JPH09244222A - 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク - Google Patents
重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マークInfo
- Publication number
- JPH09244222A JPH09244222A JP5154296A JP5154296A JPH09244222A JP H09244222 A JPH09244222 A JP H09244222A JP 5154296 A JP5154296 A JP 5154296A JP 5154296 A JP5154296 A JP 5154296A JP H09244222 A JPH09244222 A JP H09244222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- overlay error
- reticle
- measurement mark
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/975—Substrate or mask aligning feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 収差の影響を考慮した重ね合わせ誤差測定用
レチクルおよびそのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測
定方法を提供する。 【解決手段】 収差定量レチクル１０１には、互いに分
離された複数のユニット１０２が形成されている。ユニ
ット１０２には、平面形状が正方形の第１の測定マーク
と、その第１の測定マーク内に位置しかつ複数のホール
が正方形に配置された第２測定マークとが形成されてい
る。
レチクルおよびそのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測
定方法を提供する。 【解決手段】 収差定量レチクル１０１には、互いに分
離された複数のユニット１０２が形成されている。ユニ
ット１０２には、平面形状が正方形の第１の測定マーク
と、その第１の測定マーク内に位置しかつ複数のホール
が正方形に配置された第２測定マークとが形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光技術に関し、
より特定的には、収差の影響を考慮した重ね合わせ誤差
測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差
測定方法および重ね合わせ誤差測定マークに関するもの
である。
より特定的には、収差の影響を考慮した重ね合わせ誤差
測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差
測定方法および重ね合わせ誤差測定マークに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は複数の層から形成さ
れ、半導体装置を構成する素子の寸法の微細化が図られ
ている。そのため、半導体装置の各層に形成される素子
の重ね合わせ誤差は重要になってきている。また、素子
の寸法が微細化されるにつれて、光学系の収差による露
光の影響も無視できなくなってきている。
れ、半導体装置を構成する素子の寸法の微細化が図られ
ている。そのため、半導体装置の各層に形成される素子
の重ね合わせ誤差は重要になってきている。また、素子
の寸法が微細化されるにつれて、光学系の収差による露
光の影響も無視できなくなってきている。
【０００３】ここで、上述した重ね合わせ誤差は、以下
の項目に細分することができる。 （１） 重ね合わせ誤差：総合的な意味での重ね合わせ
誤差 （２） アライメント誤差：アライメントを行なったチ
ップにおけるＸ、Ｙ、θのアライメント誤差 （３） 装置の安定性と相対誤差：アライナ自体が持つ
誤差 （４） マスク誤差：マスク角座標点の理想点からのパ
ターンロケーション誤差 （５） マスクの熱膨張による誤差：マスクのアライナ
中における熱膨張に起因する重ね合わせ誤差 （６） その他の誤差：マスクおよびウェハ固定時のベ
ンディング（bending）によるエラー（error ）やウェ
ハ高温熱処理によるNon Linear Distortion など 以上のように、重ね合わせ誤差には多くの要因がある
が、ここでは、（１）の重ね合わせ誤差について以下に
説明する。
の項目に細分することができる。 （１） 重ね合わせ誤差：総合的な意味での重ね合わせ
誤差 （２） アライメント誤差：アライメントを行なったチ
ップにおけるＸ、Ｙ、θのアライメント誤差 （３） 装置の安定性と相対誤差：アライナ自体が持つ
誤差 （４） マスク誤差：マスク角座標点の理想点からのパ
ターンロケーション誤差 （５） マスクの熱膨張による誤差：マスクのアライナ
中における熱膨張に起因する重ね合わせ誤差 （６） その他の誤差：マスクおよびウェハ固定時のベ
ンディング（bending）によるエラー（error ）やウェ
ハ高温熱処理によるNon Linear Distortion など 以上のように、重ね合わせ誤差には多くの要因がある
が、ここでは、（１）の重ね合わせ誤差について以下に
説明する。
【０００４】まず、この重ね合わせ誤差を測定するため
の重ね合わせ誤差測定マークについて、ＤＲＡＭ（Dyna
mic Random Access Memory）のメモリセルを構成するＭ
ＯＳ（Metal Oxide Semiconductor ）トランジスタの場
合について説明する。
の重ね合わせ誤差測定マークについて、ＤＲＡＭ（Dyna
mic Random Access Memory）のメモリセルを構成するＭ
ＯＳ（Metal Oxide Semiconductor ）トランジスタの場
合について説明する。
【０００５】図１５は、一般的なＭＯＳトランジスタの
構成を概略的に示す断面図である。また図１６は、その
ＭＯＳトランジスタが含まれる半導体装置の構成を概略
的に示す平面図である。
構成を概略的に示す断面図である。また図１６は、その
ＭＯＳトランジスタが含まれる半導体装置の構成を概略
的に示す平面図である。
【０００６】主に図１５を参照して、ＭＯＳトランジス
タは、１対のソース／ドレイン領域７、７と、ゲート絶
縁層２と、ゲート電極層６とを有している。１対のソー
ス／ドレイン領域７、７は、半導体基板１の表面に互い
に距離を隔てて形成されている。ゲート電極層６は、１
対のソース／ドレイン領域７、７に挟まれる領域上にゲ
ート絶縁層２を介在して形成されている。
タは、１対のソース／ドレイン領域７、７と、ゲート絶
縁層２と、ゲート電極層６とを有している。１対のソー
ス／ドレイン領域７、７は、半導体基板１の表面に互い
に距離を隔てて形成されている。ゲート電極層６は、１
対のソース／ドレイン領域７、７に挟まれる領域上にゲ
ート絶縁層２を介在して形成されている。
【０００７】このゲート電極層６を覆うように層間絶縁
層３が形成されている。層間絶縁層３とゲート絶縁層２
とには、ソース／ドレイン領域の一部表面に達するコン
タクトホール３ａが形成されている。このコンタクトホ
ール３ａを通じてソース／ドレイン領域７と電気的に接
続するようにビット線５が形成されている。
層３が形成されている。層間絶縁層３とゲート絶縁層２
とには、ソース／ドレイン領域の一部表面に達するコン
タクトホール３ａが形成されている。このコンタクトホ
ール３ａを通じてソース／ドレイン領域７と電気的に接
続するようにビット線５が形成されている。
【０００８】主に図１６を参照して、ＤＲＡＭにおいて
は、ゲート電極層６は、ワード線と一体化して図中Ｙ方
向に延びている。またビット線５は、ワード線６と直交
する図中Ｘ方向に延びている。
は、ゲート電極層６は、ワード線と一体化して図中Ｙ方
向に延びている。またビット線５は、ワード線６と直交
する図中Ｘ方向に延びている。
【０００９】ここで、ワード線６およびビット線５を各
々０．４μｍとし、ワード線とビット線とは各々１μｍ
の間隔で配置されているとする。
々０．４μｍとし、ワード線とビット線とは各々１μｍ
の間隔で配置されているとする。
【００１０】ＤＲＡＭにおいては、ストレージノード
（下部電極）はコンタクトホール１０によりＭＯＳトラ
ンジスタのソース／ドレイン領域７と接続される。この
コンタクトホール１０は、通常、ワード線６とビット線
５とに囲まれる領域１０Ａに開口される。このコンタク
トホール１０の開口の大きさが、たとえば０．５μｍ×
０．５μｍとする。この場合、各部材５、６、１０が設
計通り重ね合わせて形成された場合、ワード線６とコン
タクトホール１０とのＸ方向の距離Ｘ、およびビット線
５とコンタクトホール１０とのＹ方向の距離Ｙは、とも
に０．２５μｍとなる。
（下部電極）はコンタクトホール１０によりＭＯＳトラ
ンジスタのソース／ドレイン領域７と接続される。この
コンタクトホール１０は、通常、ワード線６とビット線
５とに囲まれる領域１０Ａに開口される。このコンタク
トホール１０の開口の大きさが、たとえば０．５μｍ×
０．５μｍとする。この場合、各部材５、６、１０が設
計通り重ね合わせて形成された場合、ワード線６とコン
タクトホール１０とのＸ方向の距離Ｘ、およびビット線
５とコンタクトホール１０とのＹ方向の距離Ｙは、とも
に０．２５μｍとなる。
【００１１】しかしながら、コンタクトホール１０の開
口位置が、重ね合わせ誤差により、図中一点鎖線で示す
ようにずれて形成されてしまう場合がある。この場合、
コンタクトホール１０の側壁からワード線６もしくはビ
ット線５が露出してしまう。このため、コンタクトホー
ル１０の内壁に沿ってストレージノードが形成される
と、ストレージノードは、ワード線６もしくはビット線
５とショートしてしまう。
口位置が、重ね合わせ誤差により、図中一点鎖線で示す
ようにずれて形成されてしまう場合がある。この場合、
コンタクトホール１０の側壁からワード線６もしくはビ
ット線５が露出してしまう。このため、コンタクトホー
ル１０の内壁に沿ってストレージノードが形成される
と、ストレージノードは、ワード線６もしくはビット線
５とショートしてしまう。
【００１２】ここで、コンタクトホール１０の形成は、
図１５に示すように、層間絶縁層８上に形成されたレジ
スト膜９をフォトリソグラフィー技術によりコンタクト
ホールパターンを有するようにパターニングし、このパ
ターニングされたレジスト膜９をマスクとしてエッチン
グを施すことにより行なわれる。
図１５に示すように、層間絶縁層８上に形成されたレジ
スト膜９をフォトリソグラフィー技術によりコンタクト
ホールパターンを有するようにパターニングし、このパ
ターニングされたレジスト膜９をマスクとしてエッチン
グを施すことにより行なわれる。
【００１３】したがって、このレジスト膜９のパターニ
ングを行なった段階で、レジスト膜９に形成されたコン
タクトホールのパターンの位置とワード線６やビット線
５の位置ずれを予め測定し、精度よくレジスト膜９のコ
ンタクトホールパターンが形成されていない場合には、
レジスト膜９のみを再度成膜し直せばよい。
ングを行なった段階で、レジスト膜９に形成されたコン
タクトホールのパターンの位置とワード線６やビット線
５の位置ずれを予め測定し、精度よくレジスト膜９のコ
ンタクトホールパターンが形成されていない場合には、
レジスト膜９のみを再度成膜し直せばよい。
【００１４】しかし、コンタクトホール１０とワード線
６との間隔、もしくはコンタクトホール１０とビット線
５との間隔はそれぞれ０．２５μｍと非常に小さい。こ
のため、この領域での重ね合わせ誤差を測定することは
困難である。
６との間隔、もしくはコンタクトホール１０とビット線
５との間隔はそれぞれ０．２５μｍと非常に小さい。こ
のため、この領域での重ね合わせ誤差を測定することは
困難である。
【００１５】そこで、従来より、重ね合わせ誤差を測定
するためのダミーパターンとして、重ね合わせ誤差測定
マークが用いられている。この重ね合わせ誤差測定マー
クは、半導体装置が形成される領域の周辺に、ワード
線、ビット線およびレジスト膜の成膜と同時に形成され
る。この重ね合わせ誤差測定マークの重ね合わせの誤差
を測定することで、レジスト膜のコンタクトホールパタ
ーンと、ワード線およびビット線との重ね合わせ誤差が
測定される。
するためのダミーパターンとして、重ね合わせ誤差測定
マークが用いられている。この重ね合わせ誤差測定マー
クは、半導体装置が形成される領域の周辺に、ワード
線、ビット線およびレジスト膜の成膜と同時に形成され
る。この重ね合わせ誤差測定マークの重ね合わせの誤差
を測定することで、レジスト膜のコンタクトホールパタ
ーンと、ワード線およびビット線との重ね合わせ誤差が
測定される。
【００１６】以下、この重ね合わせ誤差測定マークにつ
いて説明する。図１７は、重ね合わせ誤差測定マークの
配置を示す概略断面図である。図１７を参照して、半導
体装置の周辺の領域において、ゲート絶縁層２上に、ワ
ード線６を形成する工程と同時に、第１測定マーク３０
１が所定の位置に形成される。つまり、第１測定マーク
３０１は、ワード線６と同一の層から形成される。この
第１測定マーク３０１の平面形状は、２５μｍ×２５μ
ｍの略正方形状を有している。
いて説明する。図１７は、重ね合わせ誤差測定マークの
配置を示す概略断面図である。図１７を参照して、半導
体装置の周辺の領域において、ゲート絶縁層２上に、ワ
ード線６を形成する工程と同時に、第１測定マーク３０
１が所定の位置に形成される。つまり、第１測定マーク
３０１は、ワード線６と同一の層から形成される。この
第１測定マーク３０１の平面形状は、２５μｍ×２５μ
ｍの略正方形状を有している。
【００１７】またビット線５を形成する工程と同時に、
層間絶縁層３上の所定の位置に、第２測定マーク３０２
が形成される。つまり、第２測定マーク３０２は、ビッ
ト線５と同一の層から形成される。この第２測定マーク
３０２の平面形状は、第１測定マーク３０１と同様、２
５μｍ×２５μｍの正方形状である。
層間絶縁層３上の所定の位置に、第２測定マーク３０２
が形成される。つまり、第２測定マーク３０２は、ビッ
ト線５と同一の層から形成される。この第２測定マーク
３０２の平面形状は、第１測定マーク３０１と同様、２
５μｍ×２５μｍの正方形状である。
【００１８】さらに、層間絶縁層８上の第１測定マーク
３０１上方および第２測定マーク３０２上方には、それ
ぞれレジスト膜９のパターニングと同時に、第３および
第４測定マーク３０３ａ、３０３ｂが形成されている。
この第３および第４測定マーク３０３ａ、３０３ｂの平
面形状は、１５μｍ×１５μｍの正方形状である。
３０１上方および第２測定マーク３０２上方には、それ
ぞれレジスト膜９のパターニングと同時に、第３および
第４測定マーク３０３ａ、３０３ｂが形成されている。
この第３および第４測定マーク３０３ａ、３０３ｂの平
面形状は、１５μｍ×１５μｍの正方形状である。
【００１９】このような重ね合わせ誤差測定マークは、
Box-in-Boxタイプと呼ばれている。ここで、第１、第
２、第３および第４測定マーク３０１、３０２、３０３
ａ、３０３ｂの平面形状が正方形となっているのは、重
ね合わせ検査装置（たとえばＫＬＡ社製：ＫＬＡ５０１
１）側からの要求によるものである。つまりこの重ね合
わせ検査装置は、正方形の辺の位置を認識できるように
構成されている。また、測定マークの１辺の大きさは、
第１、第２測定マーク３０１、３０２では１５〜３０μ
ｍ、第３および第４測定マーク３０３ａ、３０３ｂでは
７．５〜１５μｍが要求されている。なお、現在の技術
においては、これに規定される以下の寸法の重ね合わせ
検査を行なうことはできない。
Box-in-Boxタイプと呼ばれている。ここで、第１、第
２、第３および第４測定マーク３０１、３０２、３０３
ａ、３０３ｂの平面形状が正方形となっているのは、重
ね合わせ検査装置（たとえばＫＬＡ社製：ＫＬＡ５０１
１）側からの要求によるものである。つまりこの重ね合
わせ検査装置は、正方形の辺の位置を認識できるように
構成されている。また、測定マークの１辺の大きさは、
第１、第２測定マーク３０１、３０２では１５〜３０μ
ｍ、第３および第４測定マーク３０３ａ、３０３ｂでは
７．５〜１５μｍが要求されている。なお、現在の技術
においては、これに規定される以下の寸法の重ね合わせ
検査を行なうことはできない。
【００２０】次に、パターンの重ね合わせ誤差の測定方
法について、上述の第１および第３測定マークを例に挙
げて説明する。
法について、上述の第１および第３測定マークを例に挙
げて説明する。
【００２１】図１８（ａ）は第１および第３測定マーク
よりなるBox-in-Boxタイプの重ね合わせ誤差測定マーク
の平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿う概略断面図であり、図１８（ｃ）は図１８
（ａ）のＡ−Ａ′線に沿った検出信号の光の明暗を示し
ている。
よりなるBox-in-Boxタイプの重ね合わせ誤差測定マーク
の平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿う概略断面図であり、図１８（ｃ）は図１８
（ａ）のＡ−Ａ′線に沿った検出信号の光の明暗を示し
ている。
【００２２】図１８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照し
て、検出信号の光の明暗は、第１および第３測定マーク
３０１、３０３ａのそれぞれの側壁３１１ａ、３１１
ｂ、３１２ａ、３１２ｂの位置で暗くなる。このような
検出信号の明暗により、第１および第３測定マーク３０
１、３０３ａの側壁の位置を知ることができる。この各
側壁の位置より、ビット線とレジスト膜のコンタクトホ
ールパターンとの重ね合わせ誤差を後述のように測定す
ることができる。
て、検出信号の光の明暗は、第１および第３測定マーク
３０１、３０３ａのそれぞれの側壁３１１ａ、３１１
ｂ、３１２ａ、３１２ｂの位置で暗くなる。このような
検出信号の明暗により、第１および第３測定マーク３０
１、３０３ａの側壁の位置を知ることができる。この各
側壁の位置より、ビット線とレジスト膜のコンタクトホ
ールパターンとの重ね合わせ誤差を後述のように測定す
ることができる。
【００２３】図１９は、重ね合わせ誤差が生じた第１お
よび第３測定マークの平面配置図である。
よび第３測定マークの平面配置図である。
【００２４】図１９を参照して、この重ね合わせ誤差の
測定においては、まず検出された各マーク３０１、３０
３ａの側壁の位置から、側壁３１１ａおよび側壁３１２
ａ間の距離ａと、側壁３１１ｂおよび側壁３１２ｂ間の
距離ｂとが求められる。この距離ａとｂとにより、第２
測定マーク３０２と第４測定マーク３０３ｂとのずれ量
が算出される。具体的には、このずれ量は、（ａ−ｂ）
／２により算出される。そしてこの第１および第３測定
マーク３０１、３０３ａの間のずれ量は、ワード線６と
レジスト膜９のコンタクトホールパターンとのずれ量に
１対１で対応し、そのまま重ね合わせ誤差とすることが
できる。
測定においては、まず検出された各マーク３０１、３０
３ａの側壁の位置から、側壁３１１ａおよび側壁３１２
ａ間の距離ａと、側壁３１１ｂおよび側壁３１２ｂ間の
距離ｂとが求められる。この距離ａとｂとにより、第２
測定マーク３０２と第４測定マーク３０３ｂとのずれ量
が算出される。具体的には、このずれ量は、（ａ−ｂ）
／２により算出される。そしてこの第１および第３測定
マーク３０１、３０３ａの間のずれ量は、ワード線６と
レジスト膜９のコンタクトホールパターンとのずれ量に
１対１で対応し、そのまま重ね合わせ誤差とすることが
できる。
【００２５】なお、第２測定マーク３０２と第４測定マ
ーク３０３ｂとのずれ量も、上述と同様の方法により求
めることができる。
ーク３０３ｂとのずれ量も、上述と同様の方法により求
めることができる。
【００２６】また、図１８、１９においては、第１およ
び第３測定マーク３０１、３０３ａの双方が各々残りパ
ターンの場合について説明した。しかし、たとえば図２
０に示すように、第１および第３測定マーク３０１、３
０３ａが、ともに抜きパターンであっても、上述と同様
にして重ね合わせ誤差を測定することができる。
び第３測定マーク３０１、３０３ａの双方が各々残りパ
ターンの場合について説明した。しかし、たとえば図２
０に示すように、第１および第３測定マーク３０１、３
０３ａが、ともに抜きパターンであっても、上述と同様
にして重ね合わせ誤差を測定することができる。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置内のパターンの微細化により、上述した重ね合わせ
誤差の測定において収差による影響が顕著になり始め
た。つまり、収差による影響のため、重ね合わせ誤差測
定マークでのずれ量が、実際のワード線（もしくはビッ
ト線）とコンタクトホールとのずれ量に１対１に対応し
ないという問題が生じている。
装置内のパターンの微細化により、上述した重ね合わせ
誤差の測定において収差による影響が顕著になり始め
た。つまり、収差による影響のため、重ね合わせ誤差測
定マークでのずれ量が、実際のワード線（もしくはビッ
ト線）とコンタクトホールとのずれ量に１対１に対応し
ないという問題が生じている。
【００２８】ここで、収差について簡単に説明する。光
学系の理想の結像は、 （ａ） 物点から点対称に放射される光線束が像点で点
対称に結合すること （ｂ） 平面物体の像は平面であること （ｃ） 像面内のどこでも横倍率は一定のこと である。以上は、単色光に対してであるが、多色光（白
色光）に対しても満足されることが望まれている。この
理想の結像条件からのずれを収差という。
学系の理想の結像は、 （ａ） 物点から点対称に放射される光線束が像点で点
対称に結合すること （ｂ） 平面物体の像は平面であること （ｃ） 像面内のどこでも横倍率は一定のこと である。以上は、単色光に対してであるが、多色光（白
色光）に対しても満足されることが望まれている。この
理想の結像条件からのずれを収差という。
【００２９】（ａ）の条件から外れるために生ずる収差
は、球面収差、非点収差、コマ収差と呼ばれる。
は、球面収差、非点収差、コマ収差と呼ばれる。
【００３０】（ｂ）の条件から外れるために生じる収差
は、像面湾曲収差と呼ばれる。（ｃ）の条件から外れる
ために生じる収差は、湾曲収差と呼ばれる。
は、像面湾曲収差と呼ばれる。（ｃ）の条件から外れる
ために生じる収差は、湾曲収差と呼ばれる。
【００３１】ここで、今回の重ね合わせ誤差の測定にお
いて、最も影響を与えるコマ収差について、以下に説明
する。
いて、最も影響を与えるコマ収差について、以下に説明
する。
【００３２】図２１（ａ）はレチクルの断面構造を示し
ており、図２１（ｂ）はレチクルを透過した露光光の光
強度の分布を示しており、図２１（ｃ）はその露光光に
よってパターニングされたレジスト膜のようすを示して
いる。
ており、図２１（ｂ）はレチクルを透過した露光光の光
強度の分布を示しており、図２１（ｃ）はその露光光に
よってパターニングされたレジスト膜のようすを示して
いる。
【００３３】図２１（ａ）、（ｂ）を参照して、レチク
ル４０５ａは、透明基板４０１と遮光膜４０２ａとを有
している。透明基板４０１上の遮光膜４０２ａが形成さ
れた領域は光遮光領域となり、遮光膜４０２ａの形成さ
れていない領域は光透過領域となる。レチクル４０５ａ
の透明基板４０１上には、この遮光膜４０２ａにより抜
きパターン４０３ａが形成されている。
ル４０５ａは、透明基板４０１と遮光膜４０２ａとを有
している。透明基板４０１上の遮光膜４０２ａが形成さ
れた領域は光遮光領域となり、遮光膜４０２ａの形成さ
れていない領域は光透過領域となる。レチクル４０５ａ
の透明基板４０１上には、この遮光膜４０２ａにより抜
きパターン４０３ａが形成されている。
【００３４】レチクル４０５ａ上から照射された露光光
４５０は、レジスト膜４２２ａ上において、本来ならば
実線４１１ａに示すような光強度を有する。しかしなが
ら、コマ収差の影響により、光強度は、１方向にのみ大
きくずれ、実線４１１ａの右側の部分のみが、点線４１
２ａに示すような光強度を示す。
４５０は、レジスト膜４２２ａ上において、本来ならば
実線４１１ａに示すような光強度を有する。しかしなが
ら、コマ収差の影響により、光強度は、１方向にのみ大
きくずれ、実線４１１ａの右側の部分のみが、点線４１
２ａに示すような光強度を示す。
【００３５】その結果、図２１（ｃ）に示すように、レ
ジスト膜４２２ａには、本来、寸法Ｌ１のホールパター
ンが開口されるべきところ、寸法Ｌ２（Ｌ２＞Ｌ１）の
ホールパターンが形成されてしまう。
ジスト膜４２２ａには、本来、寸法Ｌ１のホールパター
ンが開口されるべきところ、寸法Ｌ２（Ｌ２＞Ｌ１）の
ホールパターンが形成されてしまう。
【００３６】また図２１（ａ）に示すレチクルの抜きパ
ターン４０３ａのみならず、図２２に示すレチクルの残
しパターン４０３ｂもコマ収差の影響を受ける。以下、
そのことについて説明する。
ターン４０３ａのみならず、図２２に示すレチクルの残
しパターン４０３ｂもコマ収差の影響を受ける。以下、
そのことについて説明する。
【００３７】図２２（ａ）はレチクルの断面構造を示し
ており、図２２（ｂ）はレチクルを透過した露光光の光
強度の分布を示しており、図２２（ｃ）はその露光光に
よってパターニングされたレジスト膜のようすを示して
いる。
ており、図２２（ｂ）はレチクルを透過した露光光の光
強度の分布を示しており、図２２（ｃ）はその露光光に
よってパターニングされたレジスト膜のようすを示して
いる。
【００３８】図２２（ａ）、（ｂ）を参照して、レチク
ル４０５ｂの透明基板４０１上には残しパターン４０３
ｂとなる遮光膜４０２ｂが形成されている。このレチク
ル４０５ｂを透過した露光光４５０のレジスト膜４２２
ｂ上の光強度は、本来であれば実線４１１ｂに示すよう
な光強度となる。しかしながら、コマ収差の影響によ
り、光強度は１方向にのみずれ、実線４１１ｂの左側の
分のみが、点線４１２ｂに示すような光強度を示す。
ル４０５ｂの透明基板４０１上には残しパターン４０３
ｂとなる遮光膜４０２ｂが形成されている。このレチク
ル４０５ｂを透過した露光光４５０のレジスト膜４２２
ｂ上の光強度は、本来であれば実線４１１ｂに示すよう
な光強度となる。しかしながら、コマ収差の影響によ
り、光強度は１方向にのみずれ、実線４１１ｂの左側の
分のみが、点線４１２ｂに示すような光強度を示す。
【００３９】その結果、図２２（ｃ）に示すように、レ
ジスト膜４２２ｂは、本来、寸法Ｌ３のパターンが残さ
れるべきところ、寸法Ｌ４のパターンが残される結果と
なる。
ジスト膜４２２ｂは、本来、寸法Ｌ３のパターンが残さ
れるべきところ、寸法Ｌ４のパターンが残される結果と
なる。
【００４０】以上の図２１、図２２に示したように、レ
チクルにおいて残しパターンおよび抜きパターンの双方
ともコマ収差の影響を受ける。またこのコマ収差の影響
は、パターンの寸法が小さいほど大きくなる。つまり、
パターンの寸法が小さくなるほど、コマ収差によるずれ
量が大きくなる。以下、そのことについて説明する。
チクルにおいて残しパターンおよび抜きパターンの双方
ともコマ収差の影響を受ける。またこのコマ収差の影響
は、パターンの寸法が小さいほど大きくなる。つまり、
パターンの寸法が小さくなるほど、コマ収差によるずれ
量が大きくなる。以下、そのことについて説明する。
【００４１】一般にコマ収差による波面ずれは、レンズ
周辺部で大きく、中央部で小さい。実験とシミュレーシ
ョンによる解析結果から、大パターンの回折光は、回折
角が小さく、波面収差の小さい瞳の中央付近を通過する
ためコマ収差の影響は小さく、パターンの位置ずれはあ
まり生じない。
周辺部で大きく、中央部で小さい。実験とシミュレーシ
ョンによる解析結果から、大パターンの回折光は、回折
角が小さく、波面収差の小さい瞳の中央付近を通過する
ためコマ収差の影響は小さく、パターンの位置ずれはあ
まり生じない。
【００４２】一方、小パターンは、高周波の光を大パタ
ーンより多く通す。この高周波の光はレンズの回折現象
の影響を受けやすい。このため、小パターンの回折光
は、回折角が大きく、波面収差の大きい瞳周辺付近を通
過するため、コマ収差の影響は大きくなり、大きなパタ
ーンの位置ずれが見られる。
ーンより多く通す。この高周波の光はレンズの回折現象
の影響を受けやすい。このため、小パターンの回折光
は、回折角が大きく、波面収差の大きい瞳周辺付近を通
過するため、コマ収差の影響は大きくなり、大きなパタ
ーンの位置ずれが見られる。
【００４３】具体的に図２３を用いて以下に説明する。
図２３（ａ）、（ｂ）を参照して、レチクル４０５ｄ
は、大パターンとなる抜きパターン（光透過部）４０３
ｄ1 と小パターンとなる抜きパターン（光透過部）４０
３ｄ2 とを有している。このレチクル４０５ｄを透過し
た露光光４５０のレジスト膜４２２ｄ表面での光強度
は、本来ならば実線４１１ａ、４１１ｂで示すようにな
る。しかしながら、上述のコマ収差の影響により、光強
度は１方向にのみずれ、実線４１１ａ、４１１ｂの左側
の部分のみが点線４１２ａ、４１２ｂに示すような光強
度を示す。
図２３（ａ）、（ｂ）を参照して、レチクル４０５ｄ
は、大パターンとなる抜きパターン（光透過部）４０３
ｄ1 と小パターンとなる抜きパターン（光透過部）４０
３ｄ2 とを有している。このレチクル４０５ｄを透過し
た露光光４５０のレジスト膜４２２ｄ表面での光強度
は、本来ならば実線４１１ａ、４１１ｂで示すようにな
る。しかしながら、上述のコマ収差の影響により、光強
度は１方向にのみずれ、実線４１１ａ、４１１ｂの左側
の部分のみが点線４１２ａ、４１２ｂに示すような光強
度を示す。
【００４４】ここで、上述したように、小パターンほど
コマ収差の影響が大きくなるため、光強度の１方向への
ずれ量は小パターンのほうが大パターンよりも大きくな
る。
コマ収差の影響が大きくなるため、光強度の１方向への
ずれ量は小パターンのほうが大パターンよりも大きくな
る。
【００４５】その結果、図２３（ｃ）に示すように、レ
ジスト膜４２２ｄのホールパターン（小パターン）４２
２ｄ2 におけるずれ量（Ｌ８−Ｌ７）はホールパターン
（大パターン）４２２ｄ1 におけるずれ量（Ｌ１０−Ｌ
９）よりも大きくなる。
ジスト膜４２２ｄのホールパターン（小パターン）４２
２ｄ2 におけるずれ量（Ｌ８−Ｌ７）はホールパターン
（大パターン）４２２ｄ1 におけるずれ量（Ｌ１０−Ｌ
９）よりも大きくなる。
【００４６】上述した図１８に示す従来の重ね合わせ誤
差測定マークを構成する第１および第３測定マーク３０
１、３０３ａの寸法が、測定装置の制約により制約され
るのに対し、半導体装置内のパターン（ワード線、ビッ
ト線、コンタクトホールなど）はますます微細化され
る。これにより、重ね合わせ誤差検出マークが上述の大
パターンに対応し、半導体装置内のパターンが小パター
ンに対応することになる。
差測定マークを構成する第１および第３測定マーク３０
１、３０３ａの寸法が、測定装置の制約により制約され
るのに対し、半導体装置内のパターン（ワード線、ビッ
ト線、コンタクトホールなど）はますます微細化され
る。これにより、重ね合わせ誤差検出マークが上述の大
パターンに対応し、半導体装置内のパターンが小パター
ンに対応することになる。
【００４７】このため、重ね合わせ誤差を測定した場合
でも、重ね合わせ誤差測定マークのコマ収差による影響
が、半導体装置内のパターンのコマ収差による影響と異
なる。したがって、重ね合わせ誤差測定マークから得ら
れる重ね合わせ誤差と半導体装置内のパターンの実際の
重ね合わせ誤差とが１対１に対応しなくなってしまう。
でも、重ね合わせ誤差測定マークのコマ収差による影響
が、半導体装置内のパターンのコマ収差による影響と異
なる。したがって、重ね合わせ誤差測定マークから得ら
れる重ね合わせ誤差と半導体装置内のパターンの実際の
重ね合わせ誤差とが１対１に対応しなくなってしまう。
【００４８】それゆえ、本発明の目的は、収差の影響を
考慮した重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクル
を用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差
測定マークを提供することである。
考慮した重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクル
を用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差
測定マークを提供することである。
【００４９】
【課題を解決するための手段】本発明の重ね合わせ誤差
測定用レチクルは、ウェハの互いに異なる層に形成され
た第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差を測
定するための重ね合わせ誤差測定用レチクルであって、
透明基板と、第３パターンと、第４パターンとを備えて
いる。透明基板は主表面を有し、露光光を透過する。第
３パターンは、第１パターンに光を照射したときと同じ
収差の影響を受けるように透明基板の主表面上に形成さ
れている。第４パターンは、第２パターンに光を照射し
たときと同じ収差の影響を受けるように透明基板の主表
面上に形成されている。
測定用レチクルは、ウェハの互いに異なる層に形成され
た第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差を測
定するための重ね合わせ誤差測定用レチクルであって、
透明基板と、第３パターンと、第４パターンとを備えて
いる。透明基板は主表面を有し、露光光を透過する。第
３パターンは、第１パターンに光を照射したときと同じ
収差の影響を受けるように透明基板の主表面上に形成さ
れている。第４パターンは、第２パターンに光を照射し
たときと同じ収差の影響を受けるように透明基板の主表
面上に形成されている。
【００５０】本発明の重ね合わせ誤差測定用レチクルを
用いた重ね合わせ誤差測定方法は、ウェハの互いに異な
る層に形成された第１パターンと第２パターンとの重ね
合わせ誤差を測定するための重ね合わせ誤差測定方法で
あって、まず重ね合わせ誤差測定用レチクルが準備され
る。この重ね合わせ誤差測定用レチクルは、透明基板
と、第３パターンと、第４パターンとを有している。こ
の透明基板は、主表面を有し、露光光を透過する。第３
パターンは、第１パターンに光を照射したときと同じ収
差の影響を受けるように透明基板の主表面上に形成され
ている。第４パターンは、第２パターンに光を照射した
ときと同じ収差の影響を受けるように透明基板の主表面
上に形成されている。そしてレチクルを透過させた露光
光をウェハ上のレジストに照射することにより、第３パ
ターンに対応する第１測定マークと第４パターンに対応
する第２測定マークとを有するようにレジストがパター
ニングされる。そして第１および第２測定マークの各位
置を認識することにより、第１および第２パターンの重
ね合わせ誤差が算出される。
用いた重ね合わせ誤差測定方法は、ウェハの互いに異な
る層に形成された第１パターンと第２パターンとの重ね
合わせ誤差を測定するための重ね合わせ誤差測定方法で
あって、まず重ね合わせ誤差測定用レチクルが準備され
る。この重ね合わせ誤差測定用レチクルは、透明基板
と、第３パターンと、第４パターンとを有している。こ
の透明基板は、主表面を有し、露光光を透過する。第３
パターンは、第１パターンに光を照射したときと同じ収
差の影響を受けるように透明基板の主表面上に形成され
ている。第４パターンは、第２パターンに光を照射した
ときと同じ収差の影響を受けるように透明基板の主表面
上に形成されている。そしてレチクルを透過させた露光
光をウェハ上のレジストに照射することにより、第３パ
ターンに対応する第１測定マークと第４パターンに対応
する第２測定マークとを有するようにレジストがパター
ニングされる。そして第１および第２測定マークの各位
置を認識することにより、第１および第２パターンの重
ね合わせ誤差が算出される。
【００５１】本発明の重ね合わせ誤差測定用レチクルお
よびそのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法で
は、透明基板上に形成された第３パターンと第４パター
ンとの各々は、ウェハに形成される第１パターンと第２
パターンとの各々と同じ収差の影響を受けるように形成
されている。このため、第３パターンと第４パターンと
によって得られる検出信号の収差による影響と、ウェハ
に形成される第１パターンと第２パターンとによって得
られる検出信号の収差による影響が同じになる。よって
第３パターンと第４パターンとの各々から測定される収
差によるずれ量は、ウェハに形成される第１パターンと
第２パターンとの各収差によるずれ量と１対１に対応す
る。したがって、第１パターンを形成するためのレチク
ルと第２パターンを形成するためのレチクルとの間に重
ね合わせずれ量に第３パターンの収差によるずれ量と第
４パターンの収差によるずれ量とを合わせることで、第
１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差と１対１
に対応する誤差を求めることができる。
よびそのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法で
は、透明基板上に形成された第３パターンと第４パター
ンとの各々は、ウェハに形成される第１パターンと第２
パターンとの各々と同じ収差の影響を受けるように形成
されている。このため、第３パターンと第４パターンと
によって得られる検出信号の収差による影響と、ウェハ
に形成される第１パターンと第２パターンとによって得
られる検出信号の収差による影響が同じになる。よって
第３パターンと第４パターンとの各々から測定される収
差によるずれ量は、ウェハに形成される第１パターンと
第２パターンとの各収差によるずれ量と１対１に対応す
る。したがって、第１パターンを形成するためのレチク
ルと第２パターンを形成するためのレチクルとの間に重
ね合わせずれ量に第３パターンの収差によるずれ量と第
４パターンの収差によるずれ量とを合わせることで、第
１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差と１対１
に対応する誤差を求めることができる。
【００５２】また、第３パターンと第４パターンとが同
一の透明基板上に形成されている。つまり、第３パター
ンと第４パターンとが同一工程でレジストに転写される
ことになる。このため、たとえば第３パターン形成後で
あって第４パターン形成前の熱処理などのプロセスによ
り、第３パターンに対応するウェハ上の第１測定マーク
の形状が歪み、ウェハに形成される第１パターンと第２
パターンとの重ね合わせ誤差を正確に測定できなくなる
ことはない。よって、第３パターンと第４パターンとの
収差によって重ね合わせ誤差を正確に測定することが可
能となる。
一の透明基板上に形成されている。つまり、第３パター
ンと第４パターンとが同一工程でレジストに転写される
ことになる。このため、たとえば第３パターン形成後で
あって第４パターン形成前の熱処理などのプロセスによ
り、第３パターンに対応するウェハ上の第１測定マーク
の形状が歪み、ウェハに形成される第１パターンと第２
パターンとの重ね合わせ誤差を正確に測定できなくなる
ことはない。よって、第３パターンと第４パターンとの
収差によって重ね合わせ誤差を正確に測定することが可
能となる。
【００５３】本発明の重ね合わせ誤差測定マークは、半
導体装置形成領域と、重ね合わせ誤差測定マーク形成領
域と、第１半導体装置構成部材と、第１測定マークと、
第２半導体装置構成部材と、第２測定マークとを備えて
いる。半導体装置形成領域は、半導体基板の上に、所定
形状の半導体装置を構成するパターンが複数層形成され
て構成されている。重ね合わせ誤差測定マーク形成領域
は、半導体装置を構成する各層の重ね合わせ誤差を測定
するためのものである。第１半導体装置構成部材は、半
導体装置形成領域において、第１の層に形成されてい
る。第１測定マークは、重ね合わせ誤差測定マーク形成
領域において、第１半導体装置構成部材と同一の製造工
程で形成されている。第２半導体装置構成部材は、半導
体装置形成領域において、第１の層の上の第２の層に形
成されている。第２測定マークは、重ね合わせ誤差測定
マーク形成領域において、第１半導体装置構成部材と第
２半導体装置構成部材との重ね合わせ誤差を測定するた
めに、第２半導体装置構成部材と同一の製造工程で形成
されている。第１測定マークは、第１半導体装置構成部
材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパター
ンを有している。第２測定マークは、第２半導体装置構
成部材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパ
ターンを有している。
導体装置形成領域と、重ね合わせ誤差測定マーク形成領
域と、第１半導体装置構成部材と、第１測定マークと、
第２半導体装置構成部材と、第２測定マークとを備えて
いる。半導体装置形成領域は、半導体基板の上に、所定
形状の半導体装置を構成するパターンが複数層形成され
て構成されている。重ね合わせ誤差測定マーク形成領域
は、半導体装置を構成する各層の重ね合わせ誤差を測定
するためのものである。第１半導体装置構成部材は、半
導体装置形成領域において、第１の層に形成されてい
る。第１測定マークは、重ね合わせ誤差測定マーク形成
領域において、第１半導体装置構成部材と同一の製造工
程で形成されている。第２半導体装置構成部材は、半導
体装置形成領域において、第１の層の上の第２の層に形
成されている。第２測定マークは、重ね合わせ誤差測定
マーク形成領域において、第１半導体装置構成部材と第
２半導体装置構成部材との重ね合わせ誤差を測定するた
めに、第２半導体装置構成部材と同一の製造工程で形成
されている。第１測定マークは、第１半導体装置構成部
材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパター
ンを有している。第２測定マークは、第２半導体装置構
成部材に光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパ
ターンを有している。
【００５４】本発明の重ね合わせ誤差測定マークでは、
第１測定マークは、第１半導体装置構成部材に光を照射
したときと同じ収差の影響を受けるパターンを有し、第
２測定マークは、第２半導体装置構成部材に光を照射し
たときと同じ収差の影響を受けるパターンを有してい
る。これにより、第１測定マークおよび第２測定マーク
によって得られる検出信号の収差による影響と、第１半
導体装置構成部材および第２半導体装置構成部材によっ
て得られる検出信号の収差による影響は同じになる。し
たがって、第１測定マークと第２測定マークとによって
得られる検出信号に基づくデータは、第１半導体装置構
成部材および第２半導体装置構成部材の関係を１対１に
反映している。
第１測定マークは、第１半導体装置構成部材に光を照射
したときと同じ収差の影響を受けるパターンを有し、第
２測定マークは、第２半導体装置構成部材に光を照射し
たときと同じ収差の影響を受けるパターンを有してい
る。これにより、第１測定マークおよび第２測定マーク
によって得られる検出信号の収差による影響と、第１半
導体装置構成部材および第２半導体装置構成部材によっ
て得られる検出信号の収差による影響は同じになる。し
たがって、第１測定マークと第２測定マークとによって
得られる検出信号に基づくデータは、第１半導体装置構
成部材および第２半導体装置構成部材の関係を１対１に
反映している。
【００５５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００５６】実施の形態１ 図１は、本発明の実施の形態１における重ね合わせ誤差
測定マークの構成などを説明するための図である。具体
的には、図１（ａ）は重ね合わせ誤差測定マークの構成
を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−
Ｘ′線に沿う概略断面図であり、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿った検出信号の光の明暗を示し
ている。
測定マークの構成などを説明するための図である。具体
的には、図１（ａ）は重ね合わせ誤差測定マークの構成
を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−
Ｘ′線に沿う概略断面図であり、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿った検出信号の光の明暗を示し
ている。
【００５７】なお、この重ね合わせ誤差測定マークは、
半導体装置内の大パターンと小パターンとを重ね合わせ
る際の誤差を測定するものとする。
半導体装置内の大パターンと小パターンとを重ね合わせ
る際の誤差を測定するものとする。
【００５８】図１（ａ）、（ｂ）を参照して、本実施の
形態の重ね合わせ誤差測定マークは、第１測定マーク３
ａと第２測定マーク４ａとにより構成されている。第１
測定マーク３ａは、抜きパターンであり、層３に形成さ
れている。この層３は半導体基板１上に絶縁層２を介在
して形成されている。この第１測定マーク３ａの平面形
状は正方形であり、その正方形の一辺は１５〜３０μｍ
である。
形態の重ね合わせ誤差測定マークは、第１測定マーク３
ａと第２測定マーク４ａとにより構成されている。第１
測定マーク３ａは、抜きパターンであり、層３に形成さ
れている。この層３は半導体基板１上に絶縁層２を介在
して形成されている。この第１測定マーク３ａの平面形
状は正方形であり、その正方形の一辺は１５〜３０μｍ
である。
【００５９】第２測定マーク４ａは、レジスト膜４に形
成されている。このレジスト膜４は、第１測定マーク３
ａの上方に層間絶縁層５を介在して形成されている。こ
の第２測定マーク４ａは、平面的に見て、複数のホール
パターンが断続的に正方形状に配置されて構成されてい
る。この第２測定マーク４ａを構成する各ホールパター
ンは、抜きパターンであり、その開口形状は正方形であ
る。また各ホールパターンの正方形の１辺は、半導体装
置内の小パターンの寸法と略同一の寸法を有しており、
たとえば０．３〜０．５μｍの寸法を有している。また
複数のホールパターンよりなる第２測定マーク４ａの正
方形の１辺は７．５〜１５μｍの寸法を有している。
成されている。このレジスト膜４は、第１測定マーク３
ａの上方に層間絶縁層５を介在して形成されている。こ
の第２測定マーク４ａは、平面的に見て、複数のホール
パターンが断続的に正方形状に配置されて構成されてい
る。この第２測定マーク４ａを構成する各ホールパター
ンは、抜きパターンであり、その開口形状は正方形であ
る。また各ホールパターンの正方形の１辺は、半導体装
置内の小パターンの寸法と略同一の寸法を有しており、
たとえば０．３〜０．５μｍの寸法を有している。また
複数のホールパターンよりなる第２測定マーク４ａの正
方形の１辺は７．５〜１５μｍの寸法を有している。
【００６０】この第２測定パターン４ａは、第１測定パ
ターン３ａ上であって、第１測定マーク３ａの平面領域
内に配置されている。
ターン３ａ上であって、第１測定マーク３ａの平面領域
内に配置されている。
【００６１】ここで、第１測定マーク３ａと第２測定マ
ーク４ａとの寸法を上述のように規定したのは、従来の
技術において説明したように重ね合わせ検査装置側の要
求によるものである。特に、第１測定マーク３ａの正方
形の一辺は、重ね合わせ検査装置側の制約内で半導体装
置内の大パターンの寸法と略同一の寸法となるように設
定される。
ーク４ａとの寸法を上述のように規定したのは、従来の
技術において説明したように重ね合わせ検査装置側の要
求によるものである。特に、第１測定マーク３ａの正方
形の一辺は、重ね合わせ検査装置側の制約内で半導体装
置内の大パターンの寸法と略同一の寸法となるように設
定される。
【００６２】また、第２測定マーク４ａを構成する各ホ
ールパターンの寸法は、第２測定マーク４ａと同一の工
程で形成されるたとえば配線やコンタクトホールなどの
線幅や開口径の寸法に対応させたものである。
ールパターンの寸法は、第２測定マーク４ａと同一の工
程で形成されるたとえば配線やコンタクトホールなどの
線幅や開口径の寸法に対応させたものである。
【００６３】このように構成された第１および第２測定
マーク３ａ、４ａにより観測される検出信号は、図１
（ｃ）に示すように、第１および第２測定マーク３ａ、
４ａのそれぞれの側壁１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ
の位置で暗くなる。
マーク３ａ、４ａにより観測される検出信号は、図１
（ｃ）に示すように、第１および第２測定マーク３ａ、
４ａのそれぞれの側壁１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ
の位置で暗くなる。
【００６４】次に、本実施の形態における重ね合わせ誤
差の測定方法について説明する。図２は、本発明の実施
の形態１における重ね合わせ誤差測定マークおよび半導
体装置内のパターンを概略的に示す平面図である。
差の測定方法について説明する。図２は、本発明の実施
の形態１における重ね合わせ誤差測定マークおよび半導
体装置内のパターンを概略的に示す平面図である。
【００６５】なお図２において点線は設計通りに重ね合
わせが行なわれた場合の第２測定マーク４ａの位置を示
しており、また実線は重ね合わせ誤差が生じた状態を示
している。なお説明の便宜上、重ね合わせ誤差が生じた
状態を、単に第２測定マーク４ａが図中右側へずれた状
態として示している。
わせが行なわれた場合の第２測定マーク４ａの位置を示
しており、また実線は重ね合わせ誤差が生じた状態を示
している。なお説明の便宜上、重ね合わせ誤差が生じた
状態を、単に第２測定マーク４ａが図中右側へずれた状
態として示している。
【００６６】まず図１（ｃ）の検出信号より、第１測定
マーク３ａと第２測定マーク４ａとの各側壁３１ａ、３
１ｂ、３２ａ、３２ｂの位置が求められる。
マーク３ａと第２測定マーク４ａとの各側壁３１ａ、３
１ｂ、３２ａ、３２ｂの位置が求められる。
【００６７】次に、図２を参照して、この各側壁の位置
より、側壁３１ａおよび側壁３２ａ間の距離ａ１と、側
壁３１ｂおよび側壁３２ｂ間の距離ｂ１とが算出され
る。次に、この距離ａ１とｂ１とを、ｃ１＝（ａ１＋ｂ
１）／２の数式に代入することで、ずれ量ｃ１が求めら
れる。
より、側壁３１ａおよび側壁３２ａ間の距離ａ１と、側
壁３１ｂおよび側壁３２ｂ間の距離ｂ１とが算出され
る。次に、この距離ａ１とｂ１とを、ｃ１＝（ａ１＋ｂ
１）／２の数式に代入することで、ずれ量ｃ１が求めら
れる。
【００６８】この際、第１測定マーク３ａは半導体装置
内の大パターン１３と同程度の寸法を有し、かつ第２測
定パターン４ａを構成する各ホールパターンは半導体装
置内の小パターン１４と同程度の寸法を有している。こ
のため、第１測定マーク３ａには、大パターン１３と略
同一のずれ量が生じ、第２測定マーク４ａには小パター
ン１４と略同一のずれ量が生じることになる。つまり、
各パターン１３、１４に生じる収差によるずれ量の各々
は、第１および第２測定マーク３ａ、４ａに反映されて
いる。それゆえ、図１（ｃ）に示す検出信号には、半導
体装置内に形成されるパターン１３、１４と略同一のコ
マ収差が含まれることになる。よって、その検出信号か
ら得られたずれ量ｃ１には、収差によるずれ量が含まれ
ることになる。したがって、第１測定マーク３ａと第２
測定マーク４ａとの位置ずれの関係は、半導体装置内の
大パターン１３と小パターン１４との位置ずれの関係に
１対１に対応する。
内の大パターン１３と同程度の寸法を有し、かつ第２測
定パターン４ａを構成する各ホールパターンは半導体装
置内の小パターン１４と同程度の寸法を有している。こ
のため、第１測定マーク３ａには、大パターン１３と略
同一のずれ量が生じ、第２測定マーク４ａには小パター
ン１４と略同一のずれ量が生じることになる。つまり、
各パターン１３、１４に生じる収差によるずれ量の各々
は、第１および第２測定マーク３ａ、４ａに反映されて
いる。それゆえ、図１（ｃ）に示す検出信号には、半導
体装置内に形成されるパターン１３、１４と略同一のコ
マ収差が含まれることになる。よって、その検出信号か
ら得られたずれ量ｃ１には、収差によるずれ量が含まれ
ることになる。したがって、第１測定マーク３ａと第２
測定マーク４ａとの位置ずれの関係は、半導体装置内の
大パターン１３と小パターン１４との位置ずれの関係に
１対１に対応する。
【００６９】その結果、重ね合わせ誤差の測定におい
て、信頼性の高い測定結果を得ることができ、これによ
り高性能の半導体装置を提供することが可能となる。
て、信頼性の高い測定結果を得ることができ、これによ
り高性能の半導体装置を提供することが可能となる。
【００７０】なお、図１（ｂ）の状態から、レジスト膜
４をマスクとして層間絶縁層５に異方性エッチングを施
し、さらにそのレジスト膜４を除去した後の状態を図３
に示す。
４をマスクとして層間絶縁層５に異方性エッチングを施
し、さらにそのレジスト膜４を除去した後の状態を図３
に示す。
【００７１】図３を参照して、この場合には、第１の測
定マーク３ａの平面領域内に、第２測定マークを構成す
るホールパターンに対応した複数個のホール５ａが層間
絶縁層５に形成されることになる。
定マーク３ａの平面領域内に、第２測定マークを構成す
るホールパターンに対応した複数個のホール５ａが層間
絶縁層５に形成されることになる。
【００７２】実施の形態２ 図４は、本発明の実施の形態２における重ね合わせ誤差
測定マークの構成などを説明するための図である。具体
的には、図４（ａ）は重ね合わせ誤差測定用マークの構
成を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−
Ｘ′線に沿う概略断面図であり、図４（ｃ）は図４
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿った検出信号の光の明暗を示し
ている。
測定マークの構成などを説明するための図である。具体
的には、図４（ａ）は重ね合わせ誤差測定用マークの構
成を示す平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−
Ｘ′線に沿う概略断面図であり、図４（ｃ）は図４
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿った検出信号の光の明暗を示し
ている。
【００７３】なお、本実施の形態では、実施の形態１と
異なり、半導体装置内に形成される２つの小パターンを
重ね合わせる際の誤差を測定するものとする。
異なり、半導体装置内に形成される２つの小パターンを
重ね合わせる際の誤差を測定するものとする。
【００７４】図４（ａ）、（ｂ）を参照して、本実施の
形態の重ね合わせ誤差測定マークは、第１測定マーク２
３ａと第２測定マーク２４ａとにより構成されている。
形態の重ね合わせ誤差測定マークは、第１測定マーク２
３ａと第２測定マーク２４ａとにより構成されている。
【００７５】第１測定マーク２３ａは、半導体基板１上
に絶縁層２を介在して形成された層３に形成されてい
る。第１測定マーク２３ａは、複数個のホールパターン
が、正方形状に配置されて構成されている。このホール
パターンの開口形状は正方形を有しており、その正方形
の１辺は、半導体装置内の重ね合わせられるべき一方の
小パターンの寸法と略同一の寸法であり、たとえば０．
３〜０．５μｍの寸法を有している。また複数個のホー
ルパターンにより構成される第１測定パターン２３の正
方形の１辺は１５〜２５μｍの寸法を有している。
に絶縁層２を介在して形成された層３に形成されてい
る。第１測定マーク２３ａは、複数個のホールパターン
が、正方形状に配置されて構成されている。このホール
パターンの開口形状は正方形を有しており、その正方形
の１辺は、半導体装置内の重ね合わせられるべき一方の
小パターンの寸法と略同一の寸法であり、たとえば０．
３〜０．５μｍの寸法を有している。また複数個のホー
ルパターンにより構成される第１測定パターン２３の正
方形の１辺は１５〜２５μｍの寸法を有している。
【００７６】第２測定マーク２４ａは、層３上に層間絶
縁層５を介在して形成されたレジスト膜４に形成されて
おり、第１測定マーク２３ａの平面領域内に形成されて
いる。この第２測定マーク２４ａは、複数個のホールパ
ターンが正方形状に配置されて構成されている。この第
２の測定マーク２４ａを構成するホールパターンは正方
形の開口形状を有しており、その正方形の１辺は半導体
装置内の重ね合わせられるべき他方の小パターンの寸法
と略同一の寸法であり、たとえば０．３〜０．５μｍの
寸法を有している。この複数個のホールよりなる第２測
定マーク２４ａの正方形の１辺は７．５〜１５μｍの寸
法を有している。
縁層５を介在して形成されたレジスト膜４に形成されて
おり、第１測定マーク２３ａの平面領域内に形成されて
いる。この第２測定マーク２４ａは、複数個のホールパ
ターンが正方形状に配置されて構成されている。この第
２の測定マーク２４ａを構成するホールパターンは正方
形の開口形状を有しており、その正方形の１辺は半導体
装置内の重ね合わせられるべき他方の小パターンの寸法
と略同一の寸法であり、たとえば０．３〜０．５μｍの
寸法を有している。この複数個のホールよりなる第２測
定マーク２４ａの正方形の１辺は７．５〜１５μｍの寸
法を有している。
【００７７】なお、第１および第２測定マーク２３ａ、
２４ａの正方形の１辺の形状を上述のように規定したの
は、従来の技術において説明したように重ね合わせ検査
装置側の要求によるものである。
２４ａの正方形の１辺の形状を上述のように規定したの
は、従来の技術において説明したように重ね合わせ検査
装置側の要求によるものである。
【００７８】このように構成された第１測定マーク２３
ａと第２測定マーク２４ａとにより観測される検出信号
は、図４（ｃ）に示すように、第１および第２測定マー
ク２３ａ、２４ａのそれぞれの側壁３１ａ、３１ｂ、３
２ａ、３２ｂの位置で暗くなる。
ａと第２測定マーク２４ａとにより観測される検出信号
は、図４（ｃ）に示すように、第１および第２測定マー
ク２３ａ、２４ａのそれぞれの側壁３１ａ、３１ｂ、３
２ａ、３２ｂの位置で暗くなる。
【００７９】次に、本実施の形態における重ね合わせ誤
差の測定方法について説明する。図５は、本発明の実施
の形態２における重ね合わせ誤差測定マークおよび半導
体装置内のパターンを概略的に示す平面図である。
差の測定方法について説明する。図５は、本発明の実施
の形態２における重ね合わせ誤差測定マークおよび半導
体装置内のパターンを概略的に示す平面図である。
【００８０】なお図５において点線は設計通りに重ね合
わせが行なわれた場合の第１および第２測定マーク２３
ａ、２４ａの位置を示しており、また実線は重ね合わせ
誤差が生じた状態を示している。なお説明の便宜上、重
ね合わせ誤差が生じた状態を、実施の形態１と同様、単
に第１および第２測定マーク２３ａ、２４ａが図中右側
へずれた状態として示している。
わせが行なわれた場合の第１および第２測定マーク２３
ａ、２４ａの位置を示しており、また実線は重ね合わせ
誤差が生じた状態を示している。なお説明の便宜上、重
ね合わせ誤差が生じた状態を、実施の形態１と同様、単
に第１および第２測定マーク２３ａ、２４ａが図中右側
へずれた状態として示している。
【００８１】まず、図４（ｃ）の検出信号より、第１測
定マーク２３ａと第２測定マーク２４ａとの各側壁３１
ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂの位置が求められる。
定マーク２３ａと第２測定マーク２４ａとの各側壁３１
ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂの位置が求められる。
【００８２】次に図５を参照して、この各側壁の位置よ
り、側壁３１ａおよび側壁３２ａ間の距離ａ２と、側壁
３１ｂおよび側壁３２ｂ間の距離ｂ２とが算出される。
この距離ａ２とｂ２とを、ｃ２＝（ａ２＋ｂ２）／２の
数式に代入することで、ずれ量ｃ２が求められる。
り、側壁３１ａおよび側壁３２ａ間の距離ａ２と、側壁
３１ｂおよび側壁３２ｂ間の距離ｂ２とが算出される。
この距離ａ２とｂ２とを、ｃ２＝（ａ２＋ｂ２）／２の
数式に代入することで、ずれ量ｃ２が求められる。
【００８３】この際、第１測定マーク２３ａを構成する
ホールパターンの開口径は、第１の小パターン（たとえ
ばワード線）３３の線幅と略同一の寸法を有している。
また、第２測定マーク２４ａを構成するホールパターン
の開口径は、第２の小パターン（たとえばコンタクトホ
ール）３４の寸法と略同一の寸法を有している。よっ
て、実施の形態１で説明したように第１測定マーク２３
ｃと第２測定マーク２４ａとの位置ずれの関係は、第１
小パターン３３と第２小パターンとの位置ずれの関係に
１対１に対応する。
ホールパターンの開口径は、第１の小パターン（たとえ
ばワード線）３３の線幅と略同一の寸法を有している。
また、第２測定マーク２４ａを構成するホールパターン
の開口径は、第２の小パターン（たとえばコンタクトホ
ール）３４の寸法と略同一の寸法を有している。よっ
て、実施の形態１で説明したように第１測定マーク２３
ｃと第２測定マーク２４ａとの位置ずれの関係は、第１
小パターン３３と第２小パターンとの位置ずれの関係に
１対１に対応する。
【００８４】その結果、重ね合わせ誤差の測定におい
て、信頼性の高い測定結果を得ることができ、これによ
り高性能の半導体装置を提供することが可能となる。
て、信頼性の高い測定結果を得ることができ、これによ
り高性能の半導体装置を提供することが可能となる。
【００８５】なお、図４（ｂ）の状態から、レジスト膜
４をマスクとして層間絶縁層５に異方性エッチングを施
し、さらにそのレジスト膜４を除去した後の状態を図６
に示す。
４をマスクとして層間絶縁層５に異方性エッチングを施
し、さらにそのレジスト膜４を除去した後の状態を図６
に示す。
【００８６】図６を参照して、この場合には、第２の測
定マークを構成するホールパターンに対応した複数個の
ホール５ｂが、第１の測定マーク２３ａの平面領域内に
位置するように層間絶縁層５に形成されている。
定マークを構成するホールパターンに対応した複数個の
ホール５ｂが、第１の測定マーク２３ａの平面領域内に
位置するように層間絶縁層５に形成されている。
【００８７】なお、実施の形態１および２については、
第１の測定マーク２３ａと第２の測定マーク４ａ、２４
ａとが複数個のホールパターンにより構成される場合に
ついて説明した。しかし、この構成に限られず、これら
の第１の測定マーク２３ａと第２の測定マーク４ａ、２
４ａは、この複数個のホールパターンが連結して正方形
の枠形状となっても、上述と同様の効果を得ることがで
きる。
第１の測定マーク２３ａと第２の測定マーク４ａ、２４
ａとが複数個のホールパターンにより構成される場合に
ついて説明した。しかし、この構成に限られず、これら
の第１の測定マーク２３ａと第２の測定マーク４ａ、２
４ａは、この複数個のホールパターンが連結して正方形
の枠形状となっても、上述と同様の効果を得ることがで
きる。
【００８８】また第１の測定マーク２３ａと第２の測定
マーク４ａ、２４ａを構成するホールパターンは抜きパ
ターンであるが、この抜きパターンの代わりに平面形状
が正方形の複数個の残しパターンを正方形状に配置して
もよい。また、第１の測定マーク２３ａを第２の測定マ
ーク４ａ、２４ａとは複数個の正方形の残しパターンを
正方形状に配置したものに限られず、正方形の枠状を有
する残しパターンとしてもよい。
マーク４ａ、２４ａを構成するホールパターンは抜きパ
ターンであるが、この抜きパターンの代わりに平面形状
が正方形の複数個の残しパターンを正方形状に配置して
もよい。また、第１の測定マーク２３ａを第２の測定マ
ーク４ａ、２４ａとは複数個の正方形の残しパターンを
正方形状に配置したものに限られず、正方形の枠状を有
する残しパターンとしてもよい。
【００８９】実施の形態３ 上述した実施の形態１および２では、収差によるずれも
考慮して重ね合わせ誤差を測定することができる。
考慮して重ね合わせ誤差を測定することができる。
【００９０】 しかし、各種の制約等により実施の形
態１、２に示す重ね合わせ誤差測定マークを用いること
できず、従来例に示すBox-in-Boxタイプの重ね合わせ誤
差測定マークを用いなければならない場合がある。係る
場合には、上述したように、収差によるずれを考慮して
重ね合わせ誤差を測定することはできない。
態１、２に示す重ね合わせ誤差測定マークを用いること
できず、従来例に示すBox-in-Boxタイプの重ね合わせ誤
差測定マークを用いなければならない場合がある。係る
場合には、上述したように、収差によるずれを考慮して
重ね合わせ誤差を測定することはできない。
【００９１】 また、特に実施の形態２のタイプの重
ね合わせ誤差測定マークでは、第１測定マーク２３ａを
構成するホールパターンの形状が変形し、重ね合わせ誤
差を測定できない場合が生じる。以下、実施の形態２の
重ね合わせ誤差測定マークにおいてホールパターンが変
形することについて説明する。
ね合わせ誤差測定マークでは、第１測定マーク２３ａを
構成するホールパターンの形状が変形し、重ね合わせ誤
差を測定できない場合が生じる。以下、実施の形態２の
重ね合わせ誤差測定マークにおいてホールパターンが変
形することについて説明する。
【００９２】図７は、実施の形態２の重ね合わせ誤差測
定マークと半導体装置内のパターンとの構成を概略的に
示す平面図と断面図である。図７を参照して、たとえば
半導体装置内において、１対のソース／ドレイン領域７
とゲート絶縁層２とゲート電極層６とからなるＭＯＳト
ランジスタが半導体基板１の表面に形成されている。こ
のＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域７に達す
るように層間絶縁層３とゲート絶縁層２とにはコンタク
トホール３３ａとが形成されている。
定マークと半導体装置内のパターンとの構成を概略的に
示す平面図と断面図である。図７を参照して、たとえば
半導体装置内において、１対のソース／ドレイン領域７
とゲート絶縁層２とゲート電極層６とからなるＭＯＳト
ランジスタが半導体基板１の表面に形成されている。こ
のＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域７に達す
るように層間絶縁層３とゲート絶縁層２とにはコンタク
トホール３３ａとが形成されている。
【００９３】重ね合わせ誤差測定マークの形成領域内に
は、層間絶縁層３とゲート絶縁層２とに、コンタクトホ
ール３３ａと同一の工程で、抜きパターンよりなる第１
測定マーク２３ａを構成するホールパターンが形成され
ている。このコンタクトホール３３ａと第１測定マーク
２３ａを構成するホールパターンとの内壁に沿うように
アルミニウム層５が表面全面に形成されている。このア
ルミニウム層５をパターニングするためのレジスト膜４
が、ホールパターン３４ａと第２測定マーク２４ａを構
成するホールパターンとを有するように形成されてい
る。
は、層間絶縁層３とゲート絶縁層２とに、コンタクトホ
ール３３ａと同一の工程で、抜きパターンよりなる第１
測定マーク２３ａを構成するホールパターンが形成され
ている。このコンタクトホール３３ａと第１測定マーク
２３ａを構成するホールパターンとの内壁に沿うように
アルミニウム層５が表面全面に形成されている。このア
ルミニウム層５をパターニングするためのレジスト膜４
が、ホールパターン３４ａと第２測定マーク２４ａを構
成するホールパターンとを有するように形成されてい
る。
【００９４】この状態において、アルミニウム層５がス
パッタ法で形成される場合には、コンタクトホール３３
ａの底部におけるカバレッジが悪くなり、アルミニウム
層５が断線するおそれがある。このため、アルミニウム
層５に高温・高圧のリフローが施される。この高温・高
圧のリフローについては、たとえばYoung-Hong Min et
al.,“Effective alignment techniques and its imple
mentation to enhancetotal overlay accuracy on high
ly reflective films”, SPIE Vol.2439, pp.287-297
に示されている。このリフローにより、アルミニウム層
５のグレインが成長して、図８に示すように第２測定マ
ーク２４ａのホール内やコンタクトホール３３ａ内をア
ルミニウム層５が完全に埋込み、アルミニウム層５の断
線は防止される。
パッタ法で形成される場合には、コンタクトホール３３
ａの底部におけるカバレッジが悪くなり、アルミニウム
層５が断線するおそれがある。このため、アルミニウム
層５に高温・高圧のリフローが施される。この高温・高
圧のリフローについては、たとえばYoung-Hong Min et
al.,“Effective alignment techniques and its imple
mentation to enhancetotal overlay accuracy on high
ly reflective films”, SPIE Vol.2439, pp.287-297
に示されている。このリフローにより、アルミニウム層
５のグレインが成長して、図８に示すように第２測定マ
ーク２４ａのホール内やコンタクトホール３３ａ内をア
ルミニウム層５が完全に埋込み、アルミニウム層５の断
線は防止される。
【００９５】しかし、アルミニウム層５のグレインが成
長することにより、第２測定マーク２４ａを構成する各
ホールの開口形状がアルミニウムのグレイン形状に沿っ
て変形する。これにより、図９に示すように第１測定マ
ーク２４ａの側壁の位置（一点鎖線Ｍ−Ｍの位置）を測
定することが困難となってしまう。
長することにより、第２測定マーク２４ａを構成する各
ホールの開口形状がアルミニウムのグレイン形状に沿っ
て変形する。これにより、図９に示すように第１測定マ
ーク２４ａの側壁の位置（一点鎖線Ｍ−Ｍの位置）を測
定することが困難となってしまう。
【００９６】たとえば、このアルミニウムのグレインが
１μｍ以上になると、位置の測定が困難になることが、
S.Katagiri et al.,“Overlay Error Estimation of Wa
ferRear Surface Alignment for 0.1- μｍ Lithograph
y”, Jpn. J. Appl. Phys.Vol.32（ 1993 ） Pt.1, No.
12B, pp.6039-6043 に示されている。
１μｍ以上になると、位置の測定が困難になることが、
S.Katagiri et al.,“Overlay Error Estimation of Wa
ferRear Surface Alignment for 0.1- μｍ Lithograph
y”, Jpn. J. Appl. Phys.Vol.32（ 1993 ） Pt.1, No.
12B, pp.6039-6043 に示されている。
【００９７】上記、の問題は、本実施の形態の収差
定量レチクルにより得られるデータを用いることによっ
て解決できる。以下、そのことを説明する。
定量レチクルにより得られるデータを用いることによっ
て解決できる。以下、そのことを説明する。
【００９８】図１０は、本発明の実施の形態３における
収差定量レチクルの構成を概略的に示す平面図である。
図１１は、図１０に示す収差定量レチクルの１つのユニ
ットを拡大して示す平面図である。また図１２は、図１
１のＹ−Ｙ′線に沿う概略断面図である。
収差定量レチクルの構成を概略的に示す平面図である。
図１１は、図１０に示す収差定量レチクルの１つのユニ
ットを拡大して示す平面図である。また図１２は、図１
１のＹ−Ｙ′線に沿う概略断面図である。
【００９９】主に図１０を参照して収差定量レチクル１
０１は、透明基板１０３の表面全面に互いに分離された
複数のユニット１０２を有している。
０１は、透明基板１０３の表面全面に互いに分離された
複数のユニット１０２を有している。
【０１００】主に図１１を参照して、このユニット１０
２には、たとえば６個のパターン群１０６Ａ〜１０６Ｆ
が形成されている。たとえば１つのパターン群１０６Ａ
を例に挙げると、このパターン群１０６Ａには、第１パ
ターン１０４ａ、第２パターン１０５ａとが形成されて
いる。
２には、たとえば６個のパターン群１０６Ａ〜１０６Ｆ
が形成されている。たとえば１つのパターン群１０６Ａ
を例に挙げると、このパターン群１０６Ａには、第１パ
ターン１０４ａ、第２パターン１０５ａとが形成されて
いる。
【０１０１】この第１パターン１０４ａは、平面形状が
正方形である。また第２パターン１０５ａは、第１パタ
ーン１０４ａの平面領域内で第１パターン１０４ａの外
形に沿って正方形状に配置された複数のホールにより構
成されている。
正方形である。また第２パターン１０５ａは、第１パタ
ーン１０４ａの平面領域内で第１パターン１０４ａの外
形に沿って正方形状に配置された複数のホールにより構
成されている。
【０１０２】また各６個のパターン群１０６Ａ〜１０６
Ｆでは、各々の第２パターン１０４ａ〜１０４ｆを構成
するホールの開口径が異なる。つまり、第２パターン１
０４ａ〜１０４ｆを構成するホールの開口径は、０．２
μｍから１．２μｍまで０．２μｍごとに振ってある。
Ｆでは、各々の第２パターン１０４ａ〜１０４ｆを構成
するホールの開口径が異なる。つまり、第２パターン１
０４ａ〜１０４ｆを構成するホールの開口径は、０．２
μｍから１．２μｍまで０．２μｍごとに振ってある。
【０１０３】主に図１２を参照して、第１パターン１０
４ａ〜１０４ｆは、透明基板１０３上に形成された遮光
膜の残しパターンよりなっている。また第２パターン１
０５ａ〜１０５ｆは、その遮光膜の抜きパターンよりな
っている。
４ａ〜１０４ｆは、透明基板１０３上に形成された遮光
膜の残しパターンよりなっている。また第２パターン１
０５ａ〜１０５ｆは、その遮光膜の抜きパターンよりな
っている。
【０１０４】主に図１１を参照して、第１パターン１０
４ａ〜１０４ｆの正方形の１辺の寸法Ｌ１０は１５μｍ
〜２５μｍであることが好ましいが、半導体装置内のパ
ターンの形状に合わせて１０〜６０μｍの範囲内で任意
に選択されてもよい。また第２パターン１０５ａ〜１０
５ｆの正方形の１辺の寸法Ｌ１１は、７．５μｍ〜１５
μｍであることが好ましい。
４ａ〜１０４ｆの正方形の１辺の寸法Ｌ１０は１５μｍ
〜２５μｍであることが好ましいが、半導体装置内のパ
ターンの形状に合わせて１０〜６０μｍの範囲内で任意
に選択されてもよい。また第２パターン１０５ａ〜１０
５ｆの正方形の１辺の寸法Ｌ１１は、７．５μｍ〜１５
μｍであることが好ましい。
【０１０５】図１０〜図１２に示した本実施の形態の収
差定量レチクルにより、収差によるずれ量を測定するこ
とができる。以下、本実施の形態の収差定量レチクルを
用いて収差によるずれ量を測定する方法について説明す
る。
差定量レチクルにより、収差によるずれ量を測定するこ
とができる。以下、本実施の形態の収差定量レチクルを
用いて収差によるずれ量を測定する方法について説明す
る。
【０１０６】まず本実施の形態の収差定量レチクル１０
１を透過させた露光光が、ウェハ上に塗布されたレジス
ト膜に照射される。この後、現像などすることにより、
そのレジスト膜に収差定量レチクル１０１の第１および
第２パターン１０４ａ〜１０４ｆ、１０５ａ〜１０５ｆ
が転写され、第１パターンに対応する第１測定マーク
と、第２パターンに対応する第２測定マークとがレジス
ト膜に形成される。
１を透過させた露光光が、ウェハ上に塗布されたレジス
ト膜に照射される。この後、現像などすることにより、
そのレジスト膜に収差定量レチクル１０１の第１および
第２パターン１０４ａ〜１０４ｆ、１０５ａ〜１０５ｆ
が転写され、第１パターンに対応する第１測定マーク
と、第２パターンに対応する第２測定マークとがレジス
ト膜に形成される。
【０１０７】図１３は、本実施の形態の収差定量レチク
ルのパターンが半導体基板上のレジスト膜に転写された
ようすを示す平面図および断面図である。図１３を参照
して、本実施の形態の収差定量レチクル１０１の１つの
パターン群１０６ａを例に挙げて説明すると、この１つ
のパターン群１０６ａがレジスト膜４に転写されて、第
１パターン１０４ａに対応する第１測定マーク１０４ａ
1 と、第２パターン１０５ａに対応する第２測定マーク
１０５ａ1 とが形成される。
ルのパターンが半導体基板上のレジスト膜に転写された
ようすを示す平面図および断面図である。図１３を参照
して、本実施の形態の収差定量レチクル１０１の１つの
パターン群１０６ａを例に挙げて説明すると、この１つ
のパターン群１０６ａがレジスト膜４に転写されて、第
１パターン１０４ａに対応する第１測定マーク１０４ａ
1 と、第２パターン１０５ａに対応する第２測定マーク
１０５ａ1 とが形成される。
【０１０８】この第１測定マーク１０４ａ1 は、たとえ
ば、レジスト膜４の残りパターンとして形成され、また
第２測定マーク１０５ａ1 は、レジスト膜４の抜きパタ
ーンとして形成される。第１測定マーク１０４ａ1 の正
方形状の一辺の寸法Ｌ１２は、第２測定マーク１０５ａ
1 を構成するホールパターンの正方形の一辺の寸法Ｌ１
３よりも格段に大きい。このため、この転写の際、第２
測定マーク１０５ａ1は、第１測定マーク１０４ａ1 よ
り収差の影響を大きく受ける。つまり、第２測定マーク
１０５ａ1 は、第１測定マーク１０４ａ1 よりも収差に
よるずれ量が大きくなる。
ば、レジスト膜４の残りパターンとして形成され、また
第２測定マーク１０５ａ1 は、レジスト膜４の抜きパタ
ーンとして形成される。第１測定マーク１０４ａ1 の正
方形状の一辺の寸法Ｌ１２は、第２測定マーク１０５ａ
1 を構成するホールパターンの正方形の一辺の寸法Ｌ１
３よりも格段に大きい。このため、この転写の際、第２
測定マーク１０５ａ1は、第１測定マーク１０４ａ1 よ
り収差の影響を大きく受ける。つまり、第２測定マーク
１０５ａ1 は、第１測定マーク１０４ａ1 よりも収差に
よるずれ量が大きくなる。
【０１０９】ここで、第１測定マーク１０４ａ1 の寸法
Ｌ１２は、第２測定マーク１０５ａ 1 を構成するホール
の寸法Ｌ１３の１００倍以上の大きさを有している。こ
のため、第１測定マーク１０４ａ1 の収差によるずれ量
は第２測定マーク１０５ａ1の収差によるずれ量に比較
して格段に小さくなるため、無視することができる。
Ｌ１２は、第２測定マーク１０５ａ 1 を構成するホール
の寸法Ｌ１３の１００倍以上の大きさを有している。こ
のため、第１測定マーク１０４ａ1 の収差によるずれ量
は第２測定マーク１０５ａ1の収差によるずれ量に比較
して格段に小さくなるため、無視することができる。
【０１１０】このため、図２で示す実施の形態１と同様
の方法によリ、第１測定マーク１０４ａ1 と第２測定マ
ーク１０５ａ1 とのずれ量を求めることができる。
の方法によリ、第１測定マーク１０４ａ1 と第２測定マ
ーク１０５ａ1 とのずれ量を求めることができる。
【０１１１】図１３を参照して、第１測定マーク１０４
ａ1 の側壁の位置と第２測定マーク１０５ａ1 の側壁の
位置とが、まず測定される。次に、この測定値から第１
測定マーク１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 との
側壁間の距離ａ３、ｂ３が求められる。さらに、この距
離ａ３、ｂ３を、ｃ３＝（ａ３−ｂ３）／２の数式に代
入することにより、第１測定マーク１０４ａ1 と第２測
定マーク１０５ａ1 とのずれ量ｃ３が得られる。
ａ1 の側壁の位置と第２測定マーク１０５ａ1 の側壁の
位置とが、まず測定される。次に、この測定値から第１
測定マーク１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 との
側壁間の距離ａ３、ｂ３が求められる。さらに、この距
離ａ３、ｂ３を、ｃ３＝（ａ３−ｂ３）／２の数式に代
入することにより、第１測定マーク１０４ａ1 と第２測
定マーク１０５ａ1 とのずれ量ｃ３が得られる。
【０１１２】一般に第１測定パターン１０４ａ1 と第２
測定パターン１０５ａ1 とのずれ量ｃ３は、第１および
第２測定マーク１０４ａ1 、１０５ａ1 を形成するため
の各レチクルの重ね合わせのずれ量と、第１測定マーク
１０４ａ1 の収差によるずれ量と、第２測定マーク１０
５ａ1 の収差によるずれ量との和から構成されている。
測定パターン１０５ａ1 とのずれ量ｃ３は、第１および
第２測定マーク１０４ａ1 、１０５ａ1 を形成するため
の各レチクルの重ね合わせのずれ量と、第１測定マーク
１０４ａ1 の収差によるずれ量と、第２測定マーク１０
５ａ1 の収差によるずれ量との和から構成されている。
【０１１３】しかし本実施の形態の収差定量レチクルに
おいては、第１および第２測定マーク１０４ａ1 、１０
５ａ1 は、ともに１つのレチクルに形成された第１およ
び第２パターン１０４ａ、１０５ａの転写により形成さ
れる。このため、第１測定マーク１０４ａ1 と第２測定
マーク１０５ａ1 との各マーク形成のためのレチクル間
の重ね合わせのずれ量は０である。また、上述したよう
に、第１測定マーク１０４ａ1 の寸法Ｌ１２は、第２測
定マーク１０５ａ1 を構成するマークの寸法Ｌ１３より
も格段に大きい。このため、第１測定マーク１０４ａ1
の収差によるずれ量も０と見なすことができる。
おいては、第１および第２測定マーク１０４ａ1 、１０
５ａ1 は、ともに１つのレチクルに形成された第１およ
び第２パターン１０４ａ、１０５ａの転写により形成さ
れる。このため、第１測定マーク１０４ａ1 と第２測定
マーク１０５ａ1 との各マーク形成のためのレチクル間
の重ね合わせのずれ量は０である。また、上述したよう
に、第１測定マーク１０４ａ1 の寸法Ｌ１２は、第２測
定マーク１０５ａ1 を構成するマークの寸法Ｌ１３より
も格段に大きい。このため、第１測定マーク１０４ａ1
の収差によるずれ量も０と見なすことができる。
【０１１４】以上より、上述のようにして求めた第１測
定マーク１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 とのず
れ量ｃ３は、第２測定マーク１０５ａ1 の収差によるず
れ量に対応することになる。
定マーク１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 とのず
れ量ｃ３は、第２測定マーク１０５ａ1 の収差によるず
れ量に対応することになる。
【０１１５】このように本実施の形態の収差定量レチク
ルを用いることで、第２測定マーク１０５ａを構成する
ホールの開口径が０．２μｍ〜１．２μｍの場合におけ
る各第２測定マークの収差によるずれ量ｃ３を得ること
ができる。
ルを用いることで、第２測定マーク１０５ａを構成する
ホールの開口径が０．２μｍ〜１．２μｍの場合におけ
る各第２測定マークの収差によるずれ量ｃ３を得ること
ができる。
【０１１６】これにより、たとえば図１４に示すように
線幅ｆの配線層４１と開口径ｇのコンタクトホール４２
との重ね合わせ誤差を以下のように求めることができ
る。
線幅ｆの配線層４１と開口径ｇのコンタクトホール４２
との重ね合わせ誤差を以下のように求めることができ
る。
【０１１７】まず配線層４１とコンタクトホール４２と
の重ね合わせ誤差は、２枚のレチクル間の重ね合わせの
ずれ量αと、配線層４１の収差によるずれ量β１と、コ
ンタクトホール４２の収差によるずれ量β２との和（α
＋β１＋β２）によって求められる。この２枚のレチク
ル間の重ね合わせのずれ量αは、たとえば従来例におけ
るBox-in-Boxタイプの重ね合わせ誤差測定マークにより
得ることができる。そして配線層４１の線幅ｆがたとえ
ば０．４μｍの場合には、本実施の形態の収差定量レチ
クル１０１の１つのパターン群１０６Ｅ（図１１）から
求められた第２測定マーク１０４ｅの収差によるずれ量
ｃ３がβ１に対応する。またコンタクトホール４２の開
口径ｇが０．２μｍの場合には、本実施の形態の収差定
量レチクル１０１の１つのパターン群１０６Ｆ（図１
１）から求められた第２測定マーク１０４ｆの収差によ
るずれ量ｃ３がβ２に対応する。
の重ね合わせ誤差は、２枚のレチクル間の重ね合わせの
ずれ量αと、配線層４１の収差によるずれ量β１と、コ
ンタクトホール４２の収差によるずれ量β２との和（α
＋β１＋β２）によって求められる。この２枚のレチク
ル間の重ね合わせのずれ量αは、たとえば従来例におけ
るBox-in-Boxタイプの重ね合わせ誤差測定マークにより
得ることができる。そして配線層４１の線幅ｆがたとえ
ば０．４μｍの場合には、本実施の形態の収差定量レチ
クル１０１の１つのパターン群１０６Ｅ（図１１）から
求められた第２測定マーク１０４ｅの収差によるずれ量
ｃ３がβ１に対応する。またコンタクトホール４２の開
口径ｇが０．２μｍの場合には、本実施の形態の収差定
量レチクル１０１の１つのパターン群１０６Ｆ（図１
１）から求められた第２測定マーク１０４ｆの収差によ
るずれ量ｃ３がβ２に対応する。
【０１１８】このように、本実施の形態の収差定量レチ
クルから、各寸法の開口径を有するホールからなる第２
測定マークの収差によるずれ量を予め測定しておくこと
により、容易に、かつ正確に重ね合わせ誤差を算出する
ことが可能となる。
クルから、各寸法の開口径を有するホールからなる第２
測定マークの収差によるずれ量を予め測定しておくこと
により、容易に、かつ正確に重ね合わせ誤差を算出する
ことが可能となる。
【０１１９】また本実施の形態の収差定量レチクルによ
って収差によるずれ量を考慮して重ね合わせ誤差を算出
することが可能となる。このため、従来のBox-in-Boxタ
イプの重ね合わせ誤差測定マークを用いても、半導体装
置内のパターンの重ね合わせずれと１対１の対応をした
重ね合わせ誤差を算出することが可能となる。
って収差によるずれ量を考慮して重ね合わせ誤差を算出
することが可能となる。このため、従来のBox-in-Boxタ
イプの重ね合わせ誤差測定マークを用いても、半導体装
置内のパターンの重ね合わせずれと１対１の対応をした
重ね合わせ誤差を算出することが可能となる。
【０１２０】さらに本実施の形態の収差定量レチクルで
は、第１および第２測定マーク１０４ａ1 、１０５ａ1
が、単一のレチクルに形成された第１および第２パター
ン１０４ａ、１０５ａから形成される。つまり、第１測
定マーク１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 とは、
同一の形成工程でレジスト膜に転写されることになる。
このため、たとえば第１測定マーク１０４ａ1 形成後で
あって第２測定マーク１０５ａ1 の形成前の熱処理など
のプロセスにより、第１測定マーク１０４ａ1の形状が
歪むことなどは防止される。したがって第１測定マーク
１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 との重ね合わせ
誤差を正確に測定できる。
は、第１および第２測定マーク１０４ａ1 、１０５ａ1
が、単一のレチクルに形成された第１および第２パター
ン１０４ａ、１０５ａから形成される。つまり、第１測
定マーク１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 とは、
同一の形成工程でレジスト膜に転写されることになる。
このため、たとえば第１測定マーク１０４ａ1 形成後で
あって第２測定マーク１０５ａ1 の形成前の熱処理など
のプロセスにより、第１測定マーク１０４ａ1の形状が
歪むことなどは防止される。したがって第１測定マーク
１０４ａ1 と第２測定マーク１０５ａ1 との重ね合わせ
誤差を正確に測定できる。
【０１２１】また、通常、図１０に示すようなレチクル
１０１では、レチクル１０１の中央に配置されるパター
ンと外周部に配置されるパターンとでは収差によるずれ
量が異なる。このため、本実施の形態の収差定量レチク
ル１０１においては、各ユニット１０２を透明基板１０
３の表面全面に互いに分離して配置している。これによ
り、重ね合わせ誤差を測定すべきパターンが配置される
レチクルの位置に対応した位置に配置されるブロック１
０２内の第１および第２測定マークから得られるデータ
を用いることで、レチクルでの配置位置が異なることに
よるずれは防止される。
１０１では、レチクル１０１の中央に配置されるパター
ンと外周部に配置されるパターンとでは収差によるずれ
量が異なる。このため、本実施の形態の収差定量レチク
ル１０１においては、各ユニット１０２を透明基板１０
３の表面全面に互いに分離して配置している。これによ
り、重ね合わせ誤差を測定すべきパターンが配置される
レチクルの位置に対応した位置に配置されるブロック１
０２内の第１および第２測定マークから得られるデータ
を用いることで、レチクルでの配置位置が異なることに
よるずれは防止される。
【０１２２】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることは意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることは意図され
る。
【０１２３】
【発明の効果】本発明の重ね合わせ誤差測定用レチクル
およびそのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法で
は、透明基板上に形成された第３パターンと第４パター
ンとが、ウェハに形成される第１パターンと第２パター
ンとの各々と同じ収差の影響を受けるように形成されて
いる。このため、第３パターンと第４パターンとの各々
から測定される収差によるずれ量は、ウェハに形成され
る第１パターンと第２パターンとの各収差によるずれ量
と１対１に対応する。したがって、ウェハに形成される
第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差と１対
１に対応する誤差を求めることが可能となる。
およびそのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法で
は、透明基板上に形成された第３パターンと第４パター
ンとが、ウェハに形成される第１パターンと第２パター
ンとの各々と同じ収差の影響を受けるように形成されて
いる。このため、第３パターンと第４パターンとの各々
から測定される収差によるずれ量は、ウェハに形成され
る第１パターンと第２パターンとの各収差によるずれ量
と１対１に対応する。したがって、ウェハに形成される
第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差と１対
１に対応する誤差を求めることが可能となる。
【０１２４】また、第３パターンと第４パターンとが単
一の透明基板上に形成されている。このため、たとえば
第３パターン形成後であって第４パターン形成前の熱処
理などのプロセスにより、たとえば第３パターンに対応
するウェハ上の第１測定マークの形状が歪み、ウェハに
形成される第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ
誤差を正確に測定できなくなることは防止され、重ね合
わせ誤差を正確に測定することが可能となる。
一の透明基板上に形成されている。このため、たとえば
第３パターン形成後であって第４パターン形成前の熱処
理などのプロセスにより、たとえば第３パターンに対応
するウェハ上の第１測定マークの形状が歪み、ウェハに
形成される第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ
誤差を正確に測定できなくなることは防止され、重ね合
わせ誤差を正確に測定することが可能となる。
【０１２５】本発明の重ね合わせ誤差測定マークでは、
第１測定マークは、第１半導体装置構成部材に光を照射
したときと同じ収差の影響を受けるパターンを有し、第
２測定マークは、第２半導体装置構成部材に光を照射し
たときと同じ収差の影響を受けるパターンを有してい
る。これによって、第１測定マークと第２測定マークと
によって得られる検出信号に基づくデータは、第１半導
体装置構成部材および第２半導体装置構成部材の関係を
１対１に反映している。
第１測定マークは、第１半導体装置構成部材に光を照射
したときと同じ収差の影響を受けるパターンを有し、第
２測定マークは、第２半導体装置構成部材に光を照射し
たときと同じ収差の影響を受けるパターンを有してい
る。これによって、第１測定マークと第２測定マークと
によって得られる検出信号に基づくデータは、第１半導
体装置構成部材および第２半導体装置構成部材の関係を
１対１に反映している。
【図１】 本発明の実施の形態１における重ね合わせ誤
差測定マークの原理を示す図であり、（ａ）は重ね合わ
せ誤差測定マークの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ
−Ｘ′線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＸ−
Ｘ′線に沿う検出信号を示す図である。
差測定マークの原理を示す図であり、（ａ）は重ね合わ
せ誤差測定マークの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ
−Ｘ′線に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＸ−
Ｘ′線に沿う検出信号を示す図である。
【図２】 本発明の実施の形態１における重ね合わせ誤
差の測定方法を説明するための重ね合わせ誤差測定マー
クと半導体装置内のパターンとの構成を示す平面図であ
る。
差の測定方法を説明するための重ね合わせ誤差測定マー
クと半導体装置内のパターンとの構成を示す平面図であ
る。
【図３】 図１（ｃ）の状態からレジストをマスクとし
てエッチングを施した後のレジストを除去した状態を示
す断面図である。
てエッチングを施した後のレジストを除去した状態を示
す断面図である。
【図４】 本発明の実施の形態２における重ね合わせ誤
差測定マークの原理を示す図であり、（ａ）は重ね合わ
せ誤差測定マークの構成を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿う断面図であり、（ｃ）は
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿う検出信号を示す図である。
差測定マークの原理を示す図であり、（ａ）は重ね合わ
せ誤差測定マークの構成を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿う断面図であり、（ｃ）は
（ａ）のＸ−Ｘ′線に沿う検出信号を示す図である。
【図５】 本発明の実施の形態２における重ね合わせ誤
差の測定方法を説明するための重ね合わせ誤差測定マー
クと半導体装置内のパターンとの構成を概略的に示す平
面図である。
差の測定方法を説明するための重ね合わせ誤差測定マー
クと半導体装置内のパターンとの構成を概略的に示す平
面図である。
【図６】 図４（ｃ）の状態からレジストをマスクとし
てエッチングを施した後のレジストを除去した状態を示
す断面図である。
てエッチングを施した後のレジストを除去した状態を示
す断面図である。
【図７】 実施の形態２における重ね合わせ誤差測定マ
ークにおいて第１測定マークのホール形状が変形するこ
とを説明するための図である。
ークにおいて第１測定マークのホール形状が変形するこ
とを説明するための図である。
【図８】 アルミニウム層のグレインが成長した場合に
ホール形状が変形することを説明するための図である。
ホール形状が変形することを説明するための図である。
【図９】 本発明の実施の形態２における重ね合わせ誤
差測定マークにおいて第１測定マークの各ホール形状が
歪んだようすを示す平面図である。
差測定マークにおいて第１測定マークの各ホール形状が
歪んだようすを示す平面図である。
【図１０】 本発明の実施の形態３における収差定量レ
チクルの構成を概略的に示す平面図である。
チクルの構成を概略的に示す平面図である。
【図１１】 本発明の実施の形態３における収差定量レ
チクルのユニット内の構成を拡大して示す概略平面図で
ある。
チクルのユニット内の構成を拡大して示す概略平面図で
ある。
【図１２】 図１１のＹ−Ｙ′線に沿う概略断面図であ
る。
る。
【図１３】 本発明の実施の形態３における収差定量レ
チクルを用いた収差によるずれ量の測定方法を説明する
ための図である。
チクルを用いた収差によるずれ量の測定方法を説明する
ための図である。
【図１４】 本発明の実施の形態３における収差定量レ
チクルを用いた重ね合わせ誤差を測定するための説明図
である。
チクルを用いた重ね合わせ誤差を測定するための説明図
である。
【図１５】 従来の技術におけるＭＯＳトランジスタの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図１６】 従来の技術におけるワード線とビット線と
に囲まれた領域にコンタクトホールを形成した場合の平
面図である。
に囲まれた領域にコンタクトホールを形成した場合の平
面図である。
【図１７】 従来の技術における重ね合わせ誤差測定マ
ークの構造を示す断面図である。
ークの構造を示す断面図である。
【図１８】 従来の技術における重ね合わせ誤差測定マ
ークの原理を示す図であり、（ａ）は重ね合わせ誤差測
定マークの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿
う検出信号を示す図である。
ークの原理を示す図であり、（ａ）は重ね合わせ誤差測
定マークの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線
に沿う断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿
う検出信号を示す図である。
【図１９】 従来の技術における重ね合わせ誤差測定マ
ークにより重ね合わせ誤差を測定する方法を説明するた
めの図である。
ークにより重ね合わせ誤差を測定する方法を説明するた
めの図である。
【図２０】 図１８に示す場合の抜きパターンにおける
重ね合わせ誤差測定マークの原理を示す図であり、
（ａ）は重ね合わせ誤差測定マークの平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図であり、
（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う検出信号を示す図で
ある。
重ね合わせ誤差測定マークの原理を示す図であり、
（ａ）は重ね合わせ誤差測定マークの平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図であり、
（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う検出信号を示す図で
ある。
【図２１】 コマ収差の問題点を示す第１の図である。
【図２２】 コマ収差の問題点を示す第２の図である。
【図２３】 従来の技術におけるフォトマスクに生じる
コマ収差の問題点を説明するための図である。
コマ収差の問題点を説明するための図である。
３ａ、２３ａ 第１測定マーク、４ａ、２４ａ 第２測
定マーク、１０１ 収差定量レチクル、１０２ ユニッ
ト、１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ａ、１０４
ｅ、１０４ｆ 第１測定マーク、１０５ａ、１０５ｂ、
１０５ｃ、１０５ｄ、１０５ｅ、１０５ｆ 第２測定マ
ーク。
定マーク、１０１ 収差定量レチクル、１０２ ユニッ
ト、１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ａ、１０４
ｅ、１０４ｆ 第１測定マーク、１０５ａ、１０５ｂ、
１０５ｃ、１０５ｄ、１０５ｅ、１０５ｆ 第２測定マ
ーク。
Claims (11)
- 【請求項１】 ウェハの互いに異なる層に形成された第
１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差を測定す
るための重ね合わせ誤差測定用レチクルであって、 主表面を有し、露光光を透過する透明基板と、 前記透明基板の主表面上に前記第１パターンに光を照射
したときと同じ収差の影響を受けるように形成された第
３パターンと、 前記透明基板の主表面上に前記第２パターンに光を照射
したときと同じ収差の影響を受けるように形成された第
４パターンとを備えた、重ね合わせ誤差測定用レチク
ル。 - 【請求項２】 前記第３パターンは、外縁が四角形とな
るように形成されており、 前記第４パターンは、前記第３パターンの形成領域内に
おいて、前記第３パターンの前記外縁に沿って四角形の
枠状に配置されている、請求項１に記載の重ね合わせ誤
差測定用レチクル。 - 【請求項３】 前記第４パターンの前記枠の１辺の幅
は、前記第２パターンと略同一の寸法となるように形成
されている、請求項２に記載の重ね合わせ誤差測定用レ
チクル。 - 【請求項４】 前記第３パターンの前記外縁の寸法は前
記第１パターンと略同一の寸法となるように形成されて
いる、請求項３に記載の重ね合わせ誤差測定用レチク
ル。 - 【請求項５】 前記第４パターンは、外形が四角形の複
数のパターンが四角形の前記枠状に断続的に配置されて
構成されている、請求項２に記載の重ね合わせ誤差測定
用レチクル。 - 【請求項６】 外縁が四角形となるように形成され、か
つ互いに分離して設けられた第５および第６パターンを
さらに備え、 前記第３パターンは、前記第５パターンの形成領域内に
おいて前記第５パターンの前記外縁に沿って四角形の枠
状に配置されており、 前記第４パターンは、前記第６パターンの形成領域内に
おいて、前記第６パターンの前記外縁に沿って四角形の
枠状に配置されている、請求項１に記載の重ね合わせ誤
差測定用レチクル。 - 【請求項７】 前記第３パターンの前記枠の１辺の幅
は、前記第１パターンと略同一の寸法となるように形成
されており、 前記第４パターンの前記枠の１辺の幅は、前記第２パタ
ーンと略同一の寸法となるように形成されている、請求
項６に記載の重ね合わせ誤差測定用レチクル。 - 【請求項８】 前記第３および第４パターンは、外形が
四角形の複数のパターンが四角形の前記枠状に断続的に
配置されて構成されている、請求項６に記載の重ね合わ
せ誤差測定用レチクル。 - 【請求項９】 前記第３、第４、第５および第６パター
ンを含むパターン群が前記透明基板上に複数個形成され
ている、請求項６に記載の重ね合わせ誤差測定用レチク
ル。 - 【請求項１０】 ウェハの互いに異なる層に形成された
第１パターンと第２パターンとの重ね合わせ誤差を測定
するための重ね合わせ誤差測定用レチクルを用いた重ね
合わせ誤差測定方法であって、 重ね合わせ誤差測定用レチクルを準備する工程を備え、 前記重ね合わせ誤差測定用レチクルは、 主表面を有し、露光光を透過する透明基板と、 前記透明基板の主表面上に、前記第１パターンに光を照
射したときと同じ収差の影響を受けるように形成された
第３パターンと、 前記透明基板の主表面上に、前記第２パターンに光を照
射したときと同じ収差の影響を受けるように形成された
第４パターンとを有しており、さらに、 前記レチクルを透過させた露光光をウェハ上のレジスト
に照射することにより、前記第３パターンに対応する第
１測定マークと前記第４パターンに対応する第２測定マ
ークを有するように前記レジストをパターニングする工
程と、 前記第１および第２測定マークの各位置を認識すること
により前記第１および第２パターンの重ね合わせ誤差を
算出する工程とを備えた、重ね合わせ誤差測定方法。 - 【請求項１１】 半導体基板の上に、所定形状の半導体
装置を構成するパターンが、複数層形成される半導体装
置形成領域と、 前記半導体装置を構成する前記各層の重ね合わせ誤差を
測定するための重ね合わせ誤差測定マーク形成領域と、 前記半導体装置形成領域において、第１の層に形成され
た第１半導体装置構成部材と、 前記重ね合わせ誤差測定マーク形成領域において、前記
第１半導体装置構成部材と同一の製造工程で形成された
第１測定マークと、 前記半導体装置形成領域において、前記第１の層の上の
第２の層に形成された第２半導体装置構成部材と、 前記重ね合わせ誤差測定マーク形成領域において、前記
第１半導体装置構成部材と前記第２半導体装置構成部材
との重ね合わせ誤差を測定するために、前記第２半導体
装置構成部材と同一の製造工程で形成された第２測定マ
ークとを備え、 前記第１測定マークは、前記第１半導体装置構成部材に
光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパターンを
有し、 前記第２測定マークは、前記第２半導体装置構成部材に
光を照射したときと同じ収差の影響を受けるパターンを
有する、重ね合わせ誤差測定マーク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154296A JPH09244222A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク |
| US08/780,265 US5939226A (en) | 1996-03-08 | 1997-01-08 | Aberration estimation reticle for determining overlay error |
| US09/293,783 US6165656A (en) | 1996-03-08 | 1999-04-20 | Overlay error determination mark considering influence of aberration |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154296A JPH09244222A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09244222A true JPH09244222A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12889922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154296A Pending JPH09244222A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5939226A (ja) |
| JP (1) | JPH09244222A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100309905B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2001-11-15 | 박종섭 | 렌즈의 코마수차 측정방법 |
| JP2002064055A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-02-28 | Toshiba Corp | アライメント方法、重ね合わせ検査方法及びフォトマスク |
| JP2002296760A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Nec Corp | フォトマスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US6617080B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photomask, semiconductor device, and method for exposing through photomask |
| JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
| KR100557629B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 렌즈의 코마에러 측정방법 |
| JP2007324371A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Ebara Corp | オーバーレイ検査用オーバーレイマーク及びレンズ収差調査用マーク |
| US7876438B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-01-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
| JP4770833B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-09-14 | 株式会社ニコン | ショット形状の計測方法、マスク |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11258776A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Sony Corp | 重ね合わせ測定パターン、フォトマスク、重ね合わせ測定方法及び重ね合わせ測定装置 |
| JP3211767B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2001-09-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000012431A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2001022097A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 多層配線プロセス用転写マーク構造および多層配線プロセス用転写マーク作成方法 |
| US6514647B1 (en) * | 1999-07-13 | 2003-02-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, resist pattern formation method, method of determining alignment accuracy and method of fabricating semiconductor device |
| US6440612B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Field correction of overlay error |
| TW588414B (en) * | 2000-06-08 | 2004-05-21 | Toshiba Corp | Alignment method, overlap inspecting method and mask |
| US6462818B1 (en) | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Overlay alignment mark design |
| US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
| US7317531B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
| US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
| US6486954B1 (en) | 2000-09-01 | 2002-11-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay alignment measurement mark |
| US20030002043A1 (en) | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
| KR100583693B1 (ko) | 2001-05-23 | 2006-05-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스 |
| US6716559B2 (en) | 2001-12-13 | 2004-04-06 | International Business Machines Corporation | Method and system for determining overlay tolerance |
| US6778275B2 (en) * | 2002-02-20 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations |
| US6838217B1 (en) | 2002-06-06 | 2005-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Define overlay dummy pattern in mark shielding region to reduce wafer scale error caused by metal deposition |
| KR100472411B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 및 오버레이 검사마크를 가진반도체 장치 |
| US6957119B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-10-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method for monitoring matched machine overlay |
| US7440105B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
| US7075639B2 (en) | 2003-04-25 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks |
| EP1477857A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Method of characterising a process step and device manufacturing method |
| US7346878B1 (en) | 2003-07-02 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection |
| SG108975A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Marker structure for alignment or overlay to correct pattern induced displacement, mask pattern for defining such a marker structure and lithographic projection apparatus using such a mask pattern |
| EP1498779A3 (en) * | 2003-07-11 | 2005-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Marker structure for alignment or overlay |
| US7463367B2 (en) * | 2004-07-13 | 2008-12-09 | Micron Technology, Inc. | Estimating overlay error and optical aberrations |
| US7557921B1 (en) | 2005-01-14 | 2009-07-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools |
| JP4627448B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-02-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN101846878B (zh) * | 2010-06-21 | 2012-07-04 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 一种大尺寸菲林母版设计及其组合方法 |
| US9927718B2 (en) | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
| JP5737922B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2015-06-17 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． | 半導体デバイスの製造方法 |
| US10890436B2 (en) | 2011-07-19 | 2021-01-12 | Kla Corporation | Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill |
| US9081287B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-07-14 | Kla-Tencor Corporation | Methods of measuring overlay errors in area-imaging e-beam lithography |
| US10062543B2 (en) * | 2015-06-23 | 2018-08-28 | Kla-Tencor Corp. | Determining multi-patterning step overlay error |
| US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
-
1996
- 1996-03-08 JP JP5154296A patent/JPH09244222A/ja active Pending
-
1997
- 1997-01-08 US US08/780,265 patent/US5939226A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-04-20 US US09/293,783 patent/US6165656A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100309905B1 (ko) * | 1998-09-23 | 2001-11-15 | 박종섭 | 렌즈의 코마수차 측정방법 |
| US6617080B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photomask, semiconductor device, and method for exposing through photomask |
| KR100557629B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 렌즈의 코마에러 측정방법 |
| JP2002064055A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-02-28 | Toshiba Corp | アライメント方法、重ね合わせ検査方法及びフォトマスク |
| JP4528464B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2010-08-18 | 株式会社東芝 | アライメント方法、重ね合わせ検査方法及びフォトマスク |
| JP2002296760A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-09 | Nec Corp | フォトマスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
| US7804994B2 (en) | 2002-02-15 | 2010-09-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay metrology and control method |
| US7876438B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-01-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
| JP4770833B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-09-14 | 株式会社ニコン | ショット形状の計測方法、マスク |
| US8339614B2 (en) | 2005-03-25 | 2012-12-25 | Nikon Corporation | Method of measuring shot shape and mask |
| JP2007324371A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Ebara Corp | オーバーレイ検査用オーバーレイマーク及びレンズ収差調査用マーク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6165656A (en) | 2000-12-26 |
| US5939226A (en) | 1999-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09244222A (ja) | 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク | |
| US6610448B2 (en) | Alignment method, overlay deviation inspection method and photomask | |
| JP3859764B2 (ja) | 重ね合わせ精度測定マーク、そのマークの欠陥修正方法、および、そのマークを有するフォトマスク | |
| US5545570A (en) | Method of inspecting first layer overlay shift in global alignment process | |
| JP3284641B2 (ja) | 重ね合わせ精度測定機の測定条件の最適化方法、並びにアラインメントマーク形状あるいは露光装置におけるアラインメントマーク測定方式の最適化方法 | |
| JP2987112B2 (ja) | 半導体素子のオーバレイ検査方法 | |
| JP4528464B2 (ja) | アライメント方法、重ね合わせ検査方法及びフォトマスク | |
| JP2009064951A (ja) | アライメントマーク、アライメントマーク形成方法及びパターン形成方法 | |
| US5668042A (en) | Method for aligning micro patterns of a semiconductor device | |
| JP2003224049A (ja) | 位置ずれ検査マーク及びフォトマスク | |
| JP3511552B2 (ja) | 重ね合わせ測定マークおよび測定方法 | |
| EP0459737B1 (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
| JP2008172249A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| US6330355B1 (en) | Frame layout to monitor overlay performance of chip composed of multi-exposure images | |
| JP2001085317A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2002100557A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20030044057A1 (en) | Method of checking overlap accuracy of patterns on four stacked semiconductor layers | |
| US6913858B2 (en) | Photomask for measuring lens aberration, method of manufacturing the same, and method of measuring lens aberration | |
| JP3885091B2 (ja) | フォトマスクの製造方法、露光方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR0172557B1 (ko) | 중첩마크가 구비된 반도체 장치 | |
| JP3196721B2 (ja) | 半導体装置の製造方法と測定装置 | |
| JPH10213896A (ja) | レチクル | |
| KR100966998B1 (ko) | 광학 근접 효과 보상 방법 | |
| KR20090109352A (ko) | 오버레이 버니어 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 | |
| JP2005195877A (ja) | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040513 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040525 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |