JPH11121369A - パターン描画方法及び装置 - Google Patents
パターン描画方法及び装置Info
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- JPH11121369A JPH11121369A JP10220050A JP22005098A JPH11121369A JP H11121369 A JPH11121369 A JP H11121369A JP 10220050 A JP10220050 A JP 10220050A JP 22005098 A JP22005098 A JP 22005098A JP H11121369 A JPH11121369 A JP H11121369A
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 縮小投影露光装置と電子ビーム露光装置とを
組み合わせてパターンを描画する際の位置合わせ誤差を
有効に防止することができるパターン描画方法及び装置
を提供する。 【解決手段】 縮小投影露光装置１０と電子ビーム露光
装置２０とを組み合わせてパターンを描画するパターン
描画方法である。縮小投影露光装置１０で露光する所定
サイズの領域の光学的歪を座標検査装置３０により測定
し、縮小投影露光装置１０によりショットサイズの第１
のパターンを露光し、座標検査装置３０により測定され
た所定サイズの領域の光学的歪に基づいた補正値により
補正しながら電子ビーム露光装置２０により第１のパタ
ーンに重ね合わす第２のパターンを形成する。
組み合わせてパターンを描画する際の位置合わせ誤差を
有効に防止することができるパターン描画方法及び装置
を提供する。 【解決手段】 縮小投影露光装置１０と電子ビーム露光
装置２０とを組み合わせてパターンを描画するパターン
描画方法である。縮小投影露光装置１０で露光する所定
サイズの領域の光学的歪を座標検査装置３０により測定
し、縮小投影露光装置１０によりショットサイズの第１
のパターンを露光し、座標検査装置３０により測定され
た所定サイズの領域の光学的歪に基づいた補正値により
補正しながら電子ビーム露光装置２０により第１のパタ
ーンに重ね合わす第２のパターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縮小投影露光装置
と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画
するパターン描画方法及び装置に関する。
と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画
するパターン描画方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスは益々高集積化さ
れ、サブミクロンのパターンルールが要求されるように
なってきている。このため、従来の縮小投影露光装置を
用いてパターンを描画する方法では対処できなくなるこ
とが予想され、原理の異なる露光装置、例えば、縮小投
影露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパタ
ーンを描画する方法が再び注目されてきている。
れ、サブミクロンのパターンルールが要求されるように
なってきている。このため、従来の縮小投影露光装置を
用いてパターンを描画する方法では対処できなくなるこ
とが予想され、原理の異なる露光装置、例えば、縮小投
影露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパタ
ーンを描画する方法が再び注目されてきている。
【０００３】原理の異なる露光装置、例えば、縮小投影
露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパター
ンを描画する場合には、各露光装置により形成されるパ
ターン間の重ね合わせ精度が問題となる。例えば、縮小
投影露光装置の光学的歪を無視して電子ビーム露光装置
でパターンを重ね合わせて描画すると、特に半導体チッ
プ周辺での重ね合わせ精度が悪くなり、位置合わせ不良
が発生してしまう。
露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパター
ンを描画する場合には、各露光装置により形成されるパ
ターン間の重ね合わせ精度が問題となる。例えば、縮小
投影露光装置の光学的歪を無視して電子ビーム露光装置
でパターンを重ね合わせて描画すると、特に半導体チッ
プ周辺での重ね合わせ精度が悪くなり、位置合わせ不良
が発生してしまう。
【０００４】縮小投影露光装置と電子ビームなどの荷電
ビーム露光装置との位置合わせ不良を防止する従来の技
術として、特開昭６２−５８６２１号公報及び特開昭６
２−１４９１２７号公報記載のものが知られている。こ
の従来の技術では、縮小投影露光装置による露光歪の量
を荷電ビーム露光装置により予め測定し、実際のパター
ンを描画する際に、予め測定した露光歪により補正する
ようにしている。
ビーム露光装置との位置合わせ不良を防止する従来の技
術として、特開昭６２−５８６２１号公報及び特開昭６
２−１４９１２７号公報記載のものが知られている。こ
の従来の技術では、縮小投影露光装置による露光歪の量
を荷電ビーム露光装置により予め測定し、実際のパター
ンを描画する際に、予め測定した露光歪により補正する
ようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、縮小投影露光装置による露光歪の量を荷電ビ
ーム露光装置で測定するようにしているため、その測定
値には、縮小投影露光装置の露光歪に加えて、レチクル
の製造誤差や、電子ビーム露光装置の測定誤差が含まれ
てしまう。このため、電子ビーム露光装置の測定値によ
り位置合わせしても、縮小投影露光装置と電子ビーム露
光装置との位置合わせ不良を有効に防止することができ
なかった。
技術では、縮小投影露光装置による露光歪の量を荷電ビ
ーム露光装置で測定するようにしているため、その測定
値には、縮小投影露光装置の露光歪に加えて、レチクル
の製造誤差や、電子ビーム露光装置の測定誤差が含まれ
てしまう。このため、電子ビーム露光装置の測定値によ
り位置合わせしても、縮小投影露光装置と電子ビーム露
光装置との位置合わせ不良を有効に防止することができ
なかった。
【０００６】本発明の目的は、縮小投影露光装置と電子
ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画する際
の位置合わせ誤差を有効に防止することができるパター
ン描画方法及び装置を提供することにある。
ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画する際
の位置合わせ誤差を有効に防止することができるパター
ン描画方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、縮小投影露
光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターン
を描画するパターン描画方法において、前記縮小投影露
光装置で露光する所定サイズの領域の光学的歪を第１の
座標検査装置により測定する第１のステップと、前記縮
小投影露光装置によりショットサイズの第１のパターン
を露光する第２のステップと、前記第１の座標検査装置
により測定された前記所定サイズの領域の光学的歪に基
づいた補正値により補正しながら前記電子ビーム露光装
置により前記第１のパターンに重ね合わす第２のパター
ンを露光する第３のステップとを有することを特徴とす
るパターン描画方法によって達成される。
光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターン
を描画するパターン描画方法において、前記縮小投影露
光装置で露光する所定サイズの領域の光学的歪を第１の
座標検査装置により測定する第１のステップと、前記縮
小投影露光装置によりショットサイズの第１のパターン
を露光する第２のステップと、前記第１の座標検査装置
により測定された前記所定サイズの領域の光学的歪に基
づいた補正値により補正しながら前記電子ビーム露光装
置により前記第１のパターンに重ね合わす第２のパター
ンを露光する第３のステップとを有することを特徴とす
るパターン描画方法によって達成される。
【０００８】また、上記のパターン描画方法において、
前記第１のステップでは、レチクル上に配置された測定
用パターンの配置誤差を、前記レチクルを用いてウェー
ハ上に転写した前記測定用パターンの配置座標から差し
引くことにより前記縮小投影露光装置の光学的歪を測定
するようにしてもよい。また、上記のパターン描画方法
において、前記第３のステップの前に、前記第１のパタ
ーンに基づいて前記第１のパターンを露光したウェーハ
の膨張率を測定するステップを更に行い、前記第３のス
テップでは、前記ウェーハの膨張率に基づいた補正値を
更に考慮して補正しながら前記電子ビーム露光装置によ
り前記第１のパターンに重ね合わす第２のパターンを露
光するようにしてもよい。
前記第１のステップでは、レチクル上に配置された測定
用パターンの配置誤差を、前記レチクルを用いてウェー
ハ上に転写した前記測定用パターンの配置座標から差し
引くことにより前記縮小投影露光装置の光学的歪を測定
するようにしてもよい。また、上記のパターン描画方法
において、前記第３のステップの前に、前記第１のパタ
ーンに基づいて前記第１のパターンを露光したウェーハ
の膨張率を測定するステップを更に行い、前記第３のス
テップでは、前記ウェーハの膨張率に基づいた補正値を
更に考慮して補正しながら前記電子ビーム露光装置によ
り前記第１のパターンに重ね合わす第２のパターンを露
光するようにしてもよい。
【０００９】また、上記のパターン描画方法において、
前記電子ビーム露光装置のステージの移動精度を第２の
座標検査装置により測定するステップを更に行い、前記
第３のステップでは、前記第２の座標検査装置により測
定された前記ステージの移動精度に基づいた補正値を更
に考慮して補正しながら前記電子ビーム露光装置により
前記第１のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光
するようにしてもよい。
前記電子ビーム露光装置のステージの移動精度を第２の
座標検査装置により測定するステップを更に行い、前記
第３のステップでは、前記第２の座標検査装置により測
定された前記ステージの移動精度に基づいた補正値を更
に考慮して補正しながら前記電子ビーム露光装置により
前記第１のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光
するようにしてもよい。
【００１０】また、上記のパターン描画方法において、
前記第１の座標検査装置及び前記第２の座標検査装置間
における測定値互換性が０．２μｍ以下であることが望
ましい。また、上記のパターン描画方法において、前記
第１の座標検査装置及び前記第２の座標検査装置は、同
一の座標検査装置であることが望ましい。
前記第１の座標検査装置及び前記第２の座標検査装置間
における測定値互換性が０．２μｍ以下であることが望
ましい。また、上記のパターン描画方法において、前記
第１の座標検査装置及び前記第２の座標検査装置は、同
一の座標検査装置であることが望ましい。
【００１１】また、上記のパターン描画方法において、
前記第１のステップは、前記ショットサイズの領域の光
学的歪を測定するようにしてもよい。また、上記のパタ
ーン描画方法において、前記第１のステップは、前記シ
ョットサイズの領域の最外周の光学的歪を測定するよう
にしてもよい。また、上記のパターン描画方法におい
て、前記第３のステップは、前記第１のステップで測定
された前記ショットサイズの領域の最外周の光学的歪か
ら前記ショットサイズの領域内部の光学的歪を換算し、
その換算した光学的歪に基づいた補正値により前記電子
ビーム露光装置を補正するようにしてもよい。
前記第１のステップは、前記ショットサイズの領域の光
学的歪を測定するようにしてもよい。また、上記のパタ
ーン描画方法において、前記第１のステップは、前記シ
ョットサイズの領域の最外周の光学的歪を測定するよう
にしてもよい。また、上記のパターン描画方法におい
て、前記第３のステップは、前記第１のステップで測定
された前記ショットサイズの領域の最外周の光学的歪か
ら前記ショットサイズの領域内部の光学的歪を換算し、
その換算した光学的歪に基づいた補正値により前記電子
ビーム露光装置を補正するようにしてもよい。
【００１２】また、上記のパターン描画方法において、
前記第１のステップは、前記ショットサイズの領域内部
のマトリクス状に配列された各測定点における光学的歪
を測定するようにしてもよい。また、上記のパターン描
画方法において、前記第１のステップは、前記縮小投影
露光装置の前記ショットサイズを含む最大露光サイズの
領域の光学的歪を測定するようにしてもよい。
前記第１のステップは、前記ショットサイズの領域内部
のマトリクス状に配列された各測定点における光学的歪
を測定するようにしてもよい。また、上記のパターン描
画方法において、前記第１のステップは、前記縮小投影
露光装置の前記ショットサイズを含む最大露光サイズの
領域の光学的歪を測定するようにしてもよい。
【００１３】また、上記のパターン描画方法において、
前記第１のステップは、前記最大露光サイズの領域の最
外周の光学的歪を測定するようにしてもよい。また、上
記のパターン描画方法において、前記第３のステップ
は、前記第１のステップで測定された前記最大露光サイ
ズの領域の最外周の光学的歪から前記ショットサイズの
領域の光学的歪を換算し、その換算した光学的歪に基づ
いた補正値により前記電子ビーム露光装置を補正するよ
うにしてもよい。
前記第１のステップは、前記最大露光サイズの領域の最
外周の光学的歪を測定するようにしてもよい。また、上
記のパターン描画方法において、前記第３のステップ
は、前記第１のステップで測定された前記最大露光サイ
ズの領域の最外周の光学的歪から前記ショットサイズの
領域の光学的歪を換算し、その換算した光学的歪に基づ
いた補正値により前記電子ビーム露光装置を補正するよ
うにしてもよい。
【００１４】また、上記のパターン描画方法において、
前記第１のステップは、前記最大露光サイズの領域内部
のマトリクス状に配列された各測定点における光学的歪
を測定するようにしてもよい。また、上記のパターン描
画方法において、前記第１のステップは、前記縮小投影
露光装置の光軸から引いた放射線上に配列された各測定
点における光学的歪を測定するようにしてもよい。
前記第１のステップは、前記最大露光サイズの領域内部
のマトリクス状に配列された各測定点における光学的歪
を測定するようにしてもよい。また、上記のパターン描
画方法において、前記第１のステップは、前記縮小投影
露光装置の光軸から引いた放射線上に配列された各測定
点における光学的歪を測定するようにしてもよい。
【００１５】また、上記のパターン描画方法において、
前記第１のステップでは、複数の縮小投影露光装置の光
学的歪を測定し、前記複数の縮小投影露光装置の光学的
歪に基づいた補正値をそれぞれ前記電子ビーム露光装置
に入力し、前記第２のステップでは、前記複数の縮小投
影露光装置のいずれかを用いて前記第１のパターンを露
光し、前記第３のステップでは、前記第１のパターンを
露光した前記縮小投影露光装置の前記補正値を参照して
前記第２のパターンを露光するようにしてもよい。
前記第１のステップでは、複数の縮小投影露光装置の光
学的歪を測定し、前記複数の縮小投影露光装置の光学的
歪に基づいた補正値をそれぞれ前記電子ビーム露光装置
に入力し、前記第２のステップでは、前記複数の縮小投
影露光装置のいずれかを用いて前記第１のパターンを露
光し、前記第３のステップでは、前記第１のパターンを
露光した前記縮小投影露光装置の前記補正値を参照して
前記第２のパターンを露光するようにしてもよい。
【００１６】また、上記目的は、縮小投影露光装置と電
子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画する
パターン描画装置において、前記縮小投影露光装置で露
光する所定サイズの領域の光学的歪を測定する座標検査
装置を有し、前記縮小投影露光装置で露光する所定サイ
ズの領域の光学的歪を座標検査装置により測定する第１
のステップと、前記縮小投影露光装置によりショットサ
イズの第１のパターンを露光する第２のステップと、前
記座標検査装置により測定された前記所定サイズの領域
の光学的歪に基づいた補正値により補正しながら前記電
子ビーム露光装置により前記第１のパターンに重ね合わ
す第２のパターンを形成する第３のステップとを有する
ことを特徴とするパターン描画方法を行うことを特徴と
するパターン描画装置によっても達成される。
子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画する
パターン描画装置において、前記縮小投影露光装置で露
光する所定サイズの領域の光学的歪を測定する座標検査
装置を有し、前記縮小投影露光装置で露光する所定サイ
ズの領域の光学的歪を座標検査装置により測定する第１
のステップと、前記縮小投影露光装置によりショットサ
イズの第１のパターンを露光する第２のステップと、前
記座標検査装置により測定された前記所定サイズの領域
の光学的歪に基づいた補正値により補正しながら前記電
子ビーム露光装置により前記第１のパターンに重ね合わ
す第２のパターンを形成する第３のステップとを有する
ことを特徴とするパターン描画方法を行うことを特徴と
するパターン描画装置によっても達成される。
【００１７】また、上記のパターン描画装置において、
前記第３のステップの前に、前記第１のパターンに基づ
いて前記第１のパターンを露光したウェーハの膨張率を
測定するステップを更に設け、前記第３のステップで
は、前記ウェーハの膨張率に基づいた補正値を更に考慮
して補正しながら前記電子ビーム露光装置により前記第
１のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光するパ
ターン描画方法を行うようにしてもよい。
前記第３のステップの前に、前記第１のパターンに基づ
いて前記第１のパターンを露光したウェーハの膨張率を
測定するステップを更に設け、前記第３のステップで
は、前記ウェーハの膨張率に基づいた補正値を更に考慮
して補正しながら前記電子ビーム露光装置により前記第
１のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光するパ
ターン描画方法を行うようにしてもよい。
【００１８】また、上記のパターン描画装置において、
前記電子ビーム露光装置のステージの移動精度を前記座
標検査装置により測定するステップを更に設け、前記第
３のステップでは、前記座標検査装置により測定された
前記ステージの移動精度に基づいた補正値を更に考慮し
て補正しながら前記電子ビーム露光装置により前記第１
のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光する描画
