JP2000133566A - 荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法 - Google Patents
荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法Info
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動
に起因する描画精度の低下を軽減する。 【解決手段】 複数のマークが形成された校正用基板を
ステージ２３に載置して移動させ、荷電粒子線と光のそ
れぞれによって複数のマークAMの位置を検出する。そし
て検出結果に基づいて、荷電粒子線の基準位置と光の基
準位置との相対位置関係のステージ位置毎の変化に関す
る情報を求め記憶する。そして実際の描画時のステージ
の位置に応じて荷電粒子の基準位置を記憶された情報に
基づいて補正する。
に起因する描画精度の低下を軽減する。 【解決手段】 複数のマークが形成された校正用基板を
ステージ２３に載置して移動させ、荷電粒子線と光のそ
れぞれによって複数のマークAMの位置を検出する。そし
て検出結果に基づいて、荷電粒子線の基準位置と光の基
準位置との相対位置関係のステージ位置毎の変化に関す
る情報を求め記憶する。そして実際の描画時のステージ
の位置に応じて荷電粒子の基準位置を記憶された情報に
基づいて補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体集積回
路等の露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビ
ーム露光装置等の荷電粒子線露光装置に関するものであ
る。特には、ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変
動に起因する露光精度の低下の問題を解消すべく改良を
加えた荷電粒子線露光方法及び装置に関する。
路等の露光に用いられる電子ビーム露光装置、イオンビ
ーム露光装置等の荷電粒子線露光装置に関するものであ
る。特には、ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変
動に起因する露光精度の低下の問題を解消すべく改良を
加えた荷電粒子線露光方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画装置は、大別して、ポイ
ントビームをウエハ上を走査させパターンを描画する装
置と、マスクを用い電子ビームを所望の形状に整形して
マスクパターンをウエハ上に転写する装置とがある。そ
して両者とも、ウエハ全面にパターンを露光するには、
電子ビームに対しウエハを移動させる為に、ウエハを載
置するステージの移動が必要である。
ントビームをウエハ上を走査させパターンを描画する装
置と、マスクを用い電子ビームを所望の形状に整形して
マスクパターンをウエハ上に転写する装置とがある。そ
して両者とも、ウエハ全面にパターンを露光するには、
電子ビームに対しウエハを移動させる為に、ウエハを載
置するステージの移動が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来装置にあっては、ステージの移動と共に、電子ビー
ムの位置が変動し、ウエハ上の所望の位置にパターンが
描画若しくは転写できないという問題がある。その原因
として、ステージの移動に伴い電子ビーム近傍の電磁場
が変動するということが考えられ、特に移動するステー
ジに磁性体が用いられている場合、ステージの移動に伴
う電子ビームの位置変動が顕著であった。
従来装置にあっては、ステージの移動と共に、電子ビー
ムの位置が変動し、ウエハ上の所望の位置にパターンが
描画若しくは転写できないという問題がある。その原因
として、ステージの移動に伴い電子ビーム近傍の電磁場
が変動するということが考えられ、特に移動するステー
ジに磁性体が用いられている場合、ステージの移動に伴
う電子ビームの位置変動が顕著であった。
【０００４】本発明は、主に半導体集積回路等の露光に
用いられる電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置
等の荷電粒子線露光装置であって、ステージの移動に伴
う荷電粒子線の位置変動に起因する描画精度の低下の問
題を解消すべく改良を加えた荷電粒子線露光方法及び荷
電粒子線露光装置を提供することを目的とする。
用いられる電子ビーム露光装置、イオンビーム露光装置
等の荷電粒子線露光装置であって、ステージの移動に伴
う荷電粒子線の位置変動に起因する描画精度の低下の問
題を解消すべく改良を加えた荷電粒子線露光方法及び荷
電粒子線露光装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為の
本発明の荷電粒子線露光方法のある形態は、基板が載置
されたステージを移動させ、荷電粒子線を用いて前記基
板上にパターンを露光する荷電粒子線描画方法におい
て、複数のマークが形成された校正用基板を前記ステー
ジに載置し、前記ステージを移動させ、前記荷電粒子線
と光のそれぞれによって前記複数のマークの位置を検出
する段階と、前記検出結果に基づいて、前記荷電粒子線
の基準位置と前記光の基準位置との相対位置関係のステ
ージ位置毎の変化に関する情報を求め、記憶する段階
と、前記ステージの位置に応じて、前記荷電粒子の基準
位置を、前記記憶された情報に基づいて補正する段階と
を有することを特徴とするものである。
本発明の荷電粒子線露光方法のある形態は、基板が載置
されたステージを移動させ、荷電粒子線を用いて前記基
板上にパターンを露光する荷電粒子線描画方法におい
て、複数のマークが形成された校正用基板を前記ステー
ジに載置し、前記ステージを移動させ、前記荷電粒子線
と光のそれぞれによって前記複数のマークの位置を検出
する段階と、前記検出結果に基づいて、前記荷電粒子線
の基準位置と前記光の基準位置との相対位置関係のステ
ージ位置毎の変化に関する情報を求め、記憶する段階
と、前記ステージの位置に応じて、前記荷電粒子の基準
位置を、前記記憶された情報に基づいて補正する段階と
を有することを特徴とするものである。
【０００６】本発明の荷電粒子線露光装置のある形態
は、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを露光する荷
電粒子線描画装置において、前記基板を載置し移動する
ステージと、前記ステージの位置を検出する測長系と、
前記荷電粒子線の基準位置に基づいて、前記基板の所望
の位置に荷電粒子線を照射するとともに、照射対象物に
前記荷電粒子線を照射し、該照射対象物からの荷電粒子
線を検出し、前記荷電粒子線の基準位置に対する該照射
対象物の位置を検出する電子光学系と、照射対象物に光
を照射し、該照射対象物からの光を検出し、該光の基準
位置に対する該照射対象物の位置を検出するアライメン
ト光学系と、情報を記憶する記憶手段と、複数のマーク
が形成された校正用基板を前記ステージに載置し、前記
ステージを移動させ、前記電子光学系とアライメント光
学系のそれぞれによって前記複数のマークの位置を検出
し、前記検出結果に基づいて、前記荷電粒子線の基準位
置と前記光の基準位置との相対位置関係のステージ位置
毎の変化に関する情報を求め、該情報を前記記憶手段に
記憶し、前記測長系から得られる前記ステージの位置に
応じて、前記荷電粒子の基準位置を、前記記憶手段に記
憶された情報に基づいて補正する制御系とを有すること
を特徴とするものである。
は、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを露光する荷
電粒子線描画装置において、前記基板を載置し移動する
ステージと、前記ステージの位置を検出する測長系と、
前記荷電粒子線の基準位置に基づいて、前記基板の所望
の位置に荷電粒子線を照射するとともに、照射対象物に
前記荷電粒子線を照射し、該照射対象物からの荷電粒子
線を検出し、前記荷電粒子線の基準位置に対する該照射
対象物の位置を検出する電子光学系と、照射対象物に光
を照射し、該照射対象物からの光を検出し、該光の基準
位置に対する該照射対象物の位置を検出するアライメン
ト光学系と、情報を記憶する記憶手段と、複数のマーク
が形成された校正用基板を前記ステージに載置し、前記
ステージを移動させ、前記電子光学系とアライメント光
学系のそれぞれによって前記複数のマークの位置を検出
し、前記検出結果に基づいて、前記荷電粒子線の基準位
置と前記光の基準位置との相対位置関係のステージ位置
毎の変化に関する情報を求め、該情報を前記記憶手段に
記憶し、前記測長系から得られる前記ステージの位置に
応じて、前記荷電粒子の基準位置を、前記記憶手段に記
憶された情報に基づいて補正する制御系とを有すること
を特徴とするものである。
【０００７】本発明のデバイス製造方法は、上記荷電粒
子線露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴と
する。
子線露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴と
する。
【０００８】
【発明の実施の形態】＜電子ビーム露光装置＞荷電粒子
線の一例として本実施例では電子ビーム露光装置を例を
示す。なお、電子ビームに限らずイオンビームを用いた
露光装置にも同様に適用できる。
線の一例として本実施例では電子ビーム露光装置を例を
示す。なお、電子ビームに限らずイオンビームを用いた
露光装置にも同様に適用できる。
【０００９】図１において、１００は真空チャンバで、
図示せぬ真空ポンプによって真空排気されている。真空
チャンバ１００内には、大別して、電子光学系１、ウエ
ハステージ２、測長用干渉計３、アライメント光学系４
等が配置されている。
図示せぬ真空ポンプによって真空排気されている。真空
チャンバ１００内には、大別して、電子光学系１、ウエ
ハステージ２、測長用干渉計３、アライメント光学系４
等が配置されている。
【００１０】電子光学系１は、電子ビームを放射する電
子銃１１、電子銃１１からの電子ビームEBを収束させる
電子レンズ系１２、電子ビームＥＢを偏向させる偏向器
１３、電子ビームEBの照射対象物からの電子を検出する
電子検出系１４で構成される。そして各構成要素は、電
子光学系制御部７によって制御される。そして、電子光
学系１からの電子ビームが偏向器１３によって偏向され
ずにステージ側に入射する位置を電子ビームの基準位置
とし、電子ビームＥＢによりウエハを露光する際は、電
子光学系制御部は、電子ビームＥＢを偏向器１３により
基準位置を基準にして走査するとともに、描画するパタ
ーンに応じて電子ビームＥＢの照射を制御する。電子ビ
ームＥＢにより照射対象物の位置を検出する際は、電子
光学系制御部は、偏向器１３により電子ビームＥＢを照
射対象物上を走査させるとともに、電子検出系１４によ
って照射対象物からの電子を検出して、基準位置に対す
る照射対象物の位置を検出する。
子銃１１、電子銃１１からの電子ビームEBを収束させる
電子レンズ系１２、電子ビームＥＢを偏向させる偏向器
１３、電子ビームEBの照射対象物からの電子を検出する
電子検出系１４で構成される。そして各構成要素は、電
子光学系制御部７によって制御される。そして、電子光
学系１からの電子ビームが偏向器１３によって偏向され
ずにステージ側に入射する位置を電子ビームの基準位置
とし、電子ビームＥＢによりウエハを露光する際は、電
子光学系制御部は、電子ビームＥＢを偏向器１３により
基準位置を基準にして走査するとともに、描画するパタ
ーンに応じて電子ビームＥＢの照射を制御する。電子ビ
ームＥＢにより照射対象物の位置を検出する際は、電子
光学系制御部は、偏向器１３により電子ビームＥＢを照
射対象物上を走査させるとともに、電子検出系１４によ
って照射対象物からの電子を検出して、基準位置に対す
る照射対象物の位置を検出する。
【００１１】次に、ウエハステージ２について説明す
る。２１が基準面を持ったステージ定盤、２２がＹステ
ージ、２３がＸステージである。Ｘステージ２３上にθ
Ｚステージ２４が搭載されている。θＺステージ２４上
には、ウエハＷを吸着固定する静電チャック２５と測長
用干渉計３用のミラーＭＸ、ＭＹ（図示せず）が搭載さ
れている。２６はＹステージ２２の水平方向（Ｙ軸方
向）の固定ガイドである。２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２
７ｄは静圧空気軸受けであり、この静圧空気軸受けは、
真空に対応する為、特開平２−２１２６２４号公報で提
案されているように気体を供給する多孔質パッド（（セ
ラミックスパッド）と気体の流出を防止するラビリンス
隔壁を備えたものである。このうち２７ａ（Ａ―Ａ'断
面図参照）はＸステージ２３の水平方向（Ｙ軸方向）、
２７ｂ（Ａ―Ａ'断面図参照）はＸステージ２３の鉛直
方向（Ｚ軸方向）、２７ｃはＹステージ２２の水平方
向、２７ｄはＹステージ２２の鉛直方向を各々案内して
いる。
る。２１が基準面を持ったステージ定盤、２２がＹステ
ージ、２３がＸステージである。Ｘステージ２３上にθ
Ｚステージ２４が搭載されている。θＺステージ２４上
には、ウエハＷを吸着固定する静電チャック２５と測長
用干渉計３用のミラーＭＸ、ＭＹ（図示せず）が搭載さ
れている。２６はＹステージ２２の水平方向（Ｙ軸方
向）の固定ガイドである。２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２
７ｄは静圧空気軸受けであり、この静圧空気軸受けは、
真空に対応する為、特開平２−２１２６２４号公報で提
案されているように気体を供給する多孔質パッド（（セ
ラミックスパッド）と気体の流出を防止するラビリンス
隔壁を備えたものである。このうち２７ａ（Ａ―Ａ'断
面図参照）はＸステージ２３の水平方向（Ｙ軸方向）、
２７ｂ（Ａ―Ａ'断面図参照）はＸステージ２３の鉛直
方向（Ｚ軸方向）、２７ｃはＹステージ２２の水平方
向、２７ｄはＹステージ２２の鉛直方向を各々案内して
いる。
【００１２】図２はＹステージ２２、Ｘステージ２３を
裏から見た裏面図である。同図において、ＭＧは、それ
ぞれ予圧用磁石ユニットであり、特開昭６３−２３２９
１２号公報で提案されているように例えば磁力手段とし
て永久磁石とその両側に設けたヨーク（磁性体）とを有
した予圧機構（移動体を吸引する機構）により、静圧軸
受けに加圧流体を給気して定盤基準面から移動体を浮上
させる際、軸受けの特性のバラツキにより移動体が傾く
のを防止し、定盤基準面に対して常に一定の姿勢を保つ
ようにしている。また、Ｘステージ２３の水平方向の案
内板２２aを除いて、Ｙステージ２２、Ｘステージ２３
の表面は、予圧用磁石ユニットからの磁場が電子ビーム
に与える影響を低減する為に磁気シールド材（例えばパ
ーマロイ）でカバーされている。なお、ステージと定盤
基準面との間に吸引力を作用させて予圧を与える予圧機
構として、本実施例では磁石予圧機構を採用したが、こ
れに限らず真空吸引によって予圧を与える真空予圧機構
や静電気力によって予圧を与える静電予圧機構であって
もよい。
裏から見た裏面図である。同図において、ＭＧは、それ
ぞれ予圧用磁石ユニットであり、特開昭６３−２３２９
１２号公報で提案されているように例えば磁力手段とし
て永久磁石とその両側に設けたヨーク（磁性体）とを有
した予圧機構（移動体を吸引する機構）により、静圧軸
受けに加圧流体を給気して定盤基準面から移動体を浮上
させる際、軸受けの特性のバラツキにより移動体が傾く
のを防止し、定盤基準面に対して常に一定の姿勢を保つ
ようにしている。また、Ｘステージ２３の水平方向の案
内板２２aを除いて、Ｙステージ２２、Ｘステージ２３
の表面は、予圧用磁石ユニットからの磁場が電子ビーム
に与える影響を低減する為に磁気シールド材（例えばパ
ーマロイ）でカバーされている。なお、ステージと定盤
基準面との間に吸引力を作用させて予圧を与える予圧機
構として、本実施例では磁石予圧機構を採用したが、こ
れに限らず真空吸引によって予圧を与える真空予圧機構
や静電気力によって予圧を与える静電予圧機構であって
もよい。
【００１３】図３はＹステージ２２、Ｘステージ２３を
上から見た平面図である。同図において、Ｘステージ２
３は、Ｘ方向に伸縮する腕ＸＡにより、駆動される。図
１にもどり、腕ＸＡの先端は、Ｘステージ２３に固設さ
れたＹガイドレールＹＧを挟み込んで、Ｘステージ２３
と連結され、Ｘステージ２３のＹ方向の移動を妨げない
ようにしている。そして、腕ＸＡは、真空チャンバ１０
０に固定してあるＸアクチュエータ２８により駆動され
てＸ方向に伸縮する。同様に、Ｙステージ２２は、Ｙア
クチュエータ（図示せず）によりＹ方向に伸縮される腕
ＹＡが連結されており、それにより駆動される。また、
Ｘアクチュエータ２８及びＹアクチュエータは、ウエハ
ステージ制御部６により制御される。
上から見た平面図である。同図において、Ｘステージ２
３は、Ｘ方向に伸縮する腕ＸＡにより、駆動される。図
１にもどり、腕ＸＡの先端は、Ｘステージ２３に固設さ
れたＹガイドレールＹＧを挟み込んで、Ｘステージ２３
と連結され、Ｘステージ２３のＹ方向の移動を妨げない
ようにしている。そして、腕ＸＡは、真空チャンバ１０
０に固定してあるＸアクチュエータ２８により駆動され
てＸ方向に伸縮する。同様に、Ｙステージ２２は、Ｙア
クチュエータ（図示せず）によりＹ方向に伸縮される腕
ＹＡが連結されており、それにより駆動される。また、
Ｘアクチュエータ２８及びＹアクチュエータは、ウエハ
ステージ制御部６により制御される。
【００１４】よって、Ｙステージ２２は静圧空気軸受け
２７ｃ，２７ｄに給気することにより定盤２１から浮上
され、Ｙアクチュエータにより片側に設けられている固
定ガイド２６に沿ってＹ方向に移動される。また、Ｘス
テージ２２は静圧空気軸受け２７ａ，２７ｂに給気する
ことによりＹステージ２２と同様に定盤２１から浮上さ
れ、Ｙステージ２２の側面２２aを水平方向の案内とし
てXアクチュエーター２８によりＸ方向に移動される。
このとき、Ｘステージ２３及Ｙステージ２２は複数の予
圧用磁石ユニットＭＧによって常に一定の姿勢となるよ
うに調整されている。
２７ｃ，２７ｄに給気することにより定盤２１から浮上
され、Ｙアクチュエータにより片側に設けられている固
定ガイド２６に沿ってＹ方向に移動される。また、Ｘス
テージ２２は静圧空気軸受け２７ａ，２７ｂに給気する
ことによりＹステージ２２と同様に定盤２１から浮上さ
れ、Ｙステージ２２の側面２２aを水平方向の案内とし
てXアクチュエーター２８によりＸ方向に移動される。
このとき、Ｘステージ２３及Ｙステージ２２は複数の予
圧用磁石ユニットＭＧによって常に一定の姿勢となるよ
うに調整されている。
【００１５】測長用干渉計３では、内部に設けられたレ
ーザ光源から射出されたレーザビームを測長ビーム及び
参照ビームに分割する。そして、測長ビームをウエハス
テージ２上のミラーＭに向かって進ませ反射させて再び
内部に戻し、一方、参照ビームは内部の参照鏡に反射さ
せ、戻された両ビームの干渉光の強度信号を検出してい
