상부 상에 배치될 수 있다.
제 2 격자는 레지스트 층(125) 내에 형성되는 패턴일 수 있다.
도 2a의 경우에, 제 1 격자(110) 및 제 2 격자(120)의 정렬은 완전무결하며, 부정합(mismatch)은 이상적으로 0이다(이는 제로 오버레이 오차로 지칭될 것이다). 제 2 격자(120)의 라인(121)들은 제 1 격자(110)의 제 2 라인(112)들과 완전히 정렬된다.
도 2a에는, 조명 빔(IB)과 복합 격자(110, 120) 간의 상호작용에 대한 실시예가 개략적으로 도시되어 있다.
이 실시예에서, 조명 빔(IB)은 격자 방향(X1)으로 둔각인 제 1 입사각(β)으로 격자 구조체 상에 입사된다. 상기 입사각(β)은 표면 법선(n)에 대해 취해진다. 조명 빔(IB)은 복합 격자(110, 120)에 의하여 산란되고(scatter), 적어도 2 개의 1차 및 0차 회절 빔(B+ 및 B0)을 각각 형성한다. 각각, 1차 회절 빔(B+)은 [표면 법선(n)에 대해] 각도 θ로 기판을 떠나며, 0차 회절 빔은 정반사되어 떠난다. 복합 격자(110, 120)의 피치(P) 및 조명 빔(IB)의 파장은 회절 조건을 충족시키도록 선택된다는 데 유의하여야 한다. 도 2a에서, 회절 차수 및 조명 빔은 하나의 평면 내에 있는 것으로 도시되었으나 이는 편의에 따른 것일 뿐이다. 또한, 본 발명의 일 실시예는 회절 빔들이 조명 빔과 같은 평면 내에 있지 않는 원추형 회절(conical diffraction)의 경우에도 적용가능하다.
격자의 피치(P)(P=P')와 조명 빔(IB)의 파장의 비에 영향을 받아서, 고차 회절 빔들도 존재할 수 있으나 여기서는 무시하기로 한다.
도 2b에는 조명 빔(IB)의 둔각인 제 2 입사각에 대한, 도 2a의 복합 격자(110, 120)의 동일한 단면이 도시되어 있다.
도 2b에서, 조명 빔(IB)은 둔각인 제 2 입사각(-β)으로 격자 구조체 상에 입사된다. 제 2 입사각(-β)은 실질적으로 제 1 입사각과 같은 크기를 갖지만, 비교해보면 격자 방향(X1)을 따라 대향되는 방향으로 지향된다. 제 2 입사각(-β)은 표면 법선(n)에 대해 취해진다.
조명 빔(IB)은 복합 격자(110, 120)에 의하여 산란되고, (적어도) 2 개의 (-)1차 및 0차 회절 빔(B-, B0)을 각각 형성하며, 상기 2 개의 회절 빔은 각각 각도(-θ)로 그리고 정반사로 기판을 떠난다.
회절 빔(B+)은 1차 회절 차수를 나타내며, 회절 빔(B-)은 -1차 회절 차수를 나타낸다. 제 1 격자 및 제 2 격자가 완전하게 정렬된다는 사실로 인하여, 복합 격자는 대칭이다 - 즉, 제 1 격자(110)의 제 2 라인(112)들은 복합 라인들(112, 121)로서 제 2 격자(120)의 라인(121)들과 일치한다 - . 복합 격자의 대칭의 결과로서, 회절 패턴 또한 대칭이다 - 즉, 1차 회절 빔(B+)의 세기(I+)는 -1차 회절 빔(B-)의 세기(I-)와 실질적으로 같다 - .
여기서, I+0은 대칭 복합 격자에 대한 1차 회절 빔의 세기를 나타낸다.
도 2c에는, 비-제로 오버레이 오차를 나타내는 복합 격자(110, 120)의 단면이 도시되어 있다. 제 2 격자(120)의 라인(121)들에는 제 1 격자의 제 2 라인(112)에 대한 오버레이 오차(오정렬)(ε)가 표시되어 있다. 결과적으로, 도 2c에 도시된 복합 격자는 비대칭이다 - 즉, 제 2 격자(120)의 라인(121)들은 제 1 격자(110)의 제 2 라인(112)들과 비교하여 거리 ε만큼 시프트된다 - .
비대칭으로 인하여, 이 경우에는 둔각인 제 1 입사각(β)으로 측정되는 1차 회절 빔(B+)의 세기(I+)가 둔각인 제 2 입사각(-β)으로 측정된 -1차 회절 빔(B-)과 같지 않다.
작은 오버레이 오차들에 대하여, 회절 빔의 세기 변화는 오버레이 오차에 선형적으로 비례한다. 오버레이 오차(ε)의 함수로서 1차 회절 빔(B+)의 세기(I+)는 양호한 근사치(good approximation)를 갖는다.
여기서, K는 비례 인자(proportionality factor)이다.
-1차 회절 빔(B-)의 세기(I-)는 다음과 같이 근사화된다.
차이 
를 취함으로써, 오버레이 오차(ε)와 선형적으로 스케일링된(scales linearly) 신호가 얻어진다.
비례 인자(K)에 대해서는 보다 상세히 후술될 것이다.
추가 실시예에서, 오버레이 메트롤로지는 복합 격자(110, 120) 상에 각각 실질적으로 수직 입사하는 제 1 조명 빔(IB1) 및 제 2 조명 빔(IB2)의 이용을 포함할 수 있다. 당업자라면, 이러한 실시예에서 제 1 조명 빔(IB1) 및 제 2 조명 빔(IB2)이 일치하며 단일 조명 빔으로서 제공된다는 것을 이해하여야 한다. 제 1 조명 빔은 제 2 조명 빔으로서 사용될 수 있다. 또한, 조명 빔의 수직 입사 하에서는, 1차 회절 빔(B+) 및 -1차 회절 빔(B-)이 조성된다. 이들 빔들(B+, B-)의 세기는 도 2a 내지 2c와 수학식 1 내지 4를 참조하여 상술된 바와 같은 관계를 나타낸다. 이 실시예에서, 1차 및 -1차 회절 빔의 세기 차(ΔI)는 제 1 조명 빔을 이용하고 1차 및 -1차 회절 빔의 세기를 각각 연속적으로 측정함으로써 측정될 수 있다.
도 3a은 복합 격자(110, 120)를 유지하는 기판의 제 1 측정에서 본 발명의 일 실시예에 따른 회절 기반 오버레이 오차 검출시스템(이후 검출시스템으로 지칭됨)(200)을 개략적으로 도시하고 있다. 검출시스템은 본 발명의 일 실시예에서 기판을 지지하도록 구성되는 지지체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 지지체는 본 발명의 일 실시예에서 도 1의 리소그래피 장치의 기판테이블일 수 있다.
검출시스템(200)은 복수의 렌즈, 이 실시예에서는 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 포지티브 렌즈(positive lens: L1, L2, L3, L4), 어퍼처 스톱(aperture stop; DF), 및 이미지 검출기(ID)를 포함한다.
검출시스템(200) 내에는, 복합 격자(110, 120)가 둔각인 입사각으로 조명 빔(IB)에 의하여 조명될 수 있는 기판 위치로부터 복합 격자의 이미지가 이미지 검출기(ID) 상으로 투영될 수 있는 위치까지 연장되는 광학 축(OP)이 배치된다.
예를 들어, 이미지 검출기(ID)는 CCD 카메라일 수 있다. 조명된 영역은 격자의 영역보다 크다. 다시 말해서, 그 주변 환경까지 조명된다. 이는 "오버필(overfill)"이라 지칭된다.
광학 축(OP)을 따라, 복합 격자(110, 120)의 이미지가 검출시스템(200)의 이미지 검출기(ID) 상에 투영될 수 있는 방식으로 광학 축선 상에 각각의 중심을 갖는 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 포지티브 렌즈(L1, L2, L3, L4)가 배치된다.
제 1 렌즈(L1)는 기판(100) 상의 복합 격자(110, 120)가 배치될 수 있는 기판 위치 위에 위치된다. 제 1 렌즈와 기판 위치 간의 거리는 제 1 렌즈(L1)의 초점 거리(f1)와 실질적으로 같다. 제 1 렌즈(L1)로부터의 소정 거리에는, 광학 축(OP)을 따라 제 2 및 제 3 렌즈(L2, L3)가 쌍으로 배치된다. 제 4 렌즈(L4)는 이미지 검출기(ID)의 투영 렌즈로서 배치된다. 제 3 렌즈(L3)와 제 4 렌즈(L4) 사이에는, 어퍼처 스톱(DF)이 배치된다.
측정 동안, 복합 격자(110, 120)를 갖는 기판이 기판 위치에 배치된다. 복합 격자(110, 120)는 사전설정된 위치(Q로 표시됨)에 있다. 제 1 조명 빔(IB1)은 기판의 표면을 따르는 제 1 수평 방향(화살표 D1으로 표시됨)에서 둔각의 입사각 하에 비대칭 조명 모드로 사용된다. 예를 들어, 제 1 조명 빔은 기판의 표면을 따라 제 1 수평 방향을 따르는 구성요소를 갖는 방향을 따라 전파된다. 제 1 조명 빔(IB1)은 제 1 렌즈(L1)로 들어가서 제 1 렌즈를 통과한 후에 회절 각도(θ)의 1차 회절 차수 빔(B+)을 생성하는 각도로 복합 격자 상에 입사되는 방식으로 구성된다. 결과적으로, 1차 회절 차수 빔(B+)은 이후 기판의 표면에서 회절되며, 0차 회절 빔(B0)은 정반사로(이 예시에서는 각도 2θ로) 회절된다.
1차 회절 빔(B+) 및 0차 회절 빔(B0)은 제 1 렌즈(L1)를 통과한다. 복합 격자는 제 1 렌즈(L1)의 초점 거리(F1)에 있기 때문에, 1차 및 0차 회절 빔(B+, B0)은 제 1 렌즈(L1)를 통과한 후에 평행하게 지향된다.
다음으로, 1차 및 0차 회절 빔(B+, B0)은 제 2 렌즈(L2)를 통과한다. 1차 회절 빔(B+)은 광학 축과 실질적으로 일치하고 제 2 렌즈(L2)의 중심을 통과한다. 0차 회절 빔(B0)은 제 2 렌즈(L2)를 축을 이탈하여(off-axis) 통과하고, 통과 후에는 제 2 렌즈(L2)의 초점을 통하여 지향된다.
제 3 렌즈(L3)는 제 2 렌즈(L2)의 초점(F2)과 일치하는 초점(F3)으로 배치된다.
1차 회절 빔(B+)은 제 3 렌즈의 광학 축과 일치하고 제 3 렌즈(L3)의 중심을 통과하며 계속해서 광학 축 상에 있는다. 0차 회절 빔(B0)은 제 3 렌즈를 축을 이탈하여 통과한다. 제 2 렌즈 및 제 3 렌즈의 초점들(F2, F3)이 일치한다는 사실로 인하여, 0차 회절 빔은 제 3 렌즈(L3)를 통과한 후에 광학 축과 실질적으로 평행하게 된다.
제 3 렌즈(L3) 다음에는 광학 축 상에 어퍼처 스톱(DF)이 위치되며 0차 회절 차수를 차단하도록 구성된다. 어퍼처 스톱(DF)은 광학 축(OP) 상의 1차 회절 빔(B+)은 통과시키고 0차 회절 빔(B0)은 차단시킨다. 이러한 방식으로, 카메라의 이미지가 1차 회절 차수에 의해서만 형성되고 0차 회절 차수에 의해서는 형성되지 않는다. 이 이미징 모드는 통상적으로 "다크-필드(dark-field)" 이미징이라 지칭된다. 어퍼처 스톱(DF)은 0차 회절 빔(B0)은 차단하고 1차 회절 빔(B+)은 통과시키는 폭을 갖도록 구성된다.
결과적으로, 단지 1차 또는 -1차 회절 차수만을 이용하여 CCD 카메라에 복합 격자의 이미지가 형성된다. 그 다음, 당업자에게 알려진 적합한 이미지 프로세싱 및 패턴 인식 알고리즘이 복합 격자 주위의 제품 구조체들(product structures)로부터 복합 격자를 식별하는 데 이용될 수 있다. 어퍼처 스톱의 적용은 회절 한계보다 큰 단면 크기를 갖는 조명 빔을 이용할 수 있게 하는 한편, 격자의 크기는 회절 한계에 의해 나타나는 것보다 작을 수 있다.
마지막으로, 1차 회절 빔(B+)은 제 4 렌즈(L4)를 통과하며, 이는 이미지 검출기(ID) 상에 1차 회절 빔(B+)을 이미징하기 위해 배치된다.
이러한 방식으로, 1차 회절 빔(B+)로부터 생성된 복합 격자(110, 120)의 이미지가 이미지 검출기(ID) 상에 투영된다. 이미지는 하나의 고차(1차) 회절 차수에 의해서만 형성되기 때문에, 이미지는 개별 격자 라인들의 변조(modulation)를 나타내지 않는다.
1차 회절 차수는 표면에 대해 정확히 직각을 이룰 필요는 없다는 데 유의하여야 한다. 1차 회절 차수는 (어떠한 다른 차수들이 어퍼처 스톱을 지나가지 않고) 어퍼처 스톱에 의해 투과되는 한 웨이퍼 표면과 어떠한 각도도 이룰 수 있다.
이미지 검출기 상에 기록된(registered) 복합 격자(110, 120)의 이미지로부터, 세기(I+)가 결정될 수 있다. 격자의 이미지의 정밀한 배치는 패턴 인식 알고리즘을 이용하여, 예를 들어 에지 검출에 의해 결정될 수 있다.
도 3b는 복합 격자(110, 120)를 유지하는 기판의 제 2 측정에 있어서의, 본 발명의 일 실시예에 따른 회절 기반 오버레이 오차 검출시스템을 개략적으로 도시하고 있다.
도 3b에서 앞의 도면들에 도시된 것과 같은 참조 부호를 갖는 개체는 대응되는 개체들을 나타낸다.
제 2 측정에서, 복합 격자(110, 120)는 도 3a에 도시된 바와 같이 제 1 측정 동안 이용되는 것처럼 제 1 수평 방향(D1)과 대향되는 제 2 수평 방향(화살표 D2로 표시됨)으로 제 2 조명 빔(IB2)에 의하여 비대칭으로 조명된다. 예를 들어, 제 2 조명 빔은 기판의 표면을 따르는 제 1 수평 방향을 따른 구성요소를 갖는 방향을 따라 전파된다. 복합 격자는 제 1 측정 동안과 같은 사전설정된 위치(Q)에서 유지된다.
이러한 조건들 하에서, -1차 회절 빔(B-)은 이후 기판의 표면과 직각으로 회절되며 0차 회절 빔(B0)은 각도 θ로 회절된다. 어퍼처 스톱(DF)은 0차 회절 빔(B0)은 차단시키고 -1차 회절 빔(B-)은 통과시키는 폭을 갖도록 구성된다.
결과적으로, 제 2 측정 동안 -1차 회절 빔(B-)으로부터 생성된 복합 격자(110, 120)의 이미지가 이미지 검출기(ID) 상에 투영된다. 이미지 검출기(ID) 상에 기록된 복합 격자(110, 120)의 이미지로부터, 세기(I-)가 결정될 수 있다. 또한, 세기의 측정이 수행되어야 하는 CCD 상의 영역을 식별하는 데 패턴 인식 기술이 이용될 수 있다.
상이한 실시예에서는, 조명 빔이 실질적으로 수직한 입사를 갖는다는 데 유의하여야 한다. 당업자라면 이해할 수 있듯이, 이 실시예는 상이하지만, 제 1 예시에서는 1차 회절 빔만을 통과시키고 제 2 예시에서는 -1차 회절 빔만을 통과시킨다는 점에서 기능적으로는 동등한 조명/검출 레이아웃을 이용할 수 있다.
또한, 둔각의 입사를 필요로 하지 않지만, 둔각의 입사는 보다 작은 피치를 갖는 격자들을 이용할 수 있기 때문에 바람직할 수도 있다는 점에 유의하여야 한다.
상술된 바와 같이, 1차 회절 빔(B+)의 세기(I+)와 -1차 회절 빔(B-)의 세기(I-)의 차이는 수학식 4에 따른 오버레이 오차(ε)에 비례한다. 비례 인자(K)는 프로세싱 조건들, 조명 빔의 파장, 회절 각 및 편광에 영향을 받는다. 당업자라면 이해할 수 있듯이, 프로세스, 파장, 회절 각 및 편광의 주어진 조합에 대하여, 비례 인자의 캘리브레이션(calibration)을 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에서, 비례 인자(K)는 기판 상의 2 개의 바이어스 복합 격자(biased composite grating)의 오버레이 오차(ε)를 결정함으로써 캘리브레이트된다. 각각의 바이어스 복합 격자는 제 1 격자(110)와 제 2 격자(120) 사이에 각각의 사전설정된 잠재적 시프트(built-in shift)를 갖는다. 2 개의 바이어스 격자들은 기판 상에서 서로에 대해 고정된 위치에 있다.
제 1 바이어스 복합 격자는 격자 방향(X1)을 따르는 시프트 방향으로 제 1 잠재적 시프트(+d)를 갖는다. 제 2 바이어스 복합 격자는 격자 방향(X1)을 따라 제 1 잠재적 시프트와 같지만 부호는 반대인 제 2 잠재적 시프트(-d)를 갖는다.
오버레이 오차(ε)의 경우에, 제 1 바이어스 복합 격자는 총 오버레이 오차 ε+d를 나타내며, 제 2 바이어스 복합 격자는 총 오버레이 오차 ε-d를 나타낸다.
제 1 바이어스 복합 격자의 1차 및 -1차 회절 차수 간의 세기 차(ΔI1)와 제 2 바이어스 복합 격자의 1차 및 -1차 회절 차수 간의 세기 차(ΔI2)는,
제 1 바이어스 복합 격자에 대해서는 다음과 같이 주어지며,
제 2 바이어스 복합 격자에 대해서는 다음과 같이 주어진다.
K를 소거하면,
이 된다.
일 실시예에서, 제 1 바이어스 복합 격자 및 제 2 바이어스 복합 격자는 도 3a, 3b에 도시된 바와 같이 검출시스템에 의해 동시에 측정될 수 있다. 이미지 검출기(ID)는 제 1 바이어스 복합 격자로부터의 이미지 및 제 2 바이어스 복합 격자로부터의 이미지를 동시에 기록한다. 이미지 프로세싱 소프트웨어를 이용함으로써, 제 1 바이어스 복합 격자의 이미지의 세기 및 제 2 바이어스 복합 격자의 세기는 개별적으로 결정될 수 있다. 오버레이 오차(ε)는 수학식 5 내지 수학식 7을 이용하여 계산될 수 있다.
제 1 조명 빔(IB1) 및 제 2 조명 빔(IB2) 각각은 스침각 입사(grazing incidence) 하에 있기 때문에, 복합 격자(들) 외측의 표면 구역들(즉, 제품 영역)에서 반사되어 나가는 광은 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4 렌즈(L1, L2, L3, L4)로 이루어진 시스템을 통해 이미지 검출기(ID)에 도달하기는 쉽지 않다. 본 발명의 일 실시예에서, 제 1 조명 빔(IB1) 및/또는 제 2 조명 빔(IB2)은 격자 외측의 표면에서 반사되어 나가는 광과 복합 격자에 의하여 회절되는 광 간에 간섭을 야기하지 않고 기판 상의 복합 격자(110, 120)보다 큰 단면을 가질 수도 있다.
복합 격자와 상기 복합 격자가 내장된(embedded) 주변의 제품 영역 간의 급격한 전이(sharp transition)를 가능하게 하기 때문에 어퍼처 스톱(DF)의 개구수의 큰 값이 바람직하다. 동시에, 어퍼처 스톱(DF)은 0차 회절 빔(B0)을 차단하도록 구성되기 때문에, 어퍼처 스톱(DF)의 개구수는 충분한 0차 회절 빔의 억제와 제품 영역으로부터의 반사로 인한 충분히 낮은 크로스-토크(cross-talk) 간의 절충점이 얻어지는 상한을 갖는다. 이러한 접근법은 대략 10×10 ㎛2의 크기로 된 복합 격자의 이용이 가능하도록 실행될 수 있다.
모델링 소프트웨어는 크로스-토크가 더욱 최소화될 수 있는 제품 영역 및 내장형 복합 격자(들)의 레이아웃을 연산할 수 있다는 데 유의하여야 한다. 이러한 접근법은 대략 4×4 ㎛2의 크기를 갖는 내장형 복합 격자들을 설계할 수 있게 한다.
일 실시예에서, 어퍼처 스톱(DF)의 개구수는 대략 0.7인 한편, 제 1 렌즈의 개구수는 대략 0.95이다.
도 4a는 바이어스 격자 상의 시프트(d)의 함수로서 -1차 및 1차 회절 빔의 세기의 예시적 측정치들을 예시하고 있다.
도 4a에는, 피치 P = 660 nm를 갖는 복합 격자 및 조명 빔의 파장 λ = 700 nm에 대하여, 시프트 d를 갖는 1차 회절 빔(B+)의 세기(I+) 및 -1차 회절 빔(B-)의 세기(I-)의 변화가 도시되어 있다. 0 nm에 가까운 시프트들에 대한 세기(I+, I-)의 변화는 실질적으로 선형인 것으로 관측된다.
도 4b는 도시된 바와 같이 바이어스 격자 상의 시프트(d)의 함수로서 -1차 및 1차 회절 빔 간의 세기의 차이를 예시하고 있다. 0 nm에 가까운 시프트들에 대한 세기차(ΔI)의 변화는 실질적으로 선형인 것으로 관측된다.
도 5는 본 발명에 따라 결정된 바와 같은 이미지 기반 오버레이 오차와 회절 기반 오버레이 오차 간의 상관관계를 도시하고 있다.
다수의 예시에 대하여, 회절 기반 오버레이 오차 메트롤로지에 의하여 측정되는 것과 같은 바이어스 복합 격자들의 시프트(d) 또한 이미지 기반 오버레이 오차 메트롤로지에 의하여 측정된다. 도 5에는, (수직방향 축을 따르는) 회절에 의하여 측정되는 오버레이와 (수평방향 축을 따르는) 이미지 기반의 방법에 의하여 측정되는 오버레이의 상관관계가 도시되어 있다. 데이터의 선형 핏(linear fit)은 실선으로 예시되어 있다. 상기 방법들의 오차 내에서, 실선의 계수는 1(unity)이다. 상관관계 계수는 0.99 보다 크다.
상술된 바와 같은 조명 빔(IB)은 단일 빔이라는 데 유의하여야 한다. 대안적으로, 조명 빔은 이의 단면으로 반 환형(half an annulus)의 형상을 가질 수 있다. 그 경우에, 하나의 이분된 환형 빔에 의하여 도 3a의 비대칭 조명이 이행되는 한편, 다른 하나의 이분된 환형 빔에 의하여 도 3b에 도시된 것과 같은 반대 방향으로부터의 비대칭 조명이 이행될 수 있다.
조명 빔(IB)은 단색 램프(monochromatic lamp) 또는 레이저 소스와 같은 광 소스에 의하여 생성될 수 있다. 측정에 이용할 수 있는 시간이 짧은 경우에는 상대적으로 큰 세기를 갖는 레이저 소스가 이용될 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되었지만, 본 명세서에 기술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해하여야 한다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭하는 것일 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트로부터 떨어져 나가며, 이는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴이 남게 한다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선, X-선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그들의 조합으로 지칭할 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과는 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시에 지나지 않으며, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 후속 청구항들의 범위를 벗어나지 않는, 상술된 본 발명에 대한 수정들이 가해질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다.
Claims (19)
- 오버레이 오차를 결정하는 방법에 있어서,
기판의 표면 상의 복합 격자(composite grating)를 수직 입사각(normal angle of incidence)으로 조명하는 단계 - 상기 복합 격자는 동일한 피치를 갖는 중첩된 제 1 및 제 2 격자들(first and second superimposed gratings)을 포함함 -;
상기 복합 격자의 이미지가 투영되는 이미지 평면에서, 상기 복합 격자의 제 1 이미지에 기반하여, 상기 복합 격자로부터 회절된 빔의 제 1 세기를 결정하는 단계;
상기 이미지 평면에서, 상기 복합 격자의 제 2 이미지에 기반하여, 상기 복합 격자로부터 회절된 빔의 제 2 세기를 결정하는 단계; 및
결정된 상기 제 1 세기 및 상기 제 2 세기에 기반하여 이미지 검출기를 사용하여 중첩된 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자 간의 오버레이 오차를 결정하는 단계를 포함하는 오버레이 오차 결정 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 세기 및 상기 제 2 세기 간의 세기 차를 결정하는 단계를 더 포함하고, 상기 세기 차는 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자 간의 상기 오버레이 오차에 비례하는 오버레이 오차 결정 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 세기를 결정하는 단계는 패턴 인식(pattern recognition)을 사용하여 양의 1차 회절 빔(positive first order diffracted beam)에 의해 얻어진 상기 복합 격자의 상기 제 1 이미지를 검출하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세기를 결정하는 단계는 패턴 인식을 사용하여 음의 1차 회절 빔(negative first order diffracted beam)에 의해 얻어진 상기 복합 격자의 상기 제 2 이미지를 검출하는 단계를 포함하는 오버레이 오차 결정 방법. - 제 3 항에 있어서,
1차 회절 차수 이외의 회절 차수들을 차단하는 단계를 더 포함하는 오버레이 오차 결정 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 세기를 결정하는 단계는 패턴 인식을 사용하여 0차 회절 빔(zero order diffracted beam)에 의해 얻어진 상기 복합 격자의 상기 제 1 이미지를 검출하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 세기를 결정하는 단계는 패턴 인식을 사용하여 0차 회절 빔에 의해 얻어진 상기 복합 격자의 상기 제 2 이미지를 검출하는 단계를 포함하는 오버레이 오차 결정 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상의 추가 복합 격자를 수직인 입사각으로 조명하는 단계;
를 더 포함하고,
상기 추가 복합 격자는 제 3 격자 및 상기 제 3 격자 위의 제 4 격자를 배치하여 형성되고, 상기 제 3 격자 및 상기 제 4 격자는 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자와 실질적으로 동일한 피치를 가지며,
상기 복합 격자는 격자 방향을 따르는 시프트 방향으로 제 1 시프트만큼 바이어싱되고(biased),
상기 추가 복합 격자는 격자 방향을 따르는 시프트 방향으로 제 2 시프트만큼 바이어싱되며, 상기 제 1 시프트는 상기 제 2 시프트와 동일하지만 반대 방향인 오버레이 오차 결정 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 추가 복합 격자의 제 3 이미지에 기반하여 상기 추가 복합 격자로부터 회절된 빔의 제 3 세기를 결정하는 단계; 및
상기 추가 복합 격자의 제 4 이미지에 기반하여 상기 추가 복합 격자로부터 회절된 빔의 제 4 세기를 결정하는 단계
를 더 포함하는 오버레이 오차 결정 방법. - 검출 시스템에 있어서,
조명 소스:
- 상기 조명 소스는 수직인 입사각으로 조명 빔을 지향하여 기판의 표면 상의 복합 격자로부터 회절시키도록 구성되고, 상기 복합 격자는 동일한 피치를 갖는 중첩된 제 1 및 제 2 격자들을 포함함 -;
상기 복합 격자로부터 회절된 제 1 회절 빔 및 제 2 회절 빔을 받아들이고(receive), 상기 복합 격자의 이미지가 투영되는 이미지 평면에서, 상기 복합 격자의 이미지들에 기반하여, 상기 제 1 및 제 2 회절 빔들의 세기들을 결정하는 이미지 검출기;
상기 기판의 위치 및 상기 이미지 검출기 간의 광학 경로를 따라 배치되는 렌즈; 및
어퍼처 스톱(aperture stop)을 포함하고,
상기 이미지 검출기는 결정된 상기 제 1 및 제 2 회절 빔들의 세기들에 기반하여 중첩된 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자 간의 오버레이 오차를 결정하도록 더 구성되는 검출 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 회절 빔은 양의 1차 회절 빔을 포함하고, 상기 제 2 회절 빔은 음의 1차 회절 빔을 포함하고,
상기 이미지 검출기는 패턴 인식을 사용하여 상기 양의 1차 회절 빔 및 상기 음의 1차 회절 빔을 이용하여 상기 복합 격자의 이미지를 검출하도록 구성되는 검출 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 이미지 검출기는 패턴 인식을 사용하여 0차 회절 빔만을 이용하여 상기 복합 격자의 이미지를 검출하도록 구성되는 검출 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 렌즈는 상기 기판의 표면에 인접한 대물 렌즈 및 상기 이미지 검출기에 인접한 투영 렌즈를 포함하고, 상기 어퍼처 스톱은 상기 대물 렌즈 및 상기 투영 렌즈 간의 광학 경로를 따라 정렬되고,
상기 대물 렌즈는 제 1 개구수 값을 갖고, 상기 어퍼처 스톱은 제 2 개구수 값을 가지며, 상기 제 2 개구수 값은 상기 제 1 개구수 값보다 더 작은 검출 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 이미지 검출기는 결정된 상기 제 1 및 제 2 회절 빔들의 세기들 간의 세기 차를 결정하도록 더 구성되고, 상기 세기 차는 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자 간의 상기 오버레이 오차에 비례하는 검출 시스템. - 검출 시스템을 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
조명 소스:
- 상기 조명 소스는 수직인 입사각으로 조명 빔을 지향하여 기판의 표면 상의 복합 격자로부터 회절시키도록 구성되고, 상기 복합 격자는 동일한 피치를 갖는 중첩된 제 1 및 제 2 격자들을 포함함 -;
상기 복합 격자로부터 회절된 제 1 회절 빔 및 제 2 회절 빔을 받아들이고, 상기 복합 격자의 이미지가 투영되는 이미지 평면에서, 상기 복합 격자의 이미지들에 기반하여 상기 제 1 및 제2 회절 빔들의 세기들을 결정하는 이미지 검출기;
상기 기판의 위치 및 상기 이미지 검출기 간의 광학 경로를 따라 배치되는 렌즈; 및
어퍼처 스톱(aperture stop)을 포함하고,
상기 이미지 검출기는 결정된 상기 제 1 및 제 2 회절 빔들의 세기들에 기반하여 중첩된 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자 간의 오버레이 오차를 결정하도록 더 구성되는 리소그래피 장치. - 제 13 항에 있어서,
방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템;
패터닝 디바이스를 유지하도록 구성되는 패터닝 디바이스 지지체 - 상기 패터닝 디바이스는 상기 방사선 빔을 패터닝하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성됨 -;
상기 기판을 유지하도록 구성되는 기판 테이블; 및
상기 패터닝된 방사선 빔을 상기 기판 상으로 투영하도록 구성되는 투영 시스템을 더 포함하는 리소그래피 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 회절 빔은 양의 1차 회절 빔을 포함하고, 상기 제 2 회절 빔은 음의 1차 회절 빔을 포함하고,
상기 이미지 검출기는 패턴 인식을 사용하여 상기 양의 1차 회절 빔 및 상기 음의 1차 회절 빔을 이용하여 상기 복합 격자의 이미지를 검출하도록 구성되는 리소그래피 장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 어퍼처 스톱은 양의 1차 회절 차수 및 음의 1차 회절 차수 이외의 회절 차수의 빔들을 차단하도록 구성되는 리소그래피 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 이미지 검출기는 패턴 인식 방법에 의하여 0차 회절 빔만을 이용하여 상기 복합 격자의 이미지를 검출하도록 구성되는 리소그래피 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 렌즈는 상기 기판의 표면에 인접한 대물 렌즈 및 상기 이미지 검출기에 인접한 투영 렌즈를 포함하고, 상기 어퍼처 스톱은 상기 대물 렌즈 및 상기 투영 렌즈 간의 광학 경로를 따라 정렬되고,
상기 대물 렌즈는 제 1 개구수 값을 갖고, 상기 어퍼처 스톱은 제 2 개구수 값을 가지며, 상기 제 2 개구수 값은 상기 제 1 개구수 값보다 더 작은 리소그래피 장치. - 제 13 항에 있어서,
상기 이미지 검출기는 결정된 상기 제 1 및 제 2 회절 빔들의 세기들 간의 세기 차를 결정하도록 더 구성되고, 상기 세기 차는 상기 제 1 격자 및 상기 제 2 격자 간의 상기 오버레이 오차에 비례하는 리소그래피 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US607307P | 2007-12-17 | 2007-12-17 | |
| US61/006,073 | 2007-12-17 | ||
| PCT/NL2008/050785 WO2009078708A1 (en) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | Diffraction based overlay metrology tool and method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167014359A Division KR101717563B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187004581A Division KR102002005B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170031793A KR20170031793A (ko) | 2017-03-21 |
| KR102102302B1 true KR102102302B1 (ko) | 2020-04-21 |
Family
ID=40418855
Family Applications (11)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207031099A KR102328016B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020197028810A KR102173598B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020177006830A KR102102302B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020107015886A KR101492195B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020197007314A KR102029967B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020147031034A KR101627257B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020187004581A KR102002005B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020217037054A KR102414471B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020167014359A KR101717563B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020147027403A KR101551340B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020157005446A KR101596371B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207031099A KR102328016B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020197028810A KR102173598B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
Family Applications After (8)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107015886A KR101492195B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020197007314A KR102029967B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020147031034A KR101627257B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020187004581A KR102002005B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020217037054A KR102414471B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020167014359A KR101717563B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020147027403A KR101551340B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
| KR1020157005446A KR101596371B1 (ko) | 2007-12-17 | 2008-12-09 | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US8339595B2 (ko) |
| EP (1) | EP2223186B1 (ko) |
| JP (1) | JP5232871B2 (ko) |
| KR (11) | KR102328016B1 (ko) |
| CN (2) | CN101903832A (ko) |
| IL (5) | IL298089A (ko) |
| NL (1) | NL1036245A1 (ko) |
| SG (2) | SG10201607528VA (ko) |
| TW (1) | TWI414910B (ko) |
| WO (1) | WO2009078708A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11977338B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-05-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Defocus measurement method, correction method, and method of manufacturing semiconductor device by using the correction method |
Families Citing this family (660)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4943304B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ｎｇｒ | パターン検査装置および方法 |
| NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
| NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
| JP5429869B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-02-26 | 株式会社 Ｎｇｒ | パターン検査装置および方法 |
| KR101461457B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2014-11-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 |
| WO2011023517A1 (en) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
| NL2005459A (en) | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and corresponding lithographic apparatus. |
| WO2012022584A1 (en) | 2010-08-18 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
| US9140998B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| NL2007425A (en) | 2010-11-12 | 2012-05-15 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
| CN102540734A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 无锡华润上华科技有限公司 | 套刻测试方法 |
| US9223227B2 (en) * | 2011-02-11 | 2015-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
| WO2012126684A1 (en) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Asml Netherlands B.V. | Substrate and patterning device for use in metrology, metrology method and device manufacturing method |
| NL2009001A (en) | 2011-07-08 | 2013-01-09 | Asml Netherlands Bv | Methods and patterning devices for measuring phase aberration. |
| US8582114B2 (en) * | 2011-08-15 | 2013-11-12 | Kla-Tencor Corporation | Overlay metrology by pupil phase analysis |
| CN103748515A (zh) * | 2011-08-23 | 2014-04-23 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备以及器件制造方法 |
| NL2009508A (en) | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
| KR101761735B1 (ko) | 2012-03-27 | 2017-07-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
| NL2010458A (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background. |
| NL2010717A (en) | 2012-05-21 | 2013-11-25 | Asml Netherlands Bv | Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property. |
| JP6077647B2 (ja) | 2012-05-29 | 2017-02-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
| EP2859410B1 (en) | 2012-06-12 | 2019-11-20 | ASML Netherlands B.V. | Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| KR101983615B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-05-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 포커스를 결정하는 방법, 검사 장치, 패터닝 장치, 기판, 및 디바이스 제조 방법 |
| EP2865003A1 (en) | 2012-06-26 | 2015-04-29 | Kla-Tencor Corporation | Scanning in angle-resolved reflectometry and algorithmically eliminating diffraction from optical metrology |
| CN104471484B (zh) | 2012-07-05 | 2018-02-06 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻术的量测 |
| JP6169176B2 (ja) | 2012-07-23 | 2017-07-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 検査方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法 |
| CN103697817A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 中国航空工业第六一八研究所 | 一种基于复合光栅的新型光位移传感器及其位移补偿方法 |
| NL2011816A (en) | 2012-11-30 | 2014-06-04 | Asml Netherlands Bv | Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method. |
| WO2014138522A1 (en) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Pupil plane calibration for scatterometry overlay measurement |
| NL2012872A (en) | 2013-06-12 | 2014-12-15 | Asml Netherlands Bv | Method of determining critical-dimension-related properties, inspection apparatus and device manufacturing method. |
| WO2015000673A1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
| KR101855243B1 (ko) | 2013-08-07 | 2018-05-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
| US9189705B2 (en) | 2013-08-08 | 2015-11-17 | JSMSW Technology LLC | Phase-controlled model-based overlay measurement systems and methods |
| CN104423173B (zh) * | 2013-08-27 | 2016-09-28 | 上海微电子装备有限公司 | 套刻测量装置和方法 |
| WO2015055387A1 (en) | 2013-10-17 | 2015-04-23 | Asml Netherlands B.V. | Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| US9846132B2 (en) | 2013-10-21 | 2017-12-19 | Kla-Tencor Corporation | Small-angle scattering X-ray metrology systems and methods |
| US9885962B2 (en) * | 2013-10-28 | 2018-02-06 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for measuring semiconductor device overlay using X-ray metrology |
| US9958791B2 (en) | 2013-10-30 | 2018-05-01 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method |
| KR101890783B1 (ko) | 2013-11-26 | 2018-08-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 계측을 위한 방법, 장치 및 기판 |
| EP2884338A1 (en) | 2013-12-12 | 2015-06-17 | Mitutoyo Corporation | Method of selecting a region of interest from interferometric measurements |
| CN105830198B (zh) | 2013-12-13 | 2017-10-27 | Asml荷兰有限公司 | 辐射源、量测设备、光刻系统和器件制造方法 |
| NL2013839A (en) | 2013-12-13 | 2015-06-16 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus and methods, lithographic system and device manufacturing method. |
| WO2015086258A1 (en) | 2013-12-13 | 2015-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| US9958790B2 (en) | 2013-12-19 | 2018-05-01 | Asml Netherlands B.V. | Inspection methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method |
| US9490182B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-11-08 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of multiple patterning parameters |
| KR102221751B1 (ko) | 2014-02-03 | 2021-03-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2015121045A1 (en) | 2014-02-17 | 2015-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining edge placement error, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method |
| JP6433504B2 (ja) | 2014-02-21 | 2018-12-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | ターゲット構成の最適化及び関連するターゲット |
| CN106462078B (zh) | 2014-05-13 | 2018-10-02 | Asml荷兰有限公司 | 衬底和量测用图案形成装置、量测方法及器件制造方法 |
| JP6408610B2 (ja) | 2014-06-02 | 2018-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | メトロロジターゲットの設計方法、メトロロジターゲットを有する基板、オーバーレイの測定方法、およびデバイス製造方法 |
| NL2014938A (en) | 2014-06-30 | 2016-03-31 | Asml Netherlands Bv | Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method. |
| KR101948912B1 (ko) | 2014-07-09 | 2019-02-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사 장치, 검사 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2016015987A1 (en) | 2014-07-28 | 2016-02-04 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method |
| KR102246872B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2021-04-30 | 삼성전자 주식회사 | 포커스 계측 마크를 포함하는 포토마스크, 포커스 모니터 패턴을 포함하는 계측용 기판 타겟, 노광 공정 계측 방법, 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
| US10948421B2 (en) | 2014-08-28 | 2021-03-16 | Asml Netherlands B.V. | Laser-driven photon source and inspection apparatus including such a laser-driven photon source |
| CN107924132B (zh) | 2014-08-28 | 2021-02-12 | Asml荷兰有限公司 | 检查设备、检查方法和制造方法 |
| WO2016030227A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Method for controlling a distance between two objects, inspection apparatus and method |
| WO2016030255A2 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, target and substrate |
| WO2016034428A2 (en) | 2014-09-01 | 2016-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a property of a target structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| WO2016045945A1 (en) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and device manufacturing method |
| WO2016050453A1 (en) | 2014-10-03 | 2016-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arragnement |
| WO2016078862A1 (en) | 2014-11-21 | 2016-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus |
| CN107004060B (zh) | 2014-11-25 | 2022-02-18 | Pdf决策公司 | 用于半导体制造工艺的经改进工艺控制技术 |
| US10430719B2 (en) | 2014-11-25 | 2019-10-01 | Stream Mosaic, Inc. | Process control techniques for semiconductor manufacturing processes |
| IL297220B2 (en) | 2014-11-26 | 2024-06-01 | Asml Netherlands Bv | Metrological method, computer product and system |
| WO2016096524A1 (en) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| US9847242B2 (en) * | 2014-12-24 | 2017-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Apparatus and method for aligning two plates during transmission small angle X-ray scattering measurements |
| CN105807573B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-12-29 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 用于套刻误差检测的装置和方法 |
| WO2016124345A1 (en) | 2015-02-04 | 2016-08-11 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, metrology apparatus and device manufacturing method |
| WO2016124393A1 (en) | 2015-02-04 | 2016-08-11 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system |
| WO2016124399A1 (en) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Asml Netherlands B.V. | A method and apparatus for improving measurement accuracy |
| CN104614955B (zh) * | 2015-03-06 | 2017-01-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种复合光栅纳米光刻自动对准系统 |
| NL2016509A (en) | 2015-04-03 | 2016-10-10 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus for measuring properties of a target structure, methods of operating an optical system, method of manufacturing devices. |
| CN107771271B (zh) | 2015-04-21 | 2020-11-06 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、计算机程序及光刻系统 |
| CN107533020B (zh) * | 2015-04-28 | 2020-08-14 | 科磊股份有限公司 | 计算上高效的基于x射线的叠盖测量系统与方法 |
| WO2016176502A1 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-03 | Kla-Tencor Corporation | Computationally efficient x-ray based overlay measurement |
| KR102344379B1 (ko) | 2015-05-13 | 2021-12-28 | 삼성전자주식회사 | 실딩 패턴을 갖는 반도체 소자 |
| CN107710073B (zh) | 2015-06-12 | 2021-04-30 | Asml荷兰有限公司 | 检查设备、检查方法、光刻设备、图案化装置及制造方法 |
| JP6630369B2 (ja) | 2015-06-17 | 2020-01-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 相互レシピ整合性に基づくレシピ選択 |
| NL2016925A (en) | 2015-06-18 | 2016-12-22 | Asml Netherlands Bv | Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| WO2017016839A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus and manufacturing method |
| US10216096B2 (en) * | 2015-08-14 | 2019-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Process-sensitive metrology systems and methods |
| NL2017271A (en) | 2015-08-20 | 2017-02-22 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, substrates for use in such methods, lithographic system and device manufacturing method |
| NL2017300A (en) | 2015-08-27 | 2017-03-01 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method |
| NL2017466A (en) | 2015-09-30 | 2017-04-05 | Asml Netherlands Bv | Metrology method, target and substrate |
| KR102104843B1 (ko) | 2015-10-02 | 2020-04-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 및 리소그래피 시스템 |
| WO2017076702A2 (de) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung eines durch wenigstens einen lithographieschritt strukturierten wafers |
| DE102015221773A1 (de) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers |
| DE102016213925A1 (de) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers |
| DE102015221772A1 (de) | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers |
| CN108292108B (zh) | 2015-11-27 | 2020-06-26 | Asml荷兰有限公司 | 计量目标、方法和设备、计算机程序和光刻系统 |
| WO2017099843A1 (en) | 2015-12-08 | 2017-06-15 | Kla-Tencor Corporation | Control of amplitude and phase of diffraction orders using polarizing targets and polarized illumination |
| KR102128488B1 (ko) | 2015-12-09 | 2020-07-01 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 플렉시블 일루미네이터 |
| US11016397B2 (en) | 2015-12-17 | 2021-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Source separation from metrology data |
| WO2017102428A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arrangement |
| JP6626208B2 (ja) | 2015-12-21 | 2019-12-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法、パターニングデバイス、計測装置、リソグラフィシステム、コンピュータプログラムおよびデバイス製造方法 |
| NL2017844A (en) | 2015-12-22 | 2017-06-28 | Asml Netherlands Bv | Focus control arrangement and method |
| WO2017108411A1 (en) | 2015-12-23 | 2017-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus |
| CN113376975A (zh) | 2015-12-23 | 2021-09-10 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品 |
| NL2017930A (en) | 2015-12-31 | 2017-07-05 | Asml Netherlands Bv | Method and device for focusing in an inspection system |
| WO2017114672A1 (en) | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Metrology by reconstruction |
| KR102563921B1 (ko) | 2016-02-02 | 2023-08-04 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자 |
| WO2017140528A1 (en) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system, device manufacturing method and wavelength-selective filter for use therein |
| JP6703612B2 (ja) | 2016-02-26 | 2020-06-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、およびデバイス製造方法 |
| US10811323B2 (en) | 2016-03-01 | 2020-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
| WO2017148665A1 (en) | 2016-03-01 | 2017-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure and lithographic apparatus |
| KR102173439B1 (ko) | 2016-03-03 | 2020-11-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 리소그래피 방법, 리소그래피 셀 및 컴퓨터 프로그램 |
| US10928737B2 (en) | 2016-03-04 | 2021-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Method for characterizing distortions in a lithographic process, lithographic apparatus, lithographic cell and computer program |
| JP6731490B2 (ja) | 2016-03-07 | 2020-07-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 照明システムおよびメトロロジシステム |
| US11022896B2 (en) | 2016-03-11 | 2021-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Mark position determination method |
| US10504759B2 (en) * | 2016-04-04 | 2019-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor metrology with information from multiple processing steps |
| WO2017178220A1 (en) | 2016-04-11 | 2017-10-19 | Asml Netherlands B.V. | Metrology target, method and apparatus, target design method, computer program and lithographic system |
| WO2017178285A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Asml Netherlands B.V. | Method for adjusting actuation of a lithographic apparatus |
| KR102238466B1 (ko) | 2016-04-22 | 2021-04-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스택 차이의 결정 및 스택 차이를 사용한 정정 기술 |
| KR20180128490A (ko) | 2016-04-29 | 2018-12-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 구조체의 특성을 결정하는 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법 |
| US10394132B2 (en) | 2016-05-17 | 2019-08-27 | Asml Netherlands B.V. | Metrology robustness based on through-wavelength similarity |
| US10983440B2 (en) | 2016-05-23 | 2021-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Selection of substrate measurement recipes |
| CN109313393A (zh) | 2016-06-09 | 2019-02-05 | Asml荷兰有限公司 | 计量设备 |
| KR102640173B1 (ko) * | 2016-06-14 | 2024-02-26 | 삼성전자주식회사 | 회절 기반 오버레이 마크 및 오버레이 계측방법 |
| WO2017215944A1 (en) | 2016-06-15 | 2017-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Substrate measurement recipe configuration to improve device matching |
| KR102178588B1 (ko) | 2016-06-30 | 2020-11-16 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 오버레이 및 임계 치수 센서들에서의 퓨필 조명을 위한 디바이스 및 방법 |
| WO2018001747A1 (en) | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system for a lithographic or inspection apparatus |
| CN113552779A (zh) | 2016-07-15 | 2021-10-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于量测目标场的设计的方法和设备 |
| KR20190031542A (ko) | 2016-07-21 | 2019-03-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 타겟을 측정하는 방법, 기판, 메트롤로지 장치, 및 리소그래피 장치 |
| EP3279736A1 (en) | 2016-08-01 | 2018-02-07 | ASML Netherlands B.V. | Device and method for processing a radiation beam with coherence |
| WO2018028971A1 (en) | 2016-08-11 | 2018-02-15 | Asml Holding N.V. | Variable corrector of a wave front |
| WO2018033342A1 (en) | 2016-08-17 | 2018-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate measurement recipe design of, or for, a target including a latent image |
| KR102221714B1 (ko) | 2016-08-23 | 2021-03-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 공정에 의해 기판 상에 형성된 구조체를 측정하는 메트롤로지 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 공정에 의해 기판 상에 형성된 구조체를 측정하는 방법 |
| WO2018041550A1 (en) | 2016-09-01 | 2018-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Automatic selection of metrology target measurement recipes |
| EP3290911A1 (en) | 2016-09-02 | 2018-03-07 | ASML Netherlands B.V. | Method and system to monitor a process apparatus |
| EP3291008A1 (en) | 2016-09-06 | 2018-03-07 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus to monitor a process apparatus |
| KR102200257B1 (ko) | 2016-09-06 | 2021-01-11 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 검사 시스템에서의 포커싱을 위한 디바이스 및 방법 |
| EP3293574A1 (en) | 2016-09-09 | 2018-03-14 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
| EP3293575A1 (en) | 2016-09-12 | 2018-03-14 | ASML Netherlands B.V. | Differential target design and method for process metrology |
| EP3299890A1 (en) | 2016-09-27 | 2018-03-28 | ASML Netherlands B.V. | Metrology recipe selection |
| KR102265164B1 (ko) | 2016-09-27 | 2021-06-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 레시피 선택 |
| EP3309616A1 (en) | 2016-10-14 | 2018-04-18 | ASML Netherlands B.V. | Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system |
| DE102016221243A1 (de) | 2016-10-27 | 2017-11-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers |
| EP3321737A1 (en) | 2016-11-10 | 2018-05-16 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system |
| IL266447B2 (en) | 2016-11-10 | 2023-11-01 | Asml Netherlands Bv | Design and repair using stack diff |
| EP3321736A1 (en) | 2016-11-10 | 2018-05-16 | ASML Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic system, and method of measuring a target |
| EP3321738A1 (en) | 2016-11-10 | 2018-05-16 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of a device manufacturing process, metrology apparatus, substrate, target, device manufacturing system, and device manufacturing method |
| EP3333632A1 (en) | 2016-12-08 | 2018-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus |
| EP3333633A1 (en) | 2016-12-09 | 2018-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus |
| US10983005B2 (en) | 2016-12-15 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Spectroscopic overlay metrology |
| EP3336605A1 (en) | 2016-12-15 | 2018-06-20 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| EP3336607A1 (en) | 2016-12-16 | 2018-06-20 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a property of a substrate, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| EP3336606A1 (en) | 2016-12-16 | 2018-06-20 | ASML Netherlands B.V. | Method for monitoring a characteristic of illumination from a metrology apparatus |
| EP3796088A1 (en) | 2019-09-23 | 2021-03-24 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for lithographic process performance determination |
| EP3343294A1 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus |
| CN108345177B (zh) * | 2017-01-24 | 2020-06-30 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 层迭误差测量装置及方法 |
| TWI649635B (zh) * | 2017-01-24 | 2019-02-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 層疊誤差測量裝置及方法 |
| US10409171B2 (en) * | 2017-01-25 | 2019-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Overlay control with non-zero offset prediction |
| EP3358413A1 (en) | 2017-02-02 | 2018-08-08 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
| KR102370347B1 (ko) | 2017-02-02 | 2022-03-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치 및 연계된 컴퓨터 제품 |
| EP3361315A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-15 | ASML Netherlands B.V. | Inspection apparatus and method of inspecting structures |
| KR102370339B1 (ko) | 2017-02-22 | 2022-03-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 전산 계측 |
| KR102384553B1 (ko) | 2017-03-23 | 2022-04-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 구조체의 비대칭 모니터링 |
| EP3388896A1 (en) | 2017-04-14 | 2018-10-17 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring |
| CN110622068B (zh) | 2017-04-14 | 2022-01-11 | Asml荷兰有限公司 | 测量方法 |
| KR102331098B1 (ko) | 2017-04-28 | 2021-11-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치 및 연관된 컴퓨터 프로그램 |
| WO2018202388A1 (en) | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Metrology parameter determination and metrology recipe selection |
| CN110582729B (zh) | 2017-05-04 | 2022-03-08 | Asml控股股份有限公司 | 测量光学量测的性能的方法、衬底和设备 |
| EP3399371A1 (en) | 2017-05-05 | 2018-11-07 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of interest, device manufacturing method, metrology apparatus, and lithographic system |
| CN110612481A (zh) | 2017-05-08 | 2019-12-24 | Asml荷兰有限公司 | 测量结构的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法 |
| EP3401733A1 (en) | 2017-05-08 | 2018-11-14 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| EP3404488A1 (en) | 2017-05-19 | 2018-11-21 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a target, metrology apparatus, lithographic cell, and target |
| WO2018215177A1 (en) | 2017-05-24 | 2018-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of interest, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| CN108962776B (zh) * | 2017-05-26 | 2021-05-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法 |
| US11029673B2 (en) | 2017-06-13 | 2021-06-08 | Pdf Solutions, Inc. | Generating robust machine learning predictions for semiconductor manufacturing processes |
| CN110799903B (zh) | 2017-06-20 | 2021-11-16 | Asml荷兰有限公司 | 确定边缘粗糙度参数 |
| EP3467589A1 (en) | 2017-10-06 | 2019-04-10 | ASML Netherlands B.V. | Determining edge roughness parameters |
| EP3422103A1 (en) | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a performance parameter of a process |
| EP3422102A1 (en) | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
| US10663633B2 (en) * | 2017-06-29 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Aperture design and methods thereof |
| EP3422105A1 (en) | 2017-06-30 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Metrology parameter determination and metrology recipe selection |
| EP3432072A1 (en) | 2017-07-18 | 2019-01-23 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for measurement of a parameter of a feature fabricated on a semiconductor substrate |
| WO2019015995A1 (en) | 2017-07-18 | 2019-01-24 | Asml Netherlands B.V. | METHODS AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A CHARACTERISTIC MANUFACTURED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| US10817999B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-10-27 | Kla Corporation | Image-based overlay metrology and monitoring using through-focus imaging |
| CN110945436B (zh) | 2017-07-25 | 2022-08-05 | Asml荷兰有限公司 | 用于参数确定的方法及其设备 |
| EP3435162A1 (en) | 2017-07-28 | 2019-01-30 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus and computer program |
| EP3441819A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-13 | ASML Netherlands B.V. | Computational metrology |
| KR102352673B1 (ko) | 2017-08-07 | 2022-01-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 컴퓨테이션 계측법 |
| EP3441820A1 (en) | 2017-08-11 | 2019-02-13 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for determining the position of a spot of radiation and inspection apparatus |
| EP3444674A1 (en) | 2017-08-14 | 2019-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
| EP3444676A1 (en) | 2017-08-15 | 2019-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
| EP3447580A1 (en) | 2017-08-21 | 2019-02-27 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
| WO2019038054A1 (en) | 2017-08-23 | 2019-02-28 | Asml Netherlands B.V. | METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF A PATTERN TRANSFER PROCESS, DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| US11022642B2 (en) | 2017-08-25 | 2021-06-01 | Pdf Solutions, Inc. | Semiconductor yield prediction |
| EP3451060A1 (en) | 2017-08-28 | 2019-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Substrate, metrology apparatus and associated methods for a lithographic process |
| IL272901B2 (en) | 2017-09-01 | 2024-10-01 | Asml Netherlands B V | Optical systems, metrology instruments and related methods |
| EP3451061A1 (en) * | 2017-09-04 | 2019-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Method for monitoring a manufacturing process |
| EP3454123A1 (en) | 2017-09-06 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus |
| EP3454124A1 (en) | 2017-09-07 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Method to determine a patterning process parameter |
| EP3454129A1 (en) | 2017-09-07 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Beat patterns for alignment on small metrology targets |
| EP3454126A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Method for estimating overlay |
| EP3454127A1 (en) | 2017-09-11 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
| EP3462239A1 (en) | 2017-09-27 | 2019-04-03 | ASML Netherlands B.V. | Metrology in lithographic processes |
| IL273145B2 (en) | 2017-09-11 | 2024-03-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic processes in meteorology |
| WO2019048147A1 (en) | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Asml Netherlands B.V. | METHODS AND DEVICES FOR FORMING PATTERNS AND APPARATUSES FOR MEASURING THE PERFORMANCE OF DEVELOPING A LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| EP3457211A1 (en) | 2017-09-13 | 2019-03-20 | ASML Netherlands B.V. | A method of aligning a pair of complementary diffraction patterns and associated metrology method and apparatus |
| EP3457212A1 (en) | 2017-09-18 | 2019-03-20 | ASML Netherlands B.V. | Method of controlling a patterning process, device manufacturing method |
| JP7050150B2 (ja) | 2017-09-22 | 2022-04-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | パターニングプロセスパラメータを決定する方法 |
| EP3460574A1 (en) | 2017-09-22 | 2019-03-27 | ASML Netherlands B.V. | Method to determine a patterning process parameter |
| CN111149062B (zh) | 2017-09-28 | 2022-11-04 | Asml控股股份有限公司 | 量测方法和装置 |
| CN114993205A (zh) * | 2017-10-05 | 2022-09-02 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定衬底上的一个或更多个结构的特性的量测系统和方法 |
| EP3480554A1 (en) | 2017-11-02 | 2019-05-08 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
| TW201923332A (zh) | 2017-10-10 | 2019-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 度量衡方法和設備、電腦程式及微影系統 |
| EP3470923A1 (en) | 2017-10-10 | 2019-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method |
| EP3470924A1 (en) | 2017-10-11 | 2019-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Method of optimizing the position and/or size of a measurement illumination spot relative to a target on a substrate, and associated apparatus |
| EP3470926A1 (en) * | 2017-10-16 | 2019-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus, lithographic system, and method of measuring a structure |
| EP3474074A1 (en) | 2017-10-17 | 2019-04-24 | ASML Netherlands B.V. | Scatterometer and method of scatterometry using acoustic radiation |
| EP3477391A1 (en) | 2017-10-26 | 2019-05-01 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a value of a parameter of interest, method of cleaning a signal containing information about a parameter of interest |
| CN111279268B (zh) | 2017-10-26 | 2022-04-01 | Asml荷兰有限公司 | 确定所关注的参数的值的方法、清除包含关于所关注的参数的信息的信号的方法 |
| IL273836B2 (en) | 2017-10-31 | 2023-09-01 | Asml Netherlands Bv | A measuring device, a method for measuring a structure, a method for making a device |
| EP3477392A1 (en) | 2017-10-31 | 2019-05-01 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method |
| EP3480659A1 (en) | 2017-11-01 | 2019-05-08 | ASML Netherlands B.V. | Estimation of data in metrology |
| EP3499312A1 (en) | 2017-12-15 | 2019-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and a method of determining a characteristic of interest |
| JP7150838B2 (ja) | 2017-11-07 | 2022-10-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 関心対象特性を算出するメトロロジ装置及び方法 |
| EP3489756A1 (en) | 2017-11-23 | 2019-05-29 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
| EP3492985A1 (en) | 2017-12-04 | 2019-06-05 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets |
| WO2019110211A1 (en) | 2017-12-04 | 2019-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Measurement method, patterning device and device manufacturing method |
| EP3492984A1 (en) | 2017-12-04 | 2019-06-05 | ASML Netherlands B.V. | Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method |
| US10310281B1 (en) * | 2017-12-05 | 2019-06-04 | K Laser Technology, Inc. | Optical projector with off-axis diffractive element |
| EP3495888A1 (en) | 2017-12-06 | 2019-06-12 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses |
| EP3495889A1 (en) | 2017-12-07 | 2019-06-12 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses |
| US10473460B2 (en) * | 2017-12-11 | 2019-11-12 | Kla-Tencor Corporation | Overlay measurements of overlapping target structures based on symmetry of scanning electron beam signals |
| US11906907B2 (en) | 2017-12-12 | 2024-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for determining a condition associated with a pellicle |
| EP3499311A1 (en) | 2017-12-14 | 2019-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing apparatus and associated aparatuses |
| EP3729197A1 (en) | 2017-12-19 | 2020-10-28 | ASML Netherlands B.V. | Computational metrology based correction and control |
| KR102585064B1 (ko) | 2017-12-22 | 2023-10-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 결함 확률에 기초한 프로세스 윈도우 |
| EP3506011A1 (en) | 2017-12-28 | 2019-07-03 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus for and a method of removing contaminant particles from a component of a metrology apparatus |
| WO2019129465A1 (en) | 2017-12-28 | 2019-07-04 | Asml Netherlands B.V. | A metrology apparatus for and a method of determining a characteristic of interest of a structure on a substrate |
| KR102429845B1 (ko) | 2017-12-28 | 2022-08-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 장치의 컴포넌트로부터 오염물 입자를 제거하는 장치 및 방법 |
| EP3528048A1 (en) | 2018-02-15 | 2019-08-21 | ASML Netherlands B.V. | A metrology apparatus for and a method of determining a characteristic of interest of a structure on a substrate |
| WO2019129468A1 (en) | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Method of processing data, method of obtaining calibration data |
| WO2019129485A1 (en) | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Method and device for determining adjustments to sensitivity parameters |
| WO2019141479A1 (en) | 2018-01-17 | 2019-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a target, and metrology apparatus |
| EP3514628A1 (en) | 2018-01-18 | 2019-07-24 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a target, and metrology apparatus |
| WO2019145092A1 (en) | 2018-01-24 | 2019-08-01 | Asml Netherlands B.V. | Computational metrology based sampling scheme |
| EP3518040A1 (en) | 2018-01-30 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid |
| WO2019149586A1 (en) | 2018-01-30 | 2019-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Method of patterning at least a layer of a semiconductor device |
| EP3521930A1 (en) | 2018-02-02 | 2019-08-07 | ASML Netherlands B.V. | Method of optimizing a metrology process |
| EP3521929A1 (en) | 2018-02-02 | 2019-08-07 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining an optimal focus height for a metrology apparatus |
| EP3528047A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-21 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques |
| EP3531205A1 (en) | 2018-02-22 | 2019-08-28 | ASML Netherlands B.V. | Control based on probability density function of parameter |
| KR102499656B1 (ko) | 2018-02-23 | 2023-02-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패턴의 시맨틱 분할을 위한 딥 러닝 |
| WO2019162280A1 (en) | 2018-02-23 | 2019-08-29 | Asml Netherlands B.V. | Guided patterning device inspection |
| WO2019166190A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Stichting Vu | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
| EP3531191A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-08-28 | Stichting VU | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
| US11029359B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-06-08 | Pdf Solutions, Inc. | Failure detection and classsification using sensor data and/or measurement data |
| US11775714B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-10-03 | Pdf Solutions, Inc. | Rational decision-making tool for semiconductor processes |
| US10777470B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-09-15 | Pdf Solutions, Inc. | Selective inclusion/exclusion of semiconductor chips in accelerated failure tests |
| EP3547029A1 (en) | 2018-03-29 | 2019-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Control method for a scanning exposure apparatus |
| EP3547031A1 (en) | 2018-03-29 | 2019-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process |
| KR20200125986A (ko) | 2018-03-29 | 2020-11-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스캐닝 노광 장치를 위한 제어 방법 |
| EP3547030A1 (en) | 2018-03-29 | 2019-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process |
| EP3553602A1 (en) | 2018-04-09 | 2019-10-16 | ASML Netherlands B.V. | Model based reconstruction of semiconductor structures |
| NL2021848A (en) * | 2018-04-09 | 2018-11-06 | Stichting Vu | Holographic metrology apparatus. |
| US11054250B2 (en) | 2018-04-11 | 2021-07-06 | International Business Machines Corporation | Multi-channel overlay metrology |
| EP3553603A1 (en) | 2018-04-13 | 2019-10-16 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system |
| EP3557327A1 (en) | 2018-04-18 | 2019-10-23 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process |
| EP3570109A1 (en) | 2018-05-14 | 2019-11-20 | ASML Netherlands B.V. | Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method |
| TWI723396B (zh) | 2018-05-24 | 2021-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 判定基板之堆疊組態之方法 |
| EP3575874A1 (en) | 2018-05-29 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
| JP7182904B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2022-12-05 | キヤノン株式会社 | 検出装置、インプリント装置、平坦化装置、検出方法及び物品製造方法 |
| EP3575875A1 (en) | 2018-05-31 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Measurement apparatus and method of measuring a target |
| EP3579052A1 (en) | 2018-06-08 | 2019-12-11 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
| CN112236724B (zh) | 2018-06-08 | 2023-05-23 | Asml荷兰有限公司 | 确定衬底上的一个或更多个结构的特性的量测设备和方法 |
| EP3614207A1 (en) | 2018-08-21 | 2020-02-26 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus |
| WO2019238363A1 (en) | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus |
| EP3582009A1 (en) | 2018-06-15 | 2019-12-18 | ASML Netherlands B.V. | Reflector and method of manufacturing a reflector |
| EP3584637A1 (en) | 2018-06-19 | 2019-12-25 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses |
| KR20210013605A (ko) | 2018-06-19 | 2021-02-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 제조 장치 및 연계된 장치를 제어하는 방법 |
| EP3588190A1 (en) | 2018-06-25 | 2020-01-01 | ASML Netherlands B.V. | Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses |
| KR102463503B1 (ko) * | 2018-07-11 | 2022-11-03 | 현대자동차주식회사 | 터보차저 엔진의 부스트압 제어 시스템 |
| EP3598235A1 (en) | 2018-07-18 | 2020-01-22 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic relating to one or more structures on a substrate |
| WO2020020759A1 (en) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining an etch profile of a layer of a wafer for a simulation system |
| EP3605230A1 (en) | 2018-08-01 | 2020-02-05 | Stichting VU | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
| NL2021852A (en) * | 2018-08-01 | 2018-11-09 | Asml Netherlands Bv | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
| EP3611569A1 (en) | 2018-08-16 | 2020-02-19 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and photonic crystal fiber |
| EP3611570A1 (en) | 2018-08-16 | 2020-02-19 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses |
| TWI824334B (zh) | 2018-08-17 | 2023-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 非暫時性電腦可讀媒體 |
| EP3614194A1 (en) | 2018-08-24 | 2020-02-26 | ASML Netherlands B.V. | Matching pupil determination |
| EP3620857A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-11 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus |
| WO2020048692A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus |
| EP3623868A1 (en) | 2018-09-12 | 2020-03-18 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
| EP3623869A1 (en) | 2018-09-14 | 2020-03-18 | ASML Netherlands B.V. | Method for measuring a parameter of a structure formed using a lithographic process |
| KR102571918B1 (ko) | 2018-09-19 | 2023-08-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 위치 계측을 위한 계측 센서 |
| US20210356873A1 (en) | 2018-09-19 | 2021-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus therefor |
| EP3627226A1 (en) | 2018-09-20 | 2020-03-25 | ASML Netherlands B.V. | Optical system, metrology apparatus and associated method |
| EP3629086A1 (en) | 2018-09-25 | 2020-04-01 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for determining a radiation beam intensity profile |
| US11087065B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-08-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of manufacturing devices |
| EP3629087A1 (en) | 2018-09-26 | 2020-04-01 | ASML Netherlands B.V. | Method of manufacturing devices |
| EP3629088A1 (en) | 2018-09-28 | 2020-04-01 | ASML Netherlands B.V. | Providing a trained neural network and determining a characteristic of a physical system |
| TW202020577A (zh) | 2018-09-28 | 2020-06-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 基於晶圓量測判定熱點排序 |
| JP7179979B2 (ja) | 2018-10-08 | 2022-11-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | メトトロジ方法、パターニングデバイス、装置及びコンピュータプログラム |
| EP3637186A1 (en) | 2018-10-09 | 2020-04-15 | ASML Netherlands B.V. | Method of calibrating a plurality of metrology apparatuses, method of determining a parameter of interest, and metrology apparatus |
| EP3637187A1 (en) | 2018-10-12 | 2020-04-15 | ASML Netherlands B.V. | Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus |
| US11118903B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-09-14 | Kla Corporation | Efficient illumination shaping for scatterometry overlay |
| EP3647874A1 (en) | 2018-11-05 | 2020-05-06 | ASML Netherlands B.V. | Optical fibers and production methods therefor |
| US11999645B2 (en) | 2018-10-24 | 2024-06-04 | Asml Netherlands B.V. | Optical fibers and production methods therefor |
| EP3647871A1 (en) | 2018-10-31 | 2020-05-06 | ASML Netherlands B.V. | Method of determing a value of a parameter of interest of a patterning process, device manufacturing method |
| WO2020094385A1 (en) | 2018-11-08 | 2020-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Prediction of out of specification based on spatial characteristic of process variability |
| EP3650941A1 (en) | 2018-11-12 | 2020-05-13 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining the contribution of a processing apparatus to a substrate parameter |
| EP3654103A1 (en) | 2018-11-14 | 2020-05-20 | ASML Netherlands B.V. | Method for obtaining training data for training a model of a semicondcutor manufacturing process |
| US12032297B2 (en) | 2018-11-16 | 2024-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Method for monitoring lithographic apparatus |
| EP3654104A1 (en) | 2018-11-16 | 2020-05-20 | ASML Netherlands B.V. | Method for monitoring lithographic apparatus |
| EP3657256A1 (en) | 2018-11-20 | 2020-05-27 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
| EP3657257A1 (en) | 2018-11-26 | 2020-05-27 | ASML Netherlands B.V. | Method for of measuring a focus parameter relating to a structure formed using a lithographic process |
| US12044980B2 (en) | 2018-12-03 | 2024-07-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of manufacturing devices |
| TWI734284B (zh) | 2018-12-04 | 2021-07-21 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 用於判定微影製程之效能參數之目標 |
| EP3663856A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-10 | ASML Netherlands B.V. | Method for adjusting a target feature in a model of a patterning process based on local electric fields |
| KR102704902B1 (ko) | 2018-12-12 | 2024-09-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
| US20220028052A1 (en) | 2018-12-14 | 2022-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for grouping image patterns to determine wafer behavior in a patterning process |
| EP3671346A1 (en) | 2018-12-18 | 2020-06-24 | ASML Netherlands B.V. | Method of measuring a parameter of a patterning process, metrology apparatus, target |
| CN113196175A (zh) | 2018-12-18 | 2021-07-30 | Asml荷兰有限公司 | 测量图案化过程的参数的方法、量测设备、目标 |
| CN113196177B (zh) | 2018-12-20 | 2024-04-30 | Asml荷兰有限公司 | 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法 |
| KR20230175346A (ko) | 2018-12-28 | 2023-12-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프린트된 기판으로부터의 측정 피드백에 기초한 패턴 랭킹 결정 |
| KR20240140188A (ko) | 2018-12-31 | 2024-09-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 계측을 위한 방법 및 그 장치 |
| WO2020141050A1 (en) | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Position metrology apparatus and associated optical elements |
| WO2020141052A1 (en) | 2018-12-31 | 2020-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Improved imaging via zeroth order suppression |
| EP3715951A1 (en) | 2019-03-28 | 2020-09-30 | ASML Netherlands B.V. | Position metrology apparatus and associated optical elements |
| US20220082944A1 (en) | 2018-12-31 | 2022-03-17 | Asml Netherlands B.V. | Method for metrology optimization |
| KR20210096659A (ko) | 2018-12-31 | 2021-08-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 |
| US11733615B2 (en) | 2019-01-03 | 2023-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
| EP3696606A1 (en) | 2019-02-15 | 2020-08-19 | ASML Netherlands B.V. | A metrology apparatus with radiation source having multiple broadband outputs |
| EP3703114A1 (en) | 2019-02-26 | 2020-09-02 | ASML Netherlands B.V. | Reflector manufacturing method and associated reflector |
| EP3702840A1 (en) | 2019-03-01 | 2020-09-02 | ASML Netherlands B.V. | Alignment method and associated metrology device |
| EP3705942A1 (en) | 2019-03-04 | 2020-09-09 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation |
| EP3705945A1 (en) | 2019-03-08 | 2020-09-09 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for estimating substrate shape |
| EP3764164A1 (en) | 2019-07-11 | 2021-01-13 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses |
| CN113632009B (zh) | 2019-03-22 | 2024-07-02 | Asml荷兰有限公司 | 控制光刻装置的方法和相关装置 |
| CN113631999B (zh) | 2019-03-25 | 2023-05-16 | Asml荷兰有限公司 | 频率拓宽装置和方法 |
| EP3715944A1 (en) | 2019-03-25 | 2020-09-30 | ASML Netherlands B.V. | Frequency broadening apparatus and method |
| EP3719551A1 (en) | 2019-04-03 | 2020-10-07 | ASML Netherlands B.V. | Optical fiber |
| EP3719545A1 (en) * | 2019-04-03 | 2020-10-07 | ASML Netherlands B.V. | Manufacturing a reflective diffraction grating |
| WO2020200637A1 (en) | 2019-04-03 | 2020-10-08 | Asml Netherlands B.V. | Optical fiber |
| EP3734366A1 (en) | 2019-05-03 | 2020-11-04 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
| CN113678063A (zh) | 2019-04-04 | 2021-11-19 | Asml荷兰有限公司 | 光刻工艺的子场控制和相关设备 |
| EP3731018A1 (en) | 2019-04-23 | 2020-10-28 | ASML Netherlands B.V. | A method for re-imaging an image and associated metrology apparatus |
| NL2025265A (en) | 2019-05-06 | 2020-11-23 | Asml Netherlands Bv | Dark field microscope |
| WO2020229049A1 (en) | 2019-05-13 | 2020-11-19 | Asml Netherlands B.V. | Detection apparatus for simultaneous acquisition of multiple diverse images of an object |
| EP3742230A1 (en) | 2019-05-23 | 2020-11-25 | ASML Netherlands B.V. | Detection apparatus for simultaneous acquisition of multiple diverse images of an object |
| EP3739389A1 (en) | 2019-05-17 | 2020-11-18 | ASML Netherlands B.V. | Metrology tools comprising aplanatic objective singlet |
| EP3751342A1 (en) | 2019-06-13 | 2020-12-16 | Stichting VU | Metrology method and method for training a data structure for use in metrology |
| CN114008531A (zh) | 2019-06-17 | 2022-02-01 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定复值场的量测方法和装置 |
| EP3754427A1 (en) | 2019-06-17 | 2020-12-23 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus for of determining a complex-valued field |
| US11875101B2 (en) | 2019-06-20 | 2024-01-16 | Asml Netherlands B.V. | Method for patterning process modelling |
| EP3754389A1 (en) | 2019-06-21 | 2020-12-23 | ASML Netherlands B.V. | Mounted hollow-core fibre arrangement |
| EP3767347A1 (en) | 2019-07-17 | 2021-01-20 | ASML Netherlands B.V. | Mounted hollow-core fibre arrangement |
| EP3758168A1 (en) | 2019-06-25 | 2020-12-30 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation |
| US11635682B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-04-25 | Kla Corporation | Systems and methods for feedforward process control in the manufacture of semiconductor devices |
| WO2021001102A1 (en) | 2019-07-02 | 2021-01-07 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
| JP7482910B2 (ja) | 2019-07-03 | 2024-05-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 半導体製造プロセスにおいて堆積モデルを適用する方法 |
| EP3767391A1 (en) | 2019-07-17 | 2021-01-20 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
| CN114174927A (zh) | 2019-07-04 | 2022-03-11 | Asml荷兰有限公司 | 光刻工艺及关联设备的子场控制 |
| WO2021005067A1 (en) | 2019-07-08 | 2021-01-14 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated computer product |
| EP3786712A1 (en) | 2019-08-28 | 2021-03-03 | ASML Netherlands B.V. | Light sources and methods of controlling; devices and methods for use in measurement applications |
| CN114008530B (zh) | 2019-07-16 | 2024-05-31 | Asml荷兰有限公司 | 光源及控制方法；用于测量应用的装置和方法 |
| EP3767375A1 (en) | 2019-07-19 | 2021-01-20 | ASML Netherlands B.V. | A light source and a method for use in metrology applications |
| EP3611567A3 (en) | 2019-07-23 | 2020-05-13 | ASML Netherlands B.V. | Improvements in metrology targets |
| EP3796080A1 (en) | 2019-09-18 | 2021-03-24 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source |
| KR20220024908A (ko) | 2019-07-24 | 2022-03-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 방사선 소스 |
| EP3770682A1 (en) | 2019-07-25 | 2021-01-27 | ASML Netherlands B.V. | Method and system for determining information about a target structure |
| EP3779600A1 (en) | 2019-08-14 | 2021-02-17 | ASML Netherlands B.V. | Method and metrology tool for determining information about a target structure, and cantilever probe |
| CN114207432A (zh) | 2019-08-14 | 2022-03-18 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定关于目标结构的信息的方法和量测工具及悬臂式探针 |
| EP3783436A1 (en) | 2019-08-19 | 2021-02-24 | ASML Netherlands B.V. | Illumination and detection apparatus for a metrology apparatus |
| EP3783439A1 (en) | 2019-08-22 | 2021-02-24 | ASML Netherlands B.V. | Metrology device and detection apparatus therefor |
| EP3786701B1 (en) | 2019-08-29 | 2023-04-26 | ASML Netherlands B.V. | End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications |
| EP3786700A1 (en) | 2019-08-29 | 2021-03-03 | ASML Netherlands B.V. | End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications |
| EP3812836A1 (en) | 2019-10-21 | 2021-04-28 | ASML Netherlands B.V. | End facet protection for a light source and a method for use in metrology applications |
| CN114341739A (zh) | 2019-08-30 | 2022-04-12 | Asml控股股份有限公司 | 计量系统和方法 |
| WO2021043593A1 (en) | 2019-09-02 | 2021-03-11 | Asml Netherlands B.V. | Mode control of photonic crystal fiber based broadband light sources |
| EP3786713A1 (en) | 2019-09-02 | 2021-03-03 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and device for determining a complex-valued field |
| EP3786702A1 (en) | 2019-09-02 | 2021-03-03 | ASML Netherlands B.V. | Mode control of photonic crystal fiber based broadband light sources |
| EP3789809A1 (en) | 2019-09-03 | 2021-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Assembly for collimating broadband radiation |
| EP3792673A1 (en) | 2019-09-16 | 2021-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Assembly for collimating broadband radiation |
| US20220326152A1 (en) | 2019-09-05 | 2022-10-13 | Asml Netherlands B.V. | An improved high harmonic generation apparatus |
| EP3790364A1 (en) | 2019-09-05 | 2021-03-10 | ASML Netherlands B.V. | An improved high harmonic generation apparatus |
| US11359916B2 (en) * | 2019-09-09 | 2022-06-14 | Kla Corporation | Darkfield imaging of grating target structures for overlay measurement |
| EP3792693A1 (en) | 2019-09-16 | 2021-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
| EP3796089A1 (en) | 2019-09-18 | 2021-03-24 | ASML Holding N.V. | A method for filtering an image and associated metrology apparatus |
| EP3805857A1 (en) | 2019-10-09 | 2021-04-14 | ASML Netherlands B.V. | Improved broadband radiation generation in hollow-core fibres |
| CN114514465A (zh) | 2019-09-18 | 2022-05-17 | Asml荷兰有限公司 | 中空芯部光纤中的改进的宽带辐射生成 |
| EP3798729A1 (en) | 2019-09-26 | 2021-03-31 | ASML Netherlands B.V. | Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method |
| KR20220047387A (ko) | 2019-09-27 | 2022-04-15 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 계측 시스템 및 위상 어레이 조명 소스 |
| KR20220054425A (ko) | 2019-10-02 | 2022-05-02 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 예측 모델들을 사용한 공정 모니터링 및 튜닝 |
| EP3809190A1 (en) | 2019-10-14 | 2021-04-21 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for coherence scrambling in metrology applications |
| US20240118629A1 (en) | 2019-10-17 | 2024-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses |
| EP3839621A1 (en) | 2019-12-16 | 2021-06-23 | ASML Netherlands B.V. | An illumination source and associated metrology apparatus |
| EP3809203A1 (en) | 2019-10-17 | 2021-04-21 | ASML Netherlands B.V. | Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses |
| EP4045973A1 (en) | 2019-10-17 | 2022-08-24 | ASML Netherlands B.V. | An illumination source and associated metrology apparatus |
| EP3839586A1 (en) | 2019-12-18 | 2021-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation |
| EP3812807B1 (en) | 2019-10-24 | 2024-04-10 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based optical component for broadband radiation generation |
| EP3816721A1 (en) | 2019-10-29 | 2021-05-05 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for efficient high harmonic generation |
| KR20220065872A (ko) | 2019-11-01 | 2022-05-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 리소그래피 장치 |
| EP3869270A1 (en) | 2020-02-18 | 2021-08-25 | ASML Netherlands B.V. | Assemblies and methods for guiding radiation |
| KR20220066963A (ko) | 2019-11-05 | 2022-05-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 측정 방법 및 측정 장치 |
| EP3819266A1 (en) | 2019-11-07 | 2021-05-12 | ASML Netherlands B.V. | Method of manufacture of a capillary for a hollow-core photonic crystal fiber |
| CN114641732A (zh) | 2019-11-07 | 2022-06-17 | Asml控股股份有限公司 | 用于清洁光刻设备的部分的系统 |
| EP3819267B1 (en) | 2019-11-07 | 2022-06-29 | ASML Netherlands B.V. | Method of manufacture of a capillary for a hollow-core photonic crystal fiber |
| US11774861B2 (en) | 2019-11-11 | 2023-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Calibration method for a lithographic system |
| EP3828632A1 (en) | 2019-11-29 | 2021-06-02 | ASML Netherlands B.V. | Method and system for predicting electric field images with a parameterized model |
| WO2021104718A1 (en) | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for predicting process information with a parameterized model |
| CN114846412A (zh) | 2019-12-05 | 2022-08-02 | Asml荷兰有限公司 | 对准方法和相关联的对准和光刻设备 |
| WO2021115735A1 (en) | 2019-12-12 | 2021-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses |
| US12032299B2 (en) | 2019-12-16 | 2024-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
| WO2021121733A1 (en) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method |
| EP3839635A1 (en) | 2019-12-17 | 2021-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method |
| EP3851915A1 (en) | 2020-01-14 | 2021-07-21 | ASML Netherlands B.V. | Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses |
| IL293749A (en) | 2019-12-18 | 2022-08-01 | Asml Netherlands Bv | A method for correcting measurements in the production of integrated circuits and related devices |
| US12092964B2 (en) | 2019-12-19 | 2024-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Optically determining electrical contact between metallic features in different layers in a structure |
| WO2021123135A1 (en) | 2019-12-19 | 2021-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Scatterometer and method of scatterometry using acoustic radiation |
| EP3839631A1 (en) | 2019-12-19 | 2021-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Determining relative positions of different layers in a structure |
| EP3839632A1 (en) | 2019-12-20 | 2021-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining a measurement recipe and associated apparatuses |
| WO2021130315A1 (en) | 2019-12-24 | 2021-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process |
| IL279727A (en) | 2019-12-24 | 2021-06-30 | Asml Netherlands Bv | Method of determining information about pattern procedure, method of error reduction in measurement data, metrology process calibration method, method of selecting metrology targets |
| EP3865931A1 (en) | 2020-02-12 | 2021-08-18 | ASML Netherlands B.V. | Method, assembly, and apparatus for improved control of broadband radiation generation |
| CN114945865A (zh) | 2020-01-15 | 2022-08-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于改善对宽带辐射生成的控制的方法、组件、和设备 |
| WO2021151565A1 (en) | 2020-01-28 | 2021-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
| EP3876037A1 (en) | 2020-03-06 | 2021-09-08 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate |
| WO2021151754A1 (en) | 2020-01-29 | 2021-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate |
| WO2021155990A1 (en) | 2020-02-07 | 2021-08-12 | Asml Netherlands B.V. | A stage system, stage system operating method, inspection tool, lithographic apparatus, calibration method and device manufacturing method |
| US11796920B2 (en) | 2020-02-12 | 2023-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses |
| EP3869271A1 (en) | 2020-02-20 | 2021-08-25 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses |
| US20230076218A1 (en) | 2020-02-21 | 2023-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Method for calibrating simulation process based on defect-based process window |
| EP3872567A1 (en) | 2020-02-25 | 2021-09-01 | ASML Netherlands B.V. | Systems and methods for process metric aware process control |
| US10990023B1 (en) * | 2020-02-27 | 2021-04-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for diffraction-based overlay measurement |
| US11852981B2 (en) * | 2020-02-27 | 2023-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Frequency-picked methodology for diffraction based overlay measurement |
| US11886125B2 (en) | 2020-03-02 | 2024-01-30 | Asml Netherlands B. V. | Method for inferring a local uniformity metric |
| EP3879342A1 (en) | 2020-03-10 | 2021-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses |
| KR20220137074A (ko) | 2020-03-03 | 2022-10-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 제조 프로세스를 제어하기 위한 방법 및 연관된 장치 |
| EP3882701A1 (en) | 2020-03-19 | 2021-09-22 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses |
| EP3876036A1 (en) | 2020-03-04 | 2021-09-08 | ASML Netherlands B.V. | Vibration isolation system and associated applications in lithography |
| EP3879343A1 (en) | 2020-03-11 | 2021-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Metrology measurement method and apparatus |
| EP3889681A1 (en) | 2020-03-31 | 2021-10-06 | ASML Netherlands B.V. | An assembly including a non-linear element and a method of use thereof |
| US20230176491A1 (en) | 2020-05-07 | 2023-06-08 | Asml Netherlands B.V. | A substrate comprising a target arrangement, and associated at least one patterning device, lithographic method and metrology method |
| EP3913429A1 (en) | 2020-05-19 | 2021-11-24 | ASML Netherlands B.V. | A supercontinuum radiation source and associated metrology devices |
| WO2021239334A1 (en) | 2020-05-26 | 2021-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Method for optimizing a sampling scheme and associated apparatuses |
| TWI792198B (zh) | 2020-06-01 | 2023-02-11 | 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 | 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法 |
| WO2021250034A1 (en) | 2020-06-09 | 2021-12-16 | Asml Netherlands B.V. | A target for measuring a parameter of a lithographic process |
| WO2021249711A1 (en) | 2020-06-10 | 2021-12-16 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method, metrology apparatus and lithographic apparatus |
| WO2021259559A1 (en) | 2020-06-24 | 2021-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
| KR20230019952A (ko) | 2020-07-03 | 2023-02-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 불량률에 기초한 프로세스 윈도우 |
| KR20230035034A (ko) | 2020-07-06 | 2023-03-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 조명 장치 및 연관된 계측 및 리소그래피 장치 |
| KR20220005361A (ko) | 2020-07-06 | 2022-01-13 | 삼성전자주식회사 | 경사 조명을 이용한 회절 기반 계측 장치 및 방법, 그 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| EP3936936A1 (en) | 2020-07-08 | 2022-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator with extended fiber lifetime |
| DK3936937T3 (en) | 2020-07-08 | 2022-09-19 | Asml Netherlands Bv | Hollow-Core Fiber Based Broadband Radiation Generator With Extended Fiber Lifetime |
| CN115777085A (zh) | 2020-07-09 | 2023-03-10 | Asml荷兰有限公司 | 用于调整图案化过程的方法 |
| KR20230021733A (ko) | 2020-07-09 | 2023-02-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 그리고 컴퓨터 프로그램 |
| EP3944020A1 (en) | 2020-07-20 | 2022-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Method for adjusting a patterning process |
| US20230315027A1 (en) | 2020-07-09 | 2023-10-05 | Asml Netherlands B.V. | Motion control using an artificial neural network |
| EP3945548A1 (en) | 2020-07-30 | 2022-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Method for classifying semiconductor wafers |
| EP3962241A1 (en) | 2020-08-26 | 2022-03-02 | ASML Netherlands B.V. | An illumination source and associated metrology apparatus |
| US20230288818A1 (en) | 2020-07-21 | 2023-09-14 | ASML Netherlands B,V. | An illumination source and associated metrology apparatus |
| EP3945367A1 (en) | 2020-07-31 | 2022-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses |
| CN116157744A (zh) | 2020-07-22 | 2023-05-23 | Asml荷兰有限公司 | 用于控制制造工艺的方法和相关联的装置 |
| KR20230029934A (ko) | 2020-07-28 | 2023-03-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치의 초점 성능을 측정하기 위한 방법, 패터닝 디바이스 및 장치, 디바이스 제조 방법 |
| WO2022028796A1 (en) | 2020-08-03 | 2022-02-10 | Asml Netherlands B.V. | Method for generating broadband radiation and associated broadband source and metrology device |
| EP3974899A1 (en) | 2020-09-28 | 2022-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Method for generating broadband radiation and associated broadband source and metrology device |
| EP4001976A1 (en) | 2020-11-13 | 2022-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Hollow core fiber light source and a method for manufacturing a hollow core fiber |
| EP4193205A1 (en) | 2020-08-06 | 2023-06-14 | ASML Netherlands B.V. | Hollow core fiber light source and a method for manufacturing a hollow core fiber |
| EP3961303A1 (en) | 2020-08-27 | 2022-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab |
| KR20230038264A (ko) | 2020-08-11 | 2023-03-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 반도체 팹 내의 오염을 식별하기 위한 방법 및 장치 |
| EP3958052A1 (en) | 2020-08-20 | 2022-02-23 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method for measuring an exposed pattern and associated metrology apparatus |
| EP3961304A1 (en) | 2020-08-31 | 2022-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Mapping metrics between manufacturing systems |
| EP3964892A1 (en) | 2020-09-02 | 2022-03-09 | Stichting VU | Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope |
| EP3964809A1 (en) | 2020-09-02 | 2022-03-09 | Stichting VU | Wavefront metrology sensor and mask therefor, method for optimizing a mask and associated apparatuses |
| IL300587A (en) | 2020-09-03 | 2023-04-01 | Asml Netherlands Bv | Photonic crystal radiation generator based on broadband hollow crystal fibers |
| EP3988996A1 (en) | 2020-10-20 | 2022-04-27 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator |
| EP3968090A1 (en) | 2020-09-11 | 2022-03-16 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source arrangement and metrology device |
| EP3971555A1 (en) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Method of performing metrology |
| KR20230069123A (ko) | 2020-09-16 | 2023-05-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측을 수행하는 방법, 기계 학습 모델을 트레이닝시키는 방법, 2차원 재료를 포함하는 층을 제공하는 방법, 계측 장치 |
| CN116420069A (zh) | 2020-09-28 | 2023-07-11 | Asml荷兰有限公司 | 具有投影系统的位置控制的量测工具 |
| CN116209958A (zh) | 2020-09-28 | 2023-06-02 | Asml荷兰有限公司 | 目标结构以及相关联的方法和设备 |
| EP3978964A1 (en) | 2020-10-01 | 2022-04-06 | ASML Netherlands B.V. | Achromatic optical relay arrangement |
| EP4002015A1 (en) | 2020-11-16 | 2022-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Dark field digital holographic microscope and associated metrology method |
| CN116648675A (zh) | 2020-11-17 | 2023-08-25 | Asml荷兰有限公司 | 量测系统和光刻系统 |
| WO2022111945A1 (en) | 2020-11-24 | 2022-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining mark structure for overlay fingerprints |
| EP4006640A1 (en) | 2020-11-26 | 2022-06-01 | Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten | Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure |
| WO2022111967A2 (en) | 2020-11-27 | 2022-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses |
| WO2022111935A1 (en) | 2020-11-30 | 2022-06-02 | Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten | Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method |
| EP4006641A1 (en) | 2020-11-30 | 2022-06-01 | Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten | Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method |
| EP4009107A1 (en) | 2020-12-01 | 2022-06-08 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for imaging nonstationary object |
| IL303221A (en) | 2020-12-08 | 2023-07-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and related devices |
| EP4012492A1 (en) | 2020-12-10 | 2022-06-15 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator |
| EP4012494A1 (en) | 2020-12-10 | 2022-06-15 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator |
| KR20220088538A (ko) | 2020-12-18 | 2022-06-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
| EP4016186A1 (en) | 2020-12-18 | 2022-06-22 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus |
| EP4030236A1 (en) | 2021-01-18 | 2022-07-20 | ASML Netherlands B.V. | A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses |
| US20240004309A1 (en) | 2020-12-21 | 2024-01-04 | Asml Netherlands B.V. | A method of monitoring a lithographic process |
| EP4017221A1 (en) | 2020-12-21 | 2022-06-22 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for controlling electron density distributions |
| EP4020084A1 (en) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method |
| EP4030230A1 (en) | 2021-01-18 | 2022-07-20 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for providing a broadband light source |
| WO2022135823A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-06-30 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatus for providing a broadband light source |
| EP4075341A1 (en) | 2021-04-18 | 2022-10-19 | ASML Netherlands B.V. | Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation |
| WO2022144203A1 (en) | 2020-12-30 | 2022-07-07 | Asml Netherlands B.V. | Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation |
| EP4075339A1 (en) | 2021-04-15 | 2022-10-19 | ASML Netherlands B.V. | Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation |
| EP4075340A1 (en) | 2021-04-15 | 2022-10-19 | ASML Netherlands B.V. | Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation |
| EP4030237A1 (en) | 2021-01-19 | 2022-07-20 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and system and lithographic system |
| US20240053532A1 (en) | 2021-01-27 | 2024-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber |
| EP4036619A1 (en) | 2021-01-27 | 2022-08-03 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber |
| EP4036646A1 (en) | 2021-01-29 | 2022-08-03 | ASML Netherlands B.V. | Metrology methods and appratuses |
| EP4040233A1 (en) | 2021-02-03 | 2022-08-10 | ASML Netherlands B.V. | A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and appratuses |
| US20240134182A1 (en) | 2021-02-04 | 2024-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses |
| EP4067968A1 (en) | 2021-03-29 | 2022-10-05 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses |
| EP4047400A1 (en) | 2021-02-17 | 2022-08-24 | ASML Netherlands B.V. | Assembly for separating radiation in the far field |
| WO2022174991A1 (en) | 2021-02-17 | 2022-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Assembly for separating radiation in the far field |
| EP4057069A1 (en) | 2021-03-11 | 2022-09-14 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for characterizing a semiconductor manufacturing process |
| US20240152024A1 (en) | 2021-03-16 | 2024-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Hollow-core optical fiber based radiation source |
| EP4060408A1 (en) | 2021-03-16 | 2022-09-21 | ASML Netherlands B.V. | Method and system for predicting process information with a parameterized model |
| EP4060403A1 (en) | 2021-03-16 | 2022-09-21 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based multiple wavelength light source device |
| EP4086698A1 (en) | 2021-05-06 | 2022-11-09 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core optical fiber based radiation source |
| US20240160151A1 (en) | 2021-03-22 | 2024-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Digital holographic microscope and associated metrology method |
| EP4063971A1 (en) | 2021-03-22 | 2022-09-28 | ASML Netherlands B.V. | Digital holographic microscope and associated metrology method |
| EP4071553A1 (en) | 2021-04-07 | 2022-10-12 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining at least a target layout and associated metrology apparatus |
| EP4080284A1 (en) | 2021-04-19 | 2022-10-26 | ASML Netherlands B.V. | Metrology tool calibration method and associated metrology tool |
| WO2022223230A1 (en) | 2021-04-19 | 2022-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Metrology tool calibration method and associated metrology tool |
| WO2022228820A1 (en) | 2021-04-26 | 2022-11-03 | Asml Netherlands B.V. | A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus |
| EP4170421A1 (en) | 2021-10-25 | 2023-04-26 | ASML Netherlands B.V. | A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus |
| EP4334766A1 (en) | 2021-05-03 | 2024-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Optical element for generation of broadband radiation |
| EP4105696A1 (en) | 2021-06-15 | 2022-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Optical element for generation of broadband radiation |
| US20240241452A1 (en) | 2021-05-04 | 2024-07-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus and lithographic apparatus |
| EP4089484A1 (en) | 2021-05-12 | 2022-11-16 | ASML Netherlands B.V. | System and method to ensure parameter measurement matching across metrology tools |
| EP4187321A1 (en) | 2021-11-24 | 2023-05-31 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology tool |
| WO2022253501A1 (en) | 2021-05-31 | 2022-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology tool |
| EP4137889A1 (en) | 2021-08-20 | 2023-02-22 | ASML Netherlands B.V. | Metrology measurement method and apparatus |
| IL308370A (en) | 2021-05-31 | 2024-01-01 | Asml Netherlands Bv | Metrological measurement method and device |
| WO2022263102A1 (en) | 2021-06-14 | 2022-12-22 | Asml Netherlands B.V. | An illumination source and associated method apparatus |
| EP4134734A1 (en) | 2021-08-11 | 2023-02-15 | ASML Netherlands B.V. | An illumination source and associated method apparatus |
| EP4124909A1 (en) | 2021-07-28 | 2023-02-01 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and device |
| IL308972A (en) | 2021-06-18 | 2024-01-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and instrument |
| EP4112572A1 (en) | 2021-06-28 | 2023-01-04 | ASML Netherlands B.V. | Method of producing photonic crystal fibers |
| EP4113210A1 (en) | 2021-07-01 | 2023-01-04 | ASML Netherlands B.V. | A method of monitoring a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses |
| US11669079B2 (en) * | 2021-07-12 | 2023-06-06 | Tokyo Electron Limited | Tool health monitoring and classifications with virtual metrology and incoming wafer monitoring enhancements |
| CN117642701A (zh) | 2021-07-16 | 2024-03-01 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备 |
| EP4130880A1 (en) | 2021-08-03 | 2023-02-08 | ASML Netherlands B.V. | Methods of data mapping for low dimensional data analysis |
| WO2023001463A1 (en) | 2021-07-20 | 2023-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Methods and computer programs for data mapping for low dimensional data analysis |
| IL310095A (en) | 2021-07-23 | 2024-03-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and metrology device |
| EP4124911A1 (en) | 2021-07-29 | 2023-02-01 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and metrology device |
| WO2023011905A1 (en) | 2021-08-02 | 2023-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Optical element for use in metrology systems |
| WO2023012338A1 (en) | 2021-08-06 | 2023-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology target, patterning device and metrology method |
| WO2023020856A1 (en) | 2021-08-18 | 2023-02-23 | Universiteit Van Amsterdam | Metrology method and apparatus |
| EP4163715A1 (en) | 2021-10-05 | 2023-04-12 | ASML Netherlands B.V. | Improved broadband radiation generation in photonic crystal or highly non-linear fibres |
| IL309622A (en) | 2021-08-25 | 2024-02-01 | Asml Netherlands Bv | Improving broadband radiation generation in photonic crystal or nonlinear fibers |
| EP4194952A1 (en) | 2021-12-13 | 2023-06-14 | ASML Netherlands B.V. | Method for determing a measurement recipe and associated apparatuses |
| JP2024531236A (ja) | 2021-08-26 | 2024-08-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 測定レシピを決定するための方法及び関連する機器 |
| KR20240056509A (ko) | 2021-09-07 | 2024-04-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 공정을 모니터링하는 방법 및 관련된 장치 |
| EP4191337A1 (en) | 2021-12-01 | 2023-06-07 | ASML Netherlands B.V. | A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses |
| CN117999517A (zh) | 2021-09-08 | 2024-05-07 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法以及相关联的量测和光刻设备 |
| EP4184426A1 (en) | 2021-11-22 | 2023-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and device |
| WO2023041274A1 (en) | 2021-09-14 | 2023-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and device |
| CN117940851A (zh) | 2021-09-15 | 2024-04-26 | Asml荷兰有限公司 | 从量测数据的源分离 |
| KR20240067903A (ko) | 2021-09-22 | 2024-05-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 소스 선택 모듈, 그리고 관련된 계측 및 리소그래피 장치 |
| EP4155821A1 (en) | 2021-09-27 | 2023-03-29 | ASML Netherlands B.V. | Method for focus metrology and associated apparatuses |
| EP4155822A1 (en) | 2021-09-28 | 2023-03-29 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and system and lithographic system |
| EP4160314A1 (en) | 2021-10-04 | 2023-04-05 | ASML Netherlands B.V. | Method for measuring at least one target on a substrate |
| EP4163687A1 (en) | 2021-10-06 | 2023-04-12 | ASML Netherlands B.V. | Fiber alignment monitoring tool and associated fiber alignment method |
| EP4167031A1 (en) | 2021-10-18 | 2023-04-19 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a measurement recipe in a metrology method |
| EP4170429A1 (en) | 2021-10-19 | 2023-04-26 | ASML Netherlands B.V. | Out-of-band leakage correction method and metrology apparatus |
| EP4170430A1 (en) | 2021-10-25 | 2023-04-26 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure |
| EP4174568A1 (en) | 2021-11-01 | 2023-05-03 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator |
| EP4174577A1 (en) | 2021-11-01 | 2023-05-03 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a performance parameter distribution |
| WO2023078619A1 (en) | 2021-11-02 | 2023-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator |
| EP4174567A1 (en) | 2021-11-02 | 2023-05-03 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator |
| FR3128779B1 (fr) | 2021-11-02 | 2024-03-01 | Commissariat Energie Atomique | Structure de metrologie |
| EP4181018A1 (en) | 2021-11-12 | 2023-05-17 | ASML Netherlands B.V. | Latent space synchronization of machine learning models for in-device metrology inference |
| EP4184250A1 (en) | 2021-11-23 | 2023-05-24 | ASML Netherlands B.V. | Obtaining a parameter characterizing a fabrication process |
| EP4191338A1 (en) | 2021-12-03 | 2023-06-07 | ASML Netherlands B.V. | Metrology calibration method |
| EP4445221A1 (en) | 2021-12-09 | 2024-10-16 | ASML Netherlands B.V. | Surrounding pattern and process aware metrology |
| WO2023110318A1 (en) | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Machine learning model for asymmetry-induced overlay error correction |
| EP4202550A1 (en) | 2021-12-22 | 2023-06-28 | ASML Netherlands B.V. | Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method |
| WO2023126300A1 (en) | 2021-12-28 | 2023-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Element of an afm tool |
| IL313849A (en) | 2022-01-10 | 2024-08-01 | Asml Netherlands Bv | Mechanically controlled optical systems and methods |
| CN118591773A (zh) | 2022-01-21 | 2024-09-03 | Asml荷兰有限公司 | 用于检查光刻设备的部分的系统和方法 |
| EP4224254A1 (en) | 2022-02-04 | 2023-08-09 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology device |
| EP4224255A1 (en) | 2022-02-08 | 2023-08-09 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method |
| CN118715485A (zh) | 2022-02-10 | 2024-09-27 | Asml荷兰有限公司 | 用机器学习从光学量测数据生成sem质量量测数据的系统和方法 |
| EP4231090A1 (en) | 2022-02-17 | 2023-08-23 | ASML Netherlands B.V. | A supercontinuum radiation source and associated metrology devices |
| WO2023160924A1 (en) | 2022-02-22 | 2023-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for reflecting pulsed radiation |
| WO2023160925A1 (en) | 2022-02-25 | 2023-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for cleaning a portion of a lithography apparatus |
| IL314698A (en) | 2022-03-01 | 2024-10-01 | Asml Netherlands B V | Device and methods for filtering radiation measurement |
| EP4250010A1 (en) | 2022-03-25 | 2023-09-27 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus and methods for filtering measurement radiation |
| EP4242744A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-13 | ASML Netherlands B.V. | Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses |
| EP4246231A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-20 | Stichting VU | A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses |
| EP4246232A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-20 | Stichting VU | Illumination arrangement for a metrology device and associated method |
| WO2023174648A1 (en) | 2022-03-18 | 2023-09-21 | Stichting Vu | Illumination arrangement for a metrology device and associated method |
| EP4254068A1 (en) | 2022-03-28 | 2023-10-04 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof |
| EP4254266A1 (en) | 2022-03-29 | 2023-10-04 | ASML Netherlands B.V. | Methods related to an autoencoder model or similar for manufacturing process parameter estimation |
| EP4296780A1 (en) | 2022-06-24 | 2023-12-27 | ASML Netherlands B.V. | Imaging method and metrology device |
| WO2023194036A1 (en) | 2022-04-05 | 2023-10-12 | Asml Netherlands B.V. | Imaging method and metrology device |
| EP4273622A1 (en) | 2022-05-02 | 2023-11-08 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core optical fiber based radiation source |
| WO2023194049A1 (en) | 2022-04-08 | 2023-10-12 | Asml Netherlands B.V. | Hollow-core optical fiber based radiation source |
| EP4261618A1 (en) | 2022-04-14 | 2023-10-18 | ASML Netherlands B.V. | A method of determining a correction for control of a lithography and/or metrology process, and associated devices |
| EP4279993A1 (en) | 2022-05-18 | 2023-11-22 | ASML Netherlands B.V. | Source selection module and associated metrology apparatus |
| WO2023208487A1 (en) | 2022-04-25 | 2023-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Source selection module and associated metrology apparatus |
| WO2023213527A1 (en) | 2022-05-03 | 2023-11-09 | Asml Netherlands B.V. | Illumination mode selector and associated optical metrology tool |
| EP4276537A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-15 | ASML Netherlands B.V. | Illumination mode selector and associated optical metrology tool |
| WO2023222310A1 (en) | 2022-05-16 | 2023-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus |
| EP4279992A1 (en) | 2022-05-18 | 2023-11-22 | ASML Netherlands B.V. | Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus |
| WO2023222342A1 (en) | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Measurement of fabrication parameters based on moiré interference pattern components |
| WO2023222349A1 (en) | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Single pad overlay measurement |
| EP4279994A1 (en) | 2022-05-20 | 2023-11-22 | ASML Netherlands B.V. | Illumination module and associated methods and metrology apparatus |
| WO2023222328A1 (en) | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Illumination module and associated methods and metrology apparatus |
| EP4303655A1 (en) | 2022-07-04 | 2024-01-10 | ASML Netherlands B.V. | A membrane and associated method and apparatus |
| WO2023232360A1 (en) | 2022-05-31 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a failure event on a lithography system and associated failure detection module |
| WO2023232408A1 (en) | 2022-05-31 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | A membrane and associated method and apparatus |
| WO2023232397A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device |
| EP4328670A1 (en) | 2022-08-23 | 2024-02-28 | ASML Netherlands B.V. | Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device |
| EP4296779A1 (en) | 2022-06-21 | 2023-12-27 | ASML Netherlands B.V. | Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device |
| WO2023232478A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Asml Netherlands B.V. | Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device |
| EP4289798A1 (en) | 2022-06-07 | 2023-12-13 | ASML Netherlands B.V. | Method of producing photonic crystal fibers |
| EP4300193A1 (en) | 2022-06-27 | 2024-01-03 | ASML Netherlands B.V. | Focus measurment and control in metrology and associated wedge arrangement |
| EP4300183A1 (en) | 2022-06-30 | 2024-01-03 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus for broadband radiation generation |
| EP4303658A1 (en) | 2022-07-05 | 2024-01-10 | ASML Netherlands B.V. | Method of correction metrology signal data |
| WO2024012772A1 (en) | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology target and associated metrology method |
| EP4312079A1 (en) | 2022-07-29 | 2024-01-31 | ASML Netherlands B.V. | Methods of mitigating crosstalk in metrology images |
| EP4312005A1 (en) | 2022-07-29 | 2024-01-31 | Stichting VU | Method and apparatuses for fourier transform spectrometry |
| EP4318131A1 (en) | 2022-08-01 | 2024-02-07 | ASML Netherlands B.V. | Sensor module, illuminator, metrology device and associated metrology method |
| WO2024033036A1 (en) | 2022-08-08 | 2024-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology device |
| EP4321933A1 (en) | 2022-08-09 | 2024-02-14 | ASML Netherlands B.V. | A radiation source |
| WO2024033005A1 (en) | 2022-08-09 | 2024-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Inference model training |
| EP4361726A1 (en) | 2022-10-24 | 2024-05-01 | ASML Netherlands B.V. | Inference model training |
| WO2024033035A1 (en) | 2022-08-10 | 2024-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology device |
| EP4332678A1 (en) | 2022-09-05 | 2024-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Holographic metrology apparatus and method |
| WO2024052057A1 (en) | 2022-09-06 | 2024-03-14 | Asml Netherlands B.V. | Method for monitoring proper functioning of one or more components of a lithography system |
| WO2024052012A1 (en) | 2022-09-07 | 2024-03-14 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology device |
| EP4336262A1 (en) | 2022-09-07 | 2024-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology device |
| EP4336251A1 (en) | 2022-09-12 | 2024-03-13 | ASML Netherlands B.V. | A multi-pass radiation device |
| WO2024056296A1 (en) | 2022-09-13 | 2024-03-21 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology device |
| WO2024078813A1 (en) | 2022-10-11 | 2024-04-18 | Asml Netherlands B.V. | An aberration correction optical system |
| EP4354224A1 (en) | 2022-10-11 | 2024-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Method for operating a detection system of a metrology device and associated metrology device |
| EP4354200A1 (en) | 2022-10-11 | 2024-04-17 | ASML Netherlands B.V. | An aberration correction optical system |
| WO2024083559A1 (en) | 2022-10-17 | 2024-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and methods for filtering measurement radiation |
| EP4357853A1 (en) | 2022-10-17 | 2024-04-24 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus and methods for filtering measurement radiation |
| EP4361703A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-01 | ASML Netherlands B.V. | An illumination module for a metrology device |
| EP4372462A1 (en) | 2022-11-16 | 2024-05-22 | ASML Netherlands B.V. | A broadband radiation source |
| EP4371949A1 (en) | 2022-11-17 | 2024-05-22 | ASML Netherlands B.V. | A fiber manufacturing intermediate product and method of producing photonic crystal fibers |
| EP4371951A1 (en) | 2022-11-17 | 2024-05-22 | ASML Netherlands B.V. | A method of producing photonic crystal fibers |
| EP4372463A1 (en) | 2022-11-21 | 2024-05-22 | ASML Netherlands B.V. | Method and source modul for generating broadband radiation |
| EP4375744A1 (en) | 2022-11-24 | 2024-05-29 | ASML Netherlands B.V. | Photonic integrated circuit for generating broadband radiation |
| WO2024115048A1 (en) | 2022-12-02 | 2024-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Method for labeling time series data relating to one or more machines |
| WO2024120709A1 (en) | 2022-12-07 | 2024-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Supercontinuum radiation source |
| WO2024153407A1 (en) | 2023-01-16 | 2024-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Focus metrology method and associated metrology device |
| EP4400913A1 (en) | 2023-01-16 | 2024-07-17 | ASML Netherlands B.V. | Focus metrology method and associated metrology device |
| WO2024153591A1 (en) | 2023-01-20 | 2024-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for patterning process performance determination |
| WO2024153392A1 (en) | 2023-01-20 | 2024-07-25 | Asml Netherlands B.V. | System and method for producing supercontinuum radiation |
| EP4407372A1 (en) | 2023-01-30 | 2024-07-31 | ASML Netherlands B.V. | System and method for producing supercontinuum radiation |
| WO2024156440A1 (en) | 2023-01-24 | 2024-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Phase generated carrier interrogator and associated phase generated carrier interrogation method |
| WO2024160498A1 (en) | 2023-01-30 | 2024-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Method of performing a maintenance action on a lithographic apparatus |
| EP4414783A1 (en) | 2023-02-09 | 2024-08-14 | Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten | Method for nonlinear optical measurement of parameter |
| WO2024170230A1 (en) | 2023-02-13 | 2024-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and associated metrology tool |
| EP4414785A1 (en) | 2023-02-13 | 2024-08-14 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method with beams incident on a target at a plurality of different angles of incidence and associated metrology tool |
| WO2024170186A1 (en) | 2023-02-13 | 2024-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Reticle frontside potential control with clamp burl connection |
| WO2024175266A1 (en) | 2023-02-20 | 2024-08-29 | Asml Netherlands B.V. | Phase generated carrier interrogator and associated phase generated carrier interrogation method |
| EP4432007A1 (en) | 2023-03-13 | 2024-09-18 | ASML Netherlands B.V. | Hollow-core optical fiber based radiation source |
| EP4431988A1 (en) | 2023-03-13 | 2024-09-18 | ASML Netherlands B.V. | An illumination module for a metrology device |
| WO2024199864A1 (en) | 2023-03-30 | 2024-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Gas mixture for hollow core fiber used in generating broadband radiation |
| EP4451021A1 (en) | 2023-04-17 | 2024-10-23 | ASML Netherlands B.V. | Photonic crystal fiber |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006060214A (ja) | 2004-08-16 | 2006-03-02 | Asml Netherlands Bv | 角度分解した分光リソグラフィの特徴付けの方法および装置 |
| US20060132807A1 (en) | 2001-04-10 | 2006-06-22 | Ibrahim Abdulhalim | Periodic patterns and technique to control misalignment between two layers |
| JP2006165371A (ja) | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Canon Inc | 転写装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4332473A (en) * | 1979-01-31 | 1982-06-01 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for detecting a mutual positional relationship of two sample members |
| US4999014A (en) | 1989-05-04 | 1991-03-12 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for measuring thickness of thin films |
| US5689339A (en) * | 1991-10-23 | 1997-11-18 | Nikon Corporation | Alignment apparatus |
| US6153886A (en) * | 1993-02-19 | 2000-11-28 | Nikon Corporation | Alignment apparatus in projection exposure apparatus |
| US6034378A (en) * | 1995-02-01 | 2000-03-07 | Nikon Corporation | Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus |
| US5808742A (en) | 1995-05-31 | 1998-09-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks |
| US5805290A (en) * | 1996-05-02 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of optical metrology of unresolved pattern arrays |
| JPH11121351A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Nikon Corp | 焦点位置検出装置のビーム調整法 |
| AU2076699A (en) | 1998-02-02 | 1999-08-16 | Nikon Corporation | Surface position sensor and position sensor |
| US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
| US7009704B1 (en) | 2000-10-26 | 2006-03-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay error detection |
| WO2002065545A2 (en) | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Sensys Instruments Corporation | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
| US6699624B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-03-02 | Timbre Technologies, Inc. | Grating test patterns and methods for overlay metrology |
| KR100536646B1 (ko) | 2001-03-02 | 2005-12-14 | 액센트 옵티칼 테크놀로지스 인코포레이티드 | 산란 측정법을 이용한 라인 프로파일 비대칭 측정 |
| US6458605B1 (en) * | 2001-06-28 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling photolithography overlay registration |
| US7193715B2 (en) | 2002-11-14 | 2007-03-20 | Tokyo Electron Limited | Measurement of overlay using diffraction gratings when overlay exceeds the grating period |
| US7230703B2 (en) | 2003-07-17 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings |
| US7271921B2 (en) * | 2003-07-23 | 2007-09-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for determining surface layer thickness using continuous multi-wavelength surface scanning |
| AU2003300005A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-03 | International Business Machines Corporation | Differential critical dimension and overlay metrology apparatus and measurement method |
| TWI288307B (en) * | 2004-04-30 | 2007-10-11 | United Microelectronics Corp | Method of measuring the overlay accuracy of a multi-exposure process |
| US20060117293A1 (en) | 2004-11-30 | 2006-06-01 | Nigel Smith | Method for designing an overlay mark |
| US7528953B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging |
| TWI286196B (en) * | 2006-02-22 | 2007-09-01 | Ind Tech Res Inst | Methods and systems for determining overlay error based on target image symmetry |
| US7561282B1 (en) * | 2006-03-27 | 2009-07-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Techniques for determining overlay and critical dimension using a single metrology tool |
| US7415319B2 (en) | 2006-04-04 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7528941B2 (en) | 2006-06-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technolgies Corporation | Order selected overlay metrology |
| US7564554B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-07-21 | Intel Corporation | Wafer-based optical pattern recognition targets using regions of gratings |
| US20080018897A1 (en) * | 2006-07-20 | 2008-01-24 | Nanometrics Incorporated | Methods and apparatuses for assessing overlay error on workpieces |
| JP4293223B2 (ja) | 2006-10-16 | 2009-07-08 | 日本電気株式会社 | プログラム並列化装置及びその方法並びにプログラム |
| US7599064B2 (en) * | 2007-03-07 | 2009-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method, substrate for use in the methods |
| NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
-
2008
- 2008-11-26 NL NL1036245A patent/NL1036245A1/nl active Search and Examination
- 2008-12-08 TW TW097147706A patent/TWI414910B/zh active
- 2008-12-09 SG SG10201607528VA patent/SG10201607528VA/en unknown
- 2008-12-09 KR KR1020207031099A patent/KR102328016B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 IL IL298089A patent/IL298089A/en unknown
- 2008-12-09 KR KR1020197028810A patent/KR102173598B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 KR KR1020177006830A patent/KR102102302B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 KR KR1020107015886A patent/KR101492195B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 KR KR1020197007314A patent/KR102029967B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 JP JP2010537881A patent/JP5232871B2/ja active Active
- 2008-12-09 CN CN2008801211252A patent/CN101903832A/zh active Pending
- 2008-12-09 KR KR1020147031034A patent/KR101627257B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 IL IL270014A patent/IL270014B/en unknown
- 2008-12-09 KR KR1020187004581A patent/KR102002005B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 SG SG2013018775A patent/SG188895A1/en unknown
- 2008-12-09 KR KR1020217037054A patent/KR102414471B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 WO PCT/NL2008/050785 patent/WO2009078708A1/en active Application Filing
- 2008-12-09 KR KR1020167014359A patent/KR101717563B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 KR KR1020147027403A patent/KR101551340B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 CN CN201610585948.7A patent/CN106019855B/zh active Active
- 2008-12-09 KR KR1020157005446A patent/KR101596371B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-09 US US12/747,795 patent/US8339595B2/en active Active
- 2008-12-09 EP EP08861584.4A patent/EP2223186B1/en active Active
- 2008-12-09 IL IL292787A patent/IL292787B2/en unknown
-
2010
- 2010-06-10 IL IL206290A patent/IL206290A0/en active IP Right Grant
-
2012
- 2012-11-14 US US13/676,562 patent/US8670118B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-10 US US14/202,825 patent/US9909996B2/en active Active
-
2015
- 2015-12-10 IL IL24302015A patent/IL243020B/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-08-22 US US15/683,280 patent/US10520451B2/en active Active
-
2019
- 2019-12-18 US US16/719,075 patent/US11619595B2/en active Active
- 2019-12-18 US US16/719,107 patent/US11644428B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-16 US US18/056,073 patent/US11953450B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060132807A1 (en) | 2001-04-10 | 2006-06-22 | Ibrahim Abdulhalim | Periodic patterns and technique to control misalignment between two layers |
| JP2006060214A (ja) | 2004-08-16 | 2006-03-02 | Asml Netherlands Bv | 角度分解した分光リソグラフィの特徴付けの方法および装置 |
| US20060066855A1 (en) * | 2004-08-16 | 2006-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
| JP2006165371A (ja) | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Canon Inc | 転写装置およびデバイス製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11977338B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-05-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Defocus measurement method, correction method, and method of manufacturing semiconductor device by using the correction method |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102102302B1 (ko) | 회절 기반 오버레이 메트롤로지 툴 및 방법 | |
| KR100777417B1 (ko) | 정렬 마크로서의 정현파적인 바이너리 서브 파장 격자 | |
| KR20090095509A (ko) | 정렬 마크 제공 방법, 디바이스 제조 방법 및 리소그래피 장치 | |
| CN111065974B (zh) | 用于在小量测目标上对准的拍频图案 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2018101000246; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20180119 Effective date: 20191212 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant |