JP2005518107A - オーバレイ計測および制御方法 - Google Patents
オーバレイ計測および制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005518107A JP2005518107A JP2003570292A JP2003570292A JP2005518107A JP 2005518107 A JP2005518107 A JP 2005518107A JP 2003570292 A JP2003570292 A JP 2003570292A JP 2003570292 A JP2003570292 A JP 2003570292A JP 2005518107 A JP2005518107 A JP 2005518107A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- overlay
- targets
- manufacturing
- error
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】 本オーバレイ方法は、与えられたプロセス条件のセットについて、第1位置における第1ターゲットの前記オーバレイ誤差を第2位置における第2ターゲットの前記オーバレイ誤差に関連付けるオーバレイ情報を含む較正データ(30)を作ることを含む。本オーバレイ方法はまた、前記デバイス構造で製造された製造ターゲットに関連付けられたオーバレイ情報を含む製造データを作ることを含む。本オーバレイ方法はさらに 前記較正データに基づいて前記製造ターゲットの前記オーバレイ誤差を補正すること(34)によって、前記フィールド内のその位置における前記デバイス構造の真のオーバレイ誤差をよりよく反映させることを含む。
Description
Claims (58)
- 半導体プロセス中に形成されたデバイス構造のオーバレイ誤差を決定するオーバレイ方法であって、
与えられたプロセス条件のセットについて、第1位置における第1ターゲットの前記オーバレイ誤差を第2位置における第2ターゲットの前記オーバレイ誤差に関連付けるオーバレイ情報を含む較正データを作ること、
前記デバイス構造で製造された製造ターゲットに関連付けられたオーバレイ情報を含む製造データを作ること、および
前記較正データに基づいて前記製造ターゲットの前記オーバレイ誤差を補正することによって、前記フィールド内のその位置における前記デバイス構造の真のオーバレイ誤差をよりよく反映させること
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記較正されたオーバレイ情報は、前記第1ターゲットの前記オーバレイ誤差および前記第2ターゲットの前記オーバレイ誤差間の相対差異を示す方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1位置は典型的なターゲット位置に対応し、前記第2位置は典型的なデバイス構造の位置に対応する方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記製造ターゲットの前記位置および構成は、前記第1ターゲットに類似である方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記製造ターゲットおよびデバイス構造は、前記第1および第2ターゲットと同様のセットの処理条件で形成される方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記補正は、前記製造データを前記較正データと比較することによって実現され、前記比較は、第2製造ターゲットの前記オーバレイ誤差がもしデバイス構造の近傍に形成されたなら製造中にそうであったであろうものを生む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記補正ステップは、較正中に形成された前記第1および第2ターゲットの前記オーバレイ誤差間で見られる差異を、製造中に形成された前記製造ターゲットのオーバレイ誤差に加算またはそれから減算することによって、前記製造ターゲットの前記オーバレイ誤差を、製造中に形成された前記デバイス構造の位置における前記オーバレイ誤差に変換することを含む方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記ターゲットはプロセスロバストターゲットまたはデバイス表現ターゲットに対応する方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記第1および第2ターゲットはプロセスロバストターゲットである方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記第1および第2ターゲットはデバイス表現ターゲットである方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記第1および第2ターゲットのうちのターゲットの一方はプロセスロバストターゲットに対応し、前記第1および第2ターゲットのうちの他方はデバイス表現ターゲットに対応する方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記製造ターゲットは、プロセスロバストターゲットである方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記製造ターゲットは、デバイス表現ターゲットである方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記較正されたデータは、与えられたセットのプロセス条件について、2つ以上のターゲットをテストウェーハ上のさまざまな位置に形成すること、前記ターゲットの前記オーバレイ誤差を計測すること、および前記与えられたセットのプロセス条件について異なる位置における異なるターゲット間の前記オーバレイ誤差を相関付けることによって実験的に得られ、前記製造データは、前記与えられたセットのプロセス条件について前記製造ターゲットおよび前記デバイス構造を製造ウェーハ上に形成すること、および前記製造ターゲットの前記オーバレイ誤差を計測することによって得られる方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記オーバレイ計測は、画像化、スキャニングまたは散乱計測技術を用いて実行される方法。
- オーバレイ処理方法であって、
プロセスロバストターゲットを提供すること、
前記プロセスロバストターゲットの1つ以上と共に基板上にデバイス構造を形成すること、
前記1つ以上のプロセスロバストターゲットの前記オーバレイ誤差を計測すること、
前記1つ以上のプロセスロバストターゲットに関連付けられた較正データを受け取ること、および
前記計測されたオーバレイ誤差および前記較正データに基づいて前記フィールド内のその位置における前記デバイス構造の前記オーバレイ誤差を予測すること
を含む方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記プロセスロバストターゲットは、与えられたセットのデバイス固有のデータについて、最もプロセスロバストなターゲットである方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記プロセスロバストターゲットはボックスインボックスまたは関連するターゲットである方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記プロセスロバストターゲットは周期的構造である方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記1つ以上のプロセスロバストターゲットは前記基板の前記スクライブライン内に形成される方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記計測は、画像化、スキャニングまたは散乱計測技術を用いて実行される方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記予測は、前記プロセスロバストターゲットの前記オーバレイ計測を前記較正データ中に含まれるオーバレイデータに比較することによって実行され、前記オーバレイデータは前記フィールド内の異なる点におけるターゲットに関係し、前記関係はプロセスロバストターゲットおよびデバイス表現ターゲットの両方を含むさまざまなターゲットで形成された方法。
- 請求項22に記載の方法であって、前記関係は、前記スクライブライン内に位置するプロセスロバストターゲットおよび前記フィールドにわたって位置するデバイス表現ターゲットの間のものである方法。
- 請求項16に記載の方法であって、前記デバイス構造の前記フィールド内のその位置における前記オーバレイ誤差は、前記スクライブライン内に位置する1つ以上の計測されたプロセスロバストターゲットを、前記スクライブライン内に位置する1つ以上の仮想デバイス表現ターゲットに前記較正データを用いて変換すること、前記スクライブライン内に位置する前記1つ以上の仮想デバイス表現ターゲットを、前記デバイス構造の前記フィールド位置における1つ以上の仮想デバイス表現ターゲットに前記較正データを用いて変換すること、前記デバイス構造の前記フィールド位置内の前記仮想デバイス表現ターゲットの前記オーバレイ誤差を計算すること、および前記デバイス構造の前記フィールド位置内の前記1つ以上のデバイス表現ターゲットの平均をとることによって予測される方法。
- 請求項16に記載の方法であって、
最適な補正値を計算することであって、前記最適な補正値は前記デバイス構造を形成することに関連付けられた正しいアライメントを決定するのに役立つ、計算すること
をさらに含む方法。 - 請求項25に記載の方法であって、前記計算は、前記デバイス構造の前記予測されたオーバレイ誤差および前記デバイス構造を形成することに関連付けられたデータを含むプロセスデータに基づく方法。
- 較正方法であって、
複数のオーバレイターゲットパターンを有する1つ以上の特徴付けレチクルを提供すること、
前記オーバレイターゲットパターンを較正ウェーハ上に転写すること、
前記較正ウェーハ上の前記オーバレイターゲットの前記オーバレイ誤差を計測すること、および
前記計測されたオーバレイターゲットの前記オーバレイ誤差を互いに対して較正すること
を含む方法。 - 請求項27に記載の方法であって、前記特徴付けレチクルは、前記特徴付けレチクル表面の全体にわたって位置するオーバレイターゲットパターンの大きいアレイを含む方法。
- 請求項28に記載の方法であって、前記パターンは、プロセスロバストおよびデバイス表現構造に基づく方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記レチクルは、前記デバイス構造と最も類似して振る舞うデバイス表現ターゲットを確立すること、特定のプロセスに耐えるプロセスロバストターゲットを確立すること、および前記デバイス表現ターゲットおよびプロセスロバストターゲットを前記レチクル表面にわたって分配することによって形成される方法。
- 請求項30に記載の方法であって、前記デバイス表現ターゲットを確立することは、空間的特徴および形状の幅を持つデバイス表現ターゲットを設計すること、前記デバイス表現ターゲットを前記プロセスのさまざまな組み合わせを持つプロセスに通すこと、前記ターゲットを計測すること、および前記フィールド内のその位置においてどのデバイス表現ターゲットが前記デバイス構造に最も類似するかを決定することを含む方法。
- 請求項31に記載の方法であって、前記最もデバイスを表現するターゲットは、前記デバイス表現ターゲットを実際のデバイス構造と比較することによって実行され、前記実際のデバイス構造に忠実であり続ける前記デバイス表現ターゲットは前記最もよくデバイスを表現するターゲットである方法。
- 請求項30に記載の方法であって、前記プロセスロバストターゲットを確立するステップは、空間的特徴および形状の幅を持つプロセスロバストターゲットを設計すること、前記プロセスロバストターゲットを前記プロセスのさまざまな組み合わせを持つプロセスに通すこと、前記ターゲットを計測すること、および最も広い条件範囲にわたってどのプロセスロバストターゲットが最も少ししか変化しないかを決定することを含む方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記較正ウェーハはレジスト/レジストウェーハである方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記パターンは、前記ウェーハ表面の全体にわたって転写され、それにより前記ウェーハを多数のオーバレイターゲットで埋めるようにする方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記オーバレイターゲットパターンは、さまざまなステッパ設定について一連の較正に転写される方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記レチクルは、前記ターゲットの全てのオフセットがゼロに設定されるように構築される方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記較正するステップは、任意の2つのターゲット間の誤差を決定するために任意の2つのターゲット間の前記オフセットを比較することを含む方法。
- 請求項27に記載の方法であって、複数のターゲットは、それぞれのターゲットが互いに対して全て較正されるクロスレファレンスマトリクスを生成するように露光フィールド全体にわたって比較される方法。
- 請求項27に記載の方法であって、プロセスロバストターゲットは、前記較正ウェーハ中にそれらを形成するのに用いられた前記特性の関数として、デバイス表現ターゲットに対して較正される方法。
- 請求項40に記載の方法であって、前記スクライブラインにおける1つ以上のプロセスロバストターゲットの前記オーバレイは、前記フィールド内の異なる位置に位置する複数のデバイス表現ターゲットに対して較正される方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記較正するステップは、複数の構造の組み合わせを、前記フィールドにわたる複数の位置から関連付けるパターン配置誤差クロスレファレンスマトリクスを構築することを含む方法。
- 請求項27に記載の方法であって、前記較正するステップは、前記特徴付けレチクル内に実際に含まれたものの間の異なるデバイス構造についての前記予測されたパターン配置誤差を内挿することを含む方法。
- オーバレイ補正分析を実行する方法であって、
較正データを提供すること、
前記スクライブライン内に位置するプロセスロバストターゲットのオーバレイ誤差を決定すること、
前記スクライブライン内に位置する仮想デバイス表現ターゲットの前記オーバレイ誤差を前記プロセスロバストターゲットの前記オーバレイ誤差および前記較正データに基づいて決定すること、および
前記フィールド内のある点に位置する第2仮想デバイス表現ターゲットの前記オーバレイ誤差を前記第1仮想デバイス表現ターゲットの前記オーバレイ誤差および前記較正データに基づいて決定すること
を含む方法。 - ダイ内に位置するデバイス構造のオーバレイ誤差を決定する方法であって、
前記ダイの周辺のスクライブライン内に位置するプロセスロバストターゲットを計測すること、
前記計測されたプロセスロバストターゲットを前記スクライブライン内に位置する仮想デバイス表現ターゲットに変換すること、
前記仮想デバイス表現ターゲットを前記ダイ内に位置する第2仮想デバイス表現ターゲットに変換すること、および
前記第2仮想デバイス表現ターゲットの前記オーバレイ誤差を計算すること
を含む方法。 - オーバレイをモニタする方法であって、
オーバレイ較正データを作るよう構成された較正モードであって、前記較正モードは、1つ以上のテストダイを1つ以上のテストウェーハ上に形成すること、前記テストダイは複数の較正ターゲットを含み、および前記較正ターゲットを計測することを含む、較正モード、
1つ以上の製造ダイを製造ウェーハ上に形成すること、前記製造ダイは1つ以上のデバイス構造および1つ以上の製造ターゲットを含み、前記製造ターゲットを計測すること、および前記製造計測を前記較正計測と比較することによって特定のデバイス位置における特定のデバイス構造の前記オーバレイ誤差を決定することを含む製造モード
を含む方法。 - 請求項46に記載の方法であって、前記較正ターゲットは、ワーキングゾーンのそれぞれが周期的構造を含む内側および外側ワーキングゾーンの両方を有するデュアルパターンオーバレイターゲットである方法。
- 請求項47に記載の方法であって、前記周期的構造はプロセスロバスト構造およびデバイス表現構造から選択される方法。
- 請求項47に記載の方法であって、前記外側ワーキングゾーンは第1セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記内側ワーキングゾーンは第1セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記外側ワーキングゾーンはデバイス表現構造を含み、前記内側ワーキングゾーンはプロセスロバスト構造を含む方法。
- 請求項47に記載の方法であって、前記外側ワーキングゾーンは第1セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記内側ワーキングゾーンは第1セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記外側ワーキングゾーンはプロセスロバスト構造を含み、前記内側ワーキングゾーンはデバイス表現構造を含む方法。
- 請求項47に記載の方法であって、前記外側ワーキングゾーンは第1セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記内側ワーキングゾーンは第2セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記外側ワーキングゾーンは第1プロセスロバスト構造を含み、前記内側ワーキングゾーンは第2プロセスロバスト構造を含む方法。
- 請求項46に記載の方法であって、前記製造ターゲットは、ワーキングゾーンのそれぞれが周期的構造を含む内側および外側ワーキングゾーンの両方を有するデュアルパターンオーバレイターゲットである方法。
- 請求項52に記載の方法であって、前記周期的構造はプロセスロバスト構造およびデバイス表現構造から選択される方法。
- 請求項52に記載の方法であって、前記外側ワーキングゾーンは第1セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記内側ワーキングゾーンは第2セットのリソグラフィパラメータを用いて形成され、前記外側ワーキングゾーンは第1プロセスロバスト構造を含み、前記内側ワーキングゾーンは第2プロセスロバスト構造を含む方法。
- 請求項52に記載の方法であって、前記1つ以上のテストダイは、前記露光フィールドにわたってさまざまな位置に位置する複数のデュアルパターンオーバレイターゲットを有する特徴付けレチクルから形成され、前記デュアルパターンオーバレイターゲットのそれぞれは、内側および外側ワーキングゾーンについて周期的構造の異なる組み合わせを持つ内側および外側ワーキングゾーンの両方を有し、前記周期的構造はデバイス表現構造およびプロセスロバスト構造から選択される方法。
- オーバレイマークの忠実性を決定する方法であって、
密に詰められたオーバレイマークのアレイを形成すること、
前記オーバレイマークのそれぞれのオーバレイ誤差を計測すること、および
前記オーバレイマークの前記オーバレイ誤差間の差異を計算すること
を含む方法。 - オーバレイマークを選択する方法であって、
複数のオーバレイマークアレイを形成すること、
前記オーバレイマークアレイ中の前記オーバレイマークの前記オーバレイ誤差を計測すること、
前記オーバレイマークアレイのそれぞれについての前記オーバレイ誤差の差異を計算すること、および
前記オーバレイマークアレイの前記オーバレイ誤差の差異を比較すること
を含む方法。 - ウェーハ上の複数のオーバレイマークを計測する方法であって、
第1オーバレイマークにフォーカスを合わせること、
前記第1オーバレイマーク上で捕捉ステップを実行すること、
前記第1オーバレイマークをグラブすること、
第2オーバレイマークを移動させること、および
前記第2オーバレイマークをグラブすること、および前記フォーカスおよび捕捉ステップを前記第2オーバレイマーク上でスキップすること
を含む方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35739002P | 2002-02-15 | 2002-02-15 | |
US41978602P | 2002-10-17 | 2002-10-17 | |
US43587802P | 2002-12-19 | 2002-12-19 | |
PCT/US2003/004471 WO2003071471A1 (en) | 2002-02-15 | 2003-02-14 | Overlay metrology and control method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005518107A true JP2005518107A (ja) | 2005-06-16 |
Family
ID=27761428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003570292A Withdrawn JP2005518107A (ja) | 2002-02-15 | 2003-02-14 | オーバレイ計測および制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7804994B2 (ja) |
JP (1) | JP2005518107A (ja) |
AU (1) | AU2003213059A1 (ja) |
WO (1) | WO2003071471A1 (ja) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007035768A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Toshiba Corp | 合わせずれ検査用マークの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2007266601A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | オーバーレイ測定を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007266604A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | オーバーレイ測定品質表示を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008021984A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
JP2009510770A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | オーバーレイ精度とパターン配置誤差とを同時に測定する方法 |
JP2012533884A (ja) * | 2009-07-17 | 2012-12-27 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 設計データおよび欠陥データを使用したスキャナ性能の比較およびマッチング |
JP2014534631A (ja) * | 2011-10-11 | 2014-12-18 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェーハ幾何形状メトリックを用いるオーバーレイ及び半導体プロセス制御 |
KR101487590B1 (ko) | 2012-12-17 | 2015-01-29 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 스캐너 오버레이 정정 시스템 및 방법 |
US9442392B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Scanner overlay correction system and method |
KR20160130243A (ko) * | 2014-03-06 | 2016-11-10 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 오버레이 오차, 근본 원인 분석 및 공정 제어의 피드 포워드 및 피드백 정정을 위한 통계적 오버레이 오차 예측 |
KR20160138778A (ko) * | 2015-05-26 | 2016-12-06 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 교정 데이터를 수정하는 방법 |
JP2017508145A (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 不正確さを低減し且つコントラストを維持する充填要素を有する計測ターゲット |
JP2017122920A (ja) * | 2011-04-06 | 2017-07-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 向上したプロセス制御のための品質測定値を提供するための方法 |
JP2017227934A (ja) * | 2003-02-22 | 2017-12-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
KR101824780B1 (ko) | 2015-09-18 | 2018-02-01 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 웨이퍼를 진단하는 방법 및 시스템 |
KR20200033967A (ko) * | 2017-09-08 | 2020-03-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 추정 방법 |
JP2020511003A (ja) * | 2017-02-28 | 2020-04-09 | ケーエルエー コーポレイション | オーバレイ計量データの確率論的挙動の影響の判別 |
JP2020529621A (ja) * | 2017-06-06 | 2020-10-08 | ケーエルエー コーポレイション | レティクル最適化アルゴリズム及び最適ターゲットデザイン |
KR20210093343A (ko) * | 2018-12-31 | 2021-07-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 제어를 위한 인-다이 계측 방법 및 시스템 |
JP2021521485A (ja) * | 2018-04-26 | 2021-08-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメント方法及び装置 |
JP2021185499A (ja) * | 2015-07-13 | 2021-12-09 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 多層構造体の層間のオーバレイを測定する技法 |
JP2022521490A (ja) * | 2019-02-15 | 2022-04-08 | ケーエルエー コーポレイション | 結合された光および電子ビーム技術を使用する位置ずれ測定 |
WO2022149341A1 (ja) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | 国立大学法人東北大学 | 位置合わせ方法、積層体の製造方法、位置合わせ装置、積層体製造装置、及び積層体 |
JP7446447B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-03-08 | ケーエルエー コーポレイション | 複合的オーバレイ計測ターゲット |
US12040187B2 (en) | 2022-11-10 | 2024-07-16 | Asml Netherlands B.V. | In-die metrology methods and systems for process control |
Families Citing this family (126)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US7061615B1 (en) | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
US6958819B1 (en) | 2002-04-04 | 2005-10-25 | Nanometrics Incorporated | Encoder with an alignment target |
US6982793B1 (en) | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
US6949462B1 (en) | 2002-04-04 | 2005-09-27 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with multiple polarization states |
US7046361B1 (en) | 2002-04-04 | 2006-05-16 | Nanometrics Incorporated | Positioning two elements using an alignment target with a designed offset |
WO2003104929A2 (en) * | 2002-06-05 | 2003-12-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7111256B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-09-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US6928628B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US6992764B1 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-31 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with a single polarization state |
US7606403B2 (en) * | 2002-10-17 | 2009-10-20 | Intel Corporation | Model-based fusion of scanning probe microscopic images for detection and identification of molecular structures |
US7457736B2 (en) * | 2002-11-21 | 2008-11-25 | Synopsys, Inc. | Automated creation of metrology recipes |
EP1570232B1 (en) * | 2002-12-05 | 2016-11-02 | KLA-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
JP2004317718A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Toshiba Corp | パターン作成方法、パターン作成システム、および半導体装置の製造方法 |
US6892365B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | Method for performing monte-carlo simulations to predict overlay failures in integrated circuit designs |
US6970255B1 (en) | 2003-04-23 | 2005-11-29 | Nanometrics Incorporated | Encoder measurement based on layer thickness |
US7075639B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks |
US7230704B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Diffracting, aperiodic targets for overlay metrology and method to detect gross overlay |
US7230703B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings |
WO2005022600A2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Inficon Lt, Inc. | Method and systems for processing overlay data |
DE10345524B4 (de) * | 2003-09-30 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Bestimmung eines relativen Versatzes zweier strukturierter Schaltungsmuster auf einem Halbleiterwafer mittels eines Rasterelektronenmikroskops |
US7508976B1 (en) | 2003-12-29 | 2009-03-24 | Nanometric Incorporated | Local process variation correction for overlay measurement |
US8027813B2 (en) * | 2004-02-20 | 2011-09-27 | Nikon Precision, Inc. | Method and system for reconstructing aberrated image profiles through simulation |
US7131103B2 (en) * | 2004-03-04 | 2006-10-31 | Lsi Logic Corporation | Conductor stack shifting |
CN100445869C (zh) * | 2004-04-23 | 2008-12-24 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 用于光刻套刻的划片槽结构 |
WO2005106932A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Nikon Corporation | 解析方法、露光装置及び露光装置システム |
US7678516B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-03-16 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process |
DE102004063522A1 (de) * | 2004-07-30 | 2006-03-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Korrektur von strukturgrößenabhängigen Platzierungsfehlern bei der photolithographischen Projektion mittels eines Belichtungsapparats und dessen Verwendung |
US20060194129A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Horn Douglas M | Substrate edge focus compensation |
US7582538B2 (en) * | 2005-04-06 | 2009-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of overlay measurement for alignment of patterns in semiconductor manufacturing |
US20060258023A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Lsi Logic Corporation | Method and system for improving integrated circuit manufacturing yield |
US7426011B2 (en) | 2005-09-12 | 2008-09-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI345685B (en) * | 2005-09-06 | 2011-07-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method |
WO2007040855A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Structure and method for simultaneously determining an overlay accuracy and pattern placement error |
US20070115452A1 (en) * | 2005-11-23 | 2007-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring the magnification of a projection system, device manufacturing method and computer program product |
KR100706813B1 (ko) * | 2006-02-13 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패턴 배치 방법 |
US7528941B2 (en) * | 2006-06-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technolgies Corporation | Order selected overlay metrology |
US8045786B2 (en) * | 2006-10-24 | 2011-10-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Waferless recipe optimization |
WO2009013741A2 (en) * | 2007-07-22 | 2009-01-29 | Camtek Ltd | Method and system for controlling a manufacturing process |
JP4897006B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
TW200941010A (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | Promos Technologies Inc | Method and system for processing test wafer in photolithography process |
NL1036734A1 (nl) * | 2008-04-09 | 2009-10-12 | Asml Netherlands Bv | A method of assessing a model, an inspection apparatus and a lithographic apparatus. |
US9710903B2 (en) * | 2008-06-11 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corp. | System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features |
US8084872B2 (en) * | 2008-07-01 | 2011-12-27 | Macronix International Co., Ltd. | Overlay mark, method of checking local aligmnent using the same and method of controlling overlay based on the same |
NL2003294A (en) * | 2008-08-19 | 2010-03-09 | Asml Netherlands Bv | A method of measuring overlay error and a device manufacturing method. |
NL2004094A (en) | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
DE102009019140B4 (de) * | 2009-04-29 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Kalibrieren einer Positionsmessvorrichtung und Verfahren zum Vermessen einer Maske |
US8003482B2 (en) | 2009-11-19 | 2011-08-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing semiconductor substrates in forming scribe line alignment marks |
US8559001B2 (en) | 2010-01-11 | 2013-10-15 | Kla-Tencor Corporation | Inspection guided overlay metrology |
KR101675380B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2016-11-14 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정방법 및 그를 이용한 반도체 제조방법 |
US9177219B2 (en) * | 2010-07-09 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Method of calibrating a lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
CN102540733A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-07-04 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光刻控制方法 |
NL2008317A (en) | 2011-03-24 | 2012-09-25 | Asml Netherlands Bv | Substrate and patterning device for use in metrology, metrology method and device manufacturing method. |
US10890436B2 (en) | 2011-07-19 | 2021-01-12 | Kla Corporation | Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill |
KR20130014190A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 삼성전자주식회사 | 공정을 모니터링하여 공정 조건 및 구성을 보정하는 것을 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
US9360858B2 (en) | 2011-08-08 | 2016-06-07 | Globalfoundries Inc. | Alignment data based process control system |
CN103019052B (zh) * | 2011-09-23 | 2015-10-21 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光刻对准标记以及包含其的掩模板和半导体晶片 |
US9163935B2 (en) * | 2011-12-12 | 2015-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and associated lithographic apparatus, inspection apparatus, and lithographic processing cell |
US8745546B2 (en) * | 2011-12-29 | 2014-06-03 | Nanya Technology Corporation | Mask overlay method, mask, and semiconductor device using the same |
US9029172B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-05-12 | International Business Machines Corporation | On-chip poly-to-contact process monitoring and reliability evaluation system and method of use |
US9093458B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
US9330223B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-05-03 | International Business Machines Corporation | Optical rule checking for detecting at risk structures for overlay issues |
US10242290B2 (en) * | 2012-11-09 | 2019-03-26 | Kla-Tencor Corporation | Method, system, and user interface for metrology target characterization |
US9081287B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-07-14 | Kla-Tencor Corporation | Methods of measuring overlay errors in area-imaging e-beam lithography |
US9182219B1 (en) | 2013-01-21 | 2015-11-10 | Kla-Tencor Corporation | Overlay measurement based on moire effect between structured illumination and overlay target |
CN105051611B (zh) | 2013-03-14 | 2017-04-12 | Asml荷兰有限公司 | 图案形成装置、在衬底上生成标记的方法以及器件制造方法 |
US9390492B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-07-12 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for reference-based overlay measurement |
CN103247550B (zh) * | 2013-05-07 | 2016-04-13 | 上海华力微电子有限公司 | 监控制程稳定性的测试模块和方法 |
WO2014193983A1 (en) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layered target design |
WO2014194095A1 (en) | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Combined imaging and scatterometry metrology |
TWI621190B (zh) * | 2013-06-19 | 2018-04-11 | 克萊譚克公司 | 併合成像及散射測量靶 |
WO2015006233A1 (en) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Kla-Tencor Corporation | Aperture alignment in scatterometry metrology systems |
US9007571B2 (en) | 2013-08-20 | 2015-04-14 | United Microelectronics Corp. | Measurement method of overlay mark |
JP2015052573A (ja) | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 株式会社東芝 | パターン計測装置及びパターン計測方法 |
US9202788B2 (en) | 2013-10-02 | 2015-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Multi-layer semiconductor device structure |
JP6291581B2 (ja) | 2013-12-30 | 2018-03-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 |
NL2013677A (en) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | Asml Netherlands Bv | Method of determining a measurement subset of metrology points on a substrate, associated apparatus and computer program. |
US10002806B2 (en) * | 2014-02-12 | 2018-06-19 | Kla-Tencor Corporation | Metrology targets with filling elements that reduce inaccuracies and maintain contrast |
KR102237698B1 (ko) * | 2014-04-15 | 2021-04-08 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 마크의 비대칭부 검출 방법 및 이를 포함하는 오버레이 계측 방법 |
JP6412163B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-10-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジーに用いられる基板及びパターニングデバイス、メトロロジー方法、及びデバイス製造方法 |
KR101986258B1 (ko) | 2014-08-29 | 2019-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법, 타겟 및 기판 |
CN112331576A (zh) * | 2014-10-03 | 2021-02-05 | 科磊股份有限公司 | 验证计量目标及其设计 |
CN104765254B (zh) * | 2015-04-29 | 2017-08-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种套刻对准标记 |
US9995689B2 (en) | 2015-05-22 | 2018-06-12 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology using differential fitting |
US10061210B2 (en) * | 2015-07-31 | 2018-08-28 | Nanometrics Incorporated | 3D target for monitoring multiple patterning process |
US9733577B2 (en) * | 2015-09-03 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Intra-field process control for lithography |
EP3371657B9 (de) | 2015-11-05 | 2021-12-15 | Carl Zeiss SMT GmbH | Verfahren und vorrichtung zur charakterisierung eines durch wenigstens einen lithographieschritt strukturierten wafers |
WO2017108453A1 (en) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Methods of controlling a patterning process, device manufacturing method, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus |
KR102424805B1 (ko) | 2016-01-11 | 2022-07-22 | 케이엘에이 코포레이션 | 핫 스폿 및 프로세스 창 모니터링 |
US10691028B2 (en) | 2016-02-02 | 2020-06-23 | Kla-Tencor Corporation | Overlay variance stabilization methods and systems |
US9881122B2 (en) * | 2016-03-30 | 2018-01-30 | Globalfoundries Inc. | Overlay sampling reduction |
US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
CN106022055A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-12 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 一种指纹解锁控制方法、及终端设备 |
NL2018931A (en) | 2016-06-03 | 2017-12-05 | Asml Holding Nv | Alignment system wafer stack beam analyzer |
EP3321737A1 (en) | 2016-11-10 | 2018-05-16 | ASML Netherlands B.V. | Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system |
EP3321740A1 (en) | 2016-11-11 | 2018-05-16 | ASML Netherlands B.V. | Determining an optimal operational parameter setting of a metrology system |
EP3339959A1 (en) | 2016-12-23 | 2018-06-27 | ASML Netherlands B.V. | Method of determining a position of a feature |
JP7179742B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2022-11-29 | ケーエルエー コーポレイション | 散乱計測オーバーレイターゲット及び方法 |
CN108574539B (zh) * | 2017-03-08 | 2021-01-15 | 深圳市通用测试系统有限公司 | 基于mimo无线终端测试的信号生成方法和装置 |
JP2018185452A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10598617B2 (en) * | 2017-05-05 | 2020-03-24 | Kla-Tencor Corporation | Metrology guided inspection sample shaping of optical inspection results |
US10445889B2 (en) * | 2017-06-08 | 2019-10-15 | Inspectrology LLC | Method for measuring overlay offset in an integrated circuit and related technology |
US11112369B2 (en) * | 2017-06-19 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid overlay target design for imaging-based overlay and scatterometry-based overlay |
US10079185B1 (en) | 2017-06-23 | 2018-09-18 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor pattern for monitoring overlay and critical dimension at post-etching stage and metrology method of the same |
EP3454129A1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Beat patterns for alignment on small metrology targets |
US11023648B2 (en) * | 2017-12-12 | 2021-06-01 | Siemens Industry Software Inc. | Puzzle-based pattern analysis and classification |
US10483214B2 (en) | 2018-01-03 | 2019-11-19 | Globalfoundries Inc. | Overlay structures |
US10677588B2 (en) * | 2018-04-09 | 2020-06-09 | Kla-Tencor Corporation | Localized telecentricity and focus optimization for overlay metrology |
EP3575874A1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method, apparatus and computer program |
US10818001B2 (en) | 2018-09-07 | 2020-10-27 | Kla-Tencor Corporation | Using stochastic failure metrics in semiconductor manufacturing |
US10642161B1 (en) * | 2018-10-10 | 2020-05-05 | International Business Machines Corporation | Baseline overlay control with residual noise reduction |
US10990022B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-04-27 | Kla Corporation | Field-to-field corrections using overlay targets |
US11302544B2 (en) * | 2019-03-28 | 2022-04-12 | Kla-Tencor Corporation | Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein |
KR20220024752A (ko) * | 2019-06-20 | 2022-03-03 | 케이엘에이 코포레이션 | 다중 도구 파라미터 캘리브레이션 및 오정렬 측정 시스템 및 방법 |
JP2022539321A (ja) | 2019-06-25 | 2022-09-08 | ケーエルエー コーポレイション | 位置ずれの測定およびその改善のための関心領域の選択 |
US11933717B2 (en) * | 2019-09-27 | 2024-03-19 | Kla Corporation | Sensitive optical metrology in scanning and static modes |
US11874102B2 (en) * | 2019-12-30 | 2024-01-16 | Kla Corporation | Thick photo resist layer metrology target |
JP7369306B2 (ja) | 2020-04-15 | 2023-10-25 | ケーエルエー コーポレイション | 半導体デバイスの位置ずれを計測する際役立つデバイス規模フィーチャを有する位置ずれターゲット |
US20220326626A1 (en) * | 2021-03-30 | 2022-10-13 | Onto Innovation Inc. | Multi-layer calibration for empirical overlay measurement |
US11604420B2 (en) | 2021-05-03 | 2023-03-14 | Kla Corporation | Self-calibrating overlay metrology |
CN115881563A (zh) * | 2021-09-28 | 2023-03-31 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种提高自对准多重成像技术套刻量测准确性的方法 |
CN113917802A (zh) * | 2021-10-13 | 2022-01-11 | 杭州广立微电子股份有限公司 | 一种套刻误差的测量计算方法 |
CN114171500B (zh) * | 2021-12-07 | 2024-04-09 | 成都海威华芯科技有限公司 | 一种版图定位标记绘制方法、基于其制备的芯片及晶圆 |
WO2023136845A1 (en) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | Kla Corporation | Calibrated measurement of overlay error using small targets |
CN114623787B (zh) * | 2022-03-10 | 2024-05-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 用于校准套刻量测准确性的校准标记及测量方法、校准方法 |
CN116203808B (zh) * | 2023-04-20 | 2023-10-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 套刻误差的量测方法及套刻标记 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0251214A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0745495A (ja) * | 1993-08-03 | 1995-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09244222A (ja) * | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク |
JP2000306793A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Nec Corp | 重ね合わせ精度測定方法。 |
Family Cites Families (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7606548A (nl) * | 1976-06-17 | 1977-12-20 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat. |
US4538105A (en) * | 1981-12-07 | 1985-08-27 | The Perkin-Elmer Corporation | Overlay test wafer |
US4475811A (en) * | 1983-04-28 | 1984-10-09 | The Perkin-Elmer Corporation | Overlay test measurement systems |
US4703434A (en) * | 1984-04-24 | 1987-10-27 | The Perkin-Elmer Corporation | Apparatus for measuring overlay error |
DE3530439A1 (de) * | 1985-08-26 | 1987-02-26 | Siemens Ag | Vorrichtung zum justieren einer mit mindestens einer justiermarke versehenen maske bezueglich eines mit mindestens einer gitterstruktur versehenen halbleiterwafers |
US4714874A (en) * | 1985-11-12 | 1987-12-22 | Miles Inc. | Test strip identification and instrument calibration |
IT1186523B (it) * | 1985-12-31 | 1987-11-26 | Sgs Microelettronica Spa | Procedimento per la valutazione dei parametri di processo nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore |
NL8600639A (nl) * | 1986-03-12 | 1987-10-01 | Asm Lithography Bv | Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
GB2188417B (en) * | 1986-03-19 | 1990-02-21 | British Steel Corp | Molten metal gas analysis |
US5148214A (en) * | 1986-05-09 | 1992-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus |
US4929083A (en) * | 1986-06-19 | 1990-05-29 | Xerox Corporation | Focus and overlay characterization and optimization for photolithographic exposure |
US4757207A (en) * | 1987-03-03 | 1988-07-12 | International Business Machines Corporation | Measurement of registration of overlaid test patterns by the use of reflected light |
US4855253A (en) * | 1988-01-29 | 1989-08-08 | Hewlett-Packard | Test method for random defects in electronic microstructures |
JP2666859B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
NL8900991A (nl) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
DE4000785A1 (de) * | 1990-01-12 | 1991-07-18 | Suess Kg Karl | Justiermarken fuer zwei aufeinander einzujustierende objekte |
DE69123610T2 (de) * | 1990-02-02 | 1997-04-24 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsverfahren |
US5112129A (en) * | 1990-03-02 | 1992-05-12 | Kla Instruments Corporation | Method of image enhancement for the coherence probe microscope with applications to integrated circuit metrology |
JPH0444307A (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5216257A (en) * | 1990-07-09 | 1993-06-01 | Brueck Steven R J | Method and apparatus for alignment and overlay of submicron lithographic features |
NL9001611A (nl) * | 1990-07-16 | 1992-02-17 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
JPH04234930A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-08-24 | Shimano Inc | 釣り用リール |
EP0502679B1 (en) * | 1991-03-04 | 2001-03-07 | AT&T Corp. | Semiconductor integrated circuit fabrication utilizing latent imagery |
US5296917A (en) * | 1992-01-21 | 1994-03-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of monitoring accuracy with which patterns are written |
US5617340A (en) * | 1994-04-28 | 1997-04-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Method and reference standards for measuring overlay in multilayer structures, and for calibrating imaging equipment as used in semiconductor manufacturing |
US5857258A (en) * | 1992-03-13 | 1999-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Electrical test structure and method for measuring the relative locations of conductive features on an insulating substrate |
US5383136A (en) * | 1992-03-13 | 1995-01-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Electrical test structure and method for measuring the relative locations of conducting features on an insulating substrate |
JP2530080B2 (ja) * | 1992-03-14 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置の評価装置およびその評価方法 |
US5479270A (en) * | 1992-05-19 | 1995-12-26 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for aligning depth images |
US5403754A (en) * | 1992-09-30 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Lithography method for direct alignment of integrated circuits multiple layers |
US5438413A (en) * | 1993-03-03 | 1995-08-01 | Kla Instruments Corporation | Process for measuring overlay misregistration during semiconductor wafer fabrication |
JPH06260390A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-16 | Toshiba Corp | アライメント方法 |
US5604819A (en) * | 1993-03-15 | 1997-02-18 | Schlumberger Technologies Inc. | Determining offset between images of an IC |
US5414514A (en) * | 1993-06-01 | 1995-05-09 | Massachusetts Institute Of Technology | On-axis interferometric alignment of plates using the spatial phase of interference patterns |
KR0168772B1 (ko) * | 1994-03-10 | 1999-02-01 | 김주용 | 포토마스크 및 그를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
US5699282A (en) * | 1994-04-28 | 1997-12-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Methods and test structures for measuring overlay in multilayer devices |
EP0721608B1 (en) * | 1994-08-02 | 2003-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
US5477057A (en) * | 1994-08-17 | 1995-12-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | Off axis alignment system for scanning photolithography |
JPH08233555A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストパターンの測定方法及びレジストパターンの測定装置 |
US5923041A (en) * | 1995-02-03 | 1999-07-13 | Us Commerce | Overlay target and measurement procedure to enable self-correction for wafer-induced tool-induced shift by imaging sensor means |
US5702567A (en) * | 1995-06-01 | 1997-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plurality of photolithographic alignment marks with shape, size and spacing based on circuit pattern features |
EP0830427B1 (en) * | 1995-06-09 | 2007-07-25 | PBI Performance Products, Inc. | Highly-filled, moldable polyaryletherketones |
US5596413A (en) * | 1995-08-17 | 1997-01-21 | Lucent Technologies Inc. | Sub-micron through-the-lens positioning utilizing out of phase segmented gratings |
KR0170909B1 (ko) * | 1995-09-27 | 1999-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 오버레이 검사방법 |
JPH09115817A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
US5757507A (en) * | 1995-11-20 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Method of measuring bias and edge overlay error for sub-0.5 micron ground rules |
US5712707A (en) * | 1995-11-20 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Edge overlay measurement target for sub-0.5 micron ground rules |
JP2842360B2 (ja) * | 1996-02-28 | 1999-01-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2842362B2 (ja) | 1996-02-29 | 1999-01-06 | 日本電気株式会社 | 重ね合わせ測定方法 |
US5805290A (en) * | 1996-05-02 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Method of optical metrology of unresolved pattern arrays |
US5701013A (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-23 | Mosel Viltelic, Inc. | Wafer metrology pattern integrating both overlay and critical dimension features for SEM or AFM measurements |
US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
US5872042A (en) * | 1996-08-22 | 1999-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for alignment mark regeneration |
KR19980030438A (ko) * | 1996-10-29 | 1998-07-25 | 김영환 | 반도체 버어니어 구조 및 그것을 이용한 오버레이 정확도 측정방법 |
US5960125A (en) * | 1996-11-21 | 1999-09-28 | Cognex Corporation | Nonfeedback-based machine vision method for determining a calibration relationship between a camera and a moveable object |
US5912983A (en) * | 1997-01-24 | 1999-06-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd | Overlay accuracy measuring method |
US5902703A (en) * | 1997-03-27 | 1999-05-11 | Vlsi Technology, Inc. | Method for measuring dimensional anomalies in photolithographed integrated circuits using overlay metrology, and masks therefor |
US5877861A (en) * | 1997-11-14 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporation | Method for overlay control system |
US6160622A (en) * | 1997-12-29 | 2000-12-12 | Asm Lithography, B.V. | Alignment device and lithographic apparatus comprising such a device |
JPH11325877A (ja) | 1998-03-31 | 1999-11-26 | Siemens Ag | 測定誤差を減少させるための方法及び装置 |
US6077756A (en) * | 1998-04-24 | 2000-06-20 | Vanguard International Semiconductor | Overlay target pattern and algorithm for layer-to-layer overlay metrology for semiconductor processing |
US5919714A (en) * | 1998-05-06 | 1999-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Segmented box-in-box for improving back end overlay measurement |
US6140217A (en) * | 1998-07-16 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Technique for extending the limits of photolithography |
US6128089A (en) * | 1998-07-28 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Combined segmented and nonsegmented bar-in-bar targets |
US6137578A (en) * | 1998-07-28 | 2000-10-24 | International Business Machines Corporation | Segmented bar-in-bar target |
US6061606A (en) * | 1998-08-25 | 2000-05-09 | International Business Machines Corporation | Geometric phase analysis for mask alignment |
US6020966A (en) * | 1998-09-23 | 2000-02-01 | International Business Machines Corporation | Enhanced optical detection of minimum features using depolarization |
US6037671A (en) * | 1998-11-03 | 2000-03-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper alignment mark structure for maintaining alignment integrity |
US6146910A (en) * | 1999-02-02 | 2000-11-14 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce | Target configuration and method for extraction of overlay vectors from targets having concealed features |
TW569083B (en) * | 1999-02-04 | 2004-01-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus |
US6084679A (en) * | 1999-04-02 | 2000-07-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Universal alignment marks for semiconductor defect capture and analysis |
US6405096B1 (en) * | 1999-08-10 | 2002-06-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for run-to-run controlling of overlay registration |
US6612159B1 (en) * | 1999-08-26 | 2003-09-02 | Schlumberger Technologies, Inc. | Overlay registration error measurement made simultaneously for more than two semiconductor wafer layers |
DE60041993D1 (de) * | 2000-01-14 | 2009-05-20 | Panasonic Corp | Optischer Datenträger und Adresseseleseeinrichtung und -Verfahren für otischen Datenträger |
US6484060B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-11-19 | Micron Technology, Inc. | Layout for measurement of overlay error |
TW588414B (en) * | 2000-06-08 | 2004-05-21 | Toshiba Corp | Alignment method, overlap inspecting method and mask |
US6462818B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Overlay alignment mark design |
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US6734971B2 (en) * | 2000-12-08 | 2004-05-11 | Lael Instruments | Method and apparatus for self-referenced wafer stage positional error mapping |
JP4198877B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2008-12-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体デバイスの製造方法 |
TW526573B (en) * | 2000-12-27 | 2003-04-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of measuring overlay |
JP2003014819A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体配線基板,半導体デバイス,半導体デバイスのテスト方法及びその実装方法 |
KR100809955B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피 공정의 얼라인 계측방법 |
KR100435260B1 (ko) * | 2001-12-03 | 2004-06-11 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피 공정의 얼라인 계측방법 |
US20030160163A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Alan Wong | Optical metrology target design for simultaneous measurement of multiple periodic structures |
US6664121B2 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-16 | Nikon Precision, Inc. | Method and apparatus for position measurement of a pattern formed by a lithographic exposure tool |
US7608468B1 (en) * | 2003-07-02 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies, Corp. | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
US7346878B1 (en) * | 2003-07-02 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection |
-
2003
- 2003-02-13 US US10/367,124 patent/US7804994B2/en active Active
- 2003-02-14 JP JP2003570292A patent/JP2005518107A/ja not_active Withdrawn
- 2003-02-14 AU AU2003213059A patent/AU2003213059A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-14 WO PCT/US2003/004471 patent/WO2003071471A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0251214A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0745495A (ja) * | 1993-08-03 | 1995-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09244222A (ja) * | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク |
JP2000306793A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Nec Corp | 重ね合わせ精度測定方法。 |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017227934A (ja) * | 2003-02-22 | 2017-12-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
JP2007035768A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Toshiba Corp | 合わせずれ検査用マークの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009510770A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | オーバーレイ精度とパターン配置誤差とを同時に測定する方法 |
JP2007266601A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | オーバーレイ測定を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP4578494B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2010-11-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバーレイ測定を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007266604A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | オーバーレイ測定品質表示を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP4578495B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバーレイ測定品質表示を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008021984A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-31 | Asml Netherlands Bv | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
