JP2017508145A - 不正確さを低減し且つコントラストを維持する充填要素を有する計測ターゲット - Google Patents
不正確さを低減し且つコントラストを維持する充填要素を有する計測ターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017508145A JP2017508145A JP2016551168A JP2016551168A JP2017508145A JP 2017508145 A JP2017508145 A JP 2017508145A JP 2016551168 A JP2016551168 A JP 2016551168A JP 2016551168 A JP2016551168 A JP 2016551168A JP 2017508145 A JP2017508145 A JP 2017508145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- measurement
- contrast
- specific
- filling element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70608—Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2014年2月12日付けで出願された米国予備特許出願第61/939,129号の優先権を主張し、その出願は、その全体が参照によってここに援用される。
Claims (24)
- 計測ターゲットをデザインする方法であって、
ターゲットデザインにおける連続領域を識別するステップと、
前記識別された連続領域に特定の充填要素を導入するステップと、
を包含しており、
前記導入された充填要素のパラメータが、コントラスト要件と製造を介して前記識別している連続領域に関連付けられている不正確さ要件との間のトレードオフによって決定され、
前記識別ステップ及び前記導入ステップの少なくとも一つが、少なくとも一つのコンピュータプロセッサによって実行される、方法。 - 前記識別ステップがターゲット要素の少なくとも一つの背景エリアで実行され、前記コントラスト要件がその背景エリアに対するターゲット要素のコントラストに関係している、請求項1に記載の方法。
- 前記不正確さ要件が回転項である、請求項1に記載の方法。
- 前記特定の充填要素が少なくとも一つの周期的構造を備えている、請求項1に記載の方法。
- 前記特定の充填要素は第1の特定のパラメータを有する少なくとも一つの第1の周期的構造を備えており、ターゲット要素は第2の特定のパラメータを有する少なくとも一つの第2の周期的構造を備えており、さらに、前記第1の特定のパラメータを、前記コントラスト要件を満たす程度まで前記第2の特定のパラメータから異なるように選択するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2の特定のパラメータの間のそれぞれの周期的構造に関する相違は、それらのピッチ、それらの方向、それらのパターン、その中のセグメントの寸法、その中のセグメントのアスペクト比、及び、それらのトポグラフィ、のうちの少なくとも一つを備える、請求項5に記載の方法。
- 前記特定の充填要素の導入が特定のデザインルールにしたがって実行される、請求項1に記載の方法。
- カッティングマスクを使用して前記充填要素を製造するステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
- コンピュータ読み取り可能なプログラムが埋め込まれたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ読み取り可能なプログラムが請求項1〜8のいずれかに記載の方法を実行するように構成されている、コンピュータプログラム製品。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の方法にしたがってデザインされたターゲットデザインファイル。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の方法にしたがってデザイン又は製造された、計測ターゲット。
- 請求項11に記載の計測ターゲットを測定するように構成された、計測測定器具。
- 請求項11に記載の計測ターゲットを製造するように構成された、製造器具。
- 所与のターゲットデザインにおける識別された連続領域に導入された特定の充填要素を備える計測ターゲットであって、前記導入された充填要素のパラメータがコントラスト要件と製造を介して前記識別している連続領域に関連付けられている不正確さ要件との間のトレードオフによって決定される、計測ターゲット。
- 少なくとも一つのセグメント化されたターゲット要素と、前記少なくとも一つのセグメント化されたターゲット要素の少なくとも一つの背景エリアと、を備えており、前記特定の充填要素が前記少なくとも一つの背景エリアにおける識別された連続領域に導入され、前記コントラスト要件が背景エリアに対するターゲット要素のコントラストに関する、請求項14に記載の計測ターゲット。
- ウエハレベルで使用されるときに、回転項を特定の閾値より低く抑えるように構成されている、請求項14に記載の計測ターゲット。
- 前記特定の充填要素が少なくとも一つの周期的構造を備えている、請求項14に記載の計測ターゲット。
- 前記特定の充填要素は第1の特定のパラメータを有する少なくとも一つの第1の周期的構造を備えており、ターゲット要素は第2の特定のパラメータを有する少なくとも一つの第2の周期的構造を備えており、前記第1の特定のパラメータは、前記コントラスト要件を満たす程度まで前記第2の特定のパラメータから異なるように選択される、請求項14に記載の計測ターゲット。
- 前記第1及び第2の特定のパラメータの間のそれぞれの周期的構造に関する相違は、それらのピッチ、それらの方向、それらのパターン、その中のセグメントの寸法、その中のセグメントのアスペクト比、及び、それらのトポグラフィ、のうちの少なくとも一つを備える、請求項18に記載の計測ターゲット。
- 特定のデザインルールにしたがって構成された、請求項14に記載の計測ターゲット。
- 前記識別された連続領域が少なくとも幅300nmである、請求項14に記載の計測ターゲット。
- 前記ターゲット要素がセグメント化されており、前記識別された連続領域における前記充填要素の密度が前記ターゲット要素のセグメント化の半分と1/10との間である、請求項14に記載の計測ターゲット。
- 請求項14〜22に記載の計測ターゲットのいずれかを測定するように構成された、計測測定器具。
- 請求項14〜22に記載の計測ターゲットのいずれかを製造するように構成された、製造器具。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461939129P | 2014-02-12 | 2014-02-12 | |
US61/939,129 | 2014-02-12 | ||
PCT/US2014/054811 WO2015122932A1 (en) | 2014-02-12 | 2014-09-09 | Metrology targets with filling elements that reduce inaccuracies and maintain contrast |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017508145A true JP2017508145A (ja) | 2017-03-23 |
JP2017508145A5 JP2017508145A5 (ja) | 2017-10-19 |
JP6635926B2 JP6635926B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=53800509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016551168A Active JP6635926B2 (ja) | 2014-02-12 | 2014-09-09 | 不正確さを低減し且つコントラストを維持する充填要素を有する計測ターゲット |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6635926B2 (ja) |
KR (1) | KR102119290B1 (ja) |
CN (1) | CN104835754B (ja) |
WO (1) | WO2015122932A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI780741B (zh) * | 2016-02-24 | 2022-10-11 | 美商克萊譚克公司 | 光學計量之準確度提升 |
US10303839B2 (en) * | 2016-06-07 | 2019-05-28 | Kla-Tencor Corporation | Electrically relevant placement of metrology targets using design analysis |
US10754261B2 (en) * | 2017-06-06 | 2020-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Reticle optimization algorithms and optimal target design |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
JP2007073970A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Infineon Technologies Ag | 偏向リソグラフィーのためのアライメントマークおよびその検出方法 |
JP2012033923A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2013120872A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Toshiba Corp | 重ね合わせ計測方法 |
US20130330904A1 (en) * | 2010-05-21 | 2013-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Overlay mark assistant feature |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037671A (en) * | 1998-11-03 | 2000-03-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Stepper alignment mark structure for maintaining alignment integrity |
KR100871801B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2008-12-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 얼라인먼트 키 및 그 형성 방법 |
CN102566254B (zh) * | 2007-06-04 | 2014-02-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于在掩模布局中布置亚分辨辅助特征的方法以及确定一个或更多个特征的位置的方法 |
KR20100079145A (ko) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 오버레이 마크의 디싱 방지를 위한 더미 패턴 |
US9927718B2 (en) * | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
KR20120025765A (ko) * | 2010-09-08 | 2012-03-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 오버레이 버니어 |
-
2014
- 2014-09-09 WO PCT/US2014/054811 patent/WO2015122932A1/en active Application Filing
- 2014-09-09 KR KR1020157001965A patent/KR102119290B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-09 JP JP2016551168A patent/JP6635926B2/ja active Active
- 2014-12-31 CN CN201410853425.7A patent/CN104835754B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
JP2007073970A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Infineon Technologies Ag | 偏向リソグラフィーのためのアライメントマークおよびその検出方法 |
US20130330904A1 (en) * | 2010-05-21 | 2013-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Overlay mark assistant feature |
JP2012033923A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2013120872A (ja) * | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Toshiba Corp | 重ね合わせ計測方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104835754B (zh) | 2019-08-02 |
CN104835754A (zh) | 2015-08-12 |
WO2015122932A1 (en) | 2015-08-20 |
KR20160118916A (ko) | 2016-10-12 |
KR102119290B1 (ko) | 2020-06-05 |
JP6635926B2 (ja) | 2020-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10002806B2 (en) | Metrology targets with filling elements that reduce inaccuracies and maintain contrast | |
US11067904B2 (en) | System for combined imaging and scatterometry metrology | |
TWI621190B (zh) | 併合成像及散射測量靶 | |
CN106575630B (zh) | 使用叠加及成品率关键图案的度量 | |
TWI648515B (zh) | 計量目標及其計量量測、目標設計檔案、計量方法及以電腦為基礎之設備 | |
US11137692B2 (en) | Metrology targets and methods with oblique periodic structures | |
TWI598972B (zh) | 減少散射量測疊對量測技術中演算法之不準確 | |
CN107818983B (zh) | 一种标记图形及其形成方法 | |
KR102009552B1 (ko) | Ic 제조 공정의 메트릭을 계산하기 위한 방법 | |
JP6635926B2 (ja) | 不正確さを低減し且つコントラストを維持する充填要素を有する計測ターゲット | |
TWI621908B (zh) | 由差分程序的決定積體電路製造製程的參數的方法 | |
US8986912B2 (en) | Method for generating mask pattern | |
KR20150143623A (ko) | 타겟 설계 및 생산 시의 직접 자기 조립 | |
TWI805877B (zh) | 週期性半導體裝置偏移計量學系統及方法 | |
JP2009217366A (ja) | 配線モデルライブラリ構築装置及び構築方法、レイアウトパラメータ抽出装置及び抽出方法 | |
KR20160013920A (ko) | 다층 타겟 설계 | |
TWI603216B (zh) | 處理相容分段目標及設計方法 | |
TW201510641A (zh) | 使用精細分段製造阻抗層 | |
JP2017508145A5 (ja) | ||
US20160070847A1 (en) | Pattern dimension calculation method, simulation apparatus, computer-readable recording medium and method of manufacturing a semiconductor device | |
US9435643B2 (en) | Presumably defective portion decision apparatus, presumably defective portion decision method, fabrication method for semiconductor device and program | |
US8484584B2 (en) | Systems, methods and computer program products for forming photomasks with reduced likelihood of feature collapse, and photomasks so formed |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6635926 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |