JP2002110516A - 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法Info
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- JP2002110516A JP2002110516A JP2000296972A JP2000296972A JP2002110516A JP 2002110516 A JP2002110516 A JP 2002110516A JP 2000296972 A JP2000296972 A JP 2000296972A JP 2000296972 A JP2000296972 A JP 2000296972A JP 2002110516 A JP2002110516 A JP 2002110516A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 位置測定用ウェハに設けられた位置検出用の
マークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正
値に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する
電子ビーム露光装置を提供する。 【解決手段】 電子ビームにより半導体ウェハにパター
ンを露光する電子ビーム露光装置であって、半導体ウェ
ハが載置されるウェハステージと、ウェハステージの半
導体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望の
座標位置である理想座標位置を記憶する座標位置記憶部
と、複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設け
られた位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置で
ある検出座標位置を検出する検出部と、理想座標位置と
検出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補
正する補正値を算出する演算部と、補正値に基づいて、
電子ビームの照射位置を調整する照射位置制御部とを備
える。
マークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正
値に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する
電子ビーム露光装置を提供する。 【解決手段】 電子ビームにより半導体ウェハにパター
ンを露光する電子ビーム露光装置であって、半導体ウェ
ハが載置されるウェハステージと、ウェハステージの半
導体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望の
座標位置である理想座標位置を記憶する座標位置記憶部
と、複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設け
られた位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置で
ある検出座標位置を検出する検出部と、理想座標位置と
検出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補
正する補正値を算出する演算部と、補正値に基づいて、
電子ビームの照射位置を調整する照射位置制御部とを備
える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置、露光方法、及び半導体素子製造方法に関する。特に
本発明は、位置測定用ウェハに設けられた位置検出用の
マークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正
値に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する
電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方
法に関する。
置、露光方法、及び半導体素子製造方法に関する。特に
本発明は、位置測定用ウェハに設けられた位置検出用の
マークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正
値に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する
電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子ビーム露光装置において、露
光すべきウェハが載置されるウェハステージに設けられ
たミラーの反りや傾き、当該ウェハステージの反りや傾
き、あるいはウェハステージ上に存在するゴミなどに起
因する露光パターンの位置ずれを補正する補正値は、ウ
ェハに対して実際に露光処理を行い、ウェハに露光され
たパターンの座標位置を、座標測定器等を用いて検出す
ることにより算出していた。
光すべきウェハが載置されるウェハステージに設けられ
たミラーの反りや傾き、当該ウェハステージの反りや傾
き、あるいはウェハステージ上に存在するゴミなどに起
因する露光パターンの位置ずれを補正する補正値は、ウ
ェハに対して実際に露光処理を行い、ウェハに露光され
たパターンの座標位置を、座標測定器等を用いて検出す
ることにより算出していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子ビーム露光
装置において、補正値を算出するためには、実際にウェ
ハに露光処理を行い、さらに露光パターンを検出した結
果又は当該検出した結果に基づいて算出された補正値
を、電子ビーム露光装置に入力しなくてはならない。そ
のため、補正値を算出して電子ビーム露光装置に記憶さ
せるまでに非常に時間がかかり、工程の簡略化が望まれ
ていた。また、座標測定器は非常に高価であるため、座
標測定器を必要としない補正値の算出が望まれていた。
装置において、補正値を算出するためには、実際にウェ
ハに露光処理を行い、さらに露光パターンを検出した結
果又は当該検出した結果に基づいて算出された補正値
を、電子ビーム露光装置に入力しなくてはならない。そ
のため、補正値を算出して電子ビーム露光装置に記憶さ
せるまでに非常に時間がかかり、工程の簡略化が望まれ
ていた。また、座標測定器は非常に高価であるため、座
標測定器を必要としない補正値の算出が望まれていた。
【０００４】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体
素子製造方法を提供することを目的とする。この目的は
特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わ
せにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利
な具体例を規定する。
とのできる電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体
素子製造方法を提供することを目的とする。この目的は
特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わ
せにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利
な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、電子ビームにより半導体ウェハにパターン
を露光する電子ビーム露光装置であって、半導体ウェハ
が載置されるウェハステージと、ウェハステージの半導
体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望の座
標位置である理想座標位置を記憶する座標位置記憶部
と、複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設け
られた位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置で
ある検出座標位置を検出する検出部と、理想座標位置と
検出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補
正する補正値を算出する演算部と、補正値に基づいて、
電子ビームの照射位置を調整する照射位置制御部とを備
える。
態によると、電子ビームにより半導体ウェハにパターン
を露光する電子ビーム露光装置であって、半導体ウェハ
が載置されるウェハステージと、ウェハステージの半導
体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望の座
標位置である理想座標位置を記憶する座標位置記憶部
と、複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設け
られた位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置で
ある検出座標位置を検出する検出部と、理想座標位置と
検出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補
正する補正値を算出する演算部と、補正値に基づいて、
電子ビームの照射位置を調整する照射位置制御部とを備
える。
【０００６】補正値を算出するための補正関数を記憶す
る補正関数記憶部をさらに備え、演算部は、理想座標位
置、検出座標位置、及び補正関数に基づいて、補正値を
算出してもよい。
る補正関数記憶部をさらに備え、演算部は、理想座標位
置、検出座標位置、及び補正関数に基づいて、補正値を
算出してもよい。
【０００７】理想座標位置と、補正値を用いて補正され
た検出座標位置とに基づいて、ウェハステージの半導体
ウェハが載置されるべき領域における座標位置の位置ず
れを表示する表示部をさらに備えてもよい。
た検出座標位置とに基づいて、ウェハステージの半導体
ウェハが載置されるべき領域における座標位置の位置ず
れを表示する表示部をさらに備えてもよい。
【０００８】複数のレーザを用いてウェハステージの傾
きを検出するレーザ干渉計をさらに備え、演算部は、レ
ーザ干渉計によって検出されたウェハステージの傾きに
基づいて、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算
出してもよい。
きを検出するレーザ干渉計をさらに備え、演算部は、レ
ーザ干渉計によって検出されたウェハステージの傾きに
基づいて、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算
出してもよい。
【０００９】電子ビームを発生させる電子銃と、電子ビ
ームを偏向させる偏向器とをさらに備え、照射位置制御
部は、偏向器を制御する偏向制御部と、ウェハステージ
の位置を制御するウェハステージ制御部とを有し、補正
値に基づいて、偏向制御部及びウェハステージ制御部の
少なくとも一方を制御し、電子ビームの照射位置を調整
してもよい。
ームを偏向させる偏向器とをさらに備え、照射位置制御
部は、偏向器を制御する偏向制御部と、ウェハステージ
の位置を制御するウェハステージ制御部とを有し、補正
値に基づいて、偏向制御部及びウェハステージ制御部の
少なくとも一方を制御し、電子ビームの照射位置を調整
してもよい。
【００１０】本発明の他の形態によると電子ビームによ
り半導体ウェハにパターンを露光する露光方法であっ
て、ウェハステージの半導体ウェハが載置されるべき領
域における複数の所望の座標位置である理想座標位置を
記憶する記憶段階と、複数の理想座標位置に対応する位
置にマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、マ
ークの座標位置である検出座標位置を検出する検出段階
と、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて、電子ビ
ームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階
と、補正値に基づいて、電子ビームの照射位置を調整し
て露光する露光段階とを備える。
り半導体ウェハにパターンを露光する露光方法であっ
て、ウェハステージの半導体ウェハが載置されるべき領
域における複数の所望の座標位置である理想座標位置を
記憶する記憶段階と、複数の理想座標位置に対応する位
置にマークが設けられた位置測定用ウェハを用いて、マ
ークの座標位置である検出座標位置を検出する検出段階
と、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて、電子ビ
ームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階
と、補正値に基づいて、電子ビームの照射位置を調整し
て露光する露光段階とを備える。
【００１１】マークは、略平行な複数の列を形成するよ
うに位置測定用ウェハに設けられており、検出段階は、
第１の列の含まれるマークの座標位置と、第１の列と隣
り合う第２の列のマークの座標位置とを交互に検出する
段階を含んでもよい。
うに位置測定用ウェハに設けられており、検出段階は、
第１の列の含まれるマークの座標位置と、第１の列と隣
り合う第２の列のマークの座標位置とを交互に検出する
段階を含んでもよい。
【００１２】本発明の他の形態によると、電子ビームに
より半導体ウェハにパターンを露光して半導体素子を製
造する半導体素子製造方法であって、ウェハステージの
半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望
の座標位置である理想座標位置を記憶する記憶段階と、
複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設けられ
た位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置である
検出座標位置を検出する検出段階と、理想座標位置と検
出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補正
する補正値を算出する算出段階と、補正値に基づいて、
電子ビームの照射位置を調整して露光する露光段階とを
備える。
より半導体ウェハにパターンを露光して半導体素子を製
造する半導体素子製造方法であって、ウェハステージの
半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の所望
の座標位置である理想座標位置を記憶する記憶段階と、
複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設けられ
た位置測定用ウェハを用いて、マークの座標位置である
検出座標位置を検出する検出段階と、理想座標位置と検
出座標位置とに基づいて、電子ビームの照射位置を補正
する補正値を算出する算出段階と、補正値に基づいて、
電子ビームの照射位置を調整して露光する露光段階とを
備える。
【００１３】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【００１５】図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム処理装置である電子ビーム露光装置１００を示す。
電子ビーム露光装置１００は、電子ビームにより半導体
ウェハ３０に所定の露光処理を施すための露光部１５０
と、露光部１５０の各構成の動作を制御する制御系１４
０を備える。
ーム処理装置である電子ビーム露光装置１００を示す。
電子ビーム露光装置１００は、電子ビームにより半導体
ウェハ３０に所定の露光処理を施すための露光部１５０
と、露光部１５０の各構成の動作を制御する制御系１４
０を備える。
【００１６】露光部１５０は、筐体１０内部に、所定の
電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子
ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを、半導
体ウェハ３０に照射するか否かを制御するショット制御
系１１２と、電子ビームをウェハステージ３２に載置さ
れた半導体ウェハ３０の所定の領域に偏向するととも
に、半導体ウェハ３０に転写されるパターンの像のサイ
ズを調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系
と、パターンを露光すべき半導体ウェハ３０が載置され
るウェハステージ３２を所定の位置に移動させるステー
ジ制御系１１６とを備える。
電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子
ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを、半導
体ウェハ３０に照射するか否かを制御するショット制御
系１１２と、電子ビームをウェハステージ３２に載置さ
れた半導体ウェハ３０の所定の領域に偏向するととも
に、半導体ウェハ３０に転写されるパターンの像のサイ
ズを調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系
と、パターンを露光すべき半導体ウェハ３０が載置され
るウェハステージ３２を所定の位置に移動させるステー
ジ制御系１１６とを備える。
【００１７】電子ビーム照射系１１０は、電子ビームを
発生させる電子銃１２による、電子ビームの焦点位置を
定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過させる
矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット部１
６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビームを発
生させるのに所定の時間がかかるので、電子銃１２は、
露光処理期間において常に電子ビームを発生してもよ
い。図１において、電子ビーム照射系１１０から照射さ
れた電子ビームが、電子光学系により偏向されない場合
の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。
発生させる電子銃１２による、電子ビームの焦点位置を
定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過させる
矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット部１
６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビームを発
生させるのに所定の時間がかかるので、電子銃１２は、
露光処理期間において常に電子ビームを発生してもよ
い。図１において、電子ビーム照射系１１０から照射さ
れた電子ビームが、電子光学系により偏向されない場合
の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。
【００１８】ショット制御系１１２は、ブランキング電
極１８と、ラウンドアパーチャ部２０とを有する。ラウ
ンドアパーチャ部２０は、円形の開口（ラウンドアパー
チャ）を有する。ブランキング電極１８は、電子ビーム
を高速に同期してオン／オフすることができ、具体的に
は、電子ビームをラウンドアパーチャの外側に当たるよ
うに偏向する機能を有する。すなわち、ブランキング電
極１８は、電子ビームの進行方向に対してラウンドアパ
ーチャ部２０から下流に電子ビームが進行することを防
ぐことができる。電子銃１２は、露光処理期間において
常に電子ビームを照射するので、ブランキング電極１８
は、半導体ウェハ３０に転写するパターンを変更すると
き、さらには、パターンを露光する半導体ウェハ３０の
領域を変更するときに、ラウンドアパーチャ部２０から
下流に電子ビームが進行しないように電子ビームを偏向
することが望ましい。
極１８と、ラウンドアパーチャ部２０とを有する。ラウ
ンドアパーチャ部２０は、円形の開口（ラウンドアパー
チャ）を有する。ブランキング電極１８は、電子ビーム
を高速に同期してオン／オフすることができ、具体的に
は、電子ビームをラウンドアパーチャの外側に当たるよ
うに偏向する機能を有する。すなわち、ブランキング電
極１８は、電子ビームの進行方向に対してラウンドアパ
ーチャ部２０から下流に電子ビームが進行することを防
ぐことができる。電子銃１２は、露光処理期間において
常に電子ビームを照射するので、ブランキング電極１８
は、半導体ウェハ３０に転写するパターンを変更すると
き、さらには、パターンを露光する半導体ウェハ３０の
領域を変更するときに、ラウンドアパーチャ部２０から
下流に電子ビームが進行しないように電子ビームを偏向
することが望ましい。
【００１９】ウェハ用投影系１１４は、第２電子レンズ
２２と、第３電子レンズ２４と、主偏向器２６と、副偏
向器２８と、電子検出部３６とを有する。第２電子レン
ズ２２は、スリット部１６で形成されたパターンに対す
る、半導体ウェハ３０に転写されるパターン像の縮小率
を調整する。第３電子レンズ２４は、対物レンズとして
機能する。主偏向器２６及び副偏向器２８は、半導体ウ
ェハ３０上の所定の領域に電子ビームが照射されるよう
に、電子ビームを偏向する。主偏向器２６は、１ショッ
トの電子ビームで照射可能な領域（ショット領域）を複
数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向するために
用いられ、副偏向器２８は、サブフィールドにおけるシ
ョット領域間の偏向のために用いられる。また、電子検
出部３６は、ウェハステージ３２に載置された位置測定
用ウェハ及び／又はウェハステージ３２の所定の位置に
設けられたマークに電子ビームが照射されることにより
発生する反射電子に応じた電気信号を反射電子処理部１
３８に出力する。
２２と、第３電子レンズ２４と、主偏向器２６と、副偏
向器２８と、電子検出部３６とを有する。第２電子レン
ズ２２は、スリット部１６で形成されたパターンに対す
る、半導体ウェハ３０に転写されるパターン像の縮小率
を調整する。第３電子レンズ２４は、対物レンズとして
機能する。主偏向器２６及び副偏向器２８は、半導体ウ
ェハ３０上の所定の領域に電子ビームが照射されるよう
に、電子ビームを偏向する。主偏向器２６は、１ショッ
トの電子ビームで照射可能な領域（ショット領域）を複
数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向するために
用いられ、副偏向器２８は、サブフィールドにおけるシ
ョット領域間の偏向のために用いられる。また、電子検
出部３６は、ウェハステージ３２に載置された位置測定
用ウェハ及び／又はウェハステージ３２の所定の位置に
設けられたマークに電子ビームが照射されることにより
発生する反射電子に応じた電気信号を反射電子処理部１
３８に出力する。
【００２０】ウェハステージ制御系１１６は、ウェハス
テージ３２と、ウェハステージ駆動部３４とを有する。
ウェハステージ制御部１３６が統括制御部１３０から受
け取った露光処理データに基づいて、ウェハステージ駆
動部３４は、ウェハステージ３２を移動させる。
テージ３２と、ウェハステージ駆動部３４とを有する。
ウェハステージ制御部１３６が統括制御部１３０から受
け取った露光処理データに基づいて、ウェハステージ駆
動部３４は、ウェハステージ３２を移動させる。
【００２１】制御系１４０は、統括制御部１３０と、照
射位置制御部１６０とを備える。照射位置制御部１６０
は、偏向制御部１３２と、電子レンズ制御部１３４と、
反射電子処理部１３８と、ウェハステージ制御部１３６
とを有する。統括制御部１３０は、例えばワークステー
ションであって、偏向制御部１３２、電子レンズ制御部
１３４、ウェハステージ制御部１３６を統括制御する。
偏向制御部１３２は、ブランキング電極１８、主偏向器
２６、及び副偏向器２８を制御する。電子レンズ制御部
１３４は、第１電子レンズ１４、第２電子レンズ２２及
び第３電子レンズ２４に供給する電流を制御する。反射
電子処理部１３８は、電子検出部３６から出力された電
気信号に基づいて反射電子量を検出し、統括制御部１３
０に通知する。統括制御部１３０は、検出された反射電
子量に基づいて位置測定用ウェハに設けられたマークの
座標位置を求めることができる。ウェハステージ制御部
１３６は、ウェハステージ駆動部３４を制御し、ウェハ
ステージ３２を所定の位置に移動させる。
射位置制御部１６０とを備える。照射位置制御部１６０
は、偏向制御部１３２と、電子レンズ制御部１３４と、
反射電子処理部１３８と、ウェハステージ制御部１３６
とを有する。統括制御部１３０は、例えばワークステー
ションであって、偏向制御部１３２、電子レンズ制御部
１３４、ウェハステージ制御部１３６を統括制御する。
偏向制御部１３２は、ブランキング電極１８、主偏向器
２６、及び副偏向器２８を制御する。電子レンズ制御部
１３４は、第１電子レンズ１４、第２電子レンズ２２及
び第３電子レンズ２４に供給する電流を制御する。反射
電子処理部１３８は、電子検出部３６から出力された電
気信号に基づいて反射電子量を検出し、統括制御部１３
０に通知する。統括制御部１３０は、検出された反射電
子量に基づいて位置測定用ウェハに設けられたマークの
座標位置を求めることができる。ウェハステージ制御部
１３６は、ウェハステージ駆動部３４を制御し、ウェハ
ステージ３２を所定の位置に移動させる。
【００２２】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。まず、マークが設けられた
位置測定用ウェハを用いて、電子ビームの照射位置の校
正を行う。統括制御部１３０は、ウェハステージ３２の
半導体ウェハ３０が載置されるべき領域における複数の
所望の座標位置である理想座標位置と、理想座標位置に
対応する位置にマークが設けられた位置測定用ウェハを
用いて、電子ビームを照射して検出された当該マークの
座標位置である検出座標位置とに基づいて、半導体ウェ
ハ３０が載置されるべき領域の所望の位置における電子
ビームの照射位置を補正するための補正値を算出する。
電子ビームの照射位置の校正を行った後、ウェハステー
ジ３２上に、露光処理が施される半導体ウェハ３０が載
置される。統括制御部１３０において算出された補正値
に基づいて、偏向制御部１３２は、主偏向器２６及び／
又は副偏向器２８を制御し、ウェハステージ制御部１３
６は、ウェハステージ駆動部３４を制御する。ウェハス
テージ駆動部３４は、ウェハステージ３２を移動させ
て、半導体ウェハ３０の露光されるべき領域が光軸Ａ近
傍に位置するようにする。また、電子銃１２は、電子ビ
ームを発生する。電子銃１２は、露光処理期間において
常に電子ビームを照射するので、露光の開始前におい
て、スリット部１６の開口を通過した電子ビームが半導
体ウェハ３０に照射されないように、偏向制御部１３２
が、ブランキング電極１８を制御する。
０の動作について説明する。まず、マークが設けられた
位置測定用ウェハを用いて、電子ビームの照射位置の校
正を行う。統括制御部１３０は、ウェハステージ３２の
半導体ウェハ３０が載置されるべき領域における複数の
所望の座標位置である理想座標位置と、理想座標位置に
対応する位置にマークが設けられた位置測定用ウェハを
用いて、電子ビームを照射して検出された当該マークの
座標位置である検出座標位置とに基づいて、半導体ウェ
ハ３０が載置されるべき領域の所望の位置における電子
ビームの照射位置を補正するための補正値を算出する。
電子ビームの照射位置の校正を行った後、ウェハステー
ジ３２上に、露光処理が施される半導体ウェハ３０が載
置される。統括制御部１３０において算出された補正値
に基づいて、偏向制御部１３２は、主偏向器２６及び／
又は副偏向器２８を制御し、ウェハステージ制御部１３
６は、ウェハステージ駆動部３４を制御する。ウェハス
テージ駆動部３４は、ウェハステージ３２を移動させ
て、半導体ウェハ３０の露光されるべき領域が光軸Ａ近
傍に位置するようにする。また、電子銃１２は、電子ビ
ームを発生する。電子銃１２は、露光処理期間において
常に電子ビームを照射するので、露光の開始前におい
て、スリット部１６の開口を通過した電子ビームが半導
体ウェハ３０に照射されないように、偏向制御部１３２
が、ブランキング電極１８を制御する。
【００２３】マスク投影系１１２及びショット制御系１
１４が調整された後、偏向制御部１３２が、ブランキン
グ電極１８による電子ビームの偏向を停止する。これに
より、以下に示すように、電子ビームは半導体ウェハ３
０に照射される。電子銃１２が電子ビームを生成し、第
１電子レンズ１４が電子ビームの焦点位置を調整して、
スリット部１６に照射させる。スリット部１６は、電子
ビームの断面形状を矩形に整形する。スリット部１６の
開口を通過した電子ビームは、矩形の断面形状を有して
いる。
１４が調整された後、偏向制御部１３２が、ブランキン
グ電極１８による電子ビームの偏向を停止する。これに
より、以下に示すように、電子ビームは半導体ウェハ３
０に照射される。電子銃１２が電子ビームを生成し、第
１電子レンズ１４が電子ビームの焦点位置を調整して、
スリット部１６に照射させる。スリット部１６は、電子
ビームの断面形状を矩形に整形する。スリット部１６の
開口を通過した電子ビームは、矩形の断面形状を有して
いる。
【００２４】そして、スリット部１６を通過した電子ビ
ームは、ラウンドアパーチャ部２０に含まれるラウンド
アパーチャを通過し、第２電子レンズ２２により、パタ
ーン像の縮小率が調整される。それから、電子ビーム
は、統括制御部１３０で算出された補正値に基づいて主
偏向器２６及び副偏向器２８により、半導体ウェハ３０
上の所定のショット領域に照射されるように偏向され
る。本実施形態では、主偏向器２６が、ショット領域を
複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向し、副偏
向器２８が、サブフィールドにおけるショット領域間で
電子ビームを偏向する。所定のショット領域に偏向され
た電子ビームは、第３電子レンズ２４によって調整され
て、半導体ウェハ３０に照射される。
ームは、ラウンドアパーチャ部２０に含まれるラウンド
アパーチャを通過し、第２電子レンズ２２により、パタ
ーン像の縮小率が調整される。それから、電子ビーム
は、統括制御部１３０で算出された補正値に基づいて主
偏向器２６及び副偏向器２８により、半導体ウェハ３０
上の所定のショット領域に照射されるように偏向され
る。本実施形態では、主偏向器２６が、ショット領域を
複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向し、副偏
向器２８が、サブフィールドにおけるショット領域間で
電子ビームを偏向する。所定のショット領域に偏向され
た電子ビームは、第３電子レンズ２４によって調整され
て、半導体ウェハ３０に照射される。
【００２５】所定の露光時間が経過した後、偏向制御部
１３２が、電子ビームが半導体ウェハ３０を照射しない
ように、ブランキング電極１８を制御して、電子ビーム
を偏向させる。以上のプロセスにより、半導体ウェハ３
０上の所定のショット領域に、パターンが露光される。
次のショット領域に、パターンを露光するために、副偏
向器２８は、パターン像が、次のショット領域に露光さ
れるように電界を調整する。この後、上記と同様に当該
ショット領域にパターンを露光する。サブフィールド内
の露光すべきショット領域のすべてにパターンを露光し
た後に、主偏向器２６は、次のサブフィールドにパター
ンを露光できるように磁界を調整する。電子ビーム露光
装置１００は、この露光処理を、繰り返し実行すること
によって、所望の回路パターンを、半導体ウェハ３０に
露光することができる。
１３２が、電子ビームが半導体ウェハ３０を照射しない
ように、ブランキング電極１８を制御して、電子ビーム
を偏向させる。以上のプロセスにより、半導体ウェハ３
０上の所定のショット領域に、パターンが露光される。
次のショット領域に、パターンを露光するために、副偏
向器２８は、パターン像が、次のショット領域に露光さ
れるように電界を調整する。この後、上記と同様に当該
ショット領域にパターンを露光する。サブフィールド内
の露光すべきショット領域のすべてにパターンを露光し
た後に、主偏向器２６は、次のサブフィールドにパター
ンを露光できるように磁界を調整する。電子ビーム露光
装置１００は、この露光処理を、繰り返し実行すること
によって、所望の回路パターンを、半導体ウェハ３０に
露光することができる。
【００２６】本発明による電子ビーム処理装置である電
子ビーム露光装置１００は、可変矩形を用いた電子ビー
ム露光装置であってもよく、また、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ（ＢＡＡ）・デバイスを用いた電子ビー
ム露光装置であってもよい。
子ビーム露光装置１００は、可変矩形を用いた電子ビー
ム露光装置であってもよく、また、ブランキング・アパ
ーチャ・アレイ（ＢＡＡ）・デバイスを用いた電子ビー
ム露光装置であってもよい。
【００２７】図２は、本発明の一実施形態に係る統括制
御部１３０の構成を示す。図２を参照して、本実施形態
の電子ビーム露光装置１００における電子ビームの照射
位置の位置ずれを校正するための動作を説明する。本実
施形態の電子ビーム露光装置１００では、露光すべきウ
ェハが載置されるウェハステージ３２に設けられたミラ
ーの反りや傾き、或いは当該ウェハステージの反りや傾
きに起因する電子ビームの照射位置の位置ずれを校正す
る。
御部１３０の構成を示す。図２を参照して、本実施形態
の電子ビーム露光装置１００における電子ビームの照射
位置の位置ずれを校正するための動作を説明する。本実
施形態の電子ビーム露光装置１００では、露光すべきウ
ェハが載置されるウェハステージ３２に設けられたミラ
ーの反りや傾き、或いは当該ウェハステージの反りや傾
きに起因する電子ビームの照射位置の位置ずれを校正す
る。
【００２８】統括制御部１３０は、センサ信号入力部２
００と、座標位置記憶部２０２と、演算部２０４と、補
正関数記憶部２０６とを有する。座標位置記憶部２０２
は、ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０が載置され
るべき領域における複数の所望の座標位置である理想座
標位置を記憶する。補正関数記憶部２０６は、電子ビー
ムの照射位置を補正する補正値を算出するための補正関
数を記憶する。センサ信号入力部２００は、電子検出部
３６によって検出された反射電子量を反射電子処理部１
３８から受け取り、演算部２０４に通知する。また、電
子ビーム露光装置１００は、複数のレーザをウェハステ
ージ３２に設けられたミラー６０に照射して、当該複数
のレーザの反射光を受け取るレーザ干渉計２１０をさら
に備える。レーザ干渉計２１０は、ミラー６０に照射さ
れたレーザと当該反射光とに基づいて、ウェハステージ
３２の位置及び傾き、ミラー６０の傾き及び反りを検出
する。演算部２０４は、電子検出部３６によって検出さ
れた反射電子量と、レーザ干渉計２１０によって検出さ
れたウェハステージ３２の位置とに基づいて、位置測定
用ウェハに設けられたマークの座標位置である検出座標
位置を求める。そして、演算部２０４は、検出された検
出座標位置と、座標位置記憶部２０２に記憶された理想
座標位置と、補正関数記憶部２０６に記憶された補正関
数とに基づいて、補正値を算出する。具体的には、演算
