JPS62265721A - 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法

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JPS62265721A
JPS62265721A JP10921786A JP10921786A JPS62265721A JP S62265721 A JPS62265721 A JP S62265721A JP 10921786 A JP10921786 A JP 10921786A JP 10921786 A JP10921786 A JP 10921786A JP S62265721 A JPS62265721 A JP S62265721A
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JP
Japan
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mark position
wafer
stage
mark
input terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP10921786A
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English (en)
Inventor
Hironobu Niijima
宏信 新島
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は連続移動方式の電子ビーム露光装置において
2.ウェハ上に半導体集積回路のパターンを描く際、ウ
ェハの位置とビームの偏向位置とを合致させるのに用い
る複数個のマークの位置を検出する方法に関し、特にウ
ェハを高速に連続移動しても精度良くマーク位置を検出
できるようにしたものである。
「従来技術」 第4図にウェハの面を示す。このウェハ10に複数個の
マーク1)が付されており、これらのマーク1)の位置
を基準として半導体集積回路のパターンを描いている。
例えばウェハ10の領域12にパターンを描く時はこの
領域12を囲む4個のマークの位置を基準にウェハの位
置とビームの偏向位置とを合致させてから領域12にパ
ターン描画する。
ウェハ10に付された複数個のマーク1)の位置を検出
する方法として、例えば特開昭58−200536号公
報「荷電ビーム露光装胃におけるマーク検出方式」に記
載されているものがある。
これはウェハが固定されているステージを連続移動しな
がらパターン描画を行う露光装置において、マークの位
置検出も連続移動のもとで行うものである。その際、マ
ークの部分から反射されるビームの強度は弱くなるとい
うことに着目して、マークの位置を検出する。そのため
に目的とするマーク上を横切るように複数回ビーム走査
する。その時ウェハから反射されるビームの強度を増幅
してしきい値と比較し、ビームの強度がしきい値と交差
した時ビーム位置を読み取って記憶する。そして複数回
のビーム走査を終えた時に記憶された複数個のビーム位
置を例えば単純平均することによりマーク位置を算出す
るようにしたものである。
しかしながらこの明細書にはマークの位置を検出する時
に、ステージの連続移動を高速化することについては考
察されていない。パターン描画の際はビーム走査を約1
億回繰り返さなければいけないのに対し、マーク位置検
出の際は数百回のビーム走査で済む。従ってマーク位置
検出の時は、パターン描画の時よりもステージの移動速
度を速められるはずである。
しかしこの装置で、マーク位置検出時にステージの移動
を高速化するのには限界がある。一般にウェハから反射
されたビーム量を検出する反射電子検出器からの出力電
圧は低い。従って反射電子検出器の出力端子側に増幅器
を必要とするが、ウェハ上に照射するビームの位置を設
定してから、増幅器の出力電圧が安定するまで時間がか
かるという問題がある。例えば第5図に示すように、ウ
ェハ10が矢印の方向に連続移動している時、電子ビー
ムを照射する位置を点P1に設定する。しかし実際は増
幅器の出力電圧が安定した時点で、電子ビームは点P2
に照射しており、このP2から反射したビームをしきい
値と比較するようになる。このため、点PIと点P2と
の距離に対応した誤差を生ずる。この誤差はステージの
移動速度が大きい程、増大する。
「問題点を解決するための手段」 この発明によるマーク位置検出方法は、ウェハを連続移
動させながらマーク位置を検出する場合、ウェハ上の指
定された位置にビームを照射してから所定時間経過後、
即ち例えば反射電子検出器に接続された増幅器の出力電
圧が安定した後に酸ウェハから反射される電子ビームの
強度をデジタル値に変換する。このデジタル値が設定さ
れたしきい値と交差した時にウェハ上に照射しているビ
ームの位置を読み取る。このビーム位置を例えば単純平
均することにより仮のマーク位置を算出する。
そしてこの仮のマーク位置から、ビームを指定された位
置に照射してから、データとして処理できる反射ビーム
を読み取れるまでの間にステージが移動する距離を減算
することにより、精度良くマーク位置を求めようとする
ものである。
「実施例」 第1図にこの発明によるマーク位置検出方法を用いた電
子ビーム露光装置のブロック図を示す。
電子光学鏡筒13の電子銃14より発生した電子ビーム
は偏向板15により偏向してステージ16上に固定され
ているウェハエフ上に照射される。
ステージ16はパターン描写及びマーク位置検出の時は
連続的に移動しており、これが一定距離動く毎にレーザ
測長器31よりパルスを発生する。
このパルスは制御部19に供給されると共に、ステージ
位置カウンタ32に供給されて計数される。
走査データメモリ27からはマーク上を複数回走査させ
る信号が出力され、加算器28でステージ位置カウンタ
32の計数値と加算される。その加算値は補正回路29
で補正され、偏向用DA変換器30で補正回路29から
のり1:7ソク信号毎にアナログ信号に変換されて電子
光学鏡筒13の偏向板15に供給される。
ウェハ17上で反射された電子ビームの強度は反射電子
検出器18で検出されて、マーク位置検出回路20に供
、給される。このマーク位置検出回路20には補正回路
29からのクロック信号が供給され、遅延回路22で電
子ビームを補正回路29により指定された角度だけビー
ムを偏向してから、増幅器21の出力電圧が安定するま
での時間L5.。
だけ遅延される。遅延回路22からのクロック信号はマ
ーク位置検出部24で計数される。マーク位置検出回路
20に供給された反射電子検出器18からの信号は増幅
器21で増幅され、AD変換器23で遅延回路22から
のクロック信号毎にデジタル信号に変換されてマーク位
置検出部24に供給される。
複数回のビーム走査を終了した時に、マーク位置検出部
24では仮のマーク位置を算出して減算器26の入力端
子Aに供給する。また検出制御部25では補正値を算出
して減算器26の入力端子Bに供給する。減算器26で
は入力端子Aに供給されている仮のマーク位置から、入
力端子Bに供給されている補正値を減算して真のマーク
位置を求め、制御部19の記憶手段に記憶させる。
次に第2図のフローチャート及び第3図のタイムチャー
トを用いてこの回路の動作について説明する。走査デー
タメモリ27からは、第3図aに示すように例えば50
0ナノ秒毎に変化するデータ#1、#2、−・−・・が
出力される(ステップ1)。
走査データメモリ27からの出力データが変化して所定
時間経過後、第3図すに示すように補正回路29からク
ロック信号を出力する(ステップ2)。
このクロック信号により偏向用変換器30に供給されて
いるデータはアナログ信号に変換されて偏向板15に出
力され、ビームを所定角度偏向してウェハ17上に照射
する。補正回路2つからのクロック信号は、第3図Cに
示すように遅延回路22で時間t ILLだけ遅延して
AD変換器23及びマーク位置検出部24に供給される
(ステップ3)。
このクロック信号により増幅器21で増幅された反射電
子検出器18からの信号はデジタル信号に変換されてマ
ーク位置検出部24に供給される。
ウェハ17より反射されるビームの強度はマークの部分
から反射された場合は低く、その両端のエツジから反射
されたビームの強度は急激に変化している。そこで第2
図のフローチャートではしきい値を定め、マーク位置検
出部24でしきい値とAD変換器23からのデジタル信
号とを比較する(ステップ4)。AD変換器23からの
デジタル信号がこのしきい値と交差した時、遅延回路2
2からのクロック信号の計数値からビーム位置を求め、
マーク位置検出回路24内に設けられた記憶手段に記憶
させる(ステップ5)。
複数回のビーム走査を終了した時(ステップ6)にマー
ク位置検出部24の記憶手段に記憶された複数個のビー
ム位置を例えば単純平均して仮のマーク位置を求め(ス
テップ7)、減算器26の入力端子Aに供給する。検出
制御部25では偏向用DA変換器30からアナログ信号
を出力してビームを所定角度偏向させてから、AD変換
器23が遅延回路22からのクロック信号により反射ビ
ームの強度を読み取るまでの時間t51.と、連続的に
移動しているステージ16の速度■5との積t1.。
×vsを演算して減算器26の入力端子Bに供給する。
減算器26では入力端子Aに供給されているマーク位置
検出部24で求められた仮のマーク位置から、入力端子
Bに供給されている補正値t ILLXv、を減算して
真のマーク位置を算出しくステップ8)、制御部19の
記憶手段に記憶させる。
従って制御部19にはステージ16を高速に移動させて
も高精度のマーク位置が記憶される。そしてパターン描
画の時に制御部19に記憶されたマーク位置を基単に、
ウェハの位置とビームの偏向位置とを合致甘さて露光を
行う。
「発明の効果」 以上説明したようにこの発明によるマーク位置検出方法
は、連続移動方式の電子ビーム露光装置においてウェハ
上のマーク位置を検出する時、ウェハから反射されたビ
ームが所定の条件を満たした時、ウェハ上に照射してい
るビームの位置を読み取って仮のマーク位置を算出する
。そしてウェハ上の指定された位置にビームを照射して
からデータとして利用できる反射ビーム強度を読み取る
までの間にステージが移動する距離を上記板のマーク位
置から?fi算して真のマーク位置を算出するようにし
たので、上記ステージを高速に連続移動しても精度良く
マーク位置を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は電子ビーム露光装置のブロック図、第2図は第
1図に示した装置の動作を説明するためのフローチャー
ト、第3図は第1図に示した装置の動作を説明するため
のタイムチャー1−1第4図はマークが付されたウェハ
の上面図、第5図は連続移動方式によるマーク位置検出
方法を説明するための断面図である。 : tstl →−−− 第  3  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハを連続移動しながらパターン描画する電子
    ビーム露光装置において、連続移動しているウェハ上に
    電子ビームを照射し、その時ウェハから反射されるビー
    ムが所定の条件を満たした時、ウェハ上に照射されてい
    るビームの位置を読み取り、このビーム位置から仮のマ
    ーク位置を算出し、該仮のマーク位置から、上記反射ビ
    ームをウェハ上の設定された位置に照射してからデータ
    として利用できる反射ビーム強度を読み取るまでの間に
    ウェハが移動する距離を減算することにより真のマーク
    位置を求めるようにしたことを特徴とするマーク位置検
    出方法。
JP10921786A 1986-05-13 1986-05-13 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法 Pending JPS62265721A (ja)

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JP10921786A JPS62265721A (ja) 1986-05-13 1986-05-13 電子ビ−ム露光装置におけるマ−ク位置検出方法

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JPS62265721A true JPS62265721A (ja) 1987-11-18

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110516A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Advantest Corp 電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60119721A (ja) * 1983-12-02 1985-06-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム露光装置における照射位置補正方法
JPS617626A (ja) * 1984-06-22 1986-01-14 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法

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