方法を行うようにしてもよい。
前記電子ビーム露光装置のステージの移動精度を前記座
標検査装置により測定するステップを更に設け、前記第
３のステップでは、前記座標検査装置により測定された
前記ステージの移動精度に基づいた補正値を更に考慮し
て補正しながら前記電子ビーム露光装置により前記第１
のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光する描画
方法を行うようにしてもよい。
【００１９】また、上記のパターン描画装置において、
複数の縮小投影露光装置を有し、前記電子ビーム露光装
置には、前記複数の縮小投影露光装置の光学的歪みに関
する補正値がそれぞれ設定されており、前記第３のステ
ップでは、前記複数の縮小投影露光装置のうち前記第１
のパターンを露光した縮小投影露光装置の光学的歪みに
関する補正値を参照して前記第２のパターンを露光する
描画方法を行うようにしてもよい。
複数の縮小投影露光装置を有し、前記電子ビーム露光装
置には、前記複数の縮小投影露光装置の光学的歪みに関
する補正値がそれぞれ設定されており、前記第３のステ
ップでは、前記複数の縮小投影露光装置のうち前記第１
のパターンを露光した縮小投影露光装置の光学的歪みに
関する補正値を参照して前記第２のパターンを露光する
描画方法を行うようにしてもよい。
【００２０】
［第１実施形態］本発明の第１実施形態によるパターン
描画方法について図１乃至図５を用いて説明する。図１
は本実施形態によるパターン描画方法のフローチャート
であり、図２は本実施形態によるパターン描画方法の説
明図である。
描画方法について図１乃至図５を用いて説明する。図１
は本実施形態によるパターン描画方法のフローチャート
であり、図２は本実施形態によるパターン描画方法の説
明図である。
【００２１】本実施形態のパターン描画方法を行うため
には、図２に示すように、パターン描画に組み合わせて
用いる縮小投影露光装置１０（ステッパーともいう）と
電子ビーム露光装置２０（電子ビーム描画装置ともい
う）に加えて、縮小投影露光装置１０の光学的歪を測定
するための座標検査装置３０（配置精度測定機ともい
う。例えば、Ｎｉｋｏｎ製「光波５ｉ」（商品名））を
用いる。
には、図２に示すように、パターン描画に組み合わせて
用いる縮小投影露光装置１０（ステッパーともいう）と
電子ビーム露光装置２０（電子ビーム描画装置ともい
う）に加えて、縮小投影露光装置１０の光学的歪を測定
するための座標検査装置３０（配置精度測定機ともい
う。例えば、Ｎｉｋｏｎ製「光波５ｉ」（商品名））を
用いる。
【００２２】本実施形態のパターン描画方法を図１のフ
ローチャートに沿って説明する。まず、基準レチクル５
０として、多数の測定用マーク５０ａをマトリクス状に
配置したパターンが形成されたレチクルを用意する。こ
の基準レチクル５０の測定用マークの配置精度を、座標
検査装置３０を用いて測定する（ステップＳ１１）。こ
の測定データは、基準レチクル５０上の測定用マークの
配置誤差データ５２として、座標検査装置３０内のメモ
リ（図示せず）に記憶される。なお、基準レチクル５０
上の測定用マークの配置誤差データ５２は、例えば、レ
チクル上パターンの理想配置座標を（Ｘa，Ｙa）、測定
したレチクル上パターンの配置座標を（Ｘr，Ｙr）とし
て、 ｛（Ｘr−Ｘa），（Ｙr−Ｙa）｝ として表す。
ローチャートに沿って説明する。まず、基準レチクル５
０として、多数の測定用マーク５０ａをマトリクス状に
配置したパターンが形成されたレチクルを用意する。こ
の基準レチクル５０の測定用マークの配置精度を、座標
検査装置３０を用いて測定する（ステップＳ１１）。こ
の測定データは、基準レチクル５０上の測定用マークの
配置誤差データ５２として、座標検査装置３０内のメモ
リ（図示せず）に記憶される。なお、基準レチクル５０
上の測定用マークの配置誤差データ５２は、例えば、レ
チクル上パターンの理想配置座標を（Ｘa，Ｙa）、測定
したレチクル上パターンの配置座標を（Ｘr，Ｙr）とし
て、 ｛（Ｘr−Ｘa），（Ｙr−Ｙa）｝ として表す。
【００２３】次に、基準ウェーハ５４として、レジスト
が塗布されたウェーハを用意する。基準レチクル５０を
縮小投影露光装置１０にセットし、基準ウェーハ５４上
に基準レチクル５０のパターンを転写する（ステップＳ
１２）。このとき縮小投影露光装置１０はショットサイ
ズで基準レチクル５０を基準ウェーハ５４に転写する。
が塗布されたウェーハを用意する。基準レチクル５０を
縮小投影露光装置１０にセットし、基準ウェーハ５４上
に基準レチクル５０のパターンを転写する（ステップＳ
１２）。このとき縮小投影露光装置１０はショットサイ
ズで基準レチクル５０を基準ウェーハ５４に転写する。
【００２４】次に、基準ウェーハ５４上に塗布されたレ
ジストを現像し、そのレジストをマスクとしてウェーハ
をエッチングし、その後、レジストを除去する（ステッ
プＳ１３）。次に、座標検査装置３０を用いて、基準ウ
ェーハ５４上に転写された測定用パターンの配置精度を
測定する（ステップＳ１４）。この測定データは、基準
ウェーハ５４上の測定用マークの配置誤差データ５６と
して、座標検査装置３０内のメモリ（図示せず）に記憶
される。
ジストを現像し、そのレジストをマスクとしてウェーハ
をエッチングし、その後、レジストを除去する（ステッ
プＳ１３）。次に、座標検査装置３０を用いて、基準ウ
ェーハ５４上に転写された測定用パターンの配置精度を
測定する（ステップＳ１４）。この測定データは、基準
ウェーハ５４上の測定用マークの配置誤差データ５６と
して、座標検査装置３０内のメモリ（図示せず）に記憶
される。
【００２５】次に、座標検査装置３０は、基準ウェーハ
５４上の測定用マークの配置誤差データ５６から、基準
レチクル５０上の測定用マークの配置誤差データ５２を
差し引いて、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配
置誤差データ５８を求め、座標検査装置３０内のメモリ
（図示せず）に記憶する（ステップＳ１５）。基準レチ
クル５０がＮ倍のレチクルの場合には、基準レチクル５
０上の測定用マークの配置誤差データ５２を１／Ｎにし
て計算する。例えば、５倍の基準レチクル５０の場合
は、配置誤差データ５２を１／５にして計算する。すな
わち、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配置誤差
データ５８は、例えば、測定したウェーハ上パターンの
配置座標を（Ｘw，Ｙw）、レチクル倍率Ｎを５として、 ｛Ｘw−（Ｘr−Ｘa）／５，Ｙw−（Ｙr−Ｙa）／５｝ して表す。
５４上の測定用マークの配置誤差データ５６から、基準
レチクル５０上の測定用マークの配置誤差データ５２を
差し引いて、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配
置誤差データ５８を求め、座標検査装置３０内のメモリ
（図示せず）に記憶する（ステップＳ１５）。基準レチ
クル５０がＮ倍のレチクルの場合には、基準レチクル５
０上の測定用マークの配置誤差データ５２を１／Ｎにし
て計算する。例えば、５倍の基準レチクル５０の場合
は、配置誤差データ５２を１／５にして計算する。すな
わち、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配置誤差
データ５８は、例えば、測定したウェーハ上パターンの
配置座標を（Ｘw，Ｙw）、レチクル倍率Ｎを５として、 ｛Ｘw−（Ｘr−Ｘa）／５，Ｙw−（Ｙr−Ｙa）／５｝ して表す。
【００２６】図３は、ステップＳ１５で求められた光学
的歪による配置誤差データ５８の具体例である。全く光
学的歪がない縮小投影露光装置１０であれば、図３
（ａ）に示すように、ショットサイズの領域において等
間隔でマトリクス配置されたパターンが得られるはず
が、縮小投影露光装置１０の光学的歪により、図３
（ｂ）に示すような配置誤差が生じている。すなわち、
縮小投影露光装置１０によりパターンを露光すると、シ
ョットサイズ内の領域で図３（ｂ）に示すような配置誤
差が生じてしまう。
的歪による配置誤差データ５８の具体例である。全く光
学的歪がない縮小投影露光装置１０であれば、図３
（ａ）に示すように、ショットサイズの領域において等
間隔でマトリクス配置されたパターンが得られるはず
が、縮小投影露光装置１０の光学的歪により、図３
（ｂ）に示すような配置誤差が生じている。すなわち、
縮小投影露光装置１０によりパターンを露光すると、シ
ョットサイズ内の領域で図３（ｂ）に示すような配置誤
差が生じてしまう。
【００２７】１ショットサイズの領域で縮小投影露光装
置１０の光学的歪による配置誤差があると、この縮小投
影露光装置１０でウェーハ上にパターンを形成すると、
図４に示すように、ショット毎に同様に歪んだ配置誤差
のパターンが形成されることになる。このため、本実施
形態では、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配置
誤差を考慮して電子ビーム露光装置２０を補正する。す
なわち、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配置誤
差データ５８を補正値として電子ビーム露光装置２０に
入力する（ステップＳ１６）。
置１０の光学的歪による配置誤差があると、この縮小投
影露光装置１０でウェーハ上にパターンを形成すると、
図４に示すように、ショット毎に同様に歪んだ配置誤差
のパターンが形成されることになる。このため、本実施
形態では、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配置
誤差を考慮して電子ビーム露光装置２０を補正する。す
なわち、縮小投影露光装置１０の光学的歪による配置誤
差データ５８を補正値として電子ビーム露光装置２０に
入力する（ステップＳ１６）。
【００２８】電子ビーム露光装置２０によりパターンを
描画する際には、下地のパターンを形成した縮小投影露
光装置１０の光学的歪による配置誤差を補正しながら重
ね合わせるパターンを描画する（ステップＳ１７）。こ
のようにすることにより、電子ビーム露光装置２０は、
縮小投影露光装置１０により形成したパターンに精度よ
く重ね合わせたパターンを描画することができる。
描画する際には、下地のパターンを形成した縮小投影露
光装置１０の光学的歪による配置誤差を補正しながら重
ね合わせるパターンを描画する（ステップＳ１７）。こ
のようにすることにより、電子ビーム露光装置２０は、
縮小投影露光装置１０により形成したパターンに精度よ
く重ね合わせたパターンを描画することができる。
【００２９】このように本実施形態によれば、縮小投影
露光装置のショットサイズの領域の光学的歪による配置
誤差を、電子ビーム露光装置とは別の測定専用の座標検
査装置により測定したので、レチクルの製造誤差や、荷
電ビーム描画装置の測定誤差を排除した縮小投影露光装
置による光学的歪の量だけに基づく誤差データとして得
ることができ、その誤差データに基づいて補正を行うの
で、縮小投影露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合
わせてパターンを描画する際の位置合わせ誤差を有効に
防止することができる。
露光装置のショットサイズの領域の光学的歪による配置
誤差を、電子ビーム露光装置とは別の測定専用の座標検
査装置により測定したので、レチクルの製造誤差や、荷
電ビーム描画装置の測定誤差を排除した縮小投影露光装
置による光学的歪の量だけに基づく誤差データとして得
ることができ、その誤差データに基づいて補正を行うの
で、縮小投影露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合
わせてパターンを描画する際の位置合わせ誤差を有効に
防止することができる。
【００３０】［第２実施形態］本発明の第２実施形態に
よるパターン描画方法について図５乃至図７を用いて説
明する。なお、第１実施形態によるパターン描画方法と
同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或
いは簡略にする。図５は本実施形態によるパターン描画
方法のフローチャート、図６は本実施形態によるパター
ン描画方法の説明図である。
よるパターン描画方法について図５乃至図７を用いて説
明する。なお、第１実施形態によるパターン描画方法と
同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或
いは簡略にする。図５は本実施形態によるパターン描画
方法のフローチャート、図６は本実施形態によるパター
ン描画方法の説明図である。
【００３１】本実施形態によるパターン描画方法は、下
地のパターンを形成した縮小投影露光装置の光学的歪に
よる配置誤差を補正しつつ電子ビーム露光装置により露
光を行う点は第１実施形態によるパターン描画方法と同
様である。本実施形態によるパターン描画方法が第１実
施形態によるパターン描画方法と異なるのは、図６に示
すように、ウェーハの伸縮率に関する情報をも補正デー
タとしてフィードバックする点にある。
地のパターンを形成した縮小投影露光装置の光学的歪に
よる配置誤差を補正しつつ電子ビーム露光装置により露
光を行う点は第１実施形態によるパターン描画方法と同
様である。本実施形態によるパターン描画方法が第１実
施形態によるパターン描画方法と異なるのは、図６に示
すように、ウェーハの伸縮率に関する情報をも補正デー
タとしてフィードバックする点にある。
【００３２】本実施形態のパターン描画方法を図５のフ
ローチャートに沿って説明する。まず、第１実施形態に
よるパターン描画方法と同様にして、レチクル上マーク
の配置誤差及びウェーハ上マークの配置誤差を測定し、
これらの値からステッパー特有の光学的歪を求める（ス
テップＳ２１）。次に、レジストが塗布された製品ウェ
ーハ６０を縮小投影露光装置１０にセットし、製品ウェ
ーハ６０上に所定のデバイスパターン（例えばコンタク
トホール形成用パターン）を転写する。この際、製品ウ
ェーハ６０の例えばスクライブライン上に、所定の測定
用パターンを同時に転写しておく。この測定用パターン
は、後工程で製品ウェーハ６０の膨張率を測定するため
のものである（ステップＳ２２）。
ローチャートに沿って説明する。まず、第１実施形態に
よるパターン描画方法と同様にして、レチクル上マーク
の配置誤差及びウェーハ上マークの配置誤差を測定し、
これらの値からステッパー特有の光学的歪を求める（ス
テップＳ２１）。次に、レジストが塗布された製品ウェ
ーハ６０を縮小投影露光装置１０にセットし、製品ウェ
ーハ６０上に所定のデバイスパターン（例えばコンタク
トホール形成用パターン）を転写する。この際、製品ウ
ェーハ６０の例えばスクライブライン上に、所定の測定
用パターンを同時に転写しておく。この測定用パターン
は、後工程で製品ウェーハ６０の膨張率を測定するため
のものである（ステップＳ２２）。
【００３３】次に、製品ウェーハ６０上に塗布されたレ
ジストを現像し、そのレジストをマスクとしてウェーハ
をエッチングし、その後、レジストを除去する。これに
より、製品ウェーハ６０のデバイス領域には所定のデバ
イスパターンが形成され、スクライブライン上にはウェ
ーハの膨張率を測定するための測定用パターンが形成さ
れる。なお、本製品ウェーハ６０は、この後のＣＶＤ工
程や拡散工程などの熱工程を経て熱膨張が生じた後、電
子ビームにより描画を行うフォト工程に進むものとす
る。
ジストを現像し、そのレジストをマスクとしてウェーハ
をエッチングし、その後、レジストを除去する。これに
より、製品ウェーハ６０のデバイス領域には所定のデバ
イスパターンが形成され、スクライブライン上にはウェ
ーハの膨張率を測定するための測定用パターンが形成さ
れる。なお、本製品ウェーハ６０は、この後のＣＶＤ工
程や拡散工程などの熱工程を経て熱膨張が生じた後、電
子ビームにより描画を行うフォト工程に進むものとす
る。
【００３４】次に、フォト工程にきた製品ウェーハ６０
上にＥＢ描画用のレジストを塗布した後、レジストが塗
布された製品ウェーハ６０を電子ビーム露光装置２０に
セットする。次に、製品ウェーハ６０のスクライブライ
ン上を電子ビームで走査し、反射電子線の強度変化によ
り測定用パターンの製品ウェーハ６０上における座標を
測定する。この測定用パターンは、縮小投影露光装置１
０によるショット毎に形成されているので、製品ウェー
ハ６０上の測定用パターンの座標間隔を算出することに
よりウェーハ伸縮率を求めることができる（ステップＳ
２３）。
上にＥＢ描画用のレジストを塗布した後、レジストが塗
布された製品ウェーハ６０を電子ビーム露光装置２０に
セットする。次に、製品ウェーハ６０のスクライブライ
ン上を電子ビームで走査し、反射電子線の強度変化によ
り測定用パターンの製品ウェーハ６０上における座標を
測定する。この測定用パターンは、縮小投影露光装置１
０によるショット毎に形成されているので、製品ウェー
ハ６０上の測定用パターンの座標間隔を算出することに
よりウェーハ伸縮率を求めることができる（ステップＳ
２３）。
【００３５】なお、ウェーハ伸縮率は、電子ビーム露光
前に製品ウェーハ６０毎に測定し、製品ウェーハ６０の
伸縮率データ６２（スケール補正データ）として一時的
にメモリ（図示せず）に記憶しておく（ステップＳ２
４）。次に、座標検査装置３０のメモリに記憶されてい
る配置誤差データ５８及び伸縮率データ６２に基づい
て、ウェーハの伸縮を考慮した補正データ６４を算出す
る。
前に製品ウェーハ６０毎に測定し、製品ウェーハ６０の
伸縮率データ６２（スケール補正データ）として一時的
にメモリ（図示せず）に記憶しておく（ステップＳ２
４）。次に、座標検査装置３０のメモリに記憶されてい
る配置誤差データ５８及び伸縮率データ６２に基づい
て、ウェーハの伸縮を考慮した補正データ６４を算出す
る。
【００３６】電子ビーム露光装置２０によりパターンを
描画する際には、補正データ６４に基づき、下地のパタ
ーンを形成した縮小投影露光装置１０の光学的歪による
配置誤差及びウェーハ伸縮率により補正しながら重ね合
わせるデバイスパターン（例えば配線形成用パターン）
を描画する（ステップＳ２５）。このようにすることに
より、電子ビーム露光装置２０は、熱によるウェーハの
伸縮がある場合にも縮小投影露光装置１０により形成し
たパターンに精度よく重ね合わせたパターンを描画する
ことができる。
描画する際には、補正データ６４に基づき、下地のパタ
ーンを形成した縮小投影露光装置１０の光学的歪による
配置誤差及びウェーハ伸縮率により補正しながら重ね合
わせるデバイスパターン（例えば配線形成用パターン）
を描画する（ステップＳ２５）。このようにすることに
より、電子ビーム露光装置２０は、熱によるウェーハの
伸縮がある場合にも縮小投影露光装置１０により形成し
たパターンに精度よく重ね合わせたパターンを描画する
ことができる。
【００３７】図７は、多数の縮小投影露光装置Ａ，Ｂ，
Ｃ，…を用い、製品ウェーハの伸縮率補正をも考慮した
場合の電子ビーム露光装置２０の補正の説明図である。
電子ビーム露光装置２０の基本原理は、ステージ２１上
にウェーハ２２が載置され、電子ビーム２３を偏向させ
てウェーハ２２上にパターンを描画する。電子ビーム２
３は偏向制御部２４により制御され、ステージ２１はス
テージ制御部２５により制御される。ウェーハ２２の描
画位置は、ステージ２２の移動量と電子ビーム２６の偏
向量により決定する。
Ｃ，…を用い、製品ウェーハの伸縮率補正をも考慮した
場合の電子ビーム露光装置２０の補正の説明図である。
電子ビーム露光装置２０の基本原理は、ステージ２１上
にウェーハ２２が載置され、電子ビーム２３を偏向させ
てウェーハ２２上にパターンを描画する。電子ビーム２
３は偏向制御部２４により制御され、ステージ２１はス
テージ制御部２５により制御される。ウェーハ２２の描
画位置は、ステージ２２の移動量と電子ビーム２６の偏
向量により決定する。
【００３８】電子ビーム露光装置２０は、基本的には設
計データに基づいて描画制御されるが、縮小投影露光装
置１０の光学的歪補正と、温度による製品ウェーハの伸
縮のためのスケール補正とが併せて行われる。光学的歪
補正については、前もって、各縮小投影露光装置Ａ，
Ｂ，Ｃ，…毎に座標検査装置３０を用いて測定した光学
的歪による配置誤差データを用意しておく。
計データに基づいて描画制御されるが、縮小投影露光装
置１０の光学的歪補正と、温度による製品ウェーハの伸
縮のためのスケール補正とが併せて行われる。光学的歪
補正については、前もって、各縮小投影露光装置Ａ，
Ｂ，Ｃ，…毎に座標検査装置３０を用いて測定した光学
的歪による配置誤差データを用意しておく。
【００３９】スケール補正については、描画する製品ウ
ェーハ毎に測定し、その測定値から補正量を決定する。
電子ビーム露光装置２９によりパターンを形成する場合
には、重ね合わすパターンを形成した縮小投影露光装置
の光学的歪による配置誤差データにより補正値と、その
製品ウェーハのスケール補正の補正値とを考慮して、設
計データを補正しながら描画してパターンを形成する。
ェーハ毎に測定し、その測定値から補正量を決定する。
電子ビーム露光装置２９によりパターンを形成する場合
には、重ね合わすパターンを形成した縮小投影露光装置
の光学的歪による配置誤差データにより補正値と、その
製品ウェーハのスケール補正の補正値とを考慮して、設
計データを補正しながら描画してパターンを形成する。
【００４０】このように本実施形態によれば、縮小投影
露光装置の光学的歪の量及びウェーハの伸縮率に基づい
て補正データを発生し、この補正データに基づいて電子
ビーム露光装置により露光を行うので、縮小投影露光装
置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描
画する際の位置合わせ誤差を更に有効に防止することが
できる。
露光装置の光学的歪の量及びウェーハの伸縮率に基づい
て補正データを発生し、この補正データに基づいて電子
ビーム露光装置により露光を行うので、縮小投影露光装
置と電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描
画する際の位置合わせ誤差を更に有効に防止することが
できる。
【００４１】［第３実施形態］本発明の第３実施形態に
よるパターン描画方法について図８乃至図１０を用いて
説明する。なお、第１又は第２実施形態によるパターン
描画方法と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明
を省略し或いは簡略にする。図８は本実施形態によるパ
ターン描画方法のフローチャート、図９は本実施形態に
よるパターン描画方法の説明図である。
よるパターン描画方法について図８乃至図１０を用いて
説明する。なお、第１又は第２実施形態によるパターン
描画方法と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明
を省略し或いは簡略にする。図８は本実施形態によるパ
ターン描画方法のフローチャート、図９は本実施形態に
よるパターン描画方法の説明図である。
【００４２】本実施形態によるパターン描画方法は、下
地パターンを形成した縮小投影露光装置の光学的歪によ
る配置誤差及びウェーハの伸縮率を補正しつつ電子ビー
ム露光装置により露光を行う点は第２実施形態によるパ
ターン描画方法と同様である。本実施形態によるパター
ン描画方法が第２実施形態によるパターン描画方法と異
なるのは、図９に示すように、電子ビーム露光装置の描
画配置精度（ステージ精度）をも補正データとしてフィ
ードバックする点にある。
地パターンを形成した縮小投影露光装置の光学的歪によ
る配置誤差及びウェーハの伸縮率を補正しつつ電子ビー
ム露光装置により露光を行う点は第２実施形態によるパ
ターン描画方法と同様である。本実施形態によるパター
ン描画方法が第２実施形態によるパターン描画方法と異
なるのは、図９に示すように、電子ビーム露光装置の描
画配置精度（ステージ精度）をも補正データとしてフィ
ードバックする点にある。
【００４３】本実施形態のパターン描画方法を図８のフ
ローチャートに沿って説明する。まず、第１実施形態に
よるパターン描画方法と同様にして、レチクル上マーク
の配置誤差及びウェーハ上マークの配置誤差を測定し、
これらの値からステッパー特有の光学的歪を求める（ス
テップＳ３１）。次に、電子ビーム露光装置の描画配置
精度（ステージ精度）を測定する。
ローチャートに沿って説明する。まず、第１実施形態に
よるパターン描画方法と同様にして、レチクル上マーク
の配置誤差及びウェーハ上マークの配置誤差を測定し、
これらの値からステッパー特有の光学的歪を求める（ス
テップＳ３１）。次に、電子ビーム露光装置の描画配置
精度（ステージ精度）を測定する。
【００４４】まず、基準ウェーハ６６として、レジスト
が塗布されたウェーハを用意する。この基準ウェーハ６
６に、電子ビーム露光装置２０により、測定用マーク６
８として例えばマトリクスパターンを描画する（ステッ
プＳ３２）。次に、基準ウェーハ６６上に塗布されたレ
ジストを現像し、そのレジストをマスクとしてウェーハ
をエッチングし、その後、レジストを除去する（ステッ
プＳ３３）。
が塗布されたウェーハを用意する。この基準ウェーハ６
６に、電子ビーム露光装置２０により、測定用マーク６
８として例えばマトリクスパターンを描画する（ステッ
プＳ３２）。次に、基準ウェーハ６６上に塗布されたレ
ジストを現像し、そのレジストをマスクとしてウェーハ
をエッチングし、その後、レジストを除去する（ステッ
プＳ３３）。
【００４５】次に、座標検査装置３０を用いて、基準ウ
ェーハ６６上に転写された測定用パターン６８の配置精
度を測定する（ステップＳ３４）。この測定データは、
電子ビーム露光装置のステージ精度を表すものであり、
配置誤差データ７０（ステージ補正データ）として、座
標検査装置３０内のメモリ（図示せず）に記憶される
（ステップＳ３５）。
ェーハ６６上に転写された測定用パターン６８の配置精
度を測定する（ステップＳ３４）。この測定データは、
電子ビーム露光装置のステージ精度を表すものであり、
配置誤差データ７０（ステージ補正データ）として、座
標検査装置３０内のメモリ（図示せず）に記憶される
（ステップＳ３５）。
【００４６】次に、第２実施形態によるパターン描画方
法と同様にして、製品ウェーハ６０の伸縮率データ６２
を求める（ステップＳ３６）。次に、座標検査装置３０
のメモリに記憶されている配置誤差データ５８、７０及
び伸縮率データ６２に基づいて、これらパラメータを含
む補正データ７２を算出し、電子ビーム露光装置２０に
入力する。
法と同様にして、製品ウェーハ６０の伸縮率データ６２
を求める（ステップＳ３６）。次に、座標検査装置３０
のメモリに記憶されている配置誤差データ５８、７０及
び伸縮率データ６２に基づいて、これらパラメータを含
む補正データ７２を算出し、電子ビーム露光装置２０に
入力する。
【００４７】電子ビーム露光装置２０によりパターンを
描画する際には、下地のパターンを形成した縮小投影露
光装置１０の光学的歪による配置誤差、電子ビーム露光
装置２０のステージ精度及びウェーハ伸縮率により補正
しながら重ね合わせるパターンを描画する（ステップＳ
３７）。このようにすることにより、電子ビーム露光装
置２０は、縮小投影露光装置１０により形成したパター
ンに更に精度よく重ね合わせたパターンを描画すること
ができる。
描画する際には、下地のパターンを形成した縮小投影露
光装置１０の光学的歪による配置誤差、電子ビーム露光
装置２０のステージ精度及びウェーハ伸縮率により補正
しながら重ね合わせるパターンを描画する（ステップＳ
３７）。このようにすることにより、電子ビーム露光装
置２０は、縮小投影露光装置１０により形成したパター
ンに更に精度よく重ね合わせたパターンを描画すること
ができる。
【００４８】図１０は、多数の縮小投影露光装置Ａ，
Ｂ，Ｃ，…を用い、製品ウェーハの伸縮率補正及び電子
ビーム露光装置のステージ補正をも考慮した場合の電子
ビーム露光装置２０の補正の説明図である。電子ビーム
露光装置２０は、基本的には設計データに基づいて描画
制御されるが、縮小投影露光装置の光学的歪補正と、温
度によるウェーハのスケール補正と、電子ビーム露光装
置のステージ補正とが併せて行われる。
Ｂ，Ｃ，…を用い、製品ウェーハの伸縮率補正及び電子
ビーム露光装置のステージ補正をも考慮した場合の電子
ビーム露光装置２０の補正の説明図である。電子ビーム
露光装置２０は、基本的には設計データに基づいて描画
制御されるが、縮小投影露光装置の光学的歪補正と、温
度によるウェーハのスケール補正と、電子ビーム露光装
置のステージ補正とが併せて行われる。
【００４９】光学的歪補正については、前もって、各縮
小投影露光装置Ａ，Ｂ，Ｃ，…毎に座標検査装置３０を
用いて測定した光学的歪による配置誤差データを用意し
ておく。ステージ補正については、前もって、座標検査
装置３０を用いて測定した電子ビーム露光装置２０によ
る配置誤差データ７０（ステージ補正データ）を用意し
ておく。
小投影露光装置Ａ，Ｂ，Ｃ，…毎に座標検査装置３０を
用いて測定した光学的歪による配置誤差データを用意し
ておく。ステージ補正については、前もって、座標検査
装置３０を用いて測定した電子ビーム露光装置２０によ
る配置誤差データ７０（ステージ補正データ）を用意し
ておく。
【００５０】伸縮率補正（スケール補正）については、
描画するウェーハ毎に測定し、その測定値から補正量を
決定する。補正値は一時的にメモリ（図示せず）に記憶
しておく。電子ビーム露光装置２９によりパターンを形
成する場合には、重ね合わすパターンを形成した縮小投
影露光装置の光学的歪による配置誤差データによる補正
値と、電子ビーム露光装置のステージ精度を反映するス
テージ補正データによる補正値と、そのウェーハのスケ
ール補正の補正値とを考慮して、設計データを補正しな
がら描画してパターンを形成する。
描画するウェーハ毎に測定し、その測定値から補正量を
決定する。補正値は一時的にメモリ（図示せず）に記憶
しておく。電子ビーム露光装置２９によりパターンを形
成する場合には、重ね合わすパターンを形成した縮小投
影露光装置の光学的歪による配置誤差データによる補正
値と、電子ビーム露光装置のステージ精度を反映するス
テージ補正データによる補正値と、そのウェーハのスケ
ール補正の補正値とを考慮して、設計データを補正しな
がら描画してパターンを形成する。
【００５１】このように本実施形態によれば、縮小投影
露光装置の光学的歪の量、ステージ精度及びウェーハの
伸縮率に基づいて補正データを発生し、この補正データ
に基づいて電子ビーム露光装置により露光を行うので、
縮小投影露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせ
てパターンを描画する際の位置合わせ誤差を更に有効に
防止することができる。
露光装置の光学的歪の量、ステージ精度及びウェーハの
伸縮率に基づいて補正データを発生し、この補正データ
に基づいて電子ビーム露光装置により露光を行うので、
縮小投影露光装置と電子ビーム露光装置とを組み合わせ
てパターンを描画する際の位置合わせ誤差を更に有効に
防止することができる。
【００５２】［変形実施形態］本発明は上記実施形態に
限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態
では、ショットサイズの領域内部の光学的歪についても
マトリクス状に配置された測定点により測定したが、シ
ョットサイズの領域の最外周の測定点のみについて光学
的歪を測定するようにしてもよい。すなわち、図１１
（ａ）に示すように、ショットサイズの領域の最外周の
測定点（＋印）についての光学的歪だけを測定し、ショ
ットサイズの領域内部の各点については、図１１（ｂ）
に示すように、例えば、リニアに変化するものとして換
算して配置誤差を換算し、その換算された配置誤差に基
づいて補正する。
限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態
では、ショットサイズの領域内部の光学的歪についても
マトリクス状に配置された測定点により測定したが、シ
ョットサイズの領域の最外周の測定点のみについて光学
的歪を測定するようにしてもよい。すなわち、図１１
（ａ）に示すように、ショットサイズの領域の最外周の
測定点（＋印）についての光学的歪だけを測定し、ショ
ットサイズの領域内部の各点については、図１１（ｂ）
に示すように、例えば、リニアに変化するものとして換
算して配置誤差を換算し、その換算された配置誤差に基
づいて補正する。
【００５３】また、上記実施形態では、縮小投影露光装
置のショットサイズの領域について光学的歪を測定した
が、縮小投影露光装置の最大露光サイズの領域について
光学的歪を測定してもよい。縮小投影露光装置のショッ
トサイズは、製造するデバイスに適した大きさであるの
で、デバイス毎に異なることになり、同じ縮小投影露光
装置を用いる場合でもショットサイズが異なると、光学
的歪を測定し直す必要がある。そこで、縮小投影露光装
置の最大露光サイズの領域についてマトリクス状に配置
された測定点について光学的歪を測定しておけば、ショ
ットサイズが異なっても再度測定することなく、そのシ
ョットサイズの光学的歪を求めることができる。
置のショットサイズの領域について光学的歪を測定した
が、縮小投影露光装置の最大露光サイズの領域について
光学的歪を測定してもよい。縮小投影露光装置のショッ
トサイズは、製造するデバイスに適した大きさであるの
で、デバイス毎に異なることになり、同じ縮小投影露光
装置を用いる場合でもショットサイズが異なると、光学
的歪を測定し直す必要がある。そこで、縮小投影露光装
置の最大露光サイズの領域についてマトリクス状に配置
された測定点について光学的歪を測定しておけば、ショ
ットサイズが異なっても再度測定することなく、そのシ
ョットサイズの光学的歪を求めることができる。
【００５４】また、縮小投影露光装置の最大露光サイズ
の領域について光学的歪を測定する場合でも、最大露光
サイズの領域の最外周の測定点のみについて光学的歪を
測定するようにしてもよい。最大露光サイズの領域の最
外周の測定点についての光学的歪から、その領域内部の
各点について、例えば、リニアに変化するものとして換
算して光学的歪を換算してもよい。
の領域について光学的歪を測定する場合でも、最大露光
サイズの領域の最外周の測定点のみについて光学的歪を
測定するようにしてもよい。最大露光サイズの領域の最
外周の測定点についての光学的歪から、その領域内部の
各点について、例えば、リニアに変化するものとして換
算して光学的歪を換算してもよい。
【００５５】また、光学的歪の測定は、必ずしも矩形の
領域に基づいて行う必要はなく、光軸の中心点を原点と
して放射線上の任意の点について座標を測定することに
より、放射線方向の歪を測定してもよい（図１２参
照）。縮小投影露光装置は、一般に光軸に対して点対称
であるレンズ光学系により構成されるので、光学的な歪
は放射線方向に変化すると考えられる。したがって、こ
のように光学的歪を測定することにより、より精度の高
い歪補正を行うことができる。
領域に基づいて行う必要はなく、光軸の中心点を原点と
して放射線上の任意の点について座標を測定することに
より、放射線方向の歪を測定してもよい（図１２参
照）。縮小投影露光装置は、一般に光軸に対して点対称
であるレンズ光学系により構成されるので、光学的な歪
は放射線方向に変化すると考えられる。したがって、こ
のように光学的歪を測定することにより、より精度の高
い歪補正を行うことができる。
【００５６】また、上記実施形態では、縮小投影露光装
置の光学的歪を測定する際に用いる座標検査装置と、電
子ビーム露光装置のステージ精度を測定する際に用いる
座標検査装置とを同じ検査装置により行っているが、こ
れは、測定データ間の誤差を少なくしてより精度の高い
補正値を算出するためである。したがって、縮小投影露
光装置の光学的歪を測定する際に用いる座標検査装置
と、電子ビーム露光装置のステージ精度を測定する際に
用いる座標検査装置とは、必ずしも同じ検査装置である
必要はなく、それぞれ別々の検査装置を用いてもよい。
但し、本発明による効果を十分に発揮するためには、少
なくともこれら検査装置間の測定値互換性が約０．２μ
ｍ以下であることが望ましい。
置の光学的歪を測定する際に用いる座標検査装置と、電
子ビーム露光装置のステージ精度を測定する際に用いる
座標検査装置とを同じ検査装置により行っているが、こ
れは、測定データ間の誤差を少なくしてより精度の高い
補正値を算出するためである。したがって、縮小投影露
光装置の光学的歪を測定する際に用いる座標検査装置
と、電子ビーム露光装置のステージ精度を測定する際に
用いる座標検査装置とは、必ずしも同じ検査装置である
必要はなく、それぞれ別々の検査装置を用いてもよい。
但し、本発明による効果を十分に発揮するためには、少
なくともこれら検査装置間の測定値互換性が約０．２μ
ｍ以下であることが望ましい。
【００５７】また、上記実施形態では、縮小投影露光装
置と電子ビーム露光装置とを組み合わせたパターン描画
方法について示したが、縮小投影露光装置とイオンビー
ムその他の荷電粒子ビームとを組み合わせたパターン描
画方法についても同様に適用することができる。
置と電子ビーム露光装置とを組み合わせたパターン描画
方法について示したが、縮小投影露光装置とイオンビー
ムその他の荷電粒子ビームとを組み合わせたパターン描
画方法についても同様に適用することができる。
【００５８】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、縮小投影
露光装置の光学的歪による配置誤差を、電子ビーム露光
装置とは別の測定専用の座標検査装置により測定したの
で、レチクルの製造誤差や、荷電ビーム描画装置の測定
誤差を排除した縮小投影露光装置による光学的歪の量だ
けに基づく誤差データとして得ることができ、その誤差
データに基づいて補正を行うので、縮小投影露光装置と
電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画す
る際の位置合わせ誤差を有効に防止することができる。
露光装置の光学的歪による配置誤差を、電子ビーム露光
装置とは別の測定専用の座標検査装置により測定したの
で、レチクルの製造誤差や、荷電ビーム描画装置の測定
誤差を排除した縮小投影露光装置による光学的歪の量だ
けに基づく誤差データとして得ることができ、その誤差
データに基づいて補正を行うので、縮小投影露光装置と
電子ビーム露光装置とを組み合わせてパターンを描画す
る際の位置合わせ誤差を有効に防止することができる。
【図１】本発明の第１実施形態によるパターン描画方法
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図２】本発明の第１実施形態によるパターン描画方法
の説明図である。
の説明図である。
【図３】本発明の第１実施形態によるパターン描画方法
における配置誤差データの具体例を示す図である。
における配置誤差データの具体例を示す図である。
【図４】縮小投影露光装置による露光パターンを示す図
である。
である。
【図５】本発明の第２実施形態によるパターン描画方法
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図６】本発明の第２実施形態によるパターン描画方法
の説明図である。
の説明図である。
【図７】多数の縮小投影露光装置を用いた場合のパター
ン描画方法の説明図である。
ン描画方法の説明図である。
【図８】本発明の第３実施形態によるパターン描画方法
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図９】本発明の第３実施形態によるパターン描画方法
の説明図である。
の説明図である。
【図１０】多数の縮小投影露光装置を用いた場合のパタ
ーン描画方法の説明図である。
ーン描画方法の説明図である。
【図１１】本発明の変形実施形態によるパターン描画方
法の説明図（その１）である。
法の説明図（その１）である。
【図１２】本発明の変形実施形態によるパターン描画方
法の説明図（その２）である。
法の説明図（その２）である。
１０…縮小投影露光装置 ２０…電子ビーム描画装置 ２１…ステージ ２２…ウェーハ ２３…電子ビーム ２４…偏向制御部 ２５…ステージ制御部 ３０…座標検査装置 ５０…基準レチクル ５０ａ…測定用マーク ５２…配置誤差データ ５４…基準ウェーハ ５６…配置誤差データ ５８…配置誤差データ ６０…製品ウェーハ ６２…伸縮率データ ６４…補正データ ６６…基準ウェーハ ６８…測定用パターン ７０…補正データ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ａ ５４１Ｄ ５４１Ｓ
Claims (20)
- 【請求項１】 縮小投影露光装置と電子ビーム露光装置
とを組み合わせてパターンを描画するパターン描画方法
において、 前記縮小投影露光装置で露光する所定サイズの領域の光
学的歪を第１の座標検査装置により測定する第１のステ
ップと、 前記縮小投影露光装置によりショットサイズの第１のパ
ターンを露光する第２のステップと、 前記第１の座標検査装置により測定された前記所定サイ
ズの領域の光学的歪に基づいた補正値により補正しなが
ら前記電子ビーム露光装置により前記第１のパターンに
重ね合わす第２のパターンを露光する第３のステップと
を有することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のパターン描画方法におい
て、 前記第１のステップでは、レチクル上に配置された測定
用パターンの配置誤差を、前記レチクルを用いてウェー
ハ上に転写した前記測定用パターンの配置座標から差し
引くことにより前記縮小投影露光装置の光学的歪を測定
することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のパターン描画方法
において、 前記第３のステップの前に、前記第１のパターンに基づ
いて前記第１のパターンを露光したウェーハの膨張率を
測定するステップを更に有し、 前記第３のステップでは、前記ウェーハの膨張率に基づ
いた補正値を更に考慮して補正しながら前記電子ビーム
露光装置により前記第１のパターンに重ね合わす第２の
パターンを露光することを特徴とするパターン描画方
法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
パターン描画方法において、 前記電子ビーム露光装置のステージの移動精度を第２の
座標検査装置により測定するステップを更に有し、 前記第３のステップでは、前記第２の座標検査装置によ
り測定された前記ステージの移動精度に基づいた補正値
を更に考慮して補正しながら前記電子ビーム露光装置に
より前記第１のパターンに重ね合わす第２のパターンを
露光することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のパターン描画方法におい
て、 前記第１の座標検査装置及び前記第２の座標検査装置間
における測定値互換性が０．２μｍ以下であることを特
徴とするパターン描画方法。 - 【請求項６】 請求項４又は５記載のパターン描画方法
において、 前記第１の座標検査装置及び前記第２の座標検査装置
は、同一の座標検査装置であることを特徴とするパター
ン描画方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
パターン描画方法において、 前記第１のステップは、前記ショットサイズの領域の光
学的歪を測定することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項８】 請求項７記載のパターン描画方法におい
て、 前記第１のステップは、前記ショットサイズの領域の最
外周の光学的歪を測定することを特徴とするパターン描
画方法。 - 【請求項９】 請求項８記載のパターン描画方法におい
て、 前記第３のステップは、前記第１のステップで測定され
た前記ショットサイズの領域の最外周の光学的歪から前
記ショットサイズの領域内部の光学的歪を換算し、その
換算した光学的歪に基づいた補正値により前記電子ビー
ム露光装置を補正することを特徴とするパターン描画方
法。 - 【請求項１０】 請求項７記載のパターン描画方法にお
いて、 前記第１のステップは、前記ショットサイズの領域内部
のマトリクス状に配列された各測定点における光学的歪
を測定することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項１１】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載
のパターン描画方法において、 前記第１のステップは、前記縮小投影露光装置の前記シ
ョットサイズを含む最大露光サイズの領域の光学的歪を
測定することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のパターン描画方法に
おいて、 前記第１のステップは、前記最大露光サイズの領域の最
外周の光学的歪を測定することを特徴とするパターン描
画方法。 - 【請求項１３】 請求項１２記載のパターン描画方法に
おいて、 前記第３のステップは、前記第１のステップで測定され
た前記最大露光サイズの領域の最外周の光学的歪から前
記ショットサイズの領域の光学的歪を換算し、その換算
した光学的歪に基づいた補正値により前記電子ビーム露
光装置を補正することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項１４】 請求項１１記載のパターン描画方法に
おいて、 前記第１のステップは、前記最大露光サイズの領域内部
のマトリクス状に配列された各測定点における光学的歪
を測定することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項１５】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載
のパターン描画方法において、 前記第１のステップは、前記縮小投影露光装置の光軸か
ら引いた放射線上に配列された各測定点における光学的
歪を測定することを特徴とするパターン描画方法。 - 【請求項１６】 請求項１乃至１５のいずれか１項に記
載のパターン描画方法において、 前記第１のステップでは、複数の縮小投影露光装置の光
学的歪を測定し、前記複数の縮小投影露光装置の光学的
歪に基づいた補正値をそれぞれ前記電子ビーム露光装置
に入力し、 前記第２のステップでは、前記複数の縮小投影露光装置
のいずれかを用いて前記第１のパターンを露光し、 前記第３のステップでは、前記第１のパターンを露光し
た前記縮小投影露光装置の前記補正値を参照して前記第
２のパターンを露光することを特徴とするパターン描画
方法。 - 【請求項１７】 縮小投影露光装置と電子ビーム露光装
置とを組み合わせてパターンを描画するパターン描画装
置において、 前記縮小投影露光装置で露光する所定サイズの領域の光
学的歪を測定する座標検査装置を有し、 前記縮小投影露光装置で露光する所定サイズの領域の光
学的歪を座標検査装置により測定する第１のステップ
と、前記縮小投影露光装置によりショットサイズの第１
のパターンを露光する第２のステップと、前記座標検査
装置により測定された前記所定サイズの領域の光学的歪
に基づいた補正値により補正しながら前記電子ビーム露
光装置により前記第１のパターンに重ね合わす第２のパ
ターンを形成する第３のステップとを有することを特徴
とするパターン描画方法を行うことを特徴とするパター
ン描画装置。 - 【請求項１８】 請求項１７記載のパターン描画装置に
おいて、 前記第３のステップの前に、前記第１のパターンに基づ
いて前記第１のパターンを露光したウェーハの膨張率を
測定するステップを更に有し、前記第３のステップで
は、前記ウェーハの膨張率に基づいた補正値を更に考慮
して補正しながら前記電子ビーム露光装置により前記第
１のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光するパ
ターン描画方法を行うことを特徴とするパターン描画装
置。 - 【請求項１９】 請求項１７又は１８記載のパターン描
画装置において、 前記電子ビーム露光装置のステージの移動精度を前記座
標検査装置により測定するステップを更に有し、前記第
３のステップでは、前記座標検査装置により測定された
前記ステージの移動精度に基づいた補正値を更に考慮し
て補正しながら前記電子ビーム露光装置により前記第１
のパターンに重ね合わす第２のパターンを露光する描画
方法を行うことを特徴とするパターン描画装置。 - 【請求項２０】 請求項１７乃至１９のいずれか１項に
記載のパターン描画装置において、 複数の縮小投影露光装置を有し、 前記電子ビーム露光装置には、前記複数の縮小投影露光
装置の光学的歪みに関する補正値がそれぞれ設定されて
おり、 前記第３のステップでは、前記複数の縮小投影露光装置
のうち前記第１のパターンを露光した縮小投影露光装置
の光学的歪みに関する補正値を参照して前記第２のパタ
ーンを露光する描画方法を行うことを特徴とするパター
ン描画装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220050A JPH11121369A (ja) | 1997-08-13 | 1998-08-04 | パターン描画方法及び装置 |
| US09/132,820 US6124598A (en) | 1997-08-13 | 1998-08-12 | Pattern exposure method and system |
| TW087113286A TW392225B (en) | 1997-08-13 | 1998-08-12 | Pattern exposure method and system |
| KR1019980032887A KR100307038B1 (ko) | 1997-08-13 | 1998-08-13 | 패턴노광방법및장치 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21871797 | 1997-08-13 | ||
| JP9-218717 | 1997-08-13 | ||
| JP10220050A JPH11121369A (ja) | 1997-08-13 | 1998-08-04 | パターン描画方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121369A true JPH11121369A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=26522713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10220050A Pending JPH11121369A (ja) | 1997-08-13 | 1998-08-04 | パターン描画方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6124598A (ja) |
| JP (1) | JPH11121369A (ja) |
| KR (1) | KR100307038B1 (ja) |
| TW (1) | TW392225B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| JP2009170743A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置のデータ作成方法、および電子線露光システム |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246064B1 (en) | 1997-09-03 | 2001-06-12 | Hitachi, Ltd. | Electron beam drawing apparatus |
| DE10126185B4 (de) * | 2001-05-30 | 2007-07-19 | Robert Bosch Gmbh | Prüfkörper für optoelektronische Bildanalysesysteme |
| JP2003084425A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-19 | Fujitsu Ltd | レチクル、パターン位置精度の測定装置および測定方法 |
| TW569295B (en) * | 2001-09-29 | 2004-01-01 | Toshiba Corp | Producing method for mask pattern and manufacturing method for semiconductor device |
| CN1922727B (zh) * | 2004-02-20 | 2011-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及ic卡、ic标签、rfid、转发器、票据、证券、护照、电子装置、包和外衣的制造方法 |
| CN100394306C (zh) * | 2005-04-04 | 2008-06-11 | 中国科学院微电子研究所 | 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法 |
| US8754538B2 (en) * | 2008-06-24 | 2014-06-17 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip including identifying marks |
| US8703368B2 (en) | 2012-07-16 | 2014-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography process |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0126786B1 (de) * | 1983-05-25 | 1987-04-01 | Ibm Deutschland Gmbh | Verfahren zum Übertragen eines Musters in eine strahlungsempfindliche Schicht |
| US5329130A (en) * | 1991-08-06 | 1994-07-12 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure method and apparatus |
| US5525808A (en) * | 1992-01-23 | 1996-06-11 | Nikon Corporaton | Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions |
| JP3074579B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ補正方法 |
| JPH07263308A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光方法及び装置 |
| US5795687A (en) * | 1995-02-24 | 1998-08-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and alignment |
-
1998
- 1998-08-04 JP JP10220050A patent/JPH11121369A/ja active Pending
- 1998-08-12 TW TW087113286A patent/TW392225B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-12 US US09/132,820 patent/US6124598A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-13 KR KR1019980032887A patent/KR100307038B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110516A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 |
| JP2009170743A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置のデータ作成方法、および電子線露光システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100307038B1 (ko) | 2001-11-30 |
| TW392225B (en) | 2000-06-01 |
| KR19990023577A (ko) | 1999-03-25 |
| US6124598A (en) | 2000-09-26 |
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