部２０４は、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて
補正関数に含まれる未知数を決定し、半導体ウェハ３０
が載置されるべき領域における所望の位置のｘ座標及び
ｙ座標を入力することにより当該座標位置における補正
値が算出できる補正関数を決定する。そして、演算部２
０４は、半導体ウェハ３０が載置されるべき領域の各座
標位置における補正値を算出する。演算部２０４は、レ
ーザ干渉計２１０によって検出されたウェハステージの
傾き等を配慮して、補正値を算出することが好ましい。
演算部２０４によって算出された補正値に基づいて、照
射位置制御部１６０は電子ビームの照射位置を制御す
る。具体的には、偏向制御部１３２が主に副偏向器２８
を制御し、ウェハステージ制御部１３６がウェハステー
ジ駆動部３４を制御することにより、露光部１５０は露
光処理を行う。
００と、座標位置記憶部２０２と、演算部２０４と、補
正関数記憶部２０６とを有する。座標位置記憶部２０２
は、ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０が載置され
るべき領域における複数の所望の座標位置である理想座
標位置を記憶する。補正関数記憶部２０６は、電子ビー
ムの照射位置を補正する補正値を算出するための補正関
数を記憶する。センサ信号入力部２００は、電子検出部
３６によって検出された反射電子量を反射電子処理部１
３８から受け取り、演算部２０４に通知する。また、電
子ビーム露光装置１００は、複数のレーザをウェハステ
ージ３２に設けられたミラー６０に照射して、当該複数
のレーザの反射光を受け取るレーザ干渉計２１０をさら
に備える。レーザ干渉計２１０は、ミラー６０に照射さ
れたレーザと当該反射光とに基づいて、ウェハステージ
３２の位置及び傾き、ミラー６０の傾き及び反りを検出
する。演算部２０４は、電子検出部３６によって検出さ
れた反射電子量と、レーザ干渉計２１０によって検出さ
れたウェハステージ３２の位置とに基づいて、位置測定
用ウェハに設けられたマークの座標位置である検出座標
位置を求める。そして、演算部２０４は、検出された検
出座標位置と、座標位置記憶部２０２に記憶された理想
座標位置と、補正関数記憶部２０６に記憶された補正関
数とに基づいて、補正値を算出する。具体的には、演算
部２０４は、理想座標位置と検出座標位置とに基づいて
補正関数に含まれる未知数を決定し、半導体ウェハ３０
が載置されるべき領域における所望の位置のｘ座標及び
ｙ座標を入力することにより当該座標位置における補正
値が算出できる補正関数を決定する。そして、演算部２
０４は、半導体ウェハ３０が載置されるべき領域の各座
標位置における補正値を算出する。演算部２０４は、レ
ーザ干渉計２１０によって検出されたウェハステージの
傾き等を配慮して、補正値を算出することが好ましい。
演算部２０４によって算出された補正値に基づいて、照
射位置制御部１６０は電子ビームの照射位置を制御す
る。具体的には、偏向制御部１３２が主に副偏向器２８
を制御し、ウェハステージ制御部１３６がウェハステー
ジ駆動部３４を制御することにより、露光部１５０は露
光処理を行う。
【００２９】図３は、電子ビームの照射位置の位置ずれ
の検出結果及び補正結果の一例を示す。図３（ａ）は、
理想座標位置と補正前の検出座標位置との位置ずれの検
出結果の一例である。補正前の検出結果では、ウェハス
テージ３２上に存在する異物に起因する位置ずれ７０
と、ウェハステージ３２に設けられたミラー６０の反り
に起因する位置ずれ７５とが存在する。図３（ｂ）は、
理想座標位置と補正された検出座標位置との位置ずれの
補正結果の一例である。補正によって、ウェハステージ
３２に設けられたミラー６０の反りに起因する位置ずれ
７５が排除され、ウェハステージ３２上に存在する異物
に起因する位置ずれ７０のみが残る。本実施形態の電子
ビーム露光装置１００では、ミラー６０の反りや傾き、
ウェハステージ３２の反りや傾き等による大域的な位置
ずれが、最小二乗近似を行うことにより補正される。
の検出結果及び補正結果の一例を示す。図３（ａ）は、
理想座標位置と補正前の検出座標位置との位置ずれの検
出結果の一例である。補正前の検出結果では、ウェハス
テージ３２上に存在する異物に起因する位置ずれ７０
と、ウェハステージ３２に設けられたミラー６０の反り
に起因する位置ずれ７５とが存在する。図３（ｂ）は、
理想座標位置と補正された検出座標位置との位置ずれの
補正結果の一例である。補正によって、ウェハステージ
３２に設けられたミラー６０の反りに起因する位置ずれ
７５が排除され、ウェハステージ３２上に存在する異物
に起因する位置ずれ７０のみが残る。本実施形態の電子
ビーム露光装置１００では、ミラー６０の反りや傾き、
ウェハステージ３２の反りや傾き等による大域的な位置
ずれが、最小二乗近似を行うことにより補正される。
【００３０】本発明による電子ビーム露光装置１００
は、理想座標位置と、演算部２０４によって算出された
補正値を用いて補正された検出座標位置とに基づいて、
ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０が載置されるべ
き領域における座標位置の位置ずれ等の情報を表示する
表示部２０８をさらに備えることが好ましい。表示部２
０８は、図３に示すように、ミラー６０の反り及び傾き
に起因する位置ずれ、ウェハステージ３２の半導体ウェ
ハ３０を載置する面に付着した異物による位置ずれ等に
よる検出結果及び補正結果を通知することができる。
は、理想座標位置と、演算部２０４によって算出された
補正値を用いて補正された検出座標位置とに基づいて、
ウェハステージ３２の半導体ウェハ３０が載置されるべ
き領域における座標位置の位置ずれ等の情報を表示する
表示部２０８をさらに備えることが好ましい。表示部２
０８は、図３に示すように、ミラー６０の反り及び傾き
に起因する位置ずれ、ウェハステージ３２の半導体ウェ
ハ３０を載置する面に付着した異物による位置ずれ等に
よる検出結果及び補正結果を通知することができる。
【００３１】図４は、所望の位置に位置検出用のマーク
が設けられた位置測定用ウェハ３１を示す。位置検出用
のマークは、第１の方向に略平行な複数の列を形成する
ように位置測定用ウェハ３１に設けられており、第１の
列５１に含まれるマークの座標位置と、第１の列５１と
隣り合う第２の列５２のマークの座標位置とを交互に検
出する。本実施形態による位置検出用のマークは、第１
の方向と略垂直な第２の方向に、略平行な複数の行をさ
らに形成するように位置測定用ウェハ３１に設けられる
ことが好ましい。
が設けられた位置測定用ウェハ３１を示す。位置検出用
のマークは、第１の方向に略平行な複数の列を形成する
ように位置測定用ウェハ３１に設けられており、第１の
列５１に含まれるマークの座標位置と、第１の列５１と
隣り合う第２の列５２のマークの座標位置とを交互に検
出する。本実施形態による位置検出用のマークは、第１
の方向と略垂直な第２の方向に、略平行な複数の行をさ
らに形成するように位置測定用ウェハ３１に設けられる
ことが好ましい。
【００３２】図４を参照して、位置検出用のマークの具
体的な検出順序の一例について説明する。第１の列５１
及び第１の行６１に含まれるマーク５１ａを検出した
後、第１の列５１と隣り合う第２の列５２及び第１の行
６１と隣り合う第２の行６２に含まれるマーク５２ｂを
検出する。次に、第１の列５１及び第２の行６２と隣り
合う第３の行６３に含まれるマーク５１ｃを検出する。
そして、マーク５２ｄ、マーク５１ｅ、マーク５２ｆ、
マーク５１ｇの順に検出する。第１の列５１の端のマー
クであり、第１の列５１及び第７の行６７に含まれる５
１ｇを検出した後、マーク５１ｇと隣り合い、第２の列
５２及び第７の行６７に含まれるマーク５２ｇを検出す
る。そして、マーク５１ｆ、マーク５２ｅ、マーク５１
ｄ、マーク５２ｃ、マーク５１ｂ、マーク５２ａの順
で、第１の列５１及び第２の列５２の検出されていない
マークを検出する。第２の列５２及び第１の行６１に含
まれるマーク５２ａを検出した後、第４の列５４に含ま
れるマーク５４ａを検出する。
体的な検出順序の一例について説明する。第１の列５１
及び第１の行６１に含まれるマーク５１ａを検出した
後、第１の列５１と隣り合う第２の列５２及び第１の行
６１と隣り合う第２の行６２に含まれるマーク５２ｂを
検出する。次に、第１の列５１及び第２の行６２と隣り
合う第３の行６３に含まれるマーク５１ｃを検出する。
そして、マーク５２ｄ、マーク５１ｅ、マーク５２ｆ、
マーク５１ｇの順に検出する。第１の列５１の端のマー
クであり、第１の列５１及び第７の行６７に含まれる５
１ｇを検出した後、マーク５１ｇと隣り合い、第２の列
５２及び第７の行６７に含まれるマーク５２ｇを検出す
る。そして、マーク５１ｆ、マーク５２ｅ、マーク５１
ｄ、マーク５２ｃ、マーク５１ｂ、マーク５２ａの順
で、第１の列５１及び第２の列５２の検出されていない
マークを検出する。第２の列５２及び第１の行６１に含
まれるマーク５２ａを検出した後、第４の列５４に含ま
れるマーク５４ａを検出する。
【００３３】同様に、第３の列５３に含まれるマークと
第４の列５４に含まれるマークとを交互に検出し、第３
の列５３に含まれるマークと第４の列５４に含まれると
の検出が終了すると、第５の列５５に含まれるマークと
第６の列５６に含まれるマークとの検出を開始する。
第４の列５４に含まれるマークとを交互に検出し、第３
の列５３に含まれるマークと第４の列５４に含まれると
の検出が終了すると、第５の列５５に含まれるマークと
第６の列５６に含まれるマークとの検出を開始する。
【００３４】上記の順序で位置測定用ウェハ３１のマー
クの座標位置を検出することにより、ウェハステージ３
２の剛性不足によって生じるウェハステージ３２の反り
を容易に検出することができる。
クの座標位置を検出することにより、ウェハステージ３
２の剛性不足によって生じるウェハステージ３２の反り
を容易に検出することができる。
【００３５】図５は、ウェハから半導体素子を製造す
る、本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャート
である。Ｓ１０で、本フローチャートが開始する。Ｓ１
２で、ウェハの上面に、フォトレジストを塗布する。フ
ォトレジストが塗布されたウェハが、電子ビーム露光装
置１００におけるウェハステージ３２に載置される。Ｓ
１４で、ウェハは、図１及び図２に関連して説明したよ
うに、電子ビームによりパターン像を露光される。
る、本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャート
である。Ｓ１０で、本フローチャートが開始する。Ｓ１
２で、ウェハの上面に、フォトレジストを塗布する。フ
ォトレジストが塗布されたウェハが、電子ビーム露光装
置１００におけるウェハステージ３２に載置される。Ｓ
１４で、ウェハは、図１及び図２に関連して説明したよ
うに、電子ビームによりパターン像を露光される。
【００３６】露光されたウェハは、現像液に浸され、現
像され、余分なレジストが除去される（Ｓ１６）。つい
で、Ｓ１８で、ウェハ上のフォトレジストが除去された
領域に存在するシリコン基板、絶縁膜あるいは導電膜
が、プラズマを用いた異方性エッチングによりエッチン
グされる。またＳ２０で、トランジスタやダイオードな
どの半導体素子を形成するために、ウェハに、ホウ素や
砒素などの不純物を注入する。またＳ２２で、熱処理を
施し、注入された不純物の活性化を行う。またＳ２４
で、ウェハ上の有機汚染物や金属汚染物を取り除くため
に、薬液によりウェハを洗浄する。また、Ｓ２６で、導
電膜や絶縁膜の成膜を行い、配線層および配線間の絶縁
層を形成する。Ｓ１２〜Ｓ２６の工程を組み合わせ、繰
り返し行うことによって、ウェハに素子分離領域、素子
領域および配線層を有する半導体素子を製造することが
可能となる。Ｓ２８で、所要の回路が形成されたウェハ
を切り出し、チップの組み立てを行う。Ｓ３０で半導体
素子製造フローが終了する。
像され、余分なレジストが除去される（Ｓ１６）。つい
で、Ｓ１８で、ウェハ上のフォトレジストが除去された
領域に存在するシリコン基板、絶縁膜あるいは導電膜
が、プラズマを用いた異方性エッチングによりエッチン
グされる。またＳ２０で、トランジスタやダイオードな
どの半導体素子を形成するために、ウェハに、ホウ素や
砒素などの不純物を注入する。またＳ２２で、熱処理を
施し、注入された不純物の活性化を行う。またＳ２４
で、ウェハ上の有機汚染物や金属汚染物を取り除くため
に、薬液によりウェハを洗浄する。また、Ｓ２６で、導
電膜や絶縁膜の成膜を行い、配線層および配線間の絶縁
層を形成する。Ｓ１２〜Ｓ２６の工程を組み合わせ、繰
り返し行うことによって、ウェハに素子分離領域、素子
領域および配線層を有する半導体素子を製造することが
可能となる。Ｓ２８で、所要の回路が形成されたウェハ
を切り出し、チップの組み立てを行う。Ｓ３０で半導体
素子製造フローが終了する。
【００３７】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００３８】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、位置測定用ウェハに設けられた位置検出用のマ
ークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正値
に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する電
子ビーム露光装置を提供することができる。
よれば、位置測定用ウェハに設けられた位置検出用のマ
ークの座標位置を検出して補正値を算出し、当該補正値
に基づいて電子ビームの照射位置を調整して露光する電
子ビーム露光装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム処理装置
である電子ビーム露光装置１００を示す。
である電子ビーム露光装置１００を示す。
【図２】本発明の一実施形態に係る統括制御部１３０の
構成を示す。
構成を示す。
【図３】電子ビームの照射位置の位置ずれの検出結果及
び補正結果の一例を示す。
び補正結果の一例を示す。
【図４】所望の位置に位置検出用のマークが設けられた
位置測定用ウェハ３１を示す。
位置測定用ウェハ３１を示す。
【図５】本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャ
ートである。
ートである。
１２ 電子銃 ２６ 主偏向器 ２８ 副偏向器 ３０ 半導体ウェハ ３１ 測定用ウェハ ３２ ウェハステージ ３４ ウェハステージ駆動部 ３６ 電子検出部 ４０ マーク ５１ 第１の列 ６１ 第１の行 ６０ ミラー ７０ 異物に起因する位置ずれ ７５ ミラーの反りに起因する位置ずれ １００ 電子ビーム露光装置 １１６ ウェハステージ制御系 １３０ 統括制御部 １３２ 偏向制御部 １３６ ウェハステージ制御部 １３８ 反射電子処理部 １５０ 露光部 １６０ 照射位置制御部 ２００ センサ信号入力部 ２０２ 座標位置記憶部 ２０４ 演算部 ２０６ 補正関数記憶部 ２０８ 表示部 ２１０ レーザ干渉計
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｋ
Claims (8)
- 【請求項１】 電子ビームにより半導体ウェハにパター
ンを露光する電子ビーム露光装置であって、 前記半導体ウェハが載置されるウェハステージと、 前記ウェハステージの前記半導体ウェハが載置されるべ
き領域における複数の所望の座標位置である理想座標位
置を記憶する座標位置記憶部と、 前記複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設け
られた位置測定用ウェハを用いて、前記マークの座標位
置である検出座標位置を検出する検出部と、 前記理想座標位置と前記検出座標位置とに基づいて、前
記電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する演
算部と、 前記補正値に基づいて、前記電子ビームの前記照射位置
を調整する照射位置制御部とを備えることを特徴とする
電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】 前記補正値を算出するための補正関数を
記憶する補正関数記憶部をさらに備え、前記演算部は、
前記理想座標位置、前記検出座標位置、及び前記補正関
数に基づいて、前記補正値を算出することを特徴とする
請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項３】 前記理想座標位置と、前記補正値を用い
て補正された前記検出座標位置とに基づいて、前記ウェ
ハステージの前記半導体ウェハが載置されるべき前記領
域における座標位置の位置ずれを表示する表示部をさら
に備えることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム
露光装置。 - 【請求項４】 複数のレーザを用いて前記ウェハステー
ジの傾きを検出するレーザ干渉計をさらに備え、前記演
算部は、前記レーザ干渉計によって検出された前記ウェ
ハステージの前記傾きに基づいて、前記電子ビームの前
記照射位置を補正する前記補正値を算出することを特徴
とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項５】 前記電子ビームを発生させる電子銃と、 前記電子ビームを偏向させる偏向器とをさらに備え、 前記照射位置制御部は、前記偏向器を制御する偏向制御
部と、前記ウェハステージの位置を制御するウェハステ
ージ制御部とを有し、前記補正値に基づいて、前記偏向
制御部及び前記ウェハステージ制御部の少なくとも一方
を制御し、前記電子ビームの前記照射位置を調整するこ
とを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。 - 【請求項６】 電子ビームにより半導体ウェハにパター
ンを露光する露光方法であって、前記ウェハステージの
前記半導体ウェハが載置されるべき領域における複数の
所望の座標位置である理想座標位置を記憶する記憶段階
と、 前記複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設け
られた位置測定用ウェハを用いて、前記マークの座標位
置である検出座標位置を検出する検出段階と、 前記理想座標位置と前記検出座標位置とに基づいて、前
記電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算
出段階と、 前記補正値に基づいて、前記電子ビームの前記照射位置
を調整して露光する露光段階とを備えることを特徴とす
る露光方法。 - 【請求項７】 前記マークは、略平行な複数の列を形成
するように前記位置測定用ウェハに設けられており、前
記検出段階は、第１の列の含まれる前記マークの座標位
置と、前記第１の列と隣り合う第２の列の前記マークの
座標位置とを交互に検出する段階を含むことを特徴とす
る請求項６に記載の露光方法。 - 【請求項８】 電子ビームにより半導体ウェハにパター
ンを露光して半導体素子を製造する半導体素子製造方法
であって、前記ウェハステージの前記半導体ウェハが載
置されるべき領域における複数の所望の座標位置である
理想座標位置を記憶する記憶段階と、 前記複数の理想座標位置に対応する位置にマークが設け
られた位置測定用ウェハを用いて、前記マークの座標位
置である検出座標位置を検出する検出段階と、 前記理想座標位置と前記検出座標位置とに基づいて、前
記電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算
出段階と、 前記補正値に基づいて、前記電子ビームの前記照射位置
を調整して露光する露光段階とを備えることを特徴とす
る半導体素子製造方法。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286064A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置、荷電粒子ビーム露光装置の基準用基板、荷電粒子ビーム露光装置の補正方法、及び電子装置の製造方法 |
| JP2009231660A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2020506433A (ja) * | 2017-02-03 | 2020-02-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | パターン配置補正方法 |
| CN114695087A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 科磊股份有限公司 | 一种制造集成电路的方法和系统 |
| CN114695087B (zh) * | 2020-12-30 | 2024-05-24 | 科磊股份有限公司 | 一种制造集成电路的方法和系统 |
Citations (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5452474A (en) * | 1977-09-10 | 1979-04-25 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5742128A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Fujitsu Ltd | Exposing method by electron beam |
| JPS61174629A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-06 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| JPS6258621A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS62265721A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Advantest Corp | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
| JPS6351635A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | リソグラフィ方法 |
| JPS6467641A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Nec Corp | Memory information display system for information processing system |
| JPH01191416A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Nec Corp | パターン形成方法 |
| JPH01200622A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| JPH0310105A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-17 | Nikon Corp | 位置測定方法、位置測定装置、位置決め方法、位置決め装置、および露光装置 |
| JPH0491424A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-24 | Hitachi Ltd | 最適性判定装置を付加した電子線描画装置 |
| JPH0684753A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Nikon Corp | 露光方法 |
| JPH06110397A (ja) * | 1992-06-03 | 1994-04-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子ビーム投射偏向装置 |
| JPH07297102A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Nikon Corp | ステージ精度評価方法 |
| JPH0936022A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| WO1997034319A1 (fr) * | 1996-03-06 | 1997-09-18 | Hitachi, Ltd. | Fabrication de composants a semi-conducteur |
| JPH10125579A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH10209013A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nikon Corp | パターン継ぎ合わせ部の精度計測方法 |
| JPH10308434A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Canon Inc | 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 |
| JPH10312961A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-11-24 | Nikon Corp | 移動シーケンスの決定方法および位置合わせ装置 |
| JPH11121369A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | パターン描画方法及び装置 |
| JPH11145029A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Sony Corp | 位置合わせ測定装置 |
| JPH11307424A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および製造装置、ならびにそれにより製造された半導体デバイス |
| JP2000040481A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 試料保持機，半導体製造装置，半導体検査装置，回路パタ―ン検査装置，荷電粒子線応用装置，校正用基板，試料の保持方法，回路パタ―ン検査方法、および、荷電粒子線応用方法 |