JP4701209B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2011-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 角度分解したスペクトロスコピーリソグラフィの特性解析方法および装置 |
JP2012533884A (ja) * | 2009-07-17 | 2012-12-27 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 設計データおよび欠陥データを使用したスキャナ性能の比較およびマッチング |
JP2017122920A (ja) * | 2011-04-06 | 2017-07-13 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 向上したプロセス制御のための品質測定値を提供するための方法 |
JP2014534631A (ja) * | 2011-10-11 | 2014-12-18 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ウェーハ幾何形状メトリックを用いるオーバーレイ及び半導体プロセス制御 |
US9442392B2 (en) | 2012-12-17 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Scanner overlay correction system and method |
KR101487590B1 (ko) | 2012-12-17 | 2015-01-29 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 스캐너 오버레이 정정 시스템 및 방법 |
JP2017508145A (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 不正確さを低減し且つコントラストを維持する充填要素を有する計測ターゲット |
KR20160130243A (ko) * | 2014-03-06 | 2016-11-10 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 오버레이 오차, 근본 원인 분석 및 공정 제어의 피드 포워드 및 피드백 정정을 위한 통계적 오버레이 오차 예측 |
KR102179988B1 (ko) | 2014-03-06 | 2020-11-17 | 케이엘에이 코포레이션 | 오버레이 오차, 근본 원인 분석 및 공정 제어의 피드 포워드 및 피드백 정정을 위한 통계적 오버레이 오차 예측 |
KR20160138778A (ko) * | 2015-05-26 | 2016-12-06 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 교정 데이터를 수정하는 방법 |
KR102287757B1 (ko) | 2015-05-26 | 2021-08-09 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 교정 데이터를 수정하는 방법 |
JP7265592B2 (ja) | 2015-07-13 | 2023-04-26 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 多層構造体の層間のオーバレイを測定する技法 |
JP2021185499A (ja) * | 2015-07-13 | 2021-12-09 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 多層構造体の層間のオーバレイを測定する技法 |
KR101824780B1 (ko) | 2015-09-18 | 2018-02-01 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 웨이퍼를 진단하는 방법 및 시스템 |
JP2020511003A (ja) * | 2017-02-28 | 2020-04-09 | ケーエルエー コーポレイション | オーバレイ計量データの確率論的挙動の影響の判別 |
JP2020529621A (ja) * | 2017-06-06 | 2020-10-08 | ケーエルエー コーポレイション | レティクル最適化アルゴリズム及び最適ターゲットデザイン |
JP2022087346A (ja) * | 2017-06-06 | 2022-06-09 | ケーエルエー コーポレイション | 計量ターゲットデザイン及び方法 |
JP7378530B2 (ja) | 2017-06-06 | 2023-11-13 | ケーエルエー コーポレイション | 計量ターゲットデザイン及び方法 |
JP2020533621A (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | オーバーレイを推定するための方法 |
KR20200033967A (ko) * | 2017-09-08 | 2020-03-30 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 추정 방법 |
KR102383949B1 (ko) | 2017-09-08 | 2022-04-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오버레이 추정 방법 |
JP2021521485A (ja) * | 2018-04-26 | 2021-08-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメント方法及び装置 |
US11409206B2 (en) | 2018-04-26 | 2022-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Alignment method and apparatus |
JP7281547B2 (ja) | 2018-12-31 | 2023-05-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プロセス制御のためのインダイメトロロジ方法及びシステム |
US11527405B2 (en) | 2018-12-31 | 2022-12-13 | Asml Netherlands B.V. | In-die metrology methods and systems for process control |
JP2022516405A (ja) * | 2018-12-31 | 2022-02-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プロセス制御のためのインダイメトロロジ方法及びシステム |
KR20210093343A (ko) * | 2018-12-31 | 2021-07-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 제어를 위한 인-다이 계측 방법 및 시스템 |
KR102596144B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2023-11-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 프로세스 제어를 위한 인-다이 계측 방법 및 시스템 |
CN113272736A (zh) * | 2018-12-31 | 2021-08-17 | Asml荷兰有限公司 | 用于过程控制的管芯内量测方法和系统 |
JP2022521490A (ja) * | 2019-02-15 | 2022-04-08 | ケーエルエー コーポレイション | 結合された光および電子ビーム技術を使用する位置ずれ測定 |
JP7317131B2 (ja) | 2019-02-15 | 2023-07-28 | ケーエルエー コーポレイション | 結合された光および電子ビーム技術を使用する位置ずれ測定 |
JP7446447B2 (ja) | 2020-01-30 | 2024-03-08 | ケーエルエー コーポレイション | 複合的オーバレイ計測ターゲット |
WO2022149341A1 (ja) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | 国立大学法人東北大学 | 位置合わせ方法、積層体の製造方法、位置合わせ装置、積層体製造装置、及び積層体 |
US12040187B2 (en) | 2022-11-10 | 2024-07-16 | Asml Netherlands B.V. | In-die metrology methods and systems for process control |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003071471A1 (en) | 2003-08-28 |
US20030223630A1 (en) | 2003-12-04 |
US7804994B2 (en) | 2010-09-28 |
AU2003213059A1 (en) | 2003-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7804994B2 (en) | Overlay metrology and control method | |
JP6872593B2 (ja) | 計測方法、コンピュータ製品およびシステム | |
KR102182415B1 (ko) | 패터닝 프로세스 파라미터를 결정하는 방법 및 장치 | |
JP7191954B2 (ja) | パターニングプロセスパラメータを決定する方法および装置 | |
KR101991762B1 (ko) | 타겟 구조체의 속성을 측정하는 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 | |
US9704810B2 (en) | Method and apparatus for determining an overlay error | |
US8908147B2 (en) | Method and apparatus for determining an overlay error | |
US10571812B2 (en) | Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method | |
KR20190051071A (ko) | 계측 레시피 선택 | |
KR20180102225A (ko) | 메트롤로지 방법 및 장치, 기판, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법 | |
WO2019149423A1 (en) | A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid | |
US7261985B2 (en) | Process for determination of optimized exposure conditions for transverse distortion mapping | |
CN116209958A (zh) | 目标结构以及相关联的方法和设备 | |
TW202125110A (zh) | 決定微影匹配性能 | |
CN112867970A (zh) | 用于结构和相关联设备的检查方法和设备 | |
EP4160314A1 (en) | Method for measuring at least one target on a substrate | |
Leroux et al. | Focus characterization using end of line metrology | |
Zavecz | Full sub-65 nm data-modeling for Photomask Manufacturing | |
CN118355329A (zh) | 量测校准方法 | |
Guerrero et al. | Validation of an intrafield overlay prediction process | |
Luci et al. | Optimization of overlay markers to limit the measurement error induced during exposure by lens aberration effects | |
Higuchi | The fusion of metrology and inspection: challenges and solutions | |
Robinson et al. | A comparison of methods for in-chip overlay control at the 65-nm node |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090602 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090825 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100316 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100325 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100423 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110617 |