JPS61114116A - 寸法測長装置 - Google Patents

寸法測長装置

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Publication number
JPS61114116A
JPS61114116A JP23493584A JP23493584A JPS61114116A JP S61114116 A JPS61114116 A JP S61114116A JP 23493584 A JP23493584 A JP 23493584A JP 23493584 A JP23493584 A JP 23493584A JP S61114116 A JPS61114116 A JP S61114116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
measurement
deflection
dimension
coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23493584A
Other languages
English (en)
Inventor
Genya Matsuoka
玄也 松岡
Kenichi Yamamoto
健一 山本
Mikio Ichihashi
幹雄 市橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP23493584A priority Critical patent/JPS61114116A/ja
Publication of JPS61114116A publication Critical patent/JPS61114116A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/04Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring contours or curvatures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、電子ビーム走査を用いた寸法測長装置に関す
る。
〔発明の背景〕
電子ビーム副長装置は電子ビームを測長試料」二を走査
し、試料上の被測定パターンからの反射電子又は2次電
子による波形信号を検出し、該波形信号よりパターン寸
法を測定するものである。この装置では波形信号より導
いたパターン寸法を、なんらかの方法で較正し、得られ
る寸法を精確なものとする必要がある。従来、この較正
方法として、特開昭58−1.86009号に記載され
ているように。
測長試料を搭載した試料台を微少移動し、レーザ干渉測
長針により試料移動量を測定し、波形信号より得た試料
移動量と比較することにより較正する方法があった。
しかし、電子ビームの偏向においては、非直線性が存在
し、偏向領域内の測定位置によって上記較正係数が変化
し、−個所での較正では精確にlll’1長出来ないと
いう問題があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、先の問題点を考慮し、偏向領域内の任
意の位置での寸法測定においても、精確な測定が可能と
なる寸法測長装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明では、電子ビームの
偏向領域内の測定位置による寸法測定感度の変化を求め
、その変化量より偏向領域内の寸法補正係数を決定する
手段と、該寸法補正係数を用いて測定寸法を補正する手
段とを備える如く構成したものである。
〔発明の実施例〕
最初に、本発明の基本的原理について詳述する。
すなわち1本発明においては、偏向領域内の複数個所に
おいて電子ビーム走査によるパターンからの波形信号と
レーザ干渉計の値とを用いて、寸法補正係数の偏向位置
依存性を偏向座標の多項式で近似することにより、偏向
領域内の任意の位置での寸法補正係数を求めるものであ
る。本発明による方法を以下に述べる。
偏向領域内の複数個所において、試料台を微小移動させ
、その移動量を電子ビームの走査による波形信号から求
めたものをり、(iは複数の較正場所を示す。)、レー
ザ干渉計による移動量をLl’とすると較正係数は K l= L 1’ / L + となる。
複数のに、について求めた後、K、の偏向領域内での測
定位置依存性を偏向量(x、y)の多項式として近似し
、任意の点での寸法補正係数K(x、y)を求める。例
えば、多項式としては、K(:5 y)=Ax+By十
Cxy+D等がある。係数A、B、C,Dは電子光学系
の条件が変化しない限り一定のものである。
寸法測定においては、偏向量(x、y)で求めた寸法を
S (x、y)とすると、補正後の寸法5o(XI y
)は 5o(x+ y)=K(x、y)%8(x、y)となり
、S o (X * ’/ )が求める寸法となる。
以」:述べた方法は、偏向領域内の各点で電子ビ一ムの
偏向感度をレーザ干渉計による絶対寸法を用いて補正す
る方法であるので、正確ではあるが。
K、を得るのに試料台の微小移動を伴うので時間がかか
る。そこで、高速、かつ、簡便な方法としでは、以下に
説明する方法を用いる方法も有効である。
偏向領域の中心においてのみ、標準となるパターンを用
い、試料台の微小移動による移動量を波形信号及びレー
ザ干渉計より求め、これを各々L、、LO’とし、電子
ビーム偏向感度の較正係数に、 (但し、x o = 
L O’ / Lo )を求める。更にそのパターン寸
法S。を測る。
次に、該パターンを偏向領域内の複数個所に、試料台移
動により移動させ、各偏向点でのパターン寸法S、を求
める。
中心での寸法がS。と他の点での寸法S、の比を に、’  =8./S。
とすると、偏向領域の各点での較正係数に1はK l=
 K a ’ K t ’ となる。
以4二にして求めたに、について、先と同じく偏向Ji
 (x r y)による多項式近似を行ない、任意の偏
向点(x、y)での寸法補正係数K (x + y )
を得る。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
図において、第2図に示す偏向領域30内の位W31に
橿準パターン】2を試料台13の移動により移動させ、
電子ビーム11の走査によってパターン12の2次電子
信号を検出器16で検出した。
検出信号は、第3図に示した信号波形4oであり、波形
処理回路17によりパターン]2の中心位置41を求め
た。同時に試料台13の位置を即ちパターン12の位置
をレーザ干渉計19により正確に測定した。
次に、試料台13を駆動回路18により微小移動させ、
先と同様に電子ビームを走査して波形信号42、及びパ
ターン中心位1[43を求め、さらに、移動後の試料台
13の位置をレーザ干渉計19により求めた。
処理装置20において、波形信号から得た試料台の移動
距離■7.と、レーザ干渉計により得た移動距離TJ 
1 ′″より、較正係数Kl (=L1’/L、)を求
めた。
次に、試料台13を移動させ、パターン12の位置を偏
向領域内32の位置へ移し、同様の操作を行なって、該
測定位置での較正係数に2を求めた。以下、同様にして
、第2図に示した如く、偏向領域内の25個所の点にお
いて較正係数K。
(i=1〜25)を逐次決定した。
処置装[20において、補正係数Kを式(1)で示す偏
向量(x、y)の3次式で近似し、多項式の係数A、、
 A、・・・A、を算出し、該係数値を記憶した。
K (x、y) : Ao+ A1x十A、y+ A3
x” + A、xy+ A、y2+ A、x” 十A、
x”y+ A、xy”+Asy’          
   (])任意の被測定パターンの寸法測定は、電子
ビーム走査により得られた寸法Sに対して、次に記憶し
た多項式の係数を用いて、測定点(x、y)における寸
法補正係数K (x+ y)を処理装[20により演算
し、 S o =S x K (x r y )によりパター
ン寸法S。を決定し、これを測長結果として出力した。
偏向領域内の各点での試料台の微少移動を用いない簡易
法については、処理装置20の制御方法を変更し、第1
図で示した装置構成で同様に実施可能である。
本実施例によれば、偏向領域の任意の個所での測長にお
いて、電子ビームの偏向系の非直線性に起因する誤差を
補正することが出来るため、電子ビームの高分解能を利
用したサブミクロン領域の高精度な寸法測定が可能とな
る。また、本方法によれば、電子光学系の偏向感度に影
響する不測の要因を除去することが可能であり、電子ビ
ーム測長装置の測定再現性が向上できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、電子ビ゛ −ム
の偏向系の非直線性等による寸法測定誤差を除去できる
ため、偏向領域内の任意の測定位置で高精度且つ再現性
のよいサブミクロン寸法の測長が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を説明するための装置構成
図、第2図は偏向領域と較正点を示す図。 第3図は試料台移動前後での波形信号を示した図である

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電子ビームの微小スポットを形成する集束手段と、
    該電子ビームを測定試料上で走査する偏向手段と、該試
    料上の被測定パターンから発生する信号を検出する信号
    検出手段と、該検出信号より前記パターンの寸法を測定
    する信号処理手段よりなる電子ビームを用いた寸法測長
    装置において、電子ビームの偏向領域内の測定位置によ
    る寸法測定感度の変化を求め、その変化量より偏向領域
    内の寸法補正係数を決定する手段と、該寸法補正係数を
    用いて測定寸法を補正する手段とを備えたことを特徴と
    する寸法測長装置。 2、前記寸法補正係数を決定する手段として、測定試料
    を試料台の移動により測定試料を電子ビーム偏向領域内
    の複数個所へ移動させ、各点において試料台の移動によ
    り試料の微少移動を行ない、該微少移動における移動量
    を、移動前後での電子ビームの走査による測定試料から
    信号、及びレーザ干渉計からの値のそれぞれより求め、
    電子ビーム走査による移動量を、レーザ干渉計による移
    動量で較正する操作を行なうことにより電子ビーム偏向
    領域内の測定位置に依存した寸法補正係数を求めること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の寸法測長装置
    。 3、前記寸法補正係数を求める手段として偏向中心にお
    いてのみ試料台の微小移動を行なつた前記第2項に示し
    た電子ビーム走査による移動量を、レーザ干渉計による
    移動量で較正する操作を行なうと共に、測定試料の寸法
    を測定し、次いで試料台の移動により測定試料を電子ビ
    ーム偏向領域内の複数個所に移動させて各点において測
    定試料の寸法測定を行なうことにより、電子ビーム偏向
    領域内の測定位置に依存した寸法補正係数を求めること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の寸法測長装置
JP23493584A 1984-11-09 1984-11-09 寸法測長装置 Pending JPS61114116A (ja)

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JPS61114116A true JPS61114116A (ja) 1986-05-31

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ID=16978574

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009031214A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Toshiba Corp パターン検査方法およびパターン検査装置
RU2735849C1 (ru) * 2019-05-27 2020-11-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ получения алюмосиликатного цеолита со структурой mtw (типа zsm-12)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009031214A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Toshiba Corp パターン検査方法およびパターン検査装置
RU2735849C1 (ru) * 2019-05-27 2020-11-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ получения алюмосиликатного цеолита со структурой mtw (типа zsm-12)

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