| JP2000150354A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Canon Inc | 荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 |
-
2000
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Patent Citations (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5452474A (en) * | 1977-09-10 | 1979-04-25 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5742128A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Fujitsu Ltd | Exposing method by electron beam |
| JPS61174629A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-06 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
| JPS6258621A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS62265721A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Advantest Corp | 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 |
| JPS6351635A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-04 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | リソグラフィ方法 |
| JPS6467641A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Nec Corp | Memory information display system for information processing system |
| JPH01191416A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Nec Corp | パターン形成方法 |
| JPH01200622A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| JPH0310105A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-17 | Nikon Corp | 位置測定方法、位置測定装置、位置決め方法、位置決め装置、および露光装置 |
| JPH0491424A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-24 | Hitachi Ltd | 最適性判定装置を付加した電子線描画装置 |
| JPH06110397A (ja) * | 1992-06-03 | 1994-04-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子ビーム投射偏向装置 |
| JPH0684753A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Nikon Corp | 露光方法 |
| JPH07297102A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Nikon Corp | ステージ精度評価方法 |
| JPH0936022A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| WO1997034319A1 (fr) * | 1996-03-06 | 1997-09-18 | Hitachi, Ltd. | Fabrication de composants a semi-conducteur |
| JPH10125579A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
| JPH10209013A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nikon Corp | パターン継ぎ合わせ部の精度計測方法 |
| JPH10312961A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-11-24 | Nikon Corp | 移動シーケンスの決定方法および位置合わせ装置 |
| JPH10308434A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Canon Inc | 位置決め装置、ミラー曲り検出方法、位置決め方法およびデバイス製造方法 |
| JPH11121369A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | パターン描画方法及び装置 |
| JPH11145029A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Sony Corp | 位置合わせ測定装置 |
| JP2000040481A (ja) * | 1998-04-20 | 2000-02-08 | Hitachi Ltd | 試料保持機，半導体製造装置，半導体検査装置，回路パタ―ン検査装置，荷電粒子線応用装置，校正用基板，試料の保持方法，回路パタ―ン検査方法、および、荷電粒子線応用方法 |
| JPH11307424A (ja) * | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および製造装置、ならびにそれにより製造された半導体デバイス |
| JP2000150354A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Canon Inc | 荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286064A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置、荷電粒子ビーム露光装置の基準用基板、荷電粒子ビーム露光装置の補正方法、及び電子装置の製造方法 |
| US7164141B2 (en) | 2004-03-29 | 2007-01-16 | Advantest Corp. | Charged particle beam photolithography machine, standard substrate for correcting misalignment factor of charged particle beam photolithography machine, correcting method for charged particle beam photolithography machine, and method of manufacturing electronic device |
| JP2009231660A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2020506433A (ja) * | 2017-02-03 | 2020-02-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | パターン配置補正方法 |
| JP7411412B2 (ja) | 2017-02-03 | 2024-01-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パターン配置補正方法 |
| CN114695087A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 科磊股份有限公司 | 一种制造集成电路的方法和系统 |
| CN114695087B (zh) * | 2020-12-30 | 2024-05-24 | 科磊股份有限公司 | 一种制造集成电路的方法和系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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