る。射出段階で測長ビームと参照ビームとは互いに周波
数が微小量Δｆだけ異なる為、ミラーＭＸのX方向の移
動速度に応じて周波数がΔｆから変化している信号が出
力される。この強度信号をステージ位置検出部７が処理
することにより、参照ビームの光路長を基準とした測長
ビームの光路長の変化量、言い換えれば、ウエハステー
ジに固設されたミラーＭＸのX方向の座標が、参照鏡を
基準にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。同
様に、図示はされないがウエハステージのＹ方向の位置
を検出する測長用干渉計によって、ウエハステージ４に
固設されたミラーＭＹのY方向の座標が、参照鏡を基準
にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。
ーザ光源から射出されたレーザビームを測長ビーム及び
参照ビームに分割する。そして、測長ビームをウエハス
テージ２上のミラーＭに向かって進ませ反射させて再び
内部に戻し、一方、参照ビームは内部の参照鏡に反射さ
せ、戻された両ビームの干渉光の強度信号を検出してい
る。射出段階で測長ビームと参照ビームとは互いに周波
数が微小量Δｆだけ異なる為、ミラーＭＸのX方向の移
動速度に応じて周波数がΔｆから変化している信号が出
力される。この強度信号をステージ位置検出部７が処理
することにより、参照ビームの光路長を基準とした測長
ビームの光路長の変化量、言い換えれば、ウエハステー
ジに固設されたミラーＭＸのX方向の座標が、参照鏡を
基準にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。同
様に、図示はされないがウエハステージのＹ方向の位置
を検出する測長用干渉計によって、ウエハステージ４に
固設されたミラーＭＹのY方向の座標が、参照鏡を基準
にして、高い分解能でかつ高精度に計測される。
【００１６】アライメント光学系４は、アライメント光
（ウエハＷに塗布された感光材を露光しない波長を有す
る）を照射対象物（ウエハＷ）に向け、照射対象物から
の光から照射対象物の像を検出する。そして、アライメ
ント光学系制御部８はアライメント光学系４の基準位置
に対する照射対象物の位置を検出する。
（ウエハＷに塗布された感光材を露光しない波長を有す
る）を照射対象物（ウエハＷ）に向け、照射対象物から
の光から照射対象物の像を検出する。そして、アライメ
ント光学系制御部８はアライメント光学系４の基準位置
に対する照射対象物の位置を検出する。
【００１７】主制御系９は、上記電子光学系制御部５、
アライメント光学系制御部８、ステージ位置検出部７、
ウエハステージ制御部６からのデータを処理、各制御部
への司令等を行う制御系である。また、メモリ１０は、
主制御系９に必要な情報を記憶する記憶手段である。
アライメント光学系制御部８、ステージ位置検出部７、
ウエハステージ制御部６からのデータを処理、各制御部
への司令等を行う制御系である。また、メモリ１０は、
主制御系９に必要な情報を記憶する記憶手段である。
【００１８】露光処理動作の説明 図４を用いて本実施例の電子ビーム露光装置の露光処理
動作について説明する。
動作について説明する。
【００１９】基本的には、ステップアンドリピート動作
によって、基板上の複数ショット位置にパターンを並べ
て露光するものであり、荷電粒子線を偏向してステージ
に搭載された基板上にパターンを描画露光するにあたっ
て、ステージの移動に応じて荷電粒子線を偏向する偏向
器の制御もしくは前記ステージの位置制御によって前記
ステージに対する荷電粒子線の基準位置を補正するもの
である。
によって、基板上の複数ショット位置にパターンを並べ
て露光するものであり、荷電粒子線を偏向してステージ
に搭載された基板上にパターンを描画露光するにあたっ
て、ステージの移動に応じて荷電粒子線を偏向する偏向
器の制御もしくは前記ステージの位置制御によって前記
ステージに対する荷電粒子線の基準位置を補正するもの
である。
【００２０】詳細な説明の前に、本実施例の座標系につ
いて述べる。Ｘステージ２３の位置は、ステージ位置検
出部７によって定められる。そして、設計上、電子光学
系１からの電子ビームが偏向器１３によって偏向されず
にステージ側に入射する位置を電子ビームの基準位置と
し、その基準位置に静電チャック２５の中心が位置する
時、ステージ位置検出部７が、ステージ座標系（ｘ、
ｙ）において、（ｘ、ｙ）＝（０、０）と検知するよう
に予め設定されている。また、ステージ座標系における
電子光学系１の基準位置、アライメント光学系４の基準
位置の設計上の位置は予め知られており、よって、当然
のことながら、アライメント光学系４の基準位置に対す
る電子光学系１の基準位置の設計上の相対位置関係すな
わち設計上の相対位置（xsd,ysd）も予め知られてい
る。以後、この相対位置をベースラインと記す。
いて述べる。Ｘステージ２３の位置は、ステージ位置検
出部７によって定められる。そして、設計上、電子光学
系１からの電子ビームが偏向器１３によって偏向されず
にステージ側に入射する位置を電子ビームの基準位置と
し、その基準位置に静電チャック２５の中心が位置する
時、ステージ位置検出部７が、ステージ座標系（ｘ、
ｙ）において、（ｘ、ｙ）＝（０、０）と検知するよう
に予め設定されている。また、ステージ座標系における
電子光学系１の基準位置、アライメント光学系４の基準
位置の設計上の位置は予め知られており、よって、当然
のことながら、アライメント光学系４の基準位置に対す
る電子光学系１の基準位置の設計上の相対位置関係すな
わち設計上の相対位置（xsd,ysd）も予め知られてい
る。以後、この相対位置をベースラインと記す。
【００２１】露光処理作業の開始により、電子ビーム露
光装置は以下のステップを実行する。
光装置は以下のステップを実行する。
【００２２】（ステップS101）校正用ウエハCW（校正用
基板）を、ウエハステージ２の静電チャック２５に載置
する。
基板）を、ウエハステージ２の静電チャック２５に載置
する。
【００２３】ここで、校正用ウエハCWは、図５に示すよ
うにアライメントマークAMが複数配列されて形成されて
いる。また、同図に示すように、アライメントマークAM
と同一形状のステージ基準マークSMが形成された基準プ
レートSPがウエハステージ２のθZステージに固設され
いる。（ステージ座標系におけるステージ基準マークSM
の設計上の位置は予め知られている。）
うにアライメントマークAMが複数配列されて形成されて
いる。また、同図に示すように、アライメントマークAM
と同一形状のステージ基準マークSMが形成された基準プ
レートSPがウエハステージ２のθZステージに固設され
いる。（ステージ座標系におけるステージ基準マークSM
の設計上の位置は予め知られている。）
【００２４】（ステップS102）設計上の電子光学系１の
基準位置及びステージ基準マークSMの位置に基づいて、
ステージ基準マークSMを電子光学系１の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージを制御する。
基準位置及びステージ基準マークSMの位置に基づいて、
ステージ基準マークSMを電子光学系１の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージを制御する。
【００２５】（ステップS103）電子光学系１によって、
電子光学系１の基準位置に対するステージ基準マークSM
の位置(xs1,ys1)を検出する。次に、設計上のベースラ
インに基づいて、ステージ基準マークSMを電子光学系１
の基準位置からアライメント光学系４の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージを制御する。そして、アライメント光学系４によ
って、アライメント光学系４の基準位置に対するステー
ジ基準マークSMの位置(xs2,ys2)を検出する。
電子光学系１の基準位置に対するステージ基準マークSM
の位置(xs1,ys1)を検出する。次に、設計上のベースラ
インに基づいて、ステージ基準マークSMを電子光学系１
の基準位置からアライメント光学系４の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージを制御する。そして、アライメント光学系４によ
って、アライメント光学系４の基準位置に対するステー
ジ基準マークSMの位置(xs2,ys2)を検出する。
【００２６】（ステップS104）ステップS103の検出結果
より、設計上のベースラインに対する実際のベースライ
ンの変化量（δxs, δys）を下式より求める。
より、設計上のベースラインに対する実際のベースライ
ンの変化量（δxs, δys）を下式より求める。
【００２７】δxs =xs1-xs2 δys =ys1-ys2
【００２８】そして基準ベースライン（xs,ys）を下記
のように定義し、メモリ１０に記憶する。
のように定義し、メモリ１０に記憶する。
【００２９】（xs,ys）= (xsd+δxs , ysd+δys）
【００３０】（ステップS105）校正用ウエハCWの一つの
アライメントマークAM(i)を電子光学系１の基準位置に
位置させるようにウエハステージ制御部６によってウエ
ハステージ２を制御する。そして、その時のウエハステ
ージの位置（SX(i),SY(i)）を検出する。
アライメントマークAM(i)を電子光学系１の基準位置に
位置させるようにウエハステージ制御部６によってウエ
ハステージ２を制御する。そして、その時のウエハステ
ージの位置（SX(i),SY(i)）を検出する。
【００３１】（ステップS106）電子光学系１によって、
電子光学系１の基準位置に対するアライメントマークAM
(i)の位置(x1,y1)を検出する。次に、基準ベースライン
に基づいて、アライメントマークAM(i)を電子光学系１
の基準位置からアライメント光学系４の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージ２を制御する。そして、アライメント光学系４に
よって、アライメント光学系４の基準位置に対するアラ
イメントマークAM(i)の位置(x2,y2)を検出する。
電子光学系１の基準位置に対するアライメントマークAM
(i)の位置(x1,y1)を検出する。次に、基準ベースライン
に基づいて、アライメントマークAM(i)を電子光学系１
の基準位置からアライメント光学系４の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージ２を制御する。そして、アライメント光学系４に
よって、アライメント光学系４の基準位置に対するアラ
イメントマークAM(i)の位置(x2,y2)を検出する。
【００３２】（ステップS107）ステップS106の検出結果
より、基準ベースラインに対するアライメントマークAM
(i)を用いた時のベースラインの変化量（δx(i), δy
(i) ）を下式より求め、 δxs =x1-x2 δys =y1-y2 そして、ベースラインの変化量（δx(i), δy(i)）及び
ウエハステージの位置（SX(i),SY(i)）をメモリ１０に
記憶する。ここで、ベースラインの変化量（δx(i), δ
y(i)）は、ウエハーステージ２移動による電子ビームの
基準位置の変動と考えられる。なぜなら、ウエハステー
ジ２の移動による電磁場の変動が起きようと、アライメ
ント光学系４は光を使用しているためその変動に対し何
ら影響を受けないので、アライメント光学系４の基準位
置はウエハステージ２の移動に対し非常に安定している
からである。
より、基準ベースラインに対するアライメントマークAM
(i)を用いた時のベースラインの変化量（δx(i), δy
(i) ）を下式より求め、 δxs =x1-x2 δys =y1-y2 そして、ベースラインの変化量（δx(i), δy(i)）及び
ウエハステージの位置（SX(i),SY(i)）をメモリ１０に
記憶する。ここで、ベースラインの変化量（δx(i), δ
y(i)）は、ウエハーステージ２移動による電子ビームの
基準位置の変動と考えられる。なぜなら、ウエハステー
ジ２の移動による電磁場の変動が起きようと、アライメ
ント光学系４は光を使用しているためその変動に対し何
ら影響を受けないので、アライメント光学系４の基準位
置はウエハステージ２の移動に対し非常に安定している
からである。
【００３３】（ステップS108）全てのアライメントマー
クAM(i)についてステップS105〜ステップS107が完了し
たら、次のステップに進み、そうでない場合は、ステッ
プS105に戻る。
クAM(i)についてステップS105〜ステップS107が完了し
たら、次のステップに進み、そうでない場合は、ステッ
プS105に戻る。
【００３４】（ステップS109）校正用ウエハCWを電子ビ
ーム露光装置から搬出する。
ーム露光装置から搬出する。
【００３５】（ステップS110）露光用ウエハWを、ウエ
ハステージ２の静電チャック２５に載置する。載置され
るウェハW上には、図6に示すように複数の矩形のパター
ン領域CPが配列座標系αβに沿ってマトリックス状に形
成されている。各パターン領域CPの夫々は、電子ビーム
が描画するパターンと重なり合うように定められ、各パ
ターン領域CPにはX方向及びY方向のアライメント用のマ
ークAMが付随して形成されている。ここで配列座標系α
βの原点を、ウェハ6上の中央付近に位置するパターン
領域CP0の中心点と一致するように定める。配列座標系
αβにおける各パターン領域CPの設計上の座標値（又は
Ｘ方向とＹ方向のステッピング・ピッチ）は、図１のメ
モリ１０内に予め記憶されている。
ハステージ２の静電チャック２５に載置する。載置され
るウェハW上には、図6に示すように複数の矩形のパター
ン領域CPが配列座標系αβに沿ってマトリックス状に形
成されている。各パターン領域CPの夫々は、電子ビーム
が描画するパターンと重なり合うように定められ、各パ
ターン領域CPにはX方向及びY方向のアライメント用のマ
ークAMが付随して形成されている。ここで配列座標系α
βの原点を、ウェハ6上の中央付近に位置するパターン
領域CP0の中心点と一致するように定める。配列座標系
αβにおける各パターン領域CPの設計上の座標値（又は
Ｘ方向とＹ方向のステッピング・ピッチ）は、図１のメ
モリ１０内に予め記憶されている。
【００３６】（ステップS111）設計上の電子光学系１の
基準位置及びステージ基準マークSMの位置に基づいて、
ステージ基準マークSMを電子光学系１の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージ２を制御する。
基準位置及びステージ基準マークSMの位置に基づいて、
ステージ基準マークSMを電子光学系１の基準位置に位置
させるようにウエハステージ制御部６によってウエハス
テージ２を制御する。
【００３７】（ステップS112）電子光学系１によって、
電子光学系１の基準位置に対するステージ基準マークSM
の位置(xs1,ys1)を検出する。次に、記憶されている現
在の基準ベースラインに基づいて、ステージ基準マーク
SMを電子光学系１の基準位置からアライメント光学系４
の基準位置に位置させるようにウエハステージ制御部６
によってウエハステージ２を制御する。そして、アライ
メント光学系４によって、アライメント光学系４の基準
位置に対するステージ基準マークSMの位置(xs2,ys2)を
検出する。
電子光学系１の基準位置に対するステージ基準マークSM
の位置(xs1,ys1)を検出する。次に、記憶されている現
在の基準ベースラインに基づいて、ステージ基準マーク
SMを電子光学系１の基準位置からアライメント光学系４
の基準位置に位置させるようにウエハステージ制御部６
によってウエハステージ２を制御する。そして、アライ
メント光学系４によって、アライメント光学系４の基準
位置に対するステージ基準マークSMの位置(xs2,ys2)を
検出する。
【００３８】（ステップS113）ステップS112の検出結果
より、基準ベースラインに対する実際のベースラインの
変化量（δxs, δys）を下式より求める。
より、基準ベースラインに対する実際のベースラインの
変化量（δxs, δys）を下式より求める。
【００３９】δxs =xs1-xs2 δys =ys1-ys2
【００４０】そして基準ベースライン（xs,ys）を下記
のように再設定し、メモリ１０に記憶する。
のように再設定し、メモリ１０に記憶する。
【００４１】（xs,ys）= (xs+δxs , ys+δys）
【００４２】（ステップS114）ウエハW上のアライメン
トマークの一つを選択し、選択されたパターン領域CPの
アライメントマークAMを、設計上の座標位置（xi,yi）
に基づいて、アライメント光学系４の基準位置に位置す
るように移動させ、アライメント光学系制御部５によ
り、基準位置に対するアライメントマークAMの位置ずれ
を検出し、アライメントマークAMの位置の実測値（XXi,
YYi）が得られる。
トマークの一つを選択し、選択されたパターン領域CPの
アライメントマークAMを、設計上の座標位置（xi,yi）
に基づいて、アライメント光学系４の基準位置に位置す
るように移動させ、アライメント光学系制御部５によ
り、基準位置に対するアライメントマークAMの位置ずれ
を検出し、アライメントマークAMの位置の実測値（XXi,
YYi）が得られる。
【００４３】（ステップS115）アライメントマークAMの
位置の実測値（XXi,YXi）に基づいて、ウエハW上のパタ
ーン領域ＣＰの配列の規則性を決定する。
位置の実測値（XXi,YXi）に基づいて、ウエハW上のパタ
ーン領域ＣＰの配列の規則性を決定する。
【００４４】（ステップS116）ウエハステージ２によっ
て、ウエハWを連続移動させる。
て、ウエハWを連続移動させる。
【００４５】（ステップS117）ステージ位置検出部７か
らの現在のステージ位置と、メモリ１０に記憶されたス
テージ位置毎のベースラインの変化量（電子ビームの基
準位置の変動量）に基づいて、現在のステージ位置にお
ける電子ビームの基準位置の補正量を求め、電子光学系
制御部５に命じ、現在の基準ベースラインの関係になる
ように電子ビームの基準位置を偏向器１３によってその
補正量だけ補正する。若しくは、ウエハステージ制御部
６に命じ、Ｘステージ２３の位置をその補正量だけ補正
する。
らの現在のステージ位置と、メモリ１０に記憶されたス
テージ位置毎のベースラインの変化量（電子ビームの基
準位置の変動量）に基づいて、現在のステージ位置にお
ける電子ビームの基準位置の補正量を求め、電子光学系
制御部５に命じ、現在の基準ベースラインの関係になる
ように電子ビームの基準位置を偏向器１３によってその
補正量だけ補正する。若しくは、ウエハステージ制御部
６に命じ、Ｘステージ２３の位置をその補正量だけ補正
する。
【００４６】ここで、全てのステージ位置に対応したベ
ースラインの変化量（電子ビームの基準位置の補正量）
は、メモリ１０には記憶されていない。図7は、記憶さ
れているウエハステージ２の位置毎のベースラインの変
化量（図中、矢印でベクトル表示されている。）を示
す。このようにベースラインの変化量は離散的にしかな
い。そこで、記憶されているステージ位置毎のベースラ
インの変化量（電子ビームの基準位置の補正量）の中
で、現在のステージ位置(p0)に近隣する複数のステージ
位置（p1〜p4）のベースラインの変化量（電子ビームの
基準位置の補正量）から内挿補間して、現在のステージ
位置の電子ビームの基準位置の補正量を求めている。
ースラインの変化量（電子ビームの基準位置の補正量）
は、メモリ１０には記憶されていない。図7は、記憶さ
れているウエハステージ２の位置毎のベースラインの変
化量（図中、矢印でベクトル表示されている。）を示
す。このようにベースラインの変化量は離散的にしかな
い。そこで、記憶されているステージ位置毎のベースラ
インの変化量（電子ビームの基準位置の補正量）の中
で、現在のステージ位置(p0)に近隣する複数のステージ
位置（p1〜p4）のベースラインの変化量（電子ビームの
基準位置の補正量）から内挿補間して、現在のステージ
位置の電子ビームの基準位置の補正量を求めている。
【００４７】（ステップS118）基準ベースライン及び決
定された配列の規則性に基づいて、各パターン領域CP内
の設計上の各位置（xi,yi）に対する実際の位置（Xi,Y
i）を算出し、この実際の位置（Xi,Yi）に、電子ビーム
EBが位置決めされるように偏向器１３及びウエハステー
ジ２の少なくと一方を動作させて、パターン領域CPの設
計値（xi,yi）に対応したパターンを描画する。
定された配列の規則性に基づいて、各パターン領域CP内
の設計上の各位置（xi,yi）に対する実際の位置（Xi,Y
i）を算出し、この実際の位置（Xi,Yi）に、電子ビーム
EBが位置決めされるように偏向器１３及びウエハステー
ジ２の少なくと一方を動作させて、パターン領域CPの設
計値（xi,yi）に対応したパターンを描画する。
【００４８】（ステップS119）ウエハW上の全ての描画
領域を描画した場合、次のステップに進む。そうでない
場合は、ステップS111に戻る。
領域を描画した場合、次のステップに進む。そうでない
場合は、ステップS111に戻る。
【００４９】（ステップS120）ウエハWを電子ビーム露
光装置から搬出する。
光装置から搬出する。
【００５０】以上説明してきたように、荷電粒子線を偏
向してステージに搭載された基板上にパターンを描画露
光するにあたって、前記ステージの移動に応じて、荷電
粒子線を偏向する偏向器の制御もしくは前記ステージの
位置制御によって前記ステージに対する荷電粒子線の基
準位置を補正することを特徴とするものである。これに
よって、ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動を
補正できるので、荷電粒子線露光の露光精度の低下をさ
せることがない。
向してステージに搭載された基板上にパターンを描画露
光するにあたって、前記ステージの移動に応じて、荷電
粒子線を偏向する偏向器の制御もしくは前記ステージの
位置制御によって前記ステージに対する荷電粒子線の基
準位置を補正することを特徴とするものである。これに
よって、ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動を
補正できるので、荷電粒子線露光の露光精度の低下をさ
せることがない。
【００５１】なお、上記例ではステップアンドリピート
動作で基板上の複数ショット位置にパターンを並べて露
光する際に、各ショットの中でステージ位置に応じて前
記基準位置を補正するようにしているが、描画するショ
ット位置に応じて前記基準位置を補正するようにしても
よい。
動作で基板上の複数ショット位置にパターンを並べて露
光する際に、各ショットの中でステージ位置に応じて前
記基準位置を補正するようにしているが、描画するショ
ット位置に応じて前記基準位置を補正するようにしても
よい。
【００５２】＜デバイス製造方法＞上記説明した電子ビ
ーム露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を
説明する。
ーム露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を
説明する。
【００５３】図８は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パ
ターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプ
ロセス）は前工程と呼ばれ、露光制御データが入力され
た露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パ
ターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成す
る。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の
材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプ
ロセス）は前工程と呼ばれ、露光制御データが入力され
た露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作
製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００５４】図９は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回
路パターンが形成される。
【００５５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
テージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動を容易に検出
し補正できるので、荷電粒子線描画の描画精度の低下を
させることがない。また、この描画方法または装置を用
いてデバイスを製造すれば、従来以上に高精度なデバイ
スを製造することができる。
テージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動を容易に検出
し補正できるので、荷電粒子線描画の描画精度の低下を
させることがない。また、この描画方法または装置を用
いてデバイスを製造すれば、従来以上に高精度なデバイ
スを製造することができる。
【図１】本発明に係る電子ビーム露光装置を示す図。
【図２】ステージを裏から見た裏面図。
【図３】ステージを上から見た平面図。
【図４】露光処理フローを説明する図。
【図５】校正用ウエハを説明する図。
【図６】露光用ウエハを説明する図。
【図７】ウエハステージの位置毎のベースラインの変化
量を説明する図。
量を説明する図。
【図８】微小デバイスの製造フローを説明する図。
【図９】ウエハプロセスを説明する図。
１ 電子光学系 ２ ウエハステージ ３ 測長用干渉計 ４ アライメント光学系 ５ 電子光学系制御部 ６ ウエハステージ制御部 ７ ステージ位置検出部 ８ アライメント光学系制御部 ９ 主制御系 １０ メモリ １００ 真空チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｂ
Claims (15)
- 【請求項１】 基板が載置されたステージを移動させ、
荷電粒子線を用いて前記基板上にパターンを露光する荷
電粒子線露光方法において、 複数のマークが形成された校正用基板を前記ステージに
載置し、前記ステージを移動させ、前記荷電粒子線と光
のそれぞれによって前記複数のマークの位置を検出する
段階と、 前記検出結果に基づいて、前記荷電粒子線の基準位置と
前記光の基準位置との相対位置関係のステージ位置毎の
変化に関する情報を求め、記憶する段階と、 前記ステージの位置に応じて、前記荷電粒子の基準位置
を、前記記憶された情報に基づいて補正する段階とを有
することを特徴とする荷電粒子線露光方法。 - 【請求項２】 前記ステージに固設された基準マークの
位置を、前記荷電粒子線と前記光のそれぞれによってを
検出し、その結果に基づいて前記荷電粒子線の基準位置
と前記光の基準位置との相対位置関係を求める段階を有
し、前記補正段階は、前記記憶された情報に基づいて、
前記基準マークを用いて得た前記荷電粒子線の基準位置
と前記光の基準位置との相対位置関係になるように、前
記荷電粒子の基準位置を補正する段階を有することを特
徴とする請求項１の荷電粒子線露光方法。 - 【請求項３】 前記ステージには、磁性体が用いられて
いることを特徴とする請求項1又は２記載の荷電粒子線
露光方法。 - 【請求項４】 前記ステージは、移動体を浮上させる静
圧軸受けと、基準面に対してステージを吸引して予圧を
与える予圧機構とを有することを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか記載の荷電粒子線露光方法。 - 【請求項５】 前記予圧機構は磁石予圧機構であること
を特徴とする請求項４記載の荷電粒子線露光方法。 - 【請求項６】 前記予圧機構は真空予圧機構、又は静電
予圧機構であることを特徴とする請求項４記載の荷電粒
子線露光方法。 - 【請求項７】 荷電粒子線は電子ビームであることを特
徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の荷電粒子線露
光方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか記載の荷電粒
子線露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴と
するデバイス製造方法。 - 【請求項９】 荷電粒子線を用いて基板上にパターンを
露光する荷電粒子線露光装置において、 前記基板を載置し移動するステージと、 前記ステージの位置を検出する測長系と、 前記荷電粒子線の基準位置に基づいて、前記基板の所望
の位置に荷電粒子線を照射するとともに、照射対象物に
前記荷電粒子線を照射し、該照射対象物からの荷電粒子
線を検出し、前記荷電粒子線の基準位置に対する該照射
対象物の位置を検出する電子光学系と、 照射対象物に光を照射し、該照射対象物からの光を検出
し、該光の基準位置に対する該照射対象物の位置を検出
するアライメント光学系と、 情報を記憶する記憶手段と、 複数のマークが形成された校正用基板を前記ステージに
載置し、前記ステージを移動させ、前記電子光学系とア
ライメント光学系のそれぞれによって前記複数のマーク
の位置を検出し、前記検出結果に基づいて、前記荷電粒
子線の基準位置と前記光の基準位置との相対位置関係の
ステージ位置毎の変化に関する情報を求め、該情報を前
記記憶手段に記憶し、前記測長系から得られる前記ステ
ージの位置に応じて、前記荷電粒子の基準位置を、前記
記憶手段に記憶された情報に基づいて補正する制御系と
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項１０】 前記ステージに固設された基準マーク
を有し、前記制御系は、前記電子光学系とアライメント
光学系のそれぞれによって前記基準マークを検出し、そ
の結果に基づいて前記荷電粒子線の基準位置と前記光の
基準位置との相対位置関係を求め、前記記憶された情報
に基づいて、前記基準マークを用いて得た前記荷電粒子
線の基準位置と前記光の基準位置との相対位置関係にな
るように、前記荷電粒子の基準位置を補正することを特
徴とする請求項９の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項１１】 前記ステージには、磁性体が用いられ
ていることを特徴とする請求項９又は１０記載の荷電粒
子線露光装置。 - 【請求項１２】 前記ステージは、移動体を浮上させる
静圧軸受けと、基準面に対してステージを吸引して予圧
を与える予圧機構とを有することを特徴とする請求項９
乃至１１のいずれか記載の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項１３】 前記予圧機構は磁石予圧機構であるこ
とを特徴とする請求項１２記載の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項１４】 前記予圧機構は真空予圧機構、又は静
電予圧機構であることを特徴とする請求項１２記載の荷
電粒子線露光装置。 - 【請求項１５】 荷電粒子線は電子ビームであることを
特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の荷電粒子線
露光装置。
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