JP2000306793A - 重ね合わせ精度測定方法。 - Google Patents
重ね合わせ精度測定方法。Info
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
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- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実際の半導体装置のパターンの重ね合わせず
れ量が０にならない。 【解決手段】 半導体装置の露光時に、実際の半導体装
置のパターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ
量と、を重ね合わせ精度測定用パターンに対応した特定
のコマ収差の関数で相関付け、実際の半導体装置のパタ
ーンの配線幅等の寸法に応じた補正を行うことにより、
実際の半導体装置のパターンのずれ量を正確に算出し、
重ね合わせずれ量を０に近づける。
れ量が０にならない。 【解決手段】 半導体装置の露光時に、実際の半導体装
置のパターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ
量と、を重ね合わせ精度測定用パターンに対応した特定
のコマ収差の関数で相関付け、実際の半導体装置のパタ
ーンの配線幅等の寸法に応じた補正を行うことにより、
実際の半導体装置のパターンのずれ量を正確に算出し、
重ね合わせずれ量を０に近づける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の露光
時における重ね合わせ精度測定方法に関する。
時における重ね合わせ精度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化、高集積化に
よりフォトリソグラフィー工程における露光時のマスク
の重ね合わせ精度の向上がますます重要になってきてい
る。このために、前の工程で形成されたパターンに対
し、次の工程で形成されるパターンとのずれ量を測定
し、マスクの重ね合わせ精度を測定する方法として、ボ
ックスマークを用いる方法が一般的に使われている。こ
の方法は、実際の半導体装置のパターンの周辺部に形成
した、重ね合わせ精度測定用のボックスマークを測定
し、このボックスマークのずれ量の測定値が０になるよ
うに、マスクの重ね合わせ精度を追い込む方法である。
よりフォトリソグラフィー工程における露光時のマスク
の重ね合わせ精度の向上がますます重要になってきてい
る。このために、前の工程で形成されたパターンに対
し、次の工程で形成されるパターンとのずれ量を測定
し、マスクの重ね合わせ精度を測定する方法として、ボ
ックスマークを用いる方法が一般的に使われている。こ
の方法は、実際の半導体装置のパターンの周辺部に形成
した、重ね合わせ精度測定用のボックスマークを測定
し、このボックスマークのずれ量の測定値が０になるよ
うに、マスクの重ね合わせ精度を追い込む方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光光
学系にＳｅｉｄｅｌ収差の一つであるコマ収差がある場
合、ボックスマークのずれ量の測定値が０であっても、
実際の半導体装置のパターンでは位置ずれが生じてしま
い、このような従来の方法においては、図７に示すよう
に実際の半導体装置のパターンの重ね合わせずれ量が０
にならないという問題点があった。
学系にＳｅｉｄｅｌ収差の一つであるコマ収差がある場
合、ボックスマークのずれ量の測定値が０であっても、
実際の半導体装置のパターンでは位置ずれが生じてしま
い、このような従来の方法においては、図７に示すよう
に実際の半導体装置のパターンの重ね合わせずれ量が０
にならないという問題点があった。
【０００４】本発明は、上記従来の問題点や事情に鑑み
てなされたものであって、コマ収差の関数を用いること
により、重ね合わせ用ボックスマークを測定するだけ
で、測定困難な半導体装置のパターンの位置ずれ量を、
正確に算出することが可能な重ね合わせ精度測定方法を
提供することを目的とする。
てなされたものであって、コマ収差の関数を用いること
により、重ね合わせ用ボックスマークを測定するだけ
で、測定困難な半導体装置のパターンの位置ずれ量を、
正確に算出することが可能な重ね合わせ精度測定方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る重ね合わせ
精度測定方法は、「半導体装置の露光時における重ね合
わせ精度測定方法において、実際の半導体装置のパター
ンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ量とを該重
ね合わせ精度測定用パターンに応じた特定のコマ収差の
関数で相関付けること」（請求項１）、を特徴とするも
のである。
精度測定方法は、「半導体装置の露光時における重ね合
わせ精度測定方法において、実際の半導体装置のパター
ンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ量とを該重
ね合わせ精度測定用パターンに応じた特定のコマ収差の
関数で相関付けること」（請求項１）、を特徴とするも
のである。
【０００６】また、 ・重ね合わせ精度測定用パターンとして、複数本の線パ
ターンを用い、該複数本の線パターンに対応したコマ収
差の関数を用いること（請求項２）、 ・複数本の線パターンを２本の線パターンとしたこと
（請求項３）、 ・重ね合わせ精度測定用パターンとして、スリットパタ
ーンを用い、該スリットパターンを用いることにより得
られるコマ収差の関数を用いること（請求項４）、 を特徴とする。
ターンを用い、該複数本の線パターンに対応したコマ収
差の関数を用いること（請求項２）、 ・複数本の線パターンを２本の線パターンとしたこと
（請求項３）、 ・重ね合わせ精度測定用パターンとして、スリットパタ
ーンを用い、該スリットパターンを用いることにより得
られるコマ収差の関数を用いること（請求項４）、 を特徴とする。
【０００７】（作用）本発明は、半導体装置の露光時に
おける重ね合わせ精度測定方法において、実際の半導体
装置のパターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのず
れ量とを該重ね合わせ精度測定用パターンに応じた特定
のコマ収差の関数で相関付けたので、重ね合わせ用ボッ
クスマークを測定するだけで、測定困難な実際の半導体
装置のパターンの位置ずれ量を正確に算出することが出
来る。
おける重ね合わせ精度測定方法において、実際の半導体
装置のパターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのず
れ量とを該重ね合わせ精度測定用パターンに応じた特定
のコマ収差の関数で相関付けたので、重ね合わせ用ボッ
クスマークを測定するだけで、測定困難な実際の半導体
装置のパターンの位置ずれ量を正確に算出することが出
来る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係る重ね合わせ精度測定
方法は、半導体装置の露光時に、実際の半導体装置のパ
ターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ量と、
を重ね合わせ精度測定用パターンに対応した特定のコマ
収差の関数で相関付け、実際の半導体装置のパターンの
配線幅等の寸法に応じた補正を行うことにより、実際の
半導体装置のパターンのずれ量を正確に算出するもので
ある。
方法は、半導体装置の露光時に、実際の半導体装置のパ
ターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ量と、
を重ね合わせ精度測定用パターンに対応した特定のコマ
収差の関数で相関付け、実際の半導体装置のパターンの
配線幅等の寸法に応じた補正を行うことにより、実際の
半導体装置のパターンのずれ量を正確に算出するもので
ある。
【０００９】以下、この発明の実施の形態について具体
的に実施例を挙げて、図面に基づいて説明する。図１
は、本発明の実施例に係る重ね合わせ精度測定方法によ
って得た半導体装置のパターンのずれ量のグラフを示す
図である。図２は、本発明の実施例に係る重ね合わせ精
度測定方法の測定パターンセットのレイアウトを示す図
である。図３は、本発明の実施例に係る重ね合わせ精度
測定方法の測定パターンセット内の（a）下地ボックス
マークの配置、（ｂ）測定パターンを示す図である。図
４は、本発明の実施例に係るコマ収差量とパターン変移
量の関係を示す図である。図５は、本発明の実施例に係
るボックスマーク測定値とパターンの位置ずれ量を示す
図である。図６は、実施例で使用した実際の半導体装置
のパターンを製造するレチクルを示す図である。
的に実施例を挙げて、図面に基づいて説明する。図１
は、本発明の実施例に係る重ね合わせ精度測定方法によ
って得た半導体装置のパターンのずれ量のグラフを示す
図である。図２は、本発明の実施例に係る重ね合わせ精
度測定方法の測定パターンセットのレイアウトを示す図
である。図３は、本発明の実施例に係る重ね合わせ精度
測定方法の測定パターンセット内の（a）下地ボックス
マークの配置、（ｂ）測定パターンを示す図である。図
４は、本発明の実施例に係るコマ収差量とパターン変移
量の関係を示す図である。図５は、本発明の実施例に係
るボックスマーク測定値とパターンの位置ずれ量を示す
図である。図６は、実施例で使用した実際の半導体装置
のパターンを製造するレチクルを示す図である。
【００１０】（実施例）まず、本発明に用いられる露光
装置として、例えば、光源と光源より発せられた光を通
す投影光学系を有し、露光光をレチクルに照射して、半
導体基板上に塗布したレジストをパターンニングする投
影露光装置を用いた。
装置として、例えば、光源と光源より発せられた光を通
す投影光学系を有し、露光光をレチクルに照射して、半
導体基板上に塗布したレジストをパターンニングする投
影露光装置を用いた。
【００１１】本実施例においては、図２に示すように、
露光エリア１１の中に複数の重ね合わせ精度の測定パタ
ーンセット１２をＸ方向に５セット、Ｙ方向に７セッ
ト、合計３５セット配置した精度測定用レイアウトパタ
ーン１０のレチクルを用いて露光を行うことにより、レ
ジストパターンを形成し、ドライエッチング法等により
半導体基板上にパターンを転写形成した。
露光エリア１１の中に複数の重ね合わせ精度の測定パタ
ーンセット１２をＸ方向に５セット、Ｙ方向に７セッ
ト、合計３５セット配置した精度測定用レイアウトパタ
ーン１０のレチクルを用いて露光を行うことにより、レ
ジストパターンを形成し、ドライエッチング法等により
半導体基板上にパターンを転写形成した。
【００１２】この重ね合わせ精度の測定パターンセット
１２の１セット分の拡大図を図３の（ａ）と（ｂ）に示
す。図３の（a）に示したように、20μｍ角の矩形の下
地ボックスマーク１３Ａ〜１３Ｉをレジストパターンで
形成し、ドライエッチング法等により半導体基板上に転
写形成した。
１２の１セット分の拡大図を図３の（ａ）と（ｂ）に示
す。図３の（a）に示したように、20μｍ角の矩形の下
地ボックスマーク１３Ａ〜１３Ｉをレジストパターンで
形成し、ドライエッチング法等により半導体基板上に転
写形成した。
【００１３】次に、図３の（ｂ）に示すように、前記半
導体基板上に重ね合わせ精度測定用の10μｍ角のボック
スマークＩを、下地ボックスマーク１３Ｉの上に、ま
た、Ｘ方向測定用およびＹ方向測定用の様々な寸法の２
本ずつの線パターンであるパターンＡｘ、Ａｙからパタ
ーンＨｘ、Ｈｙを、下地ボックスマーク１３Ａ〜１３Ｈ
の上に、それぞれレジストパターンを用いて形成した。
導体基板上に重ね合わせ精度測定用の10μｍ角のボック
スマークＩを、下地ボックスマーク１３Ｉの上に、ま
た、Ｘ方向測定用およびＹ方向測定用の様々な寸法の２
本ずつの線パターンであるパターンＡｘ、Ａｙからパタ
ーンＨｘ、Ｈｙを、下地ボックスマーク１３Ａ〜１３Ｈ
の上に、それぞれレジストパターンを用いて形成した。
【００１４】次に、様々な寸法の２本の線パターンであ
るパターンＡｘからパターンＨｘのそれぞれＬ１x，Ｌ
２xの線幅を電子線等を用いた測定装置で測定し、Ｘ方
向のコマ収差量：Comax＝（Ｌ１x−Ｌ２x）／（Ｌ１x＋
Ｌ２x）を計算した。また同様に、パターンＡｙからパ
ターンＨｙのそれぞれＬ１ｙ，Ｌ２ｙの線幅を電子線等
を用いた測定装置で測定し、Ｙ方向のコマ収差量：Coma
y＝（Ｌ１y−Ｌ２y）／（Ｌ１y＋Ｌ２y）を計算した。
るパターンＡｘからパターンＨｘのそれぞれＬ１x，Ｌ
２xの線幅を電子線等を用いた測定装置で測定し、Ｘ方
向のコマ収差量：Comax＝（Ｌ１x−Ｌ２x）／（Ｌ１x＋
Ｌ２x）を計算した。また同様に、パターンＡｙからパ
ターンＨｙのそれぞれＬ１ｙ，Ｌ２ｙの線幅を電子線等
を用いた測定装置で測定し、Ｙ方向のコマ収差量：Coma
y＝（Ｌ１y−Ｌ２y）／（Ｌ１y＋Ｌ２y）を計算した。
【００１５】さらに、下地ボックスマーク１３を基準位
置とし、ボックスマークＩとパターンＡｘ〜Ｈｘまたは
パターンＡｙ〜Ｈｙの理想位置からの位置ずれを電子線
による距離測定装置（測長ＳＥＭ等）または光学式距離
測定装置（東京航空計器製MAC-92等）にて測定し、それ
ぞれの露光位置での重ね合わせ精度測定用のボックスマ
ークＩと、パターンＡｘ〜ＨｘまたはパターンＡｙ〜Ｈ
ｙと、の位置ずれ差を求めた。
置とし、ボックスマークＩとパターンＡｘ〜Ｈｘまたは
パターンＡｙ〜Ｈｙの理想位置からの位置ずれを電子線
による距離測定装置（測長ＳＥＭ等）または光学式距離
測定装置（東京航空計器製MAC-92等）にて測定し、それ
ぞれの露光位置での重ね合わせ精度測定用のボックスマ
ークＩと、パターンＡｘ〜ＨｘまたはパターンＡｙ〜Ｈ
ｙと、の位置ずれ差を求めた。
【００１６】例えば、パターンＡｘにおいてＸ方向の位
置ずれ差：ΔＰx（ｘn，ｙn）を求める式は、 ΔＰx（ｘn，ｙn）＝BOXx（ｘn，ｙn）−パターンＡｘ
（ｘn，ｙn） となる。
置ずれ差：ΔＰx（ｘn，ｙn）を求める式は、 ΔＰx（ｘn，ｙn）＝BOXx（ｘn，ｙn）−パターンＡｘ
（ｘn，ｙn） となる。
【００１７】この場合、BOXx（ｘn，ｙn）は、露光エリ
ア１１における測定パターンセット１２（ｘ1，ｙ1）〜
（ｘ5，ｙ7）内でのボックスマークＩのＸ方向の位置ず
れ量であり、パターンＡｘ（ｘn，ｙn）は、露光エリア
１１における測定パターンセット１２（ｘn，ｙn）内で
のパターンＡｘのＸ方向の位置ずれ量を表す。
ア１１における測定パターンセット１２（ｘ1，ｙ1）〜
（ｘ5，ｙ7）内でのボックスマークＩのＸ方向の位置ず
れ量であり、パターンＡｘ（ｘn，ｙn）は、露光エリア
１１における測定パターンセット１２（ｘn，ｙn）内で
のパターンＡｘのＸ方向の位置ずれ量を表す。
【００１８】同様にＹ方向（パターンＡｙ）についても
測定し、 ΔＰy（ｘn，ｙn）＝BOXy（ｘn，ｙn）−パターンＡｙ
（ｘn，ｙn） で求める。
測定し、 ΔＰy（ｘn，ｙn）＝BOXy（ｘn，ｙn）−パターンＡｙ
（ｘn，ｙn） で求める。
【００１９】この寸法測定、位置ずれ差の計算を、測定
パターンセット１２（ｘ1，ｙ1）〜（ｘ5，ｙ7）までの
合計３５個所に対して、パターンＡｘ、Ａｙからパター
ンＨｘ、Ｈｙまでのそれぞれに対して繰り返し実行し
た。
パターンセット１２（ｘ1，ｙ1）〜（ｘ5，ｙ7）までの
合計３５個所に対して、パターンＡｘ、Ａｙからパター
ンＨｘ、Ｈｙまでのそれぞれに対して繰り返し実行し
た。
【００２０】次に、露光装置の投影光学系にコマ収差を
意図的に与え、前述したようにボックスマークＩとパタ
ーンＡｘ、ＡｙからパターンＨｘ、Ｈｙまでの寸法と位
置ずれ差を同様に順次測定する。
意図的に与え、前述したようにボックスマークＩとパタ
ーンＡｘ、ＡｙからパターンＨｘ、Ｈｙまでの寸法と位
置ずれ差を同様に順次測定する。
【００２１】この様にして得られた位置ずれ差、例え
ば、ΔＰx（ｘ3，ｙ4）の場合のグラフを図４に示す。
横軸をコマ収差量Comax、縦軸をパターンＡｘ、パター
ンＢｘの位置ずれ差ΔＰxとした。これらを数式で表す
と、パターンＡｘの場合は、ΔＰx（x3，y4）＝0.402×
Comax、パターンＢｘの場合は、ΔＰx（x3，y4）＝1.08
5×Comax、となる。
ば、ΔＰx（ｘ3，ｙ4）の場合のグラフを図４に示す。
横軸をコマ収差量Comax、縦軸をパターンＡｘ、パター
ンＢｘの位置ずれ差ΔＰxとした。これらを数式で表す
と、パターンＡｘの場合は、ΔＰx（x3，y4）＝0.402×
Comax、パターンＢｘの場合は、ΔＰx（x3，y4）＝1.08
5×Comax、となる。
【００２２】さらに、ボックスマークＩの測定値とパタ
ーンＡｘまたはパターンＢｘの位置ずれ量を相関付ける
関数で表すと、パターン位置ずれ量＝ボックスマーク測
定値＋パターンの位置ずれ差と表すことができる。
ーンＡｘまたはパターンＢｘの位置ずれ量を相関付ける
関数で表すと、パターン位置ずれ量＝ボックスマーク測
定値＋パターンの位置ずれ差と表すことができる。
【００２３】そして、測定パターンセット１２（x3，
y4）の露光位置での定常時のコマ収差量Comaxが−0.032
5であることから、測定パターンＡｘのＸ方向の位置ず
れ量＝ボックスマーク測定値x＋0.402×(−0.0325)、測
定パターンＢｘのＸ方向の位置ずれ量＝BOXマーク測定
値x＋1.085×(−0.0325)、となり、図５に示した相関関
係のグラフが得られる。
y4）の露光位置での定常時のコマ収差量Comaxが−0.032
5であることから、測定パターンＡｘのＸ方向の位置ず
れ量＝ボックスマーク測定値x＋0.402×(−0.0325)、測
定パターンＢｘのＸ方向の位置ずれ量＝BOXマーク測定
値x＋1.085×(−0.0325)、となり、図５に示した相関関
係のグラフが得られる。
【００２４】以上の方法により、実際の半導体装置のパ
ターンのずれ量をボックスマーク測定によって算出した
結果の例を図１に示した。この例で用いた実際の半導体
装置のパターン２０は、図６に示すようなボックスマー
ク２４と半導体装置のチップレイアウト２６を有してお
り、露光エリア２１の中心に位置する重ね合わせ精度測
定用ボックスマーク２４ａを使用して算出したものであ
る。
ターンのずれ量をボックスマーク測定によって算出した
結果の例を図１に示した。この例で用いた実際の半導体
装置のパターン２０は、図６に示すようなボックスマー
ク２４と半導体装置のチップレイアウト２６を有してお
り、露光エリア２１の中心に位置する重ね合わせ精度測
定用ボックスマーク２４ａを使用して算出したものであ
る。
【００２５】なお、上記の例で用いた実際の半導体装置
のパターンは線幅0.3μm、線間隔が0.6μmの設計ルール
で作成されており、測定パターンＡｘ、Ａｙ〜Ｈｘ、Ｈ
ｙの中から線幅、線間隔が同じものを探すとパターンＢ
ｘ、Ｂｙにあたるため、前述した相関関数を本実施例で
用いた実際の回路パターンに対して、実際の半導体装置
のパターンのずれ量x＝BOXマーク測定値x＋1.085×(−
0.0325)のずれ量を適用した（Ｙ方向も同様）。
のパターンは線幅0.3μm、線間隔が0.6μmの設計ルール
で作成されており、測定パターンＡｘ、Ａｙ〜Ｈｘ、Ｈ
ｙの中から線幅、線間隔が同じものを探すとパターンＢ
ｘ、Ｂｙにあたるため、前述した相関関数を本実施例で
用いた実際の回路パターンに対して、実際の半導体装置
のパターンのずれ量x＝BOXマーク測定値x＋1.085×(−
0.0325)のずれ量を適用した（Ｙ方向も同様）。
【００２６】上記本実施例では、重ね合わせ精度測定用
ボックスマークを矩形の形状としたが、形状はスリット
パターンや線状のパターン等でもよい。また、本実施例
では、２本の線パターンを用いてコマ収差量Comaxを得
たが、２本以上の複数本の線パターン、もしくは２本以
上の複数本のスリットパターンを用いてComaxを算出し
ても良い。
ボックスマークを矩形の形状としたが、形状はスリット
パターンや線状のパターン等でもよい。また、本実施例
では、２本の線パターンを用いてコマ収差量Comaxを得
たが、２本以上の複数本の線パターン、もしくは２本以
上の複数本のスリットパターンを用いてComaxを算出し
ても良い。
【００２７】さらに、本実施例の如く投影光学系にコマ
収差を意図的に与える方法ではなく、露光エリア１１内
に自然分布している各位置でのComax＝（Ｌ１x−Ｌ
２x）／（Ｌ１x＋Ｌ２x）を利用して、図４の数式を得
ることもできる。
収差を意図的に与える方法ではなく、露光エリア１１内
に自然分布している各位置でのComax＝（Ｌ１x−Ｌ
２x）／（Ｌ１x＋Ｌ２x）を利用して、図４の数式を得
ることもできる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、半導体装置の露光時における
重ね合わせ精度測定方法において、実際の半導体装置の
パターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ量と
を重ね合わせ精度測定用パターンに応じた特定のコマ収
差の関数で相関付けたので、重ね合わせ用ボックスマー
クを測定するだけで、測定困難な実際の半導体装置のパ
ターンの位置ずれ量を正確に算出することが可能な、重
ね合わせ精度測定方法を提供することができる。
重ね合わせ精度測定方法において、実際の半導体装置の
パターンと、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ量と
を重ね合わせ精度測定用パターンに応じた特定のコマ収
差の関数で相関付けたので、重ね合わせ用ボックスマー
クを測定するだけで、測定困難な実際の半導体装置のパ
ターンの位置ずれ量を正確に算出することが可能な、重
ね合わせ精度測定方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例に係る重ね合わせ精度測定方法
によって得た半導体装置のパターンのずれ量のグラフを
示す図である。
によって得た半導体装置のパターンのずれ量のグラフを
示す図である。
【図２】本発明の実施例に係る重ね合わせ精度測定方法
の測定パターンセットのレイアウトを示す図である。
の測定パターンセットのレイアウトを示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る重ね合わせ精度測定方法
の測定パターンセット内の（a）下地ボックスマークの
配置、（ｂ）測定パターンを示す図である。
の測定パターンセット内の（a）下地ボックスマークの
配置、（ｂ）測定パターンを示す図である。
【図４】本発明の実施例に係るコマ収差量とパターン変
移量の関係を示す図である。
移量の関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係るボックスマーク測定値と
パターンの位置ずれ量を示す図である。
パターンの位置ずれ量を示す図である。
【図６】実施例で使用した実際の半導体装置のパターン
レイアウトを示す図である。
レイアウトを示す図である。
【図７】従来の重ね合わせ精度測定で得た実際の半導体
装置のパターンのずれ量のグラフを示す図である。
装置のパターンのずれ量のグラフを示す図である。
１０ 精度測定用レイアウトパターン １１ 露光エリア １２ 測定パターンセット １３Ａ〜１３Ｉ 下地ボックスマーク ２０ 半導体装置のレイアウトパターン ２１ 露光エリア ２４ａ 精度測定用ボックスマーク ２４ ボックスマーク ２６ チップレイアウト Ｉ ボックスマーク Ａｘ〜Ｈｘ パターン Ａｙ〜Ｈｙ パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置の露光時における重ね合わせ
精度測定方法において、実際の半導体装置のパターン
と、重ね合わせ精度測定用パターンのずれ量とを該重ね
合わせ精度測定用パターンに応じた特定のコマ収差の関
数で相関付けることを特徴とする重ね合わせ精度測定方
法。 - 【請求項２】 前記重ね合わせ精度測定用パターンとし
て、複数本の線パターンを用い、該複数本の線パターン
に対応したコマ収差の関数を用いることを特徴とする請
求項１に記載の重ね合わせ精度測定方法。 - 【請求項３】 前記複数本の線パターンを２本の線パタ
ーンとしたことを特徴とする請求項２に記載の重ね合わ
せ精度測定方法。 - 【請求項４】 前記重ね合わせ精度測定用パターンとし
て、スリットパターンを用い、該スリットパターンを用
いることにより得られるコマ収差の関数を用いることを
特徴とする請求項１〜３に記載の重ね合わせ精度測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146499A JP3351382B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 重ね合わせ精度測定方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146499A JP3351382B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 重ね合わせ精度測定方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306793A true JP2000306793A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3351382B2 JP3351382B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=14561915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11146499A Expired - Fee Related JP3351382B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 重ね合わせ精度測定方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3351382B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020038061A (ko) * | 2000-11-16 | 2002-05-23 | 박종섭 | 노광 장치의 패턴 오정렬 측정 마크 |
| JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
| US7876438B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-01-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
| JP2017503195A (ja) * | 2013-12-30 | 2017-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11146499A patent/JP3351382B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020038061A (ko) * | 2000-11-16 | 2002-05-23 | 박종섭 | 노광 장치의 패턴 오정렬 측정 마크 |
| JP2005518107A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | オーバレイ計測および制御方法 |
| US7804994B2 (en) | 2002-02-15 | 2010-09-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay metrology and control method |
| US7876438B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-01-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
| JP2017503195A (ja) * | 2013-12-30 | 2017-01-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 |
| US9804504B2 (en) | 2013-12-30 | 2017-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for design of a metrology target |
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| JP3351382B2 (ja) | 2002-11-25 |
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