JPH0282515A - 電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画方法Info
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- JPH0282515A JPH0282515A JP23393788A JP23393788A JPH0282515A JP H0282515 A JPH0282515 A JP H0282515A JP 23393788 A JP23393788 A JP 23393788A JP 23393788 A JP23393788 A JP 23393788A JP H0282515 A JPH0282515 A JP H0282515A
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- Japan
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- electron beam
- mark
- amount
- stage
- deflection distortion
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- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
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- 238000012935 Averaging Methods 0.000 abstract 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子ビーム描画方法に関する。
従来の技術
従来、電子ビームを用いてパターンを描画する際電子ビ
ームを偏向し一度に走査する領域（以後フィールドと称
す）を数１１１ｍ角とし、フィールド内の偏向歪量を測
定し、描画位置をこの偏向歪量で補正してパターン描画
位置の高精度化をはかっている。との時１通常試料移動
用の動体（以後ステージと称す）に取り付けられたマー
クを電子ビームで走査して信号（以後マーク信号と称す
）を得、この信号を処理することによって位置検出をし
、位置検出の値から偏向歪量を測定している。
ームを偏向し一度に走査する領域（以後フィールドと称
す）を数１１１ｍ角とし、フィールド内の偏向歪量を測
定し、描画位置をこの偏向歪量で補正してパターン描画
位置の高精度化をはかっている。との時１通常試料移動
用の動体（以後ステージと称す）に取り付けられたマー
クを電子ビームで走査して信号（以後マーク信号と称す
）を得、この信号を処理することによって位置検出をし
、位置検出の値から偏向歪量を測定している。
従来のこの種の偏向歪量の測定方法の例を第２図に基い
て説明する。第２図において１１は電子ビーム、１２は
偏向器、１３はステージ、１４は位置検出用マーク、ム
はステージ移動方向、！はマーク１４が移動した距離で
ある。
て説明する。第２図において１１は電子ビーム、１２は
偏向器、１３はステージ、１４は位置検出用マーク、ム
はステージ移動方向、！はマーク１４が移動した距離で
ある。
まず、偏向器１２に電圧を印加し、電子ビーム１１を偏
向させマーク１４を走査する。マーク１４が検出できた
時の電子ビームを’１１＆とする。次に、ステージ１３
を移動方向ムへ距離ｌだけ移動させる。移動距離βはス
テージ１３に取りつけられたレーザー干渉計（図示せず
）により精度良く測定される。測定後、マーク１４を電
子ビーム１１で走査する。マーク１４が移動後に検出で
きた時ノミ子ビームを１１ｂとする。電子ビームｆｆｆ
ｆ＆と電子ビーム１１ｂにおける偏向器１２にかかる電
圧の差と、移動距離４よシフイールド内における偏向歪
を演算にて求める。しかる後、パターンを描画する際に
描画位置を偏向歪量で補正する。
向させマーク１４を走査する。マーク１４が検出できた
時の電子ビームを’１１＆とする。次に、ステージ１３
を移動方向ムへ距離ｌだけ移動させる。移動距離βはス
テージ１３に取りつけられたレーザー干渉計（図示せず
）により精度良く測定される。測定後、マーク１４を電
子ビーム１１で走査する。マーク１４が移動後に検出で
きた時ノミ子ビームを１１ｂとする。電子ビームｆｆｆ
ｆ＆と電子ビーム１１ｂにおける偏向器１２にかかる電
圧の差と、移動距離４よシフイールド内における偏向歪
を演算にて求める。しかる後、パターンを描画する際に
描画位置を偏向歪量で補正する。
発明が解決しようとする課題
しかしながらこのような偏向歪量の測定方法では、ステ
ージの位置は正確であるという前提のもとに偏向器への
入力信号に対する電子ビームの位置ずれを測定している
。しかし、ステージ位置の読み増シには誤差が含まれる
。特に測定点数を多くした場合ステージの移動に時間が
がかり試料の処理枚数が低下する。同じ偏向電圧でも電
子ビームの位置が変化し測定誤差が生ずるという問題が
あった。
ージの位置は正確であるという前提のもとに偏向器への
入力信号に対する電子ビームの位置ずれを測定している
。しかし、ステージ位置の読み増シには誤差が含まれる
。特に測定点数を多くした場合ステージの移動に時間が
がかり試料の処理枚数が低下する。同じ偏向電圧でも電
子ビームの位置が変化し測定誤差が生ずるという問題が
あった。
課題を解決するための手段
このような課題を解決するために、本発明の電子ビーム
描画方法はフィールド全域をカバーするマークを用いて
ステージの移動なしに偏向歪量の測定を行なうものであ
る。
描画方法はフィールド全域をカバーするマークを用いて
ステージの移動なしに偏向歪量の測定を行なうものであ
る。
作用
フィールド内の１点へ電子ビームを偏向しその近傍の微
小範囲で走査することでマークのうちの１つのマークを
検出し、電子ビームの位置ズレを計測する。池の位置へ
電子ビームを偏向すると別のマークを検出し同様にその
位置での電子ビームの位置ズレを計測する。このように
試料ステージを停止させたまま、電子ビームの偏向のみ
で偏向歪量の高精度な測定を行ない、これを補正するの
で高精度な電子ビーム描画が行なえる。
小範囲で走査することでマークのうちの１つのマークを
検出し、電子ビームの位置ズレを計測する。池の位置へ
電子ビームを偏向すると別のマークを検出し同様にその
位置での電子ビームの位置ズレを計測する。このように
試料ステージを停止させたまま、電子ビームの偏向のみ
で偏向歪量の高精度な測定を行ない、これを補正するの
で高精度な電子ビーム描画が行なえる。
実施例
第１図によυ本発明電子ビーム描画方法の一実施例にお
ける偏向歪測定を説明する。１１Ｌ、１ｔ）は電子ビー
ム、２は偏向器、３はメツシュ状マーク、４はフィール
ド領域を表わす。電子ビームは偏向器２により偏向され
１ａのように照射される。
ける偏向歪測定を説明する。１１Ｌ、１ｔ）は電子ビー
ム、２は偏向器、３はメツシュ状マーク、４はフィール
ド領域を表わす。電子ビームは偏向器２により偏向され
１ａのように照射される。
この状態でＸ方向、Ｙ方向に電子ビームを走査するとマ
ーク３ａを検出する。マーク検出信号と偏向器入力信号
とから計測されるマーク位置と、実際のマーク位置との
差からこの位置における偏向歪量を求める。次に電子ビ
ームを１ｂのように偏向し、同様に偏向歪量を求める。
ーク３ａを検出する。マーク検出信号と偏向器入力信号
とから計測されるマーク位置と、実際のマーク位置との
差からこの位置における偏向歪量を求める。次に電子ビ
ームを１ｂのように偏向し、同様に偏向歪量を求める。
これをフィールド全域において行ない、偏向歪量を測定
する。この間、ステージは停止したままである。従って
測定値にステージ位置読み増シ誤差は含まれない。
する。この間、ステージは停止したままである。従って
測定値にステージ位置読み増シ誤差は含まれない。
また、ステージ移動速度は電子ビーム偏向速度に比べて
著しく大きいため、本発明による測定法によれば従来法
に比べて極めて短時間に測定を行なうことができる。従
ってビームドリフトの影響の低減や、複数回の測定を行
ない平均値をとることにより測定精度を高めるというこ
とが簡単に行なえる。
著しく大きいため、本発明による測定法によれば従来法
に比べて極めて短時間に測定を行なうことができる。従
ってビームドリフトの影響の低減や、複数回の測定を行
ない平均値をとることにより測定精度を高めるというこ
とが簡単に行なえる。
メツシュ状マークを正確に製作することは難しいが、１
μｍ程度の位置精度で製作するのは易しい。この程度の
位置ズレでは偏向歪量は同一とみなせるので、あらかじ
め他の測定機でマーク位置を測定しておいて電子ビーム
を用いたマーク検出位置と比較すれば良い。第１図にお
いてＬｌ、Ｌ２・・・・・ＬＮは池の測定機により測定
された距離である。また、メツシュ間隔は電子ビーム描
画装置において偏向歪補正を行なう単位領域と同一にと
ればきめ細かな測定、補正が行なえる。
μｍ程度の位置精度で製作するのは易しい。この程度の
位置ズレでは偏向歪量は同一とみなせるので、あらかじ
め他の測定機でマーク位置を測定しておいて電子ビーム
を用いたマーク検出位置と比較すれば良い。第１図にお
いてＬｌ、Ｌ２・・・・・ＬＮは池の測定機により測定
された距離である。また、メツシュ間隔は電子ビーム描
画装置において偏向歪補正を行なう単位領域と同一にと
ればきめ細かな測定、補正が行なえる。
発明の効果
本発明によれば高精度でかつ高速の電子ビーム偏向歪量
の測定、補正がおこなえ、高精度な電子ビーム描画が可
能となる。
の測定、補正がおこなえ、高精度な電子ビーム描画が可
能となる。
第１図は本発明の電子ビーム描画方法の一実施例におけ
る電子ビーム偏向歪量の測定方法を説明するための図、
第２図は従来の偏向歪量の測定方法を説明するための図
である。 １．１ａ、１ｂ・・・・・・電子ビーム、２・・・・・
・偏向器、３．３！Ｌ 、３ｂ・・・・・・メツシュ状
マーク、４・・・・・・フィールド、６・・・・・・マ
ーク、 Ｌｌ ＋ Ｌ２１・・・・・・Ｌに・・・・
・・マーク間距離。
る電子ビーム偏向歪量の測定方法を説明するための図、
第２図は従来の偏向歪量の測定方法を説明するための図
である。 １．１ａ、１ｂ・・・・・・電子ビーム、２・・・・・
・偏向器、３．３！Ｌ 、３ｂ・・・・・・メツシュ状
マーク、４・・・・・・フィールド、６・・・・・・マ
ーク、 Ｌｌ ＋ Ｌ２１・・・・・・Ｌに・・・・
・・マーク間距離。
Claims (3)
- （１）電子ビームの一走査範囲の全域に及ぶマークを形
成し、前記マークを電子ビームで走査して得られた信号
（マーク信号）により電子ビーム偏向歪を補正すること
を特徴とする電子ビーム描画方法。 - （２）マークの特定の位置をあらかじめ電子ビーム偏向
系以外の測定系により決定し、マーク信号によるマーク
位置の測定値を前記電子ビーム偏向系以外の測定系によ
り決定された値により補正することを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の電子ビーム描画方法。 - （３）マークがメッシュ状に形成され、かつ試料の移動
用動体上に付加されていることを特徴とする特許請求範
囲第１項または第２項に記載した方式による電子ビーム
描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23393788A JPH0282515A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 電子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23393788A JPH0282515A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 電子ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282515A true JPH0282515A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16962953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23393788A Pending JPH0282515A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 電子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282515A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617454A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-09-28 | Etec Systems, Inc. | Method and structure for electronically measuring beam parameters |
| WO2002029867A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Advantest Corporation | Procede de correction de faisceau electronique et systeme d'exposition a faisceaux electroniques |
| JP2003017400A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Advantest Corp | 電子ビーム補正方法 |
| JP2013004888A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置の評価方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23393788A patent/JPH0282515A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0617454A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-09-28 | Etec Systems, Inc. | Method and structure for electronically measuring beam parameters |
| WO2002029867A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-11 | Advantest Corporation | Procede de correction de faisceau electronique et systeme d'exposition a faisceaux electroniques |
| JP2003017400A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Advantest Corp | 電子ビーム補正方法 |
| JP2013004888A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置の評価